JPH0351771Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0351771Y2 JPH0351771Y2 JP17940885U JP17940885U JPH0351771Y2 JP H0351771 Y2 JPH0351771 Y2 JP H0351771Y2 JP 17940885 U JP17940885 U JP 17940885U JP 17940885 U JP17940885 U JP 17940885U JP H0351771 Y2 JPH0351771 Y2 JP H0351771Y2
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- JP
- Japan
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- substrate
- magnetic
- thin film
- magnetic head
- soft magnetic
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- Expired
Links
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- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 9
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- Magnetic Heads (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本考案は、軟磁性薄膜の形成された非磁性基板
を複数枚重ね合わせて構成する磁気ヘツドコアの
改良に関し、時には非磁性基板の反りを軽減した
磁気ヘツド基板に関する。
を複数枚重ね合わせて構成する磁気ヘツドコアの
改良に関し、時には非磁性基板の反りを軽減した
磁気ヘツド基板に関する。
〈従来の技術〉
非磁性基板上に形成された軟磁性薄膜を、コア
材料として磁気ヘツドを形成するには、この軟磁
性薄膜表面を保護するためと、最終的な磁気ヘツ
ドの形態において、上記軟磁性薄膜が磁気ヘツド
の厚さの中央部に位置するようにするために、上
記軟磁性薄膜を挟み込む配置で他の非磁性基板を
接合する製造が採られている。
材料として磁気ヘツドを形成するには、この軟磁
性薄膜表面を保護するためと、最終的な磁気ヘツ
ドの形態において、上記軟磁性薄膜が磁気ヘツド
の厚さの中央部に位置するようにするために、上
記軟磁性薄膜を挟み込む配置で他の非磁性基板を
接合する製造が採られている。
この種の磁気ヘツドは、第２図に示すように感
光性結晶化ガラス基板１の上に電子ビーム蒸着法
によつて軟磁性薄膜となるFe−Al−Si系合金薄
膜２が形成されている。処でこのように基板１上
に薄膜２を形成すると、軟磁性薄膜２が持つ内部
応力によつて基板に反り３を生ずる。例えば、
Fe−Al−Si系合金薄膜の厚さ20μｍ、感光性結晶
化ガラス基板の厚さを１mm、長さを30mmとすると
反り量は20μｍ程度となる。
光性結晶化ガラス基板１の上に電子ビーム蒸着法
によつて軟磁性薄膜となるFe−Al−Si系合金薄
膜２が形成されている。処でこのように基板１上
に薄膜２を形成すると、軟磁性薄膜２が持つ内部
応力によつて基板に反り３を生ずる。例えば、
Fe−Al−Si系合金薄膜の厚さ20μｍ、感光性結晶
化ガラス基板の厚さを１mm、長さを30mmとすると
反り量は20μｍ程度となる。
このようにして得られた反り３が生じている感
光性結晶化ガラス基板１を用いてその上に形成し
たFe−Al−Si系合金薄膜２を磁気ヘツドコア材
料とするには、更にFe−Al−Si系合金薄膜２を
挟み込む関係で他の感光性結晶化ガラス基板４が
重ねられ、これらに加圧力５を加えて反りを矯正
しながら接合させたものが用いられる。
光性結晶化ガラス基板１を用いてその上に形成し
たFe−Al−Si系合金薄膜２を磁気ヘツドコア材
料とするには、更にFe−Al−Si系合金薄膜２を
挟み込む関係で他の感光性結晶化ガラス基板４が
重ねられ、これらに加圧力５を加えて反りを矯正
