JPH02310807A - 磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この発明は、ビデオテープレコーダ（ＶＴＲ）等に用い
られる磁気ヘッドに関する。

「従来の技術」 例えばＶＴＲに−用いられる従来の磁気ヘッドとして、
第４図および第５図に示すようなものが知られている。

これは、フェライト等の磁性体力＼らなる一対のハーフ
コア１ａ’、ｌｂを突き合わせて構成され、それぞれの
突き合わせ面には、高１１飽和磁束密度を持つセンダス
ト等の金属磁性膜２とＳｉ　ＯｖＨ（シリコン酸化膜）
３とが積層して形成され、接合された５ｉｄｅ膜３が磁
気ギャップ４を構成している。この磁気ヘッドの両側面
にはトラック幅規制溝５が形成されて低融点のボンディ
ングガラス６で充填されており、また、ノ＼−フコアｌ
　ａ、　１ｂの少なくとも一方には巻線溝７が貫通して
形成されている。

「発明が解決しようとする課題」 ところで、上述した従来の磁気ヘッドにあっては、次に
示す問題点があった。

■上記磁気ヘッドは、一対の／％−フコアｌ　ａ、　ｌ
　ｂの突き合わせ面を突き合わせた後にこれを加熱し、
トラック幅規制溝５にガラス６を溶解して流し込み接合
するようにしているが、この際にｓｔｏ、ｔｌ１３がボ
ンディングガラス６に侵食され、このボンディングガラ
ス６と一体化する現象が生じる。これにより、５ｉＯｙ
膜３の一部がボンディング温度において溶融して消失す
るために、ボンディングガラス６と金属磁性膜２との接
合の強度が低下してハーフコア１ａ、■ｂが剥離する。

■上記理由による５ｉＯｙ膜３の消失個所、すなわち、
ボンディングガラス６と金属磁性膜２との接触点におい
て反応が起こり、ボンディングガラス６内に気泡が生じ
て磁気特性が劣化する。

■金属磁性膜２と５ｉｎｓ膜３との間のもともとの密着
力が弱いので、金属磁性膜２と５ｉｎｓ膜３との間で剥
離が発生し、これにより、ハーフコアＩ　ａ、　Ｉ　ｂ
が剥離する。

この発明は上述した事情に鑑みてなされたしので、ボン
ディングガラス６の気泡に基づく磁気特性の劣化を防ぐ
ことができると共に、ハーフコア間の接合強度を向上さ
せることができる磁気ヘットを提供することを目的とし
ている。

［課題を解決するための手段］ この発明は、一対の磁性体からなるハーフコアの互いの
突き合わせ面の少なくとも一方に金属磁性膜を形成し、
この金属磁性膜上に、第１の活性化金属−５ｉｆｔ複合
膜とＳ　ｉＯ！膜と第２の活性化金属−ＳｉＯｔｍ合膜
とを順次積層形成して磁気ギャップを形成したことを特
徴とする。

「作用」 この発明によれば、第１の活性化金属−Ｓｉｎｇ複合膜
、５ｉｎｓ膜、第２の活性化金属＝Ｓｉｎ、複合膜の三
層構造膜によって磁気ギャップが構成される。そして、
第１の活性化金属−３ｉｆｔ複合膜は、その複合膜に含
まれる活性化金属によって、金属磁性膜とＳｉＯｘ膜と
の間の密着力を大とする。また、第２の活性化金属−８
ｉｆｔ複合膜は、その複合膜に含まれる活性化金属によ
って、ハーフコアの突き合わせの際に用いられるボンデ
ィングガラスからＳｉＯｘ膜を保護する。これにより、
Ｓ　ｒ　Ｏを膜がボンディングガラスによって侵食され
ず、したがって、ハーフコア間の接合強度が低下するこ
とが防止される。また、第２の活性化金属−Ｓｉｎ７複
合膜に含まれる５ｉｆｔは、ボンディングガラスによる
突き合わせの際に５ｉＯｚ膜およびボンディングガラス
に拡散し、Ｓｉｎ、膜とボンディングガラスとの結合強
度を向上させる。また、上記三層構造膜中央のＳｉＯ！
膜は光りを透過するので、従来同様に例えば光学顕微鏡
によって磁気ギャップの測定を容易に行うことができる
。また、上記三層構造膜によって、金属磁性膜とボンデ
ィングガラスとの接触が避けられるので、ボンディング
ガラス内の発泡が防止され、これにより、磁気特性の劣
化を防止することができる。

