JPS6260108A - センダスト系合金製磁気ヘツドコアの製造方法 - Google Patents
センダスト系合金製磁気ヘツドコアの製造方法Info
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- JPS6260108A JPS6260108A JP20088685A JP20088685A JPS6260108A JP S6260108 A JPS6260108 A JP S6260108A JP 20088685 A JP20088685 A JP 20088685A JP 20088685 A JP20088685 A JP 20088685A JP S6260108 A JPS6260108 A JP S6260108A
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- alloy
- sendust
- sputtering
- blocks
- block
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、VTR等における高密度磁気記録に用いられ
る磁気へラドコアの製造方法に関し。
る磁気へラドコアの製造方法に関し。
殊にヘッドピース同上の接合力を高めると共にギヤツブ
精一度を品め、優れた性能の磁気へラドコアを得ること
のできる技術に関するものである。
精一度を品め、優れた性能の磁気へラドコアを得ること
のできる技術に関するものである。
[従来の技術]
ビデオ用或は音声用の磁気記録媒体に関しては情報信号
を狭トラツク内へ高密度に記録したいという安9!が強
い、このj2望に応えるものとして。
を狭トラツク内へ高密度に記録したいという安9!が強
い、このj2望に応えるものとして。
センダスト系合金を用いたものが開発さ−れつつあり、
狭キャップ幅11つ狭トラツク幅の磁気へラドコアが提
供される様になってきている。センダスト系合金で代表
される金属磁性材キ1は、従来のフェライト系材料に比
べて飽和磁束密度が高いという特性がありその面で注目
されているが、フェライト系材料において確シされてい
る製造り法をそのまま金属磁性材料製ヘッドの製造に転
用できない面があり1例えばブロック板の固着用として
新たに銀ろうを用いる方法等が開発されている。
狭キャップ幅11つ狭トラツク幅の磁気へラドコアが提
供される様になってきている。センダスト系合金で代表
される金属磁性材キ1は、従来のフェライト系材料に比
べて飽和磁束密度が高いという特性がありその面で注目
されているが、フェライト系材料において確シされてい
る製造り法をそのまま金属磁性材料製ヘッドの製造に転
用できない面があり1例えばブロック板の固着用として
新たに銀ろうを用いる方法等が開発されている。
第4図はセンダスト系合金(以下木II細J?では単に
センダストという)を材料とする従来の製造手順を示す
説明図である。まず(A)工程ではセンダストの矩形ブ
ロックlからブロック板2を切出す0次に(B)工程(
一般にウェハ加圧と称している)では、ブロック板を溝
加工用ブロック板2aと非溝加丁用ブロック板2bに分
け、前者2aの板面(特に片側面)にイ(線溝3を形成
する。直線1143は後述のコイル巻回mW [第4図
(H)参照]を形成する為のものであり、11号加工用
ブロック板2aの片側に寄せるとノ(に側縁Sと千−行
に形成するのが一般的である。そして直線溝3を挟んで
狭い方の堤をフロント部4と称し。
センダストという)を材料とする従来の製造手順を示す
説明図である。まず(A)工程ではセンダストの矩形ブ
ロックlからブロック板2を切出す0次に(B)工程(
一般にウェハ加圧と称している)では、ブロック板を溝
加工用ブロック板2aと非溝加丁用ブロック板2bに分
け、前者2aの板面(特に片側面)にイ(線溝3を形成
する。直線1143は後述のコイル巻回mW [第4図
(H)参照]を形成する為のものであり、11号加工用
ブロック板2aの片側に寄せるとノ(に側縁Sと千−行
に形成するのが一般的である。そして直線溝3を挟んで
狭い方の堤をフロント部4と称し。
広い方の堤をバック部5と称している。そして(C)
T、程ではフロント部4の表面に非接着性加1− (磁
性をもたーない物質を薄膜状に被着させる工程であり、
非磁性膜被IJ加[ともいう)4aを施し、−11溝加
に用ブロー2り坂2bには、フロント部4bと対面[第
4図(E)参照コする面に、直線溝3と直交する方向の
くし削り加工を施して狭いトランク幅Tのくし刃6を形
成する。そして(D)−[程では、前出のトラックII
IJTが完全に一致する様なくし刃7をフロント部に形
成する。
T、程ではフロント部4の表面に非接着性加1− (磁
性をもたーない物質を薄膜状に被着させる工程であり、
非磁性膜被IJ加[ともいう)4aを施し、−11溝加
に用ブロー2り坂2bには、フロント部4bと対面[第
4図(E)参照コする面に、直線溝3と直交する方向の
