JP2000285517A - 光学記録媒体 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半透明反射膜の耐候性が改善され、かつ半透
明反射膜と基板との接合性が強化され、より高い信頼性
が得られる光学記録媒体を提供する。 【解決手段】 光学記録媒体６において、再生光８が入
射する側には第１の情報層９が配され、さらに再生光８
が入射する側とは反対側には第２の情報層１０が配され
ている。第１の情報層９の半透明反射膜３は、０．５〜
３．０ｗｔ％のＰｄおよび０．１〜３．０ｗｔ％のＣｕ
を含有するＡｇＰｄＣｕ合金薄膜、または、０．５〜
３．０ｗｔ％のＰｄおよび０．１〜３．０ｗｔ％のＴｉ
を含有するＡｇＰｄＴｉ合金薄膜からなる。波長６５０
ｎｍにおいては、ＡｇＰｄＣｕ合金薄膜の最適な膜厚は
５〜１８ｎｍとなる。また、ＡｇＰｄＴｉ合金薄膜の最
適な膜厚は５〜１８ｎｍとなる。波長４００ｎｍにおい
ては、ＡｇＰｄＣｕ合金薄膜の最適な膜厚は１０〜２５
ｎｍとなる。また、ＡｇＰｄＴｉ合金薄膜の最適な膜厚
は１５〜２５ｎｍとなる。
明反射膜と基板との接合性が強化され、より高い信頼性
が得られる光学記録媒体を提供する。 【解決手段】 光学記録媒体６において、再生光８が入
射する側には第１の情報層９が配され、さらに再生光８
が入射する側とは反対側には第２の情報層１０が配され
ている。第１の情報層９の半透明反射膜３は、０．５〜
３．０ｗｔ％のＰｄおよび０．１〜３．０ｗｔ％のＣｕ
を含有するＡｇＰｄＣｕ合金薄膜、または、０．５〜
３．０ｗｔ％のＰｄおよび０．１〜３．０ｗｔ％のＴｉ
を含有するＡｇＰｄＴｉ合金薄膜からなる。波長６５０
ｎｍにおいては、ＡｇＰｄＣｕ合金薄膜の最適な膜厚は
５〜１８ｎｍとなる。また、ＡｇＰｄＴｉ合金薄膜の最
適な膜厚は５〜１８ｎｍとなる。波長４００ｎｍにおい
ては、ＡｇＰｄＣｕ合金薄膜の最適な膜厚は１０〜２５
ｎｍとなる。また、ＡｇＰｄＴｉ合金薄膜の最適な膜厚
は１５〜２５ｎｍとなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学記録媒体、特
にその少なくとも１つの情報層に半透明反射膜を有する
光学記録媒体に関する。
にその少なくとも１つの情報層に半透明反射膜を有する
光学記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔ
ｉｌｅ Ｄｉｓｃ）などに見られる光ディスクは、厚さ
が０．６ｍｍの透明プラスティック基板２枚を、これら
基板に形成された凹凸のピットからなる情報層がその接
着面となるように貼り合わされることにより作製されて
いる。いくつかの種類がある再生専用ＤＶＤの中には、
上記２枚の基板にそれぞれ異なる情報があらかじめ記憶
されている、いわゆる２層ディスクと呼ばれるタイプの
ディスクがある。
ｉｌｅ Ｄｉｓｃ）などに見られる光ディスクは、厚さ
が０．６ｍｍの透明プラスティック基板２枚を、これら
基板に形成された凹凸のピットからなる情報層がその接
着面となるように貼り合わされることにより作製されて
いる。いくつかの種類がある再生専用ＤＶＤの中には、
上記２枚の基板にそれぞれ異なる情報があらかじめ記憶
されている、いわゆる２層ディスクと呼ばれるタイプの
ディスクがある。
【０００３】この２層ディスクの再生を行うときは、い
ずれか一方のディスク表面から再生光を入射させて行う
ので、２つの異なる情報層を短時間にアクセスできると
いう利点がある。再生光入射側の第１の情報層の反射膜
は、入射光のうち、その一部を反射し、他の一部を透過
させるように設計されている。そのため、光入射側から
見て奥に位置する第２の情報層にも再生光が到達でき、
そこでの反射光が再び第１の情報層の反射膜を透過でき
て、第２の情報層の再生を可能としている。
ずれか一方のディスク表面から再生光を入射させて行う
ので、２つの異なる情報層を短時間にアクセスできると
いう利点がある。再生光入射側の第１の情報層の反射膜
は、入射光のうち、その一部を反射し、他の一部を透過
させるように設計されている。そのため、光入射側から
見て奥に位置する第２の情報層にも再生光が到達でき、
そこでの反射光が再び第１の情報層の反射膜を透過でき
て、第２の情報層の再生を可能としている。
【０００４】第１の情報層と第２の情報層とは、透明な
スペーサーと呼ばれる接着材料により、お互いの再生信
号が干渉しない距離だけ離されているため、対物レンズ
のフォーカス位置をおのおのの情報層に対応した位置に
合わせることにより、それぞれの層の情報を高品質に再
生することが可能である。このような再生方式を実現す
る上では第１の情報層の反射膜設計が極めて重要とな
る。この反射膜を、以降、一部の光を透過させるという
意味から半透明反射膜と呼ぶことにする。
スペーサーと呼ばれる接着材料により、お互いの再生信
号が干渉しない距離だけ離されているため、対物レンズ
のフォーカス位置をおのおのの情報層に対応した位置に
合わせることにより、それぞれの層の情報を高品質に再
生することが可能である。このような再生方式を実現す
る上では第１の情報層の反射膜設計が極めて重要とな
る。この反射膜を、以降、一部の光を透過させるという
意味から半透明反射膜と呼ぶことにする。
【０００５】従来、半透明反射膜の材料としてＡｕある
いはＳｉが、所望の反射率、透過率などの光学特性を満
足するうえ、スパッタリング法などにより容易に薄膜を
形成できるということから一般に用いられていた。ま
た、情報層に形成される微細な凹凸ピットに対し、安定
した被覆性が得られ、さらに光学記録媒体としての耐候
性にも優れているという長所をも有している。
いはＳｉが、所望の反射率、透過率などの光学特性を満
足するうえ、スパッタリング法などにより容易に薄膜を
形成できるということから一般に用いられていた。ま
た、情報層に形成される微細な凹凸ピットに対し、安定
した被覆性が得られ、さらに光学記録媒体としての耐候
性にも優れているという長所をも有している。
【０００６】しかしながら、Ａｕは材料コストが高いと
いう問題がある。一方、Ｓｉは相対的に安価な材料であ
るが、透明接着剤あるいはプラスティック基板との接着
力が弱いため、曲げ、反り、あるいは吸湿などに対する
信頼性が十分ではない。さらに、Ｓｉ膜は、金属に比較
して、スパッタリング室内に付着した膜がはがれ易いた
め、スパッタリングプロセス装置内で発生するパーティ
クルが多く、エラーレートの悪化を招くという問題もあ
る。
いう問題がある。一方、Ｓｉは相対的に安価な材料であ
るが、透明接着剤あるいはプラスティック基板との接着
力が弱いため、曲げ、反り、あるいは吸湿などに対する
信頼性が十分ではない。さらに、Ｓｉ膜は、金属に比較
して、スパッタリング室内に付着した膜がはがれ易いた
め、スパッタリングプロセス装置内で発生するパーティ
クルが多く、エラーレートの悪化を招くという問題もあ
る。
【０００７】これらの問題を解決するために、最近では
ＡｕやＳｉの代替材料としてＡｇが検討されている。し
かしながら、Ａｇは塩素、硫黄、およびそれらの化合物
やイオンとの反応性に富むため、たとえば海水や汗など
が基板を通して侵入することによって容易に腐食される
という問題を有している。
ＡｕやＳｉの代替材料としてＡｇが検討されている。し
かしながら、Ａｇは塩素、硫黄、およびそれらの化合物
やイオンとの反応性に富むため、たとえば海水や汗など
が基板を通して侵入することによって容易に腐食される
という問題を有している。
【０００８】これらに対し、特開昭５７−１８６２４４
号公報、特開平７−３３６３号公報、および特開平９−
１５６２２４号公報には、Ａｇに所定の不純物を添加す
ることにより、耐候性を向上させる技術が開示されてい
る。
号公報、特開平７−３３６３号公報、および特開平９−
１５６２２４号公報には、Ａｇに所定の不純物を添加す
ることにより、耐候性を向上させる技術が開示されてい
る。
【０００９】すなわち、特開昭５７−１８６２４４号公
報にはＡｇＣｕ合金（Ａｇの含有量が４０原子％以上）
について、特開平７−３３６３号公報にはＡｇＭｇ合金
（Ｍｇの含有量が１〜１０原子％以上）について、特開
平９−１５６２２４号公報にはＡｇＯＭ（ＭはＳｂ、Ｐ
ｄ、Ｐｔ）合金（Ｏの含有量は１０〜４０原子％、Ｍの
含有量は０．１〜１０原子％）についての技術が開示さ
れている。
報にはＡｇＣｕ合金（Ａｇの含有量が４０原子％以上）
について、特開平７−３３６３号公報にはＡｇＭｇ合金
（Ｍｇの含有量が１〜１０原子％以上）について、特開
平９−１５６２２４号公報にはＡｇＯＭ（ＭはＳｂ、Ｐ
ｄ、Ｐｔ）合金（Ｏの含有量は１０〜４０原子％、Ｍの
含有量は０．１〜１０原子％）についての技術が開示さ
れている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の合金材料においても、耐候性や、薄膜を形成した場合
の反射率、透過率についての究明は必ずしも十分になさ
れていない。特に、半透明反射膜として用いられる膜厚
の薄い領域についての検討は未だなされていない。
の合金材料においても、耐候性や、薄膜を形成した場合
の反射率、透過率についての究明は必ずしも十分になさ
