JP2000285544A - 光磁気記録再生装置 - Google Patents
光磁気記録再生装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 外部磁界発生部からの発生磁界を有効利用で
きる光磁気記録再生装置を提供する。 【解決手段】 光磁気記録媒体４の光磁気記録層５に対
して外部磁界発生部３の反対側に、外部磁界発生部３に
対向するように磁性体１を設ける。磁性体層１は、光磁
気記録層５の膜面の方向における透磁率が光磁気記録層
５よりも大きい材料からなる。
きる光磁気記録再生装置を提供する。 【解決手段】 光磁気記録媒体４の光磁気記録層５に対
して外部磁界発生部３の反対側に、外部磁界発生部３に
対向するように磁性体１を設ける。磁性体層１は、光磁
気記録層５の膜面の方向における透磁率が光磁気記録層
５よりも大きい材料からなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁界と光ビームを
用いて、記録、再生、消去を行う光磁気記録再生装置に
関するものである。
用いて、記録、再生、消去を行う光磁気記録再生装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、記録、再生、消去を行える光磁気
ディスクの開発が進められ、その一部は商品化され、民
生用やデータ保存用として広く使用されてきている。し
かし、光磁気ディスクにおいては、その大容量化への要
望が大きく、鋭意実用化が目指されている。その方法の
一つとして、高ＮＡレンズを使った方法が提案され、研
究が進められている。
ディスクの開発が進められ、その一部は商品化され、民
生用やデータ保存用として広く使用されてきている。し
かし、光磁気ディスクにおいては、その大容量化への要
望が大きく、鋭意実用化が目指されている。その方法の
一つとして、高ＮＡレンズを使った方法が提案され、研
究が進められている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、高ＮＡ
レンズを対物レンズとして用いた光ディスク装置では、
光の焦点距離が短くなるため、従来の光ディスク装置の
ように基板側から光を入射させるのではなく、膜面側か
ら入射させることになる。このため、外部磁界発生部は
従来とは反対に基板側に設けられることになり、より大
きな発生磁界が必要となる。
レンズを対物レンズとして用いた光ディスク装置では、
光の焦点距離が短くなるため、従来の光ディスク装置の
ように基板側から光を入射させるのではなく、膜面側か
ら入射させることになる。このため、外部磁界発生部は
従来とは反対に基板側に設けられることになり、より大
きな発生磁界が必要となる。
【０００４】この場合、外部磁界発生部を大型化する必
要があり、また、発生磁界を大きくするため発熱量も大
きくなり、光磁気記録媒体の記録再生動作に悪影響を与
えるという問題がある。さらに、磁界変調オーバライト
により情報を記録する場合において、印加磁界の方向を
高速に反転することが困難となるという問題もある。
要があり、また、発生磁界を大きくするため発熱量も大
きくなり、光磁気記録媒体の記録再生動作に悪影響を与
えるという問題がある。さらに、磁界変調オーバライト
により情報を記録する場合において、印加磁界の方向を
高速に反転することが困難となるという問題もある。
【０００５】これを解決する手法として、高ＮＡレンズ
型対物レンズの周りに外部磁界発生部を設ける方法も提
案されているが、光ビームが通過する中心領域は空けて
おかねばならず、外部磁界発生部は空芯型にする必要が
あり、大きな発生磁界を得ることが難しい。
型対物レンズの周りに外部磁界発生部を設ける方法も提
案されているが、光ビームが通過する中心領域は空けて
おかねばならず、外部磁界発生部は空芯型にする必要が
あり、大きな発生磁界を得ることが難しい。
【０００６】本発明は、上記問題を解決するためになさ
れたものであって、外部磁界発生部からの発生磁界を有
効利用できる光磁気記録再生装置を提供することを目的
とする。
れたものであって、外部磁界発生部からの発生磁界を有
効利用できる光磁気記録再生装置を提供することを目的
とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の光磁気
記録再生装置は、磁界と光ビームを用いて、光磁気記録
媒体に対して情報の記録，再生及び消去の少なくとも１
つを行う光磁気記録再生装置において、前記光磁気記録
媒体の光磁気記録層よりも面内方向の透磁率が大きな磁
性体層を、前記光磁気記録層に対して外部磁界発生部と
