JP2003263776A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高密度対応の追記型光記録媒体において、記
録感度、記録前後のコントラスト、再生信号（Ｃ／Ｎ
比）、及び耐環境特性の全てに優れた光記録媒体を提供
する。 【解決手段】 記録層として第一記録層（２）と第二記
録層（３）との二層を設ける。第一記録層（２）はＳｎ
又はＢｉから成り、Ｔｅ、Ｔｉ、Ｖ、Ｙ、Ｍｎ、Ｎｉ、
Ｐｄ、Ｚｒの中から選ばれる少なくとも一つの元素を
０．１原子％以上５原子％以下の範囲内で含有する。第
二記録層（３）はＧｅから成り、Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｍ
ｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｚｒの中から選ばれた少なくとも一つ
の元素を０．５原子％以上１０原子％以下の範囲内で含
有する。
録感度、記録前後のコントラスト、再生信号（Ｃ／Ｎ
比）、及び耐環境特性の全てに優れた光記録媒体を提供
する。 【解決手段】 記録層として第一記録層（２）と第二記
録層（３）との二層を設ける。第一記録層（２）はＳｎ
又はＢｉから成り、Ｔｅ、Ｔｉ、Ｖ、Ｙ、Ｍｎ、Ｎｉ、
Ｐｄ、Ｚｒの中から選ばれる少なくとも一つの元素を
０．１原子％以上５原子％以下の範囲内で含有する。第
二記録層（３）はＧｅから成り、Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｍ
ｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｚｒの中から選ばれた少なくとも一つ
の元素を０．５原子％以上１０原子％以下の範囲内で含
有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高密度対応の追記
型の光記録媒体に関する。
型の光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】電磁波、特にレーザ入射によりデータの
記録又は再生を行う追記型の光記録媒体としては、レー
ザ入射により媒体にピット（孔）をあけるピット方式
や、相変化又は合金化等による構造変化を生じさせて反
射率を変化させて情報を記録する相変化方式又は合金化
方式が提案されている。例えばピット方式の場合、情報
を記録する記録層としてＴｅ膜を用いる研究が進み、そ
の中で耐環境特性を改善するため、特開昭５８−１８９
８５０号公報ではＴｅ膜表面に酸化膜を形成する技術が
開示されている。同じく、耐環境特性の改善のため、記
録層としてＴｅにＳｅやＣを添加した提案やＣＳ２−Ｔ
ｅ膜の検討も進められた。また、Ｔｅ膜の記録感度の向
上のために、特開昭５８−９２３４号公報ではＢｉ、Ｚ
ｎ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｓｎとの合金化により低融点化
を図る技術が開示されている。
記録又は再生を行う追記型の光記録媒体としては、レー
ザ入射により媒体にピット（孔）をあけるピット方式
や、相変化又は合金化等による構造変化を生じさせて反
射率を変化させて情報を記録する相変化方式又は合金化
方式が提案されている。例えばピット方式の場合、情報
を記録する記録層としてＴｅ膜を用いる研究が進み、そ
の中で耐環境特性を改善するため、特開昭５８−１８９
８５０号公報ではＴｅ膜表面に酸化膜を形成する技術が
開示されている。同じく、耐環境特性の改善のため、記
録層としてＴｅにＳｅやＣを添加した提案やＣＳ２−Ｔ
ｅ膜の検討も進められた。また、Ｔｅ膜の記録感度の向
上のために、特開昭５８−９２３４号公報ではＢｉ、Ｚ
ｎ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｓｎとの合金化により低融点化
を図る技術が開示されている。
【０００３】一方、相変化方式としては、代表的なもの
として、ＴｅＯｘ及びこれにＧｅ、Ｓｎ、Ｐｂを添加し
た案や、Ｂｉ２Ｔｅ３を反射層、Ｓｂ２Ｓｅ３を相変化
記録層とした二層タイプのものが提案されている。ま
た、合金化方式としては、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｓｎの元素の群
から選択された少なくとも一種の元素から成る層と、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕの元素群から選択された少なくと
も一種の元素から成る層に、レーザ光を入射して、この
二層を合金化させて記録する技術が特開平４−２２６７
８４号公報に提案されている。さらに、合金化方式とし
ては、基板状にＩｎを含む第一の記録層と、その上に設
けられた周期律表の５Ｂ族又は６Ｂ族から選ばれた元素
を含む第二の記録層から成る記録媒体が、特開平１１−
３４５０１号公報に提案されている。
として、ＴｅＯｘ及びこれにＧｅ、Ｓｎ、Ｐｂを添加し
た案や、Ｂｉ２Ｔｅ３を反射層、Ｓｂ２Ｓｅ３を相変化
記録層とした二層タイプのものが提案されている。ま
た、合金化方式としては、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｓｎの元素の群
から選択された少なくとも一種の元素から成る層と、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕの元素群から選択された少なくと