れていない。特に、半透明反射膜として用いられる膜厚
の薄い領域についての検討は未だなされていない。
【００１１】本発明は、このような課題に鑑みてなされ
たものであり、半透明反射膜の耐候性が改善され、かつ
半透明反射膜と基板との接合性が強化され、より高い信
頼性が得られる光学記録媒体を提供することを目的とす
る。さらに、本発明は安定した再生が可能な光学記録媒
体を提供することを目的とする。
たものであり、半透明反射膜の耐候性が改善され、かつ
半透明反射膜と基板との接合性が強化され、より高い信
頼性が得られる光学記録媒体を提供することを目的とす
る。さらに、本発明は安定した再生が可能な光学記録媒
体を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の光学記録媒体
は、半透明反射膜を有する情報層と反射膜を有する情報
層が合わせて２層以上積層され、共通の方向からの光照
射によって、情報の記録若しくは再生の少なくとも一方
がなされる光学記録媒体であって、半透明反射膜が、
０．５〜３．０ｗｔ％のＰｄ、および０．１〜３．０ｗ
ｔ％のＣｕを含有するＡｇＰｄＣｕ合金薄膜からなるも
のである。
は、半透明反射膜を有する情報層と反射膜を有する情報
層が合わせて２層以上積層され、共通の方向からの光照
射によって、情報の記録若しくは再生の少なくとも一方
がなされる光学記録媒体であって、半透明反射膜が、
０．５〜３．０ｗｔ％のＰｄ、および０．１〜３．０ｗ
ｔ％のＣｕを含有するＡｇＰｄＣｕ合金薄膜からなるも
のである。
【００１３】また、本発明の光学記録媒体は、半透明反
射膜を有する情報層と反射膜を有する情報層が合わせて
２層以上積層され、共通の方向からの光照射によって、
情報の記録若しくは再生の少なくとも一方がなされる光
学記録媒体であって、半透明反射膜が、０．５〜３．０
ｗｔ％のＰｄ、および０．１〜３．０ｗｔ％のＴｉを含
有するＡｇＰｄＴｉ合金薄膜からなるものである。
射膜を有する情報層と反射膜を有する情報層が合わせて
２層以上積層され、共通の方向からの光照射によって、
情報の記録若しくは再生の少なくとも一方がなされる光
学記録媒体であって、半透明反射膜が、０．５〜３．０
ｗｔ％のＰｄ、および０．１〜３．０ｗｔ％のＴｉを含
有するＡｇＰｄＴｉ合金薄膜からなるものである。
【００１４】本発明の光学記録媒体によれば、半透明反
射膜を、０．５〜３．０ｗｔ％のＰｄ、および０．１〜
３．０ｗｔ％のＣｕを含有するＡｇＰｄＣｕ合金薄膜、
または、０．５〜３．０ｗｔ％のＰｄ、および０．１〜
３．０ｗｔ％のＴｉを含有するＡｇＰｄＴｉ合金薄膜に
することにより、高温高湿の雰囲気においても透過率の
増加といった光学特性が変化すること、または黒いシミ
が発生することを防止でき、さらに、塩水に浸漬された
場合においても膜が白濁化すること、またはＡｇ薄膜と
基板の間に塩水が浸透しＡｇ薄膜が基板から部分的に浮
くことを防止できる。
射膜を、０．５〜３．０ｗｔ％のＰｄ、および０．１〜
３．０ｗｔ％のＣｕを含有するＡｇＰｄＣｕ合金薄膜、
または、０．５〜３．０ｗｔ％のＰｄ、および０．１〜
３．０ｗｔ％のＴｉを含有するＡｇＰｄＴｉ合金薄膜に
することにより、高温高湿の雰囲気においても透過率の
増加といった光学特性が変化すること、または黒いシミ
が発生することを防止でき、さらに、塩水に浸漬された
場合においても膜が白濁化すること、またはＡｇ薄膜と
基板の間に塩水が浸透しＡｇ薄膜が基板から部分的に浮
くことを防止できる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図１〜４、および表１〜３を参照しながら説明する。
まず、本発明に係る光学記録媒体の構成について説明す
る。図１は、本発明に係る光学記録媒体の一例を示した
側面図である。この例による光学記録媒体６はＤＶＤと
よばれている高密度の光学記録媒体である。光学記録媒
体６は、図面上で上方に透明な基板１を有し、また下方
に透明ないし不透明な基板２を有している。これら基板
１および２は、たとえばポリカーボネート等のプラスチ
ックにより作られている。
て図１〜４、および表１〜３を参照しながら説明する。
まず、本発明に係る光学記録媒体の構成について説明す
る。図１は、本発明に係る光学記録媒体の一例を示した
側面図である。この例による光学記録媒体６はＤＶＤと
よばれている高密度の光学記録媒体である。光学記録媒
体６は、図面上で上方に透明な基板１を有し、また下方
に透明ないし不透明な基板２を有している。これら基板
１および２は、たとえばポリカーボネート等のプラスチ
ックにより作られている。
【００１６】基板１の片面には、第１の情報層９が設け
られている。この第１の情報層９は、情報ピットと半透
明反射膜３とにより構成されている。この情報ピット
は、たとえば情報に応じて凹凸パターンが形成されてい
る。
られている。この第１の情報層９は、情報ピットと半透
明反射膜３とにより構成されている。この情報ピット
は、たとえば情報に応じて凹凸パターンが形成されてい
る。
【００１７】また、基板２の片面には、基板１と同様
に、第２の情報層１０が設けられている。この第２の情
報層１０は、情報ピットと反射膜４とにより構成されて
いる。
に、第２の情報層１０が設けられている。この第２の情
報層１０は、情報ピットと反射膜４とにより構成されて
いる。
【００１８】基板１の第１の情報層９が形成された面
と、基板２の第２の情報層１０が形成された面とは、所
定の厚さの透明接着剤５により貼り合わされている。こ
れによって、２つの情報層９および１０を有する、一体
の光学記録媒体が形成されることになる。この結果、再
生光８が入射する側には第１の情報層９が配されること
になり、さらに再生光８が入射する側とは反対側には第
２の情報層１０が配されることになる。
と、基板２の第２の情報層１０が形成された面とは、所
定の厚さの透明接着剤５により貼り合わされている。こ
れによって、２つの情報層９および１０を有する、一体
の光学記録媒体が形成されることになる。この結果、再
生光８が入射する側には第１の情報層９が配されること
になり、さらに再生光８が入射する側とは反対側には第
２の情報層１０が配されることになる。
【００１９】つぎに、図１の光学記録媒体６について
の、信号の再生方法について説明する。図１の光学記録
媒体６において、第一の情報層９の信号の再生は、基板
１側から入射する再生光８を第１の情報層９に集光させ
ることにより行う。一方、第２の情報層１０の信号の再
生は、対物レンズ７の焦点位置を第２の情報層１０に移
動させ、第２の情報層１０に再生光８を集光することに
より行う。
の、信号の再生方法について説明する。図１の光学記録
媒体６において、第一の情報層９の信号の再生は、基板
１側から入射する再生光８を第１の情報層９に集光させ
ることにより行う。一方、第２の情報層１０の信号の再
生は、対物レンズ７の焦点位置を第２の情報層１０に移
動させ、第２の情報層１０に再生光８を集光することに
より行う。
【００２０】ここで、第２の情報層１０の信号の再生に
あたっては、再生光８が第１の情報層９を透過する必要
がある。このため、第１の情報層９には、いわゆる半透
明反射膜が用いられる。この半透明反射膜は、入射光の
うち一部の光を反射させ、また他の一部の光を透過させ
る性質を持っている。
あたっては、再生光８が第１の情報層９を透過する必要
がある。このため、第１の情報層９には、いわゆる半透
明反射膜が用いられる。この半透明反射膜は、入射光の
うち一部の光を反射させ、また他の一部の光を透過させ
る性質を持っている。
【００２１】第１の情報層９の半透明反射膜３は、作製
の容易さ等からスパッタリング法、一般には、マグネト
ロンスパッタリング法により形成される。また、第２の
情報層１０の反射膜４は、従来の反射膜と同様に高反射
率を有するＡｌ，Ａｕ，Ａｇあるいはそれらの合金によ
り、上述のスパッタリング法により形成される。
の容易さ等からスパッタリング法、一般には、マグネト
ロンスパッタリング法により形成される。また、第２の
情報層１０の反射膜４は、従来の反射膜と同様に高反射
率を有するＡｌ，Ａｕ，Ａｇあるいはそれらの合金によ
り、上述のスパッタリング法により形成される。
【００２２】つぎに、第１の情報層９の半透明反射膜３
について詳細に説明する。半透明反射膜３を形成する場
合、一般にその膜厚の増加とともに反射率Ｒ１（％）は
高くなり、逆に透過率Ｔ１（％）は減少する。また、反
射する光、および透過する光の他に、膜に吸収される光
がある。この吸収される光の割合を吸収率Ａ１という。
ここで、半透明反射膜３に入射する光量を１００（％）
とすると、つぎの式が成立する。 Ｒ１＋Ｔ１＋Ａ１＝１００（％） （１）
について詳細に説明する。半透明反射膜３を形成する場
合、一般にその膜厚の増加とともに反射率Ｒ１（％）は
高くなり、逆に透過率Ｔ１（％）は減少する。また、反
射する光、および透過する光の他に、膜に吸収される光
がある。この吸収される光の割合を吸収率Ａ１という。
ここで、半透明反射膜３に入射する光量を１００（％）
とすると、つぎの式が成立する。 Ｒ１＋Ｔ１＋Ａ１＝１００（％） （１）
【００２３】上述のような２つの情報層９および１０を
