JP2003085838A

JP2003085838A - 光記録媒体の製造方法

Info

Publication number: JP2003085838A
Application number: JP2001280256A
Authority: JP
Inventors: 寛史 ▲高▼▲崎▼; Hiroshi Takasaki; Hideki Ishizaki; 秀樹石▲崎▼
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2001-09-14
Filing date: 2001-09-14
Publication date: 2003-03-20

Abstract

(57)【要約】【課題】成膜時における異常放電の発生が防止された
光記録媒体の製造方法を提供する。【解決手段】マスク３０，４０により画定される基板
１１上の成膜領域にスパッタリング法により反射膜１２
を形成する第１の工程と（ステップＳ２）、マスク３
０，４０により画定される反射膜１２上の成膜領域にス
パッタリング法により１または２以上の膜を形成する第
２の工程（ステップＳ３〜Ｓ５）とを備え、マスク３
０，４０と反射膜１２とが接触していない状態で第２の
工程を行う。これにより、異常放電の発生が効果的に防
止されるので、膜質の劣化が防止され、光記録媒体の品
質を高めることが可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光記録媒体の製造
方法に関し、特に、反射層上に１または２以上の膜をス
パッタリング法により形成することにより作製されるタ
イプの光記録媒体の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、大容量のデジタルデータを記録す
るための記録媒体として、ＣＤやＤＶＤに代表される光
ディスクが広く用いられている。一般的な光ディスク
は、光入射面側から、光透過層、記録層、反射層、保護
層の順に各層が積層されてなり、データの読み出しに際
しては、光透過層側からレーザが照射されてその反射光
が検出される。

【０００３】図８は、一般的な光ディスクの一種である
ＤＶＤ−ＲＷの構造を概略的に示す部分断面図である。

【０００４】図８に示されるように、ＤＶＤ−ＲＷは、
厚さが約０．６ｍｍの光透過層１と、厚さが５０〜８０
ｎｍの第１の誘電体層２と、厚さが約１０〜３０ｎｍの
記録層３と、厚さが１０〜３０ｎｍの第２の誘電体層４
と、厚さが約９０〜１５０ｎｍの反射層５と、厚さが約
５μｍの保護層６によって構成される。また、ディスク
の中心部分には孔７が設けられている。一般に、光透過
層１はポリカーボネートからなり、第１の誘電体層２は
ＺｎＳ−ＳｉＯ_２からなり、記録層３はＡｇＩｎＳｂＴ
ｅＧｅ等の相変化化合物からなり、第２の誘電体層４は
ＺｎＳ−ＳｉＯ _２からなり、反射層５はアルミニウム合
金からなり、保護層６は紫外線硬化性樹脂からなる。こ
のような構成を有するＤＶＤ−ＲＷの作製においては、
まず、スタンパを用いてプリグルーブを有する光透過層
１を射出成形し、次に、光透過層１のうち、プリグルー
ブが形成されている面にスパッタリング法によって第１
の誘電体層２、記録層３、第２の誘電体層４、反射層５
をこの順に成膜する。そして、反射層５の表面に紫外線
硬化性樹脂をスピンコート法により形成することによっ
て、保護層６を形成する。これにより、光透過層１、第
１の誘電体層２、記録層３、第２の誘電体層４、反射層
５及び保護層６からなるＤＶＤ−ＲＷが作製される。

【０００５】記録層３を構成する相変化化合物は、結晶
相である場合とアモルファス相である場合とで光学定数
が異なっており、これを利用してデジタルデータの記録
を行うことができる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】近年における情報技術
の進歩に伴い、記録媒体の一つである光ディスクは高速
化・大容量化の必要に迫られている。光ディスクを高速
化・大容量化するためには、記録・再生レーザの短波長
化や光ディスク用ヘッドの高開口数（Ｎｕｍｅｒｉｃａ
ｌＡｐｅｒｔｕｒｅ：ＮＡ）化を行うことが有効であ
る。

