JP4047074B2 - 光記録再生方法及び光記録媒体 - Google Patents

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、光記録媒体を用いた光記録再生方法及び光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、デジタルデータを記録するための記録媒体として、ＣＤ（ＣompactＤisc）やＤＶＤ（Digital Versatile Disc）に代表される光記録媒体が広く利用されている。これらの光記録媒体は、ＣＤ−ＲＯＭ（Ｒead Ｏnly Ｍemory）やＤＶＤ−ＲＯＭのようにデータの追記や書き換えができないタイプの光記録媒体（ＲＯＭ型光記録媒体）と、ＣＤ−Ｒ（Ｒecordable）やＤＶＤ−Ｒのようにデータの追記はできるがデータの書き換えはできないタイプの光記録媒体（追記型光記録媒体）と、ＣＤ−ＲＷ（Ｒewritable）やＤＶＤ−ＲＷのようにデータの書き換えが可能なタイプの光記録媒体（書き換え型光記録媒体）とに大別することができる。
【０００３】
広く知られているように、ＲＯＭ型光記録媒体においては、製造段階において基板に形成されるプリピットによりデータが記録されることが一般的であり、書き換え型光記録媒体においては、例えば、記録層の材料として相変化材料が用いられ、その相状態の変化に基づく光学特性の変化を利用してデータが記録されることが一般的である。
【０００４】
これに対し、追記型光記録媒体においては、記録層の材料としてシアニン系色素、フタロシアニン系色素、アゾ色素等の有機色素が用いられ、その化学的変化（場合によっては化学的変化に加えて物理的変形を伴うことがある）に基づく光学特性の変化を利用してデータが記録されることが一般的である。
【０００５】
しかしながら、有機色素は日光等の照射によって劣化することから、記録層の材料として有機色素を用いた場合、長期間の保存に対する信頼性を高めることは容易ではない。追記型光記録媒体において長期間の保存に対する信頼性を高めるためには、記録層を有機色素以外の材料によって構成することが望ましい。記録層を有機色素以外の材料によって構成した例としては、特開昭６２−２０４４４２号公報に記載されているように、２層の反応層を積層しこれを記録層として用いる技術が知られている。
【０００６】
一方、近年、データの記録密度が高められ、且つ、非常に高いデータ転送レートを実現可能な次世代型の光記録媒体が提案されている。このような次世代型の光記録媒体においては、大容量・高データ転送レートを実現するため、必然的に、データの記録・再生に用いるレーザービームのビームスポット径を非常に小さく絞らなければならない。ここで、ビームスポット径を小さく絞るためには、レーザービームを集束するための対物レンズの開口数（ＮＡ）を０．７以上、例えば０．８５程度まで大きくすると共に、レーザービームの波長λを４５０ｎｍ以下、例えば４００ｎｍ程度まで短くする必要がある。
【０００７】
しかしながら、レーザービームを集束するための対物レンズを高ＮＡ化すると、光記録媒体の反りや傾きの許容度、即ちチルトマージンが非常に小さくなるという問題が生じる。チルトマージンＴは、記録・再生に用いるレーザービームの波長λ、レーザービームの光路となる光透過層（透明基体）の厚さをｄとすると、次の（１）式によって表わすことができる。
【０００８】
Ｔ＝λ／ｄ・ＮＡ3 …（１）
【０００９】
（１）式から明らかなように、チルトマージンは対物レンズのＮＡが大きいほど小さくなってしまう。又、波面収差（コマ収差）が発生する光透過層（透明基体）の屈折率をｎ、傾き角をθとすると、波面収差係数Ｗは、次の（２）式によって表わすことができる。
【００１０】
Figure 0004047074
【００１１】
（１）式及び（２）式から明らかなように、チルトマージンを大きくし、且つ、コマ収差の発生を抑えるためには、記録・再生に用いるレーザービームが入射する光透過層（透明基体）の厚さｄを小さくすることが非常に有効である。
【００１２】
