JPS60205808A - 磁気ヘツド - Google Patents

磁気ヘツド

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JPS60205808A
JPS60205808A JP59061852A JP6185284A JPS60205808A JP S60205808 A JPS60205808 A JP S60205808A JP 59061852 A JP59061852 A JP 59061852A JP 6185284 A JP6185284 A JP 6185284A JP S60205808 A JPS60205808 A JP S60205808A
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magnetic
film
metal thin
ferromagnetic metal
thin film
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JP59061852A
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Junichi Saito
潤一 斎藤
Tomio Kobayashi
富夫 小林
Heikichi Sato
平吉 佐藤
Tatsuo Hisamura
達雄 久村
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    • G11INFORMATION STORAGE
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    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/187Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
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    • G11B5/1875"Composite" pole pieces, i.e. poles composed in some parts of magnetic particles and in some other parts of magnetic metal layers
    • G11B5/1877"Composite" pole pieces, i.e. poles composed in some parts of magnetic particles and in some other parts of magnetic metal layers including at least one magnetic thin film
    • G11B5/1878"Composite" pole pieces, i.e. poles composed in some parts of magnetic particles and in some other parts of magnetic metal layers including at least one magnetic thin film disposed immediately adjacent to the transducing gap, e.g. "Metal-In-Gap" structure

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  • Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は磁気ヘッドに関し、特に強磁性酸化物材料と怖
磁性金属材料との複合磁性材料からなる磁気ヘッドに関
する。
背景技術とその問題点 例えばVTR(ビデオテープレコーダ)用の磁気記録媒
体である磁気テープに磁気記録される信号が、8i密度
化されてくるに従い磁気テープとし゛(晶い残留磁束密
度Brを有するメタルテープ等が使用されてきている。
このメタルテープ等の向い抗磁力11cを持つ磁気テー
プに用いられる磁気ヘッドは磁気ギャップより発生ずる
磁界の強度を高くず乙必要があり、また記録される信号
の+tli密度化に伴ない磁気ヘッドのトランク幅を狭
くする必要がある。そごでこのような磁気ヘッドとして
は従来より種々のものが提案されζおり、この狭トラツ
ク化の磁気ヘッドとしては第1図に示すヘッドが知られ
ている。この第1図の磁気−・ラドは1ln−Znフェ
ライト等の強磁性酸化物よりなるコア半休(la) 、
(lb)の磁気ギャップ形成面側にトランク幅規制四部
によりフェライト突起部(la’)。
(lb’)を形成し、この突起部(la’) 、(il
J’)の両側面にスパッタリング等の真空薄膜形成技術
を用いてセンダスト等の強磁性金属薄膜(2a) 、(
2b)を被着形成し、この一対のコア半休(la) 、
(Ib)をトラック幅規制凹部に溶融充填される補強用
ガラス(3)により融着接合している。この磁気ヘソド
は上記突起部(la’) 、(lb’)の先端近傍に被
着された強磁性金属薄膜(2a)’、(2b)を利用し
て磁気ギャップgを形成しているため磁気抵抗が小さく
効率の良い狭トラツクヘッドを得ることができる。
しかし、このように複合磁性材料からなる磁気ヘッドに
おいて磁気ギャップ形成面の強磁性金属薄膜は金属磁性
材料をスパッタリング等の真空薄膜形成技術による形成
が適しているが、フェライト上に磁性金属薄膜を形成し
、その上から融着用のガラスを充填した場合、磁性金属
薄膜の弱い部分に応力が集中し、変形させたり、またひ
びや割れ等を生じて不良率が高くなる。
即ち、フェライト上にセンダスト、アモルファス等の磁
性金属材料を積層すると、この金属材料の方がフェライ
トに対し熱膨張係数が約30〜50%大きいため、ガラ
スパンクや融着に際しての臂温時にフェライトやガラス
に対して引張応力が働くことになり、ひびや割れが生じ
易い。またセンダスト等の磁性金属薄膜を被着形成した
後、直接ガラスを溶融充填すると金属とガラスが反応し
、金属薄膜のエツジ、表面が変形してしまう。
そのため、上述の複合材料から成る磁気ヘッドは歩留り
が悪く生産性に欠点を有していた。
発明の目的 本発明は斯る点に鑑みなされたもので、強磁性酸化物よ
りなる磁気コアに被着形成される強磁性金属薄膜を安定
なものにし、トラック幅精度を充分確保でき歩留りが高
く量産性に優れ信頼性の高い磁気ヘッドを提供するもの
である。
発明の概要 5 本発明は上記の目的を達成するために、強磁性酸化物よ
りなる磁気コア半休対の接合面に真空薄膜形成技術によ
り強磁性金属薄膜を形成し、この磁気コア半休対を突き
合わせて磁気ギャップを形成してなる磁気ヘッドにおい
一ζ、磁気ギャップ形成面と強磁性金属8膜形成面とが
所要角度で傾斜しており且つテープ対接面に非磁性西硬
度映を介して強磁性金属薄膜と酸化物ガラスを配するこ
とにより強磁性金属薄膜の変形、ひびや割れ及び磁気特
性の劣化を防止するように構成したものである。
実施例 以下本発明の一実施例を図面に基づき説明する。
第2図は本発明に係わる磁気ヘッドの一例の斜視図であ
る。この複合磁性材料からなる磁気ヘッドは例えば一対
の磁気コア半休(lla ) 、(llb )がMn 
−Znフェライト等の強磁性酸化物により形成され、磁
気ギャップgの近傍部には高透磁率合金のセンダスト等
からなる強磁性金属薄膜(12a ) 。
(12b)がスパッタリング等の真空薄膜形成技術を用
いて形成され、そしζこの強磁性金属薄膜(12a )
 、(12b )上にTa205やCr+ TiO2+
 SiO2等の非磁性面硬度、商強度膜(13a ) 
