JP4662866B2 - 光記録媒体 - Google Patents
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<1> 支持基板と、該支持基板上に、光を吸収し発熱する第1の光吸収発熱部と、第1の記録部と、光を吸収し発熱する第2の光吸収発熱部と、第2の記録部とをこの順に有する光記録媒体において、
前記第1の記録部が、前記第1の光吸収発熱部上に突出して、かつ記録トラックに沿って並列して延設され、記録トラック間で分離されており、
前記第1の記録部上に、第2の光吸収発熱部及び第2の記録部がスパッタ法により積層され、
前記第2の光吸収発熱部の発熱により前記第1及び第2の記録部に記録マークが形成されたことを特徴とする光記録媒体である。
<2> 記録及び再生光の波長をλ、対物レンズの開口数をNAとすると、分離された記録部の媒体半径方向の周期であるトラックピッチが(λ/2NA)値以下であり、かつ該分離された記録部の幅が、該トラックピッチの0.6〜0.9倍である前記<1>に記載の光記録媒体である。
<3> 支持基板が記録光及び再生光の案内溝である凹部及び凸部を有し、記録部が該案内溝の前記凹部及び凸部上に存在し、かつ該記録部は前記凹部及び凸部間で分離されている前記<1>から<2>のいずれかに記載の光記録媒体である。
前記材料Aのシリコン化合物としては、例えばSiO2、SiONなどが挙げられる。
前記材料Bの硫化物材料としては、例えばZnS、CaS、BaSなどが挙げられる。
前記材料Bのセレン化物材料としては、例えばZnSe、BaSeなどが挙げられる。
前記材料Bのフッ化物材料としては、例えばCaF2、BaF2などが挙げられる。
前記材料Bの窒化物材料としては、例えばAlN、GaN、SiNなどが挙げられる。
このように光吸収発熱部に照射した光は該光吸収発熱部における発熱材料で吸収され、光を吸収することで該発熱材料が発熱するものである。
前記金属間化合物材料としては、例えばBi、Ga、In、Sn等の低融点金属を含む化合物材料を用いることができ、具体的にはBiTe、BiIn、GaSb、GaP、InP、InSb、InTe、SbSnなどが挙げられる。
前記酸化物材料としては、例えばV2O5、Cr2O3、Mn3O4、Fe2O3、Co3O4、CuO、ZnOなどが挙げられる。
分離前の記録部102は薄膜状であり、光吸収発熱部103上に積層されている。記録トラックとする部分にレーザ光を照射する。レーザ光は光吸収発熱部103で吸収され、光吸収発熱部での発熱で薄膜状である記録部の一部が変化(変質)する。記録部の変質した部分では、エッチング耐性が向上する。光記録媒体をエッチング処理することによって、薄膜状であった記録部の一部が残り、図1Aに示すような記録トラック毎に分離された記録部102が形成できる。そして分離された記録部102上に発熱材料を積層し、光吸収発熱部101を設ける。
光吸収発熱部101と記録部102の積層構成に対して、光吸収発熱部101側からレーザ光を照射する。レーザ光は光吸収発熱部101で吸収され、光吸収発熱部での発熱によって、記録部102が変化(変質)する。記録の際のレーザパワーレベルは、記録部を形成した際のレーザパワーレベルよりも高く設定する。このように、記録部の変質によって情報が記録される。
再生の際には、レーザ光は光吸収発熱部101で吸収され、発熱によって光吸収発熱部の光学特性を変化させる。この際に、光学特性の変化がレーザビーム径よりも小さな領域で起こるようにレーザ光のパワーレベルを設定する。ビーム径内一部で光吸収発熱部101の光学特性が変化することによって、実効的にはビーム径よりも小さな光学的開口が光吸収発熱部101に形成された状態になる。その小さな光学的開口によって、通常のビーム径では解像限界にあたる微小マークを再生する。ここで、前記解像限界とは、レーザ光の波長をλとし、対物レンズの開口数をNAとすると、(λ/2NA)値以下の周期を意味する。このように、解像限界の記録マークを周期信号として再生する方法を超解像再生と呼んでいる。本発明においては、相変化材料、半導体材料、低融点金属材料、金属間化合物材料、及び酸化物材料から選ばれる少なくとも1種の材料を含有する光吸収発熱部を設けることによって解像限界の微小な記録マークを再生することができる。
前記熱伝導抑止材料としては、熱伝導を抑制できる材料であれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、SiO2、SiON、SiN等のシリコン化合物材料;CaF2、BaF2等のフッ化物材料などが挙げられる。また、記録部201,102と同様に、シリコン酸化物を材料Aとする、材料Aと材料Bの混合体材料を用いることができる。ここで、材料Aはシリコン酸化物であり、材料Bは硫化物材料、セレン化物材料、フッ化物材料、窒化物材料、金属材料、及び半導体材料から選択される少なくとも1種の材料である。前記材料Aのシリコン酸化物としては、例えばSiO2、SiONなどが挙げられる。