このような理由から、次世代型の光記録媒体においては、充分なチルトマージンを確保しつつ、コマ収差の発生を抑えるために、光透過層（透明基体）の厚さを１００μｍ程度まで薄くすることが要求される。このため、次世代型の光記録媒体においては、ＣＤやＤＶＤ等、現行の光記録媒体のように光透過層（透明基体）上に記録層等を形成することは困難であり、基体上に形成した記録層等の上にスピンコート法等により薄い樹脂層を光透過層（透明基体）として形成する方法が検討されている。従って、次世代型の光記録媒体の作製においては、光入射面側から順次成膜が行なわれる現行の光記録媒体とは異なり、光入射面とは反対側から順次成膜が行なわれることになる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、次世代型光記録媒体のように基体上に形成される記録層を２層の反応層によって構成した場合、ＣＤやＤＶＤ等、現行の光記録媒体のように、光透過層（透明基体）に形成される記録層を２層の反応層によって構成した場合に比べて、信号再生時に生じるノイズのレベルが大きくなり易い（Ｃ／Ｎ比が小さくなり易い）という問題が明らかとなった。
【００１４】
他方、近年における地球環境への関心の高まりから、光記録媒体の記録層の材料としても、より環境負荷の小さい材料を選択することが望ましい。更に、長期間の保存に対する信頼性を高めるためには、光記録媒体の記録層の材料としては、腐食・変質等に対して十分な耐性を有する材料を選択することが望ましい。
【００１５】
本発明は、次世代型光記録媒体の記録再生システムにおいて、特に有用となる新たな光記録再生方法及び光記録媒体を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、鋭意研究の結果、ＳｎやＺｎＳ等の環境配慮型材料を用いて簡単な膜構成で良好な光記録・再生が可能であることを見出した。
【００１７】
即ち、以下の本発明により、上記目的を達成するものである。
【００１８】
（１）基板上に、少なくとも記録補助層と誘電体層とを隣接して存在させて形成した記録層に、外部から記録されるべき情報に応じて強度変調されたレーザービームを照射して、前記誘電体層の少なくとも一部を状態変化させることにより光学特性を変化させて情報を記録し、且つ、この光学特性の変化に伴う反射率の変化を読み取って、前記情報を再生することを特徴とする光記録再生方法。
【００１９】
（２）前記誘電体層の状態変化が結晶成長であることを特徴とする（１）の光記録再生方法。
【００２０】
（３）基板と、少なくとも前記基板上に隣接して設けられた記録補助層及び誘電体層を含む記録層と、を有してなり、前記誘電体層は、状態変化を起こす母材を含み、前記記録補助層は状態変化促進材を含んでなり、ここに、外部から記録されるべき情報に応じて強度変調されたレーザービームが照射されて、該母材が状態変化することによりレーザービームにより読み取り可能に反射率が変化され、前記情報の再生が可能とされたことを特徴とする光記録媒体。
【００２１】
（４）前記記録補助層は、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｖ、Ｗ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ａｇのうちの少なくとも一つから選択される元素を主成分として含むことを特徴とする（３）の光記録媒体。
【００２２】
（５）前記誘電体層は、Ａｌ2Ｏ3、ＡｌＮ、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＧｅＮ、ＧｅＣｒＮ、ＣｅＯ2、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、Ｔａ2Ｏ5及びＳｉＣからなる群より選択される少なくとも１種の誘電体材を主成分とすることを特徴とする（３）又は（４）の光記録媒体。
【００２３】
（６）基板と、少なくとも前記基板上に隣接して設けられた記録補助層及び誘電体層を含む記録層と、を有してなり、前記記録補助層は、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｖ、Ｗ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ａｇのうちの少なくとも一つから選択される元素を主成分として含むことを特徴とする光記録媒体。
【００２４】
（７）前記誘電体層は、Ａｌ2Ｏ3、ＡｌＮ、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＧｅＮ、ＧｅＣｒＮ、ＣｅＯ2、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、Ｔａ2Ｏ5及びＳｉＣからなる群より選択される少なくとも１種の誘電体材を主成分とすることを特徴とする（６）の光記録媒体。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施の形態の例を図面を参照して詳細に説明する。
【００２６】
