JP2003296982A - 光ディスクの再生方法及び光ディスク装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 磁区拡大再生方式と多層技術を組み合わせて
高密度化を行おうとした場合、光ビームの入射側から遠
い位置にある記録層の再生時に、光ビームの通過部に他
の再生層及び記録層が存在するため、その影響を受け
る。光ビームの入射側から遠い位置にある記録層に光ビ
ームを到達させるためには、その手前にある再生層及び
記録層の透過率を上げる必要がある。光入射側にある再
生層及び記録層の透過率を上げるためには、層厚を薄く
する必要があり、この場合、磁区拡大再生動作を実現す
るための層設計は非常に難しくなる。 【解決手段】 少なくとも２層以上の記録層と、再生層
を有した光ディスク媒体に対して、少なくとも４値以上
の再生磁界を印加しながら再生層に拡大転写することに
より再生を行う。本構成によれば、異なる記録層の記録
信号を容易に再生することができ、記録密度を上げるこ
とが可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ビームを用い
て、情報の再生、記録及び消去を行う光ディスクの再生
方法及び光ディスク装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、再生、記録及び消去を行うことが
できる光ディスクは、開発が進められており、民生用や
データ保存用として広く使用されてきている。光ディス
クにおいては、その大容量化への要望が大きく、鋭意実
用化が目指されている。

【０００３】高密度化への対応としては、まず、光ビー
ムスポット径を小さくすることが考えられた。光ディス
クに照射された光ビームのスポット径は、光ビームの波
長をλ、対物レンズの開口数をＮＡとすると、λ/ＮＡ
に比例する。従って、光ビームの短波長化、対物レンズ
の高ＮＡ化を図ることによって、ビームスポットの小径
化ができる。

【０００４】また、ＮＡが大きくなれば焦点深度が浅く
なること、光ディスクのチルトの影響を抑制することの
点から、従来の、光ディスクに対して基板側から光ビー
ム入射を行うのではなく、層面側（膜面側）から光ビー
ムを入射させることが検討されている。

【０００５】この場合、浮上スライダーに高ＮＡ化のた
めに２枚のレンズを組み合わせた対物レンズを搭載し、
線速を一定に保ち対物レンズと光ディスクとの間隔を一
定にすることにより、焦点位置を合わせることができ
る。

【０００６】別の高密度化技術として、記録層を２層以
上積層し各層で独立にデータの記録再生を行うことによ
り記録密度を上げる方法が提案されている。上記方法で
は、記録密度が記録層の層数の増加分だけ向上すること
になり高密度化の効果が非常に高い。

【０００７】このような方法においては、各記録層を光
ビームの焦点深度以上に互いに離し、光ビームの焦点位
置を変えることにより各記録層の信号を干渉させずに独
立に再生する方法や、焦点深度内に２層以上を積層し、
波長の異なる光ビームを用いて各層の信号を再生する方
法等が提案されている。

【０００８】さらに、光磁気ディスクにおいては、高密
度化技術として再生層に、情報としての記録マークを拡
大転写し信号を増幅させて再生を行う磁区拡大再生方式
が提案されている。磁区拡大再生を行うことにより、再
生信号強度を増大させることが可能となり、高密度化に
より記録ビット径が小さくなった場合の再生特性を向上
することができる。

【０００９】また、特開平８−７３５０号公報（公開日
１９９６年１月１２日）および第２０回日本応用磁気学
会学術講演概要集，22p，E-4，p313(1996)においては、
記録信号に同期したパルス磁界を再生時に印加させて磁
区拡大に加え、縮小させることにより、再生信号強度を
増大させると共に再生のクロストークを改善した光磁気
記録媒体の再生方法が提案されている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、磁区拡
大再生方式と多層技術を組み合わせて高密度化を行おう
とした場合、光ビームの入射側から遠い位置にある記録
層の再生時に、光ビームの通過部に他の再生層及び記録
層が存在するため、その影響を受ける。光ビームの入射
側から遠い位置にある記録層に光ビームを到達させるた
めには、その手前にある再生層及び記録層の透過率を上
げる必要がある。光入射側にある再生層及び記録層の透
過率を上げるためには、層厚を薄くする必要があり、こ
の場合、磁区拡大再生動作を実現するための層設計は非
常に難しくなる。

