JP3770385B2 - 光磁気ディスクの再生方法及び光磁気ディスク装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ビームを用いて、情報の再生、記録及び消去を行う光ディスクの再生方法及び光ディスク装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、再生、記録及び消去を行うことができる光ディスクは、開発が進められており、民生用やデータ保存用として広く使用されてきている。光ディスクにおいては、その大容量化への要望が大きく、鋭意実用化が目指されている。
【０００３】
高密度化への対応としては、まず、光ビームスポット径を小さくすることが考えられた。光ディスクに照射された光ビームのスポット径は、光ビームの波長をλ、対物レンズの開口数をＮＡとすると、λ/ＮＡに比例する。従って、光ビームの短波長化、対物レンズの高ＮＡ化を図ることによって、ビームスポットの小径化ができる。
【０００４】
また、ＮＡが大きくなれば焦点深度が浅くなること、光ディスクのチルトの影響を抑制することの点から、従来の、光ディスクに対して基板側から光ビーム入射を行うのではなく、層面側（膜面側）から光ビームを入射させることが検討されている。
【０００５】
この場合、浮上スライダーに高ＮＡ化のために２枚のレンズを組み合わせた対物レンズを搭載し、線速を一定に保ち対物レンズと光ディスクとの間隔を一定にすることにより、焦点位置を合わせることができる。
【０００６】
別の高密度化技術として、記録層を２層以上積層し各層で独立にデータの記録再生を行うことにより記録密度を上げる方法が提案されている。上記方法では、記録密度が記録層の層数の増加分だけ向上することになり高密度化の効果が非常に高い。
【０００７】
このような方法においては、各記録層を光ビームの焦点深度以上に互いに離し、光ビームの焦点位置を変えることにより各記録層の信号を干渉させずに独立に再生する方法や、焦点深度内に２層以上を積層し、波長の異なる光ビームを用いて各層の信号を再生する方法等が提案されている。
【０００８】
さらに、光磁気ディスクにおいては、高密度化技術として再生層に、情報としての記録マークを拡大転写し信号を増幅させて再生を行う磁区拡大再生方式が提案されている。磁区拡大再生を行うことにより、再生信号強度を増大させることが可能となり、高密度化により記録ビット径が小さくなった場合の再生特性を向上することができる。
【０００９】
また、特開平８−７３５０号公報（公開日１９９６年１月１２日）および第２０回日本応用磁気学会学術講演概要集，22p，E-4，p313(1996)においては、記録信号に同期したパルス磁界を再生時に印加させて磁区拡大に加え、縮小させることにより、再生信号強度を増大させると共に再生のクロストークを改善した光磁気記録媒体の再生方法が提案されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、磁区拡大再生方式と多層技術を組み合わせて高密度化を行おうとした場合、光ビームの入射側から遠い位置にある記録層の再生時に、光ビームの通過部に他の再生層及び記録層が存在するため、その影響を受ける。光ビームの入射側から遠い位置にある記録層に光ビームを到達させるためには、その手前にある再生層及び記録層の透過率を上げる必要がある。光入射側にある再生層及び記録層の透過率を上げるためには、層厚を薄くする必要があり、この場合、磁区拡大再生動作を実現するための層設計は非常に難しくなる。
【００１１】
本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであって、磁区拡大再生媒体を多層化した場合にも、各記録層の信号を容易に再生できる、光ディスクの再生方法及び光ディスク装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、