、(13b )が形成されている。また磁気ギャップg
の形成面近傍即ちテープ対接面(11’)における磁気
ギヤツブgの両側部にトラック幅を規制し、融着する酸
化物ガラス(14a ) 、(14b )及び(15)
が溶融充填されている。
ところで、強磁性金属薄膜(12a ) 、(12b 
)の形成面と磁気ギャップgの形成面とは磁気ヘッドの
テープ対接面(11’)の平面図を第3図に示すように
所要角度で傾斜している。この(す1斜角度は記録再生
時の磁気テープに与える強磁性金属薄IQ(12a )
 、(12b )の積層間の絶縁層と磁気ギャップgと
の相互作用が最も少ない傾斜角度例えば45°に設定す
ることが望ましい。
また極磁性金属薄膜(12a ) 、(12b )は磁
気ギャップgの近傍のみに形成されているため、その形
成面積が少なくてすみ例えばスパッタリング装置で一括
処理可能な個数を大幅に増すことができて量産性の向上
を図ることができる。
また積fil形成される強磁性金属VII映(12a)
(12b )の膜厚tは、 t=T騨 sinθ でよいことからトランク幅に相当する膜厚を積層形成す
る必要がなくヘッド作製に要する時間を短縮することが
できる。ここでTwはトランク幅でありθは強磁性金属
薄膜形成面とギャップ形成面とのなす角度である(第3
図参照)。
また強磁性金属薄膜(12a ) 、(12b )上に
即ち強磁性金属薄膜(12a ) 、(12b )と酸
化物ガラス(15)との間に非磁性商硬度IN (13
a ) 。
(13b)を形成しておくことにより磁気コア半休(l
la ) 、(llb )と酸化物ガラス(15)との
間の歪を分散してショートレンジ(短範囲)な状態の歪
にしたり、また強磁性金属薄膜(12a ) 。
(12b)の伸びを妨げることになり、強磁性金属S膜
(12a ) 、(12b )のひびや割れの発生を防
止することができて磁気ヘッドの信頼性を向上すること
ができると共に磁気ヘッド製造の歩留りを良好にするこ
とができる。
また磁気ギャップgを形成する強磁性金属薄膜(12a
 ) 、(12b )が磁気ギャップgの近傍部に配さ
れていることと磁気ヘッド後部側が接合面積の広い強磁
性酸化物で形成されていることによって磁気抵抗が小さ
く感度の商い菌性能の磁気ヘッドとなっている。
また磁気ギャップgがIa+透磁率を有する強磁性金属
薄膜(12a ) 、(12b )のみで形成されてい
ることからメタルテープ等の晶い抗磁力11cをもつ磁
気テープに対応した記録再生出力の高い磁気ヘッドとな
っCいる。
またコア半休(lla)の傾斜面(lla’)及び酸化
物ガラス(14a)上を連ねた一平面上に強磁性金属薄
IN(12a)が被着形成され、また他方のコア半休(
llb )の傾斜面(flb’)及び酸化物ガラス(1
4b)上を連ねた一平面上に強磁性金属S膜(12b)
が被着形成されていることにより、例えばセンダスト膜
からなる強磁性金属薄膜(12a ) 。
(12b)の膜構成、即ち柱状晶の成長方位は磁気ギヤ
ツブg近傍部及び上記傾斜面(lla’) 、(llb
’)部に亘って一方向に平行に揃った均一なものとなっ
ている。このため磁気ヘッドは磁路に沿った方向で強磁
性金属薄膜(12a ) 、(12b )の全体が商い
透磁率を示すようになり晶い記録再生出力が得られる。
また上記磁気ヘッドの後部側はMn −Znフェライト
等の強磁性酸化物どうしを突き合わせ゛ζ接合しており
大きな接着強度を得ることができて歩留りの向上を図る
ことができる。また加工時にバンクトラックずれが発生
ずるようなこともなく信頼性の商い磁気ヘッドとなっ“
ζいる。
更に、上記磁気ヘッドの磁気テープ対接面のほとんどが
強磁性酸化物となっ°ζいることから耐摩耗性を有する
磁気ヘッドとなっている。
また本発明によれば数μm〜数十μmの広範囲のトラン
ク幅を容易に形成することができ、絶縁膜を介し°C例
えば多層に積層される強磁性金属薄膜(12a ) 、
(12b )の積層数を少なくすることで狭トラツク化
の磁気ヘッドとすることができる。
以上説明したように、上記磁気ヘッドは磁気ギャップg
が変形成いはひび3割れ等の無い安定した強磁性金属薄
膜から形成されることにより、この磁気ギャップから発
生する磁界の強度が轟いことや再生出力を高くとれるこ
と等、例えばメタルテープ等の高い抗磁力Hcを有する
磁気テープに高密度記録するのに適したヘッドとなって
いる。
ところで、強磁性金属薄膜(12a ) 、(12b 
)の形成面と磁気ギャップgの形成面のなす角度θは上
述の45゛に限らず20°〜80°程度の範囲としても
よい。ここで20°以下の角度であると隣接トランクか
らのクロストークが大きくなり、望ましくは30゛以上
の角度をもたせるのがよい。また、上記傾斜角度を90
°にした場合は耐摩耗性が劣ることから80゛程度以下
とするのがよい。また傾斜角度を90°にすると磁気ギ
ャップgの近傍に形成される上述の強磁性金属薄膜(1
2a ) 、(12b )の膜厚をトラック幅に等しく
形成する必要があり、真空薄膜形成技術を用いて薄膜を
形成するに当って多くの時間を要してしまうことや、1
1央構造が不均一化してしまう点で好ましくない。
次に上述の第3図に示す磁気ヘッドの製造工程を第4図
〜第11図に基づき説明する。
先ず第4図に不ずように例えばMn−Znフェライト等
の強磁性酸化物基板(20)の長平方向の一稜邪に複数
の切り溝(21)を回転砥イコまたは電解エツチング等
により複数形成する。即ら上記基板(20)の上面(2
0’)は磁気ギャップ形成面に対応し、上記切り#(2
1)は基板(2o)の磁気ギヤソプ形成位置近傍に相当
する部分に形成される。
次に第5図に示すように、上記切り1(21)に高融点
ガラス(22^)を溶融充填した後上面(20’)と前
面(20”)とを平面研磨する。
そごで第6図に示すように高融点ガラス(22)を充填
した、上記切り溝(21)の一部とオーバラップするよ
うに、上記−稜部に切り溝(21)と隣り合う複数の切
り溝(23)を形成する。このとき形成される切り溝(
23)の一方の内壁面(23’)には、上記ガラス(2
2)の一部が露出している。また、この内壁向(23′
)と上記上面(20’)との交線(23”)は上記前面
(20”)と直角をなしている。そして、この内壁面(
23’)と上面(20’)とのなす角度は所要角度、例
えば45°となっている。
次に第7図に不ずように上記基板(20)の切り溝(2
3)近傍にスパッタリング等の真空薄膜形成技術を用い
て高透磁率合金の例えばセンダスト等を絶縁膜を介して
被着積層し、強磁性全屈Pv膜(24)を形成する。こ
の強磁性金属i映(24)の形成において、切り溝(2
3)の一方の内壁面(23’)−ヒに効率よく被着する
ように上記基41* (2(+)を(す(斜させスパッ
タリング装置内に配置するようにする。
そして、このように被着形成された強磁性金属薄IN 
(24)上に第8図に示ずようにTa205やTiO2
゜5t(h等の非磁性高硬度膜(25)をスパッタリン
グ等により被着形成する。本例においてはこの非磁性高
硬度膜(25)は強磁性金属薄8% (24)の上にC
r膜(25’)を0.1μm程度の膜厚で形成し、続い
てその上にTa205 股(25”)を1μm程度の膜
厚でスパッタリング等により形成している。このように
Cr膜(25’)を強磁性金属薄膜(24)上に形成す
るごとによりこの強磁性金属#lIQ (24)に対す
るTa2Os lRj (25″)の被着が良好となる
。そこで第9図に示すように強磁性金属薄膜(24)と
非磁性高硬度膜(25)が積I舗して被着された切り満
(23)に上記ガラス(22)よりも低融点のガラス(
26)を溶融充填した後、基板上面(20’)と前面(
20″)とを平面研磨し鏡面仕上げを行なう。このとき