くし削り加工を施して狭いトランク幅Tのくし刃6を形
成する。そして(D)−[程では、前出のトラックII
IJTが完全に一致する様なくし刃7をフロント部に形
成する。
次に(E)工程では、2枚のブロフク板2a。
2bを向き合わせる様に積層し、両者を接合する。接合
に当たっては、バック部5の表面と、これに対向するブ
ロック2bの表面との間に譲ろう箔9等を介在させてい
るが、フロント部4については前述の如きJ1接看性加
工(例えばシリカ!に着1模の形成)を行なっているの
で、バック部5のみが接合され、フロント部4は単に対
向当接しているだけである。但しこの対向当接について
はトラックIII!Tが狭い点を考慮して極めて高精度
であることが要求されている。
に当たっては、バック部5の表面と、これに対向するブ
ロック2bの表面との間に譲ろう箔9等を介在させてい
るが、フロント部4については前述の如きJ1接看性加
工(例えばシリカ!に着1模の形成)を行なっているの
で、バック部5のみが接合され、フロント部4は単に対
向当接しているだけである。但しこの対向当接について
はトラックIII!Tが狭い点を考慮して極めて高精度
であることが要求されている。
磁気へラドコアは、川続き(F)、工程で補強材8の充
填、(G)工程での切断分割[!、IJ断線は(F)工
程中に破線で示しており、角度αのことをアジマス角度
と称している1、()()工程でのフロント部の研磨加
」−を経て製造される。
填、(G)工程での切断分割[!、IJ断線は(F)工
程中に破線で示しており、角度αのことをアジマス角度
と称している1、()()工程でのフロント部の研磨加
」−を経て製造される。
[発1j1が解決しようとする問題点〕」二記の様な磁
気へラドコアの製法において、ブロック板間上の接合に
汎用されているのは板厚2〜5gm程度の極薄銀ろう箔
(最も一般的なのはBAg8 : 72%Ag−28%
Cu)を介装してろう付けする方法であるが、この方法
には次に示す如く生産性及び製品性能の面で屯大な欠点
がある。
気へラドコアの製法において、ブロック板間上の接合に
汎用されているのは板厚2〜5gm程度の極薄銀ろう箔
(最も一般的なのはBAg8 : 72%Ag−28%
Cu)を介装してろう付けする方法であるが、この方法
には次に示す如く生産性及び製品性能の面で屯大な欠点
がある。
(a)銀ろう箔は非常に薄肉11つ軟弱である為取扱い
が極めて困難であり、所定の位置決めがむつかしい、し
かも銀ろう箔の板厚精度にはかなりのばらつきがある為
、ヘッド機俺として最も毛髪なギャップ精度を十分に高
めることができず、一般に要求される0 、 25’〜
0.3pmといったギヤ−7プ精度を保障し難い。
が極めて困難であり、所定の位置決めがむつかしい、し
かも銀ろう箔の板厚精度にはかなりのばらつきがある為
、ヘッド機俺として最も毛髪なギャップ精度を十分に高
めることができず、一般に要求される0 、 25’〜
0.3pmといったギヤ−7プ精度を保障し難い。
ちなみに第5図は2この種の銀ろう箔として最も広く用
いられているBAg−8(72%Ag−28%Cu)の
肉厚分1j(n=50)を調べた結果を示したグラフで
あり、肉厚のばらつきがギャップ精度低下の大きなり;
(因となっていることは明白である。
いられているBAg−8(72%Ag−28%Cu)の
肉厚分1j(n=50)を調べた結果を示したグラフで
あり、肉厚のばらつきがギャップ精度低下の大きなり;
(因となっていることは明白である。
(b)接合強度が低い為、次[程の!、13断或は研磨
1−程で接合面が剥離を起こし、製品歩留りが低ドする
。この剥離原因としては、ろう材成分のばらつきやブロ
ック板表面の酸化皮膜による接合強度不足等が考えられ
、こうした問題は銀ろう線を用いた場合にも同様に生じ
てくる。
1−程で接合面が剥離を起こし、製品歩留りが低ドする
。この剥離原因としては、ろう材成分のばらつきやブロ
ック板表面の酸化皮膜による接合強度不足等が考えられ
、こうした問題は銀ろう線を用いた場合にも同様に生じ
てくる。
本発明は」;記の様な状況に着目してなされたものであ
り、その【」的は、センダスト系合金製磁気記録へラド
コアを製造するに際し、殊にブロック板同七の接合を比
較的簡単な操作で頑強にしかも精度良く行なうことので
きる技術を提供しようとするものである。
り、その【」的は、センダスト系合金製磁気記録へラド
コアを製造するに際し、殊にブロック板同七の接合を比
較的簡単な操作で頑強にしかも精度良く行なうことので
きる技術を提供しようとするものである。
[問題点を解決する為の′r一段]
本発明に係る製造方法の構成は、センダスト系合金から
なる1対のブロック板を素材とし、少なくとも一力のブ
ロック板4面に直線溝を形成して・方何の堤をフロント
部、他方側の堤をバック部とした後、この直線溝を挟み
込む様に両ブロック板を請層して前記バック部を他方の
ブロック板4面に接合し、11tられた接合ブロックを
