JP2004296056A - 光記録再生方法及び光記録媒体 - Google Patents

光記録再生方法及び光記録媒体 Download PDF

Info

Publication number
JP2004296056A
JP2004296056A JP2003156562A JP2003156562A JP2004296056A JP 2004296056 A JP2004296056 A JP 2004296056A JP 2003156562 A JP2003156562 A JP 2003156562A JP 2003156562 A JP2003156562 A JP 2003156562A JP 2004296056 A JP2004296056 A JP 2004296056A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
recording
change
information
optical
recorded
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003156562A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroyasu Inoue
弘康 井上
Koji Mishima
康児 三島
Masaki Aoshima
正貴 青島
Hideki Hirata
秀樹 平田
Hajime Utsunomiya
肇 宇都宮
Hitoshi Arai
均 新井
Michi Tanaka
美知 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP2003156562A priority Critical patent/JP2004296056A/ja
Publication of JP2004296056A publication Critical patent/JP2004296056A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/002Recording, reproducing or erasing systems characterised by the shape or form of the carrier
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/004Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
    • G11B7/0045Recording
    • G11B7/00455Recording involving reflectivity, absorption or colour changes
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/257Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B2007/24302Metals or metalloids
    • G11B2007/24314Metals or metalloids group 15 elements (e.g. Sb, Bi)
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B2007/24318Non-metallic elements
    • G11B2007/24328Carbon

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Optical Recording Or Reproduction (AREA)