この実施の形態の例に係る光記録媒体１０は、追記型であり、図１に示されるように、基板１２と、基板１２上に、記録補助層１４及びその両側に隣接する誘電体層１６Ａ、１６Ｂを有して記録層１８が設けられ、その上に光透過層２０が設けられることによって構成されている。又、光記録媒体１０の中央部分には孔が設けられている。このような構造を有する光記録媒体１０に対しては、光透過層２０側からレーザービームＬＢを照射することによってデータの記録／再生が行なわれる。なお、記録補助層１４の一方のみに誘電体層１６Ａ又は１６Ｂを設けてもよい。
【００２７】
基板１２は、光記録媒体１０に求められる機械的強度を確保するための基体としての役割を果たし、その表面にはグルーブ２２及び／又はランド２４が設けられている。これらグルーブ２２及びランド２４は、データの記録及び再生を行なう場合におけるレーザービームのガイドトラックとしての役割を果たす。
【００２８】
基板１２の厚さは約１．１ｍｍに設定され、その材料としては種々の材料を用いることが可能であり、例えば、ガラス、セラミックス、あるいは樹脂を用いることができる。これらのうち、成形の容易性の観点から樹脂が好ましい。このような樹脂としてはポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられる。中でも、加工性等の点からポリカーボネート樹脂が特に好ましい。
【００２９】
前記誘電体層１６Ａ、１６Ｂは、母材として、レーザービーム照射等のエネルギーにより、光反射率等の光学特性が変化される状態変化材料を含んで構成されている。
【００３０】
この母材としての誘電体材は、状態変化を起こす材料であれば特に限定されず、例えば、酸化物、硫化物、窒化物又はこれらの組み合わせを主成分として用いることができる。より具体的には、Ａｌ2Ｏ3、ＡｌＮ、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＧｅＮ、ＧｅＣｒＮ、ＣｅＯ2、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、Ｔａ2Ｏ5及びＳｉＣからなる群より選択される少なくとも１種の誘電体材を主成分とすることが好ましく、ＺｎＳ−ＳｉＯ2からなる誘電体を主成分とすることがより好ましい。
【００３１】
なお、「誘電体材を主成分とする」とは、上記誘電体材の含有率が最も大きいことを言う。又、「ＺｎＳ−ＳｉＯ2」とは、ＺｎＳとＳｉＯ2との混合物を意味する。
【００３２】
又、誘電体材の層厚は特に限定されないが、５〜２００ｎｍであることが好ましい。この層厚が５ｎｍ未満であると、母材の充分な状態変化があったとしても、層全体としての光反射率等の光学特性の充分な変化が望めないことに加え、信号としてのＣ／Ｎが不十分となる。一方、層厚が２００ｎｍを超えると、成膜時間が長くなり生産性が低下する恐れがあり、更に、誘電体層１６Ａ、１６Ｂのもつ応力によってクラックが発生する恐れがある。又、前記記録補助層１４の影響が及ばない部分が残ることも考えられる。
【００３３】
前記記録補助層１４は、母材の反応を促進させる層であり、上記のように少なくともその一方に誘電体層１６Ａ、１６Ｂが隣接して構成されるが、所定以上のパワーを持つレーザービームが照射されると、その熱によって、記録補助層１４を構成する元素が誘電体層１６Ａ、１６Ｂに影響を与え、誘電体層１６Ａ、１６Ｂを構成する層が部分的又は全体的に状態変化（例えばアモルファスが結晶化へ移行）することにより記録マークとなる。このとき、記録層１８において記録マークの形成された部分とそれ以外の部分とでは再生光に対する光学特性が大きく異なるため、これを利用してデータの記録・再生を行なうことができる。
【００３４】
又、記録補助層に含まれる記録補助材自身の状態変化（例えば結晶成長）を伴ってもよい。この場合、この変化によってＣ／Ｎの向上が期待できる。
【００３５】
前記記録補助層１４は、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｖ、Ｗ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ａｇのうちの少なくとも一つから選択される元素を主成分とする。
【００３６】
ここで言う主成分は、記録補助層１４を構成する元素の５０％以上を占めることが好ましく、より好ましくは８０原子％である。
【００３７】
５０原子％以下になると誘電体材料を変化させる効果が不十分となり、Ｃ／Ｎが小さくなってしまう。更には記録感度が悪くなり、高いレーザーパワーで記録することで膜自身の破壊等が起こりやすくなり、保存信頼性が悪化する。
【００３８】
