JPH0778370A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH0778370A JPH0778370A JP22186793A JP22186793A JPH0778370A JP H0778370 A JPH0778370 A JP H0778370A JP 22186793 A JP22186793 A JP 22186793A JP 22186793 A JP22186793 A JP 22186793A JP H0778370 A JPH0778370 A JP H0778370A
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- Japan
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- magneto
- magnetic field
- layer
- recording medium
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Abstract
(57)【要約】
【目的】
【構成】 基板上に誘電体層、磁性体からなる記録
層をスパッタ法により順次積層してなる光磁気記録媒体
において、基板上の誘電体保護層の表面粗さＲａを０．
３ｎｍ〜１．０ｎｍとする。 【効果】 Ｃ／Ｎの磁場依存性がよく、高Ｃ／Ｎを
示す光磁気記録媒体を得ることができる。
層をスパッタ法により順次積層してなる光磁気記録媒体
において、基板上の誘電体保護層の表面粗さＲａを０．
３ｎｍ〜１．０ｎｍとする。 【効果】 Ｃ／Ｎの磁場依存性がよく、高Ｃ／Ｎを
示す光磁気記録媒体を得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレーザー光を用い情報の
記録、再生、消去を行う光磁気記録媒体に関するもので
ある。
記録、再生、消去を行う光磁気記録媒体に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報量の増大にともないコンピュ
ータの外部メモリーとしての書換え可能型記録媒体の大
容量化が進んでいる。そのひとつの手段として情報の記
録及び消去をレーザー光による加熱と外部磁場の印加に
より磁性体層の磁化方向を変えることで行い、記録され
た情報を磁気カー効果による光の偏光面の回転を利用し
て読み出す方式を用いた光磁気記録媒体が実用化されて
いる。
ータの外部メモリーとしての書換え可能型記録媒体の大
容量化が進んでいる。そのひとつの手段として情報の記
録及び消去をレーザー光による加熱と外部磁場の印加に
より磁性体層の磁化方向を変えることで行い、記録され
た情報を磁気カー効果による光の偏光面の回転を利用し
て読み出す方式を用いた光磁気記録媒体が実用化されて
いる。
【０００３】この光磁気記録媒体は、記録層として用い
られる希土類金属−３ｄ遷移金属合金の磁気光学効果を
光の干渉効果により大きくするため誘電体保護層及び反
射層を組み合わせたディスク構造が一般に用いられてい
る。上記の目的に用いられる誘電体保護層は、屈折率が
大きく光の透過率が大きいことと共に、記録層を保護す
る効果に優れていることが求められ、その様な材質とし
てＳｉＮ、ＳｉＮＨ、ＳｉＯＮ、ＳｉＡｌＯＮ等が知ら
れている。
られる希土類金属−３ｄ遷移金属合金の磁気光学効果を
光の干渉効果により大きくするため誘電体保護層及び反
射層を組み合わせたディスク構造が一般に用いられてい
る。上記の目的に用いられる誘電体保護層は、屈折率が
大きく光の透過率が大きいことと共に、記録層を保護す
る効果に優れていることが求められ、その様な材質とし
てＳｉＮ、ＳｉＮＨ、ＳｉＯＮ、ＳｉＡｌＯＮ等が知ら
れている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】現在、光磁気ディスク