前工程で被着した非磁性高硬度膜’(25)の一部が上
部切り溝(23)の内壁面(23’)に被着された状態
の強磁性金属薄膜(24)を覆う状態となっている。
以上のようにして第9図に示す両コア半休ブロック(2
OA ) (20B )を得る。そし′乙一方のコア半
休ブロック(20A)に第10図に示すように巻線溝(
27)を形成する溝加工を行なう。このコア半休ブロッ
ク(20^)の切り溝(21Δ)には高融点ガラス(2
2^)が溶融充填され、切り溝(23^)の内壁面(2
38′)には強磁性金属薄膜(24^)が非磁性高硬度
IQ (25A )により被覆された状態で被着形成さ
れている。次に上記コア半休プロ・ツク(20^)の磁
気ギヤツブ形成面となる上面(20Δ′)と巻線溝のな
い他方のコア半休ブロック(20B)の磁気ギャップ形
成面となる上面とを股付けしたギャップスペーサを介し
て、第11図に示すようにトランク部即ら、強磁性金属
薄膜(24八)と(24B)が相対するように突き合わ
せ、上記低融点ガラス(26)によりガラス融着を行う
。この後、このコア半休ブロック(20^)と(20B
 )とを合体させた合体ブロック(201)を第11図
に示ずa−a線、a′−a′線の位置でスライシング加
工することで複数個のヘンドチソプを得ることかでE(
る。このスライシング加工は場合によってはアジマス角
だけ傾けて行なう。
ここで上述の非磁性高硬度膜(25)とし、てはW。
Mo、 St、 Ta等の高融点金属及びその酸化物を
用むするごとかでき、この場合映厚を数μm以下に形成
することが望ましく、また上述の如く強磁性金属薄股上
にCrllQjを介して被着することが望ましい。
こればCr膜を介することにより強磁性金属薄膜との接
着が良好になるためである。面、本例では非磁性高硬度
膜(25)はCr膜−Ta20s膜により形成したが、
Cr膜−S 102IN −Ta205膜の順で形成し
てもよく、またTi股を0.1μm程度に続いてT i
O2膜を1μm程度に積1@被着するようにしてもよい
以上のようにして形成されるへ・ノドチ・ノブの磁気テ
ープ対接面を円筒儲磨することで第2図にネオ磁気ヘッ
ドが得られる。この第2図の磁気へ・ノドにおいて、一
方のコア半休、(lla)は」二記一方のブロック(2
〇八)を母材匪しており、他方のコア半体(llb)は
上記他方のブロック(20B)が母材となっている。ま
た酸化物ガラス(14a)。
(14b)は上記高融点ガラス(22八)、(22B)
に夫々対応し、酸化物ガラス(15)は上記低融点ガラ
ス(26)に対応しており、またこの磁気ヘッドの強磁
性金属薄膜(12a ) 、(12b )は上記金属薄
膜(24A ) 、(24B )に、非磁性高硬度膜(
13a ) 、(13b )は上記高硬度膜(25^)
(25B)に夫々対応している。更に上記磁気ヘッドの
巻線孔(16)は上記一方のブロック(20^)に形成
された巻線溝(27)に対応している。
このように上記ヘッドでは例えばセンダスト膜である強
磁性金属薄膜の膜構造、即ち柱状晶の成長方位は膜構造
の不均一な部分をギャップ面研磨加工により削りとって
しまうため切り溝(23八)。
(23B )の内壁面(23^’) 、(23B’)で
ある斜めの平面部ぢ一平面上に一方向に揃った均一なも
のとなっている。このため強磁性金属薄膜(24A)。
(24B)の各部がヘッドの磁路方向に沿って高い透磁
率を示すようになり、またこの強磁性金属薄膜(24^
)、(24B)は融着用の酸化物ガラス(26)に対し
て非磁性高硬度膜(25A) 、(25B)により保護
されて変形やひび5割れ等が発生ずることなく安定した
ものとなり、上記磁気ヘッドは安定した西出力を得るこ
とができる。
また上記磁気ヘッドはヘッドの後部側の接合面、即らハ
ックギャップ面において強磁性酸化物どうしが直接ガラ
ス融着されていることから−・ノドチソブ耐破壊強度が
大きく製造しやすいヘッドとなっており強磁性金属薄膜
の安定とあいまって歩留りの向上を図ることができる。
次に第12図〜第20図に基づき他の製造]−程により
作られる磁気ヘッドの例を説明する。
先ず第12図に示すように例えばMn−Znフェライト
等の強磁性酸化物基板(30)の磁気テープ対接面に対
応する上面(30’)に、この上面(30’)を斜めに
横切るような断■11コ字状の溝(31)を複数形成す
る。ここで、この溝(31)の深さはヘッドの巻線孔に
到達する程度の深さである。
次に第13図に不ずように上記1(31)に高融点ガラ
ス(32)を溶融充填した後、上面(30’)と前面(
30″)とを平面研磨する。
そして、第14図に示すように葭融点ガラス(32)を
充填した上記溝(31)の一部とオーバラップし、この
溝(31)とは逆方向に斜めに上面(30’)を横切る
断面コ字状の溝(33)を上記上面(30’)に複数形
成する。この溝(33)の深さは上記溝(31)と同程
度である。このときこの溝(33)の内側面(33’)
と前面(30”)との交線(33”)は前面(30”)
に露出した上記高融点ガラス(32)の断面上にあり、
またこの交線(33”)は上面(30’)と直角をなし
ている。また内側面(33’)と前面(30”)とのな
す角度は所要角度例えば45°となっている。
次に第15図に示すように上記基板(30)の溝(33
)近傍にスパッタリング等の真空薄膜形成技術を用いて
高透磁率合金の例えばセンダストを絶縁膜を介して被着
積1−シ、強磁性金属薄膜(34)を形成する。このと
き上記溝(33)の内側面(33’)−ヒに効率よく被
着されるように上記基板(30)を傾斜させスパッタリ
ング装置内に配置するようにする。
そして、第16図にボずように=に記強磁性金属薄膜(
34)の上に例えばCr1lQ (35’)をIIQ厚
0.1μm程度、続いてTa203IN (35”)を
膜厚1pm程度スパッタリングにより被着し非磁性高硬
度IQ(35)を形成する。このようにして強磁性金属
薄IJ(34)と非磁性高硬度+1Q (35)が積層
形成された上記溝(33)に上記ガラス(32)よりも
低融点のガラス(36)を溶融充填した後、上面(30
’)と前面(30″)とを平面研磨し鏡面研磨仕上げを
行なう。このとき上記金属薄膜(34)と上記非磁性高
硬度膜(35)の積1砺膜の一部が上記溝(33)の内
側面(33’)に残りこの内側面(33’)に強+11
牲金属薄10(34)が被着された状態となる。
以上のようにして第17図に示すコア半休ブロック(3
0Δ)(30B)を得る。
そして、一方のコア半休ブロック(3〇八)に第18図
に丞ずように巻線溝(37)を形成する溝加工を行なう
。このコア半休ブロック(30^)の溝(31A )に
は高融点ガラス(32^)、・が溶融充填され、溝(3
3A)の内側面(33A’ )には強磁性金属薄膜(3
4Δ)が形成され、この強磁性金属薄膜(34/l)と
低融点ガラス(36)の間に非磁性高硬度膜(35^)
が介在されている。
このように形成される一方のコア半休ブロック(30Δ
)の磁気ギャップ形成面となる前面(30A” )と他
方のコア半休ブロック(30B)の同様にギャップ形成
面となる前面とを膜付けしたギャップスペーサを介して
第19図にボずようにトラック部、即ち強磁性金属v7
X喚(34A )と(34B)を突き合わせ低融点ガラ
ス(36)によりガラス融着する。
その後両コア半休ブロック(30^)と(30B )と
を合体させたブロック(301)を第19図に示すb−
b線、b’−b’線の位置でスライシング加工すること
で複数個のヘンドチソプを得ることができる。
次に上記へッドチンプの磁気テープ摺接面を円筒研磨す
ることにより第20図に示す磁気ヘッドとなる。この第
20図の磁気ヘッドにおいて一方の磁気コア半休(41
a)は上記一方のコア半休ブロック(30A)を母材と