も一種の元素から成る層に、レーザ光を入射して、この
二層を合金化させて記録する技術が特開平４−２２６７
８４号公報に提案されている。さらに、合金化方式とし
ては、基板状にＩｎを含む第一の記録層と、その上に設
けられた周期律表の５Ｂ族又は６Ｂ族から選ばれた元素
を含む第二の記録層から成る記録媒体が、特開平１１−
３４５０１号公報に提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ピット
方式の場合、記録密度の向上に伴い、均一なピットを得
ることが困難となり、これにより耐環境特性と記録感度
が低下してしまう。また、相変化方式の場合、結晶と非
結晶の間の相転移を利用するもので、高温高湿条件下等
の保存環境により記録が消去されてしまう危険性があ
る。合金化方式の場合、レーザ入射による反射率の変動
即ち記録した再生信号のコントラストが小さく、再生時
に読み取りエラーが発生しやすいという問題を有する。
従って本発明の目的は、上記従来技術に鑑みてなされた
ものであり、高密度対応の追記型光記録媒体において、
再生信号のコントラストが良好で、記録感度が充分に高
く、かつ耐環境特性に優れた光記録媒体を提供すること
を目的とするものである。
方式の場合、記録密度の向上に伴い、均一なピットを得
ることが困難となり、これにより耐環境特性と記録感度
が低下してしまう。また、相変化方式の場合、結晶と非
結晶の間の相転移を利用するもので、高温高湿条件下等
の保存環境により記録が消去されてしまう危険性があ
る。合金化方式の場合、レーザ入射による反射率の変動
即ち記録した再生信号のコントラストが小さく、再生時
に読み取りエラーが発生しやすいという問題を有する。
従って本発明の目的は、上記従来技術に鑑みてなされた
ものであり、高密度対応の追記型光記録媒体において、
再生信号のコントラストが良好で、記録感度が充分に高
く、かつ耐環境特性に優れた光記録媒体を提供すること
を目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１に記載の本発明は、電磁波を記録層に入射
することで情報を記録又は再生する追記型の光記録媒体
において、記録層は、Ｓｎ又はＢｉを含む第一記録層
と、Ｇｅを含む第二記録層との二層から構成される事を
特徴とする光記録媒体とする。請求項２に記載の本発明
は、前記光記録媒体において、第一記録層は光入射側の
基板上に設けられ、第二記録層は第一記録層上に設けら
れる事を特徴とする請求項１記載の光記録媒体とする。
請求項３に記載の本発明は、前記光記録媒体において、
第一記録層は、Ｔｅ、Ｔｉ、Ｖ、Ｙ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｐ
ｄ、Ｚｒの中から選ばれる少なくとも一つの元素を含有
する事を特徴とする請求項１又は２記載の光記録媒体と
する。請求項４に記載の本発明は、前記光記録媒体にお
いて、第二記録層は、Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｎｉ、
Ｚｎ、Ｚｒの中から選ばれる少なくとも一つの元素を含
有する事を特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載
の光記録媒体とする。請求項５に記載の本発明は、前記
光記録媒体において、第一記録層の組成式をＳｎ
１００−ｘ１Ｍ１ｘ１又はＢｉ１００−ｘ１Ｍ１ｘ１と
する時、ｘ１は０．１以上５以下の範囲内である事を特
徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の光記録媒体
とする。（但しｘ１は原子％であり、Ｍ１はＴｅ、Ｔ
ｉ、Ｖ、Ｙ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｚｒの中から選ばれる
少なくとも一つの元素とする）請求項６に記載の本発明
は、前記光記録媒体において、第二記録層の組成式をＧ
ｅ１００−ｘ２Ｍ２ｘ２とする時、ｘ２は０．５以上１
０以下の範囲内である事を特徴とする請求項１乃至５の
いずれかに記載の光記録媒体とする。（但しｘ２は原子
％であり、Ｍ２はＡｌ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｚ
ｎ、Ｚｒの中から選ばれる少なくとも一つの元素とす
る）
に、請求項１に記載の本発明は、電磁波を記録層に入射
することで情報を記録又は再生する追記型の光記録媒体
において、記録層は、Ｓｎ又はＢｉを含む第一記録層
と、Ｇｅを含む第二記録層との二層から構成される事を
特徴とする光記録媒体とする。請求項２に記載の本発明
は、前記光記録媒体において、第一記録層は光入射側の
基板上に設けられ、第二記録層は第一記録層上に設けら
れる事を特徴とする請求項１記載の光記録媒体とする。
請求項３に記載の本発明は、前記光記録媒体において、
第一記録層は、Ｔｅ、Ｔｉ、Ｖ、Ｙ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｐ
ｄ、Ｚｒの中から選ばれる少なくとも一つの元素を含有
する事を特徴とする請求項１又は２記載の光記録媒体と
する。請求項４に記載の本発明は、前記光記録媒体にお
