TW504689B - Optical data storage wafer and its manufacturing method - Google Patents

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Martin Dubs
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Unaxis Balzers Ag
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Description

504689 A7 B7 五、發明說明（/ ) -----!奢 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明是有鼷於一種光擧式資料儲存晶圖，在其中， 從晶國表面在晶画厚度範醒發展」至少設有兩儸界面， 其毎一傭根據相對應的儲存資料而為玀特，並且其中在 其内部溧處設置，一反射靥的獮特界面，此反射靥具有 至少輿一部份反射層/部份透射層之一傭另一傭界面， 其每一锢用於被提供光的波長，並且在相同的射入角度 <90'之下，其中此外在比表面輿反射靥之間其餘的晶 圓材料，將所提到的光在基本上透射。因而此反射層是 由第一種金羼合金，此部份反射層是由一第二種金饜合 金所構成❹ 一傭此種資料儲存晶圓是由US-A- 5 6 4 0 38 2画為習知 。從此晶鼷的表面在晶鼸厚度的方向中發展，它首先具 有一透明層，然後是一部份反射層在一傭第一資訊獨待 界面上，然後是一透射的閬隔靥，以及最後是在一第二 資訊獨特界面上的一高反射層β 此首先所提到的透明靥可以因此由一種聚合材料所構 成，像是例如由多磺酸鹽或是兩性聚烯烴講成。» —方 面，它在此可以是使用玻璃或是聚甲基丙烯酸甲酯。聚 所周知的（出處_上）此基板可以是由ΡΜΜΑ所_成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此外，藺隔保持層是例如由一種聚合物所構成。此用 於介於800至800奈米（ηι)之間的雷射光之高反射雇是由 鋁，金，鑲，鑼或是由它們的合金所構成。此雷射光的 波長範画可以如在他處所提到的一直到達500奈米（niih 較佳是依據所提到的美國專利（OS-PS)對於部份反射 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 504689 A7 B7 五、發明說明（>) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 靥使用金，遒是由於其光學特性以及尤其是其對於環境 影響的穩定性β誡然缳所周知金是價格昂貴。因此對於 所提到的部份反射層再次建議，將金與一鶴較不太貴的 金臛製成合金，以便降低成本。因此，在部份反射靥的 合金中保持至少lOatl的金，較佳是至20iit%的金，以便 對於環境的膨響保持穩定β 作為金的合金金屬建議是用銀或麵β 此美國專利案號US 5 64D 382是有鼸於光學資料儲 存器的結構，從它而導出本發明，其採用作為本發明成 為整體的組成成份。 在此種光學式資料儲存晶圓之中，而構成例如DVD9， 數位化多樣性磁碟（Digital Versatile Disk)。依照 1986年8月第一匯（Version 1)DVD檫準"唯讀磁碟之DVD 規格”中的定義，其要求在所産生的雷射光的波長之中， 尤其是在65D奈米（nm)左右，此由於反射，不但是在部 份反射層上而且是在反射層上所再發出的雷射光必須更 是所射入雷射光的181至301*^此0卩09在今B被理解為 11單面雙靥磁碟1111。 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 本發明的目的是建議一種以上所提到技術的一種光擧 式資料儲存晶鼷，其： •遵守此規格有闘的光線分佈。 *在製造中在基本上是成本有益，以及 •其層具有對於環境影響的化學穩定性，像是例如有酾 於腐蝕，其_足像所習知的資料儲存晶鬪類似檩準中 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規袼（210 X 297公釐） 504689 Α7 ______ B7 五、發明說明（々） 的要求6 此目檫是經由所提到的資料儲存晶_而獲得解決，其 •至少兩層的合金包括一或多種相同的金屬，其中一或 多種金屬共同構成各値合金之超過5QATI的成扮。 •假如此合金包括金，這只到達各値合金最高5QAT %的 部份^ 因此，此合金包括一種或多種相同的金屬，其可能在 各値合金中具有超過5 Q AT t的成份，至少對於此各個的 合金部份使用同一値塗佈來藏配置。因此建立此基礎， 將所提到的資料晶圓的製造過程在基本上合理化❶因此 ，此外，如果情況確實是在合金的一個及/或另一値中 設置有金，則它只實現具有此等合金材料最高5 〇 Α τ %的 成份。此外達成，還有由於對於所使用之合金材料本身 的成本，此根據本發明的晶圓在製造中對成本有益。 雖然其為完金可能，此所提到的多餾相闻的金屬，其 在各別的合金材料中形成一個>50ΑΤΙ的成份。其為層 特定並具有所設不同的成份，而在一較佳的實施例中建 議，此所提到的相同的金屬在合金中具有所沒的相同的 — ------丨丨訂 i (請先閲讀背面之注音？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 金 佈 C 體成 合 塗行整形 在 的進為而 份 屬地作份 成 金樣金成 的 同同合金 體 相時此合 整 到層，的 的 提 β 議樣 屬 所兩建同 金 於置中以 的 用設例地 * 同 ❹個在施佳»5 相成一式實較 此形，方的而 是式能的佳因 的方可有較 ， 佳的得特値屬 較同使層一金 此相量以另的 因以儘置在同 ❹中此裝外相 份料因源此由 成材 來 藉 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規袼（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 504689 A7 B7_ 五、發明說明（4 ) β因此當然可Μ包含其他的像是氮（N ),氧（0 2 )，氬 {Ar)等微量的元素^因而這些層可以緊接著用相同的塗 佈來源配置來設置。 在一儲第一 特別的較佳實施例中，此根據發明的 資料儲存晶圖是所提到之共同的，各糎合金材料大於5 0 atl所構成的金屬，或者特別是較佳此合金作為整體由 Agx Max Mbz 所構成，或是由
Cu X Max Mb z 所構成， 其中x>50ls而x為層所特有，可以在規定的範圍中完 全變化。M a與Mb代表第二與第三金颶。 此外在一傭特別的較佳實施例中，尤其是在使用 AgxMaxMbz之中，將IS(Pd)作為第二金屬使用，而 y 這即是說，其具有較可能所設置的第三金靨Mb為 高的成份^其指出，在所有本發明說明書以及申請專利 範圍所引用列舉的對於X，y, z的數宇說明，作為100atl 之合金中a 11層材料來理解。 因此再進一步的建議，其適用 〇< 10 較佳是 lgy<10 以及 0< 10 較佳是 1 S z < 1 0 其説明，當此以上所提到合金是由所提到的三種金屬 所構成，其各自對於銀（Ag)或麵（Cu)産生： X = 1 0 0 - y - z 在一値另外的沒有第3金屬的較佳實施例中適用： 〇< 15 較佳是 1芸y<15 以及 z = 0 - 6 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) T -^B· ί i n Ml t— 0 n IBB K— n IB n ^ ^ K n mmm— mmmmmm (請先閱讀背面之注奩？事項再填寫本頁) 504689 A7 B7_ 五、發明說明（r ) 其導致銀合金層及/或麵-把層，銀-IE層因此明 顯地較佳。 因此Β外建議，其適用於： 5衾yS 10 較佳是 1< y< 10 以及z = 0 此特別是在具有把（P d)的銀合金層之中為較佳，而比 較好在僅僅由銀-iE所構成的層之中。 