JPH0656645B2 - 磁気ヘツド - Google Patents
磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPH0656645B2 JPH0656645B2 JP61137740A JP13774086A JPH0656645B2 JP H0656645 B2 JPH0656645 B2 JP H0656645B2 JP 61137740 A JP61137740 A JP 61137740A JP 13774086 A JP13774086 A JP 13774086A JP H0656645 B2 JPH0656645 B2 JP H0656645B2
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- Japan
- Prior art keywords
- sio
- magnetic head
- chromium
- groove
- glass
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、特にＶＴＲ等に使用して好適な磁気ヘッドに
関する。
関する。
［従来の技術］ 従来の磁気ヘッドとして第４図のように１対の磁気コア
３１ａ及び３１ｂの突合せ面の間にギャップ３２が形成
され、一方の磁気コア例えば３１ｂに設けられた巻線溝
３３にコイル３４が巻回された構造が知られている。こ
のような磁気ヘッド高性能オーディオやＶＴＲに使用さ
れており、１対の磁気コア３１ａ，３１ｂはフェライト
等の強磁性体から構成され、ギャップ３２には例えばSi
O2の薄膜が介在されている。
３１ａ及び３１ｂの突合せ面の間にギャップ３２が形成
され、一方の磁気コア例えば３１ｂに設けられた巻線溝
３３にコイル３４が巻回された構造が知られている。こ
のような磁気ヘッド高性能オーディオやＶＴＲに使用さ
れており、１対の磁気コア３１ａ，３１ｂはフェライト
等の強磁性体から構成され、ギャップ３２には例えばSi
O2の薄膜が介在されている。
［発明が解決しようとする問題点］ ところで従来の磁気ヘッドは、１対の磁気コア３１ａ，
３１ｂを接合（ボンディング）する際にボンディングガ
ラスを使用するが、このボンディング時SiO2がボンディ
ングガラスにより浸蝕されボンディングガラスと一体化
する現象が生ずる。このためボンディング温度で溶融し
ないはずのSiO2が、実際はボンディングガラスと一体と
なってしまうために溶融してしまい、ギャップ長が変化
して、磁気特性が劣化するという問題がある。
３１ｂを接合（ボンディング）する際にボンディングガ
ラスを使用するが、このボンディング時SiO2がボンディ
ングガラスにより浸蝕されボンディングガラスと一体化
する現象が生ずる。このためボンディング温度で溶融し
ないはずのSiO2が、実際はボンディングガラスと一体と
なってしまうために溶融してしまい、ギャップ長が変化
して、磁気特性が劣化するという問題がある。
本発明はこのような問題に対処してなされたもので、ギ
ャップ部の浸蝕を防止して磁気特性の劣化を生じさせな
い磁気ヘッドを提供することを目的とするものである。
ャップ部の浸蝕を防止して磁気特性の劣化を生じさせな
い磁気ヘッドを提供することを目的とするものである。
［問題点を解決するための手段］ 上記目的を達成するために本発明は、一方のハーフコー
トのトラック幅規制切欠溝を含む突合せ面上に、SiO2と
クロムとSiO2を積層形成したことを特徴としている。
トのトラック幅規制切欠溝を含む突合せ面上に、SiO2と
クロムとSiO2を積層形成したことを特徴としている。
［作用］ ボンディングと反応しやすいSiO2をボンディングガラス
と反応しにくいクロムで覆うことによって、SiO2とボン
ディングガラスとの結合が防止されるので、ギャップ部
分の浸蝕は生じない。
と反応しにくいクロムで覆うことによって、SiO2とボン
ディングガラスとの結合が防止されるので、ギャップ部
