JP2656615B2 - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
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- JP2656615B2 JP2656615B2 JP1132436A JP13243689A JP2656615B2 JP 2656615 B2 JP2656615 B2 JP 2656615B2 JP 1132436 A JP1132436 A JP 1132436A JP 13243689 A JP13243689 A JP 13243689A JP 2656615 B2 JP2656615 B2 JP 2656615B2
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Description
【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この発明は、ビデオテープレコーダ（VTR）等に用い
られる磁気ヘッドに関する。
られる磁気ヘッドに関する。
「従来の技術」 例えばVTRに用いられる従来の磁気ヘッドとして、第
４図および第５図に示すようなものが知られている。こ
れは、フェライト等の磁性体からなる一対のハーフコア
1a,1bを突き合わせて構成され、それぞれの突き合わせ
面には、高い飽和磁束密度を持つセンダスト等の金属磁
性膜２とSiO2膜（シリコン酸化膜）３とが積層して形成
され、接合されたSiO2膜３が磁気ギャップ４を構成して
いる。この磁気ヘッドの両側面にはトラック幅規制溝５
が形成されて低融点のボンディングガラス６で充填され
ており、また、ハーフコア1a,1bの少なくとも一方には
巻線溝７が貫通して形成されている。
４図および第５図に示すようなものが知られている。こ
れは、フェライト等の磁性体からなる一対のハーフコア
1a,1bを突き合わせて構成され、それぞれの突き合わせ
面には、高い飽和磁束密度を持つセンダスト等の金属磁
性膜２とSiO2膜（シリコン酸化膜）３とが積層して形成
され、接合されたSiO2膜３が磁気ギャップ４を構成して
いる。この磁気ヘッドの両側面にはトラック幅規制溝５
が形成されて低融点のボンディングガラス６で充填され
ており、また、ハーフコア1a,1bの少なくとも一方には
巻線溝７が貫通して形成されている。
「発明が解決しようとする課題」 ところで、上述した従来の磁気ヘッドにあっては、次
に示す問題点があった。
に示す問題点があった。
上記磁気ヘッドは、一対のハーフコア1a,1bの突き
合わせ面を突き合わせた後にこれを加熱し、トラック幅
規制溝５にボンディングガラス６を溶解して流し込み接
合するようにしているが、この際にSiO2膜３がボンディ
ングガラス６に侵食され、このボンディングガラス６と
一体化する現象が生じる。これにより、SiO2膜３の一部
がボンディング温度において溶融して消失するために、
ボンディングガラス６と金属磁性膜２との接合の強度が
低下してハーフコア1a,1bが剥離する。
合わせ面を突き合わせた後にこれを加熱し、トラック幅
規制溝５にボンディングガラス６を溶解して流し込み接
合するようにしているが、この際にSiO2膜３がボンディ
ングガラス６に侵食され、このボンディングガラス６と
一体化する現象が生じる。これにより、SiO2膜３の一部
がボンディング温度において溶融して消失するために、
ボンディングガラス６と金属磁性膜２との接合の強度が
低下してハーフコア1a,1bが剥離する。
上記理由によるSiO2膜３の消失個所、すなわち、ボ
ンディングガラス６と金属磁性膜２との接触点において
反応が起こり、ボンディングガラス６内に気泡が生じて
磁気特性が劣化する。
ンディングガラス６と金属磁性膜２との接触点において
反応が起こり、ボンディングガラス６内に気泡が生じて
磁気特性が劣化する。
金属磁性膜２とSiO2膜３との間のもともとの密着力
が弱いので、金属磁性膜２とSiO2膜３との間で剥離が発
生し、これにより、ハーフコア1a,1bが剥離する。
が弱いので、金属磁性膜２とSiO2膜３との間で剥離が発
生し、これにより、ハーフコア1a,1bが剥離する。
この発明は上述した事情に鑑みてなされたもので、ボ
ンディングガラス６の気泡に基づく磁気特性の劣化を防
ぐことができると共に、ハーフコア間の接合強度を向上
させることができる磁気ヘッドを提供することを目的と
している。
ンディングガラス６の気泡に基づく磁気特性の劣化を防
ぐことができると共に、ハーフコア間の接合強度を向上