前記直線溝と交差する方向に切断分割した後、各分割片
のフロント部側に曲面を!+える研磨加工を施す工程を
含むセンダスト系合金製磁気ヘッドコアの製造方法にお
いて、5〜15 爪J、S1%のCuを含み残部が実質
的にAgからなるAg−Cu合金をターゲットとして使
用し、接合されるべき2枚のブロック板におけるバック
部の接合面に10〜30分間の逆スパッタを施した後、
本スパッタを行なってAg−Cu合金を付着せしめ1次
いで該ブロック板を加熱圧着するところに要旨を有する
ものである。
なる1対のブロック板を素材とし、少なくとも一力のブ
ロック板4面に直線溝を形成して・方何の堤をフロント
部、他方側の堤をバック部とした後、この直線溝を挟み
込む様に両ブロック板を請層して前記バック部を他方の
ブロック板4面に接合し、11tられた接合ブロックを
前記直線溝と交差する方向に切断分割した後、各分割片
のフロント部側に曲面を!+える研磨加工を施す工程を
含むセンダスト系合金製磁気ヘッドコアの製造方法にお
いて、5〜15 爪J、S1%のCuを含み残部が実質
的にAgからなるAg−Cu合金をターゲットとして使
用し、接合されるべき2枚のブロック板におけるバック
部の接合面に10〜30分間の逆スパッタを施した後、
本スパッタを行なってAg−Cu合金を付着せしめ1次
いで該ブロック板を加熱圧着するところに要旨を有する
ものである。
[作用]
本発明では、例えば前記ER4図で説明した様な方法で
センダスト系合金製磁気へ7ドコアを製造するにメ7ま
たり、E、’jに2枚のブロック板を接合するr段に4
′F徴を有するものであり、具体的には5〜15 iT
< !、:、%のCuを含み残部が実質的にAgからな
るAg−Cu合金をターゲットとして使用し、接合すべ
き2枚のブロック板におけるバック部の接合面に10〜
30分間の逆スパッタ処理を施した後、木スパッタを行
なってAg−Cu合金を付着せしめ、次いで該ブロック
板を重ねて加熱圧着を行なうものである。以下これらの
特徴的構成を定めた理由を詳細に説明しつつその作用を
明確にする。
センダスト系合金製磁気へ7ドコアを製造するにメ7ま
たり、E、’jに2枚のブロック板を接合するr段に4
′F徴を有するものであり、具体的には5〜15 iT
< !、:、%のCuを含み残部が実質的にAgからな
るAg−Cu合金をターゲットとして使用し、接合すべ
き2枚のブロック板におけるバック部の接合面に10〜
30分間の逆スパッタ処理を施した後、木スパッタを行
なってAg−Cu合金を付着せしめ、次いで該ブロック
板を重ねて加熱圧着を行なうものである。以下これらの
特徴的構成を定めた理由を詳細に説明しつつその作用を
明確にする。
まず本発明では従来の銀ろう箔に代えてAg−Cu合金
のスパッタリングにより接合面にAg−Cu合金を付着
させるが、この方法は操作が比較的簡単であるばかりで
なく、スパッタ条件を適正にコントロールすることによ
って組成及び肉厚の極めて均一な被膜を形成することが
でき、0.2〜03gmといった高レベルのギャップ精
度を容易に確保することができる。しかもスパッタ処理
によって形成される被膜の成分組成は極めて安定してお
り、安定した接合強度が保障される。
のスパッタリングにより接合面にAg−Cu合金を付着
させるが、この方法は操作が比較的簡単であるばかりで
なく、スパッタ条件を適正にコントロールすることによ
って組成及び肉厚の極めて均一な被膜を形成することが
でき、0.2〜03gmといった高レベルのギャップ精
度を容易に確保することができる。しかもスパッタ処理
によって形成される被膜の成分組成は極めて安定してお
り、安定した接合強度が保障される。
但し本発明のスパッタ処理で、銀ろう材として最良の性
能を示すと考えられているBAg−8相当のAg−Cu
合金被膜を確保する為には、ターゲット合金として、C
u含有率が5〜15%で残部が実質的にAgからなり、
好ましくはPbやFe等の不i+7避不純物の合計量が
0.15%以下であるAg−Cu合金を使用する必要が
ある。しかしてAg−Cu;v−合金をターゲットとす
るスパッタでは、かなりwJ茗な選択スパッタリングを
生ずることが確認されており、Agのスパッタ率はCu
の約1.5倍である。そしてターゲット表面のAg原子
が少なくなると、熱拡散によってターゲット内部からA
gが供給される。その為スパッタ中のプラズマのAg濃
度はターゲット中のAg濃度に比較してかなり高い値を
示す、しかしながら現実のスパッタ処理により形成され
る被膜(以下スパッタ被膜ということがある)成分を観
察するとむしろAge度が不足気味となるので、ターゲ
ット中のAg1el財は目標被膜中のAg濃度よりも若
1・高めにしておく必要がある。ちなみにターゲット中
のCu含有率を15%超とすると被+12中のCu j
+igが多くなりすぎて、ろう付は後の冷却工程で一次
初品がCuリッチとなり接合強度が不足気味となる。−
・方ターゲット中のCu含有率が5%未満では被II!