尤其待別在此，即對於銀-耙合金層的使用建議選擇： y=8 與 z=0 雖然以上的值還對於 C u X , Max , Mb z 較佳適用，尤其還有對銀-耙合金，其較佳使用銀㈣ 合金或是一種合金，其所包括之銀與把大於5Datl之成 份〇 在作為以上所描逑的第二或第三金屬M a或Mb,尤其是 作為M a，在此情形中不使用上逑較佳的钯（P d )，還可以 使用金，而 以y > z 若對於此所逑及的至少兩個層使用同一合金，並且所 以此兩個合金的折射率以η ，其吸收偽數以k來表示， 因此較佳適用 〇 ^ n/kg 0.28 尤其較佳是 OS n/ki 0.20 此適合具有波長λ=650奈米（uni)的光之中，並旦其層 的材料以散裝的形式存在^因此相對應於在反射層上的 比例，由於其厚度儘可能使其為散裝比例。另外其適合 «ΜΜ ^ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -----------老 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂i 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 504689 A7 B7_ 五、發明說明（b ) 用於金靨合金k>2。 在一掴根據本發明之資料儲存晶圓之S外一値較佳的 實施形式中，其光學待性的穩定性，尤其是此層，因此 反射，傳送，吸收，較好是土 2 I ,較佳是非常較好於 ± 11，當在2 4小時中供應空氣。 在根據本發明的製造方法，它是以申譜專利範圍第1 1 項之本文，根據申請專利範圍第1 2項之較佳實施變化例 ，根據申請專利範圍第1 7項之依據本發明的目標画突出^ 此外在以上提到的目的，是有鼸於規格對成本有益的 製造，以及化學的穩定性因此已經被解決，即，除了形 成反射層，此部份反射層是由：
Agx Max Mbz 所構成；或者由
Cu X Max Mbz 所構成 以χ>501,其中顯示：
Ma: —値第二金屬，除了金 Mb: —値第二三颶，較佳除了金 因此其為可能，在當例如由一鋁合金函形成反射層時 ，其相較於前所習知的對於部份反射層的合金的設置， 在原則上可以獲得大的成本節省。 在一健較佳的實施形式中，此部份反射層是由 AgxMayMbz所構成，並旦耙（Pd)作為第二種金屬使用 ，因此適用y>z。 此外較佳適用於部份反射層上： -8- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -I I I I n n I I n n n · n I n I n n n 一 δ* n n 1 n I n n 1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 504689 五 A7 __B7 、發明說明（7) 0< yS 10 較佳是 1盏y< 10 以及 0< zS 10 較佳是 lSz<10 B—方面適用於在S—値較佳實施形式中，有鼸於^ 份反射層： 0< yS 15 較佳是 y< 15, z = 0 並且因此較佳 5< y < 10 尤其較佳 5<y<10 此外具有z = 0 在一個目前尤其較佳，特別是由AgPd合金所溝成的_ 份反射層中適用： y = 8 z = 0 其因此揩黠參関在以下所說明解釋輿描逑所提到遇W 合金之璨境穩定性，尤其是此AgPd合金，其作為部份反 射層使用。 本發明接著例如根據騮示說明，其顯示： 第1國是以槪要鼸示顯示一經由光學式資料儲存晶鼷 之横截面，此晶圓具有雙資訊載體界面， 第#圈鼸示一趿收僳數曲線，其為靥材料之n/k比例 -----------奢------- — 訂 i·· (讀先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 之爾 第#圖示根據本發明之光學式資料餘存晶國之一傾 較佳式中，直接在其製造之後，在其部份反射靥 上所擁I傅收透射與反射比例β 圏是類似於第3a圓之靆明，是其在空氣中存放13
本紙張尺度適用中國爵家@ (CNS)A4規袼（210 X 297公釐） 504689 A7 B7 五、發明嚴明（方） 小時 所襲I得的比例β 第是類似於第3a園輿第3b屬之比例，是其在空氣 中存小時之後所測得之比例。 在第中以概要圏示讖明在本申讅案中所讅求專利 之技術的一光學式資料儲存晶鼷^它包括，在方向d中 從晶國表面發出向内進展，一傭尤其對其有波長；1=650 奈米（η*)之光為透明的基板1 ,其較佳是由多破酸鹽所 構成。其本身連接箸一傭部份反射之部份反射層L。其 接蕃是一傭間隔保持層3 ,例如是一黏著層，其同樣是 尤其對所提到的光線透射。以及一傭反射靥此以 上所有是在一載體5之上，其例如再度是由多磺酸豔所 構成。在界面1/3與3/5上其每一餾具有所設的層Lg ,