し、他方の磁気コア半休(41b)は上記他方のコア半
休ブロック(30B )を母材としている。また酸化物
ガラス(42a ) 、(4211)は溝(31A )
、(31B )に充填された高融点ガラス(32A )
 、(32B )に夫々対応し、酸化物ガラス(43)
は溝(33八)、(33B)に充填された上記低融点ガ
ラス(36)に対応している。また、この磁気ヘッドに
形成されている強磁性金属薄膜(44a ) 、(4’
4b )は上記溝(33八)、(33B>の内側面(3
3A’) 、(33B’)に被着した上記金属S股(3
4八)、(34B)に夫々対応し、更に非磁性高硬度膜
(45a ) 、(45b )は上記低融点ガラス(3
6)との間に介在されているCrfiQ (35’)と
Ta205膜(35”)から成る非磁性高硬度膜(35
A ) 。
(35B )と夫々対応している。また巻線孔(46)
は上記巻線溝(37)に対応している。
以上説明した工程により作られる第20図に示す磁気ヘ
ッドは上述した第2図に示す磁気ヘッドと同様に磁気ギ
ャップgの形成面と強磁性金属薄膜(44a ) 、(
44b )の形成面(41a’) 、(41b’)とが
テープ対接面(41’)から見て所要角度で傾斜してお
り、またこの強磁性金属M膜(44a)。
(44b)は非磁性高硬度膜(45a ) 、(45b
 )により融着ガラス(43)に対して保護されて変形
やひび1割れ等が生じることなく安定して磁気ギャンプ
近傍のみに形成されていることで、第2図に示す磁気ヘ
ッドと同様に良好な効果を得ることができる。
このように安定した強磁性金属薄1* <44a ) 
(44b)のみにより磁気ギャップgを形成しているこ
とで記録再生出力が高くメタルテープ等に対応した磁気
ヘッドとなっている。
また、コア半休(41a ) 、(41b )の傾斜面
(41a’) 、(41b’)と非磁材(42a ) 
、(42b )旧とを連ねた連続平向上に強磁性金属薄
(44b )が形成されていることから強磁性金属薄l
!il!(44a ) 、(44b )は各部において
膜構造が均一となり磁路に沿った方向で高透磁率を示す
ため磁気ヘッドの記録再生出力が晶められている。
ところで第19図の合体したブロック(301)をスラ
イシングするb−b線、b’ −b’線は両コア半休ブ
ロック(30^)と(30B)との突き合わせ面に垂直
となっζいるが、この突き合わせ面に対してスライシン
グ方向を傾斜させてアジマス記録用の記録ヘッドを作製
することができる。
尚、本例においても非磁性高硬度膜としζは上述の実施
例と同様にIc Mo、 si、 Ti等の高融点金属
及びその酸化物が適しており膜厚数μmに形成すること
が望ましく、また1;地としてCr1Qを形成すること
が望ましい。
次に磁気ギヤツブ近傍にのみ強磁性金属薄膜を形成する
のではなくヘッドの前面部、即ちフロントギャップ形成
面より後部側即ちバンクギャップ形成面まで連続して強
磁性金属@膜を形成した本発明の他の実施例となる第2
1図の磁気ヘッドについて説明する。
この磁気ヘッドは磁気コア半休(51a ) 、(51
b )が強磁性酸化物である例えばMn −Znフェラ
イトで形成されコア半休(51a ) 、 、(51b
 )の突き合わせ面である磁気ギャップgの形成面とコ
ア半休(51a ) 、(5Ib )の接合面近傍に被
着形成された例えばセンダスト膜である強磁性金属薄膜
(52a ) 、(52b )の形成面とはテープ対接
面(51’)から見て例えば45°の角度で傾斜してい
る。
またこの金属薄IQ’ (52a ) 、(52b )
はフロントギャップ形成面よりバラクギ中ツブ形成面に
至るまで連続して形成され、この金属Wj欣(52a 
) 。
(52b)のみにより磁気ギャップgが形成され”ζい
る。また補強材となる酸化物ガラス(53a)。
(53b)は接合面近傍に充填されζおり、融着用のガ
ラス(54)は強磁性金属薄IN (52a ) 、(
5Zb )との間に非磁性の高融点金属及びその酸化物
から成る非磁性高硬度膜(55a ) 、(55b )
を介して充填されている。そして、これ等の酸化物ガラ
ス(53a ) 、(53b ) 、(54) はトラ
ック幅T11を規制する役目もはたしている。尚、(5
6)は一方のコア半休(51a)側に形成された巻線孔
である。
ところで、上記強磁性金属薄11Q (52a ) 、
(52b )はコア半休(51a ) 、(51b )
の突起部の一方の斜面(51a’) 、(51b’)で
ある一平面上に形成されていることから、ごの金属HF
1M (52a ) 、(52b )は各部において膜
構造が均一となっており、磁気ヘッドの磁路方向に沿っ
′にの金属薄膜(52a)。
(52b )の全体が高い透磁率を示し、また、この金
属¥I1.M (52a ) 、(521+ )は融着
用非磁性材(54)に対して非磁性高硬度膜(55a 
) 、(55b )により保護され゛ζ融着時の醒温に
より変形成いはひび1割れ等が生じることなく安定維持
されて、磁気ヘッドの記録再生出力が高められている。
また、ヘッドの磁気テープ対接面(51’)の平面図を
第22図に4くずように強磁性金属薄IW (52a 
) 。
(52b)は各層が5102 + Ta205 +へ1
20:l 、 Zr(h+Si3N4等の高耐摩耗性絶
縁膜を介して積層形成されることで構成されている。尚
、金属薄膜(52a)。
(52b)の積層数は任意に設定できる。
次にこのような磁気ヘッドの製造二[程を第23図〜第
30図に基づき説明する。
先ず第23図に示ずようにMn −Znフェライト等の
強磁性酸化物基&(60)の上1111部に回転砥石等
を用いて上面部を横切るようにlJi面V面状字状(6
1)を複数形成する。
そして第24図に示すように上記溝(61)に11融点
ガラス(62)を溶融充填した後平面研磨加工を行なう
次に第25図に不すように上記溝(61)とはオーバラ
ップせず、この溝(61)と隣接した断面V字状の溝(
63)を複数形成する。この溝(63)の内壁面の傾斜
角度は上面に対して例えば45°となっている。このよ
うに形成した基板(60)の上面に第26図に示すよう
にセンダスト等の強磁性金属をスパッタリング、イオン
ブレーティング蒸着等の真空薄膜形成技術を用いて前記
高耐摩耗性絶縁膜を介して強磁性金属薄膜(64)を形
成する。
そしてその上に例えばCr膜(65’)を0.1μm程
度の膜厚で被着し、続いてTa205膜(65”)を1
μm程度の膜厚にスパッタリング等により被着して非磁
性高硬度膜(65)を形成する。この非磁性高硬度膜(
65)としては−* Mo、 Si+ Ta等の高融点
金属及びその酸化物の数μm厚以下のものが適している
。この非磁性高硬度膜(65)の強磁性金属薄11% 
(64)に対する被着においてCr1Q (65’)を
介在することにより接着が良好に行なえる。
次に第28図に不ずように上記基板(60)の上面部を
強磁性金属薄膜(64)と非磁性I8+硬度膜(65)
の積層膜が上記溝(63)にのみ残存するように平面研
磨加工し、一対のコア半休ブロック(60^)(60B
)を得る。そして一方のコア半休ブロック(60^)に
、第29図に示すように巻線溝(66)及びガラス充填
溝(67)を形成する溝加工を行なう。
次に第30図に示すようにこの巻線溝(66)を形成し
たコア半休ブロック(60A)と巻線溝のないコア半休
ブロック(60B)とをギヤツブ形成向となる前面が向
い合うようにし一ζギャップスペーサを介し゛ζζトラ
フ部即ち強磁性金属薄IQ (64八’)と(64B 
)とを突き合わせ、巻線溝(66)及びガラス充填溝(
67)に低融点ガラス材を挿入して融着接合することで
ブロック(601)とする。このとき、両コア半休ブロ
ック(60A )、(60B )の強磁性金属薄1f!