いて、第二記録層は、Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｎｉ、
Ｚｎ、Ｚｒの中から選ばれる少なくとも一つの元素を含
有する事を特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載
の光記録媒体とする。請求項５に記載の本発明は、前記
光記録媒体において、第一記録層の組成式をＳｎ
１００−ｘ１Ｍ１ｘ１又はＢｉ１００−ｘ１Ｍ１ｘ１と
する時、ｘ１は０．１以上５以下の範囲内である事を特
徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の光記録媒体
とする。（但しｘ１は原子％であり、Ｍ１はＴｅ、Ｔ
ｉ、Ｖ、Ｙ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｚｒの中から選ばれる
少なくとも一つの元素とする）請求項６に記載の本発明
は、前記光記録媒体において、第二記録層の組成式をＧ
ｅ１００−ｘ２Ｍ２ｘ２とする時、ｘ２は０．５以上１
０以下の範囲内である事を特徴とする請求項１乃至５の
いずれかに記載の光記録媒体とする。（但しｘ２は原子
％であり、Ｍ２はＡｌ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｚ
ｎ、Ｚｒの中から選ばれる少なくとも一つの元素とす
る）
【０００６】
【発明の実施の形態】以下より、本発明の実施の形態に
ついて図に基づき説明する。本発明の光記録媒体は追記
型の光記録媒体であり、特に例えばＤＶＤ−Ｒ等のデジ
タルビデオディスク、デジタルオーディオディスク、コ
ンピュータ用メモリディスク等に好適な高密度対応の光
記録媒体である。図１は本発明の光記録媒体の構成を示
したものである。本発明では、高密度対応の情報を記録
するための記録層は、第一記録層（２）と第二記録層
（３）とから成る。案内溝を有する基板（１）の上に、
二層の記録層である第一記録層（２）及び第二記録層
（３）、そしてその上に環境保護層（４）が順次設けら
れている。情報を記録するための電磁波は基板（１）側
から入射し、二層の記録層の相互拡散による光学的変化
を利用して記録層の反射率を変化させ、情報を記録す
る。
ついて図に基づき説明する。本発明の光記録媒体は追記
型の光記録媒体であり、特に例えばＤＶＤ−Ｒ等のデジ
タルビデオディスク、デジタルオーディオディスク、コ
ンピュータ用メモリディスク等に好適な高密度対応の光
記録媒体である。図１は本発明の光記録媒体の構成を示
したものである。本発明では、高密度対応の情報を記録
するための記録層は、第一記録層（２）と第二記録層
（３）とから成る。案内溝を有する基板（１）の上に、
二層の記録層である第一記録層（２）及び第二記録層
（３）、そしてその上に環境保護層（４）が順次設けら
れている。情報を記録するための電磁波は基板（１）側
から入射し、二層の記録層の相互拡散による光学的変化
を利用して記録層の反射率を変化させ、情報を記録す
る。
【０００７】第一記録層（２）は基板側に設けられる層
であり、Ｓｎ又はＢｉを含む層、或いは、Ｓｎ合金又は
Ｂｉ合金から成る層である。Ｓｎ及びＢｉは半金属であ
り、バンドギャップが極めて小さいため、光吸収能が良
く、融点が低い特性を有する。それと同時に、自由電子
が多いため、光に対する反射率が金属以外の他の元素に
比較して高く、高い記録感度と反射率を必要とする光記
録媒体の記録材料に適している。第二記録層（３）は第
一記録層（２）の上に設けられる層であり、Ｇｅを含む
層又はＧｅ合金から成る層である。Ｇｅは半導体であ
り、光吸収能が良いため、記録感度を向上させる特性を
有する。基板（１）側から情報の記録のための電磁波、
例えばレーザ光を入射すると、第一記録層（２）は、Ｓ
ｎ又はＢｉを含むため、光の吸収能が良好で、融点が低
いこともあいまって、低い記録パワーで溶融し、第二記
録層（３）との相互拡散が速やかに、しかも効率よく行
われる。これにより、記録前後における第一記録層
（２）の光学特性の変化を大きくすることができるため
に、感度が高くコントラストの大きい光記録媒体を得る
ことができる。ここで、第二記録層（３）に含まれるＧ
ｅも光吸収能がよいために、第一記録層（３）を透過し
た光を吸収し、第一記録層（２）との熱拡散による相互
拡散に寄与する。
であり、Ｓｎ又はＢｉを含む層、或いは、Ｓｎ合金又は
Ｂｉ合金から成る層である。Ｓｎ及びＢｉは半金属であ
り、バンドギャップが極めて小さいため、光吸収能が良
く、融点が低い特性を有する。それと同時に、自由電子
が多いため、光に対する反射率が金属以外の他の元素に
比較して高く、高い記録感度と反射率を必要とする光記
録媒体の記録材料に適している。第二記録層（３）は第
一記録層（２）の上に設けられる層であり、Ｇｅを含む
層又はＧｅ合金から成る層である。Ｇｅは半導体であ
り、光吸収能が良いため、記録感度を向上させる特性を
有する。基板（１）側から情報の記録のための電磁波、
例えばレーザ光を入射すると、第一記録層（２）は、Ｓ
ｎ又はＢｉを含むため、光の吸収能が良好で、融点が低
いこともあいまって、低い記録パワーで溶融し、第二記
録層（３）との相互拡散が速やかに、しかも効率よく行
われる。これにより、記録前後における第一記録層
（２）の光学特性の変化を大きくすることができるため
に、感度が高くコントラストの大きい光記録媒体を得る
ことができる。ここで、第二記録層（３）に含まれるＧ