Li是設有資訊鑄造圓案β 具有波長500奈米（na〇S X忘8580奈米（nil)之雷射光ΙΕ ,其較佳是具有λ =650奈米（ηϋ)之波長，是以一個α< 9(Γ的角度對準儲存晶圓，並且在部份反射層L〇上作 部份反射，以具有IG部份重新射出。在L〇上部扮透射 的光在反射層Li上盡可能地完全反射並且以Ii之部份 射出β 假設若根據本發明之一健更較佳之實施形式，此Li， L〇層的金羼合金是相同，因此可以對兩傭合金之折射 率近似於η ,並且其吸收僳數設置為k ，因此用於金 屬或金颶合金的吸收僳數通常為k> 在第2圖中是啜收僳數曲線，其如計算所黼出是n/fc _ 1 0 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------ <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 — 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 504689 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（9 ) 比例之函數β因此從此為開始，將儲存ϊ〇與U完美的 平衡❹此外，在磁碟晶鼷上的反射分佈是完美（土 Dl)以 及沒有其他的損失發生。這由第2圏很明顯它是慧守 0< n/kg 0.28 ，因此較佳 0 < n/kS 0.20, 因此信號值可以大於18¾ 因此，此外在第2圏中所顯示的曲線適用於具有波長 λ=650奈米Ub)的光，以及適用於散裝材料❹ 在實際上是以以下的影響來計算： 傖號損失是5至lflSK ,例如是經由在基板1中的雙折 射，經由將資訊製成鼷案的鑛散損失，反射的可重置性 ，沿箸晶圓碟的反射分佈，其可以計為士 lx或土 m 此在散裝比例上所算得的信號，盡可能地對應於第1_ 的Ii，應該大於1£的22至23X,因此，在工業上的大 量製造中，此信號繼鑛地保持>18%。因此用於工業的製 造較佳是從 0< n/kS 0 . 2 開始，以保證最少可能性的排除。 當在傲合金選擇時，較佳是將具有相同金羼成份的相 同的合金用於Lodi兩镧層，而在依照化擧穩定性與 儘可能少金含量的要求下産生，目前以以下的合金作為 普遽的層的材料。 鲁鏞鈀合余 瘇是經由直流鶸鍍（DC-sputtern)而設置一傭銀鼦合 -11- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規袼（210 X 297公釐） —PI T -I ϋ ϋ Μ·— Μ·— 1 n 0 ϋ ϋ n n n · n 2fJ· mmmmm mmmmmm ί ϋ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 504689 A7 B7 五、發明說明（^ ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 SOL 靶 Ag 92 Pd 8層。作為反射層1 1 的 楚 設 置 具 有 厚 度 >60 奈 米 (π«) 瘳 較 佳是>75奈米（ η應 1 )的合金層。 此被饑鍍的 是 具 有 13 η雄/fcWsee的成 長率 〇 其 光 學 值 僮 可 能 no 地 對 應 於 散 裝 的 銀 m 合 金的光學 值。 以 下 為 所 澜 得 之 值 • 反 射 90% 趿 收 101 η 0 . 511 k 3 . 74 n/k 0 . 136 由 此 值 很 明 顯的，此 對於 先 前 提 到 的 銀 m 合 産 生 0 . 1 3 6的 η /k值 。