本発明に係る光ディスクの再生方法は、上記課題を解決するために、少なくとも２層の記録層と、再生層とを有した光ディスク媒体に対して、少なくとも４値の再生磁界を印加しながら再生を行うことを特徴としている。
【００１３】
上記方法によれば、少なくとも２層の記録層における層方向での垂直磁化方向により表される記録信号の各組み合わせに対して、少なくとも４値の再生磁界を印加しながら再生を行うことにより、上記各組み合わせに応じて、再生層に転写される垂直磁化方向である転写信号（再生信号）の転写領域の長さ、つまり時間的な長さを変化させることが可能となる。このとき、上記方法においては、各記録層より再生層を光入射側に配置することで、各記録層から再生層に対して磁区拡大転写できる。
【００１４】
これにより、上記方法では、再生層に転写される垂直磁化方向の時間的な長さの変化に基づいて異なる記録層の記録信号を容易に、同時に再生することができ、記録密度を上げることが可能となると共に再生速度も大きくできる。
【００１５】
その上、上記方法においては、再生層を介して各記録層の記録信号を同時に再生できるので、従来のように光入射側にある再生層及び記録層の透過率を上げるために、光入射側にある再生層及び記録層の層厚を薄くする必要を回避できて、磁区拡大再生動作を実現するための層設計の自由度を大きくできる。
【００１６】
上記光ディスクの再生方法では、少なくとも２層の記録層の記録信号を、再生層に拡大転写することにより再生を行ってもよい。
【００１７】
上記方法によれば、各記録層における記録マーク長を短くすることができ、記録密度をさらに上げることが可能となる。
【００１８】
上記光ディスクの再生方法においては、光ディスクの層面側から光ビームを入射させ再生を行ってもよい。
【００１９】
上記方法によれば、光ビームを集光する対物レンズを各記録層や再生層に、より近接させることができて、上記対物レンズのＮＡを上げることが容易となり、ビームスポット径を小さくでき、記録密度をさらに上げることが可能となる。
【００２０】
上記光ディスクの再生方法では、再生磁界に加え、ＤＣの補助磁界を印加しながら再生を行ってもよい。上記方法によれば、補助磁界の印加によって、再生磁界の大きさを低減することが可能となる。
【００２１】
本発明の光ディスク装置は、前記課題を解決するために、記録層及び再生層を基板上に備える光ディスク媒体に対して、光学系からの光を照射して、上記記録層の情報が再生層を介して再生される光ディスク装置において、光ディスク媒体は、少なくとも２層の記録層を有し、光ディスク媒体に対して、少なくとも４値の再生磁界を印加する磁界印加手段が設けられていることを特徴としている。
【００２２】
上記構成によれば、異なる記録層の記録信号を容易に再生することができ、記録密度を上げることが可能となると共に、磁区拡大再生動作を実現するための層設計の自由度を大きくできる。
【００２３】
上記光ディスク装置においては、光ディスク媒体の層面側に光学系及び磁界印加手段を設けてもよい。上記構成によれば、光ディスクの層面側から光ビームを入射させ再生することができ、記録密度をさらに上げることが可能となる。
【００２４】
上記光ディスク装置では、光ディスクの基板側に補助磁界印加手段を設けてもよい。
【００２５】
上記構成によれば、基板側の補助磁界印加手段によってＤＣの補助磁界を印加することにより、再生磁界の大きさを低減することが可能となる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の各形態について図１乃至図７に基づいて、それぞれ詳細に説明する。
【００２７】
（第1の実施の形態）
本発明に係る光ディスク装置における第１の実施の形態について図１乃至図４に基づいて説明すれば、以下のとおりである。
【００２８】
図１は本実施の形態に係る光ディスク装置の構成図を示す。光源１から出射されて光ビーム２は、ビームスプリッタ３を通り、対物レンズ４を介して、基板１２側から光ディスク５に照射される。光源１には青紫色半導体レーザを用い、その波長λは４００ｎｍ〜４１０ｎｍである。対物レンズ４のＮＡは０．５５〜０．６５である。