させることができる磁気ヘッドを提供することを目的と
している。
「課題を解決するための手段」 この発明は、一対の磁性体からなるハーフコアの互い
の突き合わせ面の少なくとも一方に金属磁性膜を形成
し、この金属磁性膜上に、第１のCr−SiO2複合膜とSiO2
膜と第２のCr−SiO2複合膜とを順次積層形成して磁気ギ
ャップを形成し、この金属磁性膜上に、第１のCr−SiO2
複合膜とSiO2膜と第２のCr−SiO2複合膜とを順次積層形
成して磁気ギャップを形成し、前記第１のCr−SiO2複合
膜の金属磁性膜側表面に分散しているCr相が金属磁性膜
と結合し、また、SiO2側表面に分散しているCr相がSiO2
膜と結合し、前記第２のCr−SiO2複合膜のボンディング
ガラス側表面に分散したSiO2相がボンディングガラスに
拡散し、また、SiO2側表面に分散したSiO2相がSiO2膜に
拡散しており、前記Cr−SiO2複合膜の組成比Cr:SiO2が
1:9〜7:3の範囲であることを特徴とする。
の突き合わせ面の少なくとも一方に金属磁性膜を形成
し、この金属磁性膜上に、第１のCr−SiO2複合膜とSiO2
膜と第２のCr−SiO2複合膜とを順次積層形成して磁気ギ
ャップを形成し、この金属磁性膜上に、第１のCr−SiO2
複合膜とSiO2膜と第２のCr−SiO2複合膜とを順次積層形
成して磁気ギャップを形成し、前記第１のCr−SiO2複合
膜の金属磁性膜側表面に分散しているCr相が金属磁性膜
と結合し、また、SiO2側表面に分散しているCr相がSiO2
膜と結合し、前記第２のCr−SiO2複合膜のボンディング
ガラス側表面に分散したSiO2相がボンディングガラスに
拡散し、また、SiO2側表面に分散したSiO2相がSiO2膜に
拡散しており、前記Cr−SiO2複合膜の組成比Cr:SiO2が
1:9〜7:3の範囲であることを特徴とする。
「作用」 この発明によれば、第１のCr−SiO2複合膜,SiO2膜，
第２のCr−SiO2複合膜の三層構造膜によって磁気ギャッ
プが構成される。そして、第１のCr−SiO2複合膜は、そ
の複合膜に含まれるCrによって、金属磁性膜とSiO2膜と
の間の密着力を大とする。また、第２のCr−SiO2複合膜
は、その複合膜に含まれるCrによって、ハーフコアの突
き合わせの際に用いられるボンディングガラスからSiO2
膜を保護する。これにより、SiO2膜がボンディングガラ
スによって侵食されず、したがって、ハーフコア間の接
合強度が低下することが防止される。また、第２のCr−
SiO2複合膜に含まれるSiO2は、ボンディングガラスによ
る突き合わせの際にSiO2およびボンディングガラスに拡
散し、SiO2膜とボンディングガラスとの結合強度を向上
させる。また、上記三層構造膜中央のSiO2膜は光りを透
過するので、従来同様に例えば光学顕微鏡によって磁気
ギャップの測定を容易に行うことができる。また、上記
三層構造膜によって、金属磁性膜とボンディングガラス
との接触が避けられるので、ボンディングガラス内の発
泡が防止され、これにより、磁気特性の劣化を防止する
ことができる。
第２のCr−SiO2複合膜の三層構造膜によって磁気ギャッ
プが構成される。そして、第１のCr−SiO2複合膜は、そ
の複合膜に含まれるCrによって、金属磁性膜とSiO2膜と
の間の密着力を大とする。また、第２のCr−SiO2複合膜
は、その複合膜に含まれるCrによって、ハーフコアの突
き合わせの際に用いられるボンディングガラスからSiO2
膜を保護する。これにより、SiO2膜がボンディングガラ
スによって侵食されず、したがって、ハーフコア間の接
合強度が低下することが防止される。また、第２のCr−
SiO2複合膜に含まれるSiO2は、ボンディングガラスによ
る突き合わせの際にSiO2およびボンディングガラスに拡
散し、SiO2膜とボンディングガラスとの結合強度を向上
させる。また、上記三層構造膜中央のSiO2膜は光りを透
過するので、従来同様に例えば光学顕微鏡によって磁気
ギャップの測定を容易に行うことができる。また、上記
三層構造膜によって、金属磁性膜とボンディングガラス
との接触が避けられるので、ボンディングガラス内の発
泡が防止され、これにより、磁気特性の劣化を防止する
ことができる。
「実施例」 以下、図面を参照してこの発明の一実施例について説
明する。第１図はこの発明の一実施例による磁気ヘッド
の構成を示す斜視図、第２図はギャップ部の拡大図であ
る。この磁気ヘッドは、フェライト等の強磁性材料から
平板上に形成された一対のハーフコア11A,11Bが突き合