Abstract

【課題】環境配慮型の材料からなる記録層に、単純な膜構造で、良好な光記録を可能とする光記録再生方法及び光記録媒体。
【解決手段】光記録媒体10は、基板12上に、誘電体材と記録補助材とを混合して形成された記録層18を有し、記録されるべき情報に応じて強度変調されたレーザービームを照射して、記録補助材及び/又は誘電体材を状態変化させ、反射率等の光学特性を変化させて情報記録可能とされている。記録補助材16は、Sn,Ti,Si,Bi,Ge,C等のうちのいずれかの元素を主成分とし、誘電体層14A、14Bにおける母材としての誘電体材は、ZnS,SiO,AlN,Ta等のうち少なくとも1種類の材料を含んで構成されている。
【選択図】 図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、光記録媒体及びこれを用いた光記録再生方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、デジタルデータを記録するための記録媒体として、CD(CompactDisc)やDVD(Digital Versatile Disc)に代表される光記録媒体が広く利用されている。これらの光記録媒体は、CD−ROM(Read Only Memory)やDVD−ROMのようにデータの追記や書き換えができないタイプの光記録媒体(ROM型光記録媒体)と、CD−R(Recordable)やDVD−Rのようにデータの追記はできるがデータの書き換えはできないタイプの光記録媒体(追記型光記録媒体)と、CD−RW(Rewritable)やDVD−RWのようにデータの書き換えが可能なタイプの光記録媒体(書き換え型光記録媒体)とに大別することができる。
【0003】
広く知られているように、ROM型光記録媒体においては、製造段階において基板に形成されるプリピットによりデータが記録されることが一般的であり、書き換え型光記録媒体においては、例えば、記録層の材料として相変化材料が用いられ、その相状態の変化に基づく光学特性の変化を利用してデータが記録されることが一般的である。
【0004】
これに対し、追記型光記録媒体においては、記録層の材料としてシアニン系色素、フタロシアニン系色素、アゾ色素等の有機色素が用いられ、その化学的変化(場合によっては化学的変化に加えて物理的変形を伴うことがある)に基づく光学特性の変化を利用してデータが記録されることが一般的である。
【0005】
しかしながら、有機色素は日光等の照射によって劣化することから、記録層の材料として有機色素を用いた場合、長期間の保存に対する信頼性を高めることは容易ではない。追記型光記録媒体において長期間の保存に対する信頼性を高めるためには、記録層を有機色素以外の材料によって構成することが望ましい。記録層を有機色素以外の材料によって構成した例としては、特許文献1に記載されているように、2層の反応層を積層しこれを記録層として用いる技術が知られている。
【0006】
一方、近年、データの記録密度が高められ、且つ、非常に高いデータ転送レートを実現可能な次世代型の光記録媒体が提案されている。このような次世代型の光記録媒体においては、大容量・高データ転送レートを実現するため、必然的に、データの記録・再生に用いるレーザービームのビームスポット径を非常に小さく絞らなければならない。ここで、ビームスポット径を小さく絞るためには、レーザービームを集束するための対物レンズの開口数(NA)を0.7以上、例えば0.85程度まで大きくすると共に、レーザービームの波長λを450nm以下、例えば400nm程度まで短くする必要がある。
【0007】
しかしながら、レーザービームを集束するための対物レンズを高NA化すると、光記録媒体の反りや傾きの許容度、即ちチルトマージンが非常に小さくなるという問題が生じる。チルトマージンTは、記録・再生に用いるレーザービームの波長λ、レーザービームの光路となる光透過層(透明基体)の厚さをdとすると、次の(1)式によって表わすことができる。
【0008】
T=λ/d・NA …(1)
【0009】
(1)式から明らかなように、チルトマージンは対物レンズのNAが大きいほど小さくなってしまう。又、波面収差(コマ収差)が発生する光透過層(透明基体)の屈折率をn、傾き角をθとすると、波面収差係数Wは、次の(2)式によって表わすことができる。
【0010】
Figure 2004296056
【0011】
(1)式及び(2)式から明らかなように、チルトマージンを大きくし、且つ、コマ収差の発生を抑えるためには、記録・再生に用いるレーザービームが入射する光透過層(透明基体)の厚さdを小さくすることが非常に有効である。
【0012】
このような理由から、次世代型の光記録媒体においては、充分なチルトマージンを確保しつつ、コマ収差の発生を抑えるために、光透過層(透明基体)の厚さを100μm程度まで薄くすることが要求される。このため、次世代型の光記録媒体においては、CDやDVD等、現行の光記録媒体のように光透過層(透明基体)上に記録層等を形成することは困難であり、基体上に形成した記録層等の上にスピンコート法等により薄い樹脂層を光透過層(透明基体)として形成する方法が検討されている。従って、次世代型の光記録媒体の作製においては、光入射面側から順次成膜が行なわれる現行の光記録媒体とは異なり、光入射面とは反対側から順次成膜が行なわれることになる。
