CN1692419A - 磁光记录介质、信息记录/读出方法和磁记录装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及具有记录层的磁光记录介质，该介质在记录层侧被记录光照射并被施加磁场，其中通过记录光的照射和磁场的施加，数据被记录到记录层上。本发明的目的是提供一种磁光记录介质，它能够在读出期间用高功率激光束照射而不增大噪声，并且其记录层在记录期间可以用中等功率激光束充分加热以减小其矫顽磁力。该磁光记录介质包括衬底；形成在衬底上并具有预定的高导热率第一散热层；形成在第一散热层上并具有比所述高导热率低的低导热率的分隔层；形成在分隔层上并具有比所述低导热率高但比所述高导热率低的预定导热率的第二散热层；和记录层，该记录层形成在散热层的上方，并且数据通过记录光的照射和磁场的施加被记录到所述记录层上。

Description

磁光记录介质、信息记录/读出方法和磁记录装置
技术领域
本发明涉及磁光记录介质，所述磁光记录介质在衬底上具有记录层并且在记录层侧被记录光照射并被施加磁场，其中通过记录光的照射和磁场的施加，数据被记录在记录层上，本发明还涉及用于在磁光记录介质上记录和读出信息的信息记录/读出方法，以及在磁光记录介质上记录和读出信息的磁记录装置。
背景技术
大多数商业化的磁光记录介质具有多个层，例如记录层、具有比记录层更高的导热率的散热层以及保护这些被堆叠在透明衬底上的层的保护层，透过衬底，该磁光记录介质被记录光束照射并受到磁场作用，以将信息记录在其上。为了读出记录在记录层上的信息，利用穿过衬底的读出光束对其进行照射。
为了高密度地在磁光记录介质上光学地并和磁力地记录信息，已经进行了研究，以通过由物镜聚焦被施加到记录层的光束，来减小光束的斑点尺寸φ的。斑点尺寸φ、物镜的数值孔径NA以及光束的波长λ之间的关系通常被表示为φ＝λ/2NA。因此，通过减小光束的波长λ或者通过增大物镜的数值孔径NA，可以减小斑点尺寸φ，以提高密度。然而，增大物镜的数值孔径NA将减小焦距，因此如像过去一样利用穿过衬底的光束进行照射会带来这样的问题，即由于衬底厚度不均匀或者衬底的翘曲，导致畸变将增大。一种这样的技术是公知的，在该技术中，为了规避该问题，通过从记录层侧而不是从衬底侧(例如，见专利文献1)施加光束，来增大物镜的数值孔径NA。从记录层侧施加光束的方案在下文中被称为前照射法。在支持前照射法的磁光记录介质上，因为光束被从记录层侧施加，所以散热层被设置得比记录层更靠近衬底。
为了减小波长λ，可以使用蓝色激光代替传统上已经被用作光束的红色激光。但是，驱动磁光记录介质的具有蓝色激光光源和光电探测器的驱动器的电路噪声大于具有用于红色激光束的激光光源和光电探测器的驱动器的电路噪声。此外，蓝色激光光电探测器的转换效率低于红色激光光电探测器的转换效率，并且在读出期间信号强度(载波)减小。因此，使用蓝色激光具有这样的问题，即与使用传统的红色激光的情况相比，CNR(载噪比)较低。为了相对地减小电路噪声并增大载波，可以使用具有尽可能高的读出功率的蓝色激光束。但是，当记录层在读取期间由于激光照射被加热并且记录层的温度超出其居里温度时，其矫顽磁力丧失而记录的信息被删除。因此，在记录介质上，应该提高散热层的消散由激光照射而在记录层中产生的热的能力。以前已经通过增大散热层的厚度提高散热层的能力。
磁光记录介质的衬底的表面通常被形成为具有凸起和凹入的图案。岸(凸起)和沟(凹入)沿着图案被形成在设置在衬底上的记录层中。在前照射磁光记录介质的情形中，散热层被设置在衬底的凸起-凹入图案化的表面上，并且记录层被形成使得记录层的下表面接触散热层的表面。通常，散热层是金属层，并且随着散热层厚度增大，散热层表面往往变得呈粒状并且不均匀。如果前照射磁光记录介质的散热层表面粗糙，则在记录层中出现表面粗糙，并且岸沟图案发生变形。在信息被高密度记录于其上的磁光记录介质中，岸和沟两者都沿着轨道布置，并且在根据所施加的磁场的方向上被磁化的标记被形成在岸和沟中。如果岸/沟的形状发生变形，则标记也发生变形，结果介质的噪声增大。此外，在磁光记录介质上进行记录期间，记录层被记录激光束的照射加热，并且磁场是在记录层的矫顽磁力减小的情况下施加的。虽然通过增大散热层的厚度，在读出期间可以提高散热能力并且可以应用高功率激光束，但是在记录期间不能向记录层提供由高功率激光束的照射产生的足以减小矫顽磁力的热。
[专利文献1]
日本专利早期公开No.2000-306271(图1)。
发明内容
针对上述的情况，本发明的目的是提供一种磁光记录介质，该磁光记录介质能够在读出操作期间用高功率激光束进行照射且当用该激光束进行照射时不会增大噪声，并且具有在记录操作期间利用中等功率激光束可以被充分加热以减小其矫顽磁力的记录层；提供一种用于在磁光记录介质上记录和读出信息的信息记录/读出方法；和用于在磁光记录介质上记录和读出信息的磁记录装置。
本发明的实现上述目的的磁光记录介质的特征在于包括：
衬底；
第一散热层，该第一散热层形成在衬底上，并具有预定的高导热率；
分隔层，该分隔层形成在第一散热层上，并具有比所述高导热率低的低导热率；
第二散热层，该第二散热层形成在分隔层上，并具有比所述低导热率高但比所述高导热率低的预定导热率；和
记录层，该记录层形成在散热层的上方，并且数据通过记录光的照射和磁场的施加被记录到该记录层上。
本发明的磁光记录介质具有支持前照射法的分层结构。因为该磁光记录介质具有被分隔层所分隔的两个散热层，即第一和第二散热层，并且不需要厚得使其表面变粗糙的散热层，所以作为整体的磁光记录介质可以提供足够的散热能力，使得其可以在读出期间被大功率激光束照射，而不增大介质噪声。
在读出期间，记录层通常被激光束以DC方式持续地照射并且连续被加热。另一方面，在记录过程中通过用激光束以脉冲方式间歇地照射记录层，记录了被良好形成的标记，这是公知的。在此情况下，记录层被短暂地加热。在本发明的磁光记录介质中，分隔层被设置在两个散热层之间，所述分隔层具有比这两个散热层更低的导热率，并且处在记录层侧的第二散热层具有比处在衬底侧的第一散热层更低的导热率。因此，在读出期间，记录层保持被光束照射的同时，在本发明的磁光记录介质的记录层中持续产生的热从记录层到第二散热层到分隔层到第一散热层被释放。另一方面，在记录期间，在记录层中利用光束的照射所短暂地产生的热传导至第二散热层，并到此为止，因此，利用中等功率的记录光束可以足够地加热记录层，以减小其矫顽磁力。
此外，本发明可以应用于所谓的“硬盘型”磁光记录介质，其中，在读出操作期间，通过探测记录层的磁通量而不是利用光束进行照射，从所述磁光记录介质读出信息。如果本发明被应用于这样的硬盘型磁光记录介质，则在记录期间，利用中等功率的激光光束可以足够地加热记录层，以减小其矫顽磁力。
优选地，磁光记录介质的第一和第二散热层中的每一个由这样的材料制成，所述材料具有一种选自由Al、Ag、Au和Pt组成的组的元素作为主要组分，并且其中添加了至少一种选自由Cu、Pd、Si、Cr、Ti和Co组成的组的元素。
Al、Ag、Au和Pt具有高散热能力，而Cu、Pd、Si、Cr、Ti和Co限制Al、Ag、Au和Pt粒子直径的膨胀。此外，将Cu、Pd、Si、Cr、Ti和Co中的任何一种添加到具有一种选自由Al、Ag、Au和Pt组成的组的元素作为主要组分的材料，减小了导热率。
优选地，本发明的磁光记录介质的第一和第二散热层都由非磁性材料制成。还优选的是，分隔层由这样的材料制成，所述材料包括至少一种选自由Si元素、Al元素和C元素组成的组的元素，或者所述分隔层由一种选自由Si氮化物、Si氧化物、Si碳化物、Al氮化物、Al氧化物、Fe碳化物、Zn硫化物和Zn氧化物组成的组中的化合物制成。
本发明的磁光记录介质的第二散热层的表面优选地比第一散热层的表面更光滑。
因为第二散热层的表面粗糙度最终会影响记录层，所以第二散热层的光滑表面允许形成具有良好形状的记录层。
本发明的磁光记录介质的分隔层的表面优选地比第二散热层的表面更光滑。
在分隔层上形成具有比分隔层更低的表面粗糙度的第二散热层是极困难的。因此，通过使分隔层光滑来保证具有良好形状的记录层的形成。
本发明的实现上述目的的信息记录/读出方法包括：记录步骤，该记录步骤通过记录光的照射和磁场的施加，将信息记录在磁光记录介质上，所述磁光记录介质具有衬底、形成在衬底上并具有预定的高导热率的第一散热层、形成在第一散热层上并具有比所述高导热率低的低导热率的分隔层、形成在分隔层上并具有比所述低导热率高但比所述高导热率低的预定导热率的第二散热层，以及记录层，所述记录层形成在散热层的上方，并且数据通过记录光的照射和磁场的施加被记录在记录层上；以及读出步骤，所述读出步骤通过探测记录层的磁通量，从与衬底相对的记录层的一侧磁性地读出信息。