わせられて構成され、一方のハーフコア11Bには、コイ
ルを巻き付けるべき巻線溝12および補強溝13（第３図
（ロ）参照）が形成されている。これらのハーフコア11
A,11Bには、突き合わせ面と側面の角部が切欠くように
トラック幅規制溝16が形成され、この規制溝16、上記巻
線溝12および補強溝13にはボンディングガラス17が充填
されている。
明する。第１図はこの発明の一実施例による磁気ヘッド
の構成を示す斜視図、第２図はギャップ部の拡大図であ
る。この磁気ヘッドは、フェライト等の強磁性材料から
平板上に形成された一対のハーフコア11A,11Bが突き合
わせられて構成され、一方のハーフコア11Bには、コイ
ルを巻き付けるべき巻線溝12および補強溝13（第３図
（ロ）参照）が形成されている。これらのハーフコア11
A,11Bには、突き合わせ面と側面の角部が切欠くように
トラック幅規制溝16が形成され、この規制溝16、上記巻
線溝12および補強溝13にはボンディングガラス17が充填
されている。
これらのハーフコア11A,11Bのトラック幅規制溝16を
含む突き合わせ面には、コア本体側から順に、金属磁性
膜20、Cr−SiO2複合膜21、SiO2膜22、Cr−SiO2複合膜23
が積層して形成されている。Cr−SiO2複合膜21,23は、C
r:約70at％、SiO2:約30at％の割合で構成され、これらC
r−SiO2複合膜21とSiO2膜22とCr−SiO2複合膜23とで接
合部にギャップ24が形成されている。金属磁性膜20は、
高い飽和磁束密度を持つセンダストが用いられるが、ア
モルファス等でもよく、フェライトコア単独の場合に比
較してより強い磁界をギャップ24に発生することができ
るようになっている。これらの膜20,21,22,23は、ハー
フコア11A,11Bの接合の前にあらかじめスパッタリング
を用いて形成されているが、その他蒸着法または化学め
っき法などを用いてもよい。
含む突き合わせ面には、コア本体側から順に、金属磁性
膜20、Cr−SiO2複合膜21、SiO2膜22、Cr−SiO2複合膜23
が積層して形成されている。Cr−SiO2複合膜21,23は、C
r:約70at％、SiO2:約30at％の割合で構成され、これらC
r−SiO2複合膜21とSiO2膜22とCr−SiO2複合膜23とで接
合部にギャップ24が形成されている。金属磁性膜20は、
高い飽和磁束密度を持つセンダストが用いられるが、ア
モルファス等でもよく、フェライトコア単独の場合に比
較してより強い磁界をギャップ24に発生することができ
るようになっている。これらの膜20,21,22,23は、ハー
フコア11A,11Bの接合の前にあらかじめスパッタリング
を用いて形成されているが、その他蒸着法または化学め
っき法などを用いてもよい。
巻線溝12の壁面には、ボンディングガラス17と同じ組
成のガラス層が形成されており、コイルの被膜に傷が付
くのを防止するために用いられている。なお、このガラ
ス層は必ずしも必要ではない。
成のガラス層が形成されており、コイルの被膜に傷が付
くのを防止するために用いられている。なお、このガラ
ス層は必ずしも必要ではない。
次に、第３図（イ）〜（ホ）を参照して上述した磁気
ヘッドの製造工程を説明する。
ヘッドの製造工程を説明する。
まず、第３図（イ）に示すように、フェライト等の強
磁性材料を所定の直方体形状に切断して一対のハーフコ
アブロック11a,11bを形成する。次に、これらのハーフ
コアブロック11a,11bの双方の突き合わせ面（図におい
て上面）に鏡面加工を施す。
磁性材料を所定の直方体形状に切断して一対のハーフコ
アブロック11a,11bを形成する。次に、これらのハーフ
コアブロック11a,11bの双方の突き合わせ面（図におい
て上面）に鏡面加工を施す。
次に、第３図（ロ）に示すように、第３図（イ）のハ
ーフコアブロック11a,11bの突き合わせ面に、その幅方
向に沿って所定間隔でトラック幅規制溝16,16,…を形成
する。また、その他方、例えば11bに巻線溝12および補
強溝13を、それぞれ長手方向に沿って形成する。この巻
線溝12および補強溝13は両ブロック双方に設けてもよ
く、図示するように片方のブロックのみに設けてもよ
い。
ーフコアブロック11a,11bの突き合わせ面に、その幅方
向に沿って所定間隔でトラック幅規制溝16,16,…を形成
する。また、その他方、例えば11bに巻線溝12および補
強溝13を、それぞれ長手方向に沿って形成する。この巻
線溝12および補強溝13は両ブロック双方に設けてもよ
く、図示するように片方のブロックのみに設けてもよ