【００１１】本発明は、上記問題点を解決するためにな
されたものであって、磁区拡大再生媒体を多層化した場
合にも、各記録層の信号を容易に再生できる、光ディス
クの再生方法及び光ディスク装置を提供することを目的
とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明に係る光ディスクの再生方法は、上記課題
を解決するために、少なくとも２層の記録層と、再生層
とを有した光ディスク媒体に対して、少なくとも４値の
再生磁界を印加しながら再生を行うことを特徴としてい
る。

【００１３】上記方法によれば、少なくとも２層の記録
層における層方向での垂直磁化方向により表される記録
信号の各組み合わせに対して、少なくとも４値の再生磁
界を印加しながら再生を行うことにより、上記各組み合
わせに応じて、再生層に転写される垂直磁化方向である
転写信号（再生信号）の転写領域の長さ、つまり時間的
な長さを変化させることが可能となる。このとき、上記
方法においては、各記録層より再生層を光入射側に配置
することで、各記録層から再生層に対して磁区拡大転写
できる。

【００１４】これにより、上記方法では、再生層に転写
される垂直磁化方向の時間的な長さの変化に基づいて異
なる記録層の記録信号を容易に、同時に再生することが
でき、記録密度を上げることが可能となると共に再生速
度も大きくできる。

【００１５】その上、上記方法においては、再生層を介
して各記録層の記録信号を同時に再生できるので、従来
のように光入射側にある再生層及び記録層の透過率を上
げるために、光入射側にある再生層及び記録層の層厚を
薄くする必要を回避できて、磁区拡大再生動作を実現す
るための層設計の自由度を大きくできる。

【００１６】上記光ディスクの再生方法では、少なくと
も２層の記録層の記録信号を、再生層に拡大転写するこ
とにより再生を行ってもよい。

【００１７】上記方法によれば、各記録層における記録
マーク長を短くすることができ、記録密度をさらに上げ
ることが可能となる。

【００１８】上記光ディスクの再生方法においては、光
ディスクの層面側から光ビームを入射させ再生を行って
もよい。

【００１９】上記方法によれば、光ビームを集光する対
物レンズを各記録層や再生層に、より近接させることが
できて、上記対物レンズのＮＡを上げることが容易とな
り、ビームスポット径を小さくでき、記録密度をさらに
上げることが可能となる。

【００２０】上記光ディスクの再生方法では、再生磁界
に加え、ＤＣの補助磁界を印加しながら再生を行っても
よい。上記方法によれば、補助磁界の印加によって、再
生磁界の大きさを低減することが可能となる。

【００２１】本発明の光ディスク装置は、前記課題を解
決するために、記録層及び再生層を基板上に備える光デ
ィスク媒体に対して、光学系からの光を照射して、上記
記録層の情報が再生層を介して再生される光ディスク装
置において、光ディスク媒体は、少なくとも２層の記録
層を有し、光ディスク媒体に対して、少なくとも４値の
再生磁界を印加する磁界印加手段が設けられていること
を特徴としている。

【００２２】上記構成によれば、異なる記録層の記録信
号を容易に再生することができ、記録密度を上げること
が可能となると共に、磁区拡大再生動作を実現するため
の層設計の自由度を大きくできる。

【００２３】上記光ディスク装置においては、光ディス
ク媒体の層面側に光学系及び磁界印加手段を設けてもよ
い。上記構成によれば、光ディスクの層面側から光ビー
ムを入射させ再生することができ、記録密度をさらに上
げることが可能となる。

【００２４】上記光ディスク装置では、光ディスクの基
板側に補助磁界印加手段を設けてもよい。

【００２５】上記構成によれば、基板側の補助磁界印加
手段によってＤＣの補助磁界を印加することにより、再
生磁界の大きさを低減することが可能となる。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の各形態につ
いて図１乃至図７に基づいて、それぞれ詳細に説明す
る。

【００２７】（第1の実施の形態）本発明に係る光ディ
スク装置における第１の実施の形態について図１乃至図
４に基づいて説明すれば、以下のとおりである。

【００２８】図１は本実施の形態に係る光ディスク装置
の構成図を示す。光源１から出射されて光ビーム２は、
ビームスプリッタ３を通り、対物レンズ４を介して、基
板１２側から光ディスク５に照射される。光源１には青
紫色半導体レーザを用い、その波長λは４００ｎｍ〜４
１０ｎｍである。対物レンズ４のＮＡは０．５５〜０．
６５である。

【００２９】光ディスク５の媒体面側には、磁気ヘッド
６が光ディスク５を挟んで、上記対物レンズ４と対面す
る位置（つまり、対物レンズ４により集光される光ビー
ム２の光軸上）に配置されている。上記磁気ヘッド６
は、光ディスク５内において、上記光ディスク５の再生
層１４、第１及び第２記録層１６、１８の垂直磁化の方
向と略平行となる磁界を発生するようになっていて、上
記光ディスク５に対して、記録磁界及び再生磁界を印加
するために用いられる。

【００３０】光ディスク５からの戻り光は、ビームスプ
リッタ３にてほぼ９０度の角度で反射され、続いて、ビ
ームスプリッタ７を通り、偏光ビームスプリッタ９によ
り２分割され、各光検出器１０、１１にそれぞれ入射さ
れる。

【００３１】各光検出器１０、１１に入射された光は電
気信号に変換され、これらの差動信号から光磁気再生信
号が生成される。また、ビームスプリッタ７で分離され
たもう一方の光は、光検出器８に入射され、サーボ信号
やクロック信号がそれぞれ生成される。

【００３２】よって、図には示していないが、上記光デ
ィスク装置では、光ビーム２と光ディスク５の記録用ト
ラックとを、互いに相対移動できるように、上記光ディ
スク５が、例えばスピンドルモータにより光ディスク５
の中心軸を回転軸として回転駆動されるようになってい
る。上記記録用トラックは、らせん状又は同心円状に形
成されている。

【００３３】図２は本実施の形態で用いた、光ディスク
５としての光磁気ディスクの概略断面図を示す。本実施
に用いた光ディスク５は、図２に示すように、基板１
２、透明誘電体層１３、再生層１４、非磁性中間層１
５、第１記録層１６、非磁性中間層１７、第２記録層１
８、記録補助層１９、保護層２０、放熱層２１、オーバ
ーコート層２２が、この順にて積層された構成になって
いる。

【００３４】このような光ディスク５では、その記録方
式としてキュリー温度記録方式が用いられており、第１
記録層１６や第２記録層１８の記録用トラック上の各記
録ビットに対する、昇温や記録磁界の大きさをそれぞれ
変えることにより、第１及び第２記録層１６、１８に対
して独立して情報をデジタル式にて記録を行うことがで
きる。

【００３５】第１及び第２記録層１６、１８にそれぞれ
記録された信号は、再生層１４を介して、極カー効果と
して知られている光磁気効果によって再生されるように
なっている。上記極カー効果とは、磁性層（例えば、再
生層１４）における、入射表面方向に対して垂直な磁化
の反平行な各向きにより、上記磁性層からの反射光の偏
光面における回転の向きが逆方向になる現象である。

【００３６】基板１２は、光透過性を有するポリカーボ
ネート等のプラスチック樹脂材からなり、ディスク状に
形成される。図には示していないが、基板１２上にはト
ラッキング用の案内溝やアドレス情報等が記録用トラッ
クに沿ってプリフォーマットされている。透明誘電体層
１３は、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ等の酸素を含まな
い材料で構成されている。

【００３７】再生層１４は、ＧｄＦｅＣｏ等の希土類遷
移金属合金、または、希土類金属、または、遷移金属を
主成分とする磁性層であり、その磁気特性が、再生温度
近傍において、垂直磁化を示し、かつ、保磁力が小さく
なるように組成調整されている。

【００３８】各非磁性中間層１５、１７は、ＡｌＮ、Ｓ
ｉＮ、ＡｌＳｉＮ等の誘電体、または、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔ
ａ等の非磁性金属合金からなり、再生層１４と、第１記
録層１６及び第２記録層１８とが互いに静磁結合すべ
く、その層厚が１〜４０ｎｍに設定されている。

【００３９】第１記録層１６、第２記録層１８は、希土
類遷移金属合金からなる垂直磁化層からなり、室温で保
磁力の大きなＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏまたはＴｂＤ
ｙＦｅＣｏ等で構成されている。

【００４０】記録補助層１９は、第２記録層１８と交換
結合し、第２記録層１８の記録磁界を低減する目的で形
成されるもので、希土類遷移金属合金、または、希土類
金属、または、遷移金属を主成分とする磁性層で構成さ
れている。

【００４１】保護層２０は、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＡｌＳｉ
Ｎ等の誘電体、または、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ等の非磁性金
属合金からなり、再生層１４、第１記録層１６や第２記
録層１８に用いる希土類遷移金属合金の酸化を防止する
目的で形成されるものであり、その層厚が５ｎｍ〜６０
ｎｍの範囲に設定されている。

【００４２】放熱層２１は、記録および再生時に熱を効
率良く逃がすための層であり、ＡｌもしくはＡｌを含む
合金層からなり、反射層としても機能している。

【００４３】オーバーコート層２２は、紫外線硬化樹脂
または熱硬化樹脂をスピンコートにより塗布して、紫外
線を照射するか、または加熱するかによって形成され
る。オーバーコート層２２上には、必要に応じて、潤滑
層や帯電防止層が形成されている。

【００４４】次に、本実施の形態に係る再生方法につい
て説明する。図３に再生磁界の印加方法を示す。まず、
集光された光ビーム２を照射しながら回転する光ディス
ク５において、集光された光ビーム２が記録ビットの最
短マークを通過する時間を１周期（Ｔ）として、１周期
の間にＬ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４の４つレベル（４値）の
再生磁界を、互いに同時間（Ｔ／４）ずつ、上記光ビー
ム２の照射位置に、その照射位置の反対側から、前記磁
気ヘッド６によって順次印加し、これを繰り返しながら
再生を行う。

【００４５】再生温度近傍での、再生層１４の保磁力を
Ｈｃｒ、第１記録層１６から再生層１４への静磁界の大
きさをＨｓ１、第２記録層１８から再生層１４への静磁
界の大きさをＨｓ２、再生層１４への再生層１４から以
外の漏れ磁界（主に第１記録層１６及び第２記録層１８
から）の向きが下向き（再生層１４から第１記録層１６
に向かう方向、かつ光ビーム２の光軸と略平行）で大き
さをＨｂとした場合、 Ｈｓ１＞Ｈｓ２ ‐‐（１） Ｈｃｒ＋Ｈｓ１＋Ｈｓ２＋Ｈｂ＞Ｌ１＞Ｈｃｒ＋Ｈｓ１−Ｈｓ２＋Ｈｂ ‐ ‐（２） Ｈｃｒ＋Ｈｓ１−Ｈｓ２＋Ｈｂ＞Ｌ２＞Ｈｃｒ−Ｈｓ１＋Ｈｓ２＋Ｈｂ ‐ ‐（３） −Ｈｃｒ−Ｈｓ１＋Ｈｓ２＋Ｈｂ＞Ｌ３＞−Ｈｃｒ−Ｈｓ１−Ｈｓ２＋Ｈｂ ‐ ‐（４） Ｌ４＜−Ｈｃｒ−Ｈｓ１−Ｈｓ２＋Ｈｂ ‐‐（５） の条件を満足するよう、再生層１４、第１記録層１６及
び第２記録層１８の各層の磁気特性を調整する。

【００４６】光磁気ディスクである光ディスク５では垂
直磁化の上向き（下向きに対して反平行）及び下向き
が、記録信号としてデジタル信号の０及び１にそれぞれ
対応しており、第１記録層１６のデジタル信号が１、第
２記録層１８のデジタル信号が１の場合を記録信号
（１、１）と表すとすると、第１及び第２各記録層１
６、１８において、層方向に互いに隣り合った各記録信
号は（１、１）、（１、０）、（０、１）、（０、０）
の４つのパターンが存在する。

【００４７】上記（１）から（５）式を満足する場合、
記録信号（１、１）では再生磁界Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３で、
記録信号（１、０）では再生磁界Ｌ１、Ｌ２で、記録信
号（０、１）ではＬ１でそれぞれ磁区拡大再生が第１及
び第２各記録層１６、１８から再生層１４に対して行わ
れる。また、記録信号（０、０）では磁区拡大再生は行
われない。このような４値の再生磁界を用いたとき、各
記録信号パターンに対する再生信号波形を図４に示す。

【００４８】再生信号は、記録信号（１、１）では長さ
３Ｔ／４、記録信号（１、０）では長さ２Ｔ／４、記録
信号（０、１）では長さＴ／４の磁区拡大再生信号が検
出される。また、記録信号（０、０）では磁区拡大再生
信号が検出されない。

【００４９】したがって、再生信号に対して、０から３
Ｔ／４の４種類の長さを検出することにより、第１記録
層１６及び第２記録層１８の各記録信号を同時に再生す
ることが可能となる。

【００５０】以上の説明では、記録層が２層の場合につ
いて説明したが、これに限定されるものではない。例え
ば、記録層が３層の場合は８値（２ⁿ 値、ｎは記録層の
数）の再生磁界を印加することにより、同様にして各記
録層の記録信号を再生することが可能である。

【００５１】次に、光磁気ディスクである上記光ディス
ク５を用いて磁区拡大再生を確認する試験を行った。試
験には、基板１２が０．６ｍｍ厚のポリカーボネート基
板、透明誘電体層１３、非磁性中間層１５，１７及び保
護層２０がＳｉＮ、再生層１４がＧｄＦｅＣｏ、第１記
録層１６及び第２記録層１８がＴｂＦｅＣｏ、記録補助
層１９がＧｄＦｅ、放熱層２１がＡｌＴｉ、オーバーコ
ート層２２の層厚が５μｍの光ディスク５を用いた。

【００５２】基板１２には、０．８μｍピッチで、幅
０．４μｍ、深さ３５ｎｍの記録用トラックが形成され
ている。

【００５３】再生温度近傍での、再生層１４の保磁力Ｈ
ｃｒは３０Ｏｅ、第１記録層１６から再生層１４への静
磁界の大きさＨｓ１は１４０Ｏｅ、第２記録層１８から
再生層１４への静磁界の大きさＨｓ２は７０Ｏｅ、再生
層１４へのそれ以外の下向きの漏れ磁界の大きさＨｂは
５０Ｏｅであった。

【００５４】本実施の形態に用いた光ディスク装置のレ
ーザ波長は４０５ｎｍ、対物レンズのＮＡは０．６であ
った。

【００５５】上記光ディスク５に対しては、線速度３ｍ
／ｓで、最短マーク長０．３μｍの（１，７）ＲＬＬ
（run length limited、実行長制限）変調コードを記録
信号として第１記録層１６及び第２記録層１８それぞれ
に記録した。上記光ディスク５を、記録信号の１周期
（Ｔ）に同期させた４値の再生磁界を印加することによ
り再生を行った。再生磁界の４値は、前記の式（１）〜
（５）に基づいて、Ｌ１を＋２００Ｏｅ、Ｌ２を＋１０
０Ｏｅ、Ｌ３を−１００Ｏｅ及び、Ｌ４を−２００Ｏｅ
とした。

【００５６】なお、+は、再生磁界の向きが上向き(再生
層１４から対物レンズ４に向かう方向）、−は、再生磁
界の向きが下向き(対物レンズ４から再生層１４に向か
う方向）である。また、各Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４の設
定については、それらの臨界値より２０％程度、離れた
値とするのが好ましく、より好ましくは、想定された漏
れ磁界の大きさＨｂ程度、離れた値とすることである。
上記の上向き、下向きや、各Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４の
設定に関しては、以下の各実施例でも同様である。

【００５７】実験の結果、図４に示した記録信号パター
ンの対応した再生信号が得られ、再生信号より、第１記
録層１６及び第２記録層１８の記録信号を同時に再生す
ることができた。

【００５８】最短マーク長を０．２μｍ、０．１５μｍ
で同様の実験を行った結果、最短マーク長０．３μｍの
場合と同程度の再生信号振幅が得られ、磁区拡大再生が
行われていることが確認された。

【００５９】（第２の実施の形態）本発明に係る光ディ
スク装置における第２の実施の形態について図５及び図
６に基づいて説明すれば、以下のとおりである。

【００６０】図５は本実施の形態に係る光ディスク装置
の構成図を示す。光源１から出射されて光ビーム２は、
ビームスプリッタ３を通り、ミラー２３で反射し、浮上
スライダー２４に搭載された対物レンズ２５を介して、
層面側から光ディスク２８に照射される。光源１には青
紫色半導体レーザを用い、λは４００ｎｍ〜４１０ｎｍ
である。対物レンズ２５は，例えばレンズ間隔一定の２
枚のレンズから構成され、ＮＡは０．８〜０．９であ
る。

【００６１】浮上スライダー２４は板ばねからなるサス
ペンション２７に取り付けられており、光ディスク５の
回転線速を一定にして浮上量を一定に保つことにより、
記録層へのフォーカシングを行う。浮上スライダー２４
には、対物レンズ２５以外に、記録磁界もしくは再生磁
界を発生させるための磁気コイル２６が搭載されてい
る。

【００６２】光ディスク２８からの戻り光は、ミラー２
３で反射し、ビームスプリッタ３及び７を通り、偏光ビ
ームスプリッタ９により２分割され、各光検出器１０、
１１にそれぞれ入射される。各光検出器１０、１１に入
射された光は電気信号に変換され、これらの差動信号か
ら光磁気再生信号が生成される。また、ビームスプリッ
タ７で分離されたもう一方の光は、光検出器８に入射さ
れサーボ信号が生成される。

【００６３】図６は本実施の形態で用いた光磁気ディス
クの断面図を示す。本実施に用いた光磁気ディスクであ
る光ディスク２８は、図６に示すように、オーバーコー
ト層２２、透明誘電体層１３、再生層１４、非磁性中間
層１５、第１記録層１６、非磁性中間層１７、第２記録
層１８、記録補助層１９、保護層２０、放熱層２１、基
板１２が、この順にて積層された構成になっている。

【００６４】各層の材料は、第１の実施の形態と同様で
あり、基板１２に対して逆順に積層されており、オーバ
ーコート層２２側から記録再生を行う。記録用トラック
が形成された基板１２に対して反対側から記録再生を行
うため、基板１２の反り（チルト）の影響が小さく、対
物レンズ２５のＮＡを高くすることができるので、光デ
ィスク２８の記録の高密度化が可能となる。

【００６５】次に、この光磁気ディスクである光ディス
ク２８を用いて磁区拡大再生を確認する試験を行った。
試験には、基板１２が０．６ｍｍ厚のポリカーボネート
基板、透明誘電体層１３、各非磁性中間層１５、１７及
び保護層２０がＳｉＮ、再生層１４がＧｄＦｅＣｏ、第
１記録層１６及び第２記録層１８がＴｂＦｅＣｏ、記録
補助層１９がＧｄＦｅ、放熱層２１がＡｌＴｉ、オーバ
ーコート層２２の層厚が５μｍの光ディスク２８を用い
た。さらに、基板１２には、０．５μｍピッチで、幅
０．２５μｍ、深さ５０ｎｍの記録用トラックが形成さ
れている。

【００６６】上記光ディスク２８においては、再生温度
近傍での、再生層１４の保磁力Ｈｃｒは３０Ｏｅ、第１
記録層１６から再生層１４への静磁界の大きさＨｓ１は
１４０Ｏｅ、第２記録層１８から再生層１４への静磁界
の大きさＨｓ２は７０Ｏｅ、再生層１４へのそれ以外の
下向きの漏れ磁界大きさＨｂは５０Ｏｅであった。

【００６７】本実施の形態に用いた光ディスク装置にお
ける光源１のレーザ波長は４０５ｎｍ、対物レンズ４の
ＮＡは０．９であった。

【００６８】用いた光ディスク２８に対しては、線速度
３ｍ／ｓで、最短マーク長０．２μｍにて、（１，７）
ＲＬＬ変調コードを記録信号として第１記録層１６及び
第２記録層１８それぞれに記録した。その光ディスク２
８を、記録信号に同期させた４値の再生磁界を印加する
ことにより再生を行った。再生磁界の４値は、前記の式
（１）〜（５）に基づいて、＋２００Ｏｅ、＋１００Ｏ
ｅ、−１００Ｏｅ及び、−２００Ｏｅとした。

【００６９】試験の結果、図４に示した記録信号パター
ンの対応した再生信号が得られ、再生信号より、第１記
録層１６及び第２記録層１８の記録信号を同時に再生す
ることができた。

【００７０】最短マーク長を０．１５μｍ、０．１μｍ
で同様の試験をそれぞれ行った結果、最短マーク長０．
２μｍの場合と同程度の再生信号振幅が得られ、磁区拡
大再生が行われていることが確認された。

【００７１】（第３の実施の形態）本発明に係る光ディ
スク装置における第３の実施の形態について図７に基づ
いて説明すれば、以下のとおりである。図７は本実施の
形態に係る光ディスク装置の構成図を示す。

【００７２】光ディスク２８の基板１２側に、新たな磁
気ヘッド２９が配置されている以外は、上述した第２の
実施の形態と同様の構成である。磁気ヘッド２９は、再
生時にＤＣの補助磁界を上記光ディスク２８に対して印
加するために用いられる。

【００７３】次に、図６に示した光ディスクを用いて磁
区拡大再生を確認するための試験を行った。試験には、
基板１２が０．６ｍｍ厚のポリカーボネート基板、透明
誘電体層１３、非磁性中間層１５，１７及び保護層２０
がＳｉＮ、再生層１４がＧｄＦｅＣｏ、第１記録層１６
及び第２記録層１８がＴｂＦｅＣｏ、記録補助層１９が
ＧｄＦｅ、放熱層２１がＡｌＴｉ、オーバーコート層２
２の層厚が５μｍの光ディスク２８を用いた。基板１２
には、０．５μｍピッチで、幅０．２５μｍ、深さ５０
ｎｍの記録用トラックが形成されている。

【００７４】上記光ディスク２８では、再生温度近傍で
の、再生層１４の保磁力Ｈｃｒは３０Ｏｅ、第１記録層
１６から再生層１４への静磁界の大きさＨｓ１は１４０
Ｏｅ、第２記録層１８から再生層１４への静磁界の大き
さＨｓ２は７０Ｏｅ、再生層１４へのそれ以外の下向き
の漏れ磁界大きさＨｂは５０Ｏｅであった。

【００７５】本実施の形態に用いた光ディスク装置のレ
ーザ波長は４０５ｎｍ、対物レンズのＮＡは０．９であ
った。

【００７６】上記光ディスク２８に対しては、線速度３
ｍ／ｓで、最短マーク長０．２μｍの（１，７）ＲＬＬ
変調コードを第１記録層１６及び第２記録層１８それぞ
れに記録し、記録信号に同期させた４値の再生磁界を印
加した。上記光ディスク２８を、さらに、DCの補助磁界
を印加することにより再生を行った。

【００７７】再生磁界の４値は＋１７０Ｏｅ、＋１００
Ｏｅ、−１００Ｏｅ及び、−１７０Ｏｅとし、ＤＣ補助
磁界は下向きに２０Ｏｅ印加した。

【００７８】試験の結果、図４に示した記録信号パター
ンの対応した再生信号が得られ、再生信号より、第１記
録層１６及び第２記録層１８の記録信号を同時に再生す
ることができた。

【００７９】上記光ディスク２８に対して、最短マーク
長を０．１５μｍ、０．１μｍで同様の試験をそれぞれ
行った結果、最短マーク長０．２μｍの場合と同程度の
再生信号振幅が得られ、磁区拡大再生が行われているこ
とが確認された。