更に、誘電体層の状態変化を良好に行うために必要となるレーザービームのパワーをある程度低く抑えるためには、８０原子％以上であることが好ましい。
【００３９】
前記記録補助層１４の層厚は、レーザービームのビームスポットが照射されることによって誘電体層１６Ａ、１６Ｂを変化させるために充分な層厚であり、なお且つ必要以上に積層すると、より多くの熱量が必要となるため１〜５０ｎｍであることが好ましく、２〜３０ｎｍであることがより好ましい。
【００４０】
光透過層２０は、レーザービームの入射面を構成すると共にレーザービームの光路となる層であり、その厚さとしては１０〜３００μｍに設定することが好ましく、５０〜１５０μｍに設定することが特に好ましい。光透過層２０の材料としては特に限定されないが、アクリル系やエポキシ系等の紫外線硬化型樹脂を用いることが好ましい。又、紫外線硬化型樹脂を硬化させてなる膜の代わりに、光透過性樹脂からなる光透過性シートと各種接着剤や粘着剤を用いて光透過層２０を形成してもよい。
【００４１】
次に、上記光記録媒体１０の製造方法の一例について説明する。
【００４２】
まずグルーブ２２及びランド２４が形成された基板１２上に第２（光入射側からは２番目となる）の誘電体層１６Ｂを形成する。第２の誘電体層１６Ｂの形成には、例えば第２の誘電体層１６Ｂの構成元素を含む化学種を用いた気相成長法を用いることができる。このような気相成長法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法等が挙げられる。
【００４３】
次に、第２の誘電体層１６Ｂ上に記録補助層１４を形成する。この記録補助層１４も、第２の誘電体層１６Ｂと同様にして、記録補助層１４の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法を用いて形成することができる。更に、記録補助層１４上に第１（光入射側からは１番目となる）の誘電体層１６Ａを形成する。この第１の誘電体層１６Ａも、第１の誘電体層１６Ａの構成元素を含む化学種を用いた気相成長法を用いて形成することができる。
【００４４】
最後に、第１の誘電体層１６Ａ上に光透過層２０を形成する。光透過層２０は、例えば、粘度調整されたアクリル系又はエポキシ系の紫外線硬化型樹脂をスピンコート法等により皮膜させ、紫外線を照射して硬化する等の方法により形成することができる。以上により、光記録媒体の製造が完了する。
【００４５】
なお、上記光記録媒体の製造方法は、上記製造方法に特に限定されるものではなく、公知の光記録媒体の製造に採用される製造技術を用いることができる。
【００４６】
次に、上記光記録媒体１０を用いた光記録再生方法について説明する。
【００４７】
光記録媒体１０に対して、所定の出力を有するレーザービームＬＢを光透過層２０側から入射し記録補助層１４に照射する。このとき、レーザービームＬＢを集束するための対物レンズ２６の開口数（ＮＡ）は０．７以上、特に０．８５程度であることが好ましく、レーザービームＬＢの波長λは４５０ｎｍ以下、特に４０５ｎｍ程度であることが好ましい。このようにして、λ／ＮＡ＜６４０ｎｍとすることが好ましい。
【００４８】
このようなレーザービームＬＢの照射により、記録補助層１４を構成する元素がレーザービームＬＢにより加熱され、これら元素が隣接する誘電体層１６Ａ、１６Ｂに影響を与えて、部分的又は全体的に状態変化（例えばアモルファスから結晶への移行）して、記録マークが形成される。記録マークの形成された部分の光学特性は、それ以外の部分（未記録領域）の光学特性と十分に異なった値となる。従って、読取り用のレーザービームを照射したときの、記録マーク部分とそれ以外の部分とでの反射率の相違により、データの再生をすることができる。すなわち、光学特性の変調を利用してデータの記録・再生を行なうことが可能となる。
【００４９】
本発明は、以上の実施態様に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることは言うまでもない。
【００５０】
例えば、上記実施態様に係る光記録媒体１０においては、記録補助層１４が第１及び第２の誘電体層１６Ａ、１６Ｂ間に挟持されているが、図２に示される実施の形態の第２例の光記録媒体３０のように、誘電体層１６Ａ又は１６Ｂの一方を省略して記録層３２を構成しても構わない。
【００５１】
又、上記実施態様に係る光記録媒体１０、３０においては、記録補助層１４が単層で構成されているが、本発明の光記録媒体はこれに限定されるものではなく、同様の効果を有するものであれば、２層以上の層から構成されたものであってもよい。
【００５２】