2中のAguが多くなりすぎてセンダスト系合金表面と
の濡れ性が悪化し、1−分な接合強度が得られなくなる
。この様なところから本発明ではターゲット中のCu含
有率を5〜15%と定めている。尚スパッタ被膜の密着
性は蒸着等により形成される被II!2に比べて極めて
良好であり、被膜の脱落等を全く心配する必要がないの
で以後の取扱いも容易となる。
能を示すと考えられているBAg−8相当のAg−Cu
合金被膜を確保する為には、ターゲット合金として、C
u含有率が5〜15%で残部が実質的にAgからなり、
好ましくはPbやFe等の不i+7避不純物の合計量が
0.15%以下であるAg−Cu合金を使用する必要が
ある。しかしてAg−Cu;v−合金をターゲットとす
るスパッタでは、かなりwJ茗な選択スパッタリングを
生ずることが確認されており、Agのスパッタ率はCu
の約1.5倍である。そしてターゲット表面のAg原子
が少なくなると、熱拡散によってターゲット内部からA
gが供給される。その為スパッタ中のプラズマのAg濃
度はターゲット中のAg濃度に比較してかなり高い値を
示す、しかしながら現実のスパッタ処理により形成され
る被膜(以下スパッタ被膜ということがある)成分を観
察するとむしろAge度が不足気味となるので、ターゲ
ット中のAg1el財は目標被膜中のAg濃度よりも若
1・高めにしておく必要がある。ちなみにターゲット中
のCu含有率を15%超とすると被+12中のCu j
+igが多くなりすぎて、ろう付は後の冷却工程で一次
初品がCuリッチとなり接合強度が不足気味となる。−
・方ターゲット中のCu含有率が5%未満では被II!
2中のAguが多くなりすぎてセンダスト系合金表面と
の濡れ性が悪化し、1−分な接合強度が得られなくなる
。この様なところから本発明ではターゲット中のCu含
有率を5〜15%と定めている。尚スパッタ被膜の密着
性は蒸着等により形成される被II!2に比べて極めて
良好であり、被膜の脱落等を全く心配する必要がないの
で以後の取扱いも容易となる。
ところで銀ろうを用いた場合の接合力不足の一因として
、接合すべきセンダスト系合金板表面に存在する酸化皮
膜があげられることは先に述べた通りであるが、スパッ
タ法を採用した場合でも同様のことがtえる。そこでこ
の点についても対応策を検、τ−tt、た結果、スパッ
タ処理に先立って逆スパッタ処理を施してやれば、セン
ダスト系合金板表面の酸化物皮膜が除去され、したがっ
てその後引続いて木スパッタ処理を行なうことにより、
スパッタ被膜との密着性が高められ強固な接合力を保障
レイ!Iることが明らかとなった。そして更に追及した
結果、こうした逆スパッタ効果を有効に発揮させる為に
は、最低限5分の逆スパッタを行なわなければならない
が、逆スパー7タ時間が長過ぎる場合は、エツチング効
果によって被処理板の表面が粗雑化しギャップ精度が低
下するので30分以内にlヒめるべきであることが11
もかとなった。
、接合すべきセンダスト系合金板表面に存在する酸化皮
膜があげられることは先に述べた通りであるが、スパッ
タ法を採用した場合でも同様のことがtえる。そこでこ
の点についても対応策を検、τ−tt、た結果、スパッ
タ処理に先立って逆スパッタ処理を施してやれば、セン
ダスト系合金板表面の酸化物皮膜が除去され、したがっ
てその後引続いて木スパッタ処理を行なうことにより、
スパッタ被膜との密着性が高められ強固な接合力を保障
レイ!Iることが明らかとなった。そして更に追及した
結果、こうした逆スパッタ効果を有効に発揮させる為に
は、最低限5分の逆スパッタを行なわなければならない
が、逆スパー7タ時間が長過ぎる場合は、エツチング効
果によって被処理板の表面が粗雑化しギャップ精度が低
下するので30分以内にlヒめるべきであることが11
もかとなった。