は反対側に対向するように配置したことを特徴とする。
記録再生装置は、磁界と光ビームを用いて、光磁気記録
媒体に対して情報の記録，再生及び消去の少なくとも１
つを行う光磁気記録再生装置において、前記光磁気記録
媒体の光磁気記録層よりも面内方向の透磁率が大きな磁
性体層を、前記光磁気記録層に対して外部磁界発生部と
は反対側に対向するように配置したことを特徴とする。
【０００８】請求項２に記載の光磁気記録再生装置は、
請求項１に記載の光磁気記録再生装置において、前記磁
性体層を、前記光磁気記録媒体に光ビームを収斂させる
対物レンズに隣接して設けたことを特徴とする。
請求項１に記載の光磁気記録再生装置において、前記磁
性体層を、前記光磁気記録媒体に光ビームを収斂させる
対物レンズに隣接して設けたことを特徴とする。
【０００９】請求項３に記載の光磁気記録再生装置は、
請求項１に記載の光磁気記録再生装置において、前記光
磁気記録層に光ビームを収斂させる対物レンズを、前記
光磁気記録媒体に対して前記外部磁界発生部と同じ側に
設けたことを特徴とする。
請求項１に記載の光磁気記録再生装置において、前記光
磁気記録層に光ビームを収斂させる対物レンズを、前記
光磁気記録媒体に対して前記外部磁界発生部と同じ側に
設けたことを特徴とする。
【００１０】請求項４に記載の光磁気記録再生装置は、
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の光磁気記録再
生装置において、前記磁性体層の面内方向の透磁率が２
０００以上であることを特徴とする。
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の光磁気記録再
生装置において、前記磁性体層の面内方向の透磁率が２
０００以上であることを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】まず、本発明の原理について説明
する。
する。
【００１２】本発明の光磁気記録再生装置は、光磁気記
録媒体の光磁気記録層に対して外部磁界発生部とは反対
側に、光磁気記録媒体の膜面に平行な方向（以下、水平
方向と記す）の透磁率が光磁気記録層よりも大きい磁性
体を配したものである。なお、光磁気記録層とは、光磁
気記録媒体において情報を記録，再生，消去の少なくと
も１つを担う層をいう。
録媒体の光磁気記録層に対して外部磁界発生部とは反対
側に、光磁気記録媒体の膜面に平行な方向（以下、水平
方向と記す）の透磁率が光磁気記録層よりも大きい磁性
体を配したものである。なお、光磁気記録層とは、光磁
気記録媒体において情報を記録，再生，消去の少なくと
も１つを担う層をいう。
【００１３】以下、このような本発明について、一例
（図６）を用いて説明する 図６（ａ）は従来の光磁気記録再生装置における外部磁
界発生部からの発生磁界を説明する図である。この図に
示すように、外部磁界発生部１００からの磁力線は様々
な経路を辿っており、この場合、光磁気記録媒体１０１
の光磁気記録層の位置でも磁界の方向は垂直方向のみな
らず、面内方向の成分も多く有している。ところが、光
磁気記録媒体においては垂直な方向の磁界のみが利用さ
れるため、この従来の方法では効率的な磁界の利用がな
されていない。
（図６）を用いて説明する 図６（ａ）は従来の光磁気記録再生装置における外部磁
界発生部からの発生磁界を説明する図である。この図に
示すように、外部磁界発生部１００からの磁力線は様々
な経路を辿っており、この場合、光磁気記録媒体１０１
の光磁気記録層の位置でも磁界の方向は垂直方向のみな
らず、面内方向の成分も多く有している。ところが、光
磁気記録媒体においては垂直な方向の磁界のみが利用さ
れるため、この従来の方法では効率的な磁界の利用がな
されていない。
【００１４】そこで、本発明では、図６（ｂ）に示すよ
うに磁性体１０２を設けている。磁性体１０２は、水平
方向（光磁気記録媒体の面内方向）において透磁率が光
磁気記録媒体１０１よりも大きいものである。この構成
では、磁力線は磁性体１０２側に引っ張られ、光磁気記
録媒体１０１の光磁気記録層の位置においては磁界の方
向が概ね垂直方向を向くようになる。よって、外部磁界
発生部１００からの印加磁界を有効に利用することが可
能になる。
うに磁性体１０２を設けている。磁性体１０２は、水平
方向（光磁気記録媒体の面内方向）において透磁率が光
磁気記録媒体１０１よりも大きいものである。この構成
では、磁力線は磁性体１０２側に引っ張られ、光磁気記
録媒体１０１の光磁気記録層の位置においては磁界の方
向が概ね垂直方向を向くようになる。よって、外部磁界