【0013】
【特許文献1】
特開昭62−204442号公報
【0014】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、次世代型光記録媒体のように基体上に形成される記録層を2層の反応層によって構成した場合、CDやDVD等、現行の光記録媒体のように、光透過層(透明基体)に形成される記録層を2層の反応層によって構成した場合に比べて、信号再生時に生じるノイズのレベルが大きくなり易い(C/N比が小さくなり易い)という問題が明らかとなった。
【0015】
他方、近年における地球環境への関心の高まりから、光記録媒体の記録層の材料としても、より環境負荷の小さい材料を選択することが望ましい。更に、長期間の保存に対する信頼性を高めるためには、光記録媒体の記録層の材料としては、腐食・変質等に対して十分な耐性を有する材料を選択することが望ましい。
【0016】
本発明は、次世代型光記録媒体の記録再生システムにおいて、特に有用となる新たな光記録再生方法及び光記録媒体を提供することを目的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、鋭意研究の結果、SnやZnS等の環境配慮型材料を用いて簡単な膜構成で良好な光記録・再生が可能であることを見出した。
【0018】
即ち、以下の本発明により、上記目的を達成するものである。
【0019】
(1)基板上に、少なくとも記録補助材と誘電体材とを混合して形成した記録層に、外部から記録されるべき情報に応じて強度変調されたレーザービームを照射して、前記誘電体材の少なくとも一部の状態を変化させることにより光学特性を変化させて情報を記録し、且つ、この光学特性の変化に伴う反射率の変化を読み取って、前記情報を再生することを特徴とする光記録再生方法。
【0020】
(2)基板上に、少なくとも記録補助材と誘電体材とを混合して形成した記録層に、外部から記録されるべき情報に応じて強度変調されたレーザービームを照射して、前記記録補助材の少なくとも一部の状態を変化させることにより光学特性を変化させて情報を記録し、且つ、この光学特性の変化に伴う反射率の変化を読み取って、前記情報を再生することを特徴とする光記録再生方法。
【0021】
(3)基板上に、少なくとも記録補助材と誘電体材とを混合して形成した記録層に、外部から記録されるべき情報に応じて強度変調されたレーザービームを照射して、前記誘電体材の少なくとも一部及び記録補助材の少なくとも一部の状態を変化させることにより光学特性を変化させて情報を記録し、且つ、この光学特性の変化に伴う反射率の変化を読み取って、前記情報を再生することを特徴とする光記録再生方法。
【0022】
(4)前記誘電体材の状態変化が結晶成長であることを特徴とする(1)、(2)又は(3)の光記録再生方法。
【0023】
(5)基板と、少なくとも前記基板上に記録補助材及び誘電体材を混合して設けられた記録層と、を有してなり、該記録層に、外部から記録されるべき情報に応じて強度変調されたレーザービームが照射されて、前記記録補助材の少なくとも一部が状態変化することにより光学特性が変化して情報が記録され、且つ、この光学特性の変化に伴う反射率の変化を読み取ることにより前記情報の再生が可能とされたことを特徴とする光記録媒体。
【0024】
(6)基板と、少なくとも前記基板上に、状態変化の促進材を含んだ記録補助材及び状態変化を起こす母材を含む誘電体材を混合して設けられた記録層と、を有してなり、該記録層に、外部から記録されるべき情報に応じて強度変調されたレーザービームが照射されて、前記母材の少なくとも一部が状態変化することにより光学特性が変化して情報が記録され、且つ、この光学特性の変化に伴う反射率の変化を読み取ることにより、前記情報の再生が可能とされたことを特徴とする光記録媒体。
【0025】
(7)基板と、少なくとも前記基板上に、状態変化の促進材を含んだ記録補助材及び状態変化を起こす母材を含む誘電体材を混合して設けられた記録層と、を有してなり、該記録層に、外部から記録されるべき情報に応じて強度変調されたレーザービームが照射されて、前記記録補助材の少なくとも一部及び前記誘電体材の少なくとも一部が状態変化することにより光学特性が変化して情報が記録され、且つ、この光学特性の変化に伴う反射率の変化を読み取ることにより、前記情報の再生が可能とされたことを特徴とする光記録媒体。
【0026】
(8)基板と、少なくとも前記基板上に記録補助材及び誘電体材を混合して設けられた記録層と、を有してなり、前記記録補助材は、Sn,Ti,Si,Bi,Ge,C,V,W,Zr,Zn,Mg,Mn,Ag,Al,Nb,Au,Cu,Taのうちの少なくとも一つから選択される元素を主成分として含むことを特徴とする光記録媒体。
【0027】