分の浸蝕は生じない。
またクロムの上に更にSiO2を薄く（例えば２００〜５０
０Å）積層することにより、表面のガラス流れ性（濡れ
性）やガラスとの接着性が損なわれることもなくなる。
０Å）積層することにより、表面のガラス流れ性（濡れ
性）やガラスとの接着性が損なわれることもなくなる。
［発明の実施例］ 第１図は本発明実施例の磁気ヘッドを示すもので、フェ
ライト等の強磁性材料からなる１対のハーフコア１１
Ａ，１１Ｂの一方例えば１１Ｂには巻線溝１２及び補強
溝１３が形成されている。巻線溝１２にはコイル１４が
巻回される。１対のハーフコア１１Ａ，１１Ｂの対向面
にはトラック幅規制切欠溝１６，１６が形成され、この
切欠溝１６及び補強溝１３には低融点ガラス１７が充填
されてこの低融点ガラス１７によって１対のハーフコア
１１Ａ，１１Ｂが接合されている。
ライト等の強磁性材料からなる１対のハーフコア１１
Ａ，１１Ｂの一方例えば１１Ｂには巻線溝１２及び補強
溝１３が形成されている。巻線溝１２にはコイル１４が
巻回される。１対のハーフコア１１Ａ，１１Ｂの対向面
にはトラック幅規制切欠溝１６，１６が形成され、この
切欠溝１６及び補強溝１３には低融点ガラス１７が充填
されてこの低融点ガラス１７によって１対のハーフコア
１１Ａ，１１Ｂが接合されている。
一方のハーフコア１１Ａのトラック幅規制切欠溝１６を
含む突合せ面には、SiO2を含む積層膜２１が形成されて
いる。この積層膜２１は第２図に示すようにハーフコア
１１Ａの表面から順次、クロム２１ａ（約２００Å）、
鉄−アルミニウム−ケイ素合金、２１ｂ（約2.6μ）、S
iO2２１ｃ（約1.8μ）、クロム２１ｄ（1.2〜1.3μ）、
SiO2２１ｅ（２００〜５００Å）から構成されている。
これらの各膜２１ａ〜２１ｅは１対のハーフコア１１
Ａ，１１Ｂを接合する前に、スパッタリング法、蒸着法
あるいは化学メッキ法によって形成する。
含む突合せ面には、SiO2を含む積層膜２１が形成されて
いる。この積層膜２１は第２図に示すようにハーフコア
１１Ａの表面から順次、クロム２１ａ（約２００Å）、
鉄−アルミニウム−ケイ素合金、２１ｂ（約2.6μ）、S
iO2２１ｃ（約1.8μ）、クロム２１ｄ（1.2〜1.3μ）、
SiO2２１ｅ（２００〜５００Å）から構成されている。
これらの各膜２１ａ〜２１ｅは１対のハーフコア１１
Ａ，１１Ｂを接合する前に、スパッタリング法、蒸着法
あるいは化学メッキ法によって形成する。
これらのうち、SiO2２１ｃ及びクロム２１ｄギャップ形
成のために用いられている。クロム２１ａフェライトコ
ア１１ａと鉄−アルミニウム−シリコン合金２１ｂとの
接着強度を向上させるために用いられている。鉄−アル
ミニウム−シリコン合金２１ｂは高い飽和磁束密度をも
つため、フェライトコア単独の場合に比べ、より強い磁
界をギャップから発生させるために用いられている。Si
O2２１ｅはガラスボンディングの際の接合面がクロム２
１ｄとなって、クロムとボンディングガラスとの接着性
及び濡れ性が低下するのを補うために用いられている。
成のために用いられている。クロム２１ａフェライトコ
ア１１ａと鉄−アルミニウム−シリコン合金２１ｂとの
接着強度を向上させるために用いられている。鉄−アル
ミニウム−シリコン合金２１ｂは高い飽和磁束密度をも
つため、フェライトコア単独の場合に比べ、より強い磁
界をギャップから発生させるために用いられている。Si
O2２１ｅはガラスボンディングの際の接合面がクロム２
１ｄとなって、クロムとボンディングガラスとの接着性
及び濡れ性が低下するのを補うために用いられている。
巻線溝１２の壁面には低融点ガラス１７と同じガラスか
らなるガラス薄膜１８が均一に形成されており、コイル
１４の被膜に傷が付くのを防止するために用いられてい
るが、必ずしも必要ではない。
らなるガラス薄膜１８が均一に形成されており、コイル
１４の被膜に傷が付くのを防止するために用いられてい
るが、必ずしも必要ではない。
このようにギャップ形成のためのSiO2２１ｃをクロム２
