JPH0554168B2 - - Google Patents

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JPH0554168B2
JPH0554168B2 JP16181289A JP16181289A JPH0554168B2 JP H0554168 B2 JPH0554168 B2 JP H0554168B2 JP 16181289 A JP16181289 A JP 16181289A JP 16181289 A JP16181289 A JP 16181289A JP H0554168 B2 JPH0554168 B2 JP H0554168B2
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JP
Japan
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film
core
ferromagnetic metal
ferromagnetic
metal film
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JP16181289A
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Ritsuo Takahane
Juichi Oofuna
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Akai Electric Co Ltd
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Akai Electric Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、VTR(ビデオテープレコーダ)、
DAT(デジタルオーデイオテープレコーダ)等に
用いる、メタルテープ等の高抗磁力磁気記録媒体
用として好適な磁気ヘツドの製造方法に関するも
のである。
[従来の技術] メタルテープはその抗磁力が極めて高く、1000
エルステツド程度である。このように高い抗磁力
の磁気記録媒体からその特性を充分に引出すに
は、磁気ヘツドとして飽和磁束密度の充分に高い
ものを用いる必要がある。
ところで、フエライト等の強磁性酸化物は耐摩
耗性の点では優れているが、その飽和磁束密度が
低く、またセンダスト(登録商標)、パーマロイ
等のような強磁性金属磁性材料は飽和磁束密度は
高いが耐摩耗性に劣り、かつ渦電流損失による高
周波数特性が劣化するという欠点があつた。
従来上記の欠点を除去するために、これら両系
の磁性材料を結合し、一対の強磁性酸化物からな
るコアの各作動ギヤツプ構成面側に、該強磁性酸
化物よりも飽和磁束密度の高い強磁性金属膜を結
合してなる磁気ヘツドが提案されている。
しかし、このように異質の磁性材料を結合する
と、その結合面間が疑似作動ギヤツプとして作用
し、周波数特性の劣化を招くという欠点があつ
た。
一般に、磁気ヘツドコアのコア表面に異種の物
質を蒸着等により結合する場合には、そのコア表
面を予め鏡面研磨して加工歪層を除去してから行
うのが普通であるが、その場合その結合面が磁気
ヘツドの作動ギヤツプ構成面と平行になつてそれ
が疑似ギヤツプとして作用する。
従来、上記の疑似ギヤツプによる欠点を除去す
るものとして、前記強磁性酸化物からなるコア
と前記強磁性金属膜との結合面の形状をジグザグ
状にして作動ギヤツプ構成面に対して平行な面が
ないようにするもの(特開昭55−58824号)。前
記強磁性金属膜としてフエライトが混合されたも
のを用い、この混合物のフエライト含有率を前記
コア側ではフエライトが100%になるようにした
もの(特開昭55−58823号)。前記強磁性酸化物
