JP2002334491A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10584—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the form, e.g. comprising mechanical protection elements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
Abstract
(57)【要約】
【課題】 記録・再生特性が高く、高いＮＡの光学レン
ズを用いた場合に有利な記録密度の向上した光磁気記録
媒体を提供することを課題とする。 【解決手段】 基板上に垂直方向に磁化容易軸を有する
磁性膜を少なくとも１層備え、磁性膜側から光を照射し
て情報の記録及び再生を行う光磁気記録媒体であって、
基板と磁性膜との間に、面内方向に磁化容易軸を有する
面内磁性膜を備えたことを特徴とする光磁気記録媒体に
より上記課題を解決する。
ズを用いた場合に有利な記録密度の向上した光磁気記録
媒体を提供することを課題とする。 【解決手段】 基板上に垂直方向に磁化容易軸を有する
磁性膜を少なくとも１層備え、磁性膜側から光を照射し
て情報の記録及び再生を行う光磁気記録媒体であって、
基板と磁性膜との間に、面内方向に磁化容易軸を有する
面内磁性膜を備えたことを特徴とする光磁気記録媒体に
より上記課題を解決する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気記録媒体
（以下、単に媒体ともいう）に関する。更に詳しくは、
本発明は、光磁気記録／再生装置に適用される光磁気デ
ィスク、光磁気テープ、光磁気カード等の光磁気記録媒
体に関する。
（以下、単に媒体ともいう）に関する。更に詳しくは、
本発明は、光磁気記録／再生装置に適用される光磁気デ
ィスク、光磁気テープ、光磁気カード等の光磁気記録媒
体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、コンピュータの外部記録装置とし
て、光磁気ディスクのような光磁気記録媒体が脚光を浴
びている。光磁気記録媒体は、外部磁界の印加とレーザ
光の照射とにより媒体上にサブミクロン単位の記録ビッ
トを作成することにより、これまでの外部記録媒体であ
るフロッピィディスクやハードディスクに比べて、記録
容量を増加させることが可能である。
て、光磁気ディスクのような光磁気記録媒体が脚光を浴
びている。光磁気記録媒体は、外部磁界の印加とレーザ
光の照射とにより媒体上にサブミクロン単位の記録ビッ
トを作成することにより、これまでの外部記録媒体であ
るフロッピィディスクやハードディスクに比べて、記録
容量を増加させることが可能である。
【０００３】例えば、現在実用化されている３．５イン
チ光磁気ディスクでは、半径約２４〜４０ｍｍの間に、
０．９μｍピッチのトラックを設け、周方向に最小０．
３８μｍのマークを書くことにより、ディスク片面で約
１．３ＧＢの記録容量が得られている。この媒体には、
再生に磁気超解像技術が用いられており、この技術はビ
ームスポットよりも小さな記録マークを再生することが
可能である。
チ光磁気ディスクでは、半径約２４〜４０ｍｍの間に、
０．９μｍピッチのトラックを設け、周方向に最小０．
３８μｍのマークを書くことにより、ディスク片面で約
１．３ＧＢの記録容量が得られている。この媒体には、
再生に磁気超解像技術が用いられており、この技術はビ
ームスポットよりも小さな記録マークを再生することが
可能である。
【０００４】より具体的には、ビームスポット内の温度
が低い領域と、温度が高い領域とをマスクとして、中間
の温度領域のみで再生を行うことで、回折限界以下の記
録マークを読み取る技術が知られている。この技術は、
ダブルマスクタイプのＲＡＤ方式と呼ばれている（特開
平７−２４４８７７号公報）。このように、光磁気記録
媒体は、記録密度が非常に高い可換媒体である。
が低い領域と、温度が高い領域とをマスクとして、中間
の温度領域のみで再生を行うことで、回折限界以下の記
録マークを読み取る技術が知られている。この技術は、
ダブルマスクタイプのＲＡＤ方式と呼ばれている（特開
平７−２４４８７７号公報）。このように、光磁気記録
媒体は、記録密度が非常に高い可換媒体である。
【０００５】しかしながら、これからのマルチメディア
時代に備えて、膨大なデータ、動画の記録を可能にする
ためには、記録密度を更に増大させる必要がある。記録
密度を増大させるためには、媒体上に更に多くに記録マ
ークを形成しなければならず、現在よりもマーク長を更
に短くすると共に、マークとマークの間も更に詰めてい
く必要がある。
時代に備えて、膨大なデータ、動画の記録を可能にする
ためには、記録密度を更に増大させる必要がある。記録
密度を増大させるためには、媒体上に更に多くに記録マ
ークを形成しなければならず、現在よりもマーク長を更
に短くすると共に、マークとマークの間も更に詰めてい
く必要がある。
【０００６】このような方法により高密度記録を実現す
るためには、照射するレーザ光の波長を現在の７８０ｎ
ｍや６８０ｎｍよりも短くする方法が挙げられる。しか
し、実用化を考慮した場合には、レーザ光波長を短くす
るよりも、マークの長さを短くした方が有効である。
るためには、照射するレーザ光の波長を現在の７８０ｎ
ｍや６８０ｎｍよりも短くする方法が挙げられる。しか
し、実用化を考慮した場合には、レーザ光波長を短くす
るよりも、マークの長さを短くした方が有効である。
【０００７】また、同様に同じ波長のレーザ光で短い記
録マークを読み取る技術の一つに、対物レンズのＮＡ
（開口数）を上げる方法がある。ＮＡを上げることで、
分解能を高めることができるので、より小さなマークを
読むことができる。例えば、上記の約１．３ＧＢの記録
容量を有する光磁気記録媒体用の対物レンズのＮＡは
０．５５であるが、これを０．８に上げることで容量を
上げることが可能となる。
録マークを読み取る技術の一つに、対物レンズのＮＡ
（開口数）を上げる方法がある。ＮＡを上げることで、
分解能を高めることができるので、より小さなマークを
読むことができる。例えば、上記の約１．３ＧＢの記録
容量を有する光磁気記録媒体用の対物レンズのＮＡは
０．５５であるが、これを０．８に上げることで容量を
上げることが可能となる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＮＡを
上げれば上げるほど、基板の厚さを薄くすることが必要
となる。これは、ＮＡを上げることによって、焦点距離
が短くなるためである。従って、従来よりも高いＮＡを
有する光学レンズを使用する場合、従来のように基板側
から光を入射して記録・再生を行うのに適する媒体より
も、基板上の磁性膜側から光を入射して記録・再生を行
うのに適する媒体の方が、効率よく高容量を実現するこ
とができることがわかる。後者の媒体の場合、前者の従
来の媒体の場合に比べて、媒体を構成する膜の形成順序
が全く逆になる。
上げれば上げるほど、基板の厚さを薄くすることが必要
となる。これは、ＮＡを上げることによって、焦点距離
が短くなるためである。従って、従来よりも高いＮＡを
有する光学レンズを使用する場合、従来のように基板側
から光を入射して記録・再生を行うのに適する媒体より
も、基板上の磁性膜側から光を入射して記録・再生を行
うのに適する媒体の方が、効率よく高容量を実現するこ
とができることがわかる。後者の媒体の場合、前者の従
来の媒体の場合に比べて、媒体を構成する膜の形成順序
が全く逆になる。
【０００９】上記のような従来と逆の構造の媒体の場
合、媒体を構成する磁性膜の下の膜の厚さ及び材料が従
来と異なるので、磁性膜の磁気特性が従来とは著しく異
なり、記録・再生特性が低下することが課題となってい
る。
合、媒体を構成する磁性膜の下の膜の厚さ及び材料が従
来と異なるので、磁性膜の磁気特性が従来とは著しく異
なり、記録・再生特性が低下することが課題となってい
る。
【００１０】本発明は以上のような事情を考慮して課題
を解決するためになされたものであり、従来とは逆の積
層構造の光磁気記録媒体であっても、記録・再生特性が
高く、高いＮＡの光学レンズを用いた場合に特に有利で
あって、記録密度を向上することのできる光磁気記録媒
体を提供することを課題とする。
を解決するためになされたものであり、従来とは逆の積
層構造の光磁気記録媒体であっても、記録・再生特性が
高く、高いＮＡの光学レンズを用いた場合に特に有利で
あって、記録密度を向上することのできる光磁気記録媒
体を提供することを課題とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、基板上
に垂直方向に磁化容易軸を有する磁性膜を少なくとも１
層備え、基板と磁性膜との間に、面内方向に磁化容易軸
を有する面内磁性膜を備えたことを特徴とする磁性膜側
から光を照射して情報の記録及び再生を行う光磁気記録
媒体が提供される。
に垂直方向に磁化容易軸を有する磁性膜を少なくとも１
層備え、基板と磁性膜との間に、面内方向に磁化容易軸
を有する面内磁性膜を備えたことを特徴とする磁性膜側
から光を照射して情報の記録及び再生を行う光磁気記録
媒体が提供される。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の媒体の構成を説明
する。本発明は、基板上に垂直方向に磁化容易軸を有す
る磁性膜を少なくとも１層備え、磁性膜側から光を照射
して情報の記録及び再生を行う光磁気記録媒体、所謂フ
ロントイルミネーションタイプの媒体に関している。ま
た、本発明の媒体は、基板と磁性膜との間に、面内方向
に磁化容易軸を有する面内磁性膜を備えたことを特徴の
１つとしている。
する。本発明は、基板上に垂直方向に磁化容易軸を有す
る磁性膜を少なくとも１層備え、磁性膜側から光を照射
して情報の記録及び再生を行う光磁気記録媒体、所謂フ
ロントイルミネーションタイプの媒体に関している。ま
た、本発明の媒体は、基板と磁性膜との間に、面内方向
に磁化容易軸を有する面内磁性膜を備えたことを特徴の
１つとしている。
【００１３】本発明の媒体において、記録密度が向上す
る原理は以下の理由によると考えられる。まず、図１に
示すように、従来の基板側から光を入射して記録・再生
を行うのに適する媒体（バックイルミネーションタイプ
の媒体）の場合、垂直方向に磁化容易軸を有する記録膜
の磁化の向きはほぼ一定である。図１中、４は磁性膜、
５は反射放熱膜、１０は基板、３１は第１誘電体膜、３
２は第２誘電体膜を意味し、矢印は磁化の向きを意味し
ている（以下同じ）。
る原理は以下の理由によると考えられる。まず、図１に
示すように、従来の基板側から光を入射して記録・再生
を行うのに適する媒体（バックイルミネーションタイプ
の媒体）の場合、垂直方向に磁化容易軸を有する記録膜
の磁化の向きはほぼ一定である。図１中、４は磁性膜、
５は反射放熱膜、１０は基板、３１は第１誘電体膜、３
２は第２誘電体膜を意味し、矢印は磁化の向きを意味し
ている（以下同じ）。
【００１４】これに対して、図２に示すように、フロン
トイルミネーションタイプの媒体の場合、例えばＡｌ合
金のような反射放熱膜２の表面は凹凸が多く、その上に
形成される第１誘電体膜３１及び磁性膜４も凹凸が形成
されることとなる。磁化は、磁性膜４の底面に対してほ
ぼ垂直に向いているため、凹凸に対応して、磁化の向き
が一定にならない。そのため、バックイルミネーション
タイプの媒体に比べ、磁性膜の垂直磁気異方性が小さ
く、その結果保持力も小さくなる。
トイルミネーションタイプの媒体の場合、例えばＡｌ合
金のような反射放熱膜２の表面は凹凸が多く、その上に
形成される第１誘電体膜３１及び磁性膜４も凹凸が形成
されることとなる。磁化は、磁性膜４の底面に対してほ
ぼ垂直に向いているため、凹凸に対応して、磁化の向き
が一定にならない。そのため、バックイルミネーション
タイプの媒体に比べ、磁性膜の垂直磁気異方性が小さ
く、その結果保持力も小さくなる。
【００１５】ここで、本発明の媒体では、磁性膜と基板
との間に面内方向に磁化容易軸を有する面内磁性膜を形
成することにより、磁性膜の凹凸に起因する課題を解決
している。本発明の媒体の構成の一例を図３に示す。図
３では、面内磁性膜１が磁性膜４と第１誘電体膜４１と
の間に形成されている。図３に示すように、磁性膜４の
凹凸に関わらず、磁化の向きをほぼ垂直に揃えることが
できる。
との間に面内方向に磁化容易軸を有する面内磁性膜を形
成することにより、磁性膜の凹凸に起因する課題を解決
している。本発明の媒体の構成の一例を図３に示す。図
３では、面内磁性膜１が磁性膜４と第１誘電体膜４１と
の間に形成されている。図３に示すように、磁性膜４の
凹凸に関わらず、磁化の向きをほぼ垂直に揃えることが
できる。
【００１６】これは、図４に示すような原理によると考
えられる。即ち、面内磁性膜１は、凹凸の影響を比較的
受けにくく、磁化方向はほぼ面内方向を向いている。こ