１ｄで覆い、これら積層膜の前後にさらに各々クロム２
１ａと鉄−アルミニウム−シリコン合金２１ｂ積層膜及
びSiO2２１ｅを積層することによって、SiO2２１ｃのよ
り安定化を図るとができる。
１ｄで覆い、これら積層膜の前後にさらに各々クロム２
１ａと鉄−アルミニウム−シリコン合金２１ｂ積層膜及
びSiO2２１ｅを積層することによって、SiO2２１ｃのよ
り安定化を図るとができる。
従ってギャップ形成のためのSiO2２１ｃのボンディング
ガラスによる浸蝕が防止されるため、ハーフコア１１
Ａ，，１１Ｂのギャップ部分の浸蝕は生じないので、ギ
ャップ長は変化せず磁気特性の劣化は起きない。
ガラスによる浸蝕が防止されるため、ハーフコア１１
Ａ，，１１Ｂのギャップ部分の浸蝕は生じないので、ギ
ャップ長は変化せず磁気特性の劣化は起きない。
以上のような本発明の磁気ヘッドは第３図(a)〜(g)のよ
うな製造工程によって製造することができる。
うな製造工程によって製造することができる。
第３図(a)において、１１ａ，１１ｂはフェライト等の
強磁性材料を切断して所定の直方体形状にした１対のハ
ーフコアブロックである。
強磁性材料を切断して所定の直方体形状にした１対のハ
ーフコアブロックである。
このハーフコアブロック１１ａ，１１ｂは少なくともそ
の一方、例えば１１ａの突合せ面に鏡面加工を施し、次
に第３図(b)のように両ブロック１１ａ，１１ｂの長手
方向に沿い所定間隔でトラック幅規制切欠溝１６を形成
する。またその他方例えば１１ｂに巻線溝１２及び補強
溝１３を、それぞれその長手方向に連続させて形成す
る。この巻線溝１２及び補強溝１３は両ブロック１１
ａ，１１ｂに設けてもよく、又は片方のブロックずつ設
けてもよい。
の一方、例えば１１ａの突合せ面に鏡面加工を施し、次
に第３図(b)のように両ブロック１１ａ，１１ｂの長手
方向に沿い所定間隔でトラック幅規制切欠溝１６を形成
する。またその他方例えば１１ｂに巻線溝１２及び補強
溝１３を、それぞれその長手方向に連続させて形成す
る。この巻線溝１２及び補強溝１３は両ブロック１１
ａ，１１ｂに設けてもよく、又は片方のブロックずつ設
けてもよい。
以上のハーフコアブロック１１ａ，１１ｂに対し、第３
図(c)のように次に鏡面加工を施した側のブロック、す
なわちこの実施例ではハーフコアブロック１１ａに順
次、クロム２１ａ、鉄−アルミニウム−シリコン合金２
１ｂ、SiO2２１ｃ、クロム２１ｄ、SiO2２１ｅを形成す
る。これらの薄膜２１ａ〜２１ｅはいずれもスパッタリ
ング法、、蒸着法、あるいは化学メッキ法から適当な手
段を選んで形成する。また巻線溝１２及び補強溝１３を
形成した側のブロック１１ｂには、トラック幅規制切欠
溝１６、巻線溝１２及び補強溝１３の上に例えばSiO2−
ＰｂＯ系の低融点ガラス２５を位置させる。さらにこれ
を加熱溶融させて第３図(d)のように、トラック幅規制
切欠溝１６、巻線溝１２及び補強溝１３に低融点ガラス
１７を充填する。
図(c)のように次に鏡面加工を施した側のブロック、す
なわちこの実施例ではハーフコアブロック１１ａに順
次、クロム２１ａ、鉄−アルミニウム−シリコン合金２
１ｂ、SiO2２１ｃ、クロム２１ｄ、SiO2２１ｅを形成す
る。これらの薄膜２１ａ〜２１ｅはいずれもスパッタリ
ング法、、蒸着法、あるいは化学メッキ法から適当な手
段を選んで形成する。また巻線溝１２及び補強溝１３を
形成した側のブロック１１ｂには、トラック幅規制切欠
溝１６、巻線溝１２及び補強溝１３の上に例えばSiO2−
ＰｂＯ系の低融点ガラス２５を位置させる。さらにこれ
を加熱溶融させて第３図(d)のように、トラック幅規制
切欠溝１６、巻線溝１２及び補強溝１３に低融点ガラス
１７を充填する。
次に第３図(e)のように巻線溝１２の底部１２Ａを露出
するように巻線溝１２内の低融点ガラス１７を研削した
後、トラック幅規制切欠溝１６、巻線溝１２及び補強溝
１３からはみ出した低融点ガラス１７を研磨等で除去す