(9)前記誘電体材は、Al,AlN,ZnO,ZnS,GeN,GeCrN,CeO,SiO,SiO,Ta,SiC,MgO,MgF,LaSiON,Si,TiO,InSnOからなる群より選択される少なくとも1種の材料を主成分とすることを特徴とする(8)の光記録媒体。
【0028】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施の形態の例を図面を参照して詳細に説明する。
【0029】
この実施の形態の例に係る光記録媒体10は、追記型であり、図1に示されるように、基板12と、基板12上に、記録補助材及び誘電体材を混合して形成された記録層18と、この記録層18上に光透過層20が設けられることによって構成されている。このような構造を有する光記録媒体10に対しては、光透過層20側からレーザービームLBを照射することによってデータの記録/再生が行なわれる。
【0030】
基板12は、光記録媒体10に求められる機械的強度を確保するための基体としての役割を果たし、その表面にはグルーブ22及び/又はランド24が設けられている。これらグルーブ22及びランド24は、データの記録及び再生を行なう場合におけるレーザービームのガイドトラックとしての役割を果たす。
【0031】
基板12の厚さは約1.1mmに設定され、その材料としては種々の材料を用いることが可能であり、例えば、ガラス、セラミックス、あるいは樹脂を用いることができる。これらのうち、成形の容易性の観点から樹脂が好ましい。このような樹脂としてはポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素系樹脂、ABS樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられる。中でも、加工性等の点からポリカーボネート樹脂が特に好ましい。
【0032】
前記誘電体材は、母材として、レーザービーム照射等のエネルギーにより、光反射率等の光学特性が変化される状態変化材料を含んで構成されている。
【0033】
前記母材としての誘電体材は、状態変化を起こす材料であれば特に限定されず、例えば、酸化物、硫化物、窒化物又はこれらの組み合わせを主成分として用いることができる。より具体的には、Al,AlN,ZnS,GeN,GeCrN,CeO,SiO,SiO,Ta,SiC,MgO,MgF,LaSiON,Si,TiO,InSnOからなる群より選択される少なくとも1種の誘電体材を主成分とすることが好ましく、ZnS−SiOからなる誘電体を主成分とすることがより好ましい。
【0034】
なお、「・・・材料を主成分とする」とは、上記材料の含有率が最も大きいことを言う。又、「ZnS−SiO」とは、ZnSとSiOとの混合物を意味する。
【0035】
又、記録層18の層厚は、特に限定されないが、3〜200nmであることが好ましい。この層厚が3nm未満であると、誘電体材における母材の充分な状態変化があったとしても、層全体としての光反射率等の光学特性の充分な変化が望めないことに加え、信号としてのC/Nが不十分となる。一方、層厚が200nmを超えると、成膜時間が長くなり生産性が低下する恐れがあり、且つ、状態を変化させるためにより多くの熱量が必要となり、更に、誘電体材のもつ応力によってクラックが発生する恐れがある。
【0036】
前記記録補助材は、母材の反応を促進させる材料であり、上記のように誘電体材と混合されているが、所定以上のパワーを持つレーザービームが照射されると、その熱によって、記録補助材を構成する元素が誘電体材に影響を与え、誘電体材が部分的又は全体的に状態変化(例えばアモルファスが結晶化へ移行)することにより記録マークとなる。前記記録補助材は、自身の状態変化(例えば結晶成長)を伴ってもよい。この場合、この変化によってC/Nの向上が期待できる。
【0037】
このとき、記録層18において記録マークの形成された部分とそれ以外の部分とでは再生光に対する光学特性が大きく異なるため、これを利用してデータの記録・再生を行なうことができる。この状態は、X線回析や透過型電子顕微鏡で確認することができる。
【0038】
前記記録補助材は、Sn,Ti,Si,Bi,Ge,C,V,W,Zr,Zn,Mg,Mn,Ag,Al,Nb,Au,Cu,Taのうちの少なくとも一つから選択される元素を主成分とする。
【0039】
ここで言う主成分は、記録補助材を構成する元素の50%以上を占めることが好ましく、より好ましくは80原子%である。
【0040】
50原子%以下になると誘電体材を変化させる効果が不十分となり、C/Nが小さくなってしまう。更には記録によって膜自身の破壊等が起こりやすくなり、保存信頼性が悪化する。
【0041】
更に、誘電体層の状態変化を良好に行うために必要となるレーザービームのパワーをある程度低く抑えるためには、80原子%以上であることが好ましい。
【0042】