い。
次に、第３図（ハ）に示すように、第３図（ロ）のハ
ーフコアブロック11a,11bの突き合わせ面に、金属磁性
膜20、Cr−SiO2複合膜21、SiO2膜22、Cr−SiO2複合膜23
を順次形成する。この場合、これらの薄膜20〜23の形成
は、スパッタリング法，蒸着法または化学メッキ法等の
いずれかの方法によって行う。スパッタリング法を用い
る場合には、Cr−SiO2複合膜21,23のターゲットとし
て、Cr:70at％−SiO2:30at％の組成の焼結体を用いる。
ーフコアブロック11a,11bの突き合わせ面に、金属磁性
膜20、Cr−SiO2複合膜21、SiO2膜22、Cr−SiO2複合膜23
を順次形成する。この場合、これらの薄膜20〜23の形成
は、スパッタリング法，蒸着法または化学メッキ法等の
いずれかの方法によって行う。スパッタリング法を用い
る場合には、Cr−SiO2複合膜21,23のターゲットとし
て、Cr:70at％−SiO2:30at％の組成の焼結体を用いる。
次に、第３図（ニ）に示すように、第３図（ハ）のハ
ーフコアブロック11a,11bを突き合わせ、巻線溝12およ
び補強溝13にガラスバー25を挿入してその溶融温度にて
加熱処理する。これにより、ガラスバー25が溶融してト
ラック幅規制溝16に流れて充填されることになり、ハー
フコアブロック11a,11bはボンディングガラス17によっ
て接合される。
ーフコアブロック11a,11bを突き合わせ、巻線溝12およ
び補強溝13にガラスバー25を挿入してその溶融温度にて
加熱処理する。これにより、ガラスバー25が溶融してト
ラック幅規制溝16に流れて充填されることになり、ハー
フコアブロック11a,11bはボンディングガラス17によっ
て接合される。
次に、第３図（ホ）に示すように、接合が完了したハ
ーフコアブロック11a,11bを、切断線Ｃ、すなわちトラ
ック幅規制溝16の中央部で所定幅に切断し、次いで、切
断線Ｄに示す位置で補強溝13の下部の不要部分を切断し
て除去し、第１図に示すような磁気ヘッドを得る。この
磁気ヘッドは、その後テープ摺接面が円弧状に研磨さ
れ、巻線溝12にコイルが巻回される。
ーフコアブロック11a,11bを、切断線Ｃ、すなわちトラ
ック幅規制溝16の中央部で所定幅に切断し、次いで、切
断線Ｄに示す位置で補強溝13の下部の不要部分を切断し
て除去し、第１図に示すような磁気ヘッドを得る。この
磁気ヘッドは、その後テープ摺接面が円弧状に研磨さ
れ、巻線溝12にコイルが巻回される。
しかして、上記磁気ヘッドの磁気ギャップ24は、Cr−
SiO2複合膜21, SiO2膜22,Cr−SiO2複合膜23の三層構造
膜を互いに突き合わせた構造となる。
SiO2複合膜21, SiO2膜22,Cr−SiO2複合膜23の三層構造
膜を互いに突き合わせた構造となる。
このように、上述した実施例においては、磁気ギャッ
プ24を上記三層構造膜によって構成している。そして、
金属磁性膜20に接するCr−SiO2複合膜21は、この複合膜
21に含まれるCrによって、金属磁性膜20とSiO2膜22との
間の密着力を大とする。すなわち、従来のものの接着強
度は50g程度であったが、本実施例によれば150g位の接
着強度を得ることができる。この場合、複合膜21は、50
Å以上の厚さで密着力を大とする効果があらわれるの
で、100〜300Å程度の厚さが最適である。また、ボンデ
ィングガラス17に接するCr−SiO2複合膜23は、この複合
膜23に含まれるCrがボンディングガラス17と反応しにく
いので、SiO2膜22が侵食されることを防止する。この場
合、複合膜23は、200Å以上の厚さでその効果が得られ
る。これにより、ハーフコア11A,11B間の結合力が低下
することがない。また、複合膜23に含まれるSiO2は、ボ
ンディング時に、SiO2膜22およびボンディングガラス17
に拡散し、SiO2膜22とボンディングガラス17との結合強
度を向上させる。また、ハーフコア11A,11Bの接合面はC
r−SiO2複合膜23どうしの相互拡散により結合強度を向
上させる。
プ24を上記三層構造膜によって構成している。そして、
金属磁性膜20に接するCr−SiO2複合膜21は、この複合膜
21に含まれるCrによって、金属磁性膜20とSiO2膜22との
間の密着力を大とする。すなわち、従来のものの接着強
度は50g程度であったが、本実施例によれば150g位の接
着強度を得ることができる。この場合、複合膜21は、50
Å以上の厚さで密着力を大とする効果があらわれるの
で、100〜300Å程度の厚さが最適である。また、ボンデ