前記材料Bの硫化物材料としては、例えばZnS、CaS、BaSなどが挙げられる。前記材料Bのセレン化物材料としては、例えばZnSe、BaSeなどが挙げられる。前記材料Bのフッ化物材料としては、例えばCaF2、BaF2などが挙げられる。前記材料Bの窒化物材料としては、例えばAlN、GaN、SiNなどが挙げられる。
前記保護層401の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えばSiN、SiO2、SiON、SiC等のシリコン化合物;ポリカーボネート、アクリル樹脂、ポリオレフィン、エポキシ、ビニルエステル、ポリエチレンテレフタレート(PET)、紫外線硬化樹脂等の透光性樹脂材料などが挙げられる。なお、各材料を単層で保護層としてもよい。
光吸収発熱部101の発熱で上下の記録部201,102が変化する。図2Bの511,512は記録部が変質した状態を示す。記録部が変質した状態、つまり、記録形態は材料密度の変化である。つまり、記録部の変質した部分511,512では、それ以外の部分よりも材料の密度が高密度化している。また、記録形態は光吸収発熱部513と記録部511,512間での元素の相互拡散があってもよい。つまり、光吸収発熱部を構成する元素と、記録部を構成する元素が相互に混ざり合っていても構わない。相互拡散が起こることによって、未記録部分(511及び512以外の記録部)との光学的コントラストが大きくなり、再生信号強度が増加する。また、記録形態は光吸収発熱部101及び記録部511,512の変形があってもよい。つまり、光吸収発熱部513が変形し、それに伴って記録部511,512が変形していても構わない。変形が起こることによって、未記録部分(511及び512以外の記録部)との光学的コントラストが大きくなり、再生信号強度が増加する。
図4は従来の光記録媒体の構成であり、薄膜を積層したのみの構成となっている。
図4の(a)は光記録媒体の断面図と記録時の温度分布を示す。701は記録部、702は光吸収発熱部、703は記録部である。記録部は薄膜状であり、光記録媒体面内において分離はされていない。704はレーザ光の照射方向を示す。705は記録マークである。矢印は媒体半径方向の記録マークの大きさ(以下、「記録マーク幅」と称することもある)を示す。706はレーザ照射時の光吸収発熱部702の温度分布を示す。即ち媒体半径方向の温度分布である。707は記録温度を示す。708はレーザビーム径を示す。光吸収発熱部702の温度分布はレーザビームの強度分布を反映し、ガウシアン分布になる。記録温度707以上に昇温した部分の記録部が変化し、記録マークになる。
804は記録温度を示す。805はレーザビーム径を示す。記録部201及び光吸収発熱部101は、線形状である記録部102の上に積層され、媒体半径方向において分離された状態になっている。光吸収発熱部101が分離された状態になっていることから面内での熱拡散が制限され、レーザビーム中心の光吸収発熱部が特に高温になる。記録温度804以上に昇温した部分が記録マークになる。
図3を参照して説明すると、図3の下は光記録媒体の記録部と光吸収発熱部のみを示した断面図である。201は記録部、101は光吸収発熱部、102は記録部、103は光吸収発熱部である。図3の上は、記録部のみを記載した平面図であり、図1A〜図1Dに共通した記録部102を示す。
図6に基づき説明すると、図6は光記録媒体の断面図であり、201は記録部、101は光吸収発熱部、102は記録部、103は光吸収発熱部、301は熱伝導抑止層、104は支持基板を示す。901は記録及び再生の際のレーザ光照射方向を示す。支持基板104には記録及び再生レーザ光の案内溝(凹部及び凸部)が存在する。902は凸部、903は凹部を示す。904はトラックピッチを示す。図6に示す通り、線形状である記録部は、凹部及び凸部上に設ける。記録及び再生の際は、レーザ光を凸部902又は凹部903に対してトラッキングする。
<線形状の記録部の作製>
図7A〜図7Cは実施例による本発明の光記録媒体の記録部の製造方法を示すものである。
図7Aは記録部を線形状に加工する前の光記録媒体の構成を示す。102は記録部である。材料はZnS−SiO2であり、材料の比率はZnSが80mol%であり、SiO2が20mol%である。102の記録部の膜厚は45nmである。
103は光吸収発熱部である。材料はGeであり、膜厚は10nmである。301は熱伝導抑止層である。材料はZnS−SiO2であり、材料の比率はZnSが80mol%であり、SiO2が20mol%であり、103の光吸収発熱部の膜厚は50nmである。
104は支持基板である。材料はポリカーボネートであり、厚みは0.6mmである。大きさは直径12cmであり、所謂CDサイズである。支持基板にはトラッキング用の溝が存在する。1001は凸部、1002は凹部を示す。