【０００７】しかしながら、光ディスク用ヘッドが高Ｎ
Ａ化すると、チルトマージンが小さくなるという問題が
生じてしまう。チルトマージンＴは、記録・再生レーザ
の波長をλ、記録・再生レーザが入射する透明基体の厚
さをｄとすると、次式によって表すことができる。

【０００８】

【数１】式（１）から明らかなように、チルトマージンは光ディ
スク用ヘッドのＮＡが大きいほど小さくなってしまう。
また、波面収差（コマ収差）が発生する基体の屈折率を
ｎ、傾き角をθとすると、波面収差係数Ｗは、次式によ
って表すことができる。

【０００９】

【数２】式（１）及び式（２）から明らかなように、チルトマー
ジンを大きくし、且つ、コマ収差の発生を抑えるために
は、記録・再生レーザが入射する透明基体の厚さｄを小
さくすればよい。例えば、ＣＤ（ＮＡ＝０．４５）に代
表される従来の光ディスクに使用されている基板の厚み
が約１．２ｍｍであるのに対し、ＤＶＤ（ＮＡ＝０．
６）においてはこれよりも薄い約０．６ｍｍの厚みの基
板を用いるのはこのためである。

【００１０】近年、光ディスクの高速化・大容量化を実
現するために、光ディスク用ヘッドのＮＡを約０．８５
程度まで大きくする提案がなされているが、この場合、
チルトマージンを大きくし、且つ、コマ収差の発生を抑
えるためには、透明基体の厚さとしては約０．１ｍｍ程
度まで薄くする必要がある。

【００１１】ところが、現在基板の材料として一般的に
用いられているポリカーボネート等を射出成形法を用い
て、膜厚が０．１ｍｍ程度となるように薄く成形する
と、十分な機械的強度が確保できなくなるという問題が
生じる。

【００１２】これを解決するために、ポリカーボネート
等からなる基板上に、反射層、第２の誘電体層、記録
層、第１の誘電体層及び光透過層をこの順に形成するこ
とにより、透明基体が薄膜化された光ディスクが提案さ
れている。このようなタイプの光ディスクにおいては、
基板の反対側から記録・再生レーザが入射するため、基
板の厚みを十分に厚くすることができる。したがって、
このようなタイプの光ディスクを用いれば、基板の機械
的強度を十分に確保しつつ、高ＮＡの光ディスク用ヘッ
ドを利用することが可能となる。高ＮＡの光ディスク用
ヘッドを利用すると、記録・再生レーザのビームスポッ
トを非常に小さく絞ることができるため、光ディスクの
トラックピッチやグルーブ幅を上述した一般的なＤＶＤ
−ＲＷに比べて大幅に狭くすることが可能となる。

【００１３】このようなタイプの光ディスクにおいて
も、反射層や誘電体層、記録層等の成膜方法は、基本的
に、従来より用いられているスパッタリング法をそのま
ま用いることが可能であるが、このようなタイプの光デ
ィスクの製造においては、スパッタリング時において膜
表面に異常放電が発生することがあった。このような異
常放電が発生すると膜質が劣化するのみならず、場合に
よっては既に形成された膜が焼き焦がされてしまうこと
もあり、光ディスクの品質を大きく劣化させる原因とな
っていた。

【００１４】したがって、本発明の目的は、成膜時にお
ける異常放電の発生が防止された光記録媒体の製造方法
を提供することである。

【００１５】また、本発明の他の目的は、反射層上に１
または２以上の膜をスパッタリング法により形成するこ
とにより作製されるタイプの光記録媒体の改良された製
造方法を提供することである。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明者による研究によ
れば、このような異常放電の発生は、スパッタリングマ
スクと反射膜とが接触した状態で成膜を行うことが原因
であることが判明した。本発明は、かかる技術的知見に
基づくものであり、上記目的は、マスクにより画定され
る基板上の成膜領域にスパッタリング法により反射膜を
形成する第１の工程と、前記マスクにより画定される前
記反射膜上の成膜領域にスパッタリング法により１また
は２以上の膜を形成する第２の工程とを備え、前記マス
クと前記反射膜とが接触していない状態で前記第２の工
程を行うことを特徴とする光記録媒体の製造方法によっ
て達成される。