 (64A )、(64B >の表向側に非磁性高硬度
膜(65A > :(65B >を介して形成される溝
部(63^’) 、(63B’)に低融点ガラス(68
)が充填された状態となる。
そこで上記ブロック(601)を第30図においてC−
C線、C′−C′線の位置でスライシング加工すること
で複数個のヘッドチップを得る。その後このヘッドチッ
プの磁気テープ対接面を円筒研磨することで第21図に
ボした磁気ヘッドとなる。
ここでこの磁気ヘッドの一方のコア半休(51a )は
一方のコア半休ブロック(60Δ)を母材とし、他方の
コア半休(51b)は他方のコア半休ブロック(60B
)を母相とし“Cいる。また強磁性金属薄M (52a
 ) 、(52b )は上記金属薄膜(64^)。
(64B>に対応し酸化物ガラス(53a ) 、(5
3b )は上記高融点ガラス(62A ) 、(62B
 )に対応し、また酸化物ガラス(54)は上記低融点
ガラス(68)に対応しており、そして非磁性高硬度膜
(55a ) 。
(55b)はCr膜(65’)とTa205 II (
65”)から成る非磁性高硬度膜(65^)、(65B
)に対応している。更に巻線孔(56)は上記巻線溝(
66)に対応している。
ところで上述の製造工程において強(d性金属薄膜(6
4A) 、(64B)の膜構造の不均一な部う1は第2
8図で説明した伺・磨工程、即らギヤツブ血ItIr 
+s加工時に削り取られてしまうため溝(63A)。
(63B)の傾斜面には均一な膜構造を有する強磁性金
属薄膜(64^)、(64B)が非磁性高硬度膜(65
A ) 、(65B )により被覆された状態で残り、
ガラス融着の際の昇温時にも変形したりひびや割れが生
じることなく、安定した状態に保持される。
このため上記磁気ヘッドは一平面上に形成された強磁性
金属薄膜(64A )、(64B )が磁路に沿っ”ζ
その各部の高透磁率となることで安定した1口1出力が
得られるようになる。
ところで第30図の合体したブロック(601)をスラ
イシングするC−C線、c′−〇′線は両コア半休ブロ
ック(60Δ)、(60B)の突き合わせ面に垂直とな
っているが、この突き合わせ面に対してスライシング方
向を傾斜させ“ζアジマス記録ず本発明の磁気ヘッドは
作製に当り強磁性酸化物基板に形成された溝に予めガラ
スを充填しておきこの溝近傍に強磁性金属薄膜を被着す
る斜平面を形成するだめの溝加工を施している。このた
めギャップ近傍の薄膜部分と斜向」二〇薄股部分の特性
が均一となり、またこの強磁性金属薄膜は融着ガラスに
対し°ζ非磁性商硬度股により保護されて安定な状態に
保持されしかもギャップ部に強磁性酸化物材が露出する
ようなことのない高出力ヘッドとなっ”ζいる。
このような本発明の磁気ヘッドはフェライトがギャップ
部にトラック幅で例えば40%の長さに亘って露出して
いるような従来の磁気ヘッドと実験値を比較すれば高抗
磁力テープの例えばメクルテープに対する記録再生出力
が1〜5 MHz帯で約3dB高い値を示した。
また本発明の磁気ヘッドは製作時のばらつきが少なく歩
留りも良好である。
ところで第21図に不ず磁気ヘッドでは強磁性金属薄膜
(52a ) 、(52b )がテープ対接面(51’
)を斜めに横切るように配され°ζいるがf4kJ31
図にボずように磁気ヘッドの両コア半休(51a’) 
、(51b’)の夫々の一側面側に強磁性金属薄膜(5
2a’) 。
(52b’)を形成し、テープ対接面にV字状に強磁性
金属薄II (52a’) 、(52b’)を配し、こ
の金属′″a膜により磁気ギャップgが形成されるよう
にしてもよく、これは第2図及び第20図に力くず磁気
へノドについても言えるところである。尚、この場合も
強磁性金属MVIltJ (52a’) 、(52b’
)ば融着ガラスに対して非磁性高硬度膜(55a’、)
 、(55b’)により保護するようにこの非磁性高硬
度膜(55a’) 。
(55b’)を強磁性金属薄M (52a’) 、(5
2b’)上に被着形成する。
ところで磁気コア半休を形成する強磁性酸化物としては
Mn −Znフェライトの他にNi−Znフェライト等
を用いCもよい。また強磁性金属薄膜を形成する高透磁
率磁性材料としてはセンダストの他にパーマロイや非晶
質合金を用いてもよい。
ここで非晶質合金を用いる場合、強磁性金属薄膜の膜構
造の均一性は磁気的異方性が問題となり本発明のように
一平面上に薄膜を形成することにより膜各部の異方性が
同一となる。尚、積層される強磁性金属薄膜の積層数は
一層としても多層としてもよくどちらの場合においても
本発明は有効となる。
次に本発明の更に他の実施例即ら磁気コア半休の前面側
のテープ対接面を例えばセラミック等の面画摩耗性非磁
性材により形成したヘッドを第32図以降を参照して説
明する。
先ず、第32図にボず磁気ヘッドは例えば一対の磁気コ
ア半休(71a ) 、(71b )はMn −Znフ
ェライト等の強磁性酸化物により形成され、この両コア
半休(71a ) 、(71b )の前面側のテープ対
接面(71’)は例えばチタン酸カルシュウム(Ti−
Ca系セラミック)、酸化物ガラス、チタニア(Ti2
0)アルミナ(A1203 )等の晶耐閘耗性非磁性材
料(72a ) 、(72b )により形成されており
、ギャップgの近傍には高透磁率合金のセンダスト等か
らなる強磁性金属薄膜(73a ) 、 ’ (73b
 )がスパッタリング蒸着等の真空薄膜形成技術を用い
°ζ絶縁股を介して積層形成されている。そしてごの強
磁性金属薄膜(73a ) 、(73b )は磁気ギャ
ップgの形成面近傍に溶融充填される融着用の酸化物ガ
ラス(74)に対して非磁性高硬度IR(75a ) 
<75b)により保護され°ζいる。尚、図中(76)
は巻線溝である。
この磁気ヘッドは磁気ギャップgの形成向と強磁性金属
薄膜(73a ) 、(73b )の形成面との関係は
第2図に示す磁気ヘッドと同じであるが、テープ対接面
は晶耐摩耗性非磁性材料(72a ) 。
(72b )で形成されているのでテープ対接面にはフ
ェライト等の磁性材料が露出せずギャップ形成面の研磨
工程におい°Cその研磨量に拘らず強磁性金属薄膜の厚
さが一定でトラック幅精度は確保しやすく加工寸法を十
数μm以上の精度で行なっても、即ち加工寸法公差は大
きくてもトラック幅精度が充分確保できる。またビデオ
ヘッドにおいてはテープとの相対速度が大きいためテー
プ対接面に突出するフェライトは単結晶が必要で材料価
格は高くなるが本例ではバックギャップ側のフェライト
はテープとの接触に対する偏摩耗性の心配がないためl
1i−μ多結晶部ち焼結タイプの多結晶フェライトを使
用することができるため低価格となる。
また本例の磁気ヘッドにおいても強磁性金属薄膜(73
a ) 、(73b )は融着用ガラスに対して非磁性
高硬度膜(75a > 、(75b )により保護され
るので安定し高出力のヘッドとなる。
以上説明したように本例の磁気ヘット′は第2図に示す
磁気へ・7ドと同様に磁気ギャップから発生ずる磁界の
強度が向いことや再生出力が向くとれること等の効果を
有すると共にテープ対接面は耐摩耗性非磁性材料により
形成され°ζいることによりギャップ形成面の研磨時の
終了位置に拘らずトラック幅は強磁性金属薄IR’の斜
断面寸法のみで定まり加工寸法公差が広範囲で行なうこ
とができ歩留りがよく安価で、メタルテープ等の111
い抗磁力llcを有する磁気テープに高密度記録をする
のに適したヘッドが得られる。
次に上述の第32図に示す磁気ヘッドの製造工程を第3
4図〜第40図に基づいて説明する。
先ず第34図に示すように例えばMn−Znτノエライ
ト等の強磁性酸化物基板(81)の一端面に例えばチタ
ン酸カルシュウム(Ti−Ca系セラミック)。