有する光学記録媒体において、再生が良好であるための
条件としては、第１の情報層９からの戻り光量Ｓ１
（％）と、第２の情報層１０からの戻り光量Ｓ２（％）
とが十分に大きいことが必要である。これらの値Ｓ１お
よびＳ２は、それぞれの情報層９および１０での反射率
Ｒ１およびＲ２に比例する。
有する光学記録媒体において、再生が良好であるための
条件としては、第１の情報層９からの戻り光量Ｓ１
（％）と、第２の情報層１０からの戻り光量Ｓ２（％）
とが十分に大きいことが必要である。これらの値Ｓ１お
よびＳ２は、それぞれの情報層９および１０での反射率
Ｒ１およびＲ２に比例する。
【００２４】再生専用のいわゆるＲＯＭ（ｒｅａｄ ｏ
ｎｌｙ ｍｅｍｏｒｙ）記録媒体の場合、反射率が約１
０％以上であれば再生が可能である。これは反射率が約
１０％以下になると、ディスク表面と空気との界面で生
じる反射光と、情報層からの反射光とを識別することが
困難となり、フォーカス制御ができなくなるからであ
る。
ｎｌｙ ｍｅｍｏｒｙ）記録媒体の場合、反射率が約１
０％以上であれば再生が可能である。これは反射率が約
１０％以下になると、ディスク表面と空気との界面で生
じる反射光と、情報層からの反射光とを識別することが
困難となり、フォーカス制御ができなくなるからであ
る。
【００２５】半透明反射膜３は、再生光８の入射側に配
置されるため、戻り光量Ｓ１はそのまま半透明反射膜３
の反射率Ｒ１に比例した量だけの信号となる。ここで、
基板１での光の吸収は極めて小さいので、戻り光量Ｓ１
＝反射率Ｒ１としてよい。
置されるため、戻り光量Ｓ１はそのまま半透明反射膜３
の反射率Ｒ１に比例した量だけの信号となる。ここで、
基板１での光の吸収は極めて小さいので、戻り光量Ｓ１
＝反射率Ｒ１としてよい。
【００２６】一方、戻り光量Ｓ２は、光路の途中に半透
明反射膜３が存在するので、その影響のため多少複雑に
なる。そこで、戻り光量Ｓ２に対する、半透明反射膜３
の影響を計算により求めてみる。まず、半透明反射膜３
に入射する光量のうち、半透明反射膜３を透過して第２
の情報層１０に到達する光量の割合は、半透明反射膜３
の透過率Ｔ１（＝１００−Ｒ１−Ａ１）で表される。つ
いで、第２の情報層１０に到達した光量のうち、第２の
情報層１０の反射膜４で反射される光量の割合は、反射
膜４の反射率Ｒ２で表される。また、第２の情報層１０
の反射膜４で反射される光量のうち、半透明反射膜３を
透過する光量の割合は、半透明反射膜３の透過率Ｔ１で
表される。この第１の情報層９の半透明反射膜３を透過
したものが戻り光量となる。
明反射膜３が存在するので、その影響のため多少複雑に
なる。そこで、戻り光量Ｓ２に対する、半透明反射膜３
の影響を計算により求めてみる。まず、半透明反射膜３
に入射する光量のうち、半透明反射膜３を透過して第２
の情報層１０に到達する光量の割合は、半透明反射膜３
の透過率Ｔ１（＝１００−Ｒ１−Ａ１）で表される。つ
いで、第２の情報層１０に到達した光量のうち、第２の
情報層１０の反射膜４で反射される光量の割合は、反射
膜４の反射率Ｒ２で表される。また、第２の情報層１０
の反射膜４で反射される光量のうち、半透明反射膜３を
透過する光量の割合は、半透明反射膜３の透過率Ｔ１で
表される。この第１の情報層９の半透明反射膜３を透過
したものが戻り光量となる。
【００２７】したがって、戻り光量は（Ｔ１×Ｒ２×Ｔ
１）／１００００、あるいは（１００−Ｒ１−Ａ１）2
×Ｒ２／１００００で表される。したがって、第２の情
報層１０からの戻り光量Ｓ２は、次式で表すことができ
る。 Ｓ２＝（１００−Ｒ１−Ａ１）2 ×Ｒ２／１００００ （２）
１）／１００００、あるいは（１００−Ｒ１−Ａ１）2
×Ｒ２／１００００で表される。したがって、第２の情
報層１０からの戻り光量Ｓ２は、次式で表すことができ
る。 Ｓ２＝（１００−Ｒ１−Ａ１）2 ×Ｒ２／１００００ （２）
【００２８】ここで、Ａｇからなる半透明反射膜３を例
として、上式について検討してみる。測定波長を６５０
ｎｍとし、半透明反射膜３の膜厚を１０ｎｍとすると、
反射率Ｒ１＝２６％となり、吸収率Ａｌ＝１３％とな
る。また、第２の情報層１０の反射膜４の反射率Ｒ２＝
８０％とすると、戻り光量Ｓ２＝３０％となる。これら
のことから、戻り光量Ｓ１＝２６％、戻り光量Ｓ２＝３
０％となる。これにより戻り光量Ｓ１およびＳ２ともに
１０％以上となるので、十分な信号を得ることが可能と
なる。
として、上式について検討してみる。測定波長を６５０
ｎｍとし、半透明反射膜３の膜厚を１０ｎｍとすると、
反射率Ｒ１＝２６％となり、吸収率Ａｌ＝１３％とな
る。また、第２の情報層１０の反射膜４の反射率Ｒ２＝
８０％とすると、戻り光量Ｓ２＝３０％となる。これら
のことから、戻り光量Ｓ１＝２６％、戻り光量Ｓ２＝３
０％となる。これにより戻り光量Ｓ１およびＳ２ともに
１０％以上となるので、十分な信号を得ることが可能と
なる。
【００２９】つぎに、光学記録媒体の半透明反射膜３に
ついて行った、耐候性の検討結果を説明する。半透明反
射膜３の膜厚は、従来の反射膜の膜厚と比較すると、極
めて薄い領域にある。したがって、半透明反射膜３は十
分な耐候性を有することが必要である。
ついて行った、耐候性の検討結果を説明する。半透明反
射膜３の膜厚は、従来の反射膜の膜厚と比較すると、極
めて薄い領域にある。したがって、半透明反射膜３は十
分な耐候性を有することが必要である。
【００３０】本発明においては、まず、ＰｄおよびＣｕ
をＡｇに固溶させたＡｇＰｄＣｕ合金のスパッタリング
ターゲットを作製した。また、ＰｄおよびＴｉをＡｇに
固溶させたＡｇＰｄＴｉ合金のスパッタリングターゲッ
トを作製した。つぎに、これらいずれかのスパッタリン
グターゲットを用いて、スパッタリング法により、それ
らの合金薄膜の半透明反射膜を形成し、光学記録媒体を
得た。
をＡｇに固溶させたＡｇＰｄＣｕ合金のスパッタリング
ターゲットを作製した。また、ＰｄおよびＴｉをＡｇに
固溶させたＡｇＰｄＴｉ合金のスパッタリングターゲッ
トを作製した。つぎに、これらいずれかのスパッタリン
グターゲットを用いて、スパッタリング法により、それ
らの合金薄膜の半透明反射膜を形成し、光学記録媒体を
得た。
【００３１】ここで、Ａｇ合金からなるスパッタリング
ターゲット材料として、Ｐｄを特に選択した理由は、ま
ず、Ｐｄの比重が１２．０（ｇ／ｃｍ3 ）であり、Ａｇ
の比重１０．５（ｇ／ｃｍ3 ）と比較すると、両者の比
重差が小さいということがあげられる。このように比重
差が小さいと、合金を作製する際の溶融工程から冷却固
化工程において、添加元素であるＰｄの合金全体に対し
ての偏析が抑制でき、均一な組成のスパッタリングター
ゲットが容易に作製できる。さらに、合金を作製する工
程中で、金属間化合物が形成されないという利点もあ
る。
ターゲット材料として、Ｐｄを特に選択した理由は、ま
ず、Ｐｄの比重が１２．０（ｇ／ｃｍ3 ）であり、Ａｇ
の比重１０．５（ｇ／ｃｍ3 ）と比較すると、両者の比
重差が小さいということがあげられる。このように比重
差が小さいと、合金を作製する際の溶融工程から冷却固
化工程において、添加元素であるＰｄの合金全体に対し
ての偏析が抑制でき、均一な組成のスパッタリングター
ゲットが容易に作製できる。さらに、合金を作製する工
程中で、金属間化合物が形成されないという利点もあ
る。
【００３２】また、Ａｇは、硫黄と反応しやすいので大
気中に長時間放置されると、硫化銀（Ａｇ2 Ｓ）となり
黒色化する。この結果、Ａｇ薄膜の光学特性が劣化す
る。また、Ａｇは、塩素とも激しく反応して塩化銀（Ａ
ｇＣｌ）となり白濁化する。この結果、Ａｇ薄膜の光学
特性が劣化する。しかし、Ａｇは、酸素、水素、あるい
は水に対しては比較的安定な物質である。一方、Ｐｄ
は、高温に達しない限り硫黄や塩素と反応しにくい。し
たがって、Ｐｄは、硫黄や塩素に対して化学的に安定な
物質である。
気中に長時間放置されると、硫化銀（Ａｇ2 Ｓ）となり
黒色化する。この結果、Ａｇ薄膜の光学特性が劣化す
る。また、Ａｇは、塩素とも激しく反応して塩化銀（Ａ
ｇＣｌ）となり白濁化する。この結果、Ａｇ薄膜の光学
特性が劣化する。しかし、Ａｇは、酸素、水素、あるい
は水に対しては比較的安定な物質である。一方、Ｐｄ
は、高温に達しない限り硫黄や塩素と反応しにくい。し
たがって、Ｐｄは、硫黄や塩素に対して化学的に安定な
物質である。
【００３３】また、ＡｇにＰｄを一定量添加して溶融す
ることにより、冷却後のＡｇ結晶の粒界にＰｄを均一に
分散侵入させることができる。この結果、ＡｇＰｄ合金
とした場合、Ａｇの耐酸素性・耐水素性と、Ｐｄの耐塩
素性・耐硫黄性との相互作用により、塩素、水素、酸
素、硫黄という、大気中、あるいは特殊環境中で検討さ
れる非金属元素による汚染や光学記録媒体に採用される
際に要求される環境や雰囲気下での高い耐候性の向上の
実現が可能になる。
ることにより、冷却後のＡｇ結晶の粒界にＰｄを均一に
分散侵入させることができる。この結果、ＡｇＰｄ合金
とした場合、Ａｇの耐酸素性・耐水素性と、Ｐｄの耐塩
素性・耐硫黄性との相互作用により、塩素、水素、酸
素、硫黄という、大気中、あるいは特殊環境中で検討さ