【００１７】本発明によれば、マスクと反射膜とが接触
していない状態でスパッタリングを行っていることか
ら、異常放電の発生が効果的に防止される。これによ
り、膜質の劣化が防止され、光記録媒体の品質を高める
ことが可能となる。

【００１８】本発明の好ましい実施態様においては、前
記マスクには、ターゲットに対して陰となる部分を形成
する切り込み部が設けられており、これによって前記マ
スクと前記反射膜との接触が防止されている。

【００１９】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記切り込み部の幅が０．１〜１．０ｍｍである。

【００２０】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記切り込み部の角度が、５〜８５度である。

【００２１】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記第１の工程及び第２の工程におけるスパッタリ
ングのガス圧を０．１〜１．０Ｐａに設定する。

【００２２】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記マスクが、前記成膜領域の内周を画定する内周
マスク及び前記成膜領域の外周を画定する外周マスクか
らなる。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら、
本発明の好ましい実施態様について詳細に説明する。

【００２４】図１は、本発明の好ましい実施態様にかか
る方法により製造されるべき光記録媒体１０の構造を概
略的に示す部分断面図である。

【００２５】図１に示されるように、光記録媒体１０
は、厚さが約１．１ｍｍの基板１１と、厚さが５０〜２
００ｎｍの反射層１２と、厚さが１０〜３０ｎｍの第２
の誘電体層１３と、厚さが１０〜３０ｎｍの記録層１４
と、厚さが３０〜１５０ｎｍの第１の誘電体層１５と、
厚さが約１００μｍの光透過層１６とによって構成され
る。また、光記録媒体１０の中心部分には孔１７が設け
られている。基板１１はポリカーボネートやポリオレフ
ィン等の樹脂からなり、反射層１２は銀を主成分とする
合金からなり、第２の誘電体層１３はＡｌ_２Ｏ_３からな
り、記録層１４はＡｇＩｎＳｂＴｅＧｅからなり、第１
の誘電体層１５はＺｎＳ−ＳｉＯ_２からなり、光透過層
１６は紫外線硬化性樹脂や、ポリカーボネートやポリオ
レフィン等の樹脂性シートからなる。

【００２６】このような構造を有する光記録媒体１０か
らのデータの読み出しに際しては、光透過層１６側から
例えば約４０５ｎｍの波長を持つ読み出し用レーザが照
射される。照射された読み出し用レーザは、記録層１４
を通って反射膜１２によって反射し、再び記録層１４を
通って光透過層１６を通って戻る。ここで、記録層１４
を構成するＡｇＩｎＳｂＴｅＧｅは相変化化合物であ
り、結晶相である場合とアモルファス相である場合とで
光学定数が異なっていることから、読み出し用レーザの
反射光量を検出することにより、読み出し用レーザが照
射された部分における記録層１４が結晶相であるかアモ
ルファス相であるかを判別することができる。記録層１
４が結晶相であるかアモルファス相であるかは、記録さ
れているデジタルデータに対応していることから、これ
を判別することにより、記録されているデジタルデータ
を読み出すことが可能となる。

【００２７】一方、光ディスク１０へのデータの書き込
みに際しては、光透過層１４側から例えば約４０５ｎｍ
の波長を持つ書き込み用レーザが照射され、これにより
当該部分における記録層１４の状態が、結晶相及びアモ
ルファス相のいずれか一方とされる。これにより、所望
のデジタルデータを記録層１４に記録することが可能と
なる。

【００２８】また、記録層１４を挟むように設けられた
第２の誘電体層１３及び第１の誘電体層１５は、記録層
１４に対する保護膜として機能する。

【００２９】次に、光記録媒体１０の製造方法について
説明する。

【００３０】図２は、光記録媒体１０の製造方法を示す
フローチャートである。上述のとおり、光記録媒体１０
の光透過層１６は厚さが約１００μｍと非常に薄く、こ
のため、従来の一般的なＤＶＤ−ＲＷとは逆の順序で成
膜が行われる。

