JP2002527846A5 - - Google Patents

Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】 一方のディスク表面からディスクの厚さの方向に向けて、少なくとも二つの境界表面が設けられ、前記境界表面はそれぞれ、記憶される情報に応じて溝を付けられ、かつ、所与の波長を有し、かつ＜９０°の同じ入射角の光に対して、最も内部にある、溝のある境界表面は反射層を、少なくとももう一つの、溝のある境界表面は部分反射／部分透過層を有し、さらに前記表面と反射層との間のその他のディスク材料は前記光を基本的に透過し、かつさらに前記反射層は第一の金属合金から、前記部分反射層は第二の金属合金からなる、光データ記憶ディスクであって、
・前記少なくとも二つの層の合金は、一つまたは複数の同一金属を含み、前記一つまたは複数の金属は共に、それぞれの合金の５０ａｔ％より多くを占め、
・前記合金が金を含む場合は、その成分比はそれぞれの合金の最大５０ａｔ％までにすぎない、
ことを特徴とする、ディスク。
【請求項２】 前記合金が、前記一つまたは複数の同一金属を同じ成分比で有することを特徴とする、請求項１に記載のデータ記憶ディスク。
【請求項３】 前記合金が、好ましくは同じ成分比の、同一金属によって形成されることを特徴とする、請求項１または２に記載のデータ記憶ディスク。
【請求項４】 前記同一金属、好ましくは合金が、
Ａｇ_xＭａ_yＭｂ_zから、または
Ｃｕ_xＭａ_yＭｂ_zからなることを特徴とし、
ｘ＞５０ａｔ％であり、かつ
Ｍａは第二の材料、
Ｍｂは第三の材料である、
請求項１から３のいずれかに記載のデータ記憶ディスク。
【請求項５】 好ましくは、前記同じ金属または合金が
Ａｇ_xＭａ_yＭｂ_z
からなる請求項４に記載のデータ記憶ディスクであって、
第二の材料Ｍａがパラジウムであり、ｙ＞ｚであることを特徴とする、ディスク。
【請求項６】 請求項４または５に記載のデータ記憶ディスクであって、
０＜ｙ≦１０、好ましくは１≦ｙ＜１０であり、かつ
０＜ｚ≦１０、好ましくは１≦ｚ＜１０である、
ことを特徴とする、ディスク。
【請求項７】 請求項４または５に記載のデータ記憶ディスクであって、特に好ましくはＡｇ_xＰｄ_y合金について、
０＜ｙ≦１５、好ましくは１≦ｙ＜１５であり、かつ
ｚ≒０、好ましくは
５≦ｙ≦１０、好ましくは５＜ｙ＜１０、
ｚ≒０、特に好ましくは、
ｙ≒８、ｚ≒０
であることを特徴とする、ディスク。
【請求項８】 請求項５から７のいずれかに記載のデータ記憶ディスクであって、
Ｍａ＝Ａｕであり、ｙ＞ｚ
であることを特徴とする、ディスク。
【請求項９】 前記双方の層の合金が同じであり、バルクとしての前記合金における、６５０ｎｍの光の屈折率の吸収係数に対する比ｎ／ｋが、
０＜ｎ／ｋ≦０．２８、好ましくは
０＜ｎ／ｋ≦０．２０
であることを特徴とする、請求項１から８のいずれかに記載のデータ記憶ディスク。
【請求項１０】 空気に２４時間晒された場合の測定値で、光学特性の安定性が±２％、好ましくは±１％より優れていることを特徴とし、その際、好ましくは合金に金が含まれていない、請求項１から９のいずれかに記載のデータ記憶ディスク。
【請求項１１】 前記少なくとも二つの層が、同じ金属合金のＤＣスパッタリングによって布設されることを特徴とする、請求項１から１０のいずれかに記載の光学記憶データの製造方法。
【請求項１２】 前記層が同じターゲットのＤＣスパッタリングによって布設されることを特徴とする、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】 部分反射層の金属合金が、
Ａｇ_xＭａ_yＭｂ_zまたは、
Ｃｕ_xＭａ_yＭｂ_zからなることを特徴とし、
ｘ＞５０％であり、
Ｍａは、金以外の第二の金属であり、
Ｍｂは、好ましくは金以外の、第三の金属である、
請求項１のプリアンブルによる光データ記憶ディスク。
【請求項１４】 部分反射層が
Ａｇ_xＭａ_yＭｂ_z