れる非金属元素による汚染や光学記録媒体に採用される
際に要求される環境や雰囲気下での高い耐候性の向上の
実現が可能になる。
【００３４】つぎに、耐候性の試験方法について説明す
る。ここでは、高温高湿試験と塩素試験を行った。高温
高湿試験のサンプルは、平滑な表面を有するガラス基板
上に、半透明反射膜として厚さ１０ｎｍのＡｇＰｄＣｕ
合金薄膜、またはＡｇＰｄＴｉ合金薄膜をスパッタリン
グ法により形成したものを用いた。高温高湿試験は、沸
騰水から発生する水蒸気にこのサンプルを１時間暴露す
ることにより行った。
る。ここでは、高温高湿試験と塩素試験を行った。高温
高湿試験のサンプルは、平滑な表面を有するガラス基板
上に、半透明反射膜として厚さ１０ｎｍのＡｇＰｄＣｕ
合金薄膜、またはＡｇＰｄＴｉ合金薄膜をスパッタリン
グ法により形成したものを用いた。高温高湿試験は、沸
騰水から発生する水蒸気にこのサンプルを１時間暴露す
ることにより行った。
【００３５】塩素試験のサンプルは、図１に示した光学
記録媒体の構造において、基板２のない状態のものを用
いた。すなわち、データに対応した凹凸ピットの形成さ
れたポリカーボネート基板上に半透明反射膜であるＡｇ
ＰｄＣｕ合金薄膜、またはＡｇＰｄＴｉ合金薄膜を１０
ｎｍスパッタリング法により形成し、その後に透明接着
剤であるアクリル系紫外線硬化樹脂により上記の半透明
反射膜を被覆した構造のものを用いた。塩素試験は、常
温で、５％濃度の塩水にこのサンプルを２４０時間浸漬
して行った。
記録媒体の構造において、基板２のない状態のものを用
いた。すなわち、データに対応した凹凸ピットの形成さ
れたポリカーボネート基板上に半透明反射膜であるＡｇ
ＰｄＣｕ合金薄膜、またはＡｇＰｄＴｉ合金薄膜を１０
ｎｍスパッタリング法により形成し、その後に透明接着
剤であるアクリル系紫外線硬化樹脂により上記の半透明
反射膜を被覆した構造のものを用いた。塩素試験は、常
温で、５％濃度の塩水にこのサンプルを２４０時間浸漬
して行った。
【００３６】表１は、ＡｇＰｄＣｕ合金薄膜およびＡｇ
ＰｄＴｉ合金薄膜についてした、高温高湿試験結果およ
び塩化試験結果を示したものである。
ＰｄＴｉ合金薄膜についてした、高温高湿試験結果およ
び塩化試験結果を示したものである。
【００３７】
【表１】
【００３８】まず、高温高湿試験から得られた知見につ
いて説明する。Ａｇ薄膜では、光学特性の変化、詳しく
は透過率の増加が認められた。また、ＡｇＰｄ合金薄膜
では、Ｐｄが２．５〜４．５ｗｔ％の場合に、黒いシミ
の発生が認められた。この黒いシミの発生は、顕微鏡に
よる観察の結果、微小領域で隆起が生じていることが原
因であると判明した。この微小領域の隆起は、データ再
生時のエラーレートの増加の原因となるため実用上問題
となる。
いて説明する。Ａｇ薄膜では、光学特性の変化、詳しく
は透過率の増加が認められた。また、ＡｇＰｄ合金薄膜
では、Ｐｄが２．５〜４．５ｗｔ％の場合に、黒いシミ
の発生が認められた。この黒いシミの発生は、顕微鏡に
よる観察の結果、微小領域で隆起が生じていることが原
因であると判明した。この微小領域の隆起は、データ再
生時のエラーレートの増加の原因となるため実用上問題
となる。
【００３９】また、ＡｇＰｄＣｕ合金薄膜では、０．１
〜３．０ｗｔ％Ｐｄおよび０．１〜３．０ｗｔ％Ｃｕの
場合に、変化は認められなかった。しかし、３．５ｗｔ
％ＰｄとＰｄ含有量が多い場合には黒いシミが認められ
た。同様に、ＡｇＰｄＴｉ合金薄膜では、０．１〜３．
０ｗｔ％Ｐｄおよび０．１〜３．０ｗｔ％Ｔｉの場合
に、変化は認められなかった。また、３．５ｗｔ％Ｐｄ
とＰｄ含有量が多い場合には黒いシミが認められた。こ
のように、第三の元素としてＣｕやＴｉを添加すること
により、耐候性の改善が認められ、より高い信頼性が得
られた。
〜３．０ｗｔ％Ｐｄおよび０．１〜３．０ｗｔ％Ｃｕの
場合に、変化は認められなかった。しかし、３．５ｗｔ
％ＰｄとＰｄ含有量が多い場合には黒いシミが認められ
た。同様に、ＡｇＰｄＴｉ合金薄膜では、０．１〜３．
０ｗｔ％Ｐｄおよび０．１〜３．０ｗｔ％Ｔｉの場合
に、変化は認められなかった。また、３．５ｗｔ％Ｐｄ
とＰｄ含有量が多い場合には黒いシミが認められた。こ
のように、第三の元素としてＣｕやＴｉを添加すること
により、耐候性の改善が認められ、より高い信頼性が得
られた。
【００４０】つぎに、塩化試験から得られた知見につい
て説明する。Ａｇ薄膜では、塩化によるものと思われる
膜の白濁化が認められた。また、Ａｇ薄膜と基板の間に
塩水が浸透し、Ａｇ薄膜が基板から部分的に浮いている
現象が認められた。これは、Ａｇ薄膜とプラスティック
基板との密着力が弱いことに起因するものと考えられ
る。
て説明する。Ａｇ薄膜では、塩化によるものと思われる
膜の白濁化が認められた。また、Ａｇ薄膜と基板の間に
塩水が浸透し、Ａｇ薄膜が基板から部分的に浮いている
現象が認められた。これは、Ａｇ薄膜とプラスティック
基板との密着力が弱いことに起因するものと考えられ
る。
【００４１】また、ＡｇＰｄ合金薄膜、すなわちＣｕあ
るいはＴｉの添加されていないＡｇＰｄ合金薄膜では、
Ｐｄの含有量によらず、ＡｇＰｄ合金薄膜と基板との間
に塩水が浸透し、薄膜が基板から部分的に浮いている現
象が認められた。これは、ＡｇＰｄ合金薄膜とプラステ
ィック基板との密着力が弱いことに起因するものと考え
られる。
るいはＴｉの添加されていないＡｇＰｄ合金薄膜では、
Ｐｄの含有量によらず、ＡｇＰｄ合金薄膜と基板との間
に塩水が浸透し、薄膜が基板から部分的に浮いている現
象が認められた。これは、ＡｇＰｄ合金薄膜とプラステ
ィック基板との密着力が弱いことに起因するものと考え
られる。
【００４２】また、ＡｇＰｄＣｕ合金またはＡｇＰｄＴ
ｉ合金では、Ｐｄ含有量が０．１ｗｔ％以下と少ない場
合に、薄膜が部分的に腐食され白濁化する現象が観察さ
れた。上述の白濁化、および基板からの膜剥がれは、い
ずれもデータ再生時のエラーレートの増加の原因となる
ため実用上問題となる。
ｉ合金では、Ｐｄ含有量が０．１ｗｔ％以下と少ない場
合に、薄膜が部分的に腐食され白濁化する現象が観察さ
れた。上述の白濁化、および基板からの膜剥がれは、い
ずれもデータ再生時のエラーレートの増加の原因となる
ため実用上問題となる。
【００４３】これらに対し、ＡｇＰｄＣｕ合金薄膜また
はＡｇＰｄＴｉ合金薄膜では、０．１〜３．０ｗｔ％Ｐ
ｄ、および０．１〜３．０ｗｔ％のＣｕあるいはＴｉが
添加された場合に、基板からの膜剥がれは観察されなか
った。このように、第三の元素としてＣｕやＴｉを添加
することにより、耐候性が改善され、かつ基板との接合
性が強化され、より高い信頼性が得られた。
はＡｇＰｄＴｉ合金薄膜では、０．１〜３．０ｗｔ％Ｐ
ｄ、および０．１〜３．０ｗｔ％のＣｕあるいはＴｉが
添加された場合に、基板からの膜剥がれは観察されなか
った。このように、第三の元素としてＣｕやＴｉを添加
することにより、耐候性が改善され、かつ基板との接合
性が強化され、より高い信頼性が得られた。
【００４４】上述した高温高湿試験結果および塩化試験
結果から、両試験をともにクリアする組成として、半透
明反射膜は、０．５〜３．０ｗｔ％のＰｄおよび０．１
〜３．０ｗｔ％のＣｕを含有するＡｇＰｄＣｕ合金から
なるもの、並びに、０．５〜３．０ｗｔ％のＰｄおよび
０．１〜３．０ｗｔ％のＴｉを含有するＡｇＰｄＴｉ合
金薄膜からなるものが有効である。
結果から、両試験をともにクリアする組成として、半透
明反射膜は、０．５〜３．０ｗｔ％のＰｄおよび０．１
〜３．０ｗｔ％のＣｕを含有するＡｇＰｄＣｕ合金から
なるもの、並びに、０．５〜３．０ｗｔ％のＰｄおよび
０．１〜３．０ｗｔ％のＴｉを含有するＡｇＰｄＴｉ合
金薄膜からなるものが有効である。
【００４５】つぎに、スパッタリングターゲット材料に
ついて説明する。スパッタリングターゲット材料として
ＣｕやＴｉをＡｇに添加する場合には、ＣｕやＴｉをＡ
ｇに完全に固溶させることが困難である。したがって、
部分的にＣｕあるいはＴｉの組成が変動するため、その
スパッタリングターゲットを用いて形成されたＡｇＣｕ
合金薄膜、あるいはＡｇＴｉ合金薄膜においても、Ｃｕ
あるいはＴｉの組成が変動し、安定した耐候性あるいは
光学特性を得ることができない。
ついて説明する。スパッタリングターゲット材料として
ＣｕやＴｉをＡｇに添加する場合には、ＣｕやＴｉをＡ
ｇに完全に固溶させることが困難である。したがって、
部分的にＣｕあるいはＴｉの組成が変動するため、その
スパッタリングターゲットを用いて形成されたＡｇＣｕ
合金薄膜、あるいはＡｇＴｉ合金薄膜においても、Ｃｕ
あるいはＴｉの組成が変動し、安定した耐候性あるいは
光学特性を得ることができない。
【００４６】これに対し、ＡｇＰｄ合金に対してＣｕあ
るいはＴｉを添加すると、ＣｕあるいはＴｉは比較的容
易に固溶することがわかった。これは、ＰｄがＡｇ，Ｃ
ｕ，Ｔｉのそれぞれの原子と固溶することが確認されて
いる。したがって、Ｐｄが、固溶助剤としての作用を起
こして、固溶し難いＡｇとＣｕあるいはＴｉに対してそ
れぞれの元素と１次固溶反応を起こしその後に残りの１
元素と２次固溶反応を起こして結合させることで、三元