ィングガラス17に接するCr−SiO2複合膜23は、この複合
膜23に含まれるCrがボンディングガラス17と反応しにく
いので、SiO2膜22が侵食されることを防止する。この場
合、複合膜23は、200Å以上の厚さでその効果が得られ
る。これにより、ハーフコア11A,11B間の結合力が低下
することがない。また、複合膜23に含まれるSiO2は、ボ
ンディング時に、SiO2膜22およびボンディングガラス17
に拡散し、SiO2膜22とボンディングガラス17との結合強
度を向上させる。また、ハーフコア11A,11Bの接合面はC
r−SiO2複合膜23どうしの相互拡散により結合強度を向
上させる。
以上により、ハーフコア11A,11B間の結合力の低下が
防止されるとともに、その結合力が向上する。
防止されるとともに、その結合力が向上する。
また、上記三層構造膜によって、ボンディングガラス
17と金属磁性膜20との接触が防止されるので、ボンディ
ングガラス17中の発泡が防止され、これにより、金属磁
性膜20の磁気特性を本来のものに維持することが可能に
なる。
17と金属磁性膜20との接触が防止されるので、ボンディ
ングガラス17中の発泡が防止され、これにより、金属磁
性膜20の磁気特性を本来のものに維持することが可能に
なる。
また、上記三層構造膜中央のSiO2膜22は光りを透過す
るので黒色に見え、したがって、従来のものと同様に例
えば光学顕微鏡によって磁気ギャップ24の測定を容易に
行うことができる。
るので黒色に見え、したがって、従来のものと同様に例
えば光学顕微鏡によって磁気ギャップ24の測定を容易に
行うことができる。
また、上記実施例においては、Cr−SiO2複合膜21,23
におけるCr:SiO2の組成比を7:3としたが、他に、1:9〜
7:3の範囲内のいずれかの組成比としてもよい。
におけるCr:SiO2の組成比を7:3としたが、他に、1:9〜
7:3の範囲内のいずれかの組成比としてもよい。
「発明の効果」 以上説明したように、この発明によれば、一対の磁性
体からなるハーフコアの互いの突き合わせ面の少なくと
も一方に金属磁性膜が形成され、この金属磁性膜上に
は、第１のCr−SiO2複合膜とSiO2膜と第２のCr−SiO2複
合膜とが積層形成されて磁気ギャップを構成するように
したので、以下に示す効果を奏することができる。
体からなるハーフコアの互いの突き合わせ面の少なくと
も一方に金属磁性膜が形成され、この金属磁性膜上に
は、第１のCr−SiO2複合膜とSiO2膜と第２のCr−SiO2複
合膜とが積層形成されて磁気ギャップを構成するように
したので、以下に示す効果を奏することができる。
金属磁性膜とSiO2膜との間に第１のCr−SiO2複合膜
を設け、また、SiO2膜とボンディングガラスとの間に第
２のCr−SiO2複合膜を設けたので、ハーフコア間の接合
強度が劣化せず、かつ、その接合強度を高くすることが
できる。
を設け、また、SiO2膜とボンディングガラスとの間に第
２のCr−SiO2複合膜を設けたので、ハーフコア間の接合
強度が劣化せず、かつ、その接合強度を高くすることが
できる。
第１のCr−SiO2複合膜,Cr−SiO2膜，第２のCr−SiO
2複合膜の三層構造膜によって、ボンディングガラスと
金属磁性膜との接触が防止されるので、ボンディングガ
ラス中の発泡が防止され、これにより、金属磁性膜の磁
気特性を本来したものに維持することが可能となる。
2複合膜の三層構造膜によって、ボンディングガラスと
金属磁性膜との接触が防止されるので、ボンディングガ
ラス中の発泡が防止され、これにより、金属磁性膜の磁
気特性を本来したものに維持することが可能となる。
上記三層構造膜中央のSiO2膜は光りを透過するの
で、従来同様に例えば光学顕微鏡によって磁気ギャップ
の測定を容易に行うことができる。
で、従来同様に例えば光学顕微鏡によって磁気ギャップ
の測定を容易に行うことができる。
第１図はこの発明の一実施例による磁気ヘッドの構成を
示す斜視図、第２図は同磁気ヘッドのギャップ部の拡大
図、第３図（イ）〜（ホ）はこの発明の磁気ヘッドの製
造工程を示す斜視図、第４図は従来の磁気ヘッドの構成
を示す斜視図、第５図はその平面図である。 11A,11B……ハーフコア、20……金属磁性膜、21……Cr
−SiO2複合膜、22……SiO2膜、23……Cr−SiO2複合膜、
24……磁気ギャップ。
示す斜視図、第２図は同磁気ヘッドのギャップ部の拡大
図、第３図（イ）〜（ホ）はこの発明の磁気ヘッドの製
造工程を示す斜視図、第４図は従来の磁気ヘッドの構成