発生部１００からの印加磁界を有効に利用することが可
能になる。
【００１５】〔実施の形態１〕本発明に係る光磁気記録
再生装置の一実施の形態について図１に基づいて説明す
れば、以下のとおりである。
再生装置の一実施の形態について図１に基づいて説明す
れば、以下のとおりである。
【００１６】図１は本実施の形態に係る光磁気記録再生
装置の断面図を示している。図中、１は磁性体層、２は
対物レンズ、３は例えば電磁石からなる固定磁気ヘッド
（外部磁界発生部）、４は光磁気記録媒体（光磁気ディ
スク）、５は光磁気ディスク内に有り記録、再生、消去
を担う光磁気記録層を示している。この図に示すよう
に、磁性体層１は光磁気記録層５に対して外部磁界発生
部３の反対側にそれに対向するように設けている。な
お、図１内には示していないが、光磁気膜層５のほかに
保護層も形成されており、反射層等も設けても良い。ま
た、光磁気記録層５は１層に限られるものではなく、再
生層、記録層のように２層以上積層されていても良い。
装置の断面図を示している。図中、１は磁性体層、２は
対物レンズ、３は例えば電磁石からなる固定磁気ヘッド
（外部磁界発生部）、４は光磁気記録媒体（光磁気ディ
スク）、５は光磁気ディスク内に有り記録、再生、消去
を担う光磁気記録層を示している。この図に示すよう
に、磁性体層１は光磁気記録層５に対して外部磁界発生
部３の反対側にそれに対向するように設けている。な
お、図１内には示していないが、光磁気膜層５のほかに
保護層も形成されており、反射層等も設けても良い。ま
た、光磁気記録層５は１層に限られるものではなく、再
生層、記録層のように２層以上積層されていても良い。
【００１７】図２は図１における磁性体層の形成部分を
説明する拡大図である。この図のように、磁性体層１
は、基板２２に蒸着等により形成されたものであり、対
物レンズ２を保持する対物レンズホルダー２１に貼り付
け固定されている。この磁性体層１は、面内方向の透磁
率の大きな軟磁性体の一種であるパーマロイからなって
おり、透磁率は２０００である。
説明する拡大図である。この図のように、磁性体層１
は、基板２２に蒸着等により形成されたものであり、対
物レンズ２を保持する対物レンズホルダー２１に貼り付
け固定されている。この磁性体層１は、面内方向の透磁
率の大きな軟磁性体の一種であるパーマロイからなって
おり、透磁率は２０００である。
【００１８】光磁気ディスク４は、例えば、以下のよう
にして製造できる。まず、スパッタ装置内を１×１０-6
Ｔｏｒｒまで真空排気後、プリグルーブを有するポリカ
ーボネート基板１０（トラックピッチ１．６μｍ、グル
ーブ幅、ランド幅共に０．８μｍ）上にＡｌＮからなる
誘電体層を６０ｎｍの膜厚で形成する。スパッタ条件
は、ＡｒとＮ2の混合ガスを導入し、スパッタ圧２×１
０-3Ｔｏｒｒで、Ａｌターゲットに電力を供給して形成
する。次に再度、スパッタ装置内を１×１０-6Ｔｏｒｒ
まで真空排気後、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲット上に電力
を供給しスパッタ圧５×１０-3Ｔｏｒｒで、ＴｂＦｅＣ
ｏ層を膜厚２０ｎｍで形成する。この時、キュリー温度
は２２０℃で室温からキュリー温度まで垂直磁化を示
す。次に、ＡｒとＮ2の混合ガスを導入し、スパッタ圧
２×１０-3Ｔｏｒｒで、Ａｌターゲットに電力を供給し
てＡｌＮからなる保護層を膜厚２０ｎｍで形成する。次
に、Ａｒガスを導入し、スパッタ圧２×１０-3Ｔｏｒｒ
で、ＡｌＮｉターゲットに電力を供給してＡｌＮｉから
なる反射層を膜厚２０ｎｍで形成する。最後に、スパッ
タ装置内から反射層まで形成した本体を取り出し、紫外
線硬化樹脂等をスピンコート法で塗布しオーバーコート
層を形成する。
にして製造できる。まず、スパッタ装置内を１×１０-6
Ｔｏｒｒまで真空排気後、プリグルーブを有するポリカ
ーボネート基板１０（トラックピッチ１．６μｍ、グル
ーブ幅、ランド幅共に０．８μｍ）上にＡｌＮからなる
誘電体層を６０ｎｍの膜厚で形成する。スパッタ条件
は、ＡｒとＮ2の混合ガスを導入し、スパッタ圧２×１
０-3Ｔｏｒｒで、Ａｌターゲットに電力を供給して形成
する。次に再度、スパッタ装置内を１×１０-6Ｔｏｒｒ
まで真空排気後、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲット上に電力
を供給しスパッタ圧５×１０-3Ｔｏｒｒで、ＴｂＦｅＣ
ｏ層を膜厚２０ｎｍで形成する。この時、キュリー温度
は２２０℃で室温からキュリー温度まで垂直磁化を示
す。次に、ＡｒとＮ2の混合ガスを導入し、スパッタ圧
２×１０-3Ｔｏｒｒで、Ａｌターゲットに電力を供給し