光吸収発熱部101は、材料がAgInSbTeである。発熱材料の比率は、Agが4原子%、Inが7原子%、Sbが61原子%、Teが28原子%であり、この光吸収発熱部101の膜厚は20nmであった。トラックピッチ1204は220nmである。
1301は記録部である。材料はZnS−SiO2−Agであり、材料の比率はZnSが70mol%であり、SiO2が20mol%であり、Agが10mol%であった。この記録部1301の膜厚は45nmであった。
1302は光吸収発熱部である。材料はAgInSbTeであり、材料の比率は、Agが4原子%、Inが7原子%、Sbが61原子%、Teが28原子%であった。この光吸収発熱部1302の膜厚は20nmであった。
1303は記録部である。材料はZnS−SiO2であり、材料の比率はZnSが80mol%、SiO2が20mol%であった。この記録部1303の膜厚は50nmである。
1304は支持基板である。材料はポリカーボネートであり、厚みは0.6mmである。1305はレーザ光の照射方向を示す。
また、実施例1に示したように、光記録媒体のトラックピッチを220nmまで縮小することができた。即ち、レーザ光の波長405nm、対物レンズの開口数0.85の場合、従来の光記録媒体ではトラックピッチを320nm以上に設定されるが、これと対比すると、実施例1の光記録媒体ではトラックピッチを従来の70%まで縮小できたことになる。
次に、記録マーク幅の拡がりを走査型電子顕微鏡(SEM)観察で調べた。
図9は実施例2の光記録媒体の構成を示す図である。図9の102は線形状で分離された記録部を示す。101は記録部上に積層した光吸収発熱部、201は記録部を示す。図9に示すように、線形状に分離された記録部102の端部は急峻な形状(垂直もしくは逆テーパープロファイル形状)になっている。このように急峻な形状であることから、記録部102に側壁には薄膜が堆積されにくい。記録部上に積層された光吸収発熱部101、及び記録部201の膜厚は、記録部の側壁で減少する。よって、光吸収発熱部101及び記録部201は、エッチング処理することなく、記録部102ごとに分離された状態で形成される。記録部201は、記録材料がZnS−SiO2である。材料の比率はZnSが80mol%、SiO2が20mol%であり、膜厚は60nmである。光吸収発熱部101は、材料がAgInSbTeである。発熱材料の比率は、Agが4原子%、Inが7原子%、Sbが61原子%、Teが28原子%であり、膜厚は20nmである。トラックピッチ1204は220nmである。
102 記録部
103 光吸収発熱部
104 支持基板
201 記録部
301 熱伝導抑止層
401 保護層
501 記録再生方向
511 記録マーク
512 記録マーク
513 光吸収発熱部の変形部
610 レーザビーム径
611 記録部のトラックピッチ
612 記録部の幅
701 記録部
702 光吸収発熱部
703 記録部
704 レーザ光照射方向
705 記録マーク幅
706 レーザ光照射時の光吸収発熱部温度分布
707 記録温度
708 レーザビーム径
711 記録マーク
712 レーザビーム径
713 記録マーク径
714 記録マーク長
715 トラックピッチ
716 記録周期
721 記録パルス幅
722 記録パワーレベル
723 バイアスパワーレベル
801 レーザ光照射方向
802 記録マーク幅
803 レーザ照射時の光吸収発熱部温度分布
804 記録温度
805 レーザビーム径
811 記録マーク
812 レーザビーム径
813 記録マーク幅
814 記録マーク長
901 レーザ光照射方向
902 凸部
903 凹部
904 トラックピッチ
1001 凸部
1002 凹部
1301 記録部
1302 光吸収発熱部
1303 記録部
1304 支持基板
1305 レーザ光照射方向
Claims (3)
- 支持基板と、該支持基板上に、光を吸収し発熱する第1の光吸収発熱部と、第1の記録部と、光を吸収し発熱する第2の光吸収発熱部と、第2の記録部とをこの順に有する光記録媒体において、
前記第1の記録部が、前記第1の光吸収発熱部上に突出して、かつ記録トラックに沿って並列して延設され、記録トラック間で分離されており、
前記第1の記録部上に、第2の光吸収発熱部及び第2の記録部がスパッタ法により積層され、かつ記録トラック間で分離されており、
前記第2の光吸収発熱部の発熱により前記第1及び第2の記録部に記録マークが形成されたことを特徴とする光記録媒体。 - 記録及び再生光の波長をλ、対物レンズの開口数をNAとすると、分離された記録部の媒体半径方向の周期であるトラックピッチが(λ/2NA)値以下であり、かつ該分離された記録部の幅が、該トラックピッチの0.6〜0.9倍である請求項1に記載の光記録媒体。
- 支持基板が記録光及び再生光の案内溝である凹部及び凸部を有し、記録部が該案内溝の前記凹部及び凸部上に存在し、かつ該記録部は前記凹部及び凸部間で分離されている請求項1から2のいずれかに記載の光記録媒体。
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