ｅも光吸収能がよいために、第一記録層（３）を透過し
た光を吸収し、第一記録層（２）との熱拡散による相互
拡散に寄与する。
【０００８】しかし、Ｓｎ、Ｂｉ、及びＧｅは酸化しや
すく、耐候犀を劣化させるので、これを防止するため
に、本発明における第一記録層（２）は、Ｔｅ、Ｔｉ、
Ｖ、Ｙ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｚｒの中から選ばれる少な
くとも一つの元素を含有する。Ｔｅ、Ｔｉ、Ｖ、Ｙ、Ｍ
ｎ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｚｒの中から選ばれる少なくとも一つ
の元素は、０．１原子％以上５原子％以下の範囲内で添
加されるのが良い。これらの元素はＳｎ及びＢｉの特性
を損なわずに酸化を防止するだけでなく、また、これら
の元素の添加により熱伝導率が低下するため、レーザ光
の入射により発生した熱の散逸を防止して熱の利用効率
を向上させることができ、記録感度の向上につながる。
これらの元素の添加が０．１原子％未満であると耐酸化
性即ち耐環境特性と記録感度が低下し、５原子％より大
きいと伝導電子が少なくなるため反射率が低下する。ま
た、本発明の第二記録層（３）は、Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎ、
Ｍｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｚｒの中から選ばれた少なくとも一
つの元素を含有する。Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｎｉ、
Ｚｎ、Ｚｒの中から選ばれた少なくとも一つの元素は、
０．５原子％以上１０原子％以下の範囲内で添加される
のが良い。これらの元素はＧｅの特性を損なわずに酸化
を防止することができる。このとき、添加元素が０．５
原子％未満であると耐環境特性が悪化し、１０原子％よ
り大きいと記録感度が低下する。
すく、耐候犀を劣化させるので、これを防止するため
に、本発明における第一記録層（２）は、Ｔｅ、Ｔｉ、
Ｖ、Ｙ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｚｒの中から選ばれる少な
くとも一つの元素を含有する。Ｔｅ、Ｔｉ、Ｖ、Ｙ、Ｍ
ｎ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｚｒの中から選ばれる少なくとも一つ
の元素は、０．１原子％以上５原子％以下の範囲内で添
加されるのが良い。これらの元素はＳｎ及びＢｉの特性
を損なわずに酸化を防止するだけでなく、また、これら
の元素の添加により熱伝導率が低下するため、レーザ光
の入射により発生した熱の散逸を防止して熱の利用効率
を向上させることができ、記録感度の向上につながる。
これらの元素の添加が０．１原子％未満であると耐酸化
性即ち耐環境特性と記録感度が低下し、５原子％より大
きいと伝導電子が少なくなるため反射率が低下する。ま
た、本発明の第二記録層（３）は、Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎ、
Ｍｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｚｒの中から選ばれた少なくとも一
つの元素を含有する。Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｎｉ、
Ｚｎ、Ｚｒの中から選ばれた少なくとも一つの元素は、
０．５原子％以上１０原子％以下の範囲内で添加される
のが良い。これらの元素はＧｅの特性を損なわずに酸化
を防止することができる。このとき、添加元素が０．５
原子％未満であると耐環境特性が悪化し、１０原子％よ
り大きいと記録感度が低下する。
【０００９】上述のように、本発明の光記録媒体の記録
原理は、Ｓｎ又はＢｉと、Ｇｅとの間の相互拡散による
光学的変化を利用するものであるが、二層の記録層の
内、電磁波を入射する基板（１）側に融点の低い第一記
録層（１）を設けることで記録時の溶融化を低パワーで
実現することができ、溶融に伴う二つの記録層間の原子
の相互拡散を促進させるので、記録感度を向上させ、さ
らに、第一記録層にＴｅ、Ｔｉ、Ｖ、Ｙ、Ｍｎ、Ｎｉ、
Ｐｄ、Ｚｒを、第二記録層にＡｌ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｍｎ、
Ｎｉ、Ｚｎ、Ｚｒを加えることで、耐環境特性を向上さ
せることができる。また、前者のＴｅ等の一群の元素
は、記録感度を向上させる。この二層の記録層の構成を
逆にすると、入射光が第二記録層（３）で吸収されてし
まい、反射率が悪くなる。また、第一記録層（２）が記
録時に溶融しやすいことによる固体時の体積変化に伴う
基板（１）の変形等の効果が重合されており、高レベル
な再生信号を得ることができ、読み取りエラーのない、
極めて大きいコントラストを実現することができる。
原理は、Ｓｎ又はＢｉと、Ｇｅとの間の相互拡散による
光学的変化を利用するものであるが、二層の記録層の
内、電磁波を入射する基板（１）側に融点の低い第一記
録層（１）を設けることで記録時の溶融化を低パワーで
実現することができ、溶融に伴う二つの記録層間の原子
の相互拡散を促進させるので、記録感度を向上させ、さ
