JP3306762B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は書き換えが可能な光磁気
記録媒体のなかで、再生層の磁化状態を変化させながら
記録信号を読み取る光磁気記録媒体に係わる。
記録媒体のなかで、再生層の磁化状態を変化させながら
記録信号を読み取る光磁気記録媒体に係わる。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録媒体は書き換え可能な光記録
媒体であり、相変化型光記録媒体などと比較して繰り返
し消去／書き込み耐久性や消去比率に優れ、可搬型大容
量の記録媒体として注目されている。
媒体であり、相変化型光記録媒体などと比較して繰り返
し消去／書き込み耐久性や消去比率に優れ、可搬型大容
量の記録媒体として注目されている。
【０００３】光磁気記録媒体は、レ−ザ−光照射による
局所加熱によって記録ビットを形成し、これをカ−効果
により読み出す記録再生方法が取られる。記録ビットの
間隔はレ−ザ−光照射パワ−、記録磁界の強度などの調
整でレ−ザ−スポット径よりもかなり小さくすることが
可能であるが、読みだしは再生時のレ−ザ波長、レンズ
の開口率などによって制約を受ける。
局所加熱によって記録ビットを形成し、これをカ−効果
により読み出す記録再生方法が取られる。記録ビットの
間隔はレ−ザ−光照射パワ−、記録磁界の強度などの調
整でレ−ザ−スポット径よりもかなり小さくすることが
可能であるが、読みだしは再生時のレ−ザ波長、レンズ
の開口率などによって制約を受ける。
【０００４】このような再生時の制約から決まる記録密
度を越えて、読み出すための改善の試みとして、少なく
とも再生層と記録保持層を有し再生層の磁化状態を変化
させながら記録信号を読み取る方法がＭＳＲ（Ｍａｇｎ
ｅｔｉｃａｌｌｙ ｉｎｄｕｃｅｄ Ｓｕｐｅｒ Ｒｅ
ｓｏｌｕｔｉｏｎ）と呼ばれて近年注目されている。例
えば、消滅型ＭＳＲあるいはＦＡＤ（Ｆｒｏｎｔ Ａｐ
ｅｒｔｕｒｅ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）とよばれる方式は
特開平１−１４３０４１号公報や特開平１−１４３０４
２号公報に開示され、記録ビットを再生時に拡大、縮小
させながら再生することにより再生分解能が向上する技
術である。この方式は、記録磁性層を再生層、中間層、
記録保持層からなる交換結合多層膜とし、再生光照射に
よる温度上昇を利用し、中間層のキュリ−温度以上の高
温領域で再生層を再生磁界の方向に常に向けることによ
り、ビ−ムスポットを部分的にいわばマスクするもの
で、再生時の符号間干渉を減少させ、光の回折限界以下
の周期の信号を再生可能とするものである。
度を越えて、読み出すための改善の試みとして、少なく
とも再生層と記録保持層を有し再生層の磁化状態を変化
させながら記録信号を読み取る方法がＭＳＲ（Ｍａｇｎ
ｅｔｉｃａｌｌｙ ｉｎｄｕｃｅｄ Ｓｕｐｅｒ Ｒｅ
ｓｏｌｕｔｉｏｎ）と呼ばれて近年注目されている。例
えば、消滅型ＭＳＲあるいはＦＡＤ（Ｆｒｏｎｔ Ａｐ
ｅｒｔｕｒｅ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）とよばれる方式は
特開平１−１４３０４１号公報や特開平１−１４３０４
２号公報に開示され、記録ビットを再生時に拡大、縮小
させながら再生することにより再生分解能が向上する技
術である。この方式は、記録磁性層を再生層、中間層、
記録保持層からなる交換結合多層膜とし、再生光照射に
よる温度上昇を利用し、中間層のキュリ−温度以上の高
温領域で再生層を再生磁界の方向に常に向けることによ
り、ビ−ムスポットを部分的にいわばマスクするもの
で、再生時の符号間干渉を減少させ、光の回折限界以下
の周期の信号を再生可能とするものである。
【０００５】また、浮き出し型ＭＳＲあるいはＲＡＤ
（Ｒｅａｒ Ａｐｅｒｔｕｒｅ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）
とよばれる方式は特開平３−９３０５８号公報に開示さ
れ、再生前に初期化磁石で再生層の磁化の向きを揃えた
後、記録保持層の記録ビットを再生層に転写しながら、
再生することにより再生分解能が向上する技術である。