しながら接合させたものが用いられる。
〈考案が解決しようとする問題点〉
上記磁気ヘツド構造で生じる反りは、接合工程
での接合不良となるため軽減、あるいは解消する
ことが望ましい。
での接合不良となるため軽減、あるいは解消する
ことが望ましい。
反りの軽減のためには、非磁性基板材料と軟磁
性薄膜材料との熱膨張係数を整合させることが本
質的な対策であるが、適当な熱膨張係数を有して
いても同時に耐摩耗性の整合、加工法、曲げ強度
を満足する基板材料を選択することは困難であつ
た。
性薄膜材料との熱膨張係数を整合させることが本
質的な対策であるが、適当な熱膨張係数を有して
いても同時に耐摩耗性の整合、加工法、曲げ強度
を満足する基板材料を選択することは困難であつ
た。
また見かけ上両基板間が接合している場合でも
元の状態に戻ろうとする応力が残つており、後の
加工プロセスにおいて剥離が生じ易いという問題
があり、更に基板間に介在する接合層としては均
一に且つ薄く形成されることが望ましいが、上述
のように基板に生じる反りのために接合層の厚さ
を均一にすることは困難であつた。
元の状態に戻ろうとする応力が残つており、後の
加工プロセスにおいて剥離が生じ易いという問題
があり、更に基板間に介在する接合層としては均
一に且つ薄く形成されることが望ましいが、上述
のように基板に生じる反りのために接合層の厚さ
を均一にすることは困難であつた。
〈問題点を解決するための手段〉
本考案は、以上のような従来技術の欠点を解消
するためになされたものであり、非磁性基板と軟
磁性薄膜の熱膨張係数の整合を不要にし、軟磁性
薄膜の形成された基板の反りを軽減、解消するこ
とによつて、接合不良をなくした効率のよい磁気
ヘツド基板を提供する。本考案は反りを生じる大
きな要因になる軟磁性薄膜を、非磁性基板の両主
面に形成して基板に働らく力を平衡させ、基板全
体として生じる反りの量を軽減する。
するためになされたものであり、非磁性基板と軟
磁性薄膜の熱膨張係数の整合を不要にし、軟磁性
薄膜の形成された基板の反りを軽減、解消するこ
とによつて、接合不良をなくした効率のよい磁気
ヘツド基板を提供する。本考案は反りを生じる大
きな要因になる軟磁性薄膜を、非磁性基板の両主
面に形成して基板に働らく力を平衡させ、基板全
体として生じる反りの量を軽減する。
〈実施例〉
本実施例では、非磁性基板材料に感光性結晶化
ガラス、軟磁性薄膜として電子ビーム蒸着法によ
つて形成されたFe−Al−Si系合金膜を用いてい
る。第１図に示すように感光性結晶化ガラス基板
１の両主面に、電子ビーム蒸着法によつてFe−
Al−Si系合金薄膜２ａ，２ｂを形成する。この
ように合金薄膜２ａ，２ｂを両面に形成すること
によつて、基板１に働らく力は相殺され、基板１
に生じる反りの量は片面のみに合金薄膜を形成し
た構造に比べて著しく軽減される。
ガラス、軟磁性薄膜として電子ビーム蒸着法によ
つて形成されたFe−Al−Si系合金膜を用いてい
る。第１図に示すように感光性結晶化ガラス基板
１の両主面に、電子ビーム蒸着法によつてFe−
Al−Si系合金薄膜２ａ，２ｂを形成する。この
ように合金薄膜２ａ，２ｂを両面に形成すること
によつて、基板１に働らく力は相殺され、基板１
に生じる反りの量は片面のみに合金薄膜を形成し
た構造に比べて著しく軽減される。
実際に両主面に上記合金薄膜を形成したとこ
ろ、反りの量は４〜5μｍ以下にすることができ
た。
ろ、反りの量は４〜5μｍ以下にすることができ
た。
尚、上述のように基板１に合金薄膜２ａ，２ｂ
を作製した過程で残留している反りとそのばらつ
きの主因は、両主面に形成されたFe−Al−Si系
合金薄膜の膜厚の不均衡による反りであることか
ら、この点を制御すれば用いる感光性結晶化ガラ
ス基板の平坦度に依存した平坦度が得られる。
を作製した過程で残留している反りとそのばらつ
きの主因は、両主面に形成されたFe−Al−Si系
合金薄膜の膜厚の不均衡による反りであることか
ら、この点を制御すれば用いる感光性結晶化ガラ
ス基板の平坦度に依存した平坦度が得られる。
上記のように両主面に軟磁性薄膜を作製した基
板に更に他の非磁性基板を重ねて磁気ヘツドを構
成したとしても磁気特性の劣化はない。
板に更に他の非磁性基板を重ねて磁気ヘツドを構