る。次に一方のブロック１１ｂの突合せ面に低融点ガラ
スをスパッタする。
するように巻線溝１２内の低融点ガラス１７を研削した
後、トラック幅規制切欠溝１６、巻線溝１２及び補強溝
１３からはみ出した低融点ガラス１７を研磨等で除去す
る。次に一方のブロック１１ｂの突合せ面に低融点ガラ
スをスパッタする。
以上の加工を施した１対のハーフコアブロック１１ａ，
１１ｂを、次に第３図(f)のように突合せ、低融点ガラ
ス１７の溶融温度にて加熱処理する。これによりハーフ
コアブロック１１ａ，１１ｂは低融点ガラス１７によっ
て接合される。
１１ｂを、次に第３図(f)のように突合せ、低融点ガラ
ス１７の溶融温度にて加熱処理する。これによりハーフ
コアブロック１１ａ，１１ｂは低融点ガラス１７によっ
て接合される。
接合が完了したハーフコアブロック１１ａ，１１ｂは第
３図(f)に示す切断線Ｃ、すなわちトラック幅規制切欠
溝１６，１６の中央部で所定幅に切断するとともにに、
補強溝１３の下部の不要部分を切断線Ｄで示すように切
断除去して第３図(g)のような磁気ヘッドを得る。この
磁気ヘッドは、その後テープ摺接面が円弧状に研磨さ
れ、巻線溝１２にコイル１４が巻回される。
３図(f)に示す切断線Ｃ、すなわちトラック幅規制切欠
溝１６，１６の中央部で所定幅に切断するとともにに、
補強溝１３の下部の不要部分を切断線Ｄで示すように切
断除去して第３図(g)のような磁気ヘッドを得る。この
磁気ヘッドは、その後テープ摺接面が円弧状に研磨さ
れ、巻線溝１２にコイル１４が巻回される。
これによって第１図のような構造の磁気ヘッドが得られ
る。
る。
［発明の効果］ 以上のように本発明の磁気ヘッドは、一方のハーフコア
の突合せ面上にSiO2とクロムとSiO2を積層形成したの
で、１対のハーフコアのボンディング時SiO2のボンディ
ングガラスによる浸蝕は防止される。従ってギャップ部
分の浸蝕は生じないため、ボンディングが確実に行なわ
れるので磁気特性の劣化は起こらない。
の突合せ面上にSiO2とクロムとSiO2を積層形成したの
で、１対のハーフコアのボンディング時SiO2のボンディ
ングガラスによる浸蝕は防止される。従ってギャップ部
分の浸蝕は生じないため、ボンディングが確実に行なわ
れるので磁気特性の劣化は起こらない。
【図面の簡単な説明】 第１図及び第２図は本発明実施例磁気ヘッドを示す斜視
図及び平面図、第３図(a)〜(g)は本発明磁気ヘッドの製
造工程を示す斜視図、第４図は従来の磁気ヘッドを示す
斜視図である。 １１Ａ，１１Ｂ……ハーフコア、 １１ａ，１１ｂ………ハーフコアブロック、 １２……巻線溝、 １２Ａ……巻線溝底部、 １３……補強溝、 １４……コイル、 １６……トラック幅規制切欠溝、 １７……低融点ガラス、 ２１……積層膜、 ２１ａ，２１ｄ……クロム、 ２１ｂ……鉄−アルミニウム−シリコン合金、 ２１ｃ，２１ｅ……SiO2。
図及び平面図、第３図(a)〜(g)は本発明磁気ヘッドの製
造工程を示す斜視図、第４図は従来の磁気ヘッドを示す
斜視図である。 １１Ａ，１１Ｂ……ハーフコア、 １１ａ，１１ｂ………ハーフコアブロック、 １２……巻線溝、 １２Ａ……巻線溝底部、 １３……補強溝、 １４……コイル、 １６……トラック幅規制切欠溝、 １７……低融点ガラス、 ２１……積層膜、 ２１ａ，２１ｄ……クロム、 ２１ｂ……鉄−アルミニウム−シリコン合金、 ２１ｃ，２１ｅ……SiO2。
Claims (2)
- 【請求項１】１対の磁性体からなるハーフコアの突合せ
面にトラック幅規制切欠溝を形成し、このハーフコアの
突合せ面に、磁気ギャップを構成する非磁性膜を介在さ
せた磁気ヘッドにおいて、一方のハーフコアのトラック
幅規制切欠溝を含む突合せ面上に、SiO2とクロムとSiO2
を積層形成したことを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項２】SiO2とクロムとSiO2の積層膜に隣接してク
