JP2004362748A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. 基板と、レーザー光入射側から順に配置された第１情報層〜第Ｎ情報層（Ｎは２以上の整数）とを含み、
   前記情報層は、所定波長のレーザー光を照射することにより情報の記録及び再生が可能な記録層と、前記記録層に対し前記レーザー光入射側に配置された第１の保護層と、前記記録層に対し前記レーザー光入射側と反対側に配置された第２の保護層とを含んでおり、
   前記レーザー光の前記所定波長における前記第１の保護層の屈折率ｎ１と、前記レーザー光の前記所定波長における前記第２の保護層の屈折率ｎ２とが、ｎ２＜ｎ１の関係を満たし、少なくとも前記第１情報層が前記情報層であることを特徴とする光学情報記録媒体。
2. 前記記録層が未記録状態の場合に、前記情報層における前記所定波長のレーザー光の透過率が５０％以上である請求項１に記載の光学情報記録媒体。
3. 前記情報層が、前記第２の保護層に対し前記レーザー光入射側と反対側に配置された反射層をさらに含む請求項１に記載の光学情報記録媒体。
4. 前記反射層が、Ａｇ、Ｃｕ及びＡｕから選ばれる少なくとも一つの元素を含む請求項３に記載の光学情報記録媒体。
5. 前記反射層の膜厚が１５ｎｍ以下である請求項３に記載の光学情報記録媒体。
6. 前記屈折率ｎ１が、ｎ１＞２．０を満たす請求項１に記載の光学情報記録媒体。
7. 前記屈折率ｎ１及びｎ２が、ｎ１−ｎ２＞０．２を満たす請求項１に記載の光学情報記録媒体。
8. 前記第２の保護層が、酸化物及び弗化物のうち少なくとも何れか一方を含む請求項１に記載の光学情報記録媒体。
9. 前記第２の保護層が、ＺｒＯ₂、ＳｉＯ₂、Ｃｒ₂Ｏ₃、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｎＯ₂、ＺｎＯ、Ｇａ₂Ｏ₃及びＬａＦ₃から選ばれる少なくとも一つの化合物を含む請求項８に記載の光学情報記録媒体。
10. 前記記録層が、Ｔｅ、Ｏ及びＭ（但し、Ｍは、金属元素、半金属元素及び半導体元素から選ばれる少なくとも一つの元素である。）を含有する材料からなる請求項１に記載の光学情報記録媒体。
11. 前記Ｍが、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｓｎ及びＩｎから選ばれる少なくとも１つの元素である請求項１０に記載の光学情報記録媒体。
12. 前記記録層が、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｎ及びＴｉから選ばれる少なくとも１つの元素と、Ｏとを含有する材料からなる請求項１に記載の光学情報記録媒体。
13. 前記記録層が、少なくとも二つの分割層を含み、且つレーザー光照射後でその光学特性が変化する請求項１に記載の光学情報記録媒体。