光透過層20は、レーザービームの入射面を構成すると共にレーザービームの光路となる層であり、その厚さとしては10〜300μmに設定することが好ましく、50〜150μmに設定することが特に好ましい。光透過層20の材料としては特に限定されないが、アクリル系やエポキシ系等の紫外線硬化型樹脂を用いることが好ましい。又、紫外線硬化型樹脂を硬化させてなる膜の代わりに、光透過性樹脂からなる光透過性シートと各種接着剤や粘着剤を用いて光透過層20を形成してもよい。
【0043】
次に、上記光記録媒体10の製造方法の一例について説明する。
【0044】
まずグルーブ22及びランド24が形成された基板12上に記録層18を形成する、例えば誘電体材と記録補助材の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法を用いることができる。このような気相成長法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法等が挙げられる。この場合、誘電体材と記録補助材とを混合した化学種を同時に用いてもよく、又、これらを順次用いてもよい。
【0045】
最後に、前記記録層18上に光透過層20を形成する。光透過層20は、例えば、粘度調整されたアクリル系又はエポキシ系の紫外線硬化型樹脂をスピンコート法等により皮膜させ、紫外線を照射して硬化する等の方法により形成することができる。以上により、光記録媒体の製造が完了する。
【0046】
なお、上記光記録媒体の製造方法は、上記製造方法に特に限定されるものではなく、公知の光記録媒体の製造に採用される製造技術を用いることができる。
【0047】
次に、上記光記録媒体10を用いた光記録再生方法について説明する。
【0048】
光記録媒体10に対して、所定の出力を有するレーザービームLBを光透過層20側から入射し記録層18に照射する。このとき、レーザービームLBを集束するための対物レンズ26の開口数(NA)は0.7以上、特に0.85程度であることが好ましく、レーザービームLBの波長λは450nm以下、特に405nm程度であることが好ましい。このようにして、λ/NA<640nmとすることが好ましい。
【0049】
このようなレーザービームLBの照射により、記録層18を構成する記録補助材がレーザービームLBにより加熱され、これが隣接する誘電体材に影響を与えて、状態変化(たとえばアモルファスから結晶への変化)を促進して、記録マークが形成される。
【0050】
又、このとき、記録補助材自身も結晶が大きくなることがある。更に、この結晶化は誘電体材の結晶化よりも大きいこともある。
【0051】
記録マークの形成された部分の光学特性は、それ以外の部分(未記録領域)の光学特性と十分に異なった値となる。従って、読取り用のレーザービームを照射したときの、記録マーク部分とそれ以外の部分とでの反射率の相違により、データの再生をすることができる。すなわち、光学特性の変調を利用してデータの記録・再生を行なうことが可能となる。
【0052】
本発明は、以上の実施態様に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることは言うまでもない。
【0053】
又、上記実施態様に係る光記録媒体10においては、記録層18が単層で構成されているが、本発明の光記録媒体はこれに限定されるものではなく、同様の効果を有するものであれば、2層以上の層から構成されたものであってもよい。
【0054】
更に、上記実施態様に用いる光記録媒体10において、基板12上には反射層が備えられていないが、記録マークが形成された領域における反射光のレベルと未記録領域における反射光のレベルを充分大きくするために、図2に示される光記録媒体30のように、反射層32を設けてもよい。
【0055】
反射層32は、光透過層20側から入射されるレーザービームを反射し、再び光透過層20から出射させる役割を果たし、その厚さとしては5〜300nmに設定することが好ましく、10〜200nmに設定することが特に好ましい。反射層32の材料はレーザービームを反射可能である限り特に制限されず、例えば、Mg,Al,Ti,Cr,Fe,Co,Ni,Cu,Zn,Ge,Ag,Pt,Au等を用いることができる。これらのうち、高い反射率を有することから、Al,Au,Ag,Cu又はこれらの合金(AgとCuとの合金等)などの金属材料を用いることが好ましい。反射層32を設けることにより、光記録後において多重干渉効果により高い再生信号(C/N比)が得られ易くなる。
【0056】
【実施例及び比較例】
以下、実施例を用いて本発明について更に具体的に説明するが、本発明はこれらの例に何ら限定されるものではない。
【0057】
[光記録媒体の準備]
(実施例1)
以下に示す手順により、光記録媒体を作製した。
【0058】
まず、厚さ:1.1mm、直径:120mmのポリカーボネート基板をスパッタリング装置にセットし、このポリカーボネート基板の光反射層上に、ZnSとSiOの混合物からなる誘電体材、Snからなる記録補助材を同時にスパッタリングして、層厚が10nmの記録層を形成した。記録補助材とZnS−S(80:20)はそれぞれモル比で50:50になるように設計した。
【0059】