素間で完全固溶体をつくることが可能になったものと考
えられる。
るいはＴｉを添加すると、ＣｕあるいはＴｉは比較的容
易に固溶することがわかった。これは、ＰｄがＡｇ，Ｃ
ｕ，Ｔｉのそれぞれの原子と固溶することが確認されて
いる。したがって、Ｐｄが、固溶助剤としての作用を起
こして、固溶し難いＡｇとＣｕあるいはＴｉに対してそ
れぞれの元素と１次固溶反応を起こしその後に残りの１
元素と２次固溶反応を起こして結合させることで、三元
素間で完全固溶体をつくることが可能になったものと考
えられる。
【００４７】つぎに、光学記録媒体６の半透明反射膜３
について行った、光学特性の評価結果について説明す
る。最初に、半透明反射膜の光学特性の評価方法につい
て説明する。まず、平滑な表面を有するガラス基板上
に、半透明反射膜であるＡｇＰｄＣｕ合金薄膜またはＡ
ｇＰｄＴｉ合金薄膜をスパッタリング法により形成し
た。
について行った、光学特性の評価結果について説明す
る。最初に、半透明反射膜の光学特性の評価方法につい
て説明する。まず、平滑な表面を有するガラス基板上
に、半透明反射膜であるＡｇＰｄＣｕ合金薄膜またはＡ
ｇＰｄＴｉ合金薄膜をスパッタリング法により形成し
た。
【００４８】その後、半透明反射膜の表面側から平行光
を入射させ、反射率、透過率、および吸収率の測定を行
なった。なお、本測定法により得られた反射率などの光
学特性は、図１のような形態を有する光学記録媒体を用
いてレーザー光を情報層に集光させて測定した反射率な
どの光学特性と異なった値を示す。このことについては
後に詳述する。
を入射させ、反射率、透過率、および吸収率の測定を行
なった。なお、本測定法により得られた反射率などの光
学特性は、図１のような形態を有する光学記録媒体を用
いてレーザー光を情報層に集光させて測定した反射率な
どの光学特性と異なった値を示す。このことについては
後に詳述する。
【００４９】上述の光学特性の測定において、用いた波
長は４００ｎｍおよび６５０ｎｍである。ここで、これ
らの波長を選んだのは、６５０ｎｍが通常の光ディスク
システムに用いられている波長であり、また４００ｎｍ
が高密度記録化のための青色半導体レーザーの波長だか
らである。これらの波長で十分な光学特性を有すること
は重要なことである。
長は４００ｎｍおよび６５０ｎｍである。ここで、これ
らの波長を選んだのは、６５０ｎｍが通常の光ディスク
システムに用いられている波長であり、また４００ｎｍ
が高密度記録化のための青色半導体レーザーの波長だか
らである。これらの波長で十分な光学特性を有すること
は重要なことである。
【００５０】また、双方の波長に満足する光学特性を有
することも実用上おおきなメリットを有する。例えば、
６５０ｎｍと４００ｎｍの双方の波長において、第１の
情報層９と第２の情報層１０の再生を安定に行なうこと
が可能な膜設計を行なっておくと、将来４００ｎｍの青
色レーザーを光源とする光ディスクシステムが開発され
た場合に、６５０ｎｍの赤色レーザーを用いた光ディス
クシステムで再生が可能だったディスク媒体を、そのま
ま青色レーザーのシステムで再生することが可能となる
からである。
することも実用上おおきなメリットを有する。例えば、
６５０ｎｍと４００ｎｍの双方の波長において、第１の
情報層９と第２の情報層１０の再生を安定に行なうこと
が可能な膜設計を行なっておくと、将来４００ｎｍの青
色レーザーを光源とする光ディスクシステムが開発され
た場合に、６５０ｎｍの赤色レーザーを用いた光ディス
クシステムで再生が可能だったディスク媒体を、そのま
ま青色レーザーのシステムで再生することが可能となる
からである。
【００５１】表２は、波長６５０ｎｍの条件で、代表的
な組成を有する半透明反射膜について、反射率、透過
率、および吸収率を測定した結果を示したものである。
な組成を有する半透明反射膜について、反射率、透過
率、および吸収率を測定した結果を示したものである。
【００５２】
【表２】
【００５３】表２に見られるように、各組成とも膜厚の
増加とともに反射率は増加し、逆に透過率は減少し、ま
た吸収率は増加する。各材料間の同じ膜厚に対する反射
率を見ると、膜厚により僅かに異なる値を示しており、
ＰｄＣｕあるいはＰｄＴｉの添加により概ね僅かではあ
るが反射率が低下し、吸収率が増加するという傾向が見
られる。しかし、これらはごく僅かの違いであり、膜厚
に換算すると１ｎｍ程度、あるいはそれ以下の差として
見積もられるため、波長６５０ｎｍでのこれらの材料間
での光学特性はほぼ同等と考えられる。
増加とともに反射率は増加し、逆に透過率は減少し、ま
た吸収率は増加する。各材料間の同じ膜厚に対する反射
率を見ると、膜厚により僅かに異なる値を示しており、
ＰｄＣｕあるいはＰｄＴｉの添加により概ね僅かではあ
るが反射率が低下し、吸収率が増加するという傾向が見
られる。しかし、これらはごく僅かの違いであり、膜厚
に換算すると１ｎｍ程度、あるいはそれ以下の差として
見積もられるため、波長６５０ｎｍでのこれらの材料間
での光学特性はほぼ同等と考えられる。
【００５４】なお、戻り光量の算出にあたり上記の光学
特性実験方法で用いたサンプルと実際の光学記録媒体と
の膜の境界条件が異なるため、以下のような手法により
補正を行なった。上記の実験結果から複素屈折率を求
め、その値から図１に示されるような構造の光学記録媒
体、すなわち再生光の入射側の媒体を空気からプラスチ
ック基板に変更し、第１の情報層からの戻り光量Ｓ１、
および第２の情報層からの戻り光量Ｓ２を算出した。
特性実験方法で用いたサンプルと実際の光学記録媒体と
の膜の境界条件が異なるため、以下のような手法により
補正を行なった。上記の実験結果から複素屈折率を求
め、その値から図１に示されるような構造の光学記録媒
体、すなわち再生光の入射側の媒体を空気からプラスチ
ック基板に変更し、第１の情報層からの戻り光量Ｓ１、
および第２の情報層からの戻り光量Ｓ２を算出した。
【００５５】図２は、波長６５０ｎｍにおけるＡｇ薄膜
について、戻り光量Ｓ１と膜厚との関係、並びに、戻り
光量Ｓ２と膜厚との関係を示した図である。また図３
は、波長４００ｎｍにおけるＡｇ薄膜について、戻り光
量Ｓ１と膜厚との関係、並びに、戻り光量Ｓ２と膜厚と
の関係を示した図である。図２から、安定したデータの
再生を行なうための条件、すなわちＳ１≧１０％、およ
びＳ２≧１０％を同時に満足する膜厚を求めると、５ｎ
ｍ以上、かつ１８ｎｍ以下の範囲となる。また、図３か
らも同様に膜厚を求めると、１０ｎｍ以上となる。上限
の値は、Ｓ２の曲線の外挿により２６ｎｍと推定され
る。
について、戻り光量Ｓ１と膜厚との関係、並びに、戻り
光量Ｓ２と膜厚との関係を示した図である。また図３
は、波長４００ｎｍにおけるＡｇ薄膜について、戻り光
量Ｓ１と膜厚との関係、並びに、戻り光量Ｓ２と膜厚と
の関係を示した図である。図２から、安定したデータの
再生を行なうための条件、すなわちＳ１≧１０％、およ
びＳ２≧１０％を同時に満足する膜厚を求めると、５ｎ
ｍ以上、かつ１８ｎｍ以下の範囲となる。また、図３か
らも同様に膜厚を求めると、１０ｎｍ以上となる。上限
の値は、Ｓ２の曲線の外挿により２６ｎｍと推定され
る。
【００５６】したがって、Ａｇ薄膜については、波長６
５０ｎｍにおいて安定した再生を行なうための半透明反
射膜の膜厚範囲は５ｎｍ以上、１８ｎｍ以下であり、４
００ｎｍでは１０ｎｍ以上、２６ｎｍ以下となる。さら
に、波長６５０ｎｍおよび波長４００ｎｍの双方におい
て、安定した再生を行なうために適した膜厚範囲は１０
ｎｍ以上、１８ｎｍ以下となる。
５０ｎｍにおいて安定した再生を行なうための半透明反
射膜の膜厚範囲は５ｎｍ以上、１８ｎｍ以下であり、４
００ｎｍでは１０ｎｍ以上、２６ｎｍ以下となる。さら
に、波長６５０ｎｍおよび波長４００ｎｍの双方におい
て、安定した再生を行なうために適した膜厚範囲は１０
ｎｍ以上、１８ｎｍ以下となる。
【００５７】表３は、波長４００ｎｍまたは６５０ｎｍ
の条件で、膜厚１０ｎｍの各種組成のＡｇＰｄＣｕ薄膜
およびＡｇＰｄＴｉ合金薄膜について、光学特性を測定
した結果を示すものである。測定方法は前述のガラスサ
ンプルを用いた方法と同じである。
の条件で、膜厚１０ｎｍの各種組成のＡｇＰｄＣｕ薄膜
およびＡｇＰｄＴｉ合金薄膜について、光学特性を測定
した結果を示すものである。測定方法は前述のガラスサ
ンプルを用いた方法と同じである。
【００５８】
【表３】
【００５９】表３に示された種々の組成の中で、Ａｇ薄
膜の特性に近い光学特性を有するものは前述の有効膜厚
範囲が、ほぼそのまま適用できる。しかし、Ｔｉ添加量
の多いＡｇＰｄＴｉ合金薄膜の波長４００ｎｍにおける
測定結果ではＡｇ膜との差は顕著である。反射率が最大
５％低下し、吸収率は８％増加する。このように、光学
特性がＡｇからずれる場合は、その膜厚範囲を補正する
必要がある。
膜の特性に近い光学特性を有するものは前述の有効膜厚
範囲が、ほぼそのまま適用できる。しかし、Ｔｉ添加量
の多いＡｇＰｄＴｉ合金薄膜の波長４００ｎｍにおける
測定結果ではＡｇ膜との差は顕著である。反射率が最大
５％低下し、吸収率は８％増加する。このように、光学
特性がＡｇからずれる場合は、その膜厚範囲を補正する
必要がある。