「実施例」 以下、図面を参照してこの発明の一実施例について説明
する。第１図はこの発明の一実施例による磁気ヘッドの
構成を示す斜視図、第２図はギャップ部の拡大図である
。この磁気ヘッドは、フェライト等の強磁性材料から平
板上に形成された一対のハーフコアＩＩＡ、ＩＩＢが突
き合わせられて構成され、一方のハーフコアＩＩＢには
、コイルを巻き付けるべき巻線溝１２および補強溝１３
（第３図（ロ）参照）が形成されている。これらのハー
フコアｔｔＡ、ｔｔＢには、突き合わせ面と側面のＩ′
ｒ１部を切欠くようにトラック幅規制溝１６が形成され
、この規制溝Ｉ６、上記巻線Ｗｆ　Ｉ　２および補強溝
！３にはボンディングガラス１７が充填されている。

これらのハーフコア１１Ａ、ＩＩＢのトラック幅規制溝
１６を含む突き合わせ面には、コア本体側から順に、金
属磁性膜２０、Ｃｒ−５ｉｆｔ複合膜２１、ＳｉＯｘ膜
２２、Ｃｒ−５ｉｆｔ複合膜２３が積層して形成されて
いる。Ｃｒ　　５ｉｏｔ複合膜２１．２３は、Ｃｒ：約
７０ａＬ％、Ｓ　ｉｏ　ｔ：約３０ａｔ％の割合で構成
され、これらＣｒ−９ｉｎｓ複合膜２１と５ｉＯｔ膜２
２とＣｒ−９ｉｆｔ複合膜２３とで接合部にギャップ２
４が形成されている。金属磁性膜２０は、高い飽和磁束
密度を持つセンダストが用いられるが、アモルファス等
でもよく、フェライトコア単独の場合に比較してより強
い磁界をギャップ２４に発生することができるようにな
っている。これらの膜２０．２　＋、２２．２３は、ハ
ーフコアＩＩＡ、ＩＩＢの接合の前にあらかじめスパッ
タリングを用いて形成されているが、その他蒸着法また
は化学めっき法などを用いてもよい。

巻線溝１２の壁面には、ボンディングガラス１７と同じ
組成のガラス層が形成されており、゛コイルの被膜に傷
が付くのを防止するために用いられている。なお、この
ガラス層は必ずしも必要ではない。

次に、第３図（イ）〜（ホ）を参照して上述した磁気ヘ
ッドの製造工程を説明する。

■まず、第３図（イ）に示すように、フェライト等の強
磁性材料を所定の直方体形状に切断して一対のハーフコ
アブロックｌｌａ、Ｉｌｂを形成する。

次に、これらのハーフコアブロックｌｌａ、Ｉｌｂの双
方の突き合わせ面（図において上面）に鏡面加工を施す
。

■次に、第３図（ロ）に示すように、第３図（イ）のハ
ーフコアブロックｌｌａ、１１ｂの突き合わせ面に、そ
の幅方向に沿って所定間隔でトラック幅規制溝１６．１
６．・・・を形成する。また、その他方、例えばＩｌｂ
に巻線溝１２および補強溝１３を、それぞれ長手方向に
沿って形成する。この巻線溝１２および補強溝Ｉ３は両
ブロック双方に設けてもよく、図示するように片方のブ
ロックのみに設けてもよい。