次に、記録層に、アクリル系紫外線硬化型樹脂をスピンコート法によりコーティングし、これに紫外線を照射して光透過層(層厚:100μm)を形成した。
【0060】
なお、第1の誘電体層及び第2の誘電体層においてZnSとSiOのモル比率は、ZnS:SiO=80:20となるようにした。
【0061】
(実施例2、3)
実施例2、3は、実施例1でのSnを、それぞれAg、Tiに変えたものである。
【0062】
(比較例)
比較例は、記録層がSnのみからなる単層構造の光記録媒体を作製した。
【0063】
(実施例4〜12)
誘電体層を設けることなく、記録層が単層構造の光記録媒体を作製した。記録層はZnS:SiO=80:20とMg,Nb,Bi,Mg,Au,Al,Au,Cu,Ta,Siの各種金属又は半金属との混合により作製した。
【0064】
(実施例13〜34)
実施例4〜12に対してZnS:SiO=80:20を各種材料に変えて、Mg(実施例13〜17),Ti(実施例18〜25),Sn(実施例26,27),Nb(実施例28〜30),又はAl(実施例31〜34)とを混合して光記録媒体を作製した。
【0065】
(実施例35〜37)
誘電体層を設けることなく、記録層が単層構造の光記録媒体を作製した。記録層は、各種材料とZnとの混合により作製した。各種材料は、ZnS、ZnO、ZnS:SiO(80:20)とした。
【0066】
[記録・再生]
上記の光記録媒体をそれぞれ作製し、それぞれを光ディスク評価装置(商品名:DDU1000、パルステック社製)にセットした。そして、各光記録媒体に対し、記録に用いるレーザービームの波長を青色波長域(405nm)、対物レンズのNA(開口数)を0.85とし、このレーザービームを記録ヘッド内の集光レンズで光透過層側から光記録媒体に集光し、光記録を行なった。
【0067】
このときの記録信号の条件は、変調方式:(1,7)RLL、チャンネルビット長:0.12μm、記録線速度:5.3m/s、チャンネルクロック:66MHz、記録信号:8Tとした。
【0068】
続いて、各実施例及び各比較例毎に作製した記録層を構成する補助材の材料や誘電体層の材料、記録層全体としての層厚が異なる光記録媒体について、先に述べた光ディスク評価装置を用いて記録した情報を再生し、そのときの再生信号のC/N比の値を測定した。ここで、再生装置においては、再生に用いたレーザービームの波長は405nm、対物レンズのNA(開口数)を0.85とし、レーザービーム出力は0.3mWとした。
【0069】
その結果を表1〜表6に示す。
【0070】
【表1】
Figure 2004296056
【0071】
【表2】
Figure 2004296056
【0072】
【表3】
Figure 2004296056
【0073】
【表4】
Figure 2004296056
【0074】
【表5】
Figure 2004296056
【0075】
【表6】
Figure 2004296056
【0076】
これらの表1〜6に示す結果から明らかなように、実施例1〜37では、誘電体材と記録補助材を混合させ記録することで良好なC/Nを得ることができた。
【0077】
ZnS−SiO(80:20)+Sn(10nm)をX線回析によって記録部分と未記録部分を分析した結果、記録前にはSnの結晶が見られたが、記録後には、ZnS、Snの両方の結晶が見られた。又、透過電子顕微鏡でも、記録マーク部分にZnSとSnの結晶成長が確認された。
【0078】
このX線回折では、X線はCu−Kαを使用し、管電圧=50kV、管電流=300mAである。回折ピークの同定はJCPDSカードを照合した。例えば、β−Snは、04−0673の番号の材料であり、これを照合することでβ−Snの回折の位置が分かる。
【0079】
実施例1(ZnS−SiO(80:20)/Sn混合型)の構造にて記録部分と未記録部分をX線回折によって解析を行った(図3A、図3B参照)。
【0080】
未記録時(図3A)にはβ−Snの回折ピークが見られ、ZnSについては、ほとんど回折ピークが見られなかった。このことからSnは結晶であることが分かる。記録後(図3B)はZnSの鋭い回折ピークが強く見られるようになり、結晶化が起きていることが分かる。又、ZnSの回折ピークが多数現れており、記録によって、ZnSの結晶化が進行することが分かる。
【0081】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の光記録再生方法及び光記録媒体によれば、環境に与える負荷を小さくしながら単純な構成で、なお且つ今までにない新規な方法によりデータを記録・再生することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態の第1例に係る光記録媒体を示す模式図
【図2】本発明の実施の形態の第2例に係る光記録媒体を示す模式図
【図3A】実施例1の光記録媒体での未記録部分のX線回折結果を示す線図
【図3B】同記録部分のX線回折結果を示す線図
【符号の説明】
10、30…光記録媒体
12…基板
18…記録層
20…光透過層
32…反射層
LB…レーザービーム