の面内方向の磁化に対応する磁性膜４中の磁化は、面内
磁性膜１からの磁化の回り込みＡにより、ほぼ垂直方向
にすることができる。従って、磁性膜４の垂直磁気異方
性を高めることができるので、保持力とＣＮＲを高くで
きることとなる。
えられる。即ち、面内磁性膜１は、凹凸の影響を比較的
受けにくく、磁化方向はほぼ面内方向を向いている。こ
の面内方向の磁化に対応する磁性膜４中の磁化は、面内
磁性膜１からの磁化の回り込みＡにより、ほぼ垂直方向
にすることができる。従って、磁性膜４の垂直磁気異方
性を高めることができるので、保持力とＣＮＲを高くで
きることとなる。
【００１７】本発明の媒体は、基板１０、面内磁性膜１
及び垂直方向に磁化容易軸を有する磁性膜４を少なくと
も１層有することを特徴とするが、媒体に通常使用され
る他の膜を備えていてもよい。他の膜としては、反射放
熱膜、誘電体膜、再生エンハンス膜、保護膜等が挙げら
れる。誘電体膜は磁性膜の両側に形成されていてもよ
い。
及び垂直方向に磁化容易軸を有する磁性膜４を少なくと
も１層有することを特徴とするが、媒体に通常使用され
る他の膜を備えていてもよい。他の膜としては、反射放
熱膜、誘電体膜、再生エンハンス膜、保護膜等が挙げら
れる。誘電体膜は磁性膜の両側に形成されていてもよ
い。
【００１８】本発明の媒体として、以下の構成例が挙げ
られる。 （１）基板１０、面内磁性膜１、反射放熱膜２、第１誘
電体膜３１、磁性膜４、第２誘電体膜３２、（２）基板
１０、反射放熱膜２、面内磁性膜１、第１誘電体膜３
１、磁性膜４、第２誘電体膜３２、（３）基板１０、反
射放熱膜２、第１誘電体膜３１、面内磁性膜１、磁性膜
４、第２誘電体膜３２、（４）基板１０、反射放熱膜
２、第１誘電体膜３１、面内磁性膜１、磁性膜４、再生
エンハンス膜１２、第２誘電体膜３２
られる。 （１）基板１０、面内磁性膜１、反射放熱膜２、第１誘
電体膜３１、磁性膜４、第２誘電体膜３２、（２）基板
１０、反射放熱膜２、面内磁性膜１、第１誘電体膜３
１、磁性膜４、第２誘電体膜３２、（３）基板１０、反
射放熱膜２、第１誘電体膜３１、面内磁性膜１、磁性膜
４、第２誘電体膜３２、（４）基板１０、反射放熱膜
２、第１誘電体膜３１、面内磁性膜１、磁性膜４、再生
エンハンス膜１２、第２誘電体膜３２
【００１９】上記構成例のうち、面内磁性膜１が磁性膜
３にできるだけ近い方が、磁性膜の磁化の向きを揃える
効果が高いため、（３）及び（４）の構成がより好まし
い。面内磁性膜１は、磁化の向き（磁化容易軸）が面内
方向である限り、その材質は特に限定されない。具体的
には、ＧｄＦｅ、ＧｄＦｅＣｏ、ＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣ
ｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＣｏＣｒＴａ、ＦｅＣｏＮｉ、ガー
ネット等が挙げられる。特に、面内磁性膜１は、Ｇｄを
含むことがより高い信号品質を得ることができるため好
ましい。また、面内磁性膜１を構成する各元素の組成
は、磁化の向きが面内方向になるように適宜設定され
る。例えば、ＧｄＦｅＣｏからなる面内磁性膜の場合、
Ｇｄの全体に占める割合は、２６．５〜３６．２原子％
であることが好ましい。
３にできるだけ近い方が、磁性膜の磁化の向きを揃える
効果が高いため、（３）及び（４）の構成がより好まし
い。面内磁性膜１は、磁化の向き（磁化容易軸）が面内
方向である限り、その材質は特に限定されない。具体的
には、ＧｄＦｅ、ＧｄＦｅＣｏ、ＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣ
ｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＣｏＣｒＴａ、ＦｅＣｏＮｉ、ガー
ネット等が挙げられる。特に、面内磁性膜１は、Ｇｄを
含むことがより高い信号品質を得ることができるため好
ましい。また、面内磁性膜１を構成する各元素の組成
は、磁化の向きが面内方向になるように適宜設定され
る。例えば、ＧｄＦｅＣｏからなる面内磁性膜の場合、
Ｇｄの全体に占める割合は、２６．５〜３６．２原子％
であることが好ましい。
【００２０】本発明の媒体に使用しうる基板１０として
は、特に限定されず、当該分野で公知の基板をいずれも
使用することができる。更に、本発明の媒体は、フロン
トイルミネーションタイプであるため基板が不透明であ
ってもよい。具体的には、プラスチック基板、ガラス基
板、シリコン基板、Ａｌ基板等が挙げられる。
は、特に限定されず、当該分野で公知の基板をいずれも
使用することができる。更に、本発明の媒体は、フロン
トイルミネーションタイプであるため基板が不透明であ
ってもよい。具体的には、プラスチック基板、ガラス基
板、シリコン基板、Ａｌ基板等が挙げられる。
【００２１】反射放熱膜２としては、特に限定されず、
当該分野で公知の反射放熱膜をいずれも使用することが
できる。具体的には、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ等の金属
膜や、ＡｌＣｒ、ＡｌＴｉ等のＡｌ合金膜が挙げられ
る。
当該分野で公知の反射放熱膜をいずれも使用することが
できる。具体的には、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ等の金属
膜や、ＡｌＣｒ、ＡｌＴｉ等のＡｌ合金膜が挙げられ
る。
【００２２】誘電体膜（３１及び３２）としては、特に
限定されず、当該分野で公知の膜をいずれも使用するこ
とができる。具体的には、ＳｉＮ膜、ＳｉＯ2膜、Ｚｎ
Ｓ−ＳｉＯ2膜、ＡｌＮ膜等が挙げられる。
限定されず、当該分野で公知の膜をいずれも使用するこ
とができる。具体的には、ＳｉＮ膜、ＳｉＯ2膜、Ｚｎ
Ｓ−ＳｉＯ2膜、ＡｌＮ膜等が挙げられる。
【００２３】再生エンハンス膜１２としては、磁化の向
きが面内方向である限り、その材質は特に限定されず、
当該分野で公知の再生エンハンス膜をいずれも使用する
ことができる。具体的には、ＧｄＦｅ、ＧｄＦｅＣｏ、
ＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＣｏＣｒＴ
ａ、ＦｅＣｏＮｉ、ガーネット等が挙げられる。
きが面内方向である限り、その材質は特に限定されず、
当該分野で公知の再生エンハンス膜をいずれも使用する
ことができる。具体的には、ＧｄＦｅ、ＧｄＦｅＣｏ、
ＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＣｏＣｒＴ
ａ、ＦｅＣｏＮｉ、ガーネット等が挙げられる。
【００２４】更に、磁性膜４は、再生層４３、中間層４
２及び記録層４１の磁性多層膜からなっていてもよい。
再生層４３、中間層４２及び記録層４１は、特に限定さ
れず、公知の層をいずれも使用することができる。特
に、希土類−遷移金属合金層からなることが好ましい。
例えば、ＧｄＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ、Ｔｂ
ＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＧｄＦｅＣｏ、ＤｙＧｄＦｅＣｏ、
ＧｄＦｅＣｏＳｉ等からなる層が挙げられる。上記層
は、所望の性質を呈するように、組成及び組み合わせが
調整される。再生層、中間層及び記録層の組み合わせと
しては、例えば、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅ及びＴｂＦｅ
Ｃｏの組み合わせが挙げられる。
２及び記録層４１の磁性多層膜からなっていてもよい。
再生層４３、中間層４２及び記録層４１は、特に限定さ
れず、公知の層をいずれも使用することができる。特
に、希土類−遷移金属合金層からなることが好ましい。
例えば、ＧｄＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ、Ｔｂ
ＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＧｄＦｅＣｏ、ＤｙＧｄＦｅＣｏ、
ＧｄＦｅＣｏＳｉ等からなる層が挙げられる。上記層
は、所望の性質を呈するように、組成及び組み合わせが
調整される。再生層、中間層及び記録層の組み合わせと
しては、例えば、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅ及びＴｂＦｅ
Ｃｏの組み合わせが挙げられる。
【００２５】媒体を構成する各層の厚さは、特に限定さ
れず、使用する組成に応じて適宜決定することができ
る。磁性膜４が、再生層４３、中間層４２及び記録層４
１の磁性多層膜からなっている場合、再生層、中間層及
び記録層の厚さは、それぞれ２０〜５０ｎｍ、１０〜３
０ｎｍ及び３０〜８０ｎｍであることが好ましい。
れず、使用する組成に応じて適宜決定することができ
る。磁性膜４が、再生層４３、中間層４２及び記録層４
１の磁性多層膜からなっている場合、再生層、中間層及
び記録層の厚さは、それぞれ２０〜５０ｎｍ、１０〜３
０ｎｍ及び３０〜８０ｎｍであることが好ましい。
【００２６】媒体を構成する各層の形成方法は、特に限
定されず、ＤＣスパッタ法のような公知の方法が挙げら
れる。本発明の媒体への記録・再生方法は、再生時に再
生光を磁性膜側から入射させること以外は、特に限定さ
れず、公知の技術を使用できる。ここで、本発明の媒体
は、再生光の照射に使用される対物レンズのＮＡを従来
より上げることができるという効果を有している。具体
的には、従来のＮＡは０．５５程度であったが、ＮＡを
０．８程度以上に上げることができる。
定されず、ＤＣスパッタ法のような公知の方法が挙げら
れる。本発明の媒体への記録・再生方法は、再生時に再
生光を磁性膜側から入射させること以外は、特に限定さ
れず、公知の技術を使用できる。ここで、本発明の媒体
は、再生光の照射に使用される対物レンズのＮＡを従来
より上げることができるという効果を有している。具体
的には、従来のＮＡは０．５５程度であったが、ＮＡを
０．８程度以上に上げることができる。
【００２７】
【実施例】実施例１ 図５は実施例１の媒体である。実施例１に使用した基板
１０は、厚さ１．２ｍｍのポリカーボネート製の基板で
あり、同じピッチ（０．４μｍ）でランドとグルーブ
（深さ３５ｎｍ）を備えている。この基板１０上に、面
内磁性膜１（Ｇｄ３０Ｆｅ４５Ｃｏ２５：元素記号の後
の数値は原子％を意味する。以下同じ。）、反射放熱膜
２（ＡｌＴｉ）、第１誘電体膜３１（ＳｉＮ）、記録層
として機能する磁性膜４（Ｔｂ２０Ｆｅ７２Ｃｏ８）及
び第２誘電体膜３２（ＳｉＮ）をこの順で備えている。
１０は、厚さ１．２ｍｍのポリカーボネート製の基板で
あり、同じピッチ（０．４μｍ）でランドとグルーブ
（深さ３５ｎｍ）を備えている。この基板１０上に、面
内磁性膜１（Ｇｄ３０Ｆｅ４５Ｃｏ２５：元素記号の後
の数値は原子％を意味する。以下同じ。）、反射放熱膜
２（ＡｌＴｉ）、第１誘電体膜３１（ＳｉＮ）、記録層
として機能する磁性膜４（Ｔｂ２０Ｆｅ７２Ｃｏ８）及
び第２誘電体膜３２（ＳｉＮ）をこの順で備えている。
【００２８】各膜はＤＣスパッタ法により形成した。各
膜の形成条件を下記する。まず、スパッタ装置のチャン
バー内に、ＳｉＮ（第１及び第２誘電体膜３１及び３２
形成用）、ＧｄＦｅＣｏ（面内磁性膜１形成用）、Ｔｂ
ＦｅＣｏ（磁性膜４形成用）及びＡｌＴｉ（反射放熱膜
２形成用）の各膜形成用のターゲットをセットする。
膜の形成条件を下記する。まず、スパッタ装置のチャン
バー内に、ＳｉＮ（第１及び第２誘電体膜３１及び３２
形成用）、ＧｄＦｅＣｏ（面内磁性膜１形成用）、Ｔｂ
ＦｅＣｏ（磁性膜４形成用）及びＡｌＴｉ（反射放熱膜
２形成用）の各膜形成用のターゲットをセットする。
【００２９】次に、チャンバー内に基板をセットした
後、チャンバー内を１×１０-5Ｐａまで真空引きした
後、チャンバー内の圧力が０．４Ｐａとなるようにアル
ゴンガスを導入し、この雰囲気下で投入電力０．５ｋＷ
のＤＣスパッタ法により、基板１０上に厚さ３０ｎｍの
面内磁性膜を形成した。
後、チャンバー内を１×１０-5Ｐａまで真空引きした
後、チャンバー内の圧力が０．４Ｐａとなるようにアル
ゴンガスを導入し、この雰囲気下で投入電力０．５ｋＷ
のＤＣスパッタ法により、基板１０上に厚さ３０ｎｍの
面内磁性膜を形成した。
【００３０】次いで、もう一度チャンバー内を１×１０
-5Ｐａまで真空引きした後、チャンバー内の圧力が０．
８Ｐａとなるようにアルゴンガスを導入し、この雰囲気
下で投入電力０．５ｋＷのＤＣスパッタ法により、面内
磁性膜１上に厚さ９０ｎｍの反射放熱膜２を形成した。
-5Ｐａまで真空引きした後、チャンバー内の圧力が０．
８Ｐａとなるようにアルゴンガスを導入し、この雰囲気
下で投入電力０．５ｋＷのＤＣスパッタ法により、面内
磁性膜１上に厚さ９０ｎｍの反射放熱膜２を形成した。
【００３１】次に、もう一度チャンバー内を１×１０-5