てＡｌＮからなる保護層を膜厚２０ｎｍで形成する。次
に、Ａｒガスを導入し、スパッタ圧２×１０-3Ｔｏｒｒ
で、ＡｌＮｉターゲットに電力を供給してＡｌＮｉから
なる反射層を膜厚２０ｎｍで形成する。最後に、スパッ
タ装置内から反射層まで形成した本体を取り出し、紫外
線硬化樹脂等をスピンコート法で塗布しオーバーコート
層を形成する。
【００１９】このような光磁気記録装置において、図１
中、３に示した電磁石からなる外部磁界発生部３に電流
を流して光磁気ディスク４へビット長０．５μｍで記録
を行い、次に膜面側から光ビームを入射させて再生を行
い、発生磁界（電流値）とＣ／Ｎの関係について調べ
た。
中、３に示した電磁石からなる外部磁界発生部３に電流
を流して光磁気ディスク４へビット長０．５μｍで記録
を行い、次に膜面側から光ビームを入射させて再生を行
い、発生磁界（電流値）とＣ／Ｎの関係について調べ
た。
【００２０】比較例として、磁性体層を設けていない装
置を用い、予め電流と発生磁界の関係を測定しておい
た。本実施の形態では、磁性体層による外部磁界発生部
３からの磁界の増強効果を検討するものであり、対物レ
ンズとしては通常のＮＡ０．６のレンズを用いた。
置を用い、予め電流と発生磁界の関係を測定しておい
た。本実施の形態では、磁性体層による外部磁界発生部
３からの磁界の増強効果を検討するものであり、対物レ
ンズとしては通常のＮＡ０．６のレンズを用いた。
【００２１】その結果を表１にまとめて示す。
【００２２】
【表１】 表１に示すように、磁性体層１を設けることにより、比
較例に比べて低電流値で良好なＣ／Ｎを得ることができ
ている。
較例に比べて低電流値で良好なＣ／Ｎを得ることができ
ている。
【００２３】これは、外部磁界発生部３から発生した磁
界のうち、水平方向成分が磁性体層１によって垂直方向
へ向くことにより磁界が増強されたためだと考えられ
る。
界のうち、水平方向成分が磁性体層１によって垂直方向
へ向くことにより磁界が増強されたためだと考えられ
る。
【００２４】本実施の形態の発生磁界は、比較例の結果
から換算すると表１に示したようになり、比較例に比べ
て低電流値で大きな発生磁界が得られていることにな
る。本発明の実施の形態では、従来の装置と同じ構成に
磁性体層１を追加するだけなので、特に対物レンズ２と
外部磁界発生部３との位置合わせを行う必要がなく、磁
界を簡単に増強させることができる。
から換算すると表１に示したようになり、比較例に比べ
て低電流値で大きな発生磁界が得られていることにな
る。本発明の実施の形態では、従来の装置と同じ構成に
磁性体層１を追加するだけなので、特に対物レンズ２と
外部磁界発生部３との位置合わせを行う必要がなく、磁
界を簡単に増強させることができる。
【００２５】磁性体層１については、透磁率１０００及
び１５００程度のパーマロイ系磁性体についても検討を
行ったが、顕著な効果は見られなかった。このため、磁
性体層１としては、少なくとも透磁率２０００以上の磁
性体であることが望ましい。
び１５００程度のパーマロイ系磁性体についても検討を
行ったが、顕著な効果は見られなかった。このため、磁
性体層１としては、少なくとも透磁率２０００以上の磁
性体であることが望ましい。
【００２６】なお、本発明の光磁気記録装置では図２の
ように対物レンズホルダー２２に磁性体層１を設けた
が、これに限るものではない。また、入射光の光路さえ
確保できれば、対物レンズ２と光磁気ディスク４の間に
設けても良い。さらに、光磁気ディスク４内に設けるこ
とも可能である。ただし、この場合は、レーザ光を光磁
気記録層５まで透過させるため、膜厚を光が透過できる
程度の厚さにする必要がある。
ように対物レンズホルダー２２に磁性体層１を設けた
が、これに限るものではない。また、入射光の光路さえ
確保できれば、対物レンズ２と光磁気ディスク４の間に
設けても良い。さらに、光磁気ディスク４内に設けるこ
とも可能である。ただし、この場合は、レーザ光を光磁
気記録層５まで透過させるため、膜厚を光が透過できる
程度の厚さにする必要がある。
【００２７】〔実施の形態２〕他の実施の形態について
図３を用いて説明する。本実施の形態は、実施の形態１
の対物レンズを高ＮＡ化したものである。
図３を用いて説明する。本実施の形態は、実施の形態１
の対物レンズを高ＮＡ化したものである。
【００２８】図３は、本実施の形態に係る光磁気記録再
生装置の断面図を示している。図中、１は磁性体層、３
は外部磁界発生部、４は光磁気ディスク、５は光磁気デ
ィスク内に有り記録再生消去を担う光磁気記録層、６は
高ＮＡ化した２枚組みの対物レンズを示し、記録密度を
大きくする為には、ＮＡを０．９以上にすることが望ま
しい。この図に示すように、磁性体層１は光磁気記録層
５に対して外部磁界発生部３の反対側にそれに対向する
ように設けている。図３内には示していないが、光磁気
ディスク内には光磁気記録層５のほかに保護層も形成さ
れており、反射層等も設けても良い。また、光磁気記録
層５は１層に限られるものではなく、再生層と記録層の
ように２層以上積層されていても良い。
生装置の断面図を示している。図中、１は磁性体層、３
は外部磁界発生部、４は光磁気ディスク、５は光磁気デ
ィスク内に有り記録再生消去を担う光磁気記録層、６は
高ＮＡ化した２枚組みの対物レンズを示し、記録密度を
大きくする為には、ＮＡを０．９以上にすることが望ま
しい。この図に示すように、磁性体層１は光磁気記録層
５に対して外部磁界発生部３の反対側にそれに対向する
ように設けている。図３内には示していないが、光磁気
ディスク内には光磁気記録層５のほかに保護層も形成さ
れており、反射層等も設けても良い。また、光磁気記録
層５は１層に限られるものではなく、再生層と記録層の
ように２層以上積層されていても良い。
【００２９】磁性体層１は、ガラス基板上に光磁気記録
媒体４の面内方向の透磁率が光磁気記録媒体４よりも大
きなパーマロイを形成したものである。図２に示すよう
に対物レンズ２の周りに設けてある。
媒体４の面内方向の透磁率が光磁気記録媒体４よりも大
きなパーマロイを形成したものである。図２に示すよう
に対物レンズ２の周りに設けてある。
【００３０】光磁気ディスク４の製造方法は実施の形態
１と同様である。
１と同様である。
【００３１】対物レンズ６は、２枚組みに限定されるも
のではなく、球形に近い形をした高ＮＡ化対応のレンズ
でも良い。
のではなく、球形に近い形をした高ＮＡ化対応のレンズ
でも良い。
【００３２】また、本実施の形態でも、磁性体層１は対
物レンズ２の周囲に設けているが、入射光の光路さえ確
保できれば、高ＮＡ型対物レンズ６と光磁気ディスク４
の間に設けても良い。さらに、光磁気ディスク４内に設
けることも可能である。ただし、この場合は、入射光を
光磁気記録層５まで透過させるため、膜厚を光が透過で
きる程度の厚さにする必要がある。
物レンズ２の周囲に設けているが、入射光の光路さえ確
保できれば、高ＮＡ型対物レンズ６と光磁気ディスク４
の間に設けても良い。さらに、光磁気ディスク４内に設
けることも可能である。ただし、この場合は、入射光を
光磁気記録層５まで透過させるため、膜厚を光が透過で
きる程度の厚さにする必要がある。
【００３３】本実施の形態においても、実施の形態１と
同様に、光磁気記録媒体に対して外部磁界発生部とは反
対側に磁性体層１を設けているので、光磁気記録媒体の
位置における磁界の向きがその膜面に垂直な方向を向き
易くなり、光磁気記録媒体に対して有効な磁界強度を増
強することができる。
同様に、光磁気記録媒体に対して外部磁界発生部とは反
対側に磁性体層１を設けているので、光磁気記録媒体の
位置における磁界の向きがその膜面に垂直な方向を向き
易くなり、光磁気記録媒体に対して有効な磁界強度を増
強することができる。
【００３４】〔実施の形態３〕他の実施の形態について
図４を用いて説明する。本実施の形態は、実施の形態
１、２と異なり、対物レンズの周りに外部磁界発生部を
設けたものである。
図４を用いて説明する。本実施の形態は、実施の形態
１、２と異なり、対物レンズの周りに外部磁界発生部を
設けたものである。
【００３５】図４は本実施の形態に係る光磁気記録再生
装置の断面図を示している。図中、１は磁性体層、２は
対物レンズ、４は光磁気ディスク、５は光磁気ディスク
内に有り記録、再生、消去を担う光磁気記録層、７は例
えば空芯型のプリントコイルからなる外部磁界発生部を
示している。この図に示すように、磁性体層１は光磁気
記録層５に対して外部磁界発生部３の反対側に設けてい
る。図４内には示していないが、光磁気ディスク４内に
は光磁気記録層５のほかに保護層、反射層等も形成され
ている。また、光磁気記録層５は１層に限られるもので
はなく、再生層、記録層のように２層以上積層されてい
ても良い。
装置の断面図を示している。図中、１は磁性体層、２は
対物レンズ、４は光磁気ディスク、５は光磁気ディスク
内に有り記録、再生、消去を担う光磁気記録層、７は例
えば空芯型のプリントコイルからなる外部磁界発生部を
示している。この図に示すように、磁性体層１は光磁気
記録層５に対して外部磁界発生部３の反対側に設けてい
る。図４内には示していないが、光磁気ディスク４内に
は光磁気記録層５のほかに保護層、反射層等も形成され
ている。また、光磁気記録層５は１層に限られるもので
はなく、再生層、記録層のように２層以上積層されてい
ても良い。
【００３６】磁性体層１は、ガラス基板上に面内方向の
透磁率の大きなパーマロイを形成したものである。図４
に示すように、光磁気記録層５を中心に外部磁界発生部
７と磁性体層１は対向するように設けてある。また、光
磁気ディスク４の製造方法は実施の形態１と同様であ
る。
透磁率の大きなパーマロイを形成したものである。図４
に示すように、光磁気記録層５を中心に外部磁界発生部
７と磁性体層１は対向するように設けてある。また、光
磁気ディスク４の製造方法は実施の形態１と同様であ
る。
【００３７】本実施の形態において、磁性体層１は光磁
気記録層５に対して外部磁界発生部７と対向するように
設ければよく、光磁気ディスク４内に設けて良い。さら
に、ディスク径と同じ大きさにすることも可能である。
気記録層５に対して外部磁界発生部７と対向するように
設ければよく、光磁気ディスク４内に設けて良い。さら
に、ディスク径と同じ大きさにすることも可能である。
【００３８】このような構成の本実施の形態の光磁気記
録装置では、外部磁界発生部７を空芯型にする必要が有
り、発生磁界が減少してしまうが、光磁気記録層５より
も水平方向の透磁率の大きな磁性体層１によって、実施
の形態１，２と同様に、光磁気記録層５に対する有効磁
界増大させることができる。
録装置では、外部磁界発生部７を空芯型にする必要が有
り、発生磁界が減少してしまうが、光磁気記録層５より
も水平方向の透磁率の大きな磁性体層１によって、実施
の形態１，２と同様に、光磁気記録層５に対する有効磁
界増大させることができる。
【００３９】〔実施の形態４〕他の実施の形態について
図５を用いて説明する。本実施例は実施の形態３におい
て、対物レンズを高ＮＡ化したものである。図５は本実
施の形態に係る光磁気記録再生装置の断面図を示してい
る。
図５を用いて説明する。本実施例は実施の形態３におい
て、対物レンズを高ＮＡ化したものである。図５は本実
施の形態に係る光磁気記録再生装置の断面図を示してい
る。
【００４０】図中、１は磁性体層、４は光磁気ディス
ク、５は光磁気ディスク内に有り記録再生消去を担う光
磁気記録層、６は２枚組みの高ＮＡ化を図った対物レン
ズ、７は例えば空芯型のプリントコイルからなる外部磁
界発生部を示し、記録密度を稼ぐ為には、ＮＡ０．９以
上が望ましい。この図に示すように、磁性体層１は光磁
気記録層５に対して外部磁界発生部３の反対側に設けて
いる。図５内には示していないが、光磁気ディスク４内
には光磁気記録層５のほかに保護層も形成されており、
反射層等も設けても良い。また、光磁気記録層５は１層
に限られるものではなく、２層以上積層されていても良
い。
ク、５は光磁気ディスク内に有り記録再生消去を担う光
磁気記録層、６は２枚組みの高ＮＡ化を図った対物レン
ズ、７は例えば空芯型のプリントコイルからなる外部磁
界発生部を示し、記録密度を稼ぐ為には、ＮＡ０．９以
上が望ましい。この図に示すように、磁性体層１は光磁
気記録層５に対して外部磁界発生部３の反対側に設けて
いる。図５内には示していないが、光磁気ディスク４内
には光磁気記録層５のほかに保護層も形成されており、
反射層等も設けても良い。また、光磁気記録層５は１層
に限られるものではなく、２層以上積層されていても良
い。
【００４１】磁性体層１は、ガラス基板上に面内方向の
透磁率の大きなパーマロイを形成したものである。図５
に示すように、光磁気記録層５を中心に外部磁界発生部
７と磁性体層１は対向するように設けている。
透磁率の大きなパーマロイを形成したものである。図５
に示すように、光磁気記録層５を中心に外部磁界発生部
７と磁性体層１は対向するように設けている。
【００４２】また、光磁気ディスク４の製造方法は実施
の形態１と同様である。本実施の形態において、磁性体
層１は光磁気記録層５に対して外部磁界発生部７と対向
するように設ければよく、光磁気ディスク４内に設けて
良い。さらに、ディスク径と同じ大きさにすることも可
能である。
の形態１と同様である。本実施の形態において、磁性体
層１は光磁気記録層５に対して外部磁界発生部７と対向
するように設ければよく、光磁気ディスク４内に設けて
良い。さらに、ディスク径と同じ大きさにすることも可
能である。
【００４３】本実施の形態では、外部磁界発生部７を空
芯型にする必要が有り発生磁界が減少してしまうが、光
磁気記録層５よりも水平方向の透磁率の大きな磁性体層
１によって、実施の形態１〜３と同様に、光磁気記録層
５に対する有効磁界増大させることができる。
芯型にする必要が有り発生磁界が減少してしまうが、光
磁気記録層５よりも水平方向の透磁率の大きな磁性体層
１によって、実施の形態１〜３と同様に、光磁気記録層
５に対する有効磁界増大させることができる。
【００４４】本発明は、光磁気記録媒体に有効な磁界を
増強させるための装置であり、これらの実施の形態に限
られるものではない。例えば、実施の形態では、光磁気
記録層は１層であったが、超解像媒体、磁区拡大媒体等
の媒体でも良く、磁界と光を用いて記録、再生、消去を
行う光ディスクを用いる装置に使用できるものである。
増強させるための装置であり、これらの実施の形態に限
られるものではない。例えば、実施の形態では、光磁気
記録層は１層であったが、超解像媒体、磁区拡大媒体等
の媒体でも良く、磁界と光を用いて記録、再生、消去を
行う光ディスクを用いる装置に使用できるものである。
【００４５】また、対物レンズについても、特に限定さ
れるものではなく、球形に近い形をした高ＮＡ化対応の
レンズでも良い。
れるものではなく、球形に近い形をした高ＮＡ化対応の
レンズでも良い。
【００４６】さらに、磁性体層としても、軟磁性体にか
ぎられるものでなく、面内方向の透磁率の大きな磁性体
であれば良く、例えばＮｄＦｅ等でも良い。
ぎられるものでなく、面内方向の透磁率の大きな磁性体
であれば良く、例えばＮｄＦｅ等でも良い。
【００４７】
【発明の効果】光磁気記録層よりも面内方向の透磁率が
大きな磁性体層を、光磁気記録層に対して外部磁界発生
部と反対側に配置することにより、外部磁界発生部から
発生した磁界を効率よく利用でき、光磁気記録層にかか
る有効磁界を増強させることができる。
大きな磁性体層を、光磁気記録層に対して外部磁界発生
部と反対側に配置することにより、外部磁界発生部から
発生した磁界を効率よく利用でき、光磁気記録層にかか
る有効磁界を増強させることができる。
【００４８】また、上記光磁気記録層に光ビームを集光
させる対物レンズを、光磁気記録層に対して外部磁界発
生部と対向するようにその反対側に配置すれば、磁界発
生手段と対物レンズの位置調整を簡単に行うことができ
る。
させる対物レンズを、光磁気記録層に対して外部磁界発
生部と対向するようにその反対側に配置すれば、磁界発
生手段と対物レンズの位置調整を簡単に行うことができ
る。
【００４９】また、上記光磁気記録層に光ビームを集光
させる対物レンズ及び外部磁界発生部を、光磁気記録層
に対して磁性体層と対向するようにその反対側に配置す
れば、、磁性体層の配置方法が光ディスクの外部に限ら
ず、光ディスク内にも特に膜厚などに限定されること無
く簡単に設定することができる。
させる対物レンズ及び外部磁界発生部を、光磁気記録層
に対して磁性体層と対向するようにその反対側に配置す
れば、、磁性体層の配置方法が光ディスクの外部に限ら
ず、光ディスク内にも特に膜厚などに限定されること無
く簡単に設定することができる。
【００５０】また、磁性体層の面内方向の透磁率を２０
００以上である磁性体で構成すれば、外部磁界発生部か
ら発生した磁界を増強することができる。
００以上である磁性体で構成すれば、外部磁界発生部か
ら発生した磁界を増強することができる。
【図１】本発明の光磁気記録再生装置の一構成例を示す
断面模式図である。
断面模式図である。
【図２】図１における磁性体層１の構成例を示す拡大図
である。
である。
【図３】本発明の光磁気記録再生装置の他の構成例を示
す断面模式図である。
す断面模式図である。
【図４】本発明の光磁気記録再生装置の他の構成例を示
す断面模式図である。
す断面模式図である。
【図５】本発明の光磁気記録再生装置の他の構成例を示
す断面模式図である。
す断面模式図である。
【図６】本発明の光磁気記録再生装置の原理を説明する
図である。
図である。
１ 磁性体層 ２ 対物レンズ ３ 外部磁界発生部 ４ 光ディスク ５ 光磁気記録層 ６ 高ＮＡ用対物レンズ ７ 空芯型プリントコイル ２１ 対物レンズホルダー ２２ 基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 明 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 Ｆターム(参考） 5D075 CF04 CF06 CF10
Claims (4)
- 【請求項１】 磁界と光ビームを用いて、光磁気記録媒
体に対して情報の記録，再生及び消去の少なくとも１つ
を行う光磁気記録再生装置において、 前記光磁気記録媒体の光磁気記録層よりも面内方向の透
磁率が大きな磁性体層を、前記光磁気記録層に対して外
部磁界発生部とは反対側に対向するように配置したこと
を特徴とする光磁気記録再生装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の光磁気記録再生装置に