装置の磁気ヘッドの小型化や省電力化のために、又、磁
界変調ダイレクトオーバーライトへの対応のため、光磁
気記録媒体にはより一層の磁界感度の向上及び高Ｃ／Ｎ
比が求められている。現在必要とされる磁界感度は、Ｉ
ＳＯ／ＩＥＣ１００９０によれば、記録または消去に必
要とされる磁界強度は２０１〜４０２エルステッドの範
囲とされている。
装置の磁気ヘッドの小型化や省電力化のために、又、磁
界変調ダイレクトオーバーライトへの対応のため、光磁
気記録媒体にはより一層の磁界感度の向上及び高Ｃ／Ｎ
比が求められている。現在必要とされる磁界感度は、Ｉ
ＳＯ／ＩＥＣ１００９０によれば、記録または消去に必
要とされる磁界強度は２０１〜４０２エルステッドの範
囲とされている。
【０００５】このため従来は、保護層や磁性層の成膜条
件を制御することにより磁界感度の改善が行なわれてい
る（例えば羽賀，日本応用磁気学会学術講演概要集，Ｐ
５５８，１９９２；石塚，日本応用物理学会学術講演会
概要集［秋季大会］，Ｐ１０４６，１９９１）。これ
は、保護層成膜時ガス圧が低い場合や、エッチングを実
施した場合、保護層表面は平滑化され磁界感度が変化す
るとされているが、保護層の表面形状と磁界感度の詳細
な関係については明らかにされておらず曖昧であり、生
産管理上問題であった。そこで本発明はかかる従来の実
用に鑑みて提案されたものであり、磁界感度の観点から
最適な保護層の表面形状を表面粗さパラメ−タにて規定
し、磁界感度が優れ且つ高ＣＮ比を示す光磁気記録媒体
を提供する事を目的とする。
件を制御することにより磁界感度の改善が行なわれてい
る（例えば羽賀，日本応用磁気学会学術講演概要集，Ｐ
５５８，１９９２；石塚，日本応用物理学会学術講演会
概要集［秋季大会］，Ｐ１０４６，１９９１）。これ
は、保護層成膜時ガス圧が低い場合や、エッチングを実
施した場合、保護層表面は平滑化され磁界感度が変化す
るとされているが、保護層の表面形状と磁界感度の詳細
な関係については明らかにされておらず曖昧であり、生
産管理上問題であった。そこで本発明はかかる従来の実
用に鑑みて提案されたものであり、磁界感度の観点から
最適な保護層の表面形状を表面粗さパラメ−タにて規定
し、磁界感度が優れ且つ高ＣＮ比を示す光磁気記録媒体
を提供する事を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の課
題を解決する為に誠意検討を行った結果、保護層表面形
状評価方法として原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を使用し、
保護層表面形状を測定しその表面の中心線平均粗さＲａ
を表面粗さパラメ−タとすることによって、磁界感度を
規定できることを見出だし本発明を完成するに至った。
題を解決する為に誠意検討を行った結果、保護層表面形
状評価方法として原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を使用し、
保護層表面形状を測定しその表面の中心線平均粗さＲａ
を表面粗さパラメ−タとすることによって、磁界感度を
規定できることを見出だし本発明を完成するに至った。
【０００７】すなわち、本発明は、基板上に少なくとも
誘電体からなる保護層及び磁性体からなる記録層を積層
してなる光磁気記録媒体において、前記保護層の表面粗
さＲａが０．３ｎｍ〜１ｎｍであることを特徴とする光
磁気記録媒体に関する。
誘電体からなる保護層及び磁性体からなる記録層を積層
してなる光磁気記録媒体において、前記保護層の表面粗
さＲａが０．３ｎｍ〜１ｎｍであることを特徴とする光
磁気記録媒体に関する。
【０００８】以下、本発明を詳細に説明する。
【０００９】図１は本発明の光磁気記録媒体の一例の断
面を示す図である。この光磁気記録媒体の例では記録・
再生が基板側から行われることを前提としており、透明
基板１上に第１誘電体保護層２、記録層３、第２誘電体
保護層４および反射層５がこの順序に積層されたもので
ある。
面を示す図である。この光磁気記録媒体の例では記録・
再生が基板側から行われることを前提としており、透明
基板１上に第１誘電体保護層２、記録層３、第２誘電体
保護層４および反射層５がこの順序に積層されたもので
ある。
【００１０】本発明の基板としては、ガラスやポリカー
ボネート、ポリメチルメタクリレート等の透明樹脂を使
用することができる。
ボネート、ポリメチルメタクリレート等の透明樹脂を使
用することができる。
【００１１】本発明の誘電体層の材質としては、第１誘
電体層、第２誘電体層ともＳｉＮ、ＳｉＮＨ、ＳｉＯ
Ｎ、ＳｉＣＮ、ＳｉＡｌＯＮ等、あるいはＳｉＯ2等の
酸化物を使用することができる。膜厚としては、第１誘
電体層が５０〜１５０ｎｍ、第２誘電体層が１５〜５０
ｎｍであることが好ましい。
電体層、第２誘電体層ともＳｉＮ、ＳｉＮＨ、ＳｉＯ
Ｎ、ＳｉＣＮ、ＳｉＡｌＯＮ等、あるいはＳｉＯ2等の
酸化物を使用することができる。膜厚としては、第１誘
電体層が５０〜１５０ｎｍ、第２誘電体層が１５〜５０
ｎｍであることが好ましい。
【００１２】本発明においては、基板上に設ける誘電体
層の表面粗さＲａを０．３ｎｍ〜１ｎｍ、好ましくは、
０．３〜０．４ｎｍに制御することを特徴とする。な
お、本発明でいうＲａとは、ＪＩＳＢ０６０１に規定さ
れているものを示す。
層の表面粗さＲａを０．３ｎｍ〜１ｎｍ、好ましくは、
０．３〜０．４ｎｍに制御することを特徴とする。な
お、本発明でいうＲａとは、ＪＩＳＢ０６０１に規定さ
れているものを示す。
【００１３】通常、基板上に第１誘電体層を成膜するに
はスパッタ法が用いられる。ＳｉＮ層を形成する場合に
は、例えば、Ｓｉ3Ｎ4ターゲットを用い、真空槽にアル
ゴンを導入した雰囲気中でＲＦ反応スパッタを行えばよ
い。この際のガス圧、成膜速度、スパッタガス種などを
変化させることにより、上述のＲａの範囲に制御するこ
とができる。なお、真空槽中のガス圧の設定はアルゴン
ガス流量を固定し、排気系のバルブ開度の調整で行えば
よい。また、他の制御方法として、いったん形成した第
１誘電体層表面をエッチングして所定の表面粗さにする
方法も例示できる。
はスパッタ法が用いられる。ＳｉＮ層を形成する場合に
は、例えば、Ｓｉ3Ｎ4ターゲットを用い、真空槽にアル
ゴンを導入した雰囲気中でＲＦ反応スパッタを行えばよ
い。この際のガス圧、成膜速度、スパッタガス種などを
変化させることにより、上述のＲａの範囲に制御するこ
とができる。なお、真空槽中のガス圧の設定はアルゴン
ガス流量を固定し、排気系のバルブ開度の調整で行えば
よい。また、他の制御方法として、いったん形成した第
１誘電体層表面をエッチングして所定の表面粗さにする
方法も例示できる。
【００１４】記録層の成膜は、記録層を構成する成分、
例えば、ＴｂとＦｅＣｏの各ターゲットをアルゴンガス
を用いて同時にＤＣスパッタを行い、基板が各ターゲッ
ト上を交互に通過するように回転することでＴｂＦｅＣ
ｏ合金膜を形成することができる。記録層としては、上
に例示したＴｂＦｅＣｏの他にＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＤｙ
Ｆｅ、ＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅ
Ｃｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ等の組成の希土類金属−３ｄ遷
移金属合金を用いることができ、更に耐蝕性向上のため
にＣｒ、Ｔｉ、Ｔａ等に代表される不動態元素を微量添
加した系においても同様に有効である。またそれ以外に
もＭｎＢｉ等の金属間化合物や、Ｃｏ／Ｐｔ系の人工格
子薄膜などの垂直磁化膜を用いたときにも同様な効果が
得られる。記録層の膜厚としては、１０〜５０ｎｍが好
ましい。
例えば、ＴｂとＦｅＣｏの各ターゲットをアルゴンガス
を用いて同時にＤＣスパッタを行い、基板が各ターゲッ
ト上を交互に通過するように回転することでＴｂＦｅＣ
ｏ合金膜を形成することができる。記録層としては、上
に例示したＴｂＦｅＣｏの他にＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＤｙ
Ｆｅ、ＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅ
Ｃｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ等の組成の希土類金属−３ｄ遷
移金属合金を用いることができ、更に耐蝕性向上のため
にＣｒ、Ｔｉ、Ｔａ等に代表される不動態元素を微量添
加した系においても同様に有効である。またそれ以外に
もＭｎＢｉ等の金属間化合物や、Ｃｏ／Ｐｔ系の人工格
子薄膜などの垂直磁化膜を用いたときにも同様な効果が
得られる。記録層の膜厚としては、１０〜５０ｎｍが好
ましい。
【００１５】第２誘電体層は、例えば、Ｓｉターゲット
を用いアルゴン／アンモニア混合ガスを用いたＲＦ反応
スパッタ法でＳｉＮＨ膜を形成するなどして成膜するこ
とができる。又、反射層は、通常、アルミニウムターゲ
ットをアルゴンガスを用いＤＣスパッタすることで形成
することができる。更に必要に応じて、ハードコート層
および／またはオーバーコート層を設けてもよい。
を用いアルゴン／アンモニア混合ガスを用いたＲＦ反応
スパッタ法でＳｉＮＨ膜を形成するなどして成膜するこ
とができる。又、反射層は、通常、アルミニウムターゲ
ットをアルゴンガスを用いＤＣスパッタすることで形成
することができる。更に必要に応じて、ハードコート層
および／またはオーバーコート層を設けてもよい。
【００１６】このような構成により、小さい磁場で記録
の消去が可能な光磁気記録媒体が得られる。
の消去が可能な光磁気記録媒体が得られる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明を実施例をもって更に詳細に説
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
なお、表面形状の評価方法は以下の通りである。
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
なお、表面形状の評価方法は以下の通りである。
【００１８】表面粗さＲａの測定方法 ： 試料として
は基板上に第１誘電体保護層のみを種々の成膜条件で形
成したものを使用した。表面形状はＡＦＭを用いて測定
した。装置はセイコ−電子工業製、商品名「ＳＦＡ３０
０」を用い、探針は、セイコ−電子工業製マイクロカン
チレバ−、商品名「ＳＰＩ９１６Ｂ００３」で、探針先
端の曲率半径は２０μｍであった。基準長さＬ（測定長
さ）は３３０ｎｍとし、測定された粗さ曲線ｆ（ｘ）の
標高中心線からの変位を｜ｆ（ｘ）｜とした時に式１で
表される値をＲａとした。
は基板上に第１誘電体保護層のみを種々の成膜条件で形
成したものを使用した。表面形状はＡＦＭを用いて測定
した。装置はセイコ−電子工業製、商品名「ＳＦＡ３０
０」を用い、探針は、セイコ−電子工業製マイクロカン
チレバ−、商品名「ＳＰＩ９１６Ｂ００３」で、探針先
端の曲率半径は２０μｍであった。基準長さＬ（測定長
さ）は３３０ｎｍとし、測定された粗さ曲線ｆ（ｘ）の
標高中心線からの変位を｜ｆ（ｘ）｜とした時に式１で
表される値をＲａとした。
【００１９】
【化１】
【００２０】外部磁場依存性の測定方法 ： 反射層ま
で成膜を行った試料を用い、ナカミチ製、商品名「ＯＭ
Ｓ２０００Ｓ」にて測定。
で成膜を行った試料を用い、ナカミチ製、商品名「ＯＭ
Ｓ２０００Ｓ」にて測定。
【００２１】成膜装置 ： ＵＬＶＡ
Ｃ製、商品名「ＳＭＯ−０５ＣＲ」 実施例１ 図１に示すような構成の光磁気記録媒体を製造した。す