對於此 在散 裝 材 料 上 所 算 出 的 值 f 可 以 根 據 第 1 _ 的 而算出部份反射層的從13至1 7奈米（ tin) 的 適 當 的 層 厚 度〇 對 於 — 個 此 種部份反 射層 而 得 tit M4 在 第 3a 園 中 所 描 逑 的 % 直 接 在 其 製 造後的， 有鼸 於 透 射 » 反 射 與 暖 收 的 光 學 行 為 〇 在 13小 時 之 後産生根 據第 3b鼷 的 曲 線 f 並 且 最 後 在 空 氣 中 置 放 37 .5小時後産 生根 據 第 3 c 圖 的 曲 線 〇 從 此 使 其 得 出結論， 粮據 本 發 明 所 設 計 之 層 9 當 它 置 放 於 空 網 之 中 至少24小 時之 時 t 可 以 實 現 最 大 的 穩 定 度 9 其 具 有 光 mst 學 特性的穩 定度 > 即 其 在 從 500至 900 奈 米 (η雄) 之 整 傭 偵 獮 範 圍之中的 反射 、 透 射 與 峨 收 是 優 於 土 2% 〇 此 特 荆 較 佳 的 銀鼦合金 所列 舉 的 圓 示 而 産 生 的 穩 定 性 非 常優於土 1Ϊ。 -12- ------------ (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) ^ ill —— 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規袼（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 504689 A7 B7__ 五、發明說明（Η ) 此材料可以經由傳統的直流濺鍍（DC-sputter)製程以 非常高的速率設置。輿金的塗佈相比較銀鼦合金塗佈的 成本費用大約80案至901的較低β 因此，以所提到的銀把合金而獲得一種用於上逑技術 之光學式資料儲存晶國上之靥的普遽材料《 此外銀把合金Agx Pdy具有耙〇< y备15的合金部份y ,較佳是lSy< 15,並且以PlflO-y使其本身具有類似 良好的結果使用β _樣的如合金Agx Pdy Mb2具有 〇< 10 ,較佳是 1 蠭 jr< ID 與 fl< ZS 10,較佳是 1；SZ< 10 。Mb因此可以例如是金β 在經由在鐶齠合金上的實驗之後，而發現找到作為本 發明基礎之目的之解決方案的規律性與可製造性，其産 生例如龌金合金，其本身適合用於兩層作為普遽性的材 料〇它具有n/k值為0.79的Ag60Au4〇合金輿n/k值為 0.108的 Ag5〇Aus〇合金 〇 它可以考盧所有以下的合金作為普遽性的材料：
AgyAiiv，其具有❹<y<5〇,較佳是具有1运y<5〇以 X y 及，因此x=100-y;或者是合金AgxAiiyMbE，其具有 x>5fl, 較佳是 l^y<50，0<zS10,較佳 是ig ζ< ίο並且因此x = i〇〇-y-“ 邇有鏞合金其顯適合用於普遵性之材料·· C U5〇 Au 50合金，具有n/k值為〇·!42 C! A u 合金，具有n/k值為0*156 通常所有以下的合金可以作為眢蘧性材料使用： -13- L本紙張尺度適財國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公 I!考| (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂i 川4689 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 $、發明說明（e)
CuxAiiy合金，其具有0<y<50,較佳是lSy<50 並且因此x=l〇fl-y,或者是
CuxAttyMbz 合金，其具具 x>50，0 < y < 50 , 較佳是1簋y<50並且0<2S10,較佳是 1 g z < 10 並且因此 x = lfl〇-y-z〇 遵遵適合用於銅錫合金（青鑼）以及用於鏞《2合金。 在此光擧式資料儲存晶國的製造之中，對於所有的層 使用一個主要的塗佈來源，較佳是對於所有的層甚至只 有一儸塗佈來玀。在遽方面直流濺鍍（DC-sputter)來玀 像是直流磁控管（megnetroii)源特別適合》其具有所預 設的合金成份作為靶材料。如果是這種情況，則可以在 此來源上藉不同製程的蓮用來讖整，而使得從層至層之 各層的金羼成份發生變化。此外，當設置各層時可以遵 循槿小的基板/來源之距雛，並且此基板可以對於來灝 穩定的塗佈。遽整値導致堅固結實，有成本效益的製造 壯埋 裝置β 有關於此尤其較佳的銀合金可以繼鑛實施，其對於 環境的影響非常特別的穩定，並且在其製造中具有可設 置的高的濺鍍産量（sputtei-yield)。 