と強磁性金属膜として透磁率の略等しいものを用
いるもの等が提案されている。
しかし、上記〜のものは、磁気ヘツドの生
産性が悪いとか、疑似ギヤツプの発生を充分に防
ぎ得ないという欠点を有する。
本出願人は、先に上記した欠点を除去し、疑似
ギヤツプの発生を充分に防ぎ得ると共に、生産性
の良好な磁気ヘツド及びその製造方法を提供し
た。
このものは、一対の強磁性酸化物からなるコア
半体の各作動ギヤツプ構成面側に、該強磁性酸化
物よりも飽和磁束密度の高い強磁性金属膜を結合
してなる磁気ヘツドにおいて、前記コア半体の前
記した強磁性金属膜の結合面には、酸化膜を前記
強磁性金属膜の下地膜として付着させたことを特
徴とする磁気ヘツドであり、 また、前記酸化膜は、20〜100Åの厚さの
Al2O3、SiO2、ZrO2、Ta2O5の群から選ばれた1
種類のものであることを特徴とする磁気ヘツドで
ある(平成元年6月22日の特許出願)。
前記のように構成された先に出願の磁気ヘツド
では、疑似作動ギヤツプの発生を防止することが
できるが、その理由は次のように考えられる。磁
気ヘツドの製造過程において、前記一対のコアを
ガラス溶着により互いに結合する際に、その熱に
より前記の強磁性金属膜が酸化するときの酸化の
ための酸素は、従来のように酸化膜がない場合に
は、強磁性酸化物からなるコアから奪われてこれ
により該コアに非磁性層ができ、これが疑似ギヤ
ツプ発生の一因になると考えられていたが、前記
酸化膜を付着させることにより上記酸化のための
酸素は該酸化膜から得られ、このため、前記の疑
似ギヤツプの発生を防止できるものと考えられ
る。
[発明が解決しようとする課題] この発明は、上記した本出願人の出願に係わる
磁気ヘツドの好適な製造方法を提供するものであ
る。
[課題を解決するための手段] 上記の課題を解決するためのこの発明は、一対
の強磁性酸化物からなるコア半体の各作動ギヤツ
プ構成面側に、該強磁性酸化物よりも飽和磁束密
度の高い強磁性金属膜を結合した磁気ヘツドの製
造方法において、前記コア半体となるコアブロツ
クを用意し、該コアブロツクの前記作動ギヤツプ
構成面となる側にトラツク幅規制用の一対の略V
字状の複数の溝を刻設する工程と、前記コアブロ
ツクの前記溝を含む作動ギヤツプ構成面となる側
に、Al2O3、SiO2、ZrO2、Ta2O5等の群から選ば
れた1種類からなる膜とSi3N4、Cr、Cu等の群か
ら選ばれた1種類からなる膜とよりなる積層膜を
付着する工程と、前記コアブロツクの前記作動ギ
ヤツプ構成面となる側の前記溝と溝の間における
前記膜を除去しかつトラツク幅規制を行う工程
と、前記コアブロツクの前記作動ギヤツプ構成面
となる側に前記強磁性金属膜の下地膜となる酸化
膜を付着する工程と、この酸化膜上に前記の強磁
性金属膜を結合して該強磁性金属膜を有する前記
のコア半体を構成する工程と、ギヤツプスペーサ
ーを介して一対の該コア半体をガラス溶着により
互いに接合する工程とを含むことを特徴とする磁
気ヘツドの製造方法であり、 また、前記一対の強磁性酸化物からなるコア半
体の各作動ギヤツプ構成面側に、該強磁性酸化物
よりも飽和磁束密度の高い強磁性金属膜を結合し
た磁気ヘツドの製造方法において、前記コア半体
となるコアブロツクを用意し、該コアブロツクの
前記作動ギヤツプ構成面となる側にトラツク幅規
制用の一対の略V字状の複数の溝を刻設する工程
と、前記コアブロツクの前記溝を含む作動ギヤツ
プ構成面となる側に、Al2O3、SiO2、ZrO2
Ta2O5等の群から選ばれた1種類からなる膜と
Si3N4、Cr、Cu等の群から選ばれた1種類からな
る膜とよりなる積層膜を付着する工程と、前記コ
アブロツクの前記作動ギヤツプ構成面となる側の
前記溝と溝の間における前記膜を除去しかつトラ
ツク幅規制を皇う工程と、前記コアブロツクの前
記作動ギヤツプ構成面となる側に前記強磁性金属