らに、第一記録層にＴｅ、Ｔｉ、Ｖ、Ｙ、Ｍｎ、Ｎｉ、
Ｐｄ、Ｚｒを、第二記録層にＡｌ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｍｎ、
Ｎｉ、Ｚｎ、Ｚｒを加えることで、耐環境特性を向上さ
せることができる。また、前者のＴｅ等の一群の元素
は、記録感度を向上させる。この二層の記録層の構成を
逆にすると、入射光が第二記録層（３）で吸収されてし
まい、反射率が悪くなる。また、第一記録層（２）が記
録時に溶融しやすいことによる固体時の体積変化に伴う
基板（１）の変形等の効果が重合されており、高レベル
な再生信号を得ることができ、読み取りエラーのない、
極めて大きいコントラストを実現することができる。
【００１０】各記録層の成膜法としては、各種気相成長
法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、電子ビーム
法等があるが、とくにスパッタリング法が好ましい。第
一記録層（２）の膜厚は５ｎｍから２０ｎｍ、好ましく
は１０ｎｍから１５ｎｍの範囲が良い。５ｎｍより薄い
と反射率が低下し、２０ｎｍより厚いと記録感度が悪く
なる。また、第二記録層（３）の膜厚は１０ｎｍから４
０ｎｍ、好ましくは２０ｎｍから３０ｎｍの範囲が良
い。１０ｎｍより薄いとコントラストが低下し、４０ｎ
ｍより厚いと記録感度が悪くなる。基板（１）の材料
は、通常、ガラス、セラミック、或いは樹脂が用いら
れ、樹脂基板が成形性の点で好ましい。代表例として
は、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹
脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピ
レン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹
脂、ウレタン樹脂等が挙げられるが、加工性、光学特性
等の点からポリカーボネート樹脂が好ましい。また、基
板（１）の形状は、ディスク状、カード状、あるいはシ
ート状であってもよい。環境保護層（４）の材料は、紫
外線硬化性の樹脂を用いることができる。化学的安定
性、機械的強度等を考慮するとエポキシ系樹脂が好まし
く、第二記録層（３）上にスピンコート法により設ける
ことが好ましい。
法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、電子ビーム
法等があるが、とくにスパッタリング法が好ましい。第
一記録層（２）の膜厚は５ｎｍから２０ｎｍ、好ましく
は１０ｎｍから１５ｎｍの範囲が良い。５ｎｍより薄い
と反射率が低下し、２０ｎｍより厚いと記録感度が悪く
なる。また、第二記録層（３）の膜厚は１０ｎｍから４
０ｎｍ、好ましくは２０ｎｍから３０ｎｍの範囲が良
い。１０ｎｍより薄いとコントラストが低下し、４０ｎ
ｍより厚いと記録感度が悪くなる。基板（１）の材料
は、通常、ガラス、セラミック、或いは樹脂が用いら
れ、樹脂基板が成形性の点で好ましい。代表例として
は、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹
脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピ
レン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹
脂、ウレタン樹脂等が挙げられるが、加工性、光学特性
等の点からポリカーボネート樹脂が好ましい。また、基
板（１）の形状は、ディスク状、カード状、あるいはシ
ート状であってもよい。環境保護層（４）の材料は、紫
外線硬化性の樹脂を用いることができる。化学的安定
性、機械的強度等を考慮するとエポキシ系樹脂が好まし
く、第二記録層（３）上にスピンコート法により設ける
ことが好ましい。
【００１１】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳細に説明す
る。図１の構成のディスク状光記録媒体を作製した。基
板（１）は、ピッチ０．７４μｍ、案内溝深さ４０μ
ｍ、厚さ０．６ｍｍ、直径１２０ｍｍのポリカーボネー
ト基板であり、基板（１）上に第一記録層（２）と第二
記録層（３）から成る記録層を順次スパッタ法により設
けた。表１に本実施例及び比較例における記録層の構成
を示す。表１に示すように、実施例１から１０は、第一
記録層がＳｎ又はＢｉから成り、かつＴｅ、Ｔｉ、Ｖ、
Ｙ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｚｒの中から選ばれる少なくと
も一つの元素を、０．１原子％以上５原子％以下の範囲
内で含有するものであり、第二記録層がＧｅから成り、
かつＡｌ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｚｒの中か
ら選ばれた少なくとも一つの元素を、０．５原子％以上
１０原子％以下の範囲内で含有するものである。比較例
１から５は、従来技術の構成のものを用いた。
る。図１の構成のディスク状光記録媒体を作製した。基
板（１）は、ピッチ０．７４μｍ、案内溝深さ４０μ
ｍ、厚さ０．６ｍｍ、直径１２０ｍｍのポリカーボネー
ト基板であり、基板（１）上に第一記録層（２）と第二
記録層（３）から成る記録層を順次スパッタ法により設
けた。表１に本実施例及び比較例における記録層の構成