此所建議的普遍性的材料在基本上較金便宜。由於此 特黏，在兩層上的至少一傭基礎合金成份是由相同的金 羼構成，較佳遽些層是由相同的合金製造。其為可能， 此根據本發明的資料儲存晶圓是在一傭唯一僅有的塗佈 裝置上，尤其是濺鍍裝置，較佳是藉由使用一値唯一的 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規袼（210 X 297公釐） * ϋ I n n n —-P mmmmm i —mm mmmmmm 0 n t— n l n ^,J> n in n n IB emmmm n 1 ‘ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 504689 ΚΙ Β7 五、發明說明（Ο ) 來源而實現。 符號之說明 1 3 I 1 基板 間隔保持層 載體 成份 成份 部份反射部份折射層 反射層 角度 1!^^ iii 訂 i (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 15 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

  1. 01# 1. "*-4 六、申請專利範圍 第881 1 6720號「光學式資料儲存晶圓及其製造方法」 專利案 (9丨年1月修正） 六申請專利範圍： 1. 一種光學式資料儲存晶圓，在其中，從晶_的表面 向晶圓厚度範圍的方向中發展，其至少設有兩個界面， 其每一個對應於所儲存的資訊而爲獨特，並且其中此 設置於內部深處之一個反射層的獨特界面，此反射層 至少具有一個部份反射/部份透射層的另一個獨特界 面，每一個界面對於光所產生的波長並且在相同的< 90°的入射角以下，其中此外介於表面與反射層之間 的其餘的晶圓材料，將所提及的光在基本上透射， 並且此外，此反射層是由一第一種金屬合金所構成， 此部份反射層是由一第二種金屬合金所構成，其特徵 爲： -此至少兩層的合金包括一或多個相同的金屬，其 中此一或多個金屬共同構成各個合金之超過50at% 的成份， -如果此等合金包含金，此金只及於各個合金的最 高50at%的成份。 2. 如申請專利範圍第1項之資料儲存晶圓，其中此等 合金具有相同成份之所提及之一種同樣的金屬或是所 提及之多種同樣的金屬。 3. 如申請專利範圍第1或2項之資料儲存晶圓，其中 5 祕％ r :!、 — .........................................................................——- —"—^^,^... 六、申請專利範圍 此等合金是藉由相同的金屬，較佳是以相间的成份而 構成。 4. 如申請專利範圍第1或2項之資料儲存晶圓，其中 此等相同的金屬，較佳此合金是由 AgxMayMbz 所構成，或是由 CuxMayMbz 所構成，
    而x> 50at% ,其中 Ma :代表第二種金屬 Mb:代表第三種金屬。 5. 如申請專利範圍第4項之資料儲存晶圓，其中較佳 是此等相同的金屬或者此合金是由 AgxMayMbz 所構成， · 其中此第二種金屬Ma是鈀，並且適用y>z° 6. 如申請專利範圍第5 ·項之資料儲存晶圓，其中適用： 〇< 10 較佳是 l$y<10 以及
    〇< 10 較佳是 1 $ z< 10 ° 7. 如申請專利範圍第5項之資料儲存晶圓，其中對於 AgxPdy合金層特別較佳適用·· 1 < y ^ 15 ,較佳 1 S y < 1 5 ,以及 z = 0,較佳適用： y ^ 10,較佳 5<y<l〇 z = 0,特別較佳適用： 504689： 六、申請專利範圍 y = 8，z = 0 〇 8·如申請專利範圍第5項之資料儲存晶画，其中其適用： M a = Au , ]fiffy>zo 9·如申請專利範圍第1或2項之資料儲存晶圓，其中 此兩層的合金相同，並且此用於在作爲散裝合金之折 射率對吸收係數之比例n/k在650奈米（nm)的光線 中適用： 0< n/k$ 0.28,較佳是 0< n/kS 0.20 〇 10.如申請專利範圍第1或2項之資料儲存晶圓，其中 其光學特性的穩定性是優於土 2%，較佳是優於±1%, 此爲當其在空氣中暴露24小時所測得，其中較佳此 合金不包含金 11· 一種製造如申請專利範圍第1至1 0項中任一項之光 學式資料儲存晶圓之方法，其特徵爲，經由DC-濺鍍 而設置至少兩層相同的金屬合金。 12如申請專利範圍第11項之方法，其中此等層是藉由 DC-濺鍍相同的靶而設置。 ia如申請專利範圍第1項之資料儲存晶圓，其中此部 份反射層的金屬合金是由： AgxMayMz 所構成，或是由 CuxMayMz 所構成， 而50% ,其中
    六、申請專利範圍 Ma :代表除了金以外的第二種金屬， Mb:代表較佳是除了金以外的第三種金屬° 14如申請專利範圍第1 3項之資料儲存晶圓，其中# ^ 份反射層是由 t AgxMayMz 所構成，並且此第二種金屬是鈀（Pd)，而y>Z°
    15. 如申請專利範圍第1 3或1 4項之資料儲存晶圓，其中 適用： 0< 10 較佳是 i^y<l〇， 0< 10 較佳是 z< 1〇 。 16. 如申請專利範圍第1 3或1 4項之資料儲存晶圓，其中 適用： . l<y$15，較佳 l^y<15,及 z = 0, 較佳是_
    5Sy$l〇,特別是 5<y<l〇， z = 0 , 因此尤其較佳是 y = B, z = 0， 尤其是用於AgPd合金層。 17—種靶，是由一種合金 AgxMayMb2 所構成，或是由 CuxMayMb2 所構成，而 504689 修羼 補充 六、申請專利範圍 X > 5 0 a t % * 其特徵爲： Ma:代表第一種金屬， ‘ Mb:代表第二種金屬。 18. 如申請專利範圍第1 7項之靶，其中此靶是由 AgxMayMb2 所構成，並且 Ma是钯，而y>z。 19. 如申請專利範圍第17或18項之靶，其中其適用 0<y‘10因此較佳是 l€y<10 ，並且 0< 10 較佳是 lSz<10。 20. 如申請_專利範圍第17或18項之靶，尤其較佳是由 AgxPdy所構成，其中其適用： 0<yS15,較佳是 1 S y< 15,並且-z = 0, 因此較佳適用： 10,較佳是 5<y<10, 並且 z = 0 , y = 8 , ζ = 0 〇 21. 如申請專利範圍第1 7或1 8項之靶，其中其適用： Ma = Au / 而 y > z 〇 22. 如申請專利範圍第17或18項之靶，其中此用於在作 爲散裝合金之折射率對吸收係數之比例n/k在650奈 米（nm)的光線中適用：
    504689 、 · 91· 1.齡 4 ‘Γ Μ ο ^ ，私 .t. .*·'.*- -ΐ*、..1.....J·"- ’-,1： 六、申請專利範圍 0< n/kS 0·28,較佳是 0 < n/kS 0.20 〇 23 · —種製造資料儲存晶圓之方法，其特徵爲包括以下 步驟： -提供一基板* -提供一間隔（spacer)層，其所用之材料使得在該 基板的表面可以透過（tr ana Sm it)經選擇波長之光 t -在該基板與間隔層之間塗佈由第一金屬合金所構 成之第一層， j 1 -在該間隔層上提供由第二金屬合金所構成之第二 層， -須各別沈積該第一層與第二層之該第一金屬合金 或該第二金屬合金’使得其中之一對於該光線爲 半透明， -在該第一與第二金屬合金中至少提供一相同的金 屬》其在各該合金中的比例是大於50at%。 24. 如申請專利範圍第23項之方法，其中 將該被選擇的波長選擇爲小於650奈米（nn〇。 25. 如申請專利範圍第23項之方法，其中 更選擇該波長爲 500 奈米（nm)S λ ‘8580 奈米（nm)。 26.如申請專利範圍第23項之方法，其中
    六、申請專利範圍 更包括步驟以選擇該第一與第二金屬合金至少一 種’其主要是由AgxMayMbz或CUxMayMbz所構成，其 中X>50at%，Ag或Cu是各該金屬，Ma是第二種金 屬*並且Mb是第三種金屬^ 27 ·如申請專利範圍第23項之方法，其中 更選擇該第一與第二金屬合金之至少一種，其主 要是由AgxMayMbz構成，並且該第二金屬是鈀（pd), 以及Y > Z。 28. 如申請專利範圍第26或27項之方法，其中更選擇 0<Y<10 以及 0<Z<10。 29. 如申請專利範_第23項之方法，其中 更選擇該第一與第二金屬合金之至少一種，其主 要是由AgxMayMbz構成，並選擇第二種金屬Ma爲鈀 ’而且更選擇0<Y< 15以及Z大約等於〇。 30·如申請專利範圍第23項之方法，其中 更包括步驟以選擇該第一與第二金屬合金之至少 〜種，其主要是由AgxMayMbz構成，並且選擇該第二 種金屬Ma爲金，以及Y>Z。 3 1 ·如申請專利範圍第23項之方法，其中 選擇該第一與第二金屬合金爲具有相同的金屬。 32 ·如申請專利範圍第23項之方法，其中 更包括步驟以選擇該第一與第二金屬合金之至少 〜種，其對於散裝（in bulk)的金屬合金與6 50奈米