更に、上記実施態様に用いる光記録媒体１０、３０において、基板１２上には反射層が備えられていないが、記録マークが形成された領域における反射光のレベルと未記録領域における反射光のレベルを充分大きくするために、図３に示される光記録媒体５０のように、反射層５２を設けてもよい。
【００５３】
反射層５２は、光透過層２０側から入射されるレーザービームを反射し、再び光透過層２０から出射させる役割を果たし、その厚さとしては５〜３００ｎｍに設定することが好ましく、１０〜２００ｎｍに設定することが特に好ましい。反射層５２の材料はレーザービームを反射可能である限り特に制限されず、例えば、Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕ等を用いることができる。これらのうち、高い反射率を有することから、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ又はこれらの合金（ＡｌとＴｉとの合金等）などの金属材料を用いることが好ましい。反射層５２を設けることにより、光記録後において多重干渉効果により高い再生信号（Ｃ／Ｎ比）が得られ易くなる。
【００５４】
【実施例】
以下、実施例を用いて本発明について更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。
【００５５】
［光記録媒体の準備］
（実施例１〜３）
以下に示す手順により、光記録媒体を作製した。
【００５６】
まず、厚さ：１．１ｍｍ、直径：１２０ｍｍのポリカーボネート基板をスパッタリング装置にセットし、このポリカーボネート基板の光反射層（実施例２のみ）上に、ＺｎＳとＳｉＯ2の混合物からなる第２の誘電体層、Ｓｎからなる状態変化促進層、ＺｎＳとＳｉＯ2の混合物からなる第１の誘電体層（実施例１、２のみ）を順次スパッタ法により形成した。
【００５７】
次に、第１の誘電体層上に、アクリル系紫外線硬化型樹脂をスピンコート法によりコーティングし、これに紫外線を照射して光透過層（層厚：１００μｍ）を形成した。
【００５８】
なお、第１の誘電体層及び第２の誘電体層においてＺｎＳとＳｉＯ2のモル比率は、ＺｎＳ：ＳｉＯ2＝８０：２０となるようにした。
【００５９】
（実施例４〜１４）
誘電体層、基板、光透過層は、実施例１と同一で、記録補助層をＳｎ以外の各種金属又は半金属として光記録媒体を作製した。
【００６０】
（比較例１〜３）
実施例４〜１４に対して記録補助層の材料を変えたのみで、他は同一条件として光記録媒体を作製した。
【００６１】
（実施例１５〜１８）
記録補助層をＳｎとし、誘電体層の材料を変えて光記録媒体を作製した。
【００６２】
［記録・再生］
上記の光記録媒体をそれぞれ作製し、それぞれを光ディスク評価装置（商品名：ＤＤＵ１０００、パルステック社製）にセットした。そして、各光記録媒体に対し、記録に用いるレーザービームの波長を青色波長域（４０５ｎｍ）、対物レンズのＮＡ（開口数）を０．８５とし、このレーザービームを記録ヘッド内の集光レンズで光透過層側から光記録媒体に集光し、光記録を行なった。
【００６３】
このときの記録信号の条件は、変調方式：（１，７）ＲＬＬ、チャンネルビット長：０．１２μｍ、記録線速度：５．３ｍ／ｓ、チャンネルクロック：６６ＭＨｚ、記録信号：８Ｔとした。
【００６４】
続いて、各実施例及び各比較例毎に作製した状態変化促進材層の材料や層厚及び誘電体層の材料や層厚が異なる光記録媒体について、先に述べた光ディスク評価装置を用いて記録した情報を再生し、そのときの再生信号のＣ／Ｎ比の値を測定した。ここで、再生装置においては、再生に用いたレーザービームの波長は４０５ｎｍ、対物レンズのＮＡ（開口数）を０．８５とし、レーザービーム出力は０．３Ｗとした。
【００６５】
その結果を表１〜表４に示す。
【００６６】
【表１】
Figure 0004047074
【００６７】
【表２】
Figure 0004047074
【００６８】
【表３】
Figure 0004047074
【００６９】
【表４】
Figure 0004047074
【００７０】
これらの表に示す結果から明らかなように、実施例１〜１８では、Ｃ／Ｎ比が３０ｄＢ以上と良好な構成が得られ、これらの光記録媒体を用いて光記録・再生が充分可能である結果が得られた。
【００７１】
実施例１、４の光記録媒体の、記録・未記録部分を透過型電子顕微鏡にて観察したところ、記録部分にＺｎＳ及びＳｎの結晶化がみられた。又、Ｘ線回析でも記録後にＺｎＳ及びＳｎの結晶化が確認できた。
【００７２】