Ｐａまで真空引きした後、チャンバー内の圧力が０．４
Ｐａとなるように３：２の分圧でアルゴンガスと窒素ガ
スを導入し、この雰囲気下で投入電力０．５ｋＷのＤＣ
スパッタ法により、反射放熱膜２上に厚さ１５ｎｍの第
１誘電体膜３１を形成した。
Ｐａまで真空引きした後、チャンバー内の圧力が０．４
Ｐａとなるように３：２の分圧でアルゴンガスと窒素ガ
スを導入し、この雰囲気下で投入電力０．５ｋＷのＤＣ
スパッタ法により、反射放熱膜２上に厚さ１５ｎｍの第
１誘電体膜３１を形成した。
【００３２】次いで、もう一度チャンバー内を１×１０
-5Ｐａまで真空引きした後、チャンバー内の圧力が０．
８Ｐａとなるようにアルゴンガスを導入し、この雰囲気
下で投入電力０．５ｋＷのＤＣスパッタ法により、第１
誘電体膜３１上に厚さ２５ｎｍの磁性膜を形成した。
-5Ｐａまで真空引きした後、チャンバー内の圧力が０．
８Ｐａとなるようにアルゴンガスを導入し、この雰囲気
下で投入電力０．５ｋＷのＤＣスパッタ法により、第１
誘電体膜３１上に厚さ２５ｎｍの磁性膜を形成した。
【００３３】更に、もう一度チャンバー内を１×１０-5
Ｐａまで真空引きした後、チャンバー内の圧力が０．４
Ｐａとなるように３：２の分圧でアルゴンガスと窒素ガ
スを導入し、この雰囲気下で投入電力０．５ｋＷのＤＣ
スパッタ法により、磁性膜４上に厚さ６０ｎｍの第２誘
電体膜３２を形成した。
Ｐａまで真空引きした後、チャンバー内の圧力が０．４
Ｐａとなるように３：２の分圧でアルゴンガスと窒素ガ
スを導入し、この雰囲気下で投入電力０．５ｋＷのＤＣ
スパッタ法により、磁性膜４上に厚さ６０ｎｍの第２誘
電体膜３２を形成した。
【００３４】上記工程において、面内磁性膜１の形成時
の圧力を、磁性膜４の形成時の圧力より低いのは、面内
磁性膜１の磁化容易軸が面内方向に向きやすくするため
である。
の圧力を、磁性膜４の形成時の圧力より低いのは、面内
磁性膜１の磁化容易軸が面内方向に向きやすくするため
である。
【００３５】実施例１の媒体の信号品質特性（ＣＮＲ）
を以下のようにして測定した。即ち、媒体の再生に用い
た測定機の半導体レーザ光の波長を６６０ｎｍとし、対
物レンズのＮＡを０．８５とした。媒体の周速を７．５
ｍ／ｓとし、磁性膜側から光を入射して記録・再生を行
った。記録マーク長が０．４μｍの場合のＣＮＲを表１
に示す。
を以下のようにして測定した。即ち、媒体の再生に用い
た測定機の半導体レーザ光の波長を６６０ｎｍとし、対
物レンズのＮＡを０．８５とした。媒体の周速を７．５
ｍ／ｓとし、磁性膜側から光を入射して記録・再生を行
った。記録マーク長が０．４μｍの場合のＣＮＲを表１
に示す。
【００３６】比較例１ 面内磁性膜１を形成しないこと以外は実施例１と同様に
して図６に示す如き媒体を形成した。得られた媒体のＣ
ＮＲを実施例１と同様にして測定した。得られた結果を
表１に示す。
して図６に示す如き媒体を形成した。得られた媒体のＣ
ＮＲを実施例１と同様にして測定した。得られた結果を
表１に示す。
【００３７】実施例２ 面内磁性膜１の形成位置を反射放熱膜２と第１誘電体膜
３１の間にかえ、面内磁性膜の厚さを１５ｎｍとするこ
と以外は、実施例１と同様にして図７に示す如き媒体を
形成した。得られた媒体のＣＮＲを実施例１と同様にし
て測定した。得られた結果を表１に示す。
３１の間にかえ、面内磁性膜の厚さを１５ｎｍとするこ
と以外は、実施例１と同様にして図７に示す如き媒体を
形成した。得られた媒体のＣＮＲを実施例１と同様にし
て測定した。得られた結果を表１に示す。
【００３８】実施例３ 面内磁性膜１の形成位置を第１誘電体膜３１と磁性膜４
の間にかえ、面内磁性膜１の厚さを１５ｎｍとすること
以外は、実施例１と同様にして図８に示す如き媒体を形
成した。得られた媒体のＣＮＲを実施例１と同様にして
測定した。得られた結果を表１に示す。
の間にかえ、面内磁性膜１の厚さを１５ｎｍとすること
以外は、実施例１と同様にして図８に示す如き媒体を形
成した。得られた媒体のＣＮＲを実施例１と同様にして
測定した。得られた結果を表１に示す。
【００３９】実施例４ 面内磁性膜１１の厚さを３０ｎｍ、磁性膜４の厚さを１
７ｎｍ、磁性膜４と第２記録膜３２の間に再生エンハン
ス膜１２（Ｇｄ２２．５Ｆｅ５７．５Ｃｏ２０）を形成
すること以外は、実施例３と同様にして図９に示す如き
媒体を形成した。再生エンハンス膜１２は次のようにし
て形成した。即ち、ＧｄＦｅＣｏからなる再生エンハン
ス膜形成用のターゲットをチャンバー内に各膜の形成前
に予め入れ、磁性膜４形成後のチャンバー内を１×１０
-5Ｐａまで真空引きした後、チャンバー内の圧力が０．
８Ｐａとなるようにアルゴンガスを導入し、この雰囲気
下で投入電力０．５ｋＷのＤＣスパッタ法により、磁性
膜４上に厚さ８ｎｍの再生エンハンス膜１２を形成し
た。得られた媒体のＣＮＲを実施例１と同様にして測定
した。得られた結果を表１に示す。
７ｎｍ、磁性膜４と第２記録膜３２の間に再生エンハン
ス膜１２（Ｇｄ２２．５Ｆｅ５７．５Ｃｏ２０）を形成
すること以外は、実施例３と同様にして図９に示す如き
媒体を形成した。再生エンハンス膜１２は次のようにし
て形成した。即ち、ＧｄＦｅＣｏからなる再生エンハン
ス膜形成用のターゲットをチャンバー内に各膜の形成前
に予め入れ、磁性膜４形成後のチャンバー内を１×１０
-5Ｐａまで真空引きした後、チャンバー内の圧力が０．
８Ｐａとなるようにアルゴンガスを導入し、この雰囲気
下で投入電力０．５ｋＷのＤＣスパッタ法により、磁性
膜４上に厚さ８ｎｍの再生エンハンス膜１２を形成し
た。得られた媒体のＣＮＲを実施例１と同様にして測定
した。得られた結果を表１に示す。
【００４０】実施例５ 図１１は実施例５の媒体である。実施例５に使用した基
板１０は、実施例１と同様の基板である。この基板１０
上に、面内磁性膜１（Ｇｄ３０Ｆｅ４５Ｃｏ２５）、反
射放熱膜２（ＡｌＴｉ）、第１誘電体膜３１（Ｓｉ
Ｎ）、記録層４１、中間層４２及び再生層４３からなる
磁性膜４及び第２誘電体膜３２（ＳｉＮ）をこの順で備
えている。磁性膜４を構成する記録層４１はＴｂ２２Ｆ
ｅ５８Ｃｏ２０からなり、中間層４２はＧｄ２９Ｆｅ７
１からなり、再生層４３はＧｄ２７．５Ｆｅ４９Ｃｏ２
３．５からなり、磁気超解像媒体を構成している。
板１０は、実施例１と同様の基板である。この基板１０
上に、面内磁性膜１（Ｇｄ３０Ｆｅ４５Ｃｏ２５）、反
射放熱膜２（ＡｌＴｉ）、第１誘電体膜３１（Ｓｉ
Ｎ）、記録層４１、中間層４２及び再生層４３からなる
磁性膜４及び第２誘電体膜３２（ＳｉＮ）をこの順で備