实现上述目的的第一磁光记录介质包括：记录部分，所述记录部分通过记录光的照射和磁场的施加，将信息记录在磁光记录介质上，所述磁光记录介质具有衬底、形成在衬底上并具有预定的高导热率的第一散热层、形成在第一散热层上并具有比所述高导热率低的低导热率的分隔层、形成在分隔层上并具有比所述低导热率高但比所述高导热率低的预定导热率的第二散热层，和记录层，所述记录层形成在散热层的上方，并且数据通过记录光的照射和磁场的施加被记录在记录层上；和读出部分，所述读出部分通过探测记录层的磁通量，从与衬底相对的记录层的一侧磁性地读出信息。
实现上述目的的第二磁光记录介质包括单个滑块，所述单个滑块包括：光照射元件，所述光照射元件用光照射磁光记录介质，以加热磁光记录介质的记录层，所述磁光记录介质具有衬底、形成在衬底上并具有预定的高导热率的第一散热层、形成在第一散热层上并具有比所述高导热率低的低导热率的分隔层、形成在分隔层上并具有比所述低导热率高但比所述高导热率低的预定导热率的第二散热层；和记录层，所述记录层形成在散热层的上方，并且数据通过记录光的照射和磁场的施加被记录在记录层上；磁场施加元件，所述磁场施加元件将磁场施加到记录层；和磁通量探测元件，所述磁通量探测元件探测记录层的磁通量。
如上面已经描述的，本发明可以提供一种磁光记录介质，该磁光记录介质能够在读出期间用高功率激光束进行照射而不会增大噪声，并且其记录层在记录期间可以被中等功率激光束充分加热以减小其矫顽磁力；提供一种用于在磁光记录介质上记录和读出信息的信息记录/读出方法；以及提供一种在磁光记录介质上记录和读出信息的磁记录装置。
附图说明
图1是示意性地示出了根据本发明的第一实施例的磁光记录介质的分层结构的示图。
图2是示意性地示出了传统的磁光记录介质的分层结构的示图。
图3是示出了对于根据示于图1的第一实施例的磁光记录介质，CNR与读出光束的功率的相关性的图形。
图4是示出了在具有不同厚度的散热层的许多样品中，CNR与读出光束的功率的相关性的图形。
图5是示出了擦除噪声的测量结果的图形。
图6是示出了对于示于图1的磁光记录介质，CNR与记录光束的功率的相关性的图形。
图7是示出了在具有不同厚度的散热层的许多样品中，CNR与记录光束的功率的相关性的图形。
图8是示出了在每一个用读出光束照射的记录层中，在光束的束斑点中的温度分布的图形。
图9是示意性地示出了根据第二实施例的磁光记录介质的分层结构的示图。
图10是示意性地示出了作为传统的磁光记录介质的RAD介质的分层结构的示例的示图。
图11是示出了对于示于图9和10的磁光记录介质中的每一个，CNR与读出光束的功率的相关性的图形。
图12是示出了对于示于图9和10的磁光记录介质中的每一个，CNR与记录光束的功率的相关性的图形。
图13是示出了示于图9和10的磁光记录介质中的每一个的擦除噪声的测量结果的图形。
图14是示意性地示出了根据第三实施例的磁光记录介质的分层结构的示图。
图15是示意性地示出了作为传统磁光记录介质的DWDD介质的分层结构的示例的示图。
图16是示出了对于示于图14和15的磁光记录介质中的每一个，CNR与读出光束的功率的相关性的图形。
图17是示出了对于示于图14和15的磁光记录介质中的每一个，CNR与记录光束的功率的相关性的图形。
图18是示出了示于图14和15的磁光记录介质中的每一个的擦除噪声的测量结果的图形。
图19是示意性地示出了磁记录装置的一个实施例的构造的示图，所述磁记录装置将信息记录在硬盘型磁光记录介质上并且读出所记录的信息。
图20示出了对于示于图19的磁光记录介质，矫顽磁力和饱和磁化强度随温度的变化的示例的图形。
图21是示出了根据本发明的信息记录/读出方法的一个实施例的流程图。
图22是示出了示于图19的磁光记录介质的CNR随激光记录功率的变化的示例的图形。
图23是示意性地示出了具有组合滑块的磁记录装置的组合滑块的构造的示图。
图24是示出了示于图23的磁光记录介质上的CNR随记录电流的变化的示例的图形。
具体实施方式
下面将描述本发明的实施例。
首先将描述本发明的磁光记录介质的实施例。
图1是示意性地示出了根据本发明的第一实施例的磁光记录介质的分层结构的示图。
示于图1的磁光记录介质1是这样一种记录介质，其中通过记录光束R的照射和磁场的施加，信息被记录到其上，并且通过读出光束P的照射，信息被从该记录介质读出。磁光记录介质1包括衬底10，并且在衬底上具有支持前照射法的分层结构。就是说，示于图1的磁光记录介质1具有按以下次序堆叠在衬底10上的第一散热层11、分隔层12、第二散热层13、记录促进层14、记录层15、保护层16以及覆盖层17。衬底10是直径为120mm且厚度为1.2mm的玻璃2P盘。衬底10的表面10a被形成为具有凸起和凹入的图案，其被从该图中省略了。每个凸起和凹入具有0.25μm的宽度和30nm的深度。DUV(深紫外线)照射已经被施加到衬底10和具有约0.25nm的表面粗糙度Ra的极光滑的表面10a。这里所提到的表面粗糙度Ra是指在1994年修订的日本工业标准(通常称为JIS)中的B0601中所规定的中心线平均粗糙度。就是说，如果从粗糙度曲线(75％)沿其中心线方向提取等于测量长度L的部分，被提取部分的中心线被用作x轴，而竖轴方向被用作y轴，并且粗糙度曲线(75％)被表示为y＝f(x)，则表面粗糙度可以以纳米为单位由下面的式(1)表示：
Ra = 1 L ∫ 0 L | f ( x ) | dx - - - ( 1 )
在下面的描述中，由式(1)表示的表面粗糙度被简称为表面粗糙度Ra。
示于图1的第一散热层11、分隔层12以及第二散热层13是非磁性层，在它们当中，第一散热层11是Ag作为主要组分并包含Pd、Cu和Si的10nm厚的合金膜。第一散热层11通过利用合金靶和Si靶的共溅射被形成在衬底10的表面10a上，其中所述合金靶具有Ag作为主要组分，并且添加了Pd以及Cu。共溅射在下面的条件下进行：气压为0.5Pa，向合金靶的放电功率为500W，向Si靶的放电功率为320W。第一散热层11的具体组成为：96at％的Ag、1at％的Pd、1at％的Cu和2at％的Si。
分隔层12是厚度为5nm的SiN膜。通过在气压为0.3Pa的N2气中利用掺杂有B的Si作为靶进行溅射，在第一散热层11的表面上形成分隔层12。
第二散热层13是30nm厚的合金膜，该合金膜具有Ag作为主要组分并且添加了Pd、Cu和Si。第二散热层11通过利用合金靶和Si靶的共溅射被形成在分隔层12的表面上，其中所述合金靶具有Ag作为主要组分，并且添加了Pd以及Cu。在用于形成第二散热层13的共溅射中，气压为0.5Pa，向合金靶的放电功率为500W，向Si靶的放电功率为320W。第二散热层11的具体组成为：94at％的Ag、1at％的Pd、1at％的Cu和4at％的Si。第二散热层13的Si含量高于第一散热层11。散热层的导热率随着Si含量的增加而降低。因此，第二散热层13的导热率低于第一散热层11的导热率。
记录促进层14是5nm厚的GdFeCo磁性膜，它起到功能使得在施加小磁场的情况下可以进行记录。记录促进层14通过利用GdFeCo合金作为靶，在放电功率为500W并且气压为0.5Pa的情况下进行溅射，被形成在第二散热层13的表面上。记录层15是厚度为25nm的TbFeCo磁性层。记录层15通过利用TbFeCo合金作为靶，在放电功率为500W并且气压为1.0Pa的情况下进行溅射，被形成在记录促进层14的表面上。岸(凸起)和沟(凹入)与衬底表面10a中的凸起和凹入图案一致地形成在记录层15上。在磁光记录介质1中，岸和沟两者都沿着轨道布置，并且在根据所施加的磁场的方向上被磁化的标记被形成在岸和沟中，以便高密度地记录信息。记录促进层14和记录层15的组合对应于本发明的记录层。
保护层16是50nm厚的SiN电介质膜，其具有保护记录层和其他层不受湿气等的影响的功能。保护层16通过在N2气中利用掺杂B的Si作为靶，在放电功率为800W并且气压为0.3Pa的情况下进行溅射，被形成在记录层15的表面上。
覆盖层17用作支持前照射法的分层结构的衬底，并且是15微米厚的透明UV固化树脂层。通过旋涂涂敷15微米厚的UV固化树脂涂层，然后利用紫外线照射该涂层约30秒以将其固化，从而在保护层16的表面上形成覆盖层17。
利用图2，下面将描述传统的磁光记录介质的示例作为参考。
图2是示意性地示出了传统磁光记录介质的分层结构的示例的示图。
示于图2的磁光记录介质7也是支持前照射法的记录介质，其中通过记录光束R的照射和磁场的施加，信息被记录到该记录介质上，而通过读出光束P的照射，信息被从该记录介质读出。磁光记录介质7不具有在图1中示出的分隔层12。磁光记录介质7具有按如下次序被堆叠在衬底70上的第一散热层71、记录促进层72、记录层73、保护层74以及覆盖层75。就是说，磁光记录介质7包括单个散热层。该单个散热层71的具体组成为：95at％的Ag、1at％的Pd、1at％的Cu和3at％的Si。为了进行比较，提供了该单个散热层71厚度不同的若干样品磁光记录介质，并且对于其CNR(载噪比)与读出光束的功率的相关性进行了实验。下面将描述实验结果。
图3是示出了示于图1的第一实施例的磁光记录介质的CNR与读出光束的功率的相关性的图形。图4是示出了具有不同散热层厚度的样品的CNR与读出光束的功率的相关性的图形。
在这些实验中，在旋转各个磁光记录介质的同时，透过其覆盖层，其记录层被记录光束照射，并且被施加了磁场，以记录表示信息的标记。然后，在旋转磁光记录介质的同时，其记录层被穿过其覆盖层的读出光束照射，以根据记录标记读出信息，从而得到CNR。在读出光束的照射期间，其功率水平在若干水平上变化。记录标记的长度为0.25μm，并且在读出期间，磁光记录介质的圆周速率为7.5m/s。
在图3和4中示出的图形的横轴表示读出光束的功率Pr(单位为mW)，而纵轴表示CNR(单位为dB)。在图4中连接所绘制的实心圆的实线表示在图2中示出的散热层71厚度为5nm的样品的结果。连接所绘制的空心三角形的实线表示散热层71厚度为20nm的样品的结果；连接所绘制的空心圆的实线表示散热层71厚度为45nm的样品的结果；连接所绘制的实心三角形的实线表示散热层71厚度为50nm的样品的结果。
如图4所示，在样品磁光记录介质具有仅仅一层散热层的情况下，散热层越厚，提供最大CNR的读出光束的功率(此后称为最佳Pr)越高，在最佳Pr处的CNR值越高。作为实际使用的介质性能的一个指标，理想的是CNR的值大于或者等于45dB。然而，在具有仅仅一层散热层的磁光记录介质，包括具有50nm厚的散热层的磁光记录介质中，没有一个提供达到45dB的CNR。这可能是因为，在具有50nm厚的散热层的磁光记录介质中，散热层的过大的厚度导致散热层表面粗糙，这妨碍了岸/沟精确地与衬底表面中的凸起和凹入的图案一致地形成在记录层上，于是标记发生变形并且导致高的噪声。
另一方面，如图3所示，与具有50nm厚的散热层的样品介质相比，在图1中示出的磁光记录介质中，在最佳Pr处的CNR值提高了2dB或者更多，增大到了45dB或者更大，这对于实际使用足够了。对此的一个贡献因素可能是：因为第一散热层11的厚度为10nm并且第二散热层13的厚度为30nm，就是说散热层11、13两者的厚度都小于使得难以在记录层上形成精确的凸起和凹入图案的50nm，所以精确地与形成在衬底表面10a上的凸起和凹入图案相一致的凸起和凹入图案被首先形成在第一散热层11的表面上，然后，凸起和凹入的精确图案通过分隔层12也被形成在第二散热层13的表面上，并且最终，精确地与形成在衬底表面10a上的凸起和凹入图案相一致的岸/沟被形成在记录层15中。就是说，因为所形成的精确的岸沟，在岸和沟中形成了精确的标记，并因此导致了低的噪声。另一个因素可能是图1中示出的磁光记录介质的最佳Pr大于具有50nm厚的散热层的样品介质的最佳Pr，因此载波(信号强度)增大。
在一个方向上DC擦除图1中示出的磁光记录介质之后，测量不同频率的噪声水平(擦除噪声)。结果将被描述。对于所述测量，除了图1中示出的磁光记录介质之外，还提供了另外两个样品，并且它们的擦除噪声水平也被测量以进行比较。所述两个样品中的一个是具有图2中所示的分层结构的磁光记录介质，在其中不存在图1中示出的分隔层。在此样品中设置的单个散热层的具体组成为：95at％的Ag、1at％的Pd、1at％的Cu和3at％的Si。该散热层的厚度为40nm。另一个样品具有分隔层，以及被分隔层所分隔的第一和第二散热层。但是，与图1中示出的磁光记录介质不同，在该磁光记录介质中，记录层侧的第二散热层具有比衬底侧的第一散热层更高的导热率。在该样品中，通过降低Si的含量，第二散热层的导热率与第一散热层相比被增大了；第二散热层的组成为：97at％的Ag、1at％的Pd、1at％的Cu和1at％的Si。
图5是示出了擦除噪声的测量结果的图形。
图5中示出的图形的横轴表示频率(单位为MHz)，而纵轴表示擦除噪声水平。在具有40nm厚的散热层的样品中的最大擦除噪声水平被归一化为1，并且各个噪声水平被表示为对其的比值。在图5中示出的实线51表示图1中示出的磁光记录介质的擦除噪声，实线52表示具有40nm厚的散热层的样品的擦除噪声，实线53表示其第二散热层具有比第一散热层更高的导热率的样品的擦除噪声。由实线以及横轴和纵轴所包围的面积等于磁光记录介质在所有被测量的频率下的擦除噪声水平。从图5中的图形可以看出，通过设置分隔层来将散热层分成两层，并且使得衬底侧的第一散热层具有比记录层侧的第二散热层更高的导热率，可以减小擦除噪声。
如表1所示，利用第一和第二散热层的其他组成，也可以减小擦除噪声。
表1
第一散热层分隔层第二散热层 无SiN 5nmAg95Pd1Cu1Si3  Ag96Pd1Cu1Si2SiN 5nmAg94Pd1Cu1Si4  Al95Ti5SiN 5nmAl90Ti10  Au95Ti5SiN 5nmAu90Ti10  Al60Cr40SiN 5nmAl50Cr50  Pt95Ti5SiN 5nmPt90Ti10  Pt95Co5SiN 5nmPt90Co10 Ag95Ni5SiN 5nmAg90Ni10
擦除噪声 1  0.45  0.5  0.49  0.51  0.47  0.47 0.46
在表1中，第一和第二散热层的组成被示于上部，而具有拥有示于上部的组成的层的磁光记录介质在所测量的所有频率下的擦除噪声水平被示于下部。在此示出的擦除噪声水平被表示为对1的比值，其中的1是具有单个50nm厚散热层的样品在被测量的所有频率下的归一化擦除噪声水平，所述样品被用于实验，其结果被示于图4中。具有50nm厚散热层的样品的擦除噪声在表1的最左边被表示为1。对于此样品的第二散热层的示于表1上部的“Ag95Pd1Cu1Si3”表示95at％的Ag、1at％的Pd、1at％的Cu和3at％的Si。在表1的上部中的其他类似的表达中的各个数字表示其前面的元素的原子百分比。紧靠此样品的右边示出的是图1中示出的磁光记录介质的擦除噪声水平。
在图1的磁光记录介质的右侧指示出的所有六个磁光记录介质具有在衬底侧的10nm厚的第一散热层和在记录层侧的30nm厚的第二散热层，并且第一散热层具有比第二散热层更高的导热率。可以看出，这六个磁光记录介质的擦除噪声比具有50nm厚的散热层的样品低大致一半，并且第一和第二散热层中的每一个不限于被设置在针对图1所描述的磁光记录介质中的被添加了Si、Pd和Cu的Al合金膜，而可以替代的是这样的合金膜：该合金膜具有一种从由Al、Ag、Au和Pt组成的组中选择的元素作为主要组分，并且其中添加从由Si、Cr、Ti和Co组成的组中选择的元素。Al、Ag、Au和Pt具有良好的散热能力，并且可以通过添加从由Cu、Pd、Si、Cr、Ti和Co组成的组中选择的至少一种元素来控制它们的导热率。就是说，具有从由Al、Ag、Au和Pt组成的组中选择的一种元素作为主要组分并包含更多Cu、Pd、Si、Cr、Ti或者Co含量的金属膜将具有更低的导热率。因此，第二散热层应该比第一散热层包含更大量的这些掺杂剂元素。此外，Cu、Pd、Si、Cr、Ti和Co都具有限制Al、Ag、Au和Pt的粒子尺寸膨胀的能力。因此，添加这些元素可以防止散热层的表面变得呈粒状并且不均匀，由此防止噪声的增大。
还进行了关于CNR与记录光束的功率的相关性的实验，其结果将在下面被说明。除了图1中示出的磁光记录介质之外，还提供了与在关于CNR与读出光束的功率的相关性的实验中所使用的相同的样品，并被用于该实验以进行比较，其中所述样品具有不同厚度的散热层。
图6是示出了图1中示出的磁光记录介质的CNR与记录光束的功率的相关性的图形；图7是示出了具有不同厚度的散热层的样品的CNR与记录光束的功率的相关性的图形。
在此实验中，记录光束的功率在若干水平上变化，并且以与关于CNR与读出光束的功率的相关性的实验中相似的方式测量CNR。就是说，记录标记的长度为0.25μm，并且在读出期间磁光记录介质的圆周速率为7.5m/s。
在图6和图7中示出的图形的横轴表示记录光束的功率Pw(单位为mW)，纵轴表示CNR(单位为dB)。如图3中一样，在图7中连接所绘制的实心圆的实线表示包括具有5nm厚度的散热层的样品的结果；连接所绘制的空心三角形的实线表示包括具有20nm厚度的散热层的样品的结果；连接所绘制的空心圆的实线表示包括具有45nm厚度的散热层的样品的结果；连接所绘制的实心三角形的实线表示包括具有50nm厚度的散热层的样品的结果。
如图7所示，在样品磁光记录介质具有仅仅一层散热层的情况下，散热层越厚，提供最大CNR的记录光束的功率(此后称为最佳Pw)越高。在最佳Pw处进行记录的CNR值与在最佳Pr处进行记录的CNR值相当。具有仅仅一层散热层的样品磁光记录介质的CNR值低于45dB。
另一方面，如图6所示，图1中示出的磁光记录介质在最佳Pw处的CNR值也与在最佳Pr处进行记录的CNR值相当，其达到了足够实际应用的45dB或者更大。此外，该最佳Pw的值比具有50nm厚的散热层的样品的值低2mW或者更多。通常，在读取光束照射中，记录层被激光束以DC方式持续地照射并被不断加热。另一方面，在记录光束照射中，记录层被激光束以脉冲方式间歇照射，并被短暂加热。在图1示出的磁光记录介质1中，分隔层12被设置在第一散热层11和第二散热层13之间，所述分隔层12具有比散热层11和13更低的导热率，并且处在记录层侧的第二散热层13具有比处在衬底侧的第一散热层11更低的导热率。因此，考虑在此磁光记录介质1中，在记录层15中由于读出期间的激光束的持续照射而产生的热通过记录层15，到记录促进层14，到第二散热层13，到分隔层12，到第一散热层11，这样被释放，而在记录层15中由于用于记录的激光束的间歇照射而短暂产生的热被传导直到第二散热层13，并到此为止。就是说，在图1所示的磁光记录介质1中，对由读出光束的照射而在记录层15中产生的热的消散，处在记录层侧的第二散热层13和处在衬底侧的第一散热层11两者都有贡献，而对由记录光束的照射在记录层15中产生的热的消散，只有第二散热层13有贡献。因此，考虑在图1中示出的磁光记录介质1中，利用中等功率的记录光束可以提供足够减小记录层15的矫顽磁力的热，并且因此可以增大最佳Pr的值，而减小最佳Pw的值，如图6所示。在记录操作期间利用具有超高功率的激光束的照射会使标记变形并且会增大噪声。
下面将进一步详细地描述在示于图1中的磁光记录介质中处在记录层侧的第二散热层13具有比衬底侧的第一散热层11更低的导热率的意义。除了图1中所示的其中第一散热层11的导热率σ1＞第二散热层13的导热率σ2的磁光记录介质之外，其中第一散热层11的导热率σ1＜第二散热层13的导热率σ2(该关系与前者中的相反)的磁光记录介质被提供作为用于比较的样品。各个磁光记录介质的记录层从覆盖层侧被读出光束照射，并且光束的束斑点中的温度分布被检测。
图8是示出了在读出光束所照射的各个记录层中的光束的束斑点中的温度分布的图形。
图8中的图形的横轴表示离读出光束的束斑点的中心的距离。从束斑点中心0沿磁光记录介质的旋转前进方向到束斑点端部的距离被表示为+1.0，而到另一个端部的距离被表示为-1.0。因此，束斑点朝向负侧移动。这里，对于束斑点的移动方向，负侧被称为“向前”，而正侧被称为“向后”。图8中的图形的纵轴表示记录层中在读出光束的束斑点内的温度。这里的温度由对束斑点中的被归一化为1的最高温度的比值来表示。在图8中，实线表示图1中所示的其中第一散热层11的导热率σ1＞第二散热层13的导热率σ2的磁光记录介质的温度分布，而虚线表示其中第一散热层11的导热率σ1＜第二散热层13的导热率σ2(该关系与前者中的相反)的样品磁光记录介质的温度分布。
在读出期间，当束斑点内的峰值温度的位置到达从读出光束的束斑点中心稍微向后的位置时，可以在磁光记录介质上获得理想的信号，这是公知的。这对于涉及诸如低温掩模、中温读出部分和高温掩模之类的温度分布区域的规定的超高分辨率介质(例如，RAD：Rear Aperture Detection(后孔径探测))和扩展系统介质(例如，DWDD：Domain Wall DisplacementDetection(磁畴壁移动探测))是尤其重要的。如图8所示，在样品磁光记录介质中，读出光束的束斑点中的峰值温度位置在读出光束的束斑点中心的前方，而在图1所示的磁光记录介质中，峰值温度位置在束斑点中心的稍微后方。考虑到虽然当由于读出光束的照射而被加热的记录层15超出居里温度时，处在记录层侧的第二散热层13必须具有足够维持矫顽磁力的散热能力，以便获得高的载波，但是太高的散热能力将导致读出光束的束斑点中的峰值温度位置到达读出光束的束斑点中心的前方的位置。
第一散热层11、分隔层12和第二散热层13的表面粗糙度Ra之间的关系被研究了，这将在下面描述。
在此研究中，提供了具有图1所示的分层结构的五个样品磁光记录介质，这些磁光记录介质具有三个层的表面粗糙度Ra的不同组合。所有样品的第一散热层11和第二散热层13都是合金膜。第一散热层11的厚度为10nm，第二散热层13的厚度为30nm。所有样品的分隔层12为厚度5nm的SiN膜。在制造样品时，这些层通过溅射被沉积。三个层的表面粗糙度Ra通过改变溅射气体的压力和放电功率来控制。为了进行评价，计算了最佳Pw和Pr处的CNR。在CNR计算中，记录标记的长度为0.3μm，读出期间的磁光记录介质的圆周速率为7.5m/s。
表2示出了这些样品(介质A到E)的CNR。
                                          表2
  第一散热层RaRa1(nm)   分隔层RaRa0(nm)   第二散热层RaRa2(nm)   CNR(dB)   噪声(dB)   载波(dB)
  介质A   0.25   0.18   0.2   46.0   -80.0   -34.0
  介质B   0.3   0.18   0.2   45.9   -79.8   -33.9
  介质C   0.2   0.18   0.4   43.5   -77.5   -34.0
  介质D   0.2   0.35   0.6   43.3   -77.2   -33.9
  介质E   0.3   0.5   0.8   41.0   -74.8   -33.8
在表2中，各个样品的第一散热层的表面粗糙度Ra(Ra1)、分隔层的表面粗糙度Ra(Ra0)、第二散热层的表面粗糙度Ra(Ra2)以及在读出操作期间的CNR(单位为dB)被示于其各列中。在CNR列的右侧，示出了用于计算CNR而被测量的噪声值(单位为dB)和载波值(单位为dB)。
在介质A和B中，第一散热层的表面粗糙度Ra1＞第二散热层的表面粗糙度Ra2。在介质C、D和E中，第一散热层的表面粗糙度Ra1＜第二散热层的表面粗糙度Ra2。其中Ra1＞Ra2的介质A和B都提供了足够实际使用的大于或者等于45dB的CNR，而其中Ra1＜Ra2(与前者中的关系相反的关系)的介质C到E提供了小于45dB的CNR。这可能是因为：在其上沉积记录层的记录促进层被形成在第二散热层上，因此第二散热层的较低的表面粗糙度使得在记录层上精确地与衬底表面中的凸起和凹入图案一致地形成了的岸/沟，这导致了低的噪声。因此，优选的是，第二散热层的表面应该比第一散热层的表面更光滑。
因为难以通过溅射形成是合金膜的、具有低于或者等于分隔层表面粗糙度Ra0的表面粗糙度Ra1的第二散热层，所以五个介质中的任何一个的分隔层的表面粗糙度Ra低于第二散热层的表面粗糙度Ra，其中分隔层是SiN膜，其与第二散热层的下表面相接触。
分隔层的材料也被研究，并将被描述。
图1所示的磁光记录介质的分隔层12为SiN膜。在此研究中，提供了具有图1所示的分层结构的磁光记录介质的一些样品，其中这些样品的分隔层12为C膜、Si膜、SiO2膜、SiC膜、Al膜、AlN膜、Al2O3膜、FeC膜、ZnS膜以及ZnO膜，而不是SiN膜，并且计算了它们在最佳Pw和Pr处的CNR。在CNR计算中，记录标记的长度为0.3μm，读出期间的磁光记录介质的圆周速率为7.5m/s。
表3示出了对于每个样品所计算出的CNR以及用于计算CNR的最佳Pr和Pw。
                                                               表3
  分隔层   SiN   C   Si   SiO2   SiC   Al   AlN   Al2O3   FeC   ZnS   ZnO
  厚度(nm)   5   3   3   5   5   6   5   5   5   5   5
  Pr(mW)   2.8   2.8   2.8   2.8   2.8   2.8   2.8   2.8   2.8   2.8   2.8
  Pw(mW)   7.6   7.4   7.4   7.4   7.6   7.4   7.4   7.6   7.6   7.6   7.6
  CNR(dB)   45.6   45.5   45.1   45.4   45.4   45.1   45.3   45.3   45.5   45.5   45.2
在表3中，顶行包含分隔层12的膜，而其下面的行包含各个样品的分隔层的厚度(单位为nm)、最佳Pr(单位为mW)、最佳Pw(单位为mW)和CNR(单位为dB)。示于表3的左侧的SiN膜分隔层12的列指示了图1中示出的磁光记录介质的最佳Pr和Pw以及CNR。
如图3所示，所有样品磁光记录介质的最佳Pr值为2.8mW，这与图1所示的磁光记录介质的最佳Pr值相同。因此，可以看出，获得了高的最佳Pr值。此外，所有样品的CNR值高于或者等于足够实际应用的45dB。样品磁光记录介质提供了7.6mW的最佳Pw值，这与图1所示的磁光记录介质的最佳Pw值相同，或者提供了7.4mW的最佳Pw值，这低于图1所示的磁光记录介质的最佳Pw值。因此，可以看出，获得了低的最佳Pw值。因而，分隔层不限于SiN膜。其可以由这样的材料制成，所述材料包含从由元素Si、元素Al和元素C组成的组中选择的至少一种元素，或者可以由从Si氧化物、Si碳化物、Al氮化物、Al氧化物、Fe碳化物、Zn硫化物和Zn氧化物所组成的组中选择的一种化合物制成。
通过由具有比构成第一散热层的粒子更小直径的粒子的膜(例如Si膜或者SiN膜)形成分隔层，其中所述分隔层接触第一散热层的下表面，所述膜是具有从由Al、Ag、Au和Pt组成的组中选择的一种元素作为主要组分的合金膜，因为第一散热层的表面中的粒子之间的间隙可以被具有更小直径的粒子填充，所以可以改善第一散热层的表面粗糙度。
下面将描述根据本发明的第二实施例的磁光记录介质。
图9是示意性地示出了根据第二实施例的磁光记录介质的分层结构的示图。
图9中示出的磁光记录介质2是RAD介质，它是一种超高分辨率介质，其中通过记录光束R的照射和磁场的施加，信息被记录到该介质上，并且通过读出光束P的照射和磁场的施加，信息被从该介质上读出。类似于第一实施例的磁光记录介质1，磁光记录介质2具有衬底20，以及在衬底20上的前照射分层结构。但是，该分层结构是RAD介质专用结构。就是说，在图9所示的磁光记录介质2中，如在第一实施例的磁光记录介质1中的那样，第一散热层21、分隔层22和第二散热层23按此次序被堆叠在衬底20上，但是，堆叠在第二散热层23上的依次是记录层24、中间层25、读出层26、保护层27和覆盖层28。磁光记录介质2的衬底20与第一实施例的磁光记录介质1的衬底10的材料和形状相同。虽然被从图中省略了，但衬底的表面具有凸起和凹入图案。在设置在磁光记录介质2中的层21到28之中，除了中间层25、读出层26和保护层27之外，层21到24以及层28的厚度、组成和沉积条件都与第一实施例的磁光记录介质1的层11到13、15和17的与它们有相同名称的那些层相同。因此，同样在磁光记录介质2中，保持了这种关系，即处在衬底20侧的第一散热层21的导热率＞处在记录层24侧的第二散热层23的导热率＞分隔层22的导热率。
图9中示出的第一散热层21和第二散热层23不限于其中添加了Si、Pd和Cu的Al合金膜，而是可以具有在表1中所示出的组成。分隔层22也不限于SiN膜，而可以是在表3中示出的多种膜中的任何一种。优选地，第一散热层21、分隔层22和第二散热层23的表面粗糙度Ra之间的关系是：第一散热层21的表面粗糙度Ra＞第二散热层23的表面粗糙度Ra＞分隔层22的表面粗糙度Ra。
下面将仅仅描述图2中所示的中间层25、读出层26和保护层27，对于其他层的描述将被省略。中间层25是GdFeCoSi磁性膜，其如下形成在记录层24的表面上：将GdFeCo合金放置在记录层24的表面上作为靶，将Si片放置在该靶上，在500W的放电功率和0.54Pa的气压下进行溅射。中间层25通过在读出光束P的照射下被加热而形成在记录层24上的标记的磁场所磁化。
读出层26是GdFeCo磁性膜，其通过利用GdFeCo合金作为靶，在800W的放电功率和0.86Pa的气体压力下进行溅射而被形成在中间层25的表面上。被形成在读出层26上的是一些区域，这些区域在读出期间沿与在记录层中所形成的标记的磁化方向相同的方向被磁化，并且比这些标记大。
图2所示的保护层27与图1所示的保护层16的不同在于沉积条件中的气压。图1所示的保护层16通过在0.3Pa的气压下进行溅射而被沉积，而图2所示的保护层27通过在0.5Pa的气压下进行溅射而被沉积。
作为参考，将针对图10描述传统的RAD介质的示例。
图10是示意性地示出了作为传统的RAD介质的磁光记录介质的分层结构的示例的示图。
图10所示的磁光记录介质8是一种前照射RAD介质，其中通过记录光束R的照射和磁场的施加，信息被记录到该RAD介质上，并且通过读出光束P的照射和磁场的施加，信息被从该RAD介质上读出。在该RAD介质，即磁光记录介质8中，不存在图9所示的分隔层22，并且散热层81、记录层82、中间层83、读出层84、保护层85以及覆盖层86按此次序被堆叠在衬底80上。就是说，磁光记录介质8包括仅仅一层散热层。该单个散热层81的具体组成为：95at％的Ag、1at％的Pd、1at％的Cu和3at％的Si。散热层81的厚度为40nm。
对于图9和10所示的磁光记录介质的CNR与读出光束和记录光束的功率的相关性进行了实验。下面将描述实验结果。
图11是示出了示于图9和10的每种磁光记录介质的CNR与读出光束的功率的相关性的图形。图12是示出了这两种磁光记录介质中的每一个的CNR与记录光束的功率的相关性的图形。
在这些实验中，在旋转各个磁光记录介质的同时，透过覆盖层，通过用记录光束照射记录层并且施加磁场，将表示信息的标记记录在记录层上。在记录光束的照射期间，其功率水平在若干水平上变化以获得最佳Pw。然后，在旋转磁光记录介质的同时，透过覆盖层，通过利用读出光束进行照射并且施加磁场，基于记录标记的信息被读出，从而得到CNR。在读出光束的照射期间，其功率水平在数个水平上变化以获得最佳Pr。记录标记的长度为0.20μm，并且在读出期间，磁光记录介质的圆周速率为7.5m/s。
图11所示的图形的横轴表示读出光束的功率Pr(单位为mW)，图12所示的图形的横轴表示记录光束的功率Pw(单位为mW)。图11和12所示的图形中的每一个的纵轴表示CNR(单位为dB)。在图11和12中，连接所绘制的圆的实线表示对于图9所示的第二实施例的磁光记录介质2的结果，而连接所绘制的三角形的实线表示对于图10所示的具有单个散热层的磁光记录介质的结果。
如图11所示，第二实施例的磁光记录介质2的最佳Pr比具有单个散热层的磁光记录介质的最佳Pr高约0.5mW。第二实施例的磁光记录介质2在最佳Pr处的CNR值比具有单个散热层的磁光记录介质的高约2dB，即45dB或者更大，因此对于实际使用是足够的。此外，如图12所示，第二实施例的磁光记录介质2的最佳Pw比具有单个散热层的磁光记录介质的最佳Pw低约1mW。
还测量了第二实施例的磁光记录介质2和具有单个散热层的磁光记录介质8的擦除噪声水平。结果将在下面描述。
图13是示出了图9和10所示的磁光记录介质的擦除噪声的测量结果的图形。
图13所示的图形的横轴表示频率(单位为MHz)，纵轴表示擦除噪声水平。图10所示的具有单个散热层的磁光记录介质的归一化最大擦除噪声水平为1，各擦除噪声水平被表示为对其的比值。在图13中示出的实线121表示图9中的第二实施例的磁光记录介质的擦除噪声，实线122表示图10所示的具有单个散热层的磁光记录介质的擦除噪声。由实线以及横轴和纵轴所包围的面积等价于磁光记录介质在所有被测频率下的擦除噪声水平。从图13中的图形可以看出，通过设置分隔层来将散热层分成两层，可以减小RAD介质的擦除噪声。
从上述的结果可以看出，如果本发明被应用于RAD介质，则RAD在读出期间可以利用高功率激光束进行照射，而不增大介质噪声，此外，在记录期间，通过利用中等功率激光束进行照射，可以提供足以减小记录层矫顽磁力的热。应该注意，本发明不限于RAD介质，而是也可以应用于其他的超高分辨率介质，例如FAD(前孔径探测)介质和CAD(中间孔径探测)介质。
下面将描述根据本发明的第三实施例的磁光记录介质。
图14是示意性地示出了根据第三实施例的磁光记录介质3的分层结构的示图。
图14中示出的磁光记录介质3是DWDD介质，该介质是一种扩展系统介质，其中通过记录光束R的照射和磁场的施加，信息被记录到该介质上，并且通过读出光束P的照射和磁场的施加，信息被从该介质上读出。类似于上述实施例的磁光记录介质1、2，磁光记录介质3具有衬底30，以及在衬底上的前照射分层结构。但是，该分层结构是DWDD介质专用结构。就是说，在图14所示的磁光记录介质3中，与第一实施例的磁光记录介质1类似，第一散热层31、分隔层32和第二散热层33按此次序被堆叠在衬底30上，但是，堆叠在第二散热层33上的依次是记录层34、交换层35、控制层36、读出层37、保护层38和覆盖层39。磁光记录介质3的衬底30的材料和形状相同与第一实施例的磁光记录介质1的。虽然被从图中省略了，但是衬底表面形成有凸起和凹入图案。在设置在磁光记录介质3中的层31到38之中，除了交换层35和控制层36之外，层31到34以及层37到39的厚度、组成和沉积条件都与第二实施例的磁光记录介质2的层21到24以及26到28的名称与它们相同的那些层相同。因此，同样在磁光记录介质3中，保持了这种关系，即处在衬底30侧的第一散热层31的导热率＞处在记录层34侧的第二散热层33的导热率＞分隔层32的导热率。
同样在DWDD介质中，第一散热层31和第二散热层33都不限于其中添加了Si、Pd和Cu的Al合金膜，而是可以具有在表1中所示出的组成。分隔层32也不限于SiN膜，而可以是在表3中示出的多种膜中的任何一种。优选地，第一散热层31、分隔层32和第二散热层33的表面粗糙度Ra之间的关系是：第一散热层31的表面粗糙度Ra＞第二散热层33的表面粗糙度Ra＞分隔层32的表面粗糙度Ra。
将仅仅描述图14中所示的交换层35和控制层36，对于其他层的描述将被省略。交换层35是TbFeAl磁性膜，其如下形成在记录层24的表面上：放置TbFe合金作为靶，将Al片放置在该靶上，在500w的放电功率和0.5Pa的气压下进行溅射。类似于图9中示出的中间层25，交换层35通过在读出光束P的照射下加热而形成在记录层34中的标记的磁场被磁化。
控制层36是TbFeCo磁性膜，其通过利用TbFeCo合金作为靶，在800W的放电功率和0.8Pa的气体压力下进行溅射而被形成在交换层35的表面上。控制层36的功能使得促进了形成在记录层34中的标记的磁场对交换层35的磁化。
作为参考，将针对图15描述传统DWDD介质的示例。
图15是示意性地示出了作为传统DWDD介质的磁光记录介质的分层结构的示例的示图。
图15所示的磁光记录介质9是一种前照射DWDD介质，其中通过记录光束R的照射和磁场的施加，信息被记录到该DWDD介质上，并且通过读出光束P的照射和磁场的施加，信息被从该DWDD介质上读出。在该DWDD介质，即磁光记录介质9中，不存在图14所示的分隔层32，并且散热层91、记录层92、交换层93、控制层94、读出层95、保护层96以及覆盖层97按此次序被堆叠在衬底90上。就是说，磁光记录介质9具有仅仅一层散热层91。该单个散热层91的具体组成为：95at％的Ag、1at％的Pd、1at％的Cu和3at％的Si。散热层91的厚度为40nm。
对于图14和15所示的磁光记录介质的CNR与读出光束和记录光束的功率的相关性进行了实验。下面将描述实验结果。
图16是示出了示于图14和15的每种磁光记录介质的CNR与读出光束的功率的相关性的图形。图17是示出了这两种磁光记录介质的CNR与记录光束的功率的相关性的图形。
通过进行与上述关于RAD介质的CNR的功率相关性的实验相类似的实验，获得CNR。记录标记的长度为0.20μm，并且在读出期间，磁光记录介质的圆周速率为7.5m/s。
图16所示的图形的横轴表示读出光束的功率Pr(单位为mW)，图17所示的图形的横轴表示记录光束的功率Pw(单位为mW)。图16和17所示的图形的纵轴表示CNR(单位为dB)。在图16和17中，连接所绘制的圆的实线表示对于图16所示的第三实施例的磁光记录介质3的结果，连接所绘制的三角形的实线表示对于图15所示的具有单个散热层91的磁光记录介质9的结果。
如图16所示，第三实施例的磁光记录介质3的最佳Pr比具有单个散热层的磁光记录介质9的最佳Pr高约1.0mW。此外，第三实施例的磁光记录介质3在最佳Pr处的CNR值比具有单个散热层的磁光记录介质9的高约2dB或更多，即是45dB或者更大，因此对于实际使用是足够高的。如图17所示，第三实施例的磁光记录介质3的最佳Pw比具有单个散热层的磁光记录介质9的最佳Pw低约1mW。
还测量了第三实施例的磁光记录介质3和具有单个散热层的磁光记录介质9的擦除噪声水平。测量结果将在下面描述。
图18是示出了图14所示的磁光记录介质和图15所示的磁光记录介质的擦除噪声的测量结果的图形。
图18所示的图形的横轴表示频率(单位为MHz)，纵轴表示擦除噪声水平。具有单个散热层的磁光记录介质9的归一化最大擦除噪声水平为1，各噪声水平被表示为对其的比值。在图18中示出的实线181表示图14所示的第三实施例的磁光记录介质3的擦除噪声，实线182表示图15所示的具有单个散热层的磁光记录介质9的擦除噪声。由实线以及横轴和纵轴所包围的面积等价于磁光记录介质在所有被测频率下的擦除噪声水平。从图18中的图形可以看出，通过设置分隔层来将散热层分成两层，可以减小DWDD介质的擦除噪声。
从上述的结果可以看出，如果本发明被应用于DWDD介质，则DWDD介质在读出期间可以利用高功率激光束进行照射，而不增大介质噪声，此外，在记录期间，通过利用中等功率激光束进行照射，可以提供足以减小记录层矫顽磁力的热。应该注意，本发明不限于DWDD介质，而是也可以应用于其他的扩展系统介质，例如MAMMOS(MagneticallyAmplified MO Sysytem，磁性放大MO系统)介质。
上述的本发明的三个实施例的所有记录介质要求在读出操作期间利用光束进行照射。但是，本发明可以应用于在读出操作期间不需要光束照射的磁光记录介质。例如，本发明可以应用于所谓的硬盘型磁光记录介质，其中，在读出期间，通过探测记录层的磁通量而不是利用光束进行照射，从该介质读出信息。针对磁记录装置的实施例将描述将本发明的磁光记录介质应用于硬盘型磁光记录介质的示例。
图19是示意性地示出了磁记录装置的一个实施例的构造的示图，其中该装置将信息记录在硬盘型磁光记录介质上，并读出所记录的信息。
图19中所示的磁光记录介质100具有2.5英寸的盘直径，并包括平板玻璃衬底110和在玻璃衬底110上的前照射分层结构120。分层结构120包括依次被堆叠在玻璃衬底110侧上的第一散热层、分隔层、第二散热层、记录层、保护层和润滑剂层。第一散热层是10nm厚的合金膜。其具体组成为：96at％的Ag、1at％的Pd、1at％的Cu和2at％的Si。分隔层是5nm厚的SiN膜。第二散热层是30nm厚的合金膜，具有比第一散热层低的导热率。其具体组成为：94at％的Ag、1at％的Pd、1at％的Cu和4at％的Si。记录层是25nm厚的TbFeCo磁性膜，其具体组成为：21at％的Tb、40at％的Fe和39at％的Co。保护层包括3nm厚的SiN膜、形成在SiN膜上的1nm厚的Cr膜以及形成在Cr膜上的1nm厚的C膜。润滑剂层是厚度约1nm层，其通过利用旋涂来涂敷碳氟树脂而形成在保护层上。
图19中示出的作为本发明第一磁记录装置示例的磁记录装置200借助轴251，以预定旋转速率旋转磁光记录介质100。磁光记录介质100的记录层被来自激光二极管253的激光束照射。通过准直透镜254控制激光束，以产生平行光束，然后使其穿过分束器255，由设置在光头滑块258上的物镜256进行聚集，以聚焦在记录层上。激光二极管253由激光驱动电路263进行脉冲调制，使得可以提供高水平光功率和低水平光功率输出。
在记录信息期间，激光驱动电路263使得照射记录层的激光发生，并且发射。然后，记录线圈259将沿该图的向上方向的具有预定强度的直流磁场施加到激光斑点附近，由此在磁畴中记录来自向上的磁场的信息，其中，激光斑点通过被控制用于记录的激光束的照射而形成在记录层的表面上。同样，通过施加向下的磁场，来自向下磁场的信息也可以被记录在磁畴中。通过将记录线圈259靠近记录层放置，可以实现记录线圈259尺寸的明显减小。足够小的记录线圈259可以允许进行磁场调制记录。记录线圈259由记录线圈驱动电路267控制。光头滑块258、记录线圈259和其他元件构成了磁光记录部分。
从记录层反射的光的光路被分束器255改变至此图的右手侧，并且被光电探测器264转换成电信号，并且聚焦信号探测电路265探测聚焦方向。在聚焦信号探测电路265中探测出的聚焦方向控制聚焦线圈驱动电路266，以馈送聚焦电流通过聚焦线圈257，其中所述聚焦线圈257沿此图中的向上和向下方向移动物镜256，以控制激光斑点使其会聚在记录层上。
在读出期间，作为用于探测磁通量的元件而设置在磁头滑块261上的元件的磁读出元件260探测磁畴中的变化(探测与磁畴的磁化强度方向相对应的磁通量)，并且读出元件驱动探测电路262允许以高的CNR读出被高密度记录的信息。磁读出元件260、磁头滑块261以及其他元件构成了磁读出部分。
下面将描述图19中所示的磁光记录介质100的矫顽磁力和饱和磁化强度与温度的相关性。
图20是示出了图19中所示的磁光记录介质的矫顽磁力和饱和磁化强度随温度的变化的图形。
图20中示出的图形的横轴表示温度(摄氏度)。图形的纵轴表示矫顽磁力(kOe)和饱和磁化强度(emu/cc)，实线表示图19所示的磁光记录介质100的矫顽磁力，虚线表示磁光记录介质100的饱和磁化强度。
如由图中的实线所指出的，图19所示的磁光记录介质100的矫顽磁力在室温下为10kOe或者更大，其随温度的升高而降低，并且在约350℃下达到0。通过将记录层加热到某个温度可以进行记录，在该温度下得到使得可以利用由设置在图19所示的光滑块258上的记录线圈259所产生的记录磁场进行记录的矫顽磁力。
图19所示的磁光记录介质100的饱和磁化强度的值在室温下为大于或者等于100emu/cc。因此，借助传统的磁阻元件，可以读出来自记录标记的磁通量。
参考图21，下面将描述用于图19所示的磁光记录介质100的信息记录/读出方法。
图21是示出了根据本发明的信息记录/读出方法的一个实施例的流程图。
为了将信息记录在图19所示的磁光记录介质100上，在通过由光照射加热磁光记录介质100来降低记录层的矫顽磁力的情况下，施加磁场(记录步骤S1)。这导致磁畴被记录在记录层上。
为了读出记录在图19所示的磁光记录介质100上的信息，来自被记录在记录层上的磁畴的漏磁通量被探测(读出步骤S2)。这允许读出信号被获得。
下面将描述图19所示的磁光记录介质100的CNR与激光记录功率的相关性。
图22是示出了图19所示的磁光记录介质的CNR随激光记录功率的变化的示例的图形。
图22示出的图形的横轴表示激光记录功率(mW)，纵轴表示CNR(dB)。该图形中的实线表示图19所示的磁光记录介质的CNR特性。该图形中的虚线将稍后进行描述。
此处，记录磁场为400奥斯特。当上述的在光束照射下对其进行读出操作的光读出记录介质上的记录标记的尺寸为约0.2到0.3μm时，通过探测磁通量对其进行读出操作的磁读出记录介质上的记录标记的尺寸为50nm。
所使用的磁头滑块的读出芯(reproduction core)的宽度为0.2μm，屏蔽间隙长度为0.09μm。记录激光的波长为405nm，物镜的数值孔径NA为0.85。
如图22所示，在15mW的激光记录功率下，读出特性变得几乎饱和。磁读出操作可以允许从小至50nm的标记进行读出，并且与光读出相比显著改善了读出特性。
下面将描述将信息记录在磁读出记录介质上并且读出被记录信息的磁记录装置的其他实施例。图19所示的磁记录装置200具有两个滑块，即光头滑块258和磁头滑块261，而下面所描述磁记录装置具有将这些滑块组合在一起的一个滑块。
图23是示意性示出了具有组合滑块的磁记录装置的组合滑块的构造的示图。
首先将描述磁记录装置对其进行记录/读出操作的磁光记录介质。虽然类似于上述的介质，该磁光记录介质具有处在玻璃衬底上的第一散热层、分隔层、第二散热层、记录层、保护层以及润滑剂层，但是其在第一和第二散热层的材料上不同于上述的介质。就是说，图19示出的磁光记录介质100的第一和第二散热层由非磁性材料制成，而此磁光记录介质的第一和第二散热层由提供散热作用的软磁材料制成。诸如AL-或Ag-基的金属之类的金属具有高的导热率。即使诸如Co合金或者Fe合金之类的典型磁性材料的导热率也远高于用作分隔层的电介质材料。此外，因为记录线圈的磁场可以被集中在记录层上，所以通过使用软磁材料，可以提供大的磁场。
厚度为20nm的FeAlC软磁性膜被用作磁光记录介质的第一散热层。厚度为30nm的FeSiC软磁性膜被用作第二散热层。此磁光记录介质此后被称为具有软磁性膜的磁光记录介质。
类似于图19所示的磁光记录介质的分隔层，具有软磁性膜的磁光记录介质的分隔层为5nm厚的SiN膜。虽然类似于图19所示的磁光记录介质的记录层，记录层为TbFeCo磁性膜，但是1nm厚的SiN层和1nm厚的Pt层按此次序被形成在第二散热层上，以防止交换结合力作用在是FeSiC软磁性膜的第二散热层与TbFeCo磁性膜之间。形成在 SiN/Pt层的表面上的是高度差小于10nm的凸起和凹入的精细图案。第二散热层反映该凸起和凹入的精细图案，使其具有柱结构(column structure)，因此改善了记录分辨率。图22中的虚线表示具有软磁性膜的磁光记录介质的CNR特性与激光记录功率的关系。CNR特性是基于这样的测量结果，其中该测量是在与测量图19所示的具有非磁性膜的磁光记录介质的CNR特性与激光记录功率的关系的条件相同的条件下进行的。从图22所示的虚线和实线之间的比较可以看出，由虚线指示的在具有软磁性膜的磁光记录介质上进行记录所需的功率，低于由实线指示的在具有非磁性膜的磁光记录介质100上进行记录所需的功率。这是因为具有软磁性膜的磁光记录介质的第一和第二散热层的导热率比具有非磁性膜的磁光记录介质100中的低。此外，具有软磁性膜的磁光记录介质的CNR比具有非磁性膜的磁光记录介质100的CNR高一些。CNR的这种提高很大程度上归因于这样的效应：具有软磁性膜的磁光记录介质上的磁场大于具有非磁性膜的磁光记录介质100上的磁场。
其一部分被示于图23的磁记录装置400具有滑块470，组合头471被设置在该滑块470上。
图23的(A)部分示出了滑块470，其中组合头471被设置在滑块470的滑块衬底475的一端。在此图中，磁光记录介质从图中的左手侧向右手侧移动。
图23的(B)部分是从图23的(A)部分中的箭头B的方向观察的滑块的示图。就是说，其是从滑块表面(面向记录介质的表面)观察的滑块的示图。图23的(B)部分的下侧对应于图23的(A)部分的左手侧，而图23的(B)部分的上侧对应于图23的(A)部分的右手侧。
图23的(C)部分是从图23的(A)部分中的箭头C的方向观察的滑块的示图。就是说，其是组合头471的侧示图；图23的(C)部分的下侧对应于图23的(A)部分的下侧，而图23的(C)部分的上侧对应于图23的(A)部分的上侧。
图23的(A)部分中所示的组合头471是图23(B)和图23(C)所示的激光照射部分472、记录线圈473以及磁读出元件(磁阻元件474)的组合。波导型光学器件被设置在激光照射部分472中。激光照射部分472包括激光二极管4721、光入口4722、波导4723和光圈4724。记录线圈473被置于光圈4724后部，要被施加到磁光记录介质的光被发射通过所述光圈4724。被从图23的(A)部分中省略的记录线圈473被置于光圈4724的右侧。因为在磁光记录介质被高速旋转时，其中的温度实际上升的位置在斑点位置的后方(图23的(A)部分的右侧)，所以记录线圈473被置于该位置。探测磁通量的磁阻元件474被置于光圈4724和记录线圈473之间。
滑块衬底475由AlTiC制成。在晶片加工时，多个组合头可以被形成在AlTiC衬底上。这与用于制造磁盘头的方法是相同的方法。参考图23的(B)部分，下面将描述制造工艺。
首先，基础层(被平坦化的层4751的一部分)被形成到图23的(B)部分中的水平面(1)，以便平坦化滑块衬底475的表面475a。然后，用作光屏蔽部分4752的Au被沉积到图23的(B)部分中的水平面(3)。Au膜的厚度为100nm。然后，被沉积的Au的表面通过光刻技术(利用光刻胶和刻蚀的工艺)被图案化到图中的水平面(2)。在其顶面，在对应于光圈4724的部分和其他非必要部分被光刻胶掩蔽的同时，Au被再次沉积到图中的水平面(3)。然后，通过剥离法或者其他方法去除光刻胶，以形成光圈4724和光屏蔽部分4752。在图中，这样形成的光圈4724具有100nm的宽度和60nm的高度，并且光屏蔽部分4752的厚度为50nm。
然后氧化铝通过溅射被形成在光屏蔽部分4752上，并且被抛光以平坦化，来形成平坦化的层4751。200nm厚的坡莫合金(第一屏蔽层4754)被形成在平坦化的层4751上，然后利用光刻术被图案化，以形成作为用于探测磁通量的元件的磁阻元件474。200nm厚的FeCo膜(第二屏蔽层4755)被形成在其上。然后，1微米的保护膜(resist)被形成，并且记录线圈473和记录磁极480被形成在其上。记录磁极480具有100nm的宽度和50nm的高度。记录线圈473和记录磁极480充当用于向记录介质施加磁场的元件。
这样，多个组合头471被形成在单个晶片上并且被从晶片切割，其中的每一个被用作滑块470的部件。
图23的(C)部分示出了记录线圈473，所述记录线圈473没有在图23的(B)部分中详细示出。此处，第二屏蔽层4755和记录磁极480在垂直方向上(图23的(B)部分中的垂直方向和图23的(C)部分中的纸平面的法向)通过FeCo连接，并且在磁路中不存在间隙。来自激光二极管4721的激光束从光入口4722被导入波导4723，使得光可以通过光圈4724被投射(施加)到记录介质上。
图25示出了这样的组合头471的记录/读出特性的研究结果。
图24是示出了图23所示的磁光记录介质的CNR随记录电流的变化的示例的图形。
图24中的图形的横轴表示记录电流(mA)，纵轴表示CNR(dB)。所测量的标记长度为50nm。图中的实线表示图19所示的具有非磁性膜的磁光记录介质的CNR特性，虚线表示具有软磁性膜的磁光记录介质的CNR特性。如从图24中的图形可以看到的，利用软磁性膜的磁光记录介质具有低记录电流的高CNR特性。对具有软磁性膜的磁光记录介质，来自记录磁极480的磁通在返回到第二屏蔽层4755之前穿过软磁性膜，因此相对于将被记录的磁畴，磁场较大。
具有软磁性膜的磁光记录介质使得能够利用低激光记录功率进行记录20mA的记录电流Iw(通过记录线圈的电流)对于记录来说是足够大的。此外，通过磁阻元件177的感应电流Is为3mA。这些值在典型的磁记录中所使用的值的数量级上。

Claims (9)

1.一种磁光记录介质，包括：
衬底；