【００３１】まず、スタンパを用いて、グルーブ幅が約
０．１５μｍ、トラックピッチが約０．３μｍ、グルー
ブの深さが約２０ｎｍであるプリグルーブを有する厚さ
が約１．１ｍｍの基板１１を射出成形する（ステップＳ
１）。

【００３２】次に、基板１１をプリグルーブが形成され
ている面が露出するように基板ホルダに載置し、さら
に、内周マスク及び外周マスクをセットする。

【００３３】図３は、基板ホルダ２０、内周マスク３０
及び外周マスク４０によって基板１１が保持された状態
を概略的に示す断面図である。尚、図３においては、図
面の見やすさを考慮して、基板１１、内周マスク３０及
び外周マスク４０と、基板ホルダ２０とを分離して示し
ている。

【００３４】図３に示されるように、内周マスク３０
は、基板１１の上面のうち所定の内周部分を覆うととも
に、基板１１に設けられた孔１７及び基板ホルダ２０の
中央部に設けられた凹部２１と嵌合することによって、
スパッタリング時における基板１１の内周部分への成膜
を妨げるとともに、基板１１を基板ホルダ２０に固定す
る役割を果たす。また、外周マスク４０は、基板１１の
上面のうち所定の外周部分を覆うとともに、基板ホルダ
２０の外周部に設けられた凹部２２と嵌合することによ
って、スパッタリング時における基板１１の外周部分へ
の成膜を妨げるとともに、基板１１を基板ホルダ２０に
固定する役割を果たす。

【００３５】図４は、内周マスク３０の外形を示す上面
図であり、図５は、図４に示すＡ−Ａ線に沿った断面図
である。

【００３６】図４及び図５に示されるように、内周マス
ク３０は、円盤状の本体部３１及びその中央部に設けら
れた円柱状の突出部３２からなり、本体部３１の端部
（外周部）には、切り込み部３３が形成されている。特
に限定されるものではないが、本体部３１の外径は約４
３ｍｍ程度に設定することが好ましく、突出部３２の外
径は約１５ｍｍ程度に設定することが好ましい。本体部
３１は、基板１１の上面のうち所定の内周部分を覆うこ
とによって当該部分への成膜を妨げ、成膜領域の内周を
画定する役割を果たす。また、突出部３２は、基板１１
に設けられた孔１７を介して基板ホルダ２０の中央部に
設けられた凹部２１と嵌合することにより、基板１１を
基板ホルダ２０に固定する役割を果たす。

【００３７】切り込み部３３は、図５に示されるよう
に、本体部３１の端部から距離Ｌｉまでの領域をθｉの
角度で切り欠いた部分であり、かかる切り込み部３３に
より、本体部３１の端部と基板１１との接触が妨げられ
ている。本実施態様においては、Ｌｉを０．１〜１．０
ｍｍに設定することが好ましく、０．１〜０．８ｍｍに
設定することがより好ましい。また、本実施態様におい
ては、θｉを５〜８５度に設定することが好ましく、１
５〜６０度に設定することがより好ましい。本明細書に
おいては、距離Ｌｉを切り込み部３３の「幅」と呼び、
角度θｉを切り込み部３３の「角度」と呼ぶ。

【００３８】図６は、外周マスク４０の外形を示す上面
図であり、図７は、図６に示すＢ−Ｂ線に沿った断面図
である。

【００３９】図６及び図７に示されるように、外周マス
ク４０は、円環状の本体部４１及びその外周部に設けら
れた円環状の突出部４２からなり、本体部４１の端部
（内周部）には、切り込み部４３が形成されている。特
に限定されるものではないが、本体部４１の内径は約１
１８ｍｍ程度に設定することが好ましい。本体部４１
は、基板１１の上面のうち所定の外周部分を覆うことに
よって当該部分への成膜を妨げ、成膜領域の外周を画定
する役割を果たす。また、突出部４２は、基板ホルダ２
０の外周部に設けられた凹部２２と嵌合することによっ
て、基板１１を基板ホルダ２０に固定する役割を果た
す。