えている。磁性膜４を構成する記録層４１はＴｂ２２Ｆ
ｅ５８Ｃｏ２０からなり、中間層４２はＧｄ２９Ｆｅ７
１からなり、再生層４３はＧｄ２７．５Ｆｅ４９Ｃｏ２
３．５からなり、磁気超解像媒体を構成している。
【００４１】各膜はＤＣスパッタ法により形成した。各
膜の形成条件を下記する。まず、スパッタ装置のチャン
バー内に、ＳｉＮ（第１及び第２誘電体膜３１及び３２
形成用）、ＧｄＦｅＣｏ（面内磁性膜１形成用）、Ｔｂ
ＦｅＣｏ（記録層４１形成用）、ＧｄＦｅ（中間層４２
形成用）、ＧｄＦｅＣｏ（再生層４３形成用）及びＡｌ
Ｔｉ（反射放熱膜２形成用）の各膜形成用のターゲット
をセットする。
膜の形成条件を下記する。まず、スパッタ装置のチャン
バー内に、ＳｉＮ（第１及び第２誘電体膜３１及び３２
形成用）、ＧｄＦｅＣｏ（面内磁性膜１形成用）、Ｔｂ
ＦｅＣｏ（記録層４１形成用）、ＧｄＦｅ（中間層４２
形成用）、ＧｄＦｅＣｏ（再生層４３形成用）及びＡｌ
Ｔｉ（反射放熱膜２形成用）の各膜形成用のターゲット
をセットする。
【００４２】次に、チャンバー内に基板１０をセットし
た後、チャンバー内を１×１０-5Ｐａまで真空引きした
後、チャンバー内の圧力が０．４Ｐａとなるようにアル
ゴンガスを導入し、この雰囲気下で投入電力０．５ｋＷ
のＤＣスパッタ法により、基板１０上に厚さ３０ｎｍの
面内磁性膜１を形成した。次いで、もう一度チャンバー
内を１×１０-5Ｐａまで真空引きした後、チャンバー内
の圧力が０．８Ｐａとなるようにアルゴンガスを導入
し、この雰囲気下で投入電力０．５ｋＷのＤＣスパッタ
法により、面内磁性膜１上に厚さ３０ｎｍの反射放熱膜
２を形成した。
た後、チャンバー内を１×１０-5Ｐａまで真空引きした
後、チャンバー内の圧力が０．４Ｐａとなるようにアル
ゴンガスを導入し、この雰囲気下で投入電力０．５ｋＷ
のＤＣスパッタ法により、基板１０上に厚さ３０ｎｍの
面内磁性膜１を形成した。次いで、もう一度チャンバー
内を１×１０-5Ｐａまで真空引きした後、チャンバー内
の圧力が０．８Ｐａとなるようにアルゴンガスを導入
し、この雰囲気下で投入電力０．５ｋＷのＤＣスパッタ
法により、面内磁性膜１上に厚さ３０ｎｍの反射放熱膜
２を形成した。
【００４３】次に、もう一度チャンバー内を１×１０-5
Ｐａまで真空引きした後、チャンバー内の圧力が０．４
Ｐａとなるように３：２の分圧でアルゴンガスと窒素ガ
スを導入し、この雰囲気下で投入電力０．５ｋＷのＤＣ
スパッタ法により、反射放熱膜２上に厚さ６０ｎｍの第
１誘電体膜３１を形成した。
Ｐａまで真空引きした後、チャンバー内の圧力が０．４
Ｐａとなるように３：２の分圧でアルゴンガスと窒素ガ
スを導入し、この雰囲気下で投入電力０．５ｋＷのＤＣ
スパッタ法により、反射放熱膜２上に厚さ６０ｎｍの第
１誘電体膜３１を形成した。
【００４４】次いで、もう一度チャンバー内を１×１０
-5Ｐａまで真空引きした後、チャンバー内の圧力が０．
８Ｐａとなるようにアルゴンガスを導入し、この雰囲気
下で投入電力０．５ｋＷのＤＣスパッタ法により、第１
誘電体膜３１上に厚さ５０ｎｍの記録層４１を形成し
た。
-5Ｐａまで真空引きした後、チャンバー内の圧力が０．
８Ｐａとなるようにアルゴンガスを導入し、この雰囲気
下で投入電力０．５ｋＷのＤＣスパッタ法により、第１
誘電体膜３１上に厚さ５０ｎｍの記録層４１を形成し
た。
【００４５】次いで、もう一度チャンバー内を１×１０
-5Ｐａまで真空引きした後、チャンバー内の圧力が０．
８Ｐａとなるようにアルゴンガスを導入し、この雰囲気
下で投入電力０．５ｋＷのＤＣスパッタ法により、記録
層４１上に厚さ４０ｎｍの中間層４２を形成した。次い
で、もう一度チャンバー内を１×１０-5Ｐａまで真空引
きした後、チャンバー内の圧力が０．８Ｐａとなるよう
にアルゴンガスを導入し、この雰囲気下で投入電力０．
５ｋＷのＤＣスパッタ法により、中間層４２上に厚さ４
０ｎｍの再生層４３を形成した。
-5Ｐａまで真空引きした後、チャンバー内の圧力が０．
８Ｐａとなるようにアルゴンガスを導入し、この雰囲気
下で投入電力０．５ｋＷのＤＣスパッタ法により、記録
層４１上に厚さ４０ｎｍの中間層４２を形成した。次い
で、もう一度チャンバー内を１×１０-5Ｐａまで真空引
きした後、チャンバー内の圧力が０．８Ｐａとなるよう
にアルゴンガスを導入し、この雰囲気下で投入電力０．
５ｋＷのＤＣスパッタ法により、中間層４２上に厚さ４
０ｎｍの再生層４３を形成した。
【００４６】更に、もう一度チャンバー内を１×１０-5
Ｐａまで真空引きした後、チャンバー内の圧力が０．４
Ｐａとなるように３：２の分圧でアルゴンガスと窒素ガ
スを導入し、この雰囲気下で投入電力０．５ｋＷのＤＣ
スパッタ法により、再生層４３上に厚さ９０ｎｍの第２
誘電体膜３２を形成した。記録マーク長を０．３μｍと
すること以外は、実施例１と同様にして得られた媒体の
ＣＮＲを測定した。得られた結果を表２に示す。
Ｐａまで真空引きした後、チャンバー内の圧力が０．４
Ｐａとなるように３：２の分圧でアルゴンガスと窒素ガ
スを導入し、この雰囲気下で投入電力０．５ｋＷのＤＣ
スパッタ法により、再生層４３上に厚さ９０ｎｍの第２
誘電体膜３２を形成した。記録マーク長を０．３μｍと
すること以外は、実施例１と同様にして得られた媒体の
ＣＮＲを測定した。得られた結果を表２に示す。
【００４７】比較例２ 面内磁性膜１を形成しないこと以外は、実施例５と同様
にして図１０に示す如き媒体を形成した。得られた媒体
のＣＮＲを実施例５と同様にして測定した。得られた結
果を表２に示す。
にして図１０に示す如き媒体を形成した。得られた媒体
のＣＮＲを実施例５と同様にして測定した。得られた結
果を表２に示す。
【００４８】実施例６ 面内磁性膜１の形成位置を反射放熱膜２と第１誘電体膜
３１の間にかえ、面内磁性膜１の厚さを１５ｎｍとする
こと以外は、実施例５と同様にして図１２に示す如き媒
体を形成した。得られた媒体のＣＮＲを実施例５と同様
にして測定した。得られた結果を表２に示す。
３１の間にかえ、面内磁性膜１の厚さを１５ｎｍとする
こと以外は、実施例５と同様にして図１２に示す如き媒
体を形成した。得られた媒体のＣＮＲを実施例５と同様
にして測定した。得られた結果を表２に示す。
【００４９】実施例７ 面内磁性膜１の形成位置を第１誘電体膜３１と磁性膜４
の間にかえ、面内磁性膜１の厚さを１５ｎｍとすること
以外は、実施例５と同様にして図１３に示す如き媒体を
形成した。得られた媒体のＣＮＲを実施例５と同様にし
て測定した。得られた結果を表２に示す。