を示す斜視図、第５図はその平面図である。 11A,11B……ハーフコア、20……金属磁性膜、21……Cr
−SiO2複合膜、22……SiO2膜、23……Cr−SiO2複合膜、
24……磁気ギャップ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−295204（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−146203（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−70906（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】一対の磁性体からなるハーフコアの互いの
突き合わせ面の少なくとも一方に金属磁性膜を形成し、
この金属磁性膜上に、第１のCr−SiO2複合膜とSiO2膜と
第２のCr−SiO2複合膜とを順次積層形成して磁気ギャッ
プを形成し、前記第１のCr−SiO2複合膜の金属磁性膜側
表面に分散しているCr相が金属磁性膜と結合し、また、
SiO2側表面に分散しているCr相がSiO2膜と結合し、前記
第２のCr−SiO2複合膜のボンディングガラス側表面に分
散したSiO2相がボンディングガラスに拡散し、また、Si
O2側表面に分散したSiO2相がSiO2膜に拡散しており、前
記Cr−SiO2複合膜の組成比Cr:SiO2が1:9〜7:3の範囲で
あることを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項２】前記第１のCr−SiO2複合膜とSiO2膜と第２
のCr−SiO2複合膜とを順次積層形成してなる磁気ギャッ
プを、前記一対の磁性体からなるハーフコアの互いの突
き合わせ面の両方金属磁性膜上に形成したことを特徴と
する特許請求の範囲第１項に記載の磁気ヘッド。 - 【請求項３】前記第１のCr−SiO2複合膜と前記第２のCr
−SiO2複合膜の各々の組成比が同一であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項または第２項に記載の磁気ヘ
ッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1132436A JP2656615B2 (ja) | 1989-05-25 | 1989-05-25 | 磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1132436A JP2656615B2 (ja) | 1989-05-25 | 1989-05-25 | 磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02310807A JPH02310807A (ja) | 1990-12-26 |
| JP2656615B2 true JP2656615B2 (ja) | 1997-09-24 |
Family
ID=15081326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1132436A Expired - Fee Related JP2656615B2 (ja) | 1989-05-25 | 1989-05-25 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2656615B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0656645B2 (ja) * | 1986-06-13 | 1994-07-27 | アルプス電気株式会社 | 磁気ヘツド |
| JPS6370906A (ja) * | 1986-09-11 | 1988-03-31 | Alps Electric Co Ltd | 磁気ヘツドコアおよびその製造方法 |
| JPH0727612B2 (ja) * | 1986-12-09 | 1995-03-29 | アルプス電気株式会社 | 磁気ヘツドコア |
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1989
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| JPH02310807A (ja) | 1990-12-26 |
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