酸化物ガラス、チタニア(TiO2)、アルミナ(^1
203 )等の高耐摩耗性非磁性板(82)を数十μm
の溶融ガラス扱を挟んで熱圧着し、複合板材(80)を
形成する。そして第35図に示すように耐M耗性非磁性
#1i(82)の−稜部から磁性材基板(8I)にかけ
て耐摩耗性非磁性板(82)の前向と垂直になるように
切り溝(82’)を回転砥イコまたは電解エツチング等
により所要間隔で複数形成する。
即ち複合1(80)の上面(80’)の磁気ギャップ形
成位置近傍に相当する部分に形成される。
次に第36図にボずように複合&(20)の前部即ぢ切
り溝(82’)を含む部面にセンダスト等の金属磁性材
料をスパッタリング等のWVIQ形成技術を用いて強磁
性金属薄膜(83)を形成する。この際切り溝(82’
)の−側面(82″)上に効率よく金属磁性材料が被着
するように複d扱(20)を傾斜さセスバッタリング装
置内に配置するようにする。
そしてこの強磁性金属薄膜(83)上に例えばCr膜(
84’)を0.1μ請程度の膜厚で被着し、続いてTa
205膜(84”)を1μm程度の膜厚にスパッタリン
グ等により被着し非磁性的硬度IN (84)を形成す
る。
次に強磁性金属薄ISi!(83)と非磁性晶硬度膜(
84)が積層形成された切り璃(82′)に非磁性材と
してのガラス(85)を溶融充填した後複合根(80)
の前面と上面を研磨することにより第38図に示すコア
半休ブロック(80^)、(80B)を得る。そして一
方のコア半休ブロック(80^)には第39図に承ずご
とく巻線溝(86)の溝加工を行なう。次にこの溝加工
を施した一方のコア半休ブロック(80A)と溝のない
他方のコア半休ブロック(80B)とをその上面部にお
い゛ζギャップスペーサを介してトラック部、即ち強磁
性金属薄膜(83A)と(83B)とが合うように突き
合わせ°ζ第40図に不すようにギャップ融着を行なう
。この合体ブロック(801)を第40図に示ずd−d
線、d’ −d’線の位置でスライシング加工すること
で複数個のへッドチソプを得ることができる。ここでギ
ャップ融着を行なうギャップスペーサとしCはSiO2
゜7、r02+ Ta205 + Cr等を用いること
ができる。
次のようにして得られたヘンFチップの磁気テープ対接
面を円筒研磨することで第32図に示すヘッドとなる。
この第32図の磁気ヘッドにおいて一方の磁気コア半休
(71a)は上記の一方のコア半休ブロック(80A)
の磁性材基&(81^)を母材とし、他方の磁気コア半
休(71b )は上記他方のコア半休ブロック(80B
)の磁性材基板(81B )を母材としtおり、またテ
ープ対接面(71’)の耐摩耗性非磁性材(72a) 
、(72b )は上記非磁性板(82^)。
(82B )と対応しζいる。またこの磁気ヘッドの強
磁性金属*映(73a ) 、(73b )は上記金属
薄膜(83^)、(83B)に夫々対応しており、酸化
物ガラス(74)はガラス(85)と対応し、非磁性商
硬度膜(75a ) 、(75b’ )はCr1Q (
84’)とTa205膜(84”)から成る非磁性^硬
模膜(84Δ) ’+ (84B )と対応し、更に巻
線孔(76)は上記一方のコア半休ブロック(80A)
に形成された巻線溝(86)に対応している。
即ちフロントギャップg近傍のみに強磁性金属材料より
なる強磁性金属薄1ii (8’3A ) 、(83B
 )を配し、且つテープ対接面に露出する磁性金属薄膜
(83A ) 、(83B )以外の部分が耐摩耗性非
磁性材(82A ) 、(82B )及び非磁性晶硬度
模(84A) 、(84B)からなる磁気ヘッドが得ら
れる。
以上説明したように本例の磁気ヘッドは予め耐摩耗性非
磁性材を貼り付けた磁性材基板にその磁気ギャップ形成
面となる平面に対し20”〜80”角度をなす平面を後
工程で砥石加工等で形成しギャップ面とは斜めの位置関
係にあるこの平面上に強磁性金属薄膜を真空薄膜形成技
術により形成し、そして少なくとも磁気ギャップ近傍に
おいては斜めの平面上に成長している金属薄膜のみが残
るようにギャップ面研磨加工を行なっていることがら、
強磁性金属薄膜は各部において均一な膜構造となり、ま
たこの強磁性金属薄膜は融着ガラスに対し°ζ非磁性高
硬度模膜より保護されるので変形したり、ひびや割れ等
が生じることなく安定しヘット出力の高安定化が可能と
なっζいる。しかも上記磁気ヘッドはテープ対接面が耐
摩耗性非磁性材により形成されζいることから、キャン
プ面研磨工程において加工寸法公差を大きくしてもトラ
ック幅精度を充分確保でき、またヘッドの後部側の接合
面即ちバックギャップ側においζは強磁性酸化物どうし
が直接ガラス融着されていることがらへノドチソプの耐
破壊強度が大きく製造しやすいヘッドとなっており歩留
りの向上を図ることができると共にこのバックギヤツブ
側の強磁性酸化物はテープとの接触に対する偏摩耗の心
配がないため旧−μ多結晶部ち焼結タイプの多結晶フェ
ライトを使用することができて低価格となる。
次に第41図〜第48図に基づき更に他の製造工程によ
り作られる磁気ヘッドの例を説明する。
先ず第41図に不ずように例えばMn−Znフェライト
等の強磁性酸化物基板(91)の上向にチ多ン酸カルシ
ュラム(Ti−Ca系セラミック)、酸化物ガラス、チ
タニア(Ti02)、アルミブー(八1203 )等の
薗耐摩耗性非磁性板(92)をガラス融着等により貼り
付は磁性、非磁性複合ブロック(90)を形成する。こ
の複合ブロック(90)の磁気テープ対接面に対応する
上面、即ち耐摩耗性非磁性板(92)の」二面に第42
図にボずようにこの上面を斜めに横切るような断面コ字
状のi (92’)を磁性材基板(91)の上面にかけ
て所要間隔で複数形成する。
ここで溝(92’)の深さはヘッドの巻線孔に到達する
程度の深さとする。
次に、第43図に示すように上記複合ブロック(90)
の溝(92’)近傍にスパッタリング等の真空M膜形成
技術を用いて高透磁率合金例えばセンダストを絶縁膜を
介して被着積IWL強磁性金属薄険(93)を形成する
。この際溝(92’)の−側面(92”)上に効率よく
被着されるように複合ブロック(90)を傾斜させスパ
ッタリング装置内に配置するようにする。
続いてこの強磁性金属薄MW (93)の上に第44図
に示すように例えばCr膜(94’)を0.1μm程度
の膜厚に、続いてTa205膜(94”)を1μm程度
の膜厚にスパッタリング等により被着し°ζ非磁性商硬
度膜(94)を形成する。
そして第45図にボずように′111(92’)に非磁
性高硬度膜(94)の上からガラス(95)の溶融充填
を行なった後、複合ブロック(90)の上面と前面とを
平面研磨し、鏡面仕上げを行ないコア半休ブロック(9
〇八)、(90B)を得る。この際」二記溝(92’)
の一方の内側面(92”)に強磁性金属薄19(93)
の一部が非磁性高硬度映(94)にJ、り被覆された状
態で残る。尚、この場合金属薄膜(93)等は溝(92
’)の他方の内側面、底面にも残るが、これは微少であ
るからこの部分の図示は省略する。
次に第46図に丞ずように一方のコア半休ブロック(9
0^)に巻線溝(96)を形成する溝加工を行なう。こ
の溝加工を施した一方のコア半休ブロック(90A)と
溝のない他方のコア半休ブロック(90B)とを夫々磁
気ギヤツブ形成面となる前面を晩付けしたギャソjプス
ペーサを介して第47図に不ずように強磁性金属薄膜(
93A)と(93B)が合うように突き合わせガラス融
着する。
この後、この合体されたブロック(901)をe−e線
、e′−e′線の位置でスライシング加工することで複
数個のへラドチップを得ることができる。
次に上記へラドチップの磁気テープ対接面即ち耐摩耗性