【００４０】切り込み部４３は、図７に示されるよう
に、本体部４１の端部から距離Ｌｏまでの領域をθｏの
角度で切り欠いた部分であり、かかる切り込み部４３に
より、本体部４１の端部と基板１１との接触が妨げられ
ている。本実施態様においては、Ｌｏを０．１〜１．０
ｍｍに設定することが好ましく、０．１〜０．８ｍｍに
設定することがより好ましい。また、本実施態様におい
ては、θｏを５〜８５度に設定することが好ましく、１
５〜６０度に設定することがより好ましい。本明細書に
おいては、距離Ｌｏを切り込み部４３の「幅」と呼び、
角度θｏを切り込み部４３の「角度」と呼ぶ。

【００４１】このような基板ホルダ２０、内周マスク３
０及び外周マスク４０によって保持された基板１１をス
パッタリング装置の第１のチャンバー（図示せず）内に
搬送する。スパッタリング装置の第１のチャンバー内に
は、ターゲットとして銀を主成分とする合金が備えられ
ている。次に、第１のチャンバー内を約１×１０^−４Ｐ
ａ程度の減圧状態とし、次いで第１のチャンバー内にア
ルゴンガスを導入してそのガス圧を０．１〜１．０Ｐａ
に設定した後、ターゲットに直流電圧若しくは高周波電
圧を印加することにより、スパッタリングを行う。これ
により、基板１１の上面には、内周マスク３０及び外周
マスク４０によって覆われた部分を除く全面に、厚さが
５０〜２００ｎｍの反射層１２が形成される（ステップ
Ｓ２）。

【００４２】かかる成膜においては、基板１１の上面の
うち、内周マスク３０の切り欠き部３３に覆われた部分
及び外周マスク４０の切り欠き部４３に覆われた部分、
すなわち、ターゲットに対して陰になっている部分にも
僅かに反射膜１２が成膜されるが、ガス圧が０．１〜
１．０Ｐａと比較的低く設定されているため、ターゲッ
トより飛び出した成膜材料の直進性が高いとともに、切
り欠き部３３及び４３が上述した形状及びサイズに設定
されていることから、切り欠き部３３及び４３への成膜
材料の回り込みは非常に少なくなる。このため、基板１
１の上面のうち、切り欠き部３３及び４３に覆われた部
分への成膜は僅かであり、その入り口部分において僅か
に成膜されるに過ぎない。したがって、形成される反射
膜１２が内周マスク３０や外周マスクと接触することは
ない。

【００４３】このようにして反射層１２の成膜が完了す
ると、基板ホルダ２０、内周マスク３０及び外周マスク
４０によって保持された基板１１を第１のチャンバーか
ら第２のチャンバー（図示せず）へ搬送する。スパッタ
リング装置の第２のチャンバー内には、ターゲットとし
てＡｌ_２Ｏ_３が備えられている。次に、第２のチャンバ
ー内を約１×１０^−４Ｐａ程度の減圧状態とし、次いで
第２のチャンバー内にアルゴンガスを導入してそのガス
圧を０．１〜１．０Ｐａに設定してスパッタリングを行
う。これにより、反射層１２の上面には、内周マスク３
０及び外周マスク４０によって覆われた部分を除く全面
に、厚さが１０〜３０ｎｍの第２の誘電体層１３が形成
される（ステップＳ３）。

【００４４】かかるスパッタリングは、金属である反射
層１２の上面に対して行うものであるが、上述の通り、
かかる反射層１２と内周マスク３０及び外周マスク４０
が接触していないことから、これらが接触している場合
に生じる異常放電の発生が効果的に抑制される。尚、第
２の誘電体層１３の形成においても、内周マスク３０及
び外周マスク４０を用いていることから、反射層１２の
上面のうち、切り欠き部３３及び４３に覆われた部分へ
の成膜は僅かであり、その入り口部分において僅かに成
膜されるに過ぎない。したがって、形成された第２の誘
電体層１３が内周マスク３０や外周マスクと接触するこ
とはない。