成したとしても磁気特性の劣化はない。
上記構造の磁気ヘツド用基板では、基板１の反
り量が小さいため、他の非磁性基板を重る接合時
に矯正する必要はほとんどなくなり、比較的薄い
均一な接合層で接合させることができ、従つて接
合材として低融点ガラスのスパツタ膜を介して良
好な接合状態を得る。
り量が小さいため、他の非磁性基板を重る接合時
に矯正する必要はほとんどなくなり、比較的薄い
均一な接合層で接合させることができ、従つて接
合材として低融点ガラスのスパツタ膜を介して良
好な接合状態を得る。
〈考案の効果〉
本考案によれば、良好な接合状態のFe−Al−
Si系合金等の軟磁性薄膜が、感光性結晶化ガラス
等の非磁性基板で挟み込まれた構造の磁気ヘツド
を得ることができ、磁気ヘツドの作製作業を容易
にすると共に、磁気ヘツドの生産性及び歩留りの
改善を図ることができる。更に従来の磁気ヘツド
の如く、非磁性基板と軟磁性薄膜の熱膨張係数の
整合に対する重要性がほとんどなくなり、基板の
選択範囲を広げることが可能となり、製造技術の
みならず経済性の面からも非常に有利な磁気ヘツ
ドを得ることができる。
Si系合金等の軟磁性薄膜が、感光性結晶化ガラス
等の非磁性基板で挟み込まれた構造の磁気ヘツド
を得ることができ、磁気ヘツドの作製作業を容易
にすると共に、磁気ヘツドの生産性及び歩留りの
改善を図ることができる。更に従来の磁気ヘツド
の如く、非磁性基板と軟磁性薄膜の熱膨張係数の
整合に対する重要性がほとんどなくなり、基板の
選択範囲を広げることが可能となり、製造技術の
みならず経済性の面からも非常に有利な磁気ヘツ
ドを得ることができる。
第１図は本考案による磁気ヘツド用基板の側面
図、第２図は従来の磁気ヘツド用基板側面図であ
る。 １：非磁性基板、２ａ，２ｂ：軟磁性薄膜、
３：反り、４：他の非磁性基板。
図、第２図は従来の磁気ヘツド用基板側面図であ
る。 １：非磁性基板、２ａ，２ｂ：軟磁性薄膜、
３：反り、４：他の非磁性基板。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 １ 非磁性基板上に形成された軟磁性薄膜を他の
非磁性基板で挟み込んでなる磁気ヘツドにおい
て、 非磁性基板は両主面に軟磁性薄膜が被着され
てなり、 該非磁性基板と他の非磁性基板を接合材を介
して挟み込んでなることを特徴とする磁気ヘツ
ド基板。 ２ 軟磁性薄膜が形成された非磁性基板と他の非
磁性基板間の接合材は、低融点ガラスのスパツ
タ膜であることを特徴とする請求の範囲第１項
記載の磁気ヘツド基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17940885U JPH0351771Y2 (ja) | 1985-11-19 | 1985-11-19 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17940885U JPH0351771Y2 (ja) | 1985-11-19 | 1985-11-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6285914U JPS6285914U (ja) | 1987-06-01 |
| JPH0351771Y2 true JPH0351771Y2 (ja) | 1991-11-07 |
Family
ID=31122442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17940885U Expired JPH0351771Y2 (ja) | 1985-11-19 | 1985-11-19 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0351771Y2 (ja) |
-
1985
- 1985-11-19 JP JP17940885U patent/JPH0351771Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6285914U (ja) | 1987-06-01 |
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