さらに、ＣＡＤ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ａｐｅｒｔｕｒｅ
Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）とよばれる方式が、マグネト−オ
プティカル レコーディング インターナショナル シ
ンポジウム（Ｍａｇｎｅｔｏ−Ｏｐｔｉｃａｌ Ｒｅｃ
ｏｒｄｉｎｇＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｙｍｐｏ
ｓｉｕｍ）´９２のＭｑ−１６において報告され、再生
層に希土類金属リッチの面内膜のＧｄＦｅＣｏを用いて
記録保持層と積層し、再生温度でＧｄＦｅＣｏが垂直磁
化膜になることを利用して記録保持層の記録ビットを再
生層に転写しながら、再生することにより再生分解能が
向上する技術である。
（Ｒｅａｒ Ａｐｅｒｔｕｒｅ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）
とよばれる方式は特開平３−９３０５８号公報に開示さ
れ、再生前に初期化磁石で再生層の磁化の向きを揃えた
後、記録保持層の記録ビットを再生層に転写しながら、
再生することにより再生分解能が向上する技術である。
さらに、ＣＡＤ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ａｐｅｒｔｕｒｅ
Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）とよばれる方式が、マグネト−オ
プティカル レコーディング インターナショナル シ
ンポジウム（Ｍａｇｎｅｔｏ−Ｏｐｔｉｃａｌ Ｒｅｃ
ｏｒｄｉｎｇＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｙｍｐｏ
ｓｉｕｍ）´９２のＭｑ−１６において報告され、再生
層に希土類金属リッチの面内膜のＧｄＦｅＣｏを用いて
記録保持層と積層し、再生温度でＧｄＦｅＣｏが垂直磁
化膜になることを利用して記録保持層の記録ビットを再
生層に転写しながら、再生することにより再生分解能が
向上する技術である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は、上記のようなＭＳＲ媒体に対して、解像度
をさらに高めることを可能とするものである。
する課題は、上記のようなＭＳＲ媒体に対して、解像度
をさらに高めることを可能とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記のような現状に鑑
み、本発明者等は鋭意検討を重ねた結果、透明基板上に
設けられた誘電体層の表面粗さ（Ｒａ，Ｒｍａｘ）が解
像度に影響を与えていることを見出し、本発明を完成す
るに至った。
み、本発明者等は鋭意検討を重ねた結果、透明基板上に
設けられた誘電体層の表面粗さ（Ｒａ，Ｒｍａｘ）が解
像度に影響を与えていることを見出し、本発明を完成す
るに至った。
【０００８】即ち、本発明は透明基板上に誘電体層を介
して、少なくとも再生層と記録保持層を有し、上記再生
層の磁化状態を変化させながら記録信号を読み出す光磁
気記録媒体において、透明基板上の誘電体層の表面粗さ
がＲａで１５オングストローム以下、かつＲｍａｘで７
０オングストローム以下であることを特徴とする光磁気
記録媒体に関する。
して、少なくとも再生層と記録保持層を有し、上記再生
層の磁化状態を変化させながら記録信号を読み出す光磁
気記録媒体において、透明基板上の誘電体層の表面粗さ
がＲａで１５オングストローム以下、かつＲｍａｘで７
０オングストローム以下であることを特徴とする光磁気
記録媒体に関する。
【０００９】以下、本発明を詳細に説明する。
【００１０】本発明は、透明基板上に誘電体層を介して
少なくとも再生層と記録保持層を有するＭＳＲ媒体であ
れば、いかなる構造のＭＳＲ媒体にも適用される。例え
ば、ＦＡＤ方式の媒体は、透明基板上に誘電体層を介し
て再生層、中間層、記録保持層の構造を、ＲＡＤ方式の
媒体は透明基板上に誘電体層を介して再生層、再生補助
層、中間層、記録保持層の構造を、ＣＡＤ方式の媒体は
透明基板上に誘電体層を介して再生層、記録保持層の構