■次に、第３図（ハ）に示すように、第３図（ロ）のハ
ーフコアブロックｌｌａ、ｌｌｂの突き合わせ面に、金
属磁性膜２０、Ｃｒ−５ｉｆｔ複合膜２１ＳＳｉＯ２膜
２２、Ｃｒ−Ｓ　ｉｏ　ｘ複合膜２３を順次形成する。

この場合、これらの薄膜２０〜２３の形成は、スパッタ
リング法、蒸着法または化学メッキ法等のいずれかの方
法によって行う。スパッタリング法を用いる場合には、
Ｃｒ−５ｉｎ、複合膜２１．２３のターゲットとして、
Ｃｒニア０ａｔ％−Ｓ　ｔｏ　、：３０ａｔ％の組成の
焼結体を用いる。

■次に、第３図（ニ）に示すように、第３図（ハ）のハ
ーフコアブロックｌｌａ、ｌｌｂを突き合わせ、巻線溝
！２および補強溝１３にガラスパー２５を挿入してその
溶融温度にて加熱処理する。これにより、ガラスパー２
５が溶融してトラック幅規制溝！６に流れて充填される
ことになり、ハーフコアブロックｌｌａ、ｌｌｂはボン
ディングガラス１７によって接合される。

■次に、第３図（ホ）に示すように、接合が完了したハ
ーフコアブロックｌｌａ、ｆｌｂを、切断線Ｃ１すなわ
ちトラック幅規制Ｎ１６の中央部で所定幅に切断し、次
いで、切断線りに示す位置で補強溝１３の下部の不要部
分を切断して除去し、第１図に示すような磁気ヘッドを
得る。この磁気ヘッドは、その後テープ摺接面が円弧状
に研磨され、巻線溝１２にコイルが巻回される。

しかして、上記磁気ヘッドの磁気ギャップ２４は、Ｃｒ
　　ＳｉＯ＊複合膜２１．Ｓｔｏｗ膜２２．Ｃｒ−３ｉ
Ｏ＊複合膜２３の三層構造膜を互いに突き合わせた構造
となる。

このように、上述した実施例においては、磁気ギャップ
２４を上記三層構造膜によって購成している。そして、
金属磁性膜２０に接する０ｒ−９ｉｎ２複合ｒＩ２１は
、この複合１１１２１に含まれるＣｒによって、金属磁
性膜２０とＳｉＯ＊膜２２との間の密着力を大とする。

すなわち、従来のものの接着強度は５０ｇ程度であった
が、本実施例によれば１５０ｇ位の接着強度を得ること
ができる。この場合、複合膜２１は、５０Å以上の厚さ
で密着力を大とする効果があられれるので、１００〜３
００人程度の厚さが最適である。また、ボンディングガ
ラス１７に接するＣｒ５ｉＯｓ複合膜２３は、この複合
膜２３に含まれるＣｒがポンディグガラス１７と反応し
にくいので、５ｉＯｙ膜２２が侵食されることを防止す
る。この場合、複合膜２３は、２００Å以上の厚さでそ
の効果が得られる。

これにより、ハーフコアＩＩＡ、ＩＩＢ間の結合力が低
下することがない。また、複合膜２３に含まれるＳ　ｉ
　Ｏｔは、ボンディング時に、５ｉｆｔ膜２２およびボ
ンディングガラス１７に拡散し、ＳｉＯ３膜２２とボン
ディングガラス１７との結合強度を向上させる。また、
ハーフコアＩＩＡ、１１Ｂの接合面はＣｒ−ＳｉＯ＊複
合膜２３どうしの相互拡散により結合強度を向上させる
。