からなり、かつ第二の金属がパラジウムであり、ｙ＞ｚであることを特徴とする、請求項１３に記載のデータ記憶ディスク。
【請求項１５】 請求項１３または１４に記載のデータ記憶ディスクであって、
０＜ｙ≦１０、好ましくは１≦ｙ＜１０であり、かつ
０＜ｚ≦１０、好ましくは１≦ｚ＜１０であることを特徴とする、ディスク。
【請求項１６】 請求項１３または１４に記載のデータ記憶ディスクであって、
０＜ｙ≦１５、好ましくは１≦ｙ＜１５であり、かつ
ｚ≒０、好ましくは
５≦ｙ≦１０、特に５＜ｙ＜１０、
ｚ≒０特に好ましくは、
ｙ≒８
ｚ≒０
であり、特にＡｇＰｄ合金層についてこれがあてはまることを特徴とする、ディスク。
【請求項１７】 合金
Ａｇ_xＭａ_yＭｂ_zまたは、
Ｃｕ_xＭａ_yＭｂ_zからなり、
ｘ＞５０ａｔ％であり、
Ｍａは第二の金属を、
Ｍｂは第三の金属を表す、
ターゲット。
【請求項１８】請求項１７に記載のターゲットであって、ターゲットが
Ａｇ_xＭａ_yＭｂ_zからなり、かつ
Ｍａはパラジウムであり、ｙ＞ｚであることを特徴とする、ターゲット。
【請求項１９】 請求項１７または１８に記載のターゲットであって、
０＜ｙ≦１０、好ましくは１≦ｙ＜１０であり、かつ
０＜ｚ≦１０、好ましくは１≦ｚ＜１０であることを特徴とする、ターゲット。
【請求項２０】 特に好ましくはＡｇ_xＰｄ_yからなる、請求項１７から１９のいずれかに記載のターゲットであって、
０＜ｙ≦１５、好ましくは
１≦ｙ＜１５であり、かつ
ｚ≒０、好ましくは
５≦ｙ≦１０、好ましくは５＜ｙ＜１０であり、かつ
ｚ≒０特に好ましくは、
ｙ≒８、ｚ≒０
であることを特徴とする、ターゲット。
【請求項２１】 請求項１７から２０のいずれかに記載のターゲットであって、
Ｍａ＝Ａｕであり、ｙ＞ｚ
であることを特徴とする、ターゲット。
【請求項２２】 バルクとしての前記合金における、６５０ｎｍの光の屈折率の吸収係数に対する比ｎ／ｋが、
０＜ｎ／ｋ≦０．２８、好ましくは
０＜ｎ／ｋ≦０．２
であることを特徴とする、請求項１７から２１のいずれかに記載のターゲット。
【請求項２３】 ｘ＞５０ａｔ％である合金Ｃｕ_xＭａ_yＭｂ_zからなるスパッタリングターゲットであって、
Ｍａはパラジウムであり、
Ｍｂは第３の金属を表わし、
条件ｖ＞ｚが有効である、スパッタリングターゲット。
【請求項２４】 ０＜ｙ＜１０と、
０＜ｚ＜１０とが有効である、請求項２３に記載のターゲット。
【請求項２５】 ０＜ｙ＜１５と、
ｚ≒０とが有効である、請求項２３に記載のターゲット。
【請求項２６】 ５＜ｙ＜１０と、
ｚ≒０とが有効である、請求項２５に記載のターゲット。
【請求項２７】 合金は、６５０ｎｍの光についての反射係数と吸収係数との比ｎ／ｋを示し、
０＜ｎ／ｋ≦０．２８である、請求項２３に記載のターゲット。
【請求項２８】 ０＜ｎ／ｋ≒０．２が有効である、請求項２７に記載のターゲット。
【請求項２９】 データ記憶ディスクを製造するための方法であって、
基板を布設するステップと、
基板の上に第１の金属合金の第１の層を施すステップと、
選択された波長の光を伝送する材料のスペーサ層を前記第１の層の上に布設するステップと、
第２の金属合金の第２の層を前記スペーサ層の上に布設するステップと、
前記第１および第２の層の前記第１および第２の金属合金のうちの１つを、前記光に対して部分透過になるよう堆積させるステップと、
前記合金の各々において留分が５０ａｔ％を上回っている少なくとも１つの同じ金属を前記第１および第２の金属合金において布設するステップとを含み、
前記合金のうちのいずれかが金を含む場合、前記金の量は０〜５０ａｔ％である、方法。
【請求項３０】 ６５０ｎｍ未満となる前記選択された波長を選択するステップを含む、請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】 ５００ｎｍ≦λ≦８５８０ｎｍとなる前記波長をさらに選択する、請求項２９に記載の方法。