【００６０】図４は、表２に示したＡｇ、Ａｇ−１．２
ｗｔ％Ｐｄ−１．３ｗｔ％Ｃｕ、およびＡｇ−１．２ｗ
ｔ％Ｐｄ−１．３ｗｔ％Ｔｉにおける反射率（％）と膜
圧（ｎｍ）の関係を示した図である。この図４からわか
るように、この膜厚範囲において、膜厚と反射率の間に
はほぼ比例関係が成立する。
ｗｔ％Ｐｄ−１．３ｗｔ％Ｃｕ、およびＡｇ−１．２ｗ
ｔ％Ｐｄ−１．３ｗｔ％Ｔｉにおける反射率（％）と膜
圧（ｎｍ）の関係を示した図である。この図４からわか
るように、この膜厚範囲において、膜厚と反射率の間に
はほぼ比例関係が成立する。
【００６１】一方、図２で説明したように、波長６５０
ｎｍにおいては膜厚が５ｎｍあれば、戻り光量Ｓ１は１
０％を確保できる。他方、表３からわかるように、波長
６５０ｎｍにおいてはＡｇ薄膜の反射率が３５．５％で
あるに対して、０．５〜３．０ｗｔ％Ｐｄおよび０．１
〜３．０ｗｔ％Ｃｕを含有するＡｇＰｄＣｕ合金のうち
最も反射率が小さいものは３４．２％である。この３
４．２％の反射率を３５．５％にするためには、膜厚を
その分厚くすればよいのであるから、必要な膜厚は次式
のようになる。すなわち３５．５／３４．２×５＝５．
２となる。ここで、少数第１位を四捨五入すると５ｎｍ
になる。このことから０．５〜３．０ｗｔ％Ｐｄおよび
０．１〜３．０ｗｔ％Ｃｕを含有するＡｇＰｄＣｕ合金
において必要な最小の膜厚は５ｎｍとなる。
ｎｍにおいては膜厚が５ｎｍあれば、戻り光量Ｓ１は１
０％を確保できる。他方、表３からわかるように、波長
６５０ｎｍにおいてはＡｇ薄膜の反射率が３５．５％で
あるに対して、０．５〜３．０ｗｔ％Ｐｄおよび０．１
〜３．０ｗｔ％Ｃｕを含有するＡｇＰｄＣｕ合金のうち
最も反射率が小さいものは３４．２％である。この３
４．２％の反射率を３５．５％にするためには、膜厚を
その分厚くすればよいのであるから、必要な膜厚は次式
のようになる。すなわち３５．５／３４．２×５＝５．
２となる。ここで、少数第１位を四捨五入すると５ｎｍ
になる。このことから０．５〜３．０ｗｔ％Ｐｄおよび
０．１〜３．０ｗｔ％Ｃｕを含有するＡｇＰｄＣｕ合金
において必要な最小の膜厚は５ｎｍとなる。
【００６２】同様な計算を０．５〜３．０ｗｔ％Ｐｄお
よび０．１〜３．０ｗｔ％Ｔｉを含有するＡｇＰｄＴｉ
合金についてもすると３５．５／３２．７×５＝５．４
となる。少数第１位を四捨五入すると５ｎｍとなる。こ
のことから０．５〜３．０ｗｔ％Ｐｄおよび０．１〜
３．０ｗｔ％Ｔｉを含有するＡｇＰｄＴｉ合金において
必要な最小の膜厚は５ｎｍとなる。
よび０．１〜３．０ｗｔ％Ｔｉを含有するＡｇＰｄＴｉ
合金についてもすると３５．５／３２．７×５＝５．４
となる。少数第１位を四捨五入すると５ｎｍとなる。こ
のことから０．５〜３．０ｗｔ％Ｐｄおよび０．１〜
３．０ｗｔ％Ｔｉを含有するＡｇＰｄＴｉ合金において
必要な最小の膜厚は５ｎｍとなる。
【００６３】また、図２からわかるように、波長６５０
ｎｍにおけるＡｇの膜厚の最大値は１８ｎｍである。こ
の場合、戻り光量Ｓ２を１０％以上にすることが条件と
なる。また、戻り光量Ｓ２は、半透明反射膜の透過率の
２乗に比例する。
ｎｍにおけるＡｇの膜厚の最大値は１８ｎｍである。こ
の場合、戻り光量Ｓ２を１０％以上にすることが条件と
なる。また、戻り光量Ｓ２は、半透明反射膜の透過率の
２乗に比例する。
【００６４】一方、表３からＡｇ薄膜の透過率が５１．
２％であるのに対して、０．５〜３．０ｗｔ％Ｐｄおよ
び０．１〜３．０ｗｔ％Ｃｕを含有するＡｇＰｄＣｕ合
金、および０．５〜３．０ｗｔ％Ｐｄおよび０．１〜
３．０ｗｔ％Ｔｉを含有するＡｇＰｄＴｉ合金の透過率
は、この値よりも大きい。したがって、Ａｇ以外の合金
の戻り光量Ｓ２は、Ａｇの戻り光量Ｓ２よりも大きな値
であることがわかる。したがって、膜厚の最大値は１８
ｎｍと見ておけば十分であることがわかる。
２％であるのに対して、０．５〜３．０ｗｔ％Ｐｄおよ
び０．１〜３．０ｗｔ％Ｃｕを含有するＡｇＰｄＣｕ合
金、および０．５〜３．０ｗｔ％Ｐｄおよび０．１〜
３．０ｗｔ％Ｔｉを含有するＡｇＰｄＴｉ合金の透過率
は、この値よりも大きい。したがって、Ａｇ以外の合金
の戻り光量Ｓ２は、Ａｇの戻り光量Ｓ２よりも大きな値
であることがわかる。したがって、膜厚の最大値は１８
ｎｍと見ておけば十分であることがわかる。
【００６５】このことから、０．５〜３．０ｗｔ％Ｐｄ
および０．１〜３．０ｗｔ％Ｃｕを含有するＡｇＰｄＣ
ｕ合金において必要な最大の膜厚は１８ｍとする。ま
た、０．５〜３．０ｗｔ％Ｐｄおよび０．１〜３．０ｗ
ｔ％Ｔｉを含有するＡｇＰｄＴｉ合金において必要な最
大の膜厚は１８ｎｍとする。
および０．１〜３．０ｗｔ％Ｃｕを含有するＡｇＰｄＣ
ｕ合金において必要な最大の膜厚は１８ｍとする。ま
た、０．５〜３．０ｗｔ％Ｐｄおよび０．１〜３．０ｗ
ｔ％Ｔｉを含有するＡｇＰｄＴｉ合金において必要な最
大の膜厚は１８ｎｍとする。
【００６６】これらをまとめると、波長６５０ｎｍにお
いて、０．５〜３．０ｗｔ％Ｐｄおよび０．１〜３．０
ｗｔ％Ｃｕを含有するＡｇＰｄＣｕ合金において最適な
膜厚は５〜１８ｎｍとなる。また、波長６５０ｎｍにお
いて、０．５〜３．０ｗｔ％Ｐｄおよび０．１〜３．０
ｗｔ％Ｔｉを含有するＡｇＰｄＴｉ合金において最適な
膜厚は５〜１８ｎｍとなる。
いて、０．５〜３．０ｗｔ％Ｐｄおよび０．１〜３．０
ｗｔ％Ｃｕを含有するＡｇＰｄＣｕ合金において最適な
膜厚は５〜１８ｎｍとなる。また、波長６５０ｎｍにお
いて、０．５〜３．０ｗｔ％Ｐｄおよび０．１〜３．０
ｗｔ％Ｔｉを含有するＡｇＰｄＴｉ合金において最適な
膜厚は５〜１８ｎｍとなる。
【００６７】つぎに、波長が４００ｎｍの場合について
みてみる。図３で説明したように、波長４００ｎｍにお
いて膜厚が１０ｎｍあれば、戻り光量Ｓ１は１０％を確
保できる。一方、表３において、Ａｇの膜厚が１０ｎｍ
であるときその反射率は１５．４％となっている。この
場合に戻り光量Ｓ１は１０％となっている。
みてみる。図３で説明したように、波長４００ｎｍにお
いて膜厚が１０ｎｍあれば、戻り光量Ｓ１は１０％を確
保できる。一方、表３において、Ａｇの膜厚が１０ｎｍ
であるときその反射率は１５．４％となっている。この
場合に戻り光量Ｓ１は１０％となっている。
【００６８】ここで、０．５〜３．０ｗｔ％Ｐｄおよび
０．１〜３．０ｗｔ％Ｃｕを含有するＡｇＰｄＣｕ合金
のうち最も小さい反射率は１４．９％であるから、膜厚
は次式となる。すなわち１５．４／１４．９×１０＝１
０．３となる。少数第１位を四捨五入すると１０ｎｍと
なる。このことから、波長４００ｎｍにおける０．５〜
３．０ｗｔ％Ｐｄおよび０．１〜３．０ｗｔ％Ｃｕを含
有するＡｇＰｄＣｕ合金において必要な最小の膜厚は１
０ｎｍとなる。
０．１〜３．０ｗｔ％Ｃｕを含有するＡｇＰｄＣｕ合金
のうち最も小さい反射率は１４．９％であるから、膜厚
は次式となる。すなわち１５．４／１４．９×１０＝１
０．３となる。少数第１位を四捨五入すると１０ｎｍと
なる。このことから、波長４００ｎｍにおける０．５〜
３．０ｗｔ％Ｐｄおよび０．１〜３．０ｗｔ％Ｃｕを含
有するＡｇＰｄＣｕ合金において必要な最小の膜厚は１
０ｎｍとなる。
【００６９】つぎに、０．５〜３．０ｗｔ％Ｐｄおよび
０．１〜３．０ｗｔ％Ｔｉを含有するＡｇＰｄＴｉ合金
についてみてみる。０．５ｗｔ％Ｐｄおよび０．１ｗｔ
Ｔｉ％を含有するＡｇＰｄＴｉ合金において同様に計算
すると最小の膜厚は１１ｎｍになる。また、０．５〜
２．０ｗｔ％Ｐｄおよび０．１ｗｔＴｉ％を含有するＡ
ｇＰｄＴｉ合金の最小の膜厚は１２ｎｍになる。また、
０．５〜３．０ｗｔ％Ｐｄおよび０．１ｗｔＴｉ％を含
有するＡｇＰｄＴｉ合金の最小の膜厚は１３ｎｍにな
る。また、０．５〜３．０ｗｔ％Ｐｄおよび０．１〜
１．５ｗｔＴｉ％を含有するＡｇＰｄＴｉ合金の最小の
膜厚は１４ｎｍになる。また、０．５〜３．０ｗｔ％Ｐ
ｄおよび０．１〜３．０ｗｔＴｉ％を含有するＡｇＰｄ
Ｔｉ合金の最小の膜厚は１５ｎｍになる。
０．１〜３．０ｗｔ％Ｔｉを含有するＡｇＰｄＴｉ合金
についてみてみる。０．５ｗｔ％Ｐｄおよび０．１ｗｔ
Ｔｉ％を含有するＡｇＰｄＴｉ合金において同様に計算
すると最小の膜厚は１１ｎｍになる。また、０．５〜
２．０ｗｔ％Ｐｄおよび０．１ｗｔＴｉ％を含有するＡ
ｇＰｄＴｉ合金の最小の膜厚は１２ｎｍになる。また、
０．５〜３．０ｗｔ％Ｐｄおよび０．１ｗｔＴｉ％を含
有するＡｇＰｄＴｉ合金の最小の膜厚は１３ｎｍにな
る。また、０．５〜３．０ｗｔ％Ｐｄおよび０．１〜
１．５ｗｔＴｉ％を含有するＡｇＰｄＴｉ合金の最小の
膜厚は１４ｎｍになる。また、０．５〜３．０ｗｔ％Ｐ
ｄおよび０．１〜３．０ｗｔＴｉ％を含有するＡｇＰｄ
Ｔｉ合金の最小の膜厚は１５ｎｍになる。
【００７０】一方、図３において戻り光量Ｓ２の曲線の
外挿値から、波長４００ｎｍのＡｇにおける最大膜厚は
２６ｎｍであった。このときＡｇの透過率は７５．８％
である。これに対して、０．５〜３．０ｗｔ％Ｐｄおよ
び０．１〜３．０ｗｔ％Ｃｕを含有するＡｇＰｄＣｕ合
金の最も小さい透過率は７２．９％となっている。ここ
で、膜厚と透過率が反比例すると仮定すると必要な最大