以上により、ハーフコア１１Ａ、Ｉ　１８間の結合力の
低下が防止されるとともに、その結合力が向上する。

また、上記三層構造膜によって、ボンディングガラス１
７と金属磁性膜２０との接触が防止されるので、ボンデ
ィングガラス１７中の発泡が防止され、これにより、金
属磁性膜２０の磁気特性を本来のものに維持することが
可能となる。

また、上記三層構造膜中央のＳｉｎ、膜２２は光りを透
過するので黒色に見え、したがって、従来のものと同様
に例えば光学顕微鏡によって磁気ギャップ２４の測定を
容易に行うことができる。

なお、上記の複合膜中の金属としては、Ｃｒに限られる
ことなく、適宜の活性化金属、例えば■ａ属〜■ａ属に
属するＴ　ｉ、　Ｚ　ｒ、Ｉ−１ｆ、Ｎ　ｂ、Ｔ　ａ、
Ｍｏ等が用いられてよい。

また、上記実施例においては、０ｒ−５ｉＯｓ複合膜２
１．２３におけるＣｒ：５ｉＯｓの組成比を７・３とし
たが、他に、ｌ二９〜７：３の範囲内のいずれかの組成
比としてもよい。

「発明の効果」 以上説明したように、この発明によれば、一対の磁性体
からなるハーフコアの互いの突き合わ（ｉ−面の少なく
とも一方に金属磁性膜が形成され、この金属磁性膜上に
は、第１の活性化金属−９ｉＯｓ複合膜と５ｈｏｔ膜と
第２の活性化金属−ＳｉＯｓ複合膜とが積層形成されて
磁気ギップン構成するようにしたので、以下に示す効果
を奏することができる。

■金属磁性膜とＳ　ｉＯを膜との間に第１の活性化金属
−９ｉＯｓ複合膜を設け、また、５ｉｆｔ膜とボンディ
ングガラスとの間に第２の活性化金属−８ｉ　Ｏｔ　＞
Ｕ冶膜を設けたので、ハーフコア間の接合強度が劣化せ
ず、かつ、その接合強度を高くすることができる。

■第１の活性化金属−８＋Ｏｔ複合膜、５ｉＯｔ膜。

第２の活性化金属−５ｉｎ、複合膜の三層構造膜によっ
て、ボンディングガラスと金属磁性膜との接触が防止さ
れるので、ボンディングガラス中の発泡が防止され、こ
れにより、金属磁性膜の磁気特性を本来のものに維持す
ることか可能となる。

■上記三層溝造膜中央の５ｉｎｓ膜は光りを透過するの
で、従来同様に例えば光学顕微鏡によって磁気ギャップ
の測定を容易に行うことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例による磁気ヘッドの構成を
示す斜視図、第２図は同磁気ヘッドのギャップ部の拡大
図、第３図（イ）〜（ホ）はこの発明の磁気ヘッドの製
造工程を示す斜視図、第４図は従来の磁気ヘッドの構成
を示す斜視図、第５図はその平面図である。 ＋　１Ａ、１１Ｂ・・・・・・ハーフコア、２０・・・
・・・金属磁性膜、２Ｉ・・・・・・Ｇｒ−９ｉＯｓ複
合膜（第１の活性化金属−９ｉｎ、複合膜）、２２・・
・・・・Ｓｉｎ、膜、２３・・・・・・Ｃｒ−５ｉＯｓ
複合膜（第２の活性化金属−８１０、複合膜）、２４・
・・・・・磁気ギャップ。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）一対の磁性体からなるハーフコアの互いの突き合
   わせ面の少なくとも一方に金属磁性膜を形成し、この金
   属磁性膜上に、第１の活性化金属−ＳｉＯ＿２複合膜と
   ＳｉＯ＿２膜と第２の活性化金属−ＳｉＯ＿２複合膜と
   を順次積層形成して磁気ギャップを形成したことを特徴
   とする磁気ヘッド。
2. （２）上記活性化金属はＣｒであることを特徴とする特
   許請求の範囲第１項記載の磁気ヘッド。