Claims (9)

  1. 基板上に、少なくとも記録補助材と誘電体材とを混合して形成した記録層に、外部から記録されるべき情報に応じて強度変調されたレーザービームを照射して、前記誘電体材の少なくとも一部の状態を変化させることにより光学特性を変化させて情報を記録し、且つ、この光学特性の変化に伴う反射率の変化を読み取って、前記情報を再生することを特徴とする光記録再生方法。
  2. 基板上に、少なくとも記録補助材と誘電体材とを混合して形成した記録層に、外部から記録されるべき情報に応じて強度変調されたレーザービームを照射して、前記記録補助材の少なくとも一部の状態を変化させることにより光学特性を変化させて情報を記録し、且つ、この光学特性の変化に伴う反射率の変化を読み取って、前記情報を再生することを特徴とする光記録再生方法。
  3. 基板上に、少なくとも記録補助材と誘電体材とを混合して形成した記録層に、外部から記録されるべき情報に応じて強度変調されたレーザービームを照射して、前記誘電体材の少なくとも一部及び記録補助材の少なくとも一部の状態を変化させることにより光学特性を変化させて情報を記録し、且つ、この光学特性の変化に伴う反射率の変化を読み取って、前記情報を再生することを特徴とする光記録再生方法。
  4. 請求項1、2又は3において、前記誘電体材及び記録補助材の少なくとも一方の状態変化が結晶成長であることを特徴とする光記録再生方法。
  5. 基板と、少なくとも前記基板上に記録補助材及び誘電体材を混合して設けられた記録層と、を有してなり、該記録層に、外部から記録されるべき情報に応じて強度変調されたレーザービームが照射されて、前記記録補助材の少なくとも一部が状態変化することにより光学特性が変化して情報が記録され、且つ、この光学特性の変化に伴う反射率の変化を読み取ることにより前記情報の再生が可能とされたことを特徴とする光記録媒体。
  6. 基板と、少なくとも前記基板上に、状態変化の促進材を含んだ記録補助材及び状態変化を起こす母材を含む誘電体材を混合して設けられた記録層と、を有してなり、該記録層に、外部から記録されるべき情報に応じて強度変調されたレーザービームが照射されて、前記母材の少なくとも一部が状態変化することにより光学特性が変化して情報が記録され、且つ、この光学特性の変化に伴う反射率の変化を読み取ることにより、前記情報の再生が可能とされたことを特徴とする光記録媒体。
  7. 基板と、少なくとも前記基板上に、状態変化の促進材を含んだ記録補助材及び状態変化を起こす母材を含む誘電体材を混合して設けられた記録層と、を有してなり、該記録層に、外部から記録されるべき情報に応じて強度変調されたレーザービームが照射されて、前記記録補助材の少なくとも一部及び前記誘電体材の少なくとも一部が状態変化することにより光学特性が変化して情報が記録され、且つ、この光学特性の変化に伴う反射率の変化を読み取ることにより、前記情報の再生が可能とされたことを特徴とする光記録媒体。
  8. 基板と、少なくとも前記基板上に記録補助材及び誘電体材を混合して設けられた記録層と、を有してなり、前記記録補助材は、Sn,Ti,Si,Bi,Ge,C,V,W,Zr,Zn,Mg,Mn,Ag,Al,Nb,Au,Cu,Taのうちの少なくとも一つから選択される元素を主成分として含むことを特徴とする光記録媒体。
  9. 請求項8において、前記誘電体材は、Al,AlN,ZnO,ZnS,GeN,GeCrN,CeO,SiO,SiO,Ta,SiC,MgO,MgF,LaSiON,Si,TiO,InSnOからなる群より選択される少なくとも1種の材料を主成分とすることを特徴とする光記録媒体。
JP2003156562A 2002-06-03 2003-06-02 光記録再生方法及び光記録媒体 Pending JP2004296056A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003156562A JP2004296056A (ja) 2002-06-03 2003-06-02 光記録再生方法及び光記録媒体