膜厚は次式となる。すなわち７２．９／７５．８×２６
＝２５．０となる。このことから、０．５〜３．０ｗｔ
％Ｐｄおよび０．１〜３．０ｗｔ％Ｃｕを含有するＡｇ
ＰｄＣｕ合金において必要な最大の膜厚は２５ｎｍとな
る。
外挿値から、波長４００ｎｍのＡｇにおける最大膜厚は
２６ｎｍであった。このときＡｇの透過率は７５．８％
である。これに対して、０．５〜３．０ｗｔ％Ｐｄおよ
び０．１〜３．０ｗｔ％Ｃｕを含有するＡｇＰｄＣｕ合
金の最も小さい透過率は７２．９％となっている。ここ
で、膜厚と透過率が反比例すると仮定すると必要な最大
膜厚は次式となる。すなわち７２．９／７５．８×２６
＝２５．０となる。このことから、０．５〜３．０ｗｔ
％Ｐｄおよび０．１〜３．０ｗｔ％Ｃｕを含有するＡｇ
ＰｄＣｕ合金において必要な最大の膜厚は２５ｎｍとな
る。
【００７１】同様に０．５〜３．０ｗｔ％Ｐｄおよび
０．１〜３．０ｗｔ％Ｔｉを含有するＡｇＰｄＴｉ合金
について計算した。この結果、０．５〜３．０ｗｔ％Ｐ
ｄおよび０．１〜３．０ｗｔ％Ｔｉを含有するＡｇＰｄ
Ｔｉ合金において必要な最大の膜厚は２５ｎｍとなる。
０．１〜３．０ｗｔ％Ｔｉを含有するＡｇＰｄＴｉ合金
について計算した。この結果、０．５〜３．０ｗｔ％Ｐ
ｄおよび０．１〜３．０ｗｔ％Ｔｉを含有するＡｇＰｄ
Ｔｉ合金において必要な最大の膜厚は２５ｎｍとなる。
【００７２】これらのことをまとめると、波長４００ｎ
ｍにおける０．５〜３．０ｗｔ％Ｐｄおよび０．１〜
３．０ｗｔ％Ｃｕを含有するＡｇＰｄＣｕ合金において
最適な膜厚は１０〜２５ｎｍとなる。また、波長４００
ｎｍにおける０．５ｗｔ％Ｐｄおよび０．１ｗｔＴｉ％
を含有するＡｇＰｄＴｉ合金において最適な膜厚は１１
〜２５ｎｍになる。また、波長４００ｎｍにおける０．
５〜２．０ｗｔ％Ｐｄおよび０．１ｗｔＴｉ％を含有す
るＡｇＰｄＴｉ合金の最適な膜厚は１２〜２５ｎｍにな
る。また、波長４００ｎｍにおける０．５〜３．０ｗｔ
％Ｐｄおよび０．１ｗｔＴｉ％を含有するＡｇＰｄＴｉ
合金の最適な膜厚は１３〜２５ｎｍになる。また、波長
４００ｎｍにおける０．５〜３．０ｗｔ％Ｐｄおよび
０．１〜１．５ｗｔＴｉ％を含有するＡｇＰｄＴｉ合金
の最適な膜厚は１４〜２５ｎｍになる。また、波長４０
０ｎｍにおける０．５〜３．０ｗｔ％Ｐｄおよび０．１
〜３．０ｗｔＴｉ％を含有するＡｇＰｄＴｉ合金の最適
な膜厚は１５〜２５ｎｍになる。
ｍにおける０．５〜３．０ｗｔ％Ｐｄおよび０．１〜
３．０ｗｔ％Ｃｕを含有するＡｇＰｄＣｕ合金において
最適な膜厚は１０〜２５ｎｍとなる。また、波長４００
ｎｍにおける０．５ｗｔ％Ｐｄおよび０．１ｗｔＴｉ％
を含有するＡｇＰｄＴｉ合金において最適な膜厚は１１
〜２５ｎｍになる。また、波長４００ｎｍにおける０．
５〜２．０ｗｔ％Ｐｄおよび０．１ｗｔＴｉ％を含有す
るＡｇＰｄＴｉ合金の最適な膜厚は１２〜２５ｎｍにな
る。また、波長４００ｎｍにおける０．５〜３．０ｗｔ
％Ｐｄおよび０．１ｗｔＴｉ％を含有するＡｇＰｄＴｉ
合金の最適な膜厚は１３〜２５ｎｍになる。また、波長
４００ｎｍにおける０．５〜３．０ｗｔ％Ｐｄおよび
０．１〜１．５ｗｔＴｉ％を含有するＡｇＰｄＴｉ合金
の最適な膜厚は１４〜２５ｎｍになる。また、波長４０
０ｎｍにおける０．５〜３．０ｗｔ％Ｐｄおよび０．１
〜３．０ｗｔＴｉ％を含有するＡｇＰｄＴｉ合金の最適
な膜厚は１５〜２５ｎｍになる。
【００７３】さらに、０．５〜３．０ｗｔ％Ｐｄおよび
０．１〜３．０ｗｔ％Ｃｕを含有するＡｇＰｄＣｕ合金
において、波長４００ｎｍおよび６５０ｎｍの双方を同
時に満足する最適な膜厚は１０〜１８ｎｍである。
０．１〜３．０ｗｔ％Ｃｕを含有するＡｇＰｄＣｕ合金
において、波長４００ｎｍおよび６５０ｎｍの双方を同
時に満足する最適な膜厚は１０〜１８ｎｍである。
【００７４】また、０．５ｗｔ％Ｐｄおよび０．１ｗｔ
Ｔｉ％を含有するＡｇＰｄＴｉ合金において、波長４０
０ｎｍおよび６５０ｎｍの双方を同時に満足する最適な
膜厚は１１〜１８ｎｍになる。また、０．５〜２．０ｗ
ｔ％Ｐｄおよび０．１ｗｔＴｉ％を含有するＡｇＰｄＴ
ｉ合金において、波長４００ｎｍおよび６５０ｎｍの双
方を同時に満足する最適な膜厚は１２〜１８ｎｍにな
る。また、０．５〜３．０ｗｔ％Ｐｄおよび０．１ｗｔ
Ｔｉ％を含有するＡｇＰｄＴｉ合金において、波長４０
０ｎｍおよび６５０ｎｍの双方を同時に満足する最適な
膜厚は１３〜１８ｎｍになる。また、０．５〜３．０ｗ
ｔ％Ｐｄおよび０．１〜１．５ｗｔＴｉ％を含有するＡ
ｇＰｄＴｉ合金において、波長４００ｎｍおよび６５０
ｎｍの双方を同時に満足する最適な膜厚は１４〜１８ｎ
ｍになる。また、０．５〜３．０ｗｔ％Ｐｄおよび０．
１〜３．０ｗｔＴｉ％を含有するＡｇＰｄＴｉ合金にお
いて、波長４００ｎｍおよび６５０ｎｍの双方を同時に
満足する最適な膜厚は１５〜１８ｎｍになる。
Ｔｉ％を含有するＡｇＰｄＴｉ合金において、波長４０
０ｎｍおよび６５０ｎｍの双方を同時に満足する最適な
膜厚は１１〜１８ｎｍになる。また、０．５〜２．０ｗ
ｔ％Ｐｄおよび０．１ｗｔＴｉ％を含有するＡｇＰｄＴ
ｉ合金において、波長４００ｎｍおよび６５０ｎｍの双
方を同時に満足する最適な膜厚は１２〜１８ｎｍにな
る。また、０．５〜３．０ｗｔ％Ｐｄおよび０．１ｗｔ
Ｔｉ％を含有するＡｇＰｄＴｉ合金において、波長４０
０ｎｍおよび６５０ｎｍの双方を同時に満足する最適な
膜厚は１３〜１８ｎｍになる。また、０．５〜３．０ｗ
ｔ％Ｐｄおよび０．１〜１．５ｗｔＴｉ％を含有するＡ
ｇＰｄＴｉ合金において、波長４００ｎｍおよび６５０
ｎｍの双方を同時に満足する最適な膜厚は１４〜１８ｎ
ｍになる。また、０．５〜３．０ｗｔ％Ｐｄおよび０．
１〜３．０ｗｔＴｉ％を含有するＡｇＰｄＴｉ合金にお
いて、波長４００ｎｍおよび６５０ｎｍの双方を同時に
満足する最適な膜厚は１５〜１８ｎｍになる。
【００７５】以上のことから、本発明の実施の形態によ
れば、耐候性試験および光学特性測定の結果より、Ａｇ
をベース材料として、Ｐｄを０．５〜３．０ｗｔ％、さ
らに第三元素としてＣｕを０．１〜３．０ｗｔ％、ある
いはＴｉを０．１〜３．０ｗｔ％のいずれかが添加され
たＡｇＰｄＣｕ合金薄膜、あるいはＡｇＰｄＴｉ合金薄
膜を半透明反射膜に用いることにより、耐候性が改善さ
れ、かつ基板との接合性が強化され、より高い信頼性が
得られる。
れば、耐候性試験および光学特性測定の結果より、Ａｇ
をベース材料として、Ｐｄを０．５〜３．０ｗｔ％、さ
らに第三元素としてＣｕを０．１〜３．０ｗｔ％、ある
いはＴｉを０．１〜３．０ｗｔ％のいずれかが添加され
たＡｇＰｄＣｕ合金薄膜、あるいはＡｇＰｄＴｉ合金薄
膜を半透明反射膜に用いることにより、耐候性が改善さ
れ、かつ基板との接合性が強化され、より高い信頼性が
得られる。
【００７６】また、半透明反射膜を所定の膜厚にするこ
とにより、波長が６５０ｎｍまたは４００ｎｍのいずれ
かの条件のときに、並びに、６５０ｎｍおよび４００ｎ
ｍの双方を同時に満足する条件のときに、安定した再生
が可能な光学記録媒体を得ることができる。なお、６５
０ｎｍと４００ｎｍの波長の間の波長においても安定な
再生が可能なことは言うまでもない。
とにより、波長が６５０ｎｍまたは４００ｎｍのいずれ
かの条件のときに、並びに、６５０ｎｍおよび４００ｎ
ｍの双方を同時に満足する条件のときに、安定した再生
が可能な光学記録媒体を得ることができる。なお、６５
０ｎｍと４００ｎｍの波長の間の波長においても安定な
再生が可能なことは言うまでもない。
【００７７】また、上述の組成範囲の合金は容易に固溶
するため、微小な領域にまでわたり均一な組成のスパッ
タリングターゲットを作製することが可能であり、その
スパッタリングターゲットを用いることによって微小領
域での組成が均一である薄膜を作製することができる。
するため、微小な領域にまでわたり均一な組成のスパッ
タリングターゲットを作製することが可能であり、その
スパッタリングターゲットを用いることによって微小領
域での組成が均一である薄膜を作製することができる。
【００７８】なお、上述の発明の実施の形態において
は、Ａｇをベース材料として、Ｐｄを０．５〜３．０ｗ
ｔ％、さらに第三元素としてＣｕを０．１〜３．０ｗｔ
％、あるいはＴｉを０．１〜３．０ｗｔ％のいずれかが
添加されたＡｇＰｄＣｕ合金薄膜、あるいはＡｇＰｄＴ
ｉ合金薄膜を半透明反射膜に用いることについて説明し
たが、第三元素はＣｕ、Ｔｉに限定されるわけではな
い。すなわち、このほかの金属、例えば、Ｃｒ，Ａｕ，
Ａｌ，Ｒｈなども採用することができることはもちろん
である。
は、Ａｇをベース材料として、Ｐｄを０．５〜３．０ｗ
ｔ％、さらに第三元素としてＣｕを０．１〜３．０ｗｔ
％、あるいはＴｉを０．１〜３．０ｗｔ％のいずれかが
添加されたＡｇＰｄＣｕ合金薄膜、あるいはＡｇＰｄＴ
ｉ合金薄膜を半透明反射膜に用いることについて説明し
たが、第三元素はＣｕ、Ｔｉに限定されるわけではな
い。すなわち、このほかの金属、例えば、Ｃｒ，Ａｕ，
Ａｌ，Ｒｈなども採用することができることはもちろん
である。
【００７９】また、発明の実施の形態においては、２つ
の情報層を有する構造のディスク状、いわゆる円盤状の
光ディスクについて説明したが、本発明はこのような光