【００４５】このようにして第２の誘電体層１３の成膜
が完了すると、基板ホルダ２０、内周マスク３０及び外
周マスク４０によって保持された基板１１を第２のチャ
ンバーから第３のチャンバー（図示せず）へ搬送する。
スパッタリング装置の第３のチャンバー内には、Ａｇ、
Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅ及びＧｅの混合ターゲットが備えられ
ている。次に、第３のチャンバー内を約１×１０^−４Ｐ
ａ程度の減圧状態とし、次いで第３のチャンバー内にア
ルゴンガスを導入してそのガス圧を０．１〜１．０Ｐａ
に設定してスパッタリングを行う。これにより、第２の
誘電体層１３の上面には、内周マスク３０及び外周マス
ク４０によって覆われた部分を除く全面に、厚さが１０
〜３０ｎｍの記録層１４が形成される（ステップＳ
４）。本工程においても、既に形成された反射層１２や
第２の誘電体層と内周マスク３０及び外周マスク４０が
接触していないことから、異常放電の発生が効果的に抑
制される。

【００４６】このようにして記録層１４の成膜が完了す
ると、基板ホルダ２０、内周マスク３０及び外周マスク
４０によって保持された基板１１を第３のチャンバーか
ら第４のチャンバー（図示せず）へ搬送する。スパッタ
リング装置の第４のチャンバー内には、ＺｎＳ及びＳｉ
Ｏ_２の混合ターゲットが備えられている。次に、第４の
チャンバー内を約１×１０^−４Ｐａ程度の減圧状態と
し、次いで第４のチャンバー内にアルゴンガスを導入し
てそのガス圧を０．１〜１．０Ｐａに設定してスパッタ
リングを行う。これにより、記録層１４の上面には、内
周マスク３０及び外周マスク４０によって覆われた部分
を除く全面に、厚さが３０〜１５０ｎｍの第１の誘電体
層１５が形成される（ステップＳ５）。本工程において
も、既に形成された反射層１２、第２の誘電体層１３及
び記録層１４と内周マスク３０及び外周マスク４０が接
触していないことから、異常放電の発生が効果的に抑制
される。

【００４７】このようにして基板１１上への反射層１
２、第２の誘電体層１３、記録層１４及び第１の誘電体
層１５の形成が完了すると、これら各層が形成された基
板１１をスパッタリング装置の第４のチャンバーから搬
出し、基板ホルダ２０、内周マスク３０及び外周マスク
４０を取り外す。そして、スピンコート法により第１の
誘電体層１５の表面に紫外線硬化性樹脂を塗布した後、
紫外線を照射することによって厚さが約１００μｍの光
透過層１６を形成する（ステップＳ６）。以上により、
光記録媒体１０が作製される。尚、光透過層１６の形成
については、あらかじめ成形されたポリカーボネートや
ポリオレフィン等の樹脂性シート材を第１の誘電体層１
５の表面に接着することによって行っても構わない。

【００４８】このように、本実施態様による光記録媒体
の製造方法においては、切り込み部３３を有する内周マ
スク３０及び切り込み部４３を有する外周マスク４０を
用いてスパッタリングを行っていることから、スパッタ
リングにより形成される膜と内周マスク３０及び外周マ
スク４０との接触が防止される。このため、これらが接
触している場合に生じる異常放電の発生が効果的に抑制
されるので、膜質の劣化が防止され、光記録媒体の品質
を高めることが可能となる。