なわち、基板１として３．５インチ径のポリカーボネー
ト製基板を用い、ＳｉＮよりなる第１誘電体保護層２の
成膜は、Ｓｉ3Ｎ4ターゲットを用い、アルゴンガスを用
いたＲＦスパッタで行った。真空槽中のガス圧は０．１
Ｐａに設定し、膜厚は１００ｎｍとした。表１に第１誘
電体保護層表面のＲａを示す。
Ｃ製、商品名「ＳＭＯ−０５ＣＲ」 実施例１ 図１に示すような構成の光磁気記録媒体を製造した。す
なわち、基板１として３．５インチ径のポリカーボネー
ト製基板を用い、ＳｉＮよりなる第１誘電体保護層２の
成膜は、Ｓｉ3Ｎ4ターゲットを用い、アルゴンガスを用
いたＲＦスパッタで行った。真空槽中のガス圧は０．１
Ｐａに設定し、膜厚は１００ｎｍとした。表１に第１誘
電体保護層表面のＲａを示す。
【００２２】次に、厚さ約２５ｎｍ、Ｔｂ20（Ｆｅ90Ｃ
ｏ10）80合金膜からなる記録層３を、Ｔｂのターゲット
とＦｅＣｏ合金ターゲットを用い、基板が各ターゲット
上を交互に通過するように回転させながらアルゴンガス
を用いて同時にＤＣスパッタを行う方法により成膜し
た。
ｏ10）80合金膜からなる記録層３を、Ｔｂのターゲット
とＦｅＣｏ合金ターゲットを用い、基板が各ターゲット
上を交互に通過するように回転させながらアルゴンガス
を用いて同時にＤＣスパッタを行う方法により成膜し
た。
【００２３】続いて、膜厚約３０ｎｍのＳｉＮからなる
第２誘電体層４を、Ｓｉ3Ｎ4ターゲットを用い、アルゴ
ンガスを用いたＲＦスパッタで成膜した。さらに膜厚約
６０ｎｍ、アルミニウムからなる反射層５は、アルミニ
ウムターゲットを用い、アルゴンガスを用いてＤＣスパ
ッタにより成膜した。
第２誘電体層４を、Ｓｉ3Ｎ4ターゲットを用い、アルゴ
ンガスを用いたＲＦスパッタで成膜した。さらに膜厚約
６０ｎｍ、アルミニウムからなる反射層５は、アルミニ
ウムターゲットを用い、アルゴンガスを用いてＤＣスパ
ッタにより成膜した。
【００２４】このようにして得られた光磁気記録媒体の
Ｃ／Ｎの外部磁場依存性およびＣ／Ｎが０を示す外部磁
場（即ち、記録が消去される磁場）と第１誘電体保護層
の表面粗さとの関係をそれぞれ図２および図３に示す。
Ｃ／Ｎの外部磁場依存性およびＣ／Ｎが０を示す外部磁
場（即ち、記録が消去される磁場）と第１誘電体保護層
の表面粗さとの関係をそれぞれ図２および図３に示す。
【００２５】実施例２〜４ 第１誘電体保護層２を成膜する際の成膜ガス圧を表１に
示す圧力に設定した他は、実施例１と同様な方法で光磁
気記録媒体を製造した。表１に第１誘電体保護層表面の
Ｒａを、図２および図３に得られた光磁気記録媒体のＣ
／Ｎの外部磁場依存性およびＣ／Ｎが０を示す外部磁場
と第１誘電体保護層の表面粗さとの関係をそれぞれ示
す。
示す圧力に設定した他は、実施例１と同様な方法で光磁
気記録媒体を製造した。表１に第１誘電体保護層表面の
Ｒａを、図２および図３に得られた光磁気記録媒体のＣ
／Ｎの外部磁場依存性およびＣ／Ｎが０を示す外部磁場
と第１誘電体保護層の表面粗さとの関係をそれぞれ示
す。
【００２６】実施例５ 第１誘電体保護層２を成膜する際の成膜ガス圧を０．９
Ｐａとして成膜を行った後、スパッタエッチングを５分
間実施したほかは、実施例１と同様な方法で光磁気記録
媒体を製造した。表１に第１誘電体保護層表面のＲａ
を、図２および図３に得られた光磁気記録媒体のＣ／Ｎ
の外部磁場依存性およびＣ／Ｎが０を示す外部磁場と第
１誘電体保護層の表面粗さとの関係をそれぞれ示す。
Ｐａとして成膜を行った後、スパッタエッチングを５分
間実施したほかは、実施例１と同様な方法で光磁気記録
媒体を製造した。表１に第１誘電体保護層表面のＲａ
を、図２および図３に得られた光磁気記録媒体のＣ／Ｎ
の外部磁場依存性およびＣ／Ｎが０を示す外部磁場と第
１誘電体保護層の表面粗さとの関係をそれぞれ示す。
【００２７】比較例１〜２ 第１誘電体保護層２を成膜する際の成膜ガス圧を表１に
示す圧力に設定した他は、実施例１と同様な方法で光磁
気記録媒体を製造した。表１に第１誘電体保護層表面の
Ｒａを、図２および図３に得られた光磁気記録媒体のＣ
／Ｎの外部磁場依存性およびＣ／Ｎが０を示す外部磁場
と第１誘電体保護層の表面粗さとの関係をそれぞれ示
す。
示す圧力に設定した他は、実施例１と同様な方法で光磁
気記録媒体を製造した。表１に第１誘電体保護層表面の
Ｒａを、図２および図３に得られた光磁気記録媒体のＣ
／Ｎの外部磁場依存性およびＣ／Ｎが０を示す外部磁場
と第１誘電体保護層の表面粗さとの関係をそれぞれ示
す。
【００２８】比較例３ 第１誘電体保護層２を成膜する際の成膜ガス圧を０．９
Ｐａとして成膜を行った後、スパッタエッチングを２分
間実施したほかは、実施例１と同様な方法で光磁気記録
媒体を製造した。表１に第１誘電体保護層表面のＲａ
を、図２および図３に得られた光磁気記録媒体のＣ／Ｎ
の外部磁場依存性およびＣ／Ｎが０を示す外部磁場と第
１誘電体保護層の表面粗さとの関係をそれぞれ示す。
Ｐａとして成膜を行った後、スパッタエッチングを２分
間実施したほかは、実施例１と同様な方法で光磁気記録
媒体を製造した。表１に第１誘電体保護層表面のＲａ
を、図２および図３に得られた光磁気記録媒体のＣ／Ｎ
の外部磁場依存性およびＣ／Ｎが０を示す外部磁場と第
１誘電体保護層の表面粗さとの関係をそれぞれ示す。
【００２９】
【表１】
【００３０】
【発明の効果】本発明により、Ｃ／Ｎの磁場依存性がよ
く、言い換えれば高磁界感度で、良好なＣ／Ｎを示す光
磁気記録媒体を得ることができる。
く、言い換えれば高磁界感度で、良好なＣ／Ｎを示す光
磁気記録媒体を得ることができる。
【図１】 本発明の光磁気記録媒体の一実施態様の断面
を示す図である。
を示す図である。
【図２】 本発明の実施例、比較例で得られた光磁気記
録媒体のＣ／Ｎの外部磁場依存性を示す図である。
録媒体のＣ／Ｎの外部磁場依存性を示す図である。
【図３】 本発明の実施例、比較例で得られた光磁気記
録媒体のＣ／Ｎ比が０を示す外部磁場と第一誘電体保護
層の表面粗さとの関係を示す図である。
録媒体のＣ／Ｎ比が０を示す外部磁場と第一誘電体保護
層の表面粗さとの関係を示す図である。
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に少なくとも誘電体からなる保護
層及び磁性体からなる記録層を積層してなる光磁気記録
媒体において、前記保護層の表面粗さＲａが０．３ｎｍ
〜１．０ｎｍであることを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22186793A JPH0778370A (ja) | 1993-09-07 | 1993-09-07 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22186793A JPH0778370A (ja) | 1993-09-07 | 1993-09-07 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0778370A true JPH0778370A (ja) | 1995-03-20 |
Family
ID=16773429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22186793A Pending JPH0778370A (ja) | 1993-09-07 | 1993-09-07 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0778370A (ja) |
-
1993
- 1993-09-07 JP JP22186793A patent/JPH0778370A/ja active Pending
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