膜の下地膜となる酸化膜を付着する工程と、この
酸化膜上に前記の強磁性金属膜を結合して該強磁
性金属膜を有する前記のコア半体を構成する工程
と、前記略V字状の複数の溝の低部に相当すると
ころにある前記強磁性金属膜を除去する工程と、
ギヤツプスペーサーを介して一対の前記コア半体
をガラス溶着により互いに接合する工程とを含む
ことを特徴とする磁気ヘツドの製造方法でもよ
い。
[実施例] 以下に、この発明の実施例を図について説明す
る。第1図〜第3図はこの発明の製造方法により
製造された磁気ヘツドを示すものである。図にお
いて、符号1はフエライト等の強磁性酸化物より
なるコア半体であり、もう一方の強磁性酸化物よ
りなるコア半体2とにより一対のコア半体を構成
している。3はガラス(SiO2)よりなるギヤツ
プ材により構成された作動ギヤツプであり、前記
コア半体1,2の作動ギヤツプ3構成面には前記
強磁性酸化物よりも飽和磁束密度が高い、センダ
スト、アモルフアス等の強磁性金属膜4,5が
夫々結合されている。これらのコア半体1,2に
おける前記強磁性金属膜4,5の結合面には
SiO2等の酸化膜6が前記強磁性金属膜4,5の
下地膜として付着されている。7,8はSiO2
とCr膜よりなる積層膜であり、前記コア半体1,
2の前記作動ギヤツプ3とは平行でない部分にお
ける該コア半体と前記酸化膜6との間に介在され
て結合されている。このようなコア半体1,2は
ガラス9,10によるガラス溶着により互いに結
合され、第1図に示す磁気ヘツドが得られる。
尚、第1図において、符号11はコイルの巻線用
の孔であるが、第1図では未だコイルの巻線され
ていない状態が示されている。
この磁気ヘツドの製造工程について第4図及び
第5図を参照してさらに詳しく説明する。まず、
第4図aに示すように、前記コア半体1,2とな
るフエライト等の強磁性酸化物よりなるコアブロ
ツク12を用意し、該コアブロツクの接合面13
には複数のV溝14(図では3本のみ示す)を刻
設する。この刻設に際しては、周知のダイシング
ソーを用い、先端60°のダイヤモンドブレードを
使用する。次に、bに示すように、このコアブロ
ツク12のV溝14が設けられた接合面13側に
は周知の真空薄膜形成法により前記のSiO2膜7
とCr膜8よりなる積層膜となる積層膜15を設
ける。この積層膜15は、Al2O3、SiO2、ZrO2
Ta2O5のグループから選ばれた一つの膜と
Si3N4、Cr、Cuのグループから選ばれた一つの
膜との積層膜である。次に、cに示すように、前
記コアブロツク12の接合面13を平面研磨し、
前記作動ギヤツプ3が形成される面と平行である
前記強磁性金属膜4,5の被着面の前記単層膜又
は積層膜15を除去し、同時に磁気ヘツドにおけ
るトラツク幅規制を行う。次に、dに示すよう
に、真空薄膜形成法によりAl2O3、SiO2、ZrO2
Ta2O5のグループから選ばれた一つの膜よりな
る、前記の酸化膜6となる酸化膜16を前記強磁
性金属膜4,5の下地膜として20〜100Å付着さ
せる。この状態での積層膜15、酸化膜16等の
部分的な拡大図を第5図に示す。次に、eに示す
ように、前記の付着された酸化膜16の上に真空
薄膜形成法により前記の強磁性金属膜4,5とな
る強磁性金属膜17を被着形成する。次に、fに
示すように、前記コアブロツク12における前記
V溝14のとがつた底部を削り、この底部の前記
積層膜(又は単層膜)15、酸化膜16及び強磁
性金属膜17を除去してコアブロツク12に至る
溝18を形成する。尚、f以降の工程を示す図で
は、膜16,17又は膜15,16,17を各別
に示すのが困難なため、一つの膜として示してあ
る。次に、gのように、前記V溝14と溝18よ
りなる溝19に前記のガラス9,10となるガラ
ス20をモールドする。このガラス20は後工程
での加工の時のトラツク部の保護及び後述するよ
うに前記のコア半体同士を接合するためのもので
ある。次に、hに示すように、前記溝19とは直
交する方向に前記コイル巻線用の孔11となる巻
線用溝21を形成し、しかる後に作動ギヤツプ形
成面を平面研磨により鏡面に仕上げる。次に、第
4図iに示すように、前記の鏡面に仕上げられた
作動ギヤツプ形成面に真空薄膜形成法により、前
記作動ギヤツプ3となる非磁性体のギヤツプスペ
ーサー22を所定厚みに形成する。次に、前記i
に示すように、前記の巻線用溝21が形成され、
かつ前記ギヤツプスペーサー22が形成されたコ
アブロツク12よりなるコア半体1と、gに示す
前記巻線用溝21が形成される前のコアブロツク
12よりなるコア半体2とを、jに示すように突
き合わせ、この状態で溶着する。これにより、コ
ア半体1のガラス20とコア半体2のガラス20
が溶着されて結合し、また前記のギヤツプスペー
サー22により作動ギヤツプ3が形成される。こ
れをjに示す2点鎖線に沿つてワイヤーソー又は
ダイシングソーでスライスし、ラツピングテープ
を用いてテープ走行面をR状に仕上げることによ
り、第1図について説明した磁気ヘツドが得られ
る。
上記のように構成された磁気ヘツドでは、前記
の酸化膜16により疑似作動ギヤツプの発生がな
い。また、ガラス20のモールド時又はコア半体
1,2をガラス溶着により互いに接合する際には
その熱による、コアブロツク12と強磁性金属膜
17との膨張率の差によりコアブロツク12にク
ラツクを生ずると共にコアブロツク12から強磁
性金属膜17が剥がれることがあるが、上記実施
例のように、コア半体1,2における作動ギヤツ
プ3構成面とは平行ではない部分に積層膜(又は
単層膜)15を設けることにより、上記クラツク
の発生を防止することができる。また、前記膨張
率の差によるクラツクの発生又はコアブロツク1
2からの強磁性金属膜17の剥がれは前記溝18
を設けることにより軽減される。これは前記溝1
8により強磁性金属膜17が分断され、これによ
り該強磁性金属膜の熱膨張の絶対値が小さくなる
からである。
[発明の効果] この発明は上記したように、一対の強磁性酸化
物からなるコア半体の各作動ギヤツプ構成面側
に、該強磁性酸化物よりも飽和磁束密度の高い強
磁性金属膜を結合した磁気ヘツドの製造方法にお
いて、前記コア半体となるコアブロツクを用意
し、該コアブロツクの前記作動ギヤツプ構成面と
なる側にトラツク幅規制用の一の略V字状の複数
の溝を刻設する工程と、前記コアブロツクの前記
溝を含む作動ギヤツプ構成面となる側に、
Al2O3、SiO2、ZrO2、Ta2O5等の群から選ばれた
1種類からなる膜とSi3N4、Cr、Cu等の群から選
ばれた1種類からなる膜とよりなる積層膜を付着
する工程と、前記コアブロツクの前記作動ギヤツ
プ構成面となる側の前記溝と溝の間における前記
膜を除去しかつトラツク幅規制を行う工程と、前
記コアブロツクの前記作動ギヤツプ構成面となる
側に前記強磁性金属膜の下地膜となる酸化膜を付
着する工程と、この酸化膜上に前記の強磁性金属
膜を結合して該強磁性金属膜を有する前記のコア
半体を構成する工程と、ギヤツプスペーサーを介
して一対の該コア半体をガラス溶着により互いに
接合する工程とを含むものであり、前記酸化膜に
よる疑似ギヤツプのない磁気ヘツドが得られる。
また、前記コア半体における作動ギヤツプ構成面
とは平行ではない部分に積層膜を設けることによ
り、ガラス溶着時等の熱による前記したクラツク
の発生を防止することができる。
更に、前記酸化膜上に前記の強磁性金属膜を結
合して該強磁性金属膜を有する前記のコア半体を
構成する工程と、ギヤツプスペーサーを介して一
対の前記コア半体をガラス溶着により互いに接合
する工程との間に、前記略V字状の複数の溝の低
部に相当するところにある前記強磁性金属膜を除
去する工程を含むことにより、前記した熱膨張率