【００４９】尚、切り込み部３３、４３の幅及び角度
は、スパッタリング時のガス圧を考慮して設定すること
が好ましい。すなわち、スパッタリング時のガス圧を比
較的高く設定する必要がある場合には、切り込み部３
３、４３によりターゲットに対して陰となる部分への成
膜材料の回り込みが多くなることから、切り込み部３
３、４３の幅をより広くし、角度をより小さくする必要
がある。逆に、スパッタリング時のガス圧を比較的低く
設定する必要がある場合には、切り込み部３３、４３に
よりターゲットに対して陰となる部分への成膜材料の回
り込みが少なくなることから、切り込み部３３、４３の
幅をより狭くし、角度をより大きくしても構わない。

【００５０】本発明は、以上の実施態様に限定されるこ
となく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種
々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含
されるものであることはいうまでもない。

【００５１】例えば、上記実施態様において用いた内周
マスク３０には、本体部３１の端部から距離Ｌｉまでの
領域をθｉの角度で切り欠いた切り込み部３３が備えら
れ、外周マスク４０には、本体部４１の端部から距離Ｌ
ｏまでの領域をθｏの角度で切り欠いた切り込み部４３
が備えられているが、切り込み部の形状としてはこれに
限定されず、ターゲットに対して陰となる部分が被成膜
面に形成され、これによってマスクと反射膜との接触が
妨げられる限り、切り込み部の形状は図９（ａ）、
（ｂ）に示すような形状であっても構わない。

【００５２】また、上記実施態様において示した基板１
１、反射層１２、第２の誘電体層１３、記録層１４、第
１の誘電体層１５及び光透過層１６の材料は、本発明に
かかる方法により製造される光記録媒体の好ましい一例
であり、これ以外の材料からなる光記録媒体の製造にお
いて本発明を適用することも可能である。

【００５３】例えば、上記実施態様においては、反射層
１２の材料として銀を主成分とする合金を用いている
が、反射層１２の材料としてはこれに限定されず、レー
ザ光に対する反射率が十分高ければ、他の材料、例え
ば、アルミニウムやその合金等をを用いて反射層１２を
構成しても構わない。但し、レーザ光に対する反射率、
成膜時における平坦性、並びに、熱伝導性を考慮すれ
ば、銀を主成分とする合金を用いることが最も好まし
い。

【００５４】また、上記実施態様においては、第２の誘
電体層１３の材料としてＡｌ_２Ｏ_３を用いているが、第
２の誘電体層１３の材料としてはこれに限定されず、他
の材料、例えば、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２やＳｉＮ等を用いて
第２の誘電体層１３を構成しても構わない。ＳｉＮを用
いて第２の誘電体層１３を構成する場合、ターゲットと
してＳｉＮを用いるか、或いは、ターゲットにＳｉを用
い放電ガスにＮ_２を加えることによりこれらを反応させ
ながら成膜を行う反応性スパッタリングを行えばよい。

【００５５】さらに、上記実施態様においては、記録層
１４の材料としてＡｇＩｎＳｂＴｅＧｅを用いている
が、記録層１４の材料としてはこれに限定されず、他の
材料、例えば、ＩｎＳｂＴｅＧｅやＳｂＴｅＧｅ等を用
いて記録層１４を構成しても構わない。また、記録層１
４を、複数の材料が積層された多層構造としても構わな
い。

【００５６】また、上記実施態様においては、第１の誘
電体層１５の材料としてＺｎＳ−ＳｉＯ_２を用いている
が、第１の誘電体層１５の材料としてはこれに限定され
ず、他の材料、例えば、ＳｉＮ等を用いて第１の誘電体
層１５を構成しても構わない。ＳｉＮを用いて第１の誘
電体層１５を構成する場合、上述のとおり、ターゲット
としてＳｉＮを用いるか、或いは、ターゲットにＳｉを
用い放電ガスにＮ_２を加えることによりこれらを反応さ
せながら成膜を行う反応性スパッタリングを行えばよ
い。さらに、第１の誘電体層１５を多層構造としても構
わない。この場合、第１の誘電体層１５を、ＺｎＳとＳ
ｉＯ_２の比率が異なる複数のＺｎＳ−ＳｉＯ_２膜によっ
て構成しても構わないし、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２膜とこれ以
外の誘電体層からなる多層構造としても構わない。