ちなみに第2図は、逆スパッタ時間を変えた場合におけ
るセンダスト系合金板表面の酸化物膜厚と酸素温度の関
係を調べた結果を示すグラフ、また第3図は、所定の逆
スパッタ処理後本スパッタ及びろう付は接合を行なった
場合における表層1%F素e度と剪断荷重の関係を調べ
た結果を示すものである。これらの図からも(JJ逆ス
パッタを行なうことによって表層部の酸化物皮膜が効果
的に除去されること、■それにより接合強度が飛躍的に
高められること、■逆スパッタ効果全有効に発揮させる
為には5分1層、の逆スパッタを施す必゛りがあること
、+4) 、1!スパッタ効果は30分程度で飽和し、
それ以114<しても接合力をそれ以に高めることがで
きないこと、といったことを確認することができる。肖
ろう付は接合後に行なわれる研削・研磨時に生ずる荷重
は2Kgf程度であるので、こうした荷重に対向するう
えでも最低限5分の逆スパッタを行なうべきであること
が分かる。
るセンダスト系合金板表面の酸化物膜厚と酸素温度の関
係を調べた結果を示すグラフ、また第3図は、所定の逆
スパッタ処理後本スパッタ及びろう付は接合を行なった
場合における表層1%F素e度と剪断荷重の関係を調べ
た結果を示すものである。これらの図からも(JJ逆ス
パッタを行なうことによって表層部の酸化物皮膜が効果
的に除去されること、■それにより接合強度が飛躍的に
高められること、■逆スパッタ効果全有効に発揮させる
為には5分1層、の逆スパッタを施す必゛りがあること
、+4) 、1!スパッタ効果は30分程度で飽和し、
それ以114<しても接合力をそれ以に高めることがで
きないこと、といったことを確認することができる。肖
ろう付は接合後に行なわれる研削・研磨時に生ずる荷重
は2Kgf程度であるので、こうした荷重に対向するう
えでも最低限5分の逆スパッタを行なうべきであること
が分かる。
この様にして逆スパッタ処理を行なった後は。
引続いて本スパッタを行なうことによりAg−Cu合金
被膜を形成し1次いで常法に従い2個1組のピースを合
わせて加熱圧着すればよい。
被膜を形成し1次いで常法に従い2個1組のピースを合
わせて加熱圧着すればよい。
第1図(D−1)、(D−2)、(E)はこの間の逆ス
パッタ処理から加熱圧着までの工程を例示するC程説明
図であり、これらの工程は第4図の(D)〜(E)に置
き代えて実施されるものと理解すればよい。
パッタ処理から加熱圧着までの工程を例示するC程説明
図であり、これらの工程は第4図の(D)〜(E)に置
き代えて実施されるものと理解すればよい。
即ち+1図(D−1)では、フロント部4の非接4加’
[4a及びくし削り加工を終えたセンダスト系合金製ブ
ロック板2a、2bを、Ag−Cu合金をターゲクトと
するスパッタリング装置内へ装入し、非接着加工部4a
の上面側には遮蔽板Sを配置し接合面のみを露出して1
0〜30分の逆スパッタ処理を行ない1表層部の酸化物
皮膜を除去する。次いで本スパッタ処理を行なって、清
浄化された接合面にAH−Cu合金被膜Fを形成する[
第1図CD−2)]、木スパッタリング条件は特に限定
されないが、最も一般的な条件を例示すればf記の通り
である。
[4a及びくし削り加工を終えたセンダスト系合金製ブ
ロック板2a、2bを、Ag−Cu合金をターゲクトと
するスパッタリング装置内へ装入し、非接着加工部4a
の上面側には遮蔽板Sを配置し接合面のみを露出して1
0〜30分の逆スパッタ処理を行ない1表層部の酸化物
皮膜を除去する。次いで本スパッタ処理を行なって、清
浄化された接合面にAH−Cu合金被膜Fを形成する[
第1図CD−2)]、木スパッタリング条件は特に限定
されないが、最も一般的な条件を例示すればf記の通り
である。
(本スパッタリング条件)
ターゲット:Ag−(5〜15%)Cu合金スパッタ頁