【００２９】
光ディスク５の媒体面側には、磁気ヘッド６が光ディスク５を挟んで、上記対物レンズ４と対面する位置（つまり、対物レンズ４により集光される光ビーム２の光軸上）に配置されている。上記磁気ヘッド６は、光ディスク５内において、上記光ディスク５の再生層１４、第１及び第２記録層１６、１８の垂直磁化の方向と略平行となる磁界を発生するようになっていて、上記光ディスク５に対して、記録磁界及び再生磁界を印加するために用いられる。
【００３０】
光ディスク５からの戻り光は、ビームスプリッタ３にてほぼ９０度の角度で反射され、続いて、ビームスプリッタ７を通り、偏光ビームスプリッタ９により２分割され、各光検出器１０、１１にそれぞれ入射される。
【００３１】
各光検出器１０、１１に入射された光は電気信号に変換され、これらの差動信号から光磁気再生信号が生成される。また、ビームスプリッタ７で分離されたもう一方の光は、光検出器８に入射され、サーボ信号やクロック信号がそれぞれ生成される。
【００３２】
よって、図には示していないが、上記光ディスク装置では、光ビーム２と光ディスク５の記録用トラックとを、互いに相対移動できるように、上記光ディスク５が、例えばスピンドルモータにより光ディスク５の中心軸を回転軸として回転駆動されるようになっている。上記記録用トラックは、らせん状又は同心円状に形成されている。
【００３３】
図２は本実施の形態で用いた、光ディスク５としての光磁気ディスクの概略断面図を示す。本実施に用いた光ディスク５は、図２に示すように、基板１２、透明誘電体層１３、再生層１４、非磁性中間層１５、第１記録層１６、非磁性中間層１７、第２記録層１８、記録補助層１９、保護層２０、放熱層２１、オーバーコート層２２が、この順にて積層された構成になっている。
【００３４】
このような光ディスク５では、その記録方式としてキュリー温度記録方式が用いられており、第１記録層１６や第２記録層１８の記録用トラック上の各記録ビットに対する、昇温や記録磁界の大きさをそれぞれ変えることにより、第１及び第２記録層１６、１８に対して独立して情報をデジタル式にて記録を行うことができる。
【００３５】
第１及び第２記録層１６、１８にそれぞれ記録された信号は、再生層１４を介して、極カー効果として知られている光磁気効果によって再生されるようになっている。上記極カー効果とは、磁性層（例えば、再生層１４）における、入射表面方向に対して垂直な磁化の反平行な各向きにより、上記磁性層からの反射光の偏光面における回転の向きが逆方向になる現象である。
【００３６】
基板１２は、光透過性を有するポリカーボネート等のプラスチック樹脂材からなり、ディスク状に形成される。図には示していないが、基板１２上にはトラッキング用の案内溝やアドレス情報等が記録用トラックに沿ってプリフォーマットされている。透明誘電体層１３は、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ等の酸素を含まない材料で構成されている。
【００３７】
再生層１４は、ＧｄＦｅＣｏ等の希土類遷移金属合金、または、希土類金属、または、遷移金属を主成分とする磁性層であり、その磁気特性が、再生温度近傍において、垂直磁化を示し、かつ、保磁力が小さくなるように組成調整されている。
【００３８】
各非磁性中間層１５、１７は、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ等の誘電体、または、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ等の非磁性金属合金からなり、再生層１４と、第１記録層１６及び第２記録層１８とが互いに静磁結合すべく、その層厚が１〜４０ｎｍに設定されている。
【００３９】
第１記録層１６、第２記録層１８は、希土類遷移金属合金からなる垂直磁化層からなり、室温で保磁力の大きなＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏまたはＴｂＤｙＦｅＣｏ等で構成されている。