造を通常している。更に所望するならば、これらの層の
他に誘電体層、反射層、保護コート層等を設けてもよ
い。
少なくとも再生層と記録保持層を有するＭＳＲ媒体であ
れば、いかなる構造のＭＳＲ媒体にも適用される。例え
ば、ＦＡＤ方式の媒体は、透明基板上に誘電体層を介し
て再生層、中間層、記録保持層の構造を、ＲＡＤ方式の
媒体は透明基板上に誘電体層を介して再生層、再生補助
層、中間層、記録保持層の構造を、ＣＡＤ方式の媒体は
透明基板上に誘電体層を介して再生層、記録保持層の構
造を通常している。更に所望するならば、これらの層の
他に誘電体層、反射層、保護コート層等を設けてもよ
い。
【００１１】透明基板としては、ガラスやポリカーボネ
ート、ポリメチルメタクリレート等の透明樹脂を使用す
ることができる。
ート、ポリメチルメタクリレート等の透明樹脂を使用す
ることができる。
【００１２】透明基板上の誘電体層としては窒化ケイ素
が好ましいが、材料は特に限定されるものではなく、酸
窒化ケイ素、酸化タンタル、希土類ド−プ酸化ケイ素な
ど多種があげられる。
が好ましいが、材料は特に限定されるものではなく、酸
窒化ケイ素、酸化タンタル、希土類ド−プ酸化ケイ素な
ど多種があげられる。
【００１３】本発明では、この誘電体層の表面粗さを、
Ｒａで１５オングストローム以下、かつＲｍａｘで７０
オングストローム以下にすることを特徴とする。好まし
いＲａおよびＲｍａｘは、Ｒａが１０オングストローム
以下、Ｒｍａｘが５０オングストローム以下である。な
お、本発明でいうＲａとは、ＪＩＳＢ０６０１に規定さ
れているものを示す。
Ｒａで１５オングストローム以下、かつＲｍａｘで７０
オングストローム以下にすることを特徴とする。好まし
いＲａおよびＲｍａｘは、Ｒａが１０オングストローム
以下、Ｒｍａｘが５０オングストローム以下である。な
お、本発明でいうＲａとは、ＪＩＳＢ０６０１に規定さ
れているものを示す。
【００１４】誘電体層は通常スパッタ法で形成される
が、その表面粗さはガス圧、成膜速度、スパッタガス種
などのスパッタ条件により制御することができる。ま
た、スパッタ後の誘電体層表面をエッチングして所定の
表面粗さにすることも本発明の範囲に含まれる。
が、その表面粗さはガス圧、成膜速度、スパッタガス種
などのスパッタ条件により制御することができる。ま
た、スパッタ後の誘電体層表面をエッチングして所定の
表面粗さにすることも本発明の範囲に含まれる。
【００１５】再生層の材料としてはＧｄＦｅＣｏを主体
として、これに必要に応じて耐蝕性を高めるためにＣ
ｒ、Ｔｉ、Ｔａなどを、保磁力調整のためにＴｂ，Ｄｙ
などを、短波長レ−ザ−に対応するためにＮｄなどを添
加したものが主に用いられるが、Ｐｔ／Ｃｏなどの人工
格子なども適用される。
として、これに必要に応じて耐蝕性を高めるためにＣ
ｒ、Ｔｉ、Ｔａなどを、保磁力調整のためにＴｂ，Ｄｙ
などを、短波長レ−ザ−に対応するためにＮｄなどを添
加したものが主に用いられるが、Ｐｔ／Ｃｏなどの人工
格子なども適用される。
【００１６】記録保持層の材料としては、ＴｂＦｅＣ
ｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ等の比較的保磁力
の大きな垂直磁気異方性材料が好ましい。
ｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ等の比較的保磁力
の大きな垂直磁気異方性材料が好ましい。
【００１７】ＦＡＤ方式の中間層やＲＡＤ方式の再生補
助層には、キュリー温度が比較的低くて垂直磁気異方性
も大きく、かつ、記録保持層に比べてＣｏ量が少ないＴ
ｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏや、ＴｂＦｅＣｏにアルミニ
ウム、ケイ素、タンタル、クロム等の非磁性金属を添加
してキュリー温度を下げた材料などを用いることができ
る。更に、ＲＡＤ方式の中間層には、ＧｄＦｅＣｏ等の
垂直磁気異方性の小さな材料を用いることができる。
助層には、キュリー温度が比較的低くて垂直磁気異方性
も大きく、かつ、記録保持層に比べてＣｏ量が少ないＴ
ｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏや、ＴｂＦｅＣｏにアルミニ
ウム、ケイ素、タンタル、クロム等の非磁性金属を添加
してキュリー温度を下げた材料などを用いることができ
る。更に、ＲＡＤ方式の中間層には、ＧｄＦｅＣｏ等の
垂直磁気異方性の小さな材料を用いることができる。
【００１８】本発明によりＭＳＲ媒体の解像度が改善さ
れる理由は現在検討中であるが、透明基板上の誘電体層
の表面が平らになることで、再生層の磁化状態のミクロ
な欠陥などが減少することおよび再生層の垂直磁気異方
性を高めて交換結合を強めるためにマスク領域のコント
ラストを向上させるためと思われる。しかしながら、こ
のような推測は、何等本発明を限定するものではない。
れる理由は現在検討中であるが、透明基板上の誘電体層
の表面が平らになることで、再生層の磁化状態のミクロ
な欠陥などが減少することおよび再生層の垂直磁気異方
性を高めて交換結合を強めるためにマスク領域のコント
ラストを向上させるためと思われる。しかしながら、こ
のような推測は、何等本発明を限定するものではない。
【００１９】
【実施例】以下、実施例をもって本発明を更に詳細に説
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２０】実施例１ 図１に示すようなＦＡＤ方式のＭＳＲ光磁気記録媒体を
製造した。ポリカ−ボネ−ト基板１上に、窒化ケイ素か
らなる誘電体層２（膜厚：８００オングストローム）を
成膜後、ＧｄＦｅＣｏからなる再生層３（膜厚：３００
オングストローム、磁化：２０ｅｍｕ／ｃｃ（室温）、
キュリー温度：３４０℃）、ＴｂＦｅＣｏＳｉからなる
中間層４（膜厚：１００オングストローム、保磁力：７
ｋＯｅ、キュリー温度：１６０℃）、ＴｂＦｅＣｏから
なる記録保持層５（膜厚：４００オングストローム、保
磁力：＞１２ｋＯｅ、キュリー温度：２６０℃）、さら
に窒化ケイ素層６（膜厚：８００オングストローム）、
アルミニウム層７（膜厚：２００オングストローム）を
スパッタ法で形成した。
製造した。ポリカ−ボネ−ト基板１上に、窒化ケイ素か
らなる誘電体層２（膜厚：８００オングストローム）を
成膜後、ＧｄＦｅＣｏからなる再生層３（膜厚：３００
オングストローム、磁化：２０ｅｍｕ／ｃｃ（室温）、
キュリー温度：３４０℃）、ＴｂＦｅＣｏＳｉからなる
中間層４（膜厚：１００オングストローム、保磁力：７
ｋＯｅ、キュリー温度：１６０℃）、ＴｂＦｅＣｏから
なる記録保持層５（膜厚：４００オングストローム、保
磁力：＞１２ｋＯｅ、キュリー温度：２６０℃）、さら
に窒化ケイ素層６（膜厚：８００オングストローム）、
アルミニウム層７（膜厚：２００オングストローム）を
スパッタ法で形成した。
【００２１】アルゴン、窒素ガス流量を調節することに
よってスパッタ成膜圧力を制御して、窒化ケイ素からな
る誘電体層２の表面粗さを変化させて数種類ＭＳＲ録媒
体を試作した。
よってスパッタ成膜圧力を制御して、窒化ケイ素からな
る誘電体層２の表面粗さを変化させて数種類ＭＳＲ録媒
体を試作した。
【００２２】表面粗さの測定は、試料としては基板上に
誘電体層のみを種々の成膜条件で形成したものを使用
し、表面形状はＡＦＭを用いて測定した。装置はセイコ
−電子工業製、商品名「ＳＦＡ３００」を用い、探針
は、セイコ−電子工業製マイクロカンチレバ−、商品名
「ＳＰＩ９１６Ｂ００３」で、探針先端の曲率半径は２
０μｍであった。基準長さＬ（測定長さ）は３３０ｎｍ
とし、測定された粗さ曲線ｆ（ｘ）の標高中心線からの
変位を｜ｆ（ｘ）｜とした時に式１で表される値をＲａ
とした。
誘電体層のみを種々の成膜条件で形成したものを使用
し、表面形状はＡＦＭを用いて測定した。装置はセイコ
−電子工業製、商品名「ＳＦＡ３００」を用い、探針
は、セイコ−電子工業製マイクロカンチレバ−、商品名
「ＳＰＩ９１６Ｂ００３」で、探針先端の曲率半径は２
０μｍであった。基準長さＬ（測定長さ）は３３０ｎｍ
とし、測定された粗さ曲線ｆ（ｘ）の標高中心線からの
変位を｜ｆ（ｘ）｜とした時に式１で表される値をＲａ
とした。
【００２３】
【化１】
【００２４】次に、この光磁気記録媒体を記録再生装置
にセットして、線速度５．６５ｍ／ｓｅｃで回転させな
がら７８０ｎｍの波長のレ−ザ−ビ−ムを３３％のデュ