を示す。表１に示すように、実施例１から１０は、第一
記録層がＳｎ又はＢｉから成り、かつＴｅ、Ｔｉ、Ｖ、
Ｙ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｚｒの中から選ばれる少なくと
も一つの元素を、０．１原子％以上５原子％以下の範囲
内で含有するものであり、第二記録層がＧｅから成り、
かつＡｌ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｚｒの中か
ら選ばれた少なくとも一つの元素を、０．５原子％以上
１０原子％以下の範囲内で含有するものである。比較例
１から５は、従来技術の構成のものを用いた。
【表１】
【００１２】また、得られた光記録媒体の信号特性は、
再生信号（Ｃ／Ｎ比）と記録前の反射率、記録前後のコ
ントラストで評価した。記録信号はＥＦＭランダムパタ
ーンを用い、記録パワーは８ｍＷ、１０ｍＷ、１２ｍＷ
とした。記録線速は６ｍ／ｓで行い、Ｃ／Ｎ比は３Ｔ信
号で評価した。記録再生用光源の半導体レーザの波長は
６５０ｎｍのものを用いた。また、耐環境特性は８０
℃、８５％温湿下で、２００時間保存後の記録マーク
（１０ｍＷ記録）のＣ／Ｎ比と反射率で評価した。以上
の結果を表２に示す。
再生信号（Ｃ／Ｎ比）と記録前の反射率、記録前後のコ
ントラストで評価した。記録信号はＥＦＭランダムパタ
ーンを用い、記録パワーは８ｍＷ、１０ｍＷ、１２ｍＷ
とした。記録線速は６ｍ／ｓで行い、Ｃ／Ｎ比は３Ｔ信
号で評価した。記録再生用光源の半導体レーザの波長は
６５０ｎｍのものを用いた。また、耐環境特性は８０
℃、８５％温湿下で、２００時間保存後の記録マーク
（１０ｍＷ記録）のＣ／Ｎ比と反射率で評価した。以上
の結果を表２に示す。
【表２】
【００１３】表１及び表２からわかるように、本発明の
実施例は、いずれの記録パワーにおいても、Ｃ／Ｎ比が
５７ｄＢ以上、未記録部の反射率が４６％以上、コント
ラスト０．６６以上の特性を実現し、高密度ディスク状
光記録媒体（ＤＶＤ−Ｒ）の規格値を満足している。ま
た、８０℃、８５％温室下で２００時間放置後も良好な
特性を保持している。一方、比較例に示した従来技術で
は、本発明より明らかに特性が劣ることがわかる。
実施例は、いずれの記録パワーにおいても、Ｃ／Ｎ比が
５７ｄＢ以上、未記録部の反射率が４６％以上、コント
ラスト０．６６以上の特性を実現し、高密度ディスク状
光記録媒体（ＤＶＤ−Ｒ）の規格値を満足している。ま
た、８０℃、８５％温室下で２００時間放置後も良好な
特性を保持している。一方、比較例に示した従来技術で
は、本発明より明らかに特性が劣ることがわかる。
【００１４】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、記録感度が高く、情報記録マークの再生信号の
Ｃ／Ｎ比、コントラストが良好であり、耐環境特性に優
れたＤＶＤ−Ｒ対応の追記型光記録媒体を提供すること
ができる。
よれば、記録感度が高く、情報記録マークの再生信号の
Ｃ／Ｎ比、コントラストが良好であり、耐環境特性に優
れたＤＶＤ−Ｒ対応の追記型光記録媒体を提供すること
ができる。
【図１】本発明の光記録媒体の構成を示す概略図であ
る。
る。
１ 基板
２ 第一記録層
３ 第二記録層
４ 環境保護層
【手続補正書】
【提出日】平成１４年４月３日（２００２．４．３）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ピット
方式の場合、記録密度の向上に伴い、均一なピットを得
ることが困難となり、これにより再生信号特性と記録感
度が低下してしまう。また、相変化方式の場合、結晶と
非結晶の間の相転移を利用するもので、高温高湿条件下
等の保存環境により記録が消去されてしまう危険性があ
る。合金化方式の場合、レーザ入射による反射率の変動
即ち記録した再生信号のコントラストが小さく、再生時
に読み取りエラーが発生しやすいという問題を有する。
従って本発明の目的は、上記従来技術に鑑みてなされた
ものであり、高密度対応の追記型光記録媒体において、
再生信号のコントラストが良好で、記録感度が充分に高
く、かつ耐環境特性に優れた光記録媒体を提供すること
を目的とするものである。
方式の場合、記録密度の向上に伴い、均一なピットを得
ることが困難となり、これにより再生信号特性と記録感
度が低下してしまう。また、相変化方式の場合、結晶と
非結晶の間の相転移を利用するもので、高温高湿条件下
等の保存環境により記録が消去されてしまう危険性があ
る。合金化方式の場合、レーザ入射による反射率の変動
即ち記録した再生信号のコントラストが小さく、再生時
に読み取りエラーが発生しやすいという問題を有する。
従って本発明の目的は、上記従来技術に鑑みてなされた
ものであり、高密度対応の追記型光記録媒体において、
再生信号のコントラストが良好で、記録感度が充分に高
く、かつ耐環境特性に優れた光記録媒体を提供すること
を目的とするものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】しかし、Ｓｎ、Ｂｉ、及びＧｅは酸化しや
すく、耐候性を劣化させるので、これを防止するため
に、本発明における第一記録層（２）は、Ｔｅ、Ｔｉ、
Ｖ、Ｙ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｚｒの中から選ばれる少な