【００８０】第２の実施の形態と比べ、再生時に補助磁
界を印加することにより、再生磁界の大きさを±２００
Ｏｅから±１７０Ｏｅに低減することができた。

【００８１】

【発明の効果】本発明の光ディスクの再生方法は、以上
のように、少なくとも２層の記録層と、再生層とを有し
た光ディスク媒体に対して、少なくとも４値の再生磁界
を印加しながら再生を行う方法である。

【００８２】それゆえ、上記方法は、異なる記録層の記
録信号を容易に再生することができ、記録密度を上げる
と共に、再生速度も向上できるという効果を奏する。

【００８３】本発明の光ディスク装置は、以上のよう
に、少なくとも２層の記録層と、再生層を有した光ディ
スク媒体に対して、少なくとも４値の再生磁界を印加す
る磁界印加手段を設けた構成である。

【００８４】それゆえ、上記構成は、異なる記録層の記
録信号を容易に再生することができ、記録密度を上げて
も、再生速度を改善することが可能になるという効果を
奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る第１の実施の形態における光ディ
スク装置の構成図である。

【図２】本発明に係る第１の実施の形態で用いた光磁気
ディスクの断面図である。

【図３】本発明に係る再生磁界の印加方法を示すタイミ
ングチャートである。

【図４】本発明に係る各記録信号パターンに対する再生
信号波形を示す波形図である。

【図５】本発明に係る第２の実施の形態における光ディ
スク装置の構成図である。

【図６】本発明に係る第２の実施の形態で用いた光磁気
ディスクの断面図である。

【図７】本発明に係る第３の実施の形態における光ディ
スク装置の構成図である。

【符号の説明】

１ 光源 ２ 光ビーム ３、７ ビームスプリッタ ４、２５ 対物レンズ ５、２８ 光ディスク ６、２９ 磁気ヘッド ８、１０、１１ 光検出器 ９ 偏光ビームスプリッタ １２ 基板 １３ 透明誘電体層 １４ 再生層 １５、１７ 非磁性中間層 １６ 第１記録層 １８ 第２記録層 １９ 記録補助層 ２０ 保護層 ２１ 放熱層 ２２ オーバーコート層 ２３ ミラー ２４ 浮上スライダー ２６ 磁気コイル ２７ サスペンション

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 明 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 Ｆターム(参考） 5D075 AA03 CC11 CF04

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】少なくとも２層の記録層と、再生層とを有
   した光ディスク媒体に対して、少なくとも４値の再生磁
   界を印加しながら再生を行うことを特徴とする光ディス
   クの再生方法。
2. 【請求項２】請求項１に記載の光ディスクの再生方法に
   おいて、 少なくとも２層の記録層の記録信号を、再生層に拡大転
   写することにより再生を行うことを特徴とする光ディス
   クの再生方法。
3. 【請求項３】請求項１又は２に記載の光ディスクの再生
   方法において、 光ディスクの層面側から光ビームを入射させ再生を行う
   ことを特徴とする光ディスクの再生方法。
4. 【請求項４】請求項１乃至３の何れか１項に記載の光デ
   ィスクの再生方法において、 再生磁界に加え、ＤＣの補助磁界を印加しながら再生を
   行うことを特徴とする光ディスクの再生方法。
5. 【請求項５】記録層及び再生層を基板上に備える光ディ
   スク媒体に対して、光学系からの光を照射して、上記記
   録層の情報が再生層を介して再生される光ディスク装置
   において、 光ディスク媒体は、少なくとも２層の記録層を有し、 光ディスク媒体に対して、少なくとも４値の再生磁界を
   印加する磁界印加手段が設けられていることを特徴とす
   る光ディスク装置。
6. 【請求項６】請求項５に記載の光ディスク装置におい
   て、光ディスク媒体の層面側に光学系及び磁界印加手段
   を設けたことを特徴とする光ディスク装置。
7. 【請求項７】請求項６に記載の光ディスク装置におい
   て、光ディスク媒体の基板側に補助磁界印加手段を設け
   たことを特徴とする光ディスク装置。