ディスクや形状に限られるものではなく、単層または３
層以上の情報層を有する光ディスク、光磁気ディスク、
相変化型光ディスク、その他カード状またはシート状の
記録媒体等、情報層に金属薄膜を有する各種の光学記録
媒体に適用することができる。
の情報層を有する構造のディスク状、いわゆる円盤状の
光ディスクについて説明したが、本発明はこのような光
ディスクや形状に限られるものではなく、単層または３
層以上の情報層を有する光ディスク、光磁気ディスク、
相変化型光ディスク、その他カード状またはシート状の
記録媒体等、情報層に金属薄膜を有する各種の光学記録
媒体に適用することができる。
【００８０】また、例えば２枚の透明基板上にそれぞれ
２層以上の情報層を形成し、これら透明基板をその情報
層を有する面をつき合わせ接合して形成し、両透明基板
側から光照射を行うようにした構成とすることもできる
など種々の構造とすることができる。
２層以上の情報層を形成し、これら透明基板をその情報
層を有する面をつき合わせ接合して形成し、両透明基板
側から光照射を行うようにした構成とすることもできる
など種々の構造とすることができる。
【００８１】また、本発明は上述の実施の形態に限らず
本発明の要旨を逸脱することなくその他種々の構成を採
り得ることはもちろんである。
本発明の要旨を逸脱することなくその他種々の構成を採
り得ることはもちろんである。
【００８２】
【発明の効果】本発明は、以下に記載されるような効果
を奏する。半透明反射膜が、０．５〜３．０ｗｔ％のＰ
ｄ、および０．１〜３．０ｗｔ％のＣｕを含有するＡｇ
ＰｄＣｕ合金薄膜、または０．５〜３．０ｗｔ％のＰ
ｄ、および０．１〜３．０ｗｔ％のＴｉを含有するＡｇ
ＰｄＴｉ合金薄膜からなるので、半透明反射膜の耐候性
が改善され、かつ半透明反射膜と基板との接合性が強化
され、より高い信頼性が得られる。また、半透明反射膜
を所定の膜厚にすることにより、安定した再生が可能な
光学記録媒体を得ることができる。
を奏する。半透明反射膜が、０．５〜３．０ｗｔ％のＰ
ｄ、および０．１〜３．０ｗｔ％のＣｕを含有するＡｇ
ＰｄＣｕ合金薄膜、または０．５〜３．０ｗｔ％のＰ
ｄ、および０．１〜３．０ｗｔ％のＴｉを含有するＡｇ
ＰｄＴｉ合金薄膜からなるので、半透明反射膜の耐候性
が改善され、かつ半透明反射膜と基板との接合性が強化
され、より高い信頼性が得られる。また、半透明反射膜
を所定の膜厚にすることにより、安定した再生が可能な
光学記録媒体を得ることができる。
【図１】本発明に係る光学記録媒体の一例を示した側面
図である。
図である。
【図２】波長６５０ｎｍにおけるＡｇ薄膜について、戻
り光量Ｓ１と膜厚との関係、並びに、戻り光量Ｓ２と膜
厚との関係を示した図である。
り光量Ｓ１と膜厚との関係、並びに、戻り光量Ｓ２と膜
厚との関係を示した図である。
【図３】波長４００ｎｍにおけるＡｇ薄膜について、戻
り光量Ｓ１と膜厚との関係、並びに、戻り光量Ｓ２と膜
厚との関係を示した図である。
り光量Ｓ１と膜厚との関係、並びに、戻り光量Ｓ２と膜
厚との関係を示した図である。
【図４】表２に示したＡｇ、Ａｇ−１．２ｗｔ％Ｐｄ−
１．３ｗｔ％Ｃｕ、およびＡｇ−１．２ｗｔ％Ｐｄ−
１．３ｗｔ％Ｔｉにおける反射率（％）と膜圧（ｎｍ）
の関係を示した図である。
１．３ｗｔ％Ｃｕ、およびＡｇ−１．２ｗｔ％Ｐｄ−
１．３ｗｔ％Ｔｉにおける反射率（％）と膜圧（ｎｍ）
の関係を示した図である。
１，２‥‥基板、３‥‥半透明反射膜、４‥‥反射膜、
５‥‥透明接着剤、６‥‥光学記録媒体、７‥‥対物レ
ンズ、８‥‥再生光、９‥‥第１の情報層、１０‥‥第
２の情報層
５‥‥透明接着剤、６‥‥光学記録媒体、７‥‥対物レ
ンズ、８‥‥再生光、９‥‥第１の情報層、１０‥‥第
２の情報層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 上野 崇 東京都豊島区南大塚２−37−５ ＭＳＢ− 21 南大塚ビル10Ｆ 株式会社フルヤ金属 内 (72)発明者 地主 啓一郎 東京都豊島区南大塚２−37−５ ＭＳＢ− 21 南大塚ビル10Ｆ 株式会社フルヤ金属 内 (72)発明者 荒谷 勝久 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 岩崎 眞明 東京都品川区北品川６丁目７番35号 株式 会社ソニー・ディスクテクノロジー内 (72)発明者 三宅 了平 東京都品川区北品川６丁目７番35号 株式 会社ソニー・ディスクテクノロジー内 Ｆターム(参考） 5D029 JB06 MA08 MA17
Claims (6)
- 【請求項１】 半透明反射膜を有する情報層と反射膜を
有する情報層が合わせて２層以上積層され、共通の方向
からの光照射によって、情報の記録若しくは再生の少な
くとも一方がなされる光学記録媒体であって、 上記半透明反射膜は、０．５〜３．０ｗｔ％のＰｄ、お
よび０．１〜３．０ｗｔ％のＣｕを含有するＡｇＰｄＣ
ｕ合金薄膜からなることを特徴とする光学記録媒体。 - 【請求項２】 半透明反射膜は、厚さが１０〜２５ｎｍ
であることを特徴とする請求項１記載の光学記録媒体。 - 【請求項３】 半透明反射膜は、厚さが５〜１８ｎｍで
あることを特徴とする請求項１記載の光学記録媒体。 - 【請求項４】 半透明反射膜を有する情報層と反射膜を
有する情報層が合わせて２層以上積層され、共通の方向
からの光照射によって、情報の記録若しくは再生の少な
くとも一方がなされる光学記録媒体であって、 上記半透明反射膜は、０．５〜３．０ｗｔ％のＰｄ、お
よび０．１〜３．０ｗｔ％のＴｉを含有するＡｇＰｄＴ
ｉ合金薄膜からなることを特徴とする光学記録媒体。 - 【請求項５】 半透明反射膜は、厚さが１５〜２５ｎｍ
であることを特徴とする請求項４記載の光学記録媒体。 - 【請求項６】 半透明反射膜は、厚さが５〜１８ｎｍで
あることを特徴とする請求項４記載の光学記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08907199A JP4260972B2 (ja) | 1999-03-30 | 1999-03-30 | 光学記録媒体 |
| US09/399,108 US6228457B1 (en) | 1999-03-30 | 1999-09-20 | Optical data storage medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08907199A JP4260972B2 (ja) | 1999-03-30 | 1999-03-30 | 光学記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000285517A true JP2000285517A (ja) | 2000-10-13 |
| JP4260972B2 JP4260972B2 (ja) | 2009-04-30 |
Family
ID=13960631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08907199A Expired - Lifetime JP4260972B2 (ja) | 1999-03-30 | 1999-03-30 | 光学記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6228457B1 (ja) |
| JP (1) | JP4260972B2 (ja) |
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| US7384677B2 (en) | 1998-06-22 | 2008-06-10 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or semi-reflective layer of an optical storage medium |
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1999
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- 1999-09-20 US US09/399,108 patent/US6228457B1/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4260972B2 (ja) | 2009-04-30 |
| US6228457B1 (en) | 2001-05-08 |
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Legal Events
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140220 Year of fee payment: 5 |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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