くとも一つの元素を含有する。Ｔｅ、Ｔｉ、Ｖ、Ｙ、Ｍ
ｎ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｚｒの中から選ばれる少なくとも一つ
の元素は、０．１原子％以上５原子％以下の範囲内で添
加されるのが良い。これらの元素はＳｎ及びＢｉの特性
を損なわずに酸化を防止するだけでなく、また、これら
の元素の添加により熱伝導率が低下するため、レーザ光
の入射により発生した熱の散逸を防止して熱の利用効率
を向上させることができ、記録感度の向上につながる。
これらの元素の添加が０．１原子％未満であると耐酸化
性即ち耐環境特性と記録感度が低下し、５原子％より大
きいと伝導電子が少なくなるため反射率が低下する。ま
た、本発明の第二記録層（３）は、Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎ、
Ｍｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｚｒの中から選ばれた少なくとも一
つの元素を含有する。Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｎｉ、
Ｚｎ、Ｚｒの中から選ばれた少なくとも一つの元素は、
０．５原子％以上１０原子％以下の範囲内で添加される
のが良い。これらの元素はＧｅの特性を損なわずに酸化
を防止することができる。このとき、添加元素が０．５
原子％未満であると耐環境特性が悪化し、１０原子％よ
り大きいと記録感度が低下する。
すく、耐候性を劣化させるので、これを防止するため
に、本発明における第一記録層（２）は、Ｔｅ、Ｔｉ、
Ｖ、Ｙ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｚｒの中から選ばれる少な
くとも一つの元素を含有する。Ｔｅ、Ｔｉ、Ｖ、Ｙ、Ｍ
ｎ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｚｒの中から選ばれる少なくとも一つ
の元素は、０．１原子％以上５原子％以下の範囲内で添
加されるのが良い。これらの元素はＳｎ及びＢｉの特性
を損なわずに酸化を防止するだけでなく、また、これら
の元素の添加により熱伝導率が低下するため、レーザ光
の入射により発生した熱の散逸を防止して熱の利用効率
を向上させることができ、記録感度の向上につながる。
これらの元素の添加が０．１原子％未満であると耐酸化
性即ち耐環境特性と記録感度が低下し、５原子％より大
きいと伝導電子が少なくなるため反射率が低下する。ま
た、本発明の第二記録層（３）は、Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎ、
Ｍｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｚｒの中から選ばれた少なくとも一
つの元素を含有する。Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｎｉ、
Ｚｎ、Ｚｒの中から選ばれた少なくとも一つの元素は、
０．５原子％以上１０原子％以下の範囲内で添加される
のが良い。これらの元素はＧｅの特性を損なわずに酸化
を防止することができる。このとき、添加元素が０．５
原子％未満であると耐環境特性が悪化し、１０原子％よ
り大きいと記録感度が低下する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳細に説明す
る。図１の構成のディスク状光記録媒体を作製した。基
板（１）は、ピッチ０．７４μｍ、案内溝深さ４０ｎ
ｍ、厚さ０．６ｍｍ、直径１２０ｍｍのポリカーボネー
ト基板であり、基板（１）上に第一記録層（２）と第二
記録層（３）から成る記録層を順次スパッタ法により設
けた。表１に本実施例及び比較例における記録層の構成
を示す。表１に示すように、実施例１から１０は、第一
記録層がＳｎ又はＢｉから成り、かつＴｅ、Ｔｉ、Ｖ、
Ｙ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｚｒの中から選ばれる少なくと
も一つの元素を、０．１原子％以上５原子％以下の範囲
内で含有するものであり、第二記録層がＧｅから成り、
かつＡｌ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｚｒの中か
ら選ばれた少なくとも一つの元素を、０．５原子％以上
１０原子％以下の範囲内で含有するものである。比較例
１から５は、従来技術の構成のものを用いた。
る。図１の構成のディスク状光記録媒体を作製した。基
板（１）は、ピッチ０．７４μｍ、案内溝深さ４０ｎ
ｍ、厚さ０．６ｍｍ、直径１２０ｍｍのポリカーボネー
ト基板であり、基板（１）上に第一記録層（２）と第二
記録層（３）から成る記録層を順次スパッタ法により設
けた。表１に本実施例及び比較例における記録層の構成
を示す。表１に示すように、実施例１から１０は、第一
記録層がＳｎ又はＢｉから成り、かつＴｅ、Ｔｉ、Ｖ、
Ｙ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｚｒの中から選ばれる少なくと
も一つの元素を、０．１原子％以上５原子％以下の範囲
内で含有するものであり、第二記録層がＧｅから成り、