【００４０】
記録補助層１９は、第２記録層１８と交換結合し、第２記録層１８の記録磁界を低減する目的で形成されるもので、希土類遷移金属合金、または、希土類金属、または、遷移金属を主成分とする磁性層で構成されている。
【００４１】
保護層２０は、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ等の誘電体、または、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ等の非磁性金属合金からなり、再生層１４、第１記録層１６や第２記録層１８に用いる希土類遷移金属合金の酸化を防止する目的で形成されるものであり、その層厚が５ｎｍ〜６０ｎｍの範囲に設定されている。
【００４２】
放熱層２１は、記録および再生時に熱を効率良く逃がすための層であり、ＡｌもしくはＡｌを含む合金層からなり、反射層としても機能している。
【００４３】
オーバーコート層２２は、紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂をスピンコートにより塗布して、紫外線を照射するか、または加熱するかによって形成される。オーバーコート層２２上には、必要に応じて、潤滑層や帯電防止層が形成されている。
【００４４】
次に、本実施の形態に係る再生方法について説明する。図３に再生磁界の印加方法を示す。まず、集光された光ビーム２を照射しながら回転する光ディスク５において、集光された光ビーム２が記録ビットの最短マークを通過する時間を１周期（Ｔ）として、１周期の間にＬ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４の４つレベル（４値）の再生磁界を、互いに同時間（Ｔ／４）ずつ、上記光ビーム２の照射位置に、その照射位置の反対側から、前記磁気ヘッド６によって順次印加し、これを繰り返しながら再生を行う。
【００４５】
再生温度近傍での、再生層１４の保磁力をＨｃｒ、第１記録層１６から再生層１４への静磁界の大きさをＨｓ１、第２記録層１８から再生層１４への静磁界の大きさをＨｓ２、再生層１４への再生層１４から以外の漏れ磁界（主に第１記録層１６及び第２記録層１８から）の向きが下向き（再生層１４から第１記録層１６に向かう方向、かつ光ビーム２の光軸と略平行）で大きさをＨｂとした場合、
Ｈｓ１＞Ｈｓ２ ‐‐（１）
Ｈｃｒ＋Ｈｓ１＋Ｈｓ２＋Ｈｂ＞Ｌ１＞Ｈｃｒ＋Ｈｓ１−Ｈｓ２＋Ｈｂ ‐‐（２）
Ｈｃｒ＋Ｈｓ１−Ｈｓ２＋Ｈｂ＞Ｌ２＞Ｈｃｒ−Ｈｓ１＋Ｈｓ２＋Ｈｂ ‐‐（３）
−Ｈｃｒ−Ｈｓ１＋Ｈｓ２＋Ｈｂ＞Ｌ３＞−Ｈｃｒ−Ｈｓ１−Ｈｓ２＋Ｈｂ ‐‐（４）
Ｌ４＜−Ｈｃｒ−Ｈｓ１−Ｈｓ２＋Ｈｂ ‐‐（５）
の条件を満足するよう、再生層１４、第１記録層１６及び第２記録層１８の各層の磁気特性を調整する。
【００４６】
光磁気ディスクである光ディスク５では垂直磁化の上向き（下向きに対して反平行）及び下向きが、記録信号としてデジタル信号の０及び１にそれぞれ対応しており、第１記録層１６のデジタル信号が１、第２記録層１８のデジタル信号が１の場合を記録信号（１、１）と表すとすると、第１及び第２各記録層１６、１８において、層方向に互いに隣り合った各記録信号は（１、１）、（１、０）、（０、１）、（０、０）の４つのパターンが存在する。
【００４７】
上記（１）から（５）式を満足する場合、記録信号（１、１）では再生磁界Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３で、記録信号（１、０）では再生磁界Ｌ１、Ｌ２で、記録信号（０、１）ではＬ１でそれぞれ磁区拡大再生が第１及び第２各記録層１６、１８から再生層１４に対して行われる。また、記録信号（０、０）では磁区拡大再生は行われない。このような４値の再生磁界を用いたとき、各記録信号パターンに対する再生信号波形を図４に示す。
【００４８】
再生信号は、記録信号（１、１）では長さ３Ｔ／４、記録信号（１、０）では長さ２Ｔ／４、記録信号（０、１）では長さＴ／４の磁区拡大再生信号が検出される。また、記録信号（０、０）では磁区拡大再生信号が検出されない。
【００４９】
したがって、再生信号に対して、０から３Ｔ／４の４種類の長さを検出することにより、第１記録層１６及び第２記録層１８の各記録信号を同時に再生することが可能となる。
【００５０】
以上の説明では、記録層が２層の場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、記録層が３層の場合は８値（２ⁿ 値、ｎは記録層の数）の再生磁界を印加することにより、同様にして各記録層の記録信号を再生することが可能である。
【００５１】
次に、光磁気ディスクである上記光ディスク５を用いて磁区拡大再生を確認する試験を行った。試験には、基板１２が０．６ｍｍ厚のポリカーボネート基板、透明誘電体層１３、非磁性中間層１５，１７及び保護層２０がＳｉＮ、再生層１４がＧｄＦｅＣｏ、第１記録層１６及び第２記録層１８がＴｂＦｅＣｏ、記録補助層１９がＧｄＦｅ、放熱層２１がＡｌＴｉ、オーバーコート層２２の層厚が５μｍの光ディスク５を用いた。
【００５２】
基板１２には、０．８μｍピッチで、幅０．４μｍ、深さ３５ｎｍの記録用トラックが形成されている。
【００５３】
再生温度近傍での、再生層１４の保磁力Ｈｃｒは３０Ｏｅ、第１記録層１６から再生層１４への静磁界の大きさＨｓ１は１４０Ｏｅ、第２記録層１８から再生層１４への静磁界の大きさＨｓ２は７０Ｏｅ、再生層１４へのそれ以外の下向きの漏れ磁界の大きさＨｂは５０Ｏｅであった。
【００５４】
本実施の形態に用いた光ディスク装置のレーザ波長は４０５ｎｍ、対物レンズのＮＡは０．６であった。
【００５５】
上記光ディスク５に対しては、線速度３ｍ／ｓで、最短マーク長０．３μｍの（１，７）ＲＬＬ（run length limited、実行長制限）変調コードを記録信号として第１記録層１６及び第２記録層１８それぞれに記録した。上記光ディスク５を、記録信号の１周期（Ｔ）に同期させた４値の再生磁界を印加することにより再生を行った。再生磁界の４値は、前記の式（１）〜（５）に基づいて、Ｌ１を＋２００Ｏｅ、Ｌ２を＋１００Ｏｅ、Ｌ３を−１００Ｏｅ及び、Ｌ４を−２００Ｏｅとした。
【００５６】
なお、+は、再生磁界の向きが上向き(再生層１４から対物レンズ４に向かう方向）、−は、再生磁界の向きが下向き(対物レンズ４から再生層１４に向かう方向）である。また、各Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４の設定については、それらの臨界値より２０％程度、離れた値とするのが好ましく、より好ましくは、想定された漏れ磁界の大きさＨｂ程度、離れた値とすることである。上記の上向き、下向きや、各Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４の設定に関しては、以下の各実施例でも同様である。
【００５７】
実験の結果、図４に示した記録信号パターンの対応した再生信号が得られ、再生信号より、第１記録層１６及び第２記録層１８の記録信号を同時に再生することができた。
【００５８】
最短マーク長を０．２μｍ、０．１５μｍで同様の実験を行った結果、最短マーク長０．３μｍの場合と同程度の再生信号振幅が得られ、磁区拡大再生が行われていることが確認された。
【００５９】
（第２の実施の形態）
本発明に係る光ディスク装置における第２の実施の形態について図５及び図６に基づいて説明すれば、以下のとおりである。
【００６０】
図５は本実施の形態に係る光ディスク装置の構成図を示す。光源１から出射されて光ビーム２は、ビームスプリッタ３を通り、ミラー２３で反射し、浮上スライダー２４に搭載された対物レンズ２５を介して、層面側から光ディスク２８に照射される。光源１には青紫色半導体レーザを用い、λは４００ｎｍ〜４１０ｎｍである。対物レンズ２５は，例えばレンズ間隔一定の２枚のレンズから構成され、ＮＡは０．８〜０．９である。
【００６１】
浮上スライダー２４は板ばねからなるサスペンション２７に取り付けられており、光ディスク５の回転線速を一定にして浮上量を一定に保つことにより、記録層へのフォーカシングを行う。浮上スライダー２４には、対物レンズ２５以外に、記録磁界もしくは再生磁界を発生させるための磁気コイル２６が搭載されている。
【００６２】
光ディスク２８からの戻り光は、ミラー２３で反射し、ビームスプリッタ３及び７を通り、偏光ビームスプリッタ９により２分割され、各光検出器１０、１１にそれぞれ入射される。各光検出器１０、１１に入射された光は電気信号に変換され、これらの差動信号から光磁気再生信号が生成される。また、ビームスプリッタ７で分離されたもう一方の光は、光検出器８に入射されサーボ信号が生成される。
【００６３】
図６は本実施の形態で用いた光磁気ディスクの断面図を示す。本実施に用いた光磁気ディスクである光ディスク２８は、図６に示すように、オーバーコート層２２、透明誘電体層１３、再生層１４、非磁性中間層１５、第１記録層１６、非磁性中間層１７、第２記録層１８、記録補助層１９、保護層２０、放熱層２１、基板１２が、この順にて積層された構成になっている。
【００６４】
各層の材料は、第１の実施の形態と同様であり、基板１２に対して逆順に積層されており、オーバーコート層２２側から記録再生を行う。記録用トラックが形成された基板１２に対して反対側から記録再生を行うため、基板１２の反り（チルト）の影響が小さく、対物レンズ２５のＮＡを高くすることができるので、光ディスク２８の記録の高密度化が可能となる。
【００６５】
次に、この光磁気ディスクである光ディスク２８を用いて磁区拡大再生を確認する試験を行った。試験には、基板１２が０．６ｍｍ厚のポリカーボネート基板、透明誘電体層１３、各非磁性中間層１５、１７及び保護層２０がＳｉＮ、再生層１４がＧｄＦｅＣｏ、第１記録層１６及び第２記録層１８がＴｂＦｅＣｏ、記録補助層１９がＧｄＦｅ、放熱層２１がＡｌＴｉ、オーバーコート層２２の層厚が５μｍの光ディスク２８を用いた。さらに、基板１２には、０．５μｍピッチで、幅０．２５μｍ、深さ５０ｎｍの記録用トラックが形成されている。
【００６６】
上記光ディスク２８においては、再生温度近傍での、再生層１４の保磁力Ｈｃｒは３０Ｏｅ、第１記録層１６から再生層１４への静磁界の大きさＨｓ１は１４０Ｏｅ、第２記録層１８から再生層１４への静磁界の大きさＨｓ２は７０Ｏｅ、再生層１４へのそれ以外の下向きの漏れ磁界大きさＨｂは５０Ｏｅであった。
【００６７】
本実施の形態に用いた光ディスク装置における光源１のレーザ波長は４０５ｎｍ、対物レンズ４のＮＡは０．９であった。
【００６８】
用いた光ディスク２８に対しては、線速度３ｍ／ｓで、最短マーク長０．２μｍにて、（１，７）ＲＬＬ変調コードを記録信号として第１記録層１６及び第２記録層１８それぞれに記録した。その光ディスク２８を、記録信号に同期させた４値の再生磁界を印加することにより再生を行った。再生磁界の４値は、前記の式（１）〜（５）に基づいて、＋２００Ｏｅ、＋１００Ｏｅ、−１００Ｏｅ及び、−２００Ｏｅとした。
【００６９】
試験の結果、図４に示した記録信号パターンの対応した再生信号が得られ、再生信号より、第１記録層１６及び第２記録層１８の記録信号を同時に再生することができた。
【００７０】
最短マーク長を０．１５μｍ、０．１μｍで同様の試験をそれぞれ行った結果、最短マーク長０．２μｍの場合と同程度の再生信号振幅が得られ、磁区拡大再生が行われていることが確認された。
【００７１】
（第３の実施の形態）
本発明に係る光ディスク装置における第３の実施の形態について図７に基づいて説明すれば、以下のとおりである。図７は本実施の形態に係る光ディスク装置の構成図を示す。
【００７２】
光ディスク２８の基板１２側に、新たな磁気ヘッド２９が配置されている以外は、上述した第２の実施の形態と同様の構成である。磁気ヘッド２９は、再生時にＤＣの補助磁界を上記光ディスク２８に対して印加するために用いられる。