【００５７】さらに、上記実施態様においては、基板１
１の表面に反射層１２を直接成膜しているが、これらの
間に誘電体層を介在させても構わない。かかる誘電体層
は、反射層１２に対する防湿層として機能するため、作
製される光ディスク１０の信頼性を高めることが可能と
なる。このような誘電体層の成膜には、スパッタリング
法を用いることができる。

【００５８】また、本実施態様により成膜される基板１
１、反射層１２、第２の誘電体層１３、記録層１４、第
１の誘電体層１５及び光透過層１６の上記膜厚は本発明
における一例であり、本発明がこれに限定されるもので
はない。

【００５９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、切り込み部を有するマスクを用いてスパッタリング
を行っていることから、スパッタリングにより形成され
る膜とマスクとの接触が防止される。このため、これら
が接触している場合に生じる異常放電の発生が効果的に
抑制されるので、膜質の劣化が防止され、光記録媒体の
品質を高めることが可能となる。したがって、反射層上
に１または２以上の膜をスパッタリング法により形成す
る工程を有する光記録媒体の製造において、本発明は特
に有効である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の好ましい実施態様にかかる方法により
製造されるべき光記録媒体１０の構造を概略的に示す部
分断面図である。

【図２】光記録媒体１０の製造方法を示すフローチャー
トである。

【図３】基板ホルダ２０、内周マスク３０及び外周マス
ク４０によって基板１１が保持された状態を概略的に示
す断面図である。

【図４】内周マスク３０の外形を示す上面図である。

【図５】図４に示すＡ−Ａ線に沿った断面図である。

【図６】外周マスク４０の外形を示す上面図である。

【図７】図６に示すＢ−Ｂ線に沿った断面図である。

【図８】ＤＶＤ−ＲＷの構造を概略的に示す部分断面図
である。

【図９】（ａ）、（ｂ）ともに、切り込み部の形状の他
の例を示す略断面図である。

【符号の説明】

１光透過層２第１の誘電体層３記録層４第２の誘電体層５反射層６保護層７孔１０光ディスク１１基板１２反射層１３第２の誘電体層１４記録層１５第１の誘電体層１６光透過層１７孔２０基板ホルダ２１，２２凹部３０内周マスク３１本体部３２突出部３３切り込み部４０外周マスク４１本体部４２突出部４３切り込み部

フロントページの続きＦターム(参考） 4K029 AA11 AA24 BA22 BA41 BA44 BA64 BB02 BC07 BD00 CA05 EA03 GA03 HA01 5D121 AA03 EE03 EE16 EE20

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】マスクにより画定される基板上の成膜領
域にスパッタリング法により反射膜を形成する第１の工
程と、前記マスクにより画定される前記反射膜上の成膜
領域にスパッタリング法により１または２以上の膜を形
成する第２の工程とを備え、前記マスクと前記反射膜と
が接触していない状態で前記第２の工程を行うことを特
徴とする光記録媒体の製造方法。
【請求項２】前記マスクには、ターゲットに対して陰
となる部分を形成する切り込み部が設けられており、こ
れによって前記マスクと前記反射膜との接触が防止され
ていることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体の
製造方法。
【請求項３】前記切り込み部の幅が０．１〜１．０ｍ
ｍであることを特徴とする請求項２に記載の光記録媒体
の製造方法。
【請求項４】前記切り込み部の角度が、５〜８５度で
あることを特徴とする請求項２または３に記載の光記録
媒体の製造方法。
【請求項５】前記第１の工程及び第２の工程における
スパッタリングのガス圧を０．１〜１．０Ｐａに設定す
ることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記
載の光記録媒体の製造方法。
【請求項６】前記マスクが、前記成膜領域の内周を画
定する内周マスク及び前記成膜領域の外周を画定する外
周マスクからなることを特徴とする請求項１乃至５のい
ずれか１項に記載の光記録媒体の製造方法。