空度:6XlO−ゴ【0「「アノード電流 +280m
A アノード電圧 :1.8KV スパッタ峰間 +45sec 形成されるAg−Cu合金被膜の厚さはフロント部に形
成されるギャップに応じて決めればよいが、最も一般的
なのは0.5〜1.OBmである。またAg−Cu合金
被膜はブロック板2a、2bの各接合面に形成するのが
理想であるが、場合によっては一方のブロック板2a又
は2bの接合面だけに厚めのAg−Cu合金被膜を形成
しておくことも14能である0次いで第1図(E)に示
す如く2枚のブロック板2a、2bを向かい合わせる様
に積層し、両者を加熱圧着させる。加熱圧着の条件は銀
ろうを用いる通常の条件と本質的に異なるものではなく
、好ましい温度は800〜1000°C1加圧力は10
〜60Kg程度である。この様にして接合した後は、第
4図CF)〜(H)と同様にして補強材8の充填、切断
分−1,1及びフロント部の研摩油■を経て最終製品に
まで加rされる。
空度:6XlO−ゴ【0「「アノード電流 +280m
A アノード電圧 :1.8KV スパッタ峰間 +45sec 形成されるAg−Cu合金被膜の厚さはフロント部に形
成されるギャップに応じて決めればよいが、最も一般的
なのは0.5〜1.OBmである。またAg−Cu合金
被膜はブロック板2a、2bの各接合面に形成するのが
理想であるが、場合によっては一方のブロック板2a又
は2bの接合面だけに厚めのAg−Cu合金被膜を形成
しておくことも14能である0次いで第1図(E)に示
す如く2枚のブロック板2a、2bを向かい合わせる様
に積層し、両者を加熱圧着させる。加熱圧着の条件は銀
ろうを用いる通常の条件と本質的に異なるものではなく
、好ましい温度は800〜1000°C1加圧力は10
〜60Kg程度である。この様にして接合した後は、第
4図CF)〜(H)と同様にして補強材8の充填、切断
分−1,1及びフロント部の研摩油■を経て最終製品に
まで加rされる。
尚本明細gでは、センダスト系合金製磁気へラドコアの
ノ^本的な装状の一一例として第4図の例を示したが、
未発11は勿論これらの方法に拘束される訳ではなく、
水出−人が先に提案し34’F m flit59−9
8398′−+に記載された方法をはじめとして、銀ろ
う接合を要するあらゆるセンゲスト系合金製磁気へラド
コアの製造に同様に適用することができる。
ノ^本的な装状の一一例として第4図の例を示したが、
未発11は勿論これらの方法に拘束される訳ではなく、
水出−人が先に提案し34’F m flit59−9
8398′−+に記載された方法をはじめとして、銀ろ
う接合を要するあらゆるセンゲスト系合金製磁気へラド
コアの製造に同様に適用することができる。
[実施例]
第4図(A)〜(D)に示す方法に帛じて、センダスト
系合金製ブロック板(F e : 81.1%。
系合金製ブロック板(F e : 81.1%。
Si:8.5%、A I + 7.4%、Cr:3.0
%)の9ノ出し、直線溝加工、非接着性加圧、くし削り
加]を順次行なった後、各ブロック板2aを、接合面を
ヒにしてイオンブレーティング装置にセットし、バック
部5の表面を遮蔽してフロント部4表面に0.2〜0.
3 gm (目標ギャップ長さに相当)の非磁性体膜(
Sin2)を付ノIさせた後、フロント部4をくし削り
加工する0次いで遮蔽板SのMl(+えを行なってパッ
ク部5を露出させ、第1表に示す組成のAg−Cu合金
板をターゲットとして10分間の逆スパッタ処理を施し
た後本スパッタを行なった。逆スパッタ及び木スパー、
夕の条件はF記の通りとした。
%)の9ノ出し、直線溝加工、非接着性加圧、くし削り
加]を順次行なった後、各ブロック板2aを、接合面を
ヒにしてイオンブレーティング装置にセットし、バック
部5の表面を遮蔽してフロント部4表面に0.2〜0.
