JPH07225976A - 光磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 短波長領域でもカー回転角θｋが低下せず、
かつその他の光磁気特性を満たすことのできる光磁気記
録媒体及びその製造方法を提供する。 【構成】 透明基板上に少なくとも光磁気記録層が形成
された構成を有する光磁気記録媒体において、前記光磁
気記録層が下記一般式化１で表わされる希土類−遷移金
属合金膜であり、かつ膜面に対して垂直方向に磁化容易
軸を有することを特徴とする光磁気記録媒体。 【化１】 〔Ｎｄ_b（Ｔｂ_aＤｙ_1-a）_1-b〕_c〔Ｆｅ_dＣｏ_1-d〕_1-c （但し、０＜ａ≦０．５、０＜ｂ≦０．２、０．１９≦
ｃ≦０．２２、０．８≦ｄ＜１である）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、レーザー光を用いて情
報の記録、再生、消去を行う光磁気ディスク等の光磁気
記録媒体及びその製造方法に関するものであり、特に大
容量化に必要な高Ｃ／Ｎ化を目的としたものである。

【０００２】

【従来の技術】光磁気ディスクはレーザー光を用いて情
報の記録、再生及び消去を行うため、従来からの光ディ
スクと同様に記憶容量が大きく、しかも記録層に磁性体
を用いているため書き換えが可能である。又非接触で記
録、再生が出来、塵埃の影響も受けないことから信頼性
にも優れている。よって現在研究開発が活発に行われて
おり、又数年前に商品化されて以来、光ファイルシステ
ム等への展開が急速に進んでいる。

【０００３】この光磁気記録層（以下記録層と記すこと
もある）の材料としては、ＴｂＦｅＣｏ等の希土類−遷
移金属（ＲＥ−ＴＭ）非晶質合金が、粒界ノイズが無
く、スパッタリングを用いることによって容易に垂直磁
化膜が得られることから現在最も多く用いられている。

【０００４】一方、光磁気ディスクを用いた光ファイル
システムは今後さらに大容量化が進み、そのため記録層
はＣ／Ｎを左右するカー回転角（θｋ）が大きく、記録
感度に影響が深いキュリー点（Ｔｃ）が低く、かつ直径
１μｍ以下のビット（磁区）を安定に保持するための保
磁力（Ｈｃ）が大きい材料であることが要求される。

【０００５】この要求に対して、記録層を交換結合力を
利用した多層膜にすることがいろいろと提案されてい
る。例えば、記録層を二層にして記録用と再生用に機能
を分離し、記録用をキュリー点（Ｔｃ）が低くかつ保磁
力（Ｈｃ）の大きな材料とし、又再生用としてカー回転
角（θｋ）が大きくかつ保磁力（Ｈｃ）の小さな材料を
用い、高Ｃ／Ｎかつ高感度化を図ることが一般に知られ
ている。

【０００５】しかし、これらの方法は製造マージンが小
さく、また設備が大がかりになるためコスト高になって
しまうという問題点がある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】よって、本発明者らは
これら問題点を解決するための記録層材料として以前よ
りＴｂＤｙＦｅＣｏの使用を提案している（特開昭５９
−６１０１１号公報）、ＴｂＤｙＦｅＣｏは特定の組成
領域を選ぶことによってＴｂＦｅＣｏ等の一般的な材料
に比べて高感度かつ高Ｃ／Ｎが得られる記録層材料とな
るため大容量化に適している。

【０００７】しかし、一方で将来のさらなる大容量化ニ
ーズに対応するためには、マーク長を小さくするための
レーザー光の短波長化や狭トラック化が行われなければ
ならない。ところが、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ
等のＲＥ−ＴＭ非晶質合金のカー回転角θｋは波長依存
性があり、現在使われているレーザー波長７８０〜８３
０ｎｍ付近では大きな値を示すものの、例えば６８０ｎ
ｍ位の短波長になると１〜２割位小さくなるため、ディ
スクにしたときのＣ／Ｎ特性は著しく悪化してしまう。
よって記録層はθｋが短波長域でも低下しない材料にす
る必要がある。