−ティ−において３．７ＭＨｚ（マ−ク長０．７６μ
ｍ）および７．１ＭＨｚ（マ−ク長０．４μｍ）で変調
させながら６ｍＷのレ−ザ−パワ−で記録を行なった。
記録時のバイアス磁界は２５０Ｏｅであった。
にセットして、線速度５．６５ｍ／ｓｅｃで回転させな
がら７８０ｎｍの波長のレ−ザ−ビ−ムを３３％のデュ
−ティ−において３．７ＭＨｚ（マ−ク長０．７６μ
ｍ）および７．１ＭＨｚ（マ−ク長０．４μｍ）で変調
させながら６ｍＷのレ−ザ−パワ−で記録を行なった。
記録時のバイアス磁界は２５０Ｏｅであった。
【００２５】消去方向に３００Ｏｅのバイアス磁界（Ｈ
ｒ）をかけながらレ−ザ−パワ−を２ｍＷで再生したと
きのＣ／Ｎの値と表面粗さとの関係を表１に示した。
ｒ）をかけながらレ−ザ−パワ−を２ｍＷで再生したと
きのＣ／Ｎの値と表面粗さとの関係を表１に示した。
【００２６】比較例１ 実施例１と同じ構造のＦＡＤ方式のＭＳＲ光磁気記録媒
体において、誘電体層２（膜厚：８００オングストロー
ム）の表面粗さをＲａ：１６．８オングストローム、Ｒ
ｍａｘ：８５オングストロームで成膜（０．６Ｐａ）し
た以外は、実施例１と同様の工程を経て光磁気記録媒体
を得た。
体において、誘電体層２（膜厚：８００オングストロー
ム）の表面粗さをＲａ：１６．８オングストローム、Ｒ
ｍａｘ：８５オングストロームで成膜（０．６Ｐａ）し
た以外は、実施例１と同様の工程を経て光磁気記録媒体
を得た。
【００２７】この光磁気記録媒体に対して、実施例１と
同様の記録再生を行った結果を表１に示す。
同様の記録再生を行った結果を表１に示す。
【００２８】実施例２ 実施例１と同じ構造のＦＡＤ方式のＭＳＲ光磁気記録媒
体において、誘電体層２（膜厚：８００オングストロー
ム）の表面粗さをＲａ：１９．５オングストローム、Ｒ
ｍａｘ：１０８をオングストロームで成膜（０．７Ｐ
ａ）した後、アルゴンガス中で４０オングストロームの
深さに相当するエッチングをおこない、その後、再生
層、中間層、記録保持層、窒化ケイ素層およびアルミニ
ウム層をスパッタ法で形成した。
体において、誘電体層２（膜厚：８００オングストロー
ム）の表面粗さをＲａ：１９．５オングストローム、Ｒ
ｍａｘ：１０８をオングストロームで成膜（０．７Ｐ
ａ）した後、アルゴンガス中で４０オングストロームの
深さに相当するエッチングをおこない、その後、再生
層、中間層、記録保持層、窒化ケイ素層およびアルミニ
ウム層をスパッタ法で形成した。
【００２９】この光磁気記録媒体に対して、実施例１と
同様の記録再生を行った結果を表２に示す。
同様の記録再生を行った結果を表２に示す。
【００３０】比較例２ アルゴンガス中で４０オングストロームの深さに相当す
るエッチングを行わなかったほかは、実施例２と同様の
工程を経て光磁気記録媒体を得た。
るエッチングを行わなかったほかは、実施例２と同様の
工程を経て光磁気記録媒体を得た。
【００３１】この光磁気記録媒体に対して、実施例１と
同様の記録再生を行った結果を表２に示す。
同様の記録再生を行った結果を表２に示す。
【００３２】実施例３ 以下に示すようなＣＡＤ方式の光磁気記録媒体を製造し
た。ポリカ−ボネ−ト基板１上に、窒化ケイ素からなる
誘電体層２（膜厚：８００オングストローム）を０．７
Ｐａの圧力で成膜後、アルゴンガス中でエッチングを行
い、ＧｄＦｅＣｏからなる再生層３（膜厚：５００オン
グストローム、磁化：２００ｅｍｕ／ｃｃ（希土類優
勢、室温）、キュリー温度：３３０℃）、ＴｂＦｅＣｏ
からなる記録保持層４（膜厚：４００オングストロー
ム、保磁力：＞１２ｋＯｅ、キュリー温度：２６０
℃）、さらに窒化ケイ素層５（膜厚：８００オングスト
ローム）、アルミニウム層６（膜厚：２００オングスト
ローム）を形成した。
た。ポリカ−ボネ−ト基板１上に、窒化ケイ素からなる
誘電体層２（膜厚：８００オングストローム）を０．７
Ｐａの圧力で成膜後、アルゴンガス中でエッチングを行
い、ＧｄＦｅＣｏからなる再生層３（膜厚：５００オン
グストローム、磁化：２００ｅｍｕ／ｃｃ（希土類優
勢、室温）、キュリー温度：３３０℃）、ＴｂＦｅＣｏ
からなる記録保持層４（膜厚：４００オングストロー
ム、保磁力：＞１２ｋＯｅ、キュリー温度：２６０
℃）、さらに窒化ケイ素層５（膜厚：８００オングスト