前記Ｘ線回折では、Ｘ線はＣｕ−Ｋαを使用した管電圧＝５０ｋＶ、管電流＝３００ｍＡである。回折ピークの同定はＪＣＰＤＳカードを照合した。例えば、β−Ｓｎは、０４−０６７３の番号の材料であり、これを照合することでβ−Ｓｎの回折の位置が分かる。
【００７３】
実施例１（８０：２０／Ｓｎ／８０：２０ 積層型）の構造にて記録部分と未記録部分をＸ線回折によって解析を行った（図４Ａ、４Ｂ参照）。
【００７４】
未記録時（図４Ａ）にはβ−Ｓｎの回折ピークとＺｎＳのブロードな回折ピークが見られ、このことからＳｎは結晶であり、ＺｎＳはアモルファスであることが分かる。記録後（図４Ｂ）はＺｎＳの鋭い回折ピークが強く見られるようになり、結晶化が起きていることが分かる。又、Ｓｎに関しては、β−Ｓｎの回折ピークも観察され、ＳｎＯ2、ＳｎＳの回折ピークは観察されなかった。
【００７５】
実施例４（８０：２０／Ｔｉ／８０：２０ 積層型）の構造にて記録部分と未記録部分をＸ線回折によって解析を行った（図５Ａ、５Ｂ参照）。
【００７６】
未記録時（図５Ａ）には、わずかにＺｎＳのブロードな回折ピークが見られ、Ｔｉについては、回折ピークは見られなかった。このことからＺｎＳはアモルファスであることが分かる。記録後（図５Ｂ）は複数のＺｎＳの回折ピークが見られるようになり、結晶化が起きていることが分かる。又、Ｚｎの回折ピークが現れており、記録によって、ＺｎＳとＺｎの結晶化が進行することが分かる。
【００７７】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の光記録再生方法及び光記録媒体によれば、環境に与える負荷を小さくしながら単純な構成で、なお且つ今までにない新規な方法によりデータを記録・再生することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の第１例に係る光記録媒体を示す模式図
【図２】本発明の実施の形態の第２例に係る光記録媒体を示す模式図
【図３】本発明の実施の形態の第３例に係る光記録媒体を示す模式図
【図４Ａ】実施例１の光記録媒体での未記録部分のＸ線回折結果を示す線図
【図４Ｂ】実施例１の光記録媒体での記録部分のＸ線回折結果を示す線図
【図５Ａ】実施例４の光記録媒体での未記録部分のＸ線回折結果を示す線図
【図５Ｂ】実施例４の光記録媒体での記録部分のＸ線回折結果を示す線図
【符号の説明】
１０、３０、５０…光記録媒体
１２…基板
１４…記録補助層
１６Ａ、１６Ｂ…誘電体層
１８、３２…記録層
２０…光透過層
５２…反射層
ＬＢ…レーザービーム

Claims (5)

  1. 基板上に、少なくとも記録補助層と誘電体層とを隣接して存在させて形成した記録層に、外部から記録されるべき情報に応じて強度変調されたレーザービームを照射して、前記誘電体層の少なくとも一部を状態変化させることにより光学特性を変化させて情報を記録し、且つ、この光学特性の変化に伴う反射率の変化を読み取って、前記情報を再生することを特徴とする光記録再生方法。
  2. 請求項１において、前記誘電体層の状態変化が結晶成長であることを特徴とする光記録再生方法。
  3. 基板と、少なくとも前記基板上に隣接して設けられた記録補助層及び誘電体層を含む記録層と、を有してなり、前記誘電体層は、状態変化を起こす母材を含み、前記記録補助層は状態変化促進材を含んでなり、ここに、外部から記録されるべき情報に応じて強度変調されたレーザービームが照射されて、該母材が状態変化することによりレーザービームにより読み取り可能に反射率が変化され、前記情報の再生が可能とされたことを特徴とする光記録媒体。
  4. 基板と、少なくとも前記基板上に隣接して設けられた記録補助層及び誘電体層を含む記録層と、を有してなり、前記記録補助層は、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｖ、Ｗ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ａｇのうちの少なくとも一つから選択される元素を主成分として含むことを特徴とする光記録媒体。
  5. 請求項４において、前記誘電体層は、Ａｌ2Ｏ3、ＡｌＮ、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＧｅＮ、ＧｅＣｒＮ、ＣｅＯ2、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、Ｔａ2Ｏ5及びＳｉＣからなる群より選択される少なくとも１種の誘電体材を主成分とすることを特徴とする光記録媒体。
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