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002162116 2002-06-03
JP2003035067 2003-02-13
JP2003156562A JP2004296056A (ja) 2002-06-03 2003-06-02 光記録再生方法及び光記録媒体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2004296056A true JP2004296056A (ja) 2004-10-21

Family

ID=29738317

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003156562A Pending JP2004296056A (ja) 2002-06-03 2003-06-02 光記録再生方法及び光記録媒体

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7136343B2 (ja)
EP (1) EP1403857A3 (ja)
JP (1) JP2004296056A (ja)
KR (1) KR100678301B1 (ja)
CN (1) CN1469362A (ja)
TW (1) TWI256629B (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7235501B2 (en) 2004-12-13 2007-06-26 Micron Technology, Inc. Lanthanum hafnium oxide dielectrics
US7560395B2 (en) 2005-01-05 2009-07-14 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposited hafnium tantalum oxide dielectrics
US7972974B2 (en) 2006-01-10 2011-07-05 Micron Technology, Inc. Gallium lanthanide oxide films
US7759747B2 (en) 2006-08-31 2010-07-20 Micron Technology, Inc. Tantalum aluminum oxynitride high-κ dielectric
US7605030B2 (en) 2006-08-31 2009-10-20 Micron Technology, Inc. Hafnium tantalum oxynitride high-k dielectric and metal gates
US7563730B2 (en) 2006-08-31 2009-07-21 Micron Technology, Inc. Hafnium lanthanide oxynitride films
US7776765B2 (en) 2006-08-31 2010-08-17 Micron Technology, Inc. Tantalum silicon oxynitride high-k dielectrics and metal gates
US7544604B2 (en) 2006-08-31 2009-06-09 Micron Technology, Inc. Tantalum lanthanide oxynitride films

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57205193A (en) * 1981-06-12 1982-12-16 Fuji Photo Film Co Ltd Optical information recording medium
KR890004230B1 (ko) * 1984-08-24 1989-10-27 가부시끼가이샤 도오시바 광(光) 디스크 메모리
JPS62204442A (ja) 1986-03-03 1987-09-09 Toshiba Corp 光記録媒体および光記録媒体の記録方法
US5635267A (en) * 1992-09-17 1997-06-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical information recording medium of phase change type having variably grooved tracks depending on their radial locations
TW484126B (en) * 1999-03-26 2002-04-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Manufacturing and recording regeneration method for information record medium

Also Published As

Publication number Publication date
TWI256629B (en) 2006-06-11
EP1403857A2 (en) 2004-03-31
TW200307925A (en) 2003-12-16
EP1403857A3 (en) 2007-03-07
US20030235134A1 (en) 2003-12-25
KR20030094051A (ko) 2003-12-11
US7136343B2 (en) 2006-11-14
KR100678301B1 (ko) 2007-02-01
CN1469362A (zh) 2004-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20040157158A1 (en) Optical recording medium
US20070190460A1 (en) Optical recording/reproducing method
JP4139740B2 (ja) 光記録再生方法及び追記型光記録媒体
JP2004158145A (ja) 光記録媒体
JP2003182237A (ja) ライト・ワンスアプリケーション用の相変化記録素子
KR100678301B1 (ko) 광기록재생방법과 광기록매체
JP2004220699A (ja) 光記録媒体
JP4047074B2 (ja) 光記録再生方法及び光記録媒体
JP2004171631A (ja) 光記録媒体
JP4105589B2 (ja) 光記録媒体および光記録方法
JP4542922B2 (ja) 光学的情報記録媒体とその製造方法
JP2004296057A (ja) 光記録再生方法及び光記録媒体
JP2003323744A (ja) 光ディスク
JP2004241103A (ja) 光記録媒体およびその製造方法
JP2006202447A (ja) 光記録媒体
JP2005182860A (ja) 光記録媒体
JP2004227720A (ja) 光記録媒体
JP2005093027A (ja) 光情報記録媒体及び記録方法
JP2002367222A (ja) 多層情報記録媒体
JP2004342196A (ja) 追記型光記録媒体とその記録方法
JP2002140835A (ja) 相変化型光情報記録媒体
JP2006255940A (ja) 情報記録媒体
JP2002092953A (ja) 光記録媒体
JP2006202430A (ja) 光記録媒体
JP2004030883A (ja) 光記録媒体および光記録方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050928

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070910

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080212

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080414

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20080513