ローム）、アルミニウム層６（膜厚：２００オングスト
ローム）を形成した。
【００３３】この光磁気記録媒体に対して、実施例１と
同様の記録再生を行った結果を表２に示す。
同様の記録再生を行った結果を表２に示す。
【００３４】比較例３ 誘電体層２にアルゴンガスによるエッチングを行わなか
ったほかは、実施例２と同様の工程を経て光磁気記録媒
体を得た。
ったほかは、実施例２と同様の工程を経て光磁気記録媒
体を得た。
【００３５】この光磁気記録媒体に対して、実施例１と
同様の記録再生を行った結果を表２に示す。
同様の記録再生を行った結果を表２に示す。
【００３６】
【表１】
【００３７】
【表２】
【００３８】
【発明の効果】本発明によりＭＳＲ媒体の解像度が向上
し、光磁気記録媒体の記録密度のさらなる向上が期待で
きる。
し、光磁気記録媒体の記録密度のさらなる向上が期待で
きる。
【図１】 本発明のＭＳＲ媒体の一例を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−250742（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−78364（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−282722（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−84216（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−231498（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−60450（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−6417（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−54450（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 11/105
Claims (1)
- 【請求項１】 透明基板上に誘電体層を介して、少なく
とも再生層と記録保持層を有し、上記再生層の磁化状態
を変化させながら記録信号を読み出す光磁気記録媒体に
おいて、透明基板上の誘電体層の表面粗さについて、Ｒ
ａが１５オングストローム以下、かつＲｍａｘが７０オ
ングストローム以下であることを特徴とする光磁気記録
媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22186993A JP3306762B2 (ja) | 1993-09-07 | 1993-09-07 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22186993A JP3306762B2 (ja) | 1993-09-07 | 1993-09-07 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0778363A JPH0778363A (ja) | 1995-03-20 |
| JP3306762B2 true JP3306762B2 (ja) | 2002-07-24 |
Family
ID=16773458
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22186993A Expired - Fee Related JP3306762B2 (ja) | 1993-09-07 | 1993-09-07 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3306762B2 (ja) |
-
1993
- 1993-09-07 JP JP22186993A patent/JP3306762B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0778363A (ja) | 1995-03-20 |
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