3 gm (目標ギャップ長さに相当)の非磁性体膜(
Sin2)を付ノIさせた後、フロント部4をくし削り
加工する0次いで遮蔽板SのMl(+えを行なってパッ
ク部5を露出させ、第1表に示す組成のAg−Cu合金
板をターゲットとして10分間の逆スパッタ処理を施し
た後本スパッタを行なった。逆スパッタ及び木スパー、
夕の条件はF記の通りとした。
く逆スパッタ条件〉
スパッタ真空度: 6X I O’torr入射波
=40W 反射波 =30W プレート電流 ニア0mV )、(板温度 100°C 逆スパッタ11.’? 1iil : 5〜30分く本
スパッタ条件ン スパッタ5j空度: 1〜6X I O」torr入射
角 :500W 反射角 ユ0 アノード電流 :280mA アノード電圧 :1.5KV スパッター蒔間:36秒 得られたAg−Cu合金被膜の成分組成を確認した後、
各ブロックi2a、2.bの接合部を合わせて加熱圧着
(950℃X50KgX60分)し、冷却後フロント部
のギャップ長さ及び接合部の剪tli何屯を議定し第1
表に示す結果を得た。
=40W 反射波 =30W プレート電流 ニア0mV )、(板温度 100°C 逆スパッタ11.’? 1iil : 5〜30分く本
スパッタ条件ン スパッタ5j空度: 1〜6X I O」torr入射
角 :500W 反射角 ユ0 アノード電流 :280mA アノード電圧 :1.5KV スパッター蒔間:36秒 得られたAg−Cu合金被膜の成分組成を確認した後、
各ブロックi2a、2.bの接合部を合わせて加熱圧着
(950℃X50KgX60分)し、冷却後フロント部
のギャップ長さ及び接合部の剪tli何屯を議定し第1
表に示す結果を得た。
尚ヅf断荷屯は、第6図(斜視1説明図)に示す如く接
合を終えたブロック板2a、2bの一方側をバイス10
によって把持し、ロードセル11により矢印方向の荷重
を加えたときの破断荷重によって求めた。
合を終えたブロック板2a、2bの一方側をバイス10
によって把持し、ロードセル11により矢印方向の荷重
を加えたときの破断荷重によって求めた。
第1表からもl!IIらかな様に1本発り1の規定要件
を満たす方法により得た被Il!2成分―、銀ろう材と
して最適のAg (72)−Cu (2B)を有してお
り、適度の逆スパッタ処理が施されていることもあって
一11常に高い接合力が得られており、几っキャップ長
さも適正である。
を満たす方法により得た被Il!2成分―、銀ろう材と
して最適のAg (72)−Cu (2B)を有してお
り、適度の逆スパッタ処理が施されていることもあって
一11常に高い接合力が得られており、几っキャップ長
さも適正である。
これに対しNo、lOは、ターゲット組成は良好である
ものの逆スパッタ時間が不足する為、接合面の酸化皮膜
除去が1−分でなく接合力が劣悪である。またNo、1
1は逆スパッタ時間が長すぎる為接合面の粗れが著しく
なり、適正なギヤ7プが得られていない、またNo、1
2及び13はターゲットのAg含有率が低すぎる為生成
被膜のAg含有率が低くなり、接合力が劣悪である。
ものの逆スパッタ時間が不足する為、接合面の酸化皮膜
除去が1−分でなく接合力が劣悪である。またNo、1
1は逆スパッタ時間が長すぎる為接合面の粗れが著しく
なり、適正なギヤ7プが得られていない、またNo、1
2及び13はターゲットのAg含有率が低すぎる為生成
被膜のAg含有率が低くなり、接合力が劣悪である。
尚第7図は、第1表のNo、 2に準じて製造した場合
の、良好なギャップを持つ製品歩留りと、スパック被膜
に代えて2〜3Bmの銀ろう箔(従来法)を用いた場合
における歩留り(n=夫々14)を対比して示したもの
であり、従来法を採用した場合の歩留りは35%にも満
たないのに対し、本発明でぼ10%以上の高い歩留りが
得られている。
の、良好なギャップを持つ製品歩留りと、スパック被膜
に代えて2〜3Bmの銀ろう箔(従来法)を用いた場合
における歩留り(n=夫々14)を対比して示したもの
であり、従来法を採用した場合の歩留りは35%にも満
たないのに対し、本発明でぼ10%以上の高い歩留りが
得られている。
[発明の効果]
本発明は以」−の様に構成されており、銀ろう箔等を用
いる方法に代えて、特定成分組成のAg−Cu合金をタ
ーゲットとし逆スパッタと本スパッタを11合わせた後
加熱圧着する方法を採用することによって、ブロック板
同上の接合作業を容易にするとノ(に接合力を飛躍的に
高め、更には磁気へフドコアとしての性俺に最も大きな
影響を及ぼすギャップ精度を向上させることができ、製
品歩留りの向上と品質向上という2つの要請を一挙に達
成し得ることになった。
いる方法に代えて、特定成分組成のAg−Cu合金をタ
ーゲットとし逆スパッタと本スパッタを11合わせた後
加熱圧着する方法を採用することによって、ブロック板
同上の接合作業を容易にするとノ(に接合力を飛躍的に
高め、更には磁気へフドコアとしての性俺に最も大きな
影響を及ぼすギャップ精度を向上させることができ、製
品歩留りの向上と品質向上という2つの要請を一挙に達
成し得ることになった。
第1図は本発明の実施例を示すもので、センダスト系合
金製ブロック板の接合工程を例示する説明図、第2図は
逆スパッタ時間を変えた場合におけるセンダスト系合金
板表層部の酸化物膜厚と酸素濃度の関係を示すグラフ、
第3図は接合面の酸素量と剪断荷屯の関係を示すグラフ
、第4図はセンゲスト系合金製磁気へットコアの製造工
程を例小する説明図、第5図は銀ろう箔の肉厚分IIi
を示す図、第6図は実施例で採用した剪断強度の測定法
をボす説明図、第7図は未発II法(スパッタ法採用)