ロムと鉄−アルミニウム−シリコン合金を積層したこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気ヘッド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61137740A JPH0656645B2 (ja) | 1986-06-13 | 1986-06-13 | 磁気ヘツド |
| KR1019870003220A KR900007490B1 (ko) | 1986-06-13 | 1987-04-04 | 자기헤드 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61137740A JPH0656645B2 (ja) | 1986-06-13 | 1986-06-13 | 磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62295204A JPS62295204A (ja) | 1987-12-22 |
| JPH0656645B2 true JPH0656645B2 (ja) | 1994-07-27 |
Family
ID=15205719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61137740A Expired - Fee Related JPH0656645B2 (ja) | 1986-06-13 | 1986-06-13 | 磁気ヘツド |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0656645B2 (ja) |
| KR (1) | KR900007490B1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01260615A (ja) * | 1988-04-12 | 1989-10-17 | Nec Kansai Ltd | 磁気ヘッド |
| JPH02192006A (ja) * | 1988-11-30 | 1990-07-27 | Mitsumi Electric Co Ltd | 磁気ヘッドとその製造方法 |
| JPH02105210U (ja) * | 1989-01-31 | 1990-08-21 | ||
| JP2656615B2 (ja) * | 1989-05-25 | 1997-09-24 | アルプス電気株式会社 | 磁気ヘッド |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59193516A (ja) * | 1983-04-19 | 1984-11-02 | Pioneer Electronic Corp | 磁気ヘツド |
| JPS60125909A (ja) * | 1983-12-12 | 1985-07-05 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁気ヘツド |
| JPS60205808A (ja) * | 1984-03-29 | 1985-10-17 | Sony Corp | 磁気ヘツド |
-
1986
- 1986-06-13 JP JP61137740A patent/JPH0656645B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1987
- 1987-04-04 KR KR1019870003220A patent/KR900007490B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62295204A (ja) | 1987-12-22 |
| KR900007490B1 (ko) | 1990-10-10 |
| KR880000914A (ko) | 1988-03-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |