JP2814604B2 - 記録再生方法 - Google Patents
記録再生方法Info
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- JP2814604B2 JP2814604B2 JP23028989A JP23028989A JP2814604B2 JP 2814604 B2 JP2814604 B2 JP 2814604B2 JP 23028989 A JP23028989 A JP 23028989A JP 23028989 A JP23028989 A JP 23028989A JP 2814604 B2 JP2814604 B2 JP 2814604B2
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- Japan
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- recording
- layer
- film
- artificial lattice
- magneto
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気光学効果を利用してレーザー光等によ
り情報の記録・再生を行う記録再生方法に関し、特に記
録・再生波長の短波長化に関する。
り情報の記録・再生を行う記録再生方法に関し、特に記
録・再生波長の短波長化に関する。
本発明は、Co層とPt層および／またはPd層とが交互に
積層された人工格子膜を記録層とする光磁気記録媒体に
対し、波長600nm以下の光を使用して記録・再生を行う
ことにより、光磁気記録における高記録密度化，高速
化,CN比の向上を可能とするものである。
積層された人工格子膜を記録層とする光磁気記録媒体に
対し、波長600nm以下の光を使用して記録・再生を行う
ことにより、光磁気記録における高記録密度化，高速
化,CN比の向上を可能とするものである。
近年、書換え可能な高密度記録方式として、半導体レ
ーザー光等の熱エネルギーを用いて磁性薄膜に磁区を書
き込んで情報を記録し、磁気光学効果を用いてこの情報
を読み出す光磁気記録方式が注目されている。
ーザー光等の熱エネルギーを用いて磁性薄膜に磁区を書
き込んで情報を記録し、磁気光学効果を用いてこの情報
を読み出す光磁気記録方式が注目されている。
この光磁気記録方式に使用される記録材料としては、
Gd,Tb,Dy等の希土類元素とFe,Co等の遷移元素とを組み
合わせた非晶質合金膜（以下、RE−TM膜と称する。）が
代表的なものである。RE−TM膜は、フェリ磁性である
ために、キュリー点よりかなり低い温度領域でも磁化が
小さく，また垂直異方性エネルギーが大きいので高密度
記録に必要な垂直磁化膜となり易い、非晶質であるた
め媒体ノイズが小さい、カー回転角θＫが比較的大き
い、キュリー点が低く（150〜200℃），記録・消去パ
ワーを市販の半導体レーザー（20〜40mW）で実現できる
等の数々の利点を有している。特に希土類元素としてTb
を含むTbFeCo膜,GbTbFe膜等は垂直磁気異方性が大き
く、研究報告例も多い。
Gd,Tb,Dy等の希土類元素とFe,Co等の遷移元素とを組み
合わせた非晶質合金膜（以下、RE−TM膜と称する。）が
代表的なものである。RE−TM膜は、フェリ磁性である
ために、キュリー点よりかなり低い温度領域でも磁化が
小さく，また垂直異方性エネルギーが大きいので高密度
記録に必要な垂直磁化膜となり易い、非晶質であるた
め媒体ノイズが小さい、カー回転角θＫが比較的大き
い、キュリー点が低く（150〜200℃），記録・消去パ
ワーを市販の半導体レーザー（20〜40mW）で実現できる
等の数々の利点を有している。特に希土類元素としてTb
を含むTbFeCo膜,GbTbFe膜等は垂直磁気異方性が大き
く、研究報告例も多い。
ところで、高度情報化社会の要望に対応して光磁気記
録媒体の記録容量を媒体の体積を増すことなく増大させ
るためには、記録密度の向上が必須となる。記録密度
は、光源からの光（主としてレーザー光）をレンズで絞
ったときの媒体面上におけるビームスポット径が小さい
ほど高くなる。このビームスポット径を小さくする手段
としては、レンズの開口数を大きくする方法と、光源か
らの光を短波長化する方法とがある。しかし、開口数の
大きなレンズを低収差に，安価に，軽量に製造すること
が極めて困難であることを考えると、光の短波長化の方
が早期実現性が高い方法と言える。
録媒体の記録容量を媒体の体積を増すことなく増大させ
るためには、記録密度の向上が必須となる。記録密度
は、光源からの光（主としてレーザー光）をレンズで絞
ったときの媒体面上におけるビームスポット径が小さい
ほど高くなる。このビームスポット径を小さくする手段
としては、レンズの開口数を大きくする方法と、光源か
らの光を短波長化する方法とがある。しかし、開口数の
大きなレンズを低収差に，安価に，軽量に製造すること
が極めて困難であることを考えると、光の短波長化の方
が早期実現性が高い方法と言える。
かかる背景から、光源としても、従来のGaAsAl系化合
物に代表されるIII−Ｖ族化合物半導体レーザーをよう
に近赤外領域の光を放出する光源に代わり、より短波長
の光を放出できる光源の開発が進められている。たとえ
ばZn−Se系化合物に代表されるII−VI族化合物を利用し
た青色LED（発光ダイオード），さらにはレーザー素子
の開発が進められている。あるいは、レーザー光の波長
を一挙に半減させることにより、たとえば従来の半導体
レーザーを励起源として青色ないし近紫外域の光を得る
ことが可能な第二高調波発生素子の開発も盛んである。
物に代表されるIII−Ｖ族化合物半導体レーザーをよう
に近赤外領域の光を放出する光源に代わり、より短波長
の光を放出できる光源の開発が進められている。たとえ
ばZn−Se系化合物に代表されるII−VI族化合物を利用し
た青色LED（発光ダイオード），さらにはレーザー素子
の開発が進められている。あるいは、レーザー光の波長
を一挙に半減させることにより、たとえば従来の半導体
レーザーを励起源として青色ないし近紫外域の光を得る
ことが可能な第二高調波発生素子の開発も盛んである。
ところで、記録再生溶の光が短波長化されれば、当然
のことながら光磁気記録媒体にもかかる波長帯域におけ
る特性が良好であることが要求される。
のことながら光磁気記録媒体にもかかる波長帯域におけ
る特性が良好であることが要求される。
しかしながら、従来のRE−TM膜には光が短波長となる
につれてカー回転角θＫと反射率Ｒが単調に減少し、実
用上十分な記録再生速度やCN比が達成できないという問
題があった。
につれてカー回転角θＫと反射率Ｒが単調に減少し、実
用上十分な記録再生速度やCN比が達成できないという問
題があった。
そこで本発明は、短波長域における優れた磁気光学特
性を利用することができる記録再生方法の提供を目的と
する。
性を利用することができる記録再生方法の提供を目的と
する。
本発明者らは、上述の目的を達成するために鋭意検討
を重ねた結果、Co層とPt層および／またはPd層とが交互
に積層された人工格子膜を記録層とする光磁気記録媒体
が600nm以下の短波長域において極めて優れた磁気光学
特性を発揮することを見出し、本発明を完成するに至っ
たものである。
を重ねた結果、Co層とPt層および／またはPd層とが交互
に積層された人工格子膜を記録層とする光磁気記録媒体
が600nm以下の短波長域において極めて優れた磁気光学
特性を発揮することを見出し、本発明を完成するに至っ
たものである。
すなわち、本発明にかかる記録再生方法は、Co層とPt
層および／またはPd層とが交互に積層された人工格子膜
を記録層とする光磁気記録媒体に対し、波長600nm以下
の光を使用して記録・再生を行うことを特徴とするもの
である。
層および／またはPd層とが交互に積層された人工格子膜
を記録層とする光磁気記録媒体に対し、波長600nm以下
の光を使用して記録・再生を行うことを特徴とするもの
である。
まず、本発明の記録再生方法で使用される光磁気記録
媒体は、Co層とPt層および／またはPb層とが交互に積層
された人工格子膜を記録層とするものである。上記人工
格子膜は、具体的にはCo層とPt層を交互に積層したCo−
Pt系人工格子膜、Co層とPd層を交互に積層したCo−Pd系
人工格子膜、およびCo層,Pt層,Pd層（ただし、後二者は
Pt−Pd合金層としても良い。）を任意の順序にて積層し
たCo−Pt−Pd系人工格子膜のいずれかである。
媒体は、Co層とPt層および／またはPb層とが交互に積層
された人工格子膜を記録層とするものである。上記人工
格子膜は、具体的にはCo層とPt層を交互に積層したCo−
Pt系人工格子膜、Co層とPd層を交互に積層したCo−Pd系
人工格子膜、およびCo層,Pt層,Pd層（ただし、後二者は
Pt−Pd合金層としても良い。）を任意の順序にて積層し
たCo−Pt−Pd系人工格子膜のいずれかである。
いずれの場合にも人工格子膜の全厚は、実用上必要十
分な磁気光学特性を達成する観点から、50〜400Åとす
ることが望ましい。
分な磁気光学特性を達成する観点から、50〜400Åとす
ることが望ましい。
さらに、Co−Pt系人工格子膜においてはCo層の層厚を
２〜８Å,Pt層の層厚は３〜40Å、またCo−Pd系人工格
子膜においてはCo層の層厚を１〜９Å,Pd層の層厚を２
〜40Åに選ぶことが望ましい。これらの層厚の範囲は、
磁気光学特性を最適化する観点から設定されたものであ
り、いずれの場合にも上記範囲外では満足な特性は得ら
れない。
２〜８Å,Pt層の層厚は３〜40Å、またCo−Pd系人工格
子膜においてはCo層の層厚を１〜９Å,Pd層の層厚を２
〜40Åに選ぶことが望ましい。これらの層厚の範囲は、
磁気光学特性を最適化する観点から設定されたものであ
り、いずれの場合にも上記範囲外では満足な特性は得ら
れない。
なお、上述の各人工格子膜は各金属層の界面が互いに
入り乱れずに平坦に形成された、いわゆる超格子構造と
されていることが理想的であるが、界面にやや乱れを生
じながらも全体としては一定の周期を保って組成が変動
する組成変調構造を有するものであっても良い。たとえ
ば、上述の金属層の層厚の範囲をみると、各金属の金属
結合半径（Co＝1.25Å,Pb＝1.38Å,Pt＝1.39Å）から考
えて下限が１原子分に満たない場合があるが、これも組
成変調構造を考慮した結果である。
入り乱れずに平坦に形成された、いわゆる超格子構造と
されていることが理想的であるが、界面にやや乱れを生
じながらも全体としては一定の周期を保って組成が変動
する組成変調構造を有するものであっても良い。たとえ
ば、上述の金属層の層厚の範囲をみると、各金属の金属
結合半径（Co＝1.25Å,Pb＝1.38Å,Pt＝1.39Å）から考
えて下限が１原子分に満たない場合があるが、これも組
成変調構造を考慮した結果である。
上記人工格子膜は、最も一般的にはスパッタリングに
より作成される。スパッタリングの際の蒸発源は、Co−
Pt系,Co−Pd系のような二元系の人工格子膜を作成する
場合には、各金属成分について独立に用意する必要があ
る。また、Co−Pt−Pd系のような三元系の人工格子膜を
作成する場合には、各成分金属について独立に蒸発源を
用意する方法の他、特にPdおよびPtに関してこれらを組
み合わせて合金蒸発源とする方法や、どちらか少ない方
の成分のチップを多い方の成分のターゲットの上に載置
した複合蒸発源とする方法が考えられる。
より作成される。スパッタリングの際の蒸発源は、Co−
Pt系,Co−Pd系のような二元系の人工格子膜を作成する
場合には、各金属成分について独立に用意する必要があ
る。また、Co−Pt−Pd系のような三元系の人工格子膜を
作成する場合には、各成分金属について独立に蒸発源を
用意する方法の他、特にPdおよびPtに関してこれらを組
み合わせて合金蒸発源とする方法や、どちらか少ない方
の成分のチップを多い方の成分のターゲットの上に載置
した複合蒸発源とする方法が考えられる。
上記人工格子膜の成膜方法としては、上述のスパッタ
リング以外にも、真空蒸着や分子線エピタキシー（MB
E）等が適用できる。
リング以外にも、真空蒸着や分子線エピタキシー（MB
E）等が適用できる。
さらに、上記人工格子膜を基板上に成膜するに先立
ち、必要に応じて金属下地膜を成膜しても良く、これに
より人工格子膜の膜質を制御し、カー回転角θＫを増大
させることができる。この場合の金属下地膜としては、
面心立方構造を有し、格子定数が人工格子膜を構成する
金属層に近似しているものが好ましい。
ち、必要に応じて金属下地膜を成膜しても良く、これに
より人工格子膜の膜質を制御し、カー回転角θＫを増大
させることができる。この場合の金属下地膜としては、
面心立方構造を有し、格子定数が人工格子膜を構成する
金属層に近似しているものが好ましい。
本発明では、上述のような人工格子膜を記録層として
有する光磁気記録媒体に対する記録・再生を、波長600n
m以下の光を使用して行う。かかる光を得る手段として
は、相応のボンドギャップエネルギーを有する半導体を
用いてレーザー素子を構成するか、あるいは従来使用さ
れている半導体レーザー素子と第二高調波発生素子を組
み合わせること考えられる。
有する光磁気記録媒体に対する記録・再生を、波長600n
m以下の光を使用して行う。かかる光を得る手段として
は、相応のボンドギャップエネルギーを有する半導体を
用いてレーザー素子を構成するか、あるいは従来使用さ
れている半導体レーザー素子と第二高調波発生素子を組
み合わせること考えられる。
本発明の記録再生方法では、記録層がCo層とPt層およ
び／またはPd層を交互に積層した人工格子膜からなる光
磁気記録媒体が使用される。上記人工格子膜は。従来光
源として一般に使用されている半導体レーザーの波長域
である780〜850nmにおいても優れた磁気光学特性を示
す。しかし、600nm以下ではRE−TM膜の磁気光学特性が
著しく低下するのに対し、上記人工格子膜ではほぼ一
定，もしくは若干増大する傾向が認められ、RE−TM膜と
比べでCN比の高い再生が可能となる。したがって、短波
長の光を利用した高品位な高密度記録・再生が可能とな
る。
び／またはPd層を交互に積層した人工格子膜からなる光
磁気記録媒体が使用される。上記人工格子膜は。従来光
源として一般に使用されている半導体レーザーの波長域
である780〜850nmにおいても優れた磁気光学特性を示
す。しかし、600nm以下ではRE−TM膜の磁気光学特性が
著しく低下するのに対し、上記人工格子膜ではほぼ一
定，もしくは若干増大する傾向が認められ、RE−TM膜と
比べでCN比の高い再生が可能となる。したがって、短波
長の光を利用した高品位な高密度記録・再生が可能とな
る。
以下、本発明の好適な実施例について実験結果にもと
づいて説明する。
づいて説明する。
まず、以下の各製造例において、サンプルディスクＡ
〜サンプルディスクＥを製造した。
〜サンプルディスクＥを製造した。
製造例１ 本製造例は、ガラス基板上にCo−Pt系人工格子膜を二
元同時マグネトロン・スパッタリングにより成膜し、サ
ンプルディスクを製造した例である。
元同時マグネトロン・スパッタリングにより成膜し、サ
ンプルディスクを製造した例である。
まず、マグネトロン・スパッタリグ装置のチャンバー
内に100mm径のCoターゲットとPtターゲット、およびこ
れらのターゲットと対向する位置にガラス基板を設置し
た。続いてバックグラウンド真空度を５×10-7Torr,ア
ルゴンガス圧を５×10-3Torrとし、ガラス基板を水冷し
ながらCoについては直流スパッタリング（投入パワー:
0.2〜1A,300V）、Ptについては直流スパッタリング（投
入パワー:0.2〜1A,300V），もしくは高周波スパッタリ
ング（投入パワー:200〜500W）を行い、層厚５ÅのCo層
と層厚８ÅのPt層を交互に積層して全厚150ÅのCo−Pt
系人工格子膜を成膜し、サンプルディスクＡとした。
内に100mm径のCoターゲットとPtターゲット、およびこ
れらのターゲットと対向する位置にガラス基板を設置し
た。続いてバックグラウンド真空度を５×10-7Torr,ア
ルゴンガス圧を５×10-3Torrとし、ガラス基板を水冷し
ながらCoについては直流スパッタリング（投入パワー:
0.2〜1A,300V）、Ptについては直流スパッタリング（投
入パワー:0.2〜1A,300V），もしくは高周波スパッタリ
ング（投入パワー:200〜500W）を行い、層厚５ÅのCo層
と層厚８ÅのPt層を交互に積層して全厚150ÅのCo−Pt
系人工格子膜を成膜し、サンプルディスクＡとした。
製造例２ Co−Pt系人工格子膜の全厚を320Åとした以外は、製
造例１と同様の方法によりサンプルディスクＢを製造し
た。
造例１と同様の方法によりサンプルディスクＢを製造し
た。
製造例３ 本製造例は、ガラス基板上にCo−Pd系人工格子膜を二
元同時マグネトロン・スパッタリングにより成膜し、サ
ンプルディスクを製造した例である。
元同時マグネトロン・スパッタリングにより成膜し、サ
ンプルディスクを製造した例である。
まず、マグネトロン・スパッタリング装置のチャンバ
ー内に100mm径のCoターゲットとPtターゲット、および
これらのターゲットと対向する位置にガラス基板を設置
した。続いてバックグラウンド真空度を５×10-7Torr,
アルゴンガス圧を５×10-3Torrとし、ガラス基板を水冷
しながらCoについては直流スパッタリング（投入パワ
ー:0.2〜1A,300V）、Pdについては直流スパッタリング
（投入パワー:0.2〜1A,300V），もしくは高周波スパッ
タリング（投入パワー:200〜500W）を行い、層厚５Åの
Co層と層厚８ÅのPd層を交互に積層して全厚150ÅのCo
−Pd系人工格子膜を成膜し、サンプルディスクＣとし
た。
ー内に100mm径のCoターゲットとPtターゲット、および
これらのターゲットと対向する位置にガラス基板を設置
した。続いてバックグラウンド真空度を５×10-7Torr,
アルゴンガス圧を５×10-3Torrとし、ガラス基板を水冷
しながらCoについては直流スパッタリング（投入パワ
ー:0.2〜1A,300V）、Pdについては直流スパッタリング
（投入パワー:0.2〜1A,300V），もしくは高周波スパッ
タリング（投入パワー:200〜500W）を行い、層厚５Åの
Co層と層厚８ÅのPd層を交互に積層して全厚150ÅのCo
−Pd系人工格子膜を成膜し、サンプルディスクＣとし
た。
製造例４ 本製造例では、比較のためにガラス基板上にTbFeCo系
非晶質合金膜を二元同時スパッタリングにより成膜し、
サンプルディスクを製造した例である。
非晶質合金膜を二元同時スパッタリングにより成膜し、
サンプルディスクを製造した例である。
すなわち、スパッタリング装置のチャンバー内に100m
m径のTbターゲットとFeCo合金ターゲット、およびこれ
らのターゲットと対向する位置にガラス基板を設置し
た。続いてバックグラウンド真空度を５×10-7Torr,ア
ルゴンガス圧を３×10-3Torrとし、ガラス基板を水冷し
ながら膜厚2000ÅのTb22Fe67Co11膜を成膜し、サンプル
ディスクＤとした。
m径のTbターゲットとFeCo合金ターゲット、およびこれ
らのターゲットと対向する位置にガラス基板を設置し
た。続いてバックグラウンド真空度を５×10-7Torr,ア
ルゴンガス圧を３×10-3Torrとし、ガラス基板を水冷し
ながら膜厚2000ÅのTb22Fe67Co11膜を成膜し、サンプル
ディスクＤとした。
製造例５ 本製造例では、さらなる比較のためにガラス基板上に
TbFe系非晶質合金膜を二元同時スパッタリングにより成
膜し、サンプルディスクを製造した例である。
TbFe系非晶質合金膜を二元同時スパッタリングにより成
膜し、サンプルディスクを製造した例である。
すなわち、スパッタリング装置のチャンバー内に100m
m径のTbターゲットとFeターゲット、およびこれらのタ
ーゲットと対向する位置にガラス基板を設置した。続い
てバックグラウンド真空度を５×10-7Torr,アルゴンガ
ス圧を３×10-3Torrとし、ガラス基板を水冷しながら膜
厚2000ÅのTb24Fe76膜を成膜し、サンプルディスクＥと
した。
m径のTbターゲットとFeターゲット、およびこれらのタ
ーゲットと対向する位置にガラス基板を設置した。続い
てバックグラウンド真空度を５×10-7Torr,アルゴンガ
ス圧を３×10-3Torrとし、ガラス基板を水冷しながら膜
厚2000ÅのTb24Fe76膜を成膜し、サンプルディスクＥと
した。
以上の各製造例において作成されたサンプルディスク
Ａ〜サンプルディスクＥについて、記録層の成膜後ただ
ちに該記録層側から近紫外域〜近赤外域の種々の波長の
光を照射し、カー回転角θＫと反射率Ｒを測定し、さら
にこれらの値にもとづいて性能指数Ｒ1/2・θＫを算出
した。この性能指数はSN比に比較し、ひいてはCN比の良
否を判断する目安となるものである。結果を第１図に示
す。図中、縦軸は性能指数Ｒ1/2・θＫ、横軸は記録再
生光の波長（nm）をそれぞれ表し、曲線Ａないし曲線Ｅ
はそれぞれサンプルディスクＡないしサンプルディスク
Ｅの特性に対応している。
Ａ〜サンプルディスクＥについて、記録層の成膜後ただ
ちに該記録層側から近紫外域〜近赤外域の種々の波長の
光を照射し、カー回転角θＫと反射率Ｒを測定し、さら
にこれらの値にもとづいて性能指数Ｒ1/2・θＫを算出
した。この性能指数はSN比に比較し、ひいてはCN比の良
否を判断する目安となるものである。結果を第１図に示
す。図中、縦軸は性能指数Ｒ1/2・θＫ、横軸は記録再
生光の波長（nm）をそれぞれ表し、曲線Ａないし曲線Ｅ
はそれぞれサンプルディスクＡないしサンプルディスク
Ｅの特性に対応している。
この図より、まずサンプルディスクＡ（記録層:Co−P
t人工格子膜）およびサンプルディスクＢ（記録層:Co−
Pt人工格子膜）は測定波長帯域の全域にわたって高い性
能指数を示すことが明らかである。特に、青色波長域
（400〜450nm）では近赤外領域における値と同等以上の
性能指数が得られた。また、サンプルディスクＣ（記録
層:Co−Pd人工格子膜）では近赤外領域から赤色領域に
かけては後述のサンプルディスクＤ（記録層:Tb22Fe67C
o11膜）にやや劣るものの、より低波長側ではむしろ性
能指数が向上し、短波長記録には適していることがわか
る。
t人工格子膜）およびサンプルディスクＢ（記録層:Co−
Pt人工格子膜）は測定波長帯域の全域にわたって高い性
能指数を示すことが明らかである。特に、青色波長域
（400〜450nm）では近赤外領域における値と同等以上の
性能指数が得られた。また、サンプルディスクＣ（記録
層:Co−Pd人工格子膜）では近赤外領域から赤色領域に
かけては後述のサンプルディスクＤ（記録層:Tb22Fe67C
o11膜）にやや劣るものの、より低波長側ではむしろ性
能指数が向上し、短波長記録には適していることがわか
る。
これに対し、比較となるサンプルディスクＤおよびサ
ンプルディスクＥ（記録層はTb24Fe76膜）では、いずれ
も波長が短くなるにつれてほぼ単調に性能指数が低下し
た。これらのディスクの400nmにおける性能指数は800nm
における値の約半分であり、さらに400nmにおけるサン
プルディスクＡおよびサンプルディスクＢの値の約1/3
であった。
ンプルディスクＥ（記録層はTb24Fe76膜）では、いずれ
も波長が短くなるにつれてほぼ単調に性能指数が低下し
た。これらのディスクの400nmにおける性能指数は800nm
における値の約半分であり、さらに400nmにおけるサン
プルディスクＡおよびサンプルディスクＢの値の約1/3
であった。
上述の結果から、サンプルディスクＡないしサンプル
ディスクＣは、600nm以下の記録再生光を利用する適当
な周辺光学系と組み合わされた場合に、極めて良好な光
磁気記録システムを構成できることが明らかである。
ディスクＣは、600nm以下の記録再生光を利用する適当
な周辺光学系と組み合わされた場合に、極めて良好な光
磁気記録システムを構成できることが明らかである。
以上の説明からも明らかなように、本発明にかかる記
録再生方法は、Co層とPt層および／またはPd層とが交互
に積層された人工格子膜を記録層とする光磁気記録媒体
を使用し、これに波長600nm以下の光を放出する光源、
およびかかる波長域にて好適な性能を発揮する周辺光学
系を組み合わせて構成されるものであり、高記録密度，
高CN比の光磁気記録を可能とするものである。
録再生方法は、Co層とPt層および／またはPd層とが交互
に積層された人工格子膜を記録層とする光磁気記録媒体
を使用し、これに波長600nm以下の光を放出する光源、
およびかかる波長域にて好適な性能を発揮する周辺光学
系を組み合わせて構成されるものであり、高記録密度，
高CN比の光磁気記録を可能とするものである。
第１図はCo−Pt系人工格子膜,Co−Pd系人工格子膜,TbFe
Co系非晶質合金膜,TbFe系非晶質合金膜をそれぞれ記録
層とする光磁気記録媒体の性能指数の波長依存性を示す
特性図である。
Co系非晶質合金膜,TbFe系非晶質合金膜をそれぞれ記録
層とする光磁気記録媒体の性能指数の波長依存性を示す
特性図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 11/10
Claims (1)
- 【請求項１】Co層とPt層および／またはPd層とが交互に
積層された人工格子膜を記録層とする光磁気記録媒体に
対し、波長600nm以下の光を使用して記録・再生を行う
ことを特徴とする記録再生方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23028989A JP2814604B2 (ja) | 1989-09-07 | 1989-09-07 | 記録再生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23028989A JP2814604B2 (ja) | 1989-09-07 | 1989-09-07 | 記録再生方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0395742A JPH0395742A (ja) | 1991-04-22 |
| JP2814604B2 true JP2814604B2 (ja) | 1998-10-27 |
Family
ID=16905485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23028989A Expired - Lifetime JP2814604B2 (ja) | 1989-09-07 | 1989-09-07 | 記録再生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP2814604B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1989
- 1989-09-07 JP JP23028989A patent/JP2814604B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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