【００７３】
次に、図６に示した光ディスクを用いて磁区拡大再生を確認するための試験を行った。試験には、基板１２が０．６ｍｍ厚のポリカーボネート基板、透明誘電体層１３、非磁性中間層１５，１７及び保護層２０がＳｉＮ、再生層１４がＧｄＦｅＣｏ、第１記録層１６及び第２記録層１８がＴｂＦｅＣｏ、記録補助層１９がＧｄＦｅ、放熱層２１がＡｌＴｉ、オーバーコート層２２の層厚が５μｍの光ディスク２８を用いた。基板１２には、０．５μｍピッチで、幅０．２５μｍ、深さ５０ｎｍの記録用トラックが形成されている。
【００７４】
上記光ディスク２８では、再生温度近傍での、再生層１４の保磁力Ｈｃｒは３０Ｏｅ、第１記録層１６から再生層１４への静磁界の大きさＨｓ１は１４０Ｏｅ、第２記録層１８から再生層１４への静磁界の大きさＨｓ２は７０Ｏｅ、再生層１４へのそれ以外の下向きの漏れ磁界大きさＨｂは５０Ｏｅであった。
【００７５】
本実施の形態に用いた光ディスク装置のレーザ波長は４０５ｎｍ、対物レンズのＮＡは０．９であった。
【００７６】
上記光ディスク２８に対しては、線速度３ｍ／ｓで、最短マーク長０．２μｍの（１，７）ＲＬＬ変調コードを第１記録層１６及び第２記録層１８それぞれに記録し、記録信号に同期させた４値の再生磁界を印加した。上記光ディスク２８を、さらに、DCの補助磁界を印加することにより再生を行った。
【００７７】
再生磁界の４値は＋１７０Ｏｅ、＋１００Ｏｅ、−１００Ｏｅ及び、−１７０Ｏｅとし、ＤＣ補助磁界は下向きに２０Ｏｅ印加した。
【００７８】
試験の結果、図４に示した記録信号パターンの対応した再生信号が得られ、再生信号より、第１記録層１６及び第２記録層１８の記録信号を同時に再生することができた。
【００７９】
上記光ディスク２８に対して、最短マーク長を０．１５μｍ、０．１μｍで同様の試験をそれぞれ行った結果、最短マーク長０．２μｍの場合と同程度の再生信号振幅が得られ、磁区拡大再生が行われていることが確認された。
【００８０】
第２の実施の形態と比べ、再生時に補助磁界を印加することにより、再生磁界の大きさを±２００Ｏｅから±１７０Ｏｅに低減することができた。
【００８１】
【発明の効果】
本発明の光ディスクの再生方法は、以上のように、少なくとも２層の記録層と、再生層とを有した光ディスク媒体に対して、少なくとも４値の再生磁界を印加しながら再生を行う方法である。
【００８２】
それゆえ、上記方法は、異なる記録層の記録信号を容易に再生することができ、記録密度を上げると共に、再生速度も向上できるという効果を奏する。
【００８３】
本発明の光ディスク装置は、以上のように、少なくとも２層の記録層と、再生層を有した光ディスク媒体に対して、少なくとも４値の再生磁界を印加する磁界印加手段を設けた構成である。
【００８４】
それゆえ、上記構成は、異なる記録層の記録信号を容易に再生することができ、記録密度を上げても、再生速度を改善することが可能になるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る第１の実施の形態における光ディスク装置の構成図である。
【図２】本発明に係る第１の実施の形態で用いた光磁気ディスクの断面図である。
【図３】本発明に係る再生磁界の印加方法を示すタイミングチャートである。
【図４】本発明に係る各記録信号パターンに対する再生信号波形を示す波形図である。
【図５】本発明に係る第２の実施の形態における光ディスク装置の構成図である。
【図６】本発明に係る第２の実施の形態で用いた光磁気ディスクの断面図である。
【図７】本発明に係る第３の実施の形態における光ディスク装置の構成図である。
【符号の説明】
１ 光源
２ 光ビーム
３、７ ビームスプリッタ
４、２５ 対物レンズ
５、２８ 光ディスク
６、２９ 磁気ヘッド
８、１０、１１ 光検出器
９ 偏光ビームスプリッタ
１２ 基板
１３ 透明誘電体層
１４ 再生層
１５、１７ 非磁性中間層