の間にかえ、面内磁性膜１の厚さを１５ｎｍとすること
以外は、実施例５と同様にして図１３に示す如き媒体を
形成した。得られた媒体のＣＮＲを実施例５と同様にし
て測定した。得られた結果を表２に示す。
【００５０】実施例８ 面内磁性膜１１の厚さを３０ｎｍ、再生層４３の厚さを
３５ｎｍ、再生層４３と第２誘電体膜３２の間に再生エ
ンハンス膜１２（Ｇｄ２７．５Ｆｅ４９Ｃｏ２３．５）
を形成すること以外は、実施例７と同様にして図１４に
示す如き媒体を形成した。再生エンハンス膜１２は次の
ようにして形成した。即ち、ＧｄＦｅＣｏからなる再生
エンハンス膜１２形成用のターゲットをチャンバー内に
各膜の形成前に予め入れ、再生層４３形成後のチャンバ
ー内を１×１０-5Ｐａまで真空引きした後、チャンバー
内の圧力が０．８Ｐａとなるようにアルゴンガスを導入
し、この雰囲気下で投入電力０．５ｋＷのＤＣスパッタ
法により、再生層４３上に厚さ１５ｎｍの再生エンハン
ス膜１２を形成した。得られた媒体のＣＮＲを実施例５
と同様にして測定した。得られた結果を表２に示す。
３５ｎｍ、再生層４３と第２誘電体膜３２の間に再生エ
ンハンス膜１２（Ｇｄ２７．５Ｆｅ４９Ｃｏ２３．５）
を形成すること以外は、実施例７と同様にして図１４に
示す如き媒体を形成した。再生エンハンス膜１２は次の
ようにして形成した。即ち、ＧｄＦｅＣｏからなる再生
エンハンス膜１２形成用のターゲットをチャンバー内に
各膜の形成前に予め入れ、再生層４３形成後のチャンバ
ー内を１×１０-5Ｐａまで真空引きした後、チャンバー
内の圧力が０．８Ｐａとなるようにアルゴンガスを導入
し、この雰囲気下で投入電力０．５ｋＷのＤＣスパッタ
法により、再生層４３上に厚さ１５ｎｍの再生エンハン
ス膜１２を形成した。得られた媒体のＣＮＲを実施例５
と同様にして測定した。得られた結果を表２に示す。
【００５１】
【表１】
【００５２】
【表２】
【００５３】表１及び２からわかるように、各実施例の
媒体は、比較例の媒体と比べて、高いＣＮＲを有してい
ることがわかった。また、実施例４や８のように再生エ
ンハンス膜１２を形成した場合、この膜は実施例４の記
録層４１や実施例８の再生層４３よりカー回転角が大き
いため、再生波形の振幅をより大きくすることができ
る。
媒体は、比較例の媒体と比べて、高いＣＮＲを有してい
ることがわかった。また、実施例４や８のように再生エ
ンハンス膜１２を形成した場合、この膜は実施例４の記
録層４１や実施例８の再生層４３よりカー回転角が大き
いため、再生波形の振幅をより大きくすることができ
る。
【００５４】なお、ＳｉＮに替えてＳｉＯ2、ＺｎＳ−
ＳｉＯ2、ＡｌＮを第１及び／又は第２誘電体膜として
使用した場合においても、表１及び２と同様の結果が得
られた。更に、ＡｌＴｉに替えてＡｇ、Ａｌ、ＡｌＣ
ｒ、Ａｕ、Ｐｔを反射放熱膜１２として使用した場合に
おいても、表１及び２と同様の結果が得られた。
ＳｉＯ2、ＡｌＮを第１及び／又は第２誘電体膜として
使用した場合においても、表１及び２と同様の結果が得
られた。更に、ＡｌＴｉに替えてＡｇ、Ａｌ、ＡｌＣ
ｒ、Ａｕ、Ｐｔを反射放熱膜１２として使用した場合に
おいても、表１及び２と同様の結果が得られた。
【００５５】実施例９ ＧｄＦｅＣｏからなる面内磁性膜１の代わりに、厚さ１
５ｎｍのＧｄ３０Ｆｅ７０、厚さ２０ｎｍのＴｂ２８Ｆ
ｅ７２、厚さ１５ｎｍのＴｂ３２Ｆｅ４８Ｃｏ２０又は
厚さ２５ｎｍのＤｙ３５Ｆｅ４０Ｃｏ２５を用いること
以外は、実施例７と同様にして媒体を形成した。なお、
各面内磁性膜１の形成方法は、それぞれ対応するターゲ
ットを用いること以外は、ＧｄＦｅＣｏからなる面内磁
性膜と同様にした。得られた媒体のＣＮＲを実施例５と
同様にして測定した。結果を表３に示す。
５ｎｍのＧｄ３０Ｆｅ７０、厚さ２０ｎｍのＴｂ２８Ｆ
ｅ７２、厚さ１５ｎｍのＴｂ３２Ｆｅ４８Ｃｏ２０又は
厚さ２５ｎｍのＤｙ３５Ｆｅ４０Ｃｏ２５を用いること
以外は、実施例７と同様にして媒体を形成した。なお、
各面内磁性膜１の形成方法は、それぞれ対応するターゲ
ットを用いること以外は、ＧｄＦｅＣｏからなる面内磁
性膜と同様にした。得られた媒体のＣＮＲを実施例５と
同様にして測定した。結果を表３に示す。
【００５６】
【表３】
【００５７】いずれの材料を面内磁性膜１に使用して
も、比較例２の媒体よりＣＮＲが高いことがわかった。
更に、Ｇｄを含む材料からなる面内磁性膜１は、媒体の
ＣＮＲをより向上できることがわかった。
も、比較例２の媒体よりＣＮＲが高いことがわかった。
更に、Ｇｄを含む材料からなる面内磁性膜１は、媒体の
ＣＮＲをより向上できることがわかった。
【００５８】なお、上記材料はいずれもアモルファスの
希土類−遷移金属膜であるが、それ以外のＣｏＣｒＴ
ａ、ＦｅＣｏＮｉや、ガーネットのような結晶材料も同
様の効果あると予想される。なぜなら、磁性膜４形成時
に、面内磁性膜１からの磁気的な作用が磁性膜４に及ぶ
ことが重要であるためである。
希土類−遷移金属膜であるが、それ以外のＣｏＣｒＴ
ａ、ＦｅＣｏＮｉや、ガーネットのような結晶材料も同
様の効果あると予想される。なぜなら、磁性膜４形成時
に、面内磁性膜１からの磁気的な作用が磁性膜４に及ぶ
ことが重要であるためである。
【００５９】実施例１０ 表４のように面内磁性膜１１のＧｄの原子％を変化させ
ること以外は、実施例８と同様にして媒体を形成した。
得られた媒体のＣＮＲを実施例５と同様にして測定し
た。結果を表４に示す。
ること以外は、実施例８と同様にして媒体を形成した。
得られた媒体のＣＮＲを実施例５と同様にして測定し
た。結果を表４に示す。
【００６０】
【表４】
【００６１】表４から、種々のＧｄの原子％を変化させ
た場合でも、Ｇｄ量２６％以上であれば媒体のＣＮＲを
向上できることがわかった。
た場合でも、Ｇｄ量２６％以上であれば媒体のＣＮＲを
向上できることがわかった。
【００６２】実施例１１ 実施例４及び８の媒体について、記録マーク長を変化さ
せて、記録マーク長毎にＣＮＲを測定した。図１５にＣ
ＮＲの記録マーク長依存性を示す。ここで、実用化の目
安がＣＮＲ＝４５ｄＢであるとすると、図１５から実施
例４及び８の媒体（図中、○は実施例４の媒体、●は実
施例８の媒体である）を用いれば、表５に示すような特
性の媒体が実現可能である。
せて、記録マーク長毎にＣＮＲを測定した。図１５にＣ
ＮＲの記録マーク長依存性を示す。ここで、実用化の目
安がＣＮＲ＝４５ｄＢであるとすると、図１５から実施
例４及び８の媒体（図中、○は実施例４の媒体、●は実