おいて、 前記磁性体層を、前記光磁気記録媒体に光ビームを収斂
させる対物レンズに隣接して設けたことを特徴とする光
磁気記録再生装置。 - 【請求項３】 請求項１に記載の光磁気記録再生装置に
おいて、 前記光磁気記録層に光ビームを収斂させる対物レンズ
を、前記光磁気記録媒体に対して前記外部磁界発生部と
同じ側に設けたことを特徴とする光磁気記録再生装置。 - 【請求項４】 請求項１乃至請求項３のいずれかに記載
の光磁気記録再生装置において、 前記磁性体層の面内方向の透磁率が２０００以上である
ことを特徴とする光磁気記録再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11087362A JP2000285544A (ja) | 1999-03-30 | 1999-03-30 | 光磁気記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11087362A JP2000285544A (ja) | 1999-03-30 | 1999-03-30 | 光磁気記録再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000285544A true JP2000285544A (ja) | 2000-10-13 |
| JP2000285544A5 JP2000285544A5 (ja) | 2006-03-09 |
Family
ID=13912792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11087362A Pending JP2000285544A (ja) | 1999-03-30 | 1999-03-30 | 光磁気記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000285544A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100438582B1 (ko) * | 2001-12-24 | 2004-07-02 | 엘지전자 주식회사 | 광자기 기록/재생기의 슬라이더 헤드장치 |
| WO2019187356A1 (ja) * | 2018-03-29 | 2019-10-03 | 国立大学法人東京大学 | 記録方法、記録装置、再生方法、再生装置、及び、高速応答素子 |
-
1999
- 1999-03-30 JP JP11087362A patent/JP2000285544A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100438582B1 (ko) * | 2001-12-24 | 2004-07-02 | 엘지전자 주식회사 | 광자기 기록/재생기의 슬라이더 헤드장치 |
| WO2019187356A1 (ja) * | 2018-03-29 | 2019-10-03 | 国立大学法人東京大学 | 記録方法、記録装置、再生方法、再生装置、及び、高速応答素子 |
| CN111902867A (zh) * | 2018-03-29 | 2020-11-06 | 国立大学法人东京大学 | 记录方法、记录装置、再生方法、再生装置、以及高速响应元件 |
| JPWO2019187356A1 (ja) * | 2018-03-29 | 2021-02-12 | 国立大学法人 東京大学 | 記録方法、記録装置、再生方法、再生装置、及び、高速応答素子 |
| JP7036323B2 (ja) | 2018-03-29 | 2022-03-15 | 国立大学法人 東京大学 | 記録方法、記録装置、再生方法、及び、再生装置 |
| US11315595B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-04-26 | The University Of Tokyo | Recording method, recording device, reproduction method, reproduction device, and high-speed response element |
| TWI805678B (zh) * | 2018-03-29 | 2023-06-21 | 國立大學法人東京大學 | 記錄方法、記錄裝置、再生方法、再生裝置及高速響應元件 |
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