第一散热层，所述第一散热层形成在所述衬底上，并具有预定的高导热率；
分隔层，所述分隔层形成在所述第一散热层上，并具有比所述高导热率低的低导热率；
第二散热层，所述第二散热层形成在所述分隔层上，并具有比所述低导热率高但比所述高导热率低的预定导热率；和
记录层，所述记录层形成在所述散热层的上方，并且数据通过记录光的照射和磁场的施加被记录在所述记录层上。
2.根据权利要求1所述的磁光记录介质，其中，所述第一和第二散热层中的每一个是具有从Al、Ag、Au和Pt组成的组中选择的一种元素作为主要组分，并且被添加了从Cu、Pd、Si、Cr、Ti和Co组成的组中选择的至少一种元素的层。
3.根据权利要求1所述的磁光记录介质，其中，所述第一和第二散热层中的每一个由非磁性材料制成。
4.根据权利要求1所述的磁光记录介质，其中，所述分隔层由包含从Si元素、Al元素和C元素组成的组中选择的至少一种元素的材料制成，或者由从Si氮化物、Si氧化物、Si碳化物、Al氮化物、Al氧化物、Fe碳化物、Zn硫化物和Zn氧化物组成的组中选择的一种化合物制成。
5.根据权利要求1所述的磁光记录介质，其中，所述第二散热层的表面比所述第一散热层的表面更光滑。
6.根据权利要求5所述的磁光记录介质，其中，所述分隔层的表面比所述第二散热层的表面更光滑。
7.一种信息记录/读出方法，包括：
记录步骤，所述记录步骤通过记录光的照射和磁场的施加，将信息记录在磁光记录介质上，所述磁光记录介质具有衬底、形成在所述衬底上并具有预定的高导热率的第一散热层、形成在所述第一散热层上并具有比所述高导热率低的低导热率的分隔层、形成在所述分隔层上并具有比所述低导热率高但比所述高导热率低的预定导热率的第二散热层；和记录层，所述记录层形成在所述散热层的上方，并且数据通过记录光的照射和磁场的施加被记录在所述记录层上；以及
读出步骤，所述读出步骤通过探测所述记录层的磁通量，从与所述衬底相对的所述记录层的一侧磁性地读出信息。
8.一种磁记录装置，包括：
记录部分，所述记录部分通过记录光的照射和磁场的施加，将信息记录在磁光记录介质上，所述磁光记录介质具有衬底、形成在所述衬底上并具有预定的高导热率的第一散热层、形成在所述第一散热层上并具有比所述高导热率低的低导热率的分隔层、形成在所述分隔层上并具有比所述低导热率高但比所述高导热率低的预定导热率的第二散热层；和记录层，所述记录层形成在所述散热层的上方，并且数据通过记录光的照射和磁场的施加被记录在所述记录层上；和
读出部分，所述读出部分通过探测所述记录层的磁通量，从与所述衬底相对的所述记录层的一侧磁性地读出信息。
9.一种包含单个滑块的磁性记录装置，所述单个滑块包括：
光照射元件，所述光照射元件用光照射磁光记录介质，以加热所述磁光记录介质的记录层，所述磁光记录介质具有衬底、形成在所述衬底上并具有预定的高导热率的第一散热层、形成在所述第一散热层上并具有比所述高导热率低的低导热率的分隔层、形成在所述分隔层上并具有比所述低导热率高但比所述高导热率低的预定导热率的第二散热层；和记录层，所述记录层形成在所述散热层的上方，并且数据通过记录光的照射和磁场的施加被记录在所述记录层上；
磁场施加元件，所述磁场施加元件将磁场施加到所述记录层；和
磁通量探测元件，所述磁通量探测元件探测所述记录层的磁通量。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7561360B2 (en) 2005-11-16 2009-07-14 Fujitsu Limited Magnetic recording medium
CN102612713A (zh) * 2009-11-18 2012-07-25 株式会社神户制钢所 热辅助记录用磁记录介质所使用的Ag合金热扩散控制膜和热辅助记录用磁记录介质、溅射靶
CN108461094A (zh) * 2017-02-21 2018-08-28 昭和电工株式会社 磁记录介质及磁记录再现装置

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010097677A (ja) 2008-10-20 2010-04-30 Hitachi Ltd ヘッドスライダ、ヘッドアッセンブリ及び磁気ディスク装置
JP5332676B2 (ja) * 2009-02-09 2013-11-06 富士電機株式会社 磁気記録媒体
JP5890700B2 (ja) * 2012-02-14 2016-03-22 株式会社神戸製鋼所 熱アシスト記録用磁気記録媒体に用いられる熱拡散制御膜、磁気記録媒体、およびスパッタリングターゲット
JP6000869B2 (ja) * 2013-02-05 2016-10-05 富士フイルム株式会社 塗布型磁気記録媒体、磁気記録装置、および磁気記録方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04219644A (ja) * 1990-07-12 1992-08-10 Ricoh Co Ltd 光磁気記録媒体
JP2804165B2 (ja) * 1990-09-28 1998-09-24 帝人株式会社 光磁気記録媒体
KR100271567B1 (ko) * 1997-08-14 2000-11-15 구자홍 상변화 광디스크
JPH11126387A (ja) * 1997-10-20 1999-05-11 Sanyo Electric Co Ltd 光磁気記録媒体
JP2000173119A (ja) * 1998-12-09 2000-06-23 Sony Corp 光学記録媒体及びその製造方法
JP2001056975A (ja) 1999-06-11 2001-02-27 Tosoh Corp 光磁気記録媒体
JP2001023259A (ja) * 1999-07-09 2001-01-26 Sony Corp 光磁気記録媒体およびその製造方法
JP2001216686A (ja) 2000-01-31 2001-08-10 Sony Corp 光学記録媒体
JP2001266411A (ja) * 2000-03-22 2001-09-28 Tosoh Corp 表面再生型光記録媒体
WO2001073763A1 (en) * 2000-03-28 2001-10-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. Storage medium for thermally-assisted magnetic recording
JP2001297484A (ja) * 2000-04-13 2001-10-26 Nihon University 記録媒体
JP2002008271A (ja) * 2000-06-19 2002-01-11 Nec Corp 光ディスク
JP2002237098A (ja) * 2001-02-06 2002-08-23 Sony Corp 光記録媒体
JP2002298312A (ja) * 2001-03-28 2002-10-11 Hitachi Ltd 磁気ヘッドおよびその製造方法
JP2002298301A (ja) * 2001-03-29 2002-10-11 Toshiba Corp 熱アシスト磁気記録再生装置及び熱アシスト磁気記録再生装置の制御方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7561360B2 (en) 2005-11-16 2009-07-14 Fujitsu Limited Magnetic recording medium
CN102612713A (zh) * 2009-11-18 2012-07-25 株式会社神户制钢所 热辅助记录用磁记录介质所使用的Ag合金热扩散控制膜和热辅助记录用磁记录介质、溅射靶
TWI463026B (zh) * 2009-11-18 2014-12-01 Kobe Steel Ltd And an Ag alloy thermal diffusion control film and a magnetic recording medium for a magnetic recording medium for heat-assist recording
CN108461094A (zh) * 2017-02-21 2018-08-28 昭和电工株式会社 磁记录介质及磁记录再现装置
CN108461094B (zh) * 2017-02-21 2019-11-05 昭和电工株式会社 磁记录介质及磁记录再现装置

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