非磁性材上面を円筒fdfIMすることにより、第48
図に示す磁気ヘッドとなる。この第48図の磁気ヘッド
において一方の磁気コア半休(101a)は上記一方の
コア半休ブロック(90A)を母材とし、他方の磁気コ
ア半体(101b)は上記他方のコア半休ブロック(9
0B)を母材としておりまたテープ対接面(101’)
の耐摩耗性非磁性材(102a) 。
(102b)は上記非磁性材(92^)、(92n)と
対応している。この磁気ヘッドに形成されている強磁性
金属薄Ill (103a) 、(103b)は上記溝
(928′)(92B’ )の内側面に被着した上記金
属a膜(93A)(93B)に対応し、そして。れを保
iする非磁性高硬度膜(104a) 、(104b)は
Crl!!i’ (94’)とTa205膜(94”)
とから成る非磁性高硬度股(94A)。
<94B)と対応しており、磁気ギ申ツブgの形成面近
傍に溶融充填される酸化物ガラス(105)ば融着ガラ
ス材(95)に対応し、さらこと巻線孔(106)は上
記巻線溝(96)に対応している。
以上説明した工程により得られる第48図に示す磁気ヘ
ッドは磁気ギャップどの形成面と強磁性金属薄膜(10
3a) 、(103b)の形成面とが所要角度で傾斜し
ておりこの強磁性金属薄膜(103a) 。
(103b)は連続平面上に形成され′ζいるごとがら
各部において膜構造が均一となり磁路に沿った方向で高
透磁率を示し、またテープ対接面に突出する磁性金属薄
膜以外の部分が面画摩耗性非磁性材(102a) 、(
102b)及び非磁性高硬度膜(104a) 。
(104b)から形成されていることで上述した第32
図の磁気へンドと同様に良好な効果を得ることができる
。また磁気ギャップgが上記強磁性金属薄MQ (10
3a) 、(Ia3b)のみにより形成されており、ま
たこの金属薄膜(103a) 、(103b)は融着ガ
ラスに対して非磁性高硬度JJi” (104a> 、
(104b) ニより保護されて変形したり、ひびや割
れ等が生じることなく安定していることからヘッドの出
力が商くメタルテープに対応したヘッドとなっている。
ところで第40図及び第47図の合体したブロック(8
01)及び(901)をスライシングするd−d線、d
’−d’線及びe−e線、e′−C′線はコア半休ブロ
ック(8〇八)、(80B)及び(9〇八)。
(90B )の突き合わ上面に垂直となっているが、こ
の突き合わせ面に対してスライシング方向を傾斜させて
アジマス記録用の磁気ヘッドを作製することもできる。
次にテープ対接面を高耐摩耗性非磁性材により形成し、
磁気ギャップ近傍のみに強磁性金属薄膜を形成するので
はなく磁気ヘット′の前面部、即ちフロントギャップ形
成面より後部側、即ちバックギヤツブ形成向まで連続し
て強磁性金属薄膜を形成した本発明の更に他の実施例と
なる第49図に示す磁気ヘッドについて説明する4゜ この磁気ヘッドは磁気コア半休(1lla) 、(1’
1lb)が強磁性酸化物である例えばMn −Znフェ
ライトで形成され、そのテープ対接面(111’ )を
例えばチタン酸カルシュウム(Ti−Ca系セラミック
)、酸化物ガラス、チタニア(Ti02) 、アルミナ
(八1203 )等の高耐摩耗性非磁性材(112a)
 、(112+))により形成し、コア半休の突き合わ
せ面である磁気ギャップgの形成面とコア半休(1ll
a) 、(1llb)の接合面近傍に被着された例えば
センダスI−欣である強磁性金属薄膜(113a)”、
(113b)の形成面(112a’) 、(112b’
)とは例えば45°の角度で傾斜しζいる。またこの強
磁性金属薄膜(113a) 。
(113b)は耐摩耗性非磁性材(112a) 、(1
12b)により形成されるフロントギャップ形成面g′
より強磁性酸化物により形成されるハックギャップ形成
面g″に至るまで連続し゛C形成され、この強(d性金
属m股(113a) 、(113b)のみにより磁気ギ
ャップgが形成されている。
また強磁性金属薄IQ (113a) 、(113b)
はトランク幅Ti1を規制し、また両コア間を融着する
酸化物ガラス(114)に対して非磁性高硬度L’2 
(115a) 。
(115b)によりHされている。またフロントギャッ
プ形成面の後方には巻線孔(116)が形成されている
ところで強磁性金属薄II (113a) 、(113
b)はコア半休(llla) 、(lllb)の一方向
の傾斜面と非磁性材(112a) 、(112b)とを
連ねた連続平面上に形成されていることからこの強磁性
金属薄膜(113a) 、(113b)は各部におい゛
ζ股構造が均一となっており、磁気ヘッドの磁路方向に
沿ってこの金属薄膜の全体が高い透磁率をボし、また融
着酸化物ガラス(114)に対して昇磁性高硬度膜によ
り保護されているので変形したり、ひび9割れ等が生ず
ることなく安定した状態に保持されて磁気ヘッドの記録
再生出力が晶められている。
またヘッドの磁気テープ対接面(111’ )を第50
図にボずように強磁性金属薄膜(113a) 、(11
3b)は51021 Ta20a +へ1203 + 
ZrO2+ 5iaN4等の赴向(摩耗絶縁膜を介して
積層形成されることで構成されている。尚、磁性金属薄
M’A (113a) 、(113b’)の積j−数は
その膜厚により任意に設定できる。
次にこのような磁気ヘッドの製造工程を第51図 ・〜
第57図に基づき説明する。
先ず第51図に示すようにMn −Znフェライト等の
強磁性酸化物ブロック(121)の前面に例えばチタン
酸カルシュウム(Ti−Ca系セラミック)、酸化物ガ
ラス、チタニア(1’102) 、アルミナ(八120
3)等の高耐摩耗性非磁性材(122)をガラス融着等
の手段で貼り付りて複合ブロック(120)を得る。
この複合ブロック(120)の上面部に第52図に示す
ように回転砥石等を用いて上面部を横切るような断面V
字状のi!(122’)を所要間隔で複数形成する。こ
の溝(122’)の内壁向の傾斜角度は上向に対して例
えは45“となっ”ζいる。
次に第53図に示すように複合ブロック(120)の上
面部にセンダスト等をスパッタリング、イオンブレーテ
ィング、蒸着等の真空合成形成技術を用いて前記高耐摩
耗性絶縁膜を介し゛ζ積層し、前記溝部(122’ )
に強磁性金属薄1’Ql(123)を形成する。
次に第54図に示すように強磁性金属薄膜(123)の
上に例えばCr股(1例′)を0.1μm程度の股厚に
、続いてTa205 Iff (124”)を1μm程
度の膜厚にスパツタリング等により被着して非磁性高硬
度膜(124)を形成する。
そしてこの非磁性高硬度膜(124)の上に溝部が埋ま
る程度に非磁性材としてのガラス材(125)を充填し
た後、第55し1に示すように複合材ブロック(120
)の上面部及び前面部の平面研磨加工を行ない不要のガ
ラス材(125)、非磁性高硬度膜(124)及び強磁
性金属薄膜(123)を除去して所定のギャップ形成向
を表出した一対のコア半体フ゛ロック(12〇八) 、
(120B)を得る。
次に巻線溝側のコア半休を形成するために一方のコア半
休ブロック(120Δ)に第56図に示すように巻線溝
(126)を形成する溝加工を行なう。そこで第57図
に承ずように溝加工を施した一方のコア半休ブロック(
120^)と溝のない他方のコア半休ブロック(120
B)とをそのギャップ形成向となる上面において、膜付
けしたギャップスペーサを介してトランク部即ら強磁性
金属薄膜(123^)と(123B)の−半部が同佃斜
方向で相対するように突き合わせ、上記ガラス材(12
5)によりギヤツブ融着することにより一体化し合体ブ
ロック(1201)を得る。
この合体ブロック(1201)を第57図に示ずf、f
線、f’−f’線の位置でスライシング加工Jることで