    六、申請專利範圍 (nm)的光線，具有在反射率η與吸收係數k之間的 比例n / k爲： n/k^ 0.28 « 3 3.如申請專利範圍第32項之方法，其中更選擇 OS n/k$ 0.2 〇 34 ·如申請專利範圍第23項之方法，其中 須選擇該第一與第二金屬合金之至少一種，使得 該第一與第二層之至少一層各別具有至多±2%之光 學特性之穩定性，此爲將該各別的層曝露於空氣至 少24小時後所測得。 35 ·如申請專利範圍第34項之方法，其中 該第一與第二金屬合金之至少一種是不包含金。· 36·如申請專利範圍第23項之方法，其中 選擇該第一與第二金屬合金之至少一種或者不包 含金，並且該等層之至少一層主要是由 CuxMayMbz 構成，而 X> 50at%。 37 ·如申請專利範圔第23項之方法，其中 更選擇該第一與第二金屬合金之至少一種，其主 要由AgxMayMbz構成，並且因此選擇鈀（pd)作爲第二 種金屬Ma，並且Y> Z。 38·如申請專利範圍第36項之方法，其中 選擇 〇< Υ< 10 以及 0<Ζ<1〇 六、申請專利範圍 39·如申請專利範圍第36項之方法，其中 選擇 · 0<Y<15以及Z大約等於〇。 40 ·如申請專利範圍第36項之方法，其中 選擇 5< Υ< 10以及Ζ大約等於〇。 41·如申請專利範圍第36項之方法，其中 選擇 Υ=8以及‘Ζ大約等於0。 42·如申請專利範圍第23項之方法，其中 更選擇出現於該第一與第二金屬合金中該相同金 屬均具有相同比例之數量。 43. 如申請專利範圍第23項之方法，其中 更選擇該第一與第二金屬合金作爲相同之合金。 44. 如申請專利範圍第23項之方法，其中 更包括步驟其藉由濺鍍（sputtering)而沈積該第 一與第二層之至少一層。 45. 如申請專利範圍第23項之方法，其中 更包括步驟，其藉由DC濺鍍而沈積該第一與第二 層之至少一層。 46. 如申請專利範圍第23項之方法，其中 更包括步驟，其由相同之金屬源將該第一與第二 金屬層均沈積相同的金屬。 鲁Λ
    5j〇46aa ΨΜ. 補 六、申請專利範圍 47 ·如申請專利範圍第46項之方法，其中 選擇該金屬源作爲濺鍍源。 48 ·如申請專利範圍第47項之方法，其中 選擇該濺鍍源作爲DC濺鍍源。 49.如申請專利範圍第2?項之方法，其中 更包含步驟，其沈積該第二層作爲對於該光線之 半透明層。 50 .如申請專利範圍第23項之方法，其中 更包括步驟，其沈積該第一層作爲對於該光線之 反射層。 51.—種製造資料儲存晶圓所用之方法，其特徵爲包括 以下步驟： -提供一基板， -提供一間隔（spacer)層，其所用之材料使得在該 基板的表面可以透過經選擇波長的光， -在該基板與間隔層之間塗佈由第一金屬合金所構 成之第一層， -在該層仍然自由的表面上塗佈由第二金屬合金所 構成之第二層， -選擇該第一與第二金屬合金之至少一種其具有至 多50at%的金，並且因此該至少一種散裝（in bulk)的合金對於650奈米（nm)的光之反射率與吸 收係數之間的比例n/k爲： -10- ~·_ _imj I I ·,-*. o# v ^>1 六、申請專利範圍 0^ n/k^ 0.28 - 52 .如申請專利範圍第5 1項之方法，其中 選擇 n/k$ 0.2 〇 53.如申請專利範圍第51項之方法，其中 該第一與第二金屬合金之至少一種之主要部份是 銀。 54 .如申請專利範圍第5 1項之方法，其中 該第一與第二層中至少一層之主要部份是銅。 5 5.如申請專利範圍第51項之方法，其中 該第一與第二合金之至少一種包括金。
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