１６ 第１記録層
１８ 第２記録層
１９ 記録補助層
２０ 保護層
２１ 放熱層
２２ オーバーコート層
２３ ミラー
２４ 浮上スライダー
２６ 磁気コイル
２７ サスペンション

Claims (7)

1. 光透過性を有する基板上に、少なくとも、その磁気特性が再生温度近傍において垂直磁化を示す磁性層からなる再生層と、垂直磁化層からなる第１の記録層および第２の記録層と、非磁性材料からなる非磁性中間層とが、再生層、非磁性中間層、第１の記録層、非磁性中間層、第２の記録層の順に積層され、再生層と第１および第２の記録層とが互いに静磁結合された磁区拡大再生される光磁気ディスク媒体に対して、
   再生温度近傍での、再生層の保磁力をＨｃｒ、第１記録層から再生層への静磁界の大きさをＨｓ１、第２記録層から再生層への静磁界の大きさをＨｓ２、再生層への漏れ磁界の向きが第１記録層に向かう方向で大きさをＨｂとした場合、
   Ｈｓ１＞Ｈｓ２
   Ｈｃｒ＋Ｈｓ１＋Ｈｓ２＋Ｈｂ＞Ｌ１＞Ｈｃｒ＋Ｈｓ１−Ｈｓ２＋Ｈｂ
   Ｈｃｒ＋Ｈｓ１−Ｈｓ２＋Ｈｂ＞Ｌ２＞Ｈｃｒ−Ｈｓ１＋Ｈｓ２＋Ｈｂ
   −Ｈｃｒ−Ｈｓ１＋Ｈｓ２＋Ｈｂ＞Ｌ３＞−Ｈｃｒ−Ｈｓ１−Ｈｓ２＋Ｈｂ
   Ｌ４＜−Ｈｃｒ−Ｈｓ１−Ｈｓ２＋Ｈｂ
   の条件を満足する、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４の４値の再生磁界を印加しながら再生を行うことを特徴とする光磁気ディスクの再生方法。
2. 請求項１に記載の光磁気ディスクの再生方法において、
   少なくとも２層の記録層の記録信号を、再生層に拡大転写することにより再生を行うことを特徴とする光磁気ディスクの再生方法。
3. 請求項１又は２に記載の光磁気ディスクの再生方法において、
   光磁気ディスクの層面側から光ビームを入射させ再生を行うことを特徴とする光磁気ディスクの再生方法。
4. 請求項１乃至３の何れか１項に記載の光磁気ディスクの再生方法において、
   再生磁界に加え、ＤＣの補助磁界を印加しながら再生を行うことを特徴とする光磁気ディスクの再生方法。
5. 光透過性を有する基板上に、少なくとも、その磁気特性が再生温度近傍において垂直磁化を示す磁性層からなる再生層と、垂直磁化層からなる第１の記録層および第２の記録層と、非磁性材料からなる非磁性中間層とが、再生層、非磁性中間層、第１の記録層、非磁性中間層、第２の記録層の順に積層され、再生層と第１および第２の記録層とが互いに静磁結合された磁区拡大再生される光磁気ディスク媒体に対して、光学系からの光を照射して、上記記録層の情報が再生層を介して再生される光磁気ディスク装置において、
   上記光磁気ディスク媒体に対して、
   再生温度近傍での、再生層の保磁力をＨｃｒ、第１記録層から再生層への静磁界の大きさをＨｓ１、第２記録層から再生層への静磁界の大きさをＨｓ２、再生層への漏れ磁界の向きが第１記録層に向かう方向で大きさをＨｂとした場合、
   Ｈｓ１＞Ｈｓ２
   Ｈｃｒ＋Ｈｓ１＋Ｈｓ２＋Ｈｂ＞Ｌ１＞Ｈｃｒ＋Ｈｓ１−Ｈｓ２＋Ｈｂ
   Ｈｃｒ＋Ｈｓ１−Ｈｓ２＋Ｈｂ＞Ｌ２＞Ｈｃｒ−Ｈｓ１＋Ｈｓ２＋Ｈｂ
   −Ｈｃｒ−Ｈｓ１＋Ｈｓ２＋Ｈｂ＞Ｌ３＞−Ｈｃｒ−Ｈｓ１−Ｈｓ２＋Ｈｂ
   Ｌ４＜−Ｈｃｒ−Ｈｓ１−Ｈｓ２＋Ｈｂ
   の条件を満足する、
   Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４の４値の再生磁界を印加する磁界印加手段が設けられていることを特徴とする光磁気ディスク装置。
6. 請求項５に記載の光磁気ディスク装置において、光磁気ディスク媒体の層面側に光学系及び磁界印加手段を設けたことを特徴とする光磁気ディスク装置。
7. 請求項６に記載の光磁気ディスク装置において、光磁気ディスク媒体の基板側に補助磁界印加手段を設けたことを特徴とする光磁気ディスク装置。

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