複数のへノドチソプを得ることができる。
このスライシング加工は場合によってはアジマス角だけ
傾けて行なう。
その後、ヘッドチップの磁気テープ対接面、即ち耐摩耗
性非磁性材(122A) 、(122B)により形成さ
れるテープ対接面を円筒ωト磨することで第49図に示
した磁気ヘッドとなる。ここでこの磁気ヘッドの一方の
コア半休(Illa)は一方のコア半休ブロック(12
OA)の磁性ブロック(121A)を母材とし、他方の
コア半休(lllb)は他方のコア半休ブロック(12
0B)の磁性ブロック(121B)を母材としており、
また、耐摩耗性非磁性材(112a> 。
(112b)は上記非磁性材(122八) 、(122
B)と対応し、強磁性金属薄M’A (113a) 、
(113b)は上記金属薄膜(123^) 、(123
E)に対応し、そしζこれを保護する非磁性高硬度膜(
115a) 、(115b)はCr膜(124’)とT
a20511美(124” )とから成る非磁性高硬度
膜(124A) 、(124B)と対応しており、融着
酸化物ガラス(114)はガラス材(125)に対応し
”ζテープ対接面(111’ )は耐摩耗性非磁性材(
121八) 、(121B) 、強磁性金属薄膜(12
3八)。
(123B) 、非磁性高硬度膜(124A) 、(1
24B)及びガラス材<125)から構成される。また
巻線孔(116)は上記巻線溝(126)に対応してい
る。
上述したように第32図、第48図及び第49図に示す
本発明の各実施例の磁気ヘッドは作製に当り予め強磁性
酸化物ブロックに耐摩耗性非磁性材を貼り付けこの耐摩
耗性非磁性材を研磨してテープ対接面を形成するためギ
ャップ面を含むテープ対接面は強磁性金属薄膜以外の部
分が非磁性材即ら耐摩耗性非磁性材と非磁性高硬度膜に
より形成されて強磁性酸化物材が露出することのないヘ
ッドとなっている。従って、金属Vs膜膜形後後ギャッ
プ面研磨時の終点位置に拘らずトラック幅は金属薄膜の
領ネミ1断面寸法のみで決まるためブロックの加。
■においても寸法公差が広範囲で行なうことができると
共に強磁性金属薄膜は非磁性高硬度膜により保護される
ことによりガラス融着の際に変形したりひびや割れ等が
生じることなく安定状態に保持され、歩留りもよく、安
定した商出力のヘッドが得られる。
また、第32図、第48図及び第49図にポず磁気ヘッ
ドにおいて非磁性高硬度膜はCr膜−Ta20s膜によ
り形成したが、Cr膜−5i02股−Ta20511’
Jの順で形成してもよく、またTi膜を0.1μm程度
に、続いてT 1O2INを1μm程度に積層被着し′
ζ形成してもよい。
また、非磁性高硬度膜としてはJ Mo+ S++ T
a等の高融点金属及びその酸化物を用いることができ、
この場合膜厚を数μm以−トに形成することが望ましい
。この場合も上述の如く強磁性金属薄膜」二にCr膜を
介して被着することにより金属薄膜との接着が良好にな
る。
発明の効果 以上のように本発明によれば磁気ヘッドは磁気コア半休
対を強磁性酸化物で形成し、このコア半休対の突き合わ
せ面の磁気ギヤ・ノブ形成面とは所要角度で傾斜するよ
うに被着され、磁気ギヤ・ノブを形成する強磁性金属薄
膜と、酸化物ガラスとの間に非磁性高硬度膜を介在させ
て構成されるので、強磁性金属薄膜は非磁性高硬度膜に
より酸化物ガラスに対して保護されることになり、コア
半休の形成の際のガラス充填時、コア半休対のガラス融
着時等における強磁性金属薄膜に対するガラス浸食、局
部的な応力が緩和されて、金属薄膜の変形。
ひび或いは割れの発生が防止され、強磁性金属薄膜の安
定化を図ることができてトラック幅精度を確保できると
共に安定した磁気特性が得られ、また強度的にも信頼性
が高く、例えばメタルテープ等の高抗磁力Hcを持つ磁
気テープに好適な磁気ヘッドが得られる。
しかも強磁性金属′?#膜の安定化により、歩留りも向
上し、コストの低減化も可能となる等の効果を有する。
【図面の簡単な説明】 第1図は従来の磁気ヘッドの斜視図、第2図は本発明の
一実施例の磁気ヘッドの斜視図、第3図乃至第11図は
第2図の磁気ヘッドを作製する工程を順に示す斜視図、
第12図乃至第19図は本発明の他の実施例の磁気ヘッ
ドを作製する工程を順に丞ず斜視図、第20図は第12
図乃至第19図に示す工程により作製される磁気ヘッド
の斜視図、第21図は本発明の更に他の実施例の磁気ヘ
ッドの斜視図、第22図は第21図の磁気ヘッドのテー
プ対接面を拡大して示す平面図、第23図乃至第30図
は第21図の磁気ヘッドを作製する工程を順に承ず斜視
図、第31図は第21図の磁気ヘッドの変形例として示
す磁気ヘッドの斜視図、第32図は本発明のテープ対接
面を耐摩耗性非磁性材により形成した磁気ヘッドの一実
施例の斜視図、第33図乃至第40図は第32図の磁気
ヘッドを作製する工程を順に示す斜視図、第41図乃至
第47図は本発明の同、他の実施例の磁気ヘッドを作製
する工程を順に示す斜視図、第48図は第41図乃至第
47図に承ず工程により作製される磁気ヘッドの斜視図
、第49図は本発明の同、更に他の実施例の磁気ヘッド
の斜視図、第50図は第49図の磁気ヘッドのテープ対
接面を拡大して承ず平面図、第51図乃至第57図は第
49図の磁気ヘッドを作製する工程を順に示す斜視図で
ある。 11a、 llb・・・・磁気コア半休11’・・・・
テープ対接面 12a、 12b・・・・強磁性金属薄膜14a、 1
4b、 15・・・・酸化物ガラス13a、 13b・
・・・非磁性高硬度膜g・・・・磁気ギャップ 41a、 41b・・・・磁気コア半休41′・・・・
テープ対接面 44a、 44b・・・・強磁性金属wf、欣42a、
 42b、 43・・・・酸化物ガラス45a、 45
b・・・・非磁性高硬度膜g・・・・磁気ギヤツブ 51a、 51b・・・・磁気コア半休51’・・・・
テープ対接面 52a、 52b・・・・強磁性金属S股53a、 5
3b、 54・・・・酸化物ガラス55a、 55b・
・・・非磁性高硬度膜g・・・・磁気ギャップ 71a、 71b・・・・磁気コア半休71′・・・・
テープ対接面 73a、 73b・・・・強磁性金属薄膜74・・・・
酸化物ガラス 75a、 75b・・・・非磁性^硬模膜g・・・・磁
気ギャップ 101a、 101b・・・・磁気コア半休101′・
・・・テープ対接面 103a、 103b・・・・強磁性金属薄膜104a
、 104b・・・・非磁性高硬度119105・・・
・酸化物ガラス g・・・・磁気ギャップ 111a、 1llb・・・・磁気コア半休tii’・
・・・テープ対接面 113a、 113b・・・・強磁性金属薄膜114・
・・・酸化物ガラス 115a、 115b・・・・非磁性高硬度膜g・・・
・磁気ギャップ 同 松隈秀盛4”i、; 遍 第1図 第3図 第47図 第48図 第49図 S“ If!q。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 強磁性酸化物よりなる磁気コア半休対の接合面に真空薄
    膜形成技術により強磁性金属薄膜を形成し、この磁気コ
    ア半休対を突き合わせて磁気ギャップを形成してなる磁
    気ヘッドにおいて、上記磁気ギャップ形成面と、上記強
    磁性金層薄膜形成向とが所要角度で傾斜し°ζおり且つ
    テープ対接面に非磁性高硬度膜を介して、上記強磁性金
    層薄膜と酸化物ガラスが配されていることを特徴とする
    磁気ヘッド。
JP59061852A 1984-03-29 1984-03-29 磁気ヘツド Granted JPS60205808A (ja)

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