かつＡｌ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｚｒの中か
ら選ばれた少なくとも一つの元素を、０．５原子％以上
１０原子％以下の範囲内で含有するものである。比較例
１から５は、従来技術の構成のものを用いた。
【表１】
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 梅原 正彬
東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式
会社リコー内
Ｆターム(参考） 2H111 EA03 EA32 EA37 EA39 FA02
FA14 FA30 FB03 FB05 FB06
FB10 FB17 FB19 FB20 FB21
FB23 FB30
5D029 JA01 JB05 JB28
Claims (6)
- 【請求項１】 電磁波を記録層に入射することで情報を
記録又は再生する追記型の光記録媒体において、 記録層は、Ｓｎ又はＢｉを含む第一記録層と、Ｇｅを含
む第二記録層との二層から構成される事を特徴とする光
記録媒体。 - 【請求項２】 前記光記録媒体において、 第一記録層は光入射側の基板上に設けられ、第二記録層
は第一記録層上に設けられる事を特徴とする請求項１記
載の光記録媒体。 - 【請求項３】 前記光記録媒体において、 第一記録層は、Ｔｅ、Ｔｉ、Ｖ、Ｙ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｐ
ｄ、Ｚｒの中から選ばれる少なくとも一つの元素を含有
する事を特徴とする請求項１又は２記載の光記録媒体。 - 【請求項４】 前記光記録媒体において、 第二記録層は、Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、
Ｚｒの中から選ばれる少なくとも一つの元素を含有する
事を特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の光記
録媒体。 - 【請求項５】 前記光記録媒体において、第一記録層の
組成式をＳｎ１００ −ｘ１Ｍ１ｘ１、又はＢｉ
１００−ｘ１Ｍ１ｘ１とする時、 ｘ１は０．１以上５以下の範囲内である事を特徴とする
請求項１乃至４のいずれかに記載の光記録媒体。（但し
ｘ１は原子％であり、Ｍ１はＴｅ、Ｔｉ、Ｖ、Ｙ、Ｍ
ｎ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｚｒの中から選ばれる少なくとも一つ
の元素） - 【請求項６】 前記光記録媒体において、第二記録層の
組成式をＧｅ１００ −ｘ２Ｍ２ｘ２とする時、 ｘ２は０．５以上１０以下の範囲内である事を特徴とす
る請求項１乃至５のいずれかに記載の光記録媒体。（但
しｘ２は原子％であり、Ｍ２はＡｌ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｍ
ｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｚｒの中から選ばれる少なくとも一つ
の元素）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002063499A JP2003263776A (ja) | 2002-03-08 | 2002-03-08 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002063499A JP2003263776A (ja) | 2002-03-08 | 2002-03-08 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003263776A true JP2003263776A (ja) | 2003-09-19 |
Family
ID=29196736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002063499A Pending JP2003263776A (ja) | 2002-03-08 | 2002-03-08 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003263776A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007046390A1 (ja) * | 2005-10-18 | 2007-04-26 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | 光情報記録媒体用記録層、光情報記録媒体、および光情報記録媒体用スパッタリングターゲット |
-
2002
- 2002-03-08 JP JP2002063499A patent/JP2003263776A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007046390A1 (ja) * | 2005-10-18 | 2007-04-26 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | 光情報記録媒体用記録層、光情報記録媒体、および光情報記録媒体用スパッタリングターゲット |
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