施例８の媒体である）を用いれば、表５に示すような特
性の媒体が実現可能である。
【００６３】
【表５】
【００６４】
【発明の効果】基板上の磁性膜側から光を照射して情報
の記録及び再生を行う光磁気記録媒体では、磁性膜の磁
化方向が磁性膜の下層の凹凸に依存してばらつきが発生
する。本発明の媒体によれば、磁性膜の下のいずれかの
層に面内磁性膜を設けているので、面内磁性膜からの磁
化の回り込みにより、磁性膜中の磁化方向を、ほぼ垂直
方向にできる。従って、高いＣＮＲを実現することがで
きる。
の記録及び再生を行う光磁気記録媒体では、磁性膜の磁
化方向が磁性膜の下層の凹凸に依存してばらつきが発生
する。本発明の媒体によれば、磁性膜の下のいずれかの
層に面内磁性膜を設けているので、面内磁性膜からの磁
化の回り込みにより、磁性膜中の磁化方向を、ほぼ垂直
方向にできる。従って、高いＣＮＲを実現することがで
きる。
【図１】従来の媒体の概略断面図である。
【図２】従来の媒体の概略断面図である。
【図３】本発明の媒体の概略断面図である。
【図４】本発明の媒体の面内磁性膜の作用を説明するた
めの概略断面図である。
めの概略断面図である。
【図５】本発明の媒体の面内磁性膜を基板と反射放熱膜
との間に設けた概略断面図である。
との間に設けた概略断面図である。
【図６】従来の媒体の概略断面図である。
【図７】本発明の媒体の面内磁性膜を反射放熱膜と第１
誘電体膜との間に設けた概略断面図である。
誘電体膜との間に設けた概略断面図である。
【図８】本発明の媒体の面内磁性膜を第１誘電体膜と磁
性膜との間に設けた概略断面図である。
性膜との間に設けた概略断面図である。
【図９】本発明の媒体の面内磁性膜を基板と反射放熱膜
との間に設け、再生エンハンス膜を磁性膜と第２誘電体
膜との間に設けた概略断面図である。
との間に設け、再生エンハンス膜を磁性膜と第２誘電体
膜との間に設けた概略断面図である。
【図１０】従来の媒体の概略断面図である。
【図１１】本発明の媒体の面内磁性膜を基板と反射放熱
膜との間に設けた概略断面図である。
膜との間に設けた概略断面図である。
【図１２】本発明の媒体の面内磁性膜を反射放熱膜と第
１誘電体膜との間に設けた概略断面図である。
１誘電体膜との間に設けた概略断面図である。
【図１３】本発明の媒体の面内磁性膜を第１誘電体膜と
記録層との間に設けた概略断面図である。
記録層との間に設けた概略断面図である。
【図１４】本発明の媒体の面内磁性膜を基板と反射放熱
膜との間に設け、再生エンハンス膜を再生層と第２誘電
体膜との間に設けた概略断面図である。
膜との間に設け、再生エンハンス膜を再生層と第２誘電
体膜との間に設けた概略断面図である。
【図１５】ＣＮＲのマーク長依存性を示すグラフであ
る。
る。
１、１１ 面内磁性膜 ２ 反射放熱膜 ４ 磁性膜 １０ 基板 １２ 再生エンハンス膜 ３１ 第１誘電体膜 ３２ 第２誘電体膜 ４１ 記録層 ４２ 中間層 ４３ 再生層 Ａ 磁化の回り込み
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 11/105 Ｇ１１Ｂ 11/105 ５１６Ｆ ５３１ ５３１Ｓ
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に垂直方向に磁化容易軸を有する
磁性膜を少なくとも１層備え、基板と磁性膜との間に、
面内方向に磁化容易軸を有する面内磁性膜を備えたこと
を特徴とする磁性膜側から光を照射して情報の記録及び
再生を行う光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 基板上に反射放熱膜、第１誘電体膜、磁
性膜及び第２誘電体膜をこの順で備え、面内磁性膜が、
基板と反射放熱膜との間、反射放熱膜と第１誘電体膜と
の間、又は第１誘電体膜と磁性膜との間に位置する請求
項１に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 磁性膜と第２誘電体膜との間に、再生エ
ンハンス膜を備える請求項１又は２に記載の光磁気記録
媒体。 - 【請求項４】 磁性膜が、再生層、中間層及び記録層か
らなる磁性多層膜である請求項１〜３のいずれかに記載
の光磁気記録媒体。 - 【請求項５】 面内磁性膜が、Ｇｄを含む膜である請求
項１〜４のいずれかに記載の光磁気記録媒体。
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|---|---|---|---|
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001140142A JP2002334491A (ja) | 2001-05-10 | 2001-05-10 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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ID=18986794
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2001140142A Pending JP2002334491A (ja) | 2001-05-10 | 2001-05-10 | 光磁気記録媒体 |
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|---|---|
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| JP (1) | JP2002334491A (ja) |
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-
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| WO2004059637A1 (ja) * | 2002-12-24 | 2004-07-15 | Fujitsu Limited | 光磁気記録媒体、および、光磁気記録媒体基板の製造方法 |
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Legal Events
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090512 |
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