の差により発生する前記強磁性酸化物のクラツク
の発生を更に少なくすることができ、かつ前記強
磁性酸化物からの強磁性金属膜の剥離が軽減され
る。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の製造方法によつて製造され
た磁気ヘツドの概略斜視図、第2図は第1図の作
動ギヤツプの近傍を示す概略拡大正面図、第3図
は第2図の要部を示す概略拡大正面図、第4図は
第1図に示す磁気ヘツドの製造工程を説明する模
式図、第5図は第4図の工程における要部の概略
拡大正面図である。 1,2:コア半体、3:作動ギヤツプ、4,
5,17:強磁性金属膜、6,6a,16:酸化
膜、9,10,20:ガラス、12:コアブロツ
ク、14:V溝、15:積層膜。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一対の強磁性酸化物からなるコア半体の各作
    動ギヤツプ構成面側に、該強磁性酸化物よりも飽
    和磁束密度の高い強磁性金属膜を結合した磁気ヘ
    ツドの製造方法において、前記コア半体となるコ
    アブロツクを用意し、該コアブロツクの前記作動
    ギヤツプ構成面となる側にトラツク幅規制用の一
    対の略V字状の複数の溝を刻設する工程と、前記
    コアブロツクの前記溝を含む作動ギヤツプ構成面
    となる側に、Al2O3、SiO2、ZrO2、Ta2O5等の群
    から選ばれた1種類からなる膜とSi3N4、Cr、Cu
    等の群から選ばれた1種類からなる膜とよりなる
    積層膜を付着する工程と、前記コアブロツクの前
    記作動ギヤツプ構成面となる側の前記溝と溝の間
    における前記膜を除去しかつトラツク幅規制を行
    う工程と、前記コアブロツクの前記作動ギヤツプ
    構成面となる側に前記強磁性金属膜の下地膜とな
    る酸化膜を付着する工程と、この酸化膜上に前記
    の強磁性金属膜を結合して該強磁性金属膜を有す
    る前記のコア半体を構成する工程と、ギヤツプス
    ペーサーを介して一対の該コア半体をガラス溶着
    により互いに接合する工程とを含むことを特徴と
    する磁気ヘツドの製造方法。 2 一対の強磁性酸化物からなるコア半体の各作
    動ギヤツプ構成面側に、該強磁性酸化物よりも飽
    和磁束密度の高い強磁性金属膜を結合した磁気ヘ
    ツドの製造方法において、前記コア半体となるコ
    アブロツクを用意し、該コアブロツクの前記作動
    ギヤツプ構成面となる側にトラツク幅規制用の一
    対の略V字状の複数の溝を刻設する工程と、前記
    コアブロツクの前記溝を含む作動ギヤツプ構成面
    となる側に、Al2O3、SiO2、ZrO2、Ta2O5等の群
    から選ばれた1種類からなる膜とSi3N4、Cr、Cu
    等の群から選ばれた1種類からなる膜とよりなる
    積層膜を付着する工程と、前記コアブロツクの前
    記作動ギヤツプ構成面となる側の前記溝と溝の間
    における前記膜を除去しかつトラツク幅規制を行
    う工程と、前記コアブロツクの前記作動ギヤツプ
    構成面となる側に前記強磁性金属膜の下地膜とな
    る酸化膜を付着する工程と、この酸化膜上に前記
    の強磁性金属膜を結合して該強磁性金属膜を有す
    る前記のコア半体を構成する工程と、前記略V字
    状の複数の溝の低部に相当するところにある前記
    強磁性金属膜を除去する工程と、ギヤツプスペー
    サーを介して一対の前記コア半体をガラス溶着に
    より互いに接合する工程とを含むことを特徴とす
    る磁気ヘツドの製造方法。
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