【請求項３２】 本質的にＡｇ_xＭａ_yＭｂ_zまたはＣｕ_xＭａ_yＭｂ_zからなる前記第１および第２の金属合金のうちの少なくとも１つを選択するステップをさらに含み、ｘ＞５０ａｔ％であり、ＡｇまたはＣｕが前記同じ金属であれば、Ｍａは第２の金属であり、Ｍｂは第３の金属である、請求項２９に記載の方法。
【請求項３３】 ０ｙ＜１０および０＜ｚ＜１０をさらに選択する、請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】 本質的にＡｇ_xＭａ_yＭｂ_zからなる前記第１および第２の金属合金のうちの少なくとも１つをさらに選択し、Ｍａがパラジウムであり、ｙ＞ｚである、請求項２９に記載の方法。
【請求項３５】 本質的にＡｇ_xＭａ_yＭｂ_zからなる前記第１および第２の金属合金のうちの少なくとも１つをさらに選択し、第２の金属Ｍａがパラジウムであり、０＜ｙ＜１５と０にほぼ等しいｚとをさらに選択する、請求項２９に記載の方法。
【請求項３６】 本質的にＡｇ_xＭａ_yＭｂ_zからなる前記第１および第２の金属合金のうちの少なくとも１つを選択し、Ｍａとして金を選択するステップをさらに含み、ｙ＞ｚである、請求項２９に記載の方法。
【請求項３７】 同じ金属を有する前記第１および第２の金属合金を選択するステップを含む、請求項２９に記載の方法。
【請求項３８】 ０＜ｎ／ｋ≦０．２８となるように、バルクでの金属合金および６５０ｎｍの光についての反射係数ｎと吸収係数ｋとの比ｎ／ｋを有する前記第１および第２の金属合金のうちの少なくとも１つを選択するステップをさらに含む、請求項２９に記載の方法。
【請求項３９】 ０＜ｎ／ｋ≦０．２をさらに選択する、請求項３８に記載の方法。
【請求項４０】 前記第１および第２の層のうちの少なくとも１つが、前記それぞれの層を少なくとも２４時間空気に晒した後に測定された多くて±２％の光学特性の安定性をそれぞれ有するように、前記第１および第２の金属合金のうちの少なくとも１つを選択する、請求項２９に記載の方法。
【請求項４１】 前記少なくとも１つの第１および第２の金属合金は金フリーである、請求項４０に記載の方法。
【請求項４２】 金フリーである前記第１および第２の金属合金のうちの少なくとも１つを選択するステップを含み、前記層のうちの前記少なくとも１つは、ｘ＞５０ａｔ％であれば、本質的にＡｇ_xＭａ_yＭｂ_zまたはＣｕ_xＭａ_yＭｂ_zからなる、請求項２９に記載の方法。
【請求項４３】 ０＜ｙ＜１０および０＜ｚ＜１０を選択する、請求項４２に記載の方法。
【請求項４４】 ０＜ｙ＜１５、および、約０であるｚを選択する、請求項４２に記載の方法。
【請求項４５】 ５＜ｙ＜１０、および、約０であるｚを選択する、請求項４２に記載の方法。
【請求項４６】 ｙ＝８、および、約０であるｚを選択する、請求項４２に記載の方法。
【請求項４７】 同じ留分量で前記第１および第２の金属合金の両方に存在する前記同じ金属の量をさらに選択する、請求項２９に記載の方法。
【請求項４８】 同じ合金である前記第１および第２の金属合金をさらに選択する、請求項２９に記載の方法。
【請求項４９】 スパッタリングにより、前記第１および第２の層のうちの少なくとも１つを堆積させるステップをさらに含む、請求項２９に記載の方法。
【請求項５０】 ＤＣスパッタリングにより、前記第１および第２の層のうちの少なくとも１つを堆積させるステップをさらに含む、請求項２９に記載の方法。
【請求項５１】 同じ金属源から前記第１および第２の層の両方において前記同じ金属を堆積させるステップをさらに含む、請求項２９に記載の方法。
【請求項５２】 スパッタリング源である前記金属源を選択するステップを含む、請求項５１に記載の方法。
【請求項５３】 ＤＣスパッタリング源である前記スパッタリング源を選択するステップを含む、請求項５２に記載の方法。
【請求項５４】 前記光のための部分透過層として前記第２の層を堆積させるステップをさらに含む、請求項２９に記載の方法。
【請求項５５】 前記光のための反射層として前記第１の層を堆積させるステップをさらに含む、請求項２９に記載の方法。