と従来法(銀ろう箔使用)を採用した場合における製品
歩留りを対比して示すグラフである。 1・・・矩形ブロフク 2.2a、2b・・・ブロック板 3・・・直線溝 4・・・フロント部5・・
・7172部 8・・・補強材9・・・銀ろう
箔 S・・・遮蔽板F・・・Ag−Cu被膜
10・・・バイス11・・・ロードセル
金製ブロック板の接合工程を例示する説明図、第2図は
逆スパッタ時間を変えた場合におけるセンダスト系合金
板表層部の酸化物膜厚と酸素濃度の関係を示すグラフ、
第3図は接合面の酸素量と剪断荷屯の関係を示すグラフ
、第4図はセンゲスト系合金製磁気へットコアの製造工
程を例小する説明図、第5図は銀ろう箔の肉厚分IIi
を示す図、第6図は実施例で採用した剪断強度の測定法
をボす説明図、第7図は未発II法(スパッタ法採用)
と従来法(銀ろう箔使用)を採用した場合における製品
歩留りを対比して示すグラフである。 1・・・矩形ブロフク 2.2a、2b・・・ブロック板 3・・・直線溝 4・・・フロント部5・・
・7172部 8・・・補強材9・・・銀ろう
箔 S・・・遮蔽板F・・・Ag−Cu被膜
10・・・バイス11・・・ロードセル
Claims (1)
- センダスト系合金からなる1対のブロック板を素材とし
、少なくとも一方のブロック板々面に直線溝を形成して
一方側の堤をフロント部、他方側の堤をバック部とした
後、この直線溝を挟み込む様に両ブロック板を積層して
前記バック部を他方のブロック板々面に接合し、得られ
た接合ブロックを前記直線溝と交差する方向に切断分割
した後、各分割片のフロント部側に曲面を与える研磨加
工を施す工程を含むセンダスト系合金製磁気ヘッドコア
の製造方法において、5〜15重量%のCuを含み残部
が実質的にAgからなるAg−Cu合金をターゲットと
して使用し、接合されるべき2枚のブロック板における
バック部の接合面に10〜30分間の逆スパッタを施し
た後、本スパッタを行なってAg−Cu合金を付着せし
め、次いで該ブロック板を加熱圧着することを特徴とす
るセンダスト系合金製磁気ヘッドコアの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20088685A JPS6260108A (ja) | 1985-09-10 | 1985-09-10 | センダスト系合金製磁気ヘツドコアの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20088685A JPS6260108A (ja) | 1985-09-10 | 1985-09-10 | センダスト系合金製磁気ヘツドコアの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6260108A true JPS6260108A (ja) | 1987-03-16 |
Family
ID=16431879
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20088685A Pending JPS6260108A (ja) | 1985-09-10 | 1985-09-10 | センダスト系合金製磁気ヘツドコアの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6260108A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000021079A2 (de) * | 1998-10-02 | 2000-04-13 | Unaxis Balzers Aktiengesellschaft | Optische datenspeicherscheibe |
US6351446B1 (en) | 1998-10-02 | 2002-02-26 | Unaxis Balzers Aktiengesellschaft | Optical data storage disk |
-
1985
- 1985-09-10 JP JP20088685A patent/JPS6260108A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000021079A2 (de) * | 1998-10-02 | 2000-04-13 | Unaxis Balzers Aktiengesellschaft | Optische datenspeicherscheibe |
WO2000021079A3 (de) * | 1998-10-02 | 2000-07-06 | Balzers Hochvakuum | Optische datenspeicherscheibe |
US6351446B1 (en) | 1998-10-02 | 2002-02-26 | Unaxis Balzers Aktiengesellschaft | Optical data storage disk |
EP1271501A2 (de) * | 1998-10-02 | 2003-01-02 | Unaxis Balzers Aktiengesellschaft | Optische Datenspeicherscheibe |
EP1271501A3 (de) * | 1998-10-02 | 2008-10-29 | Singulus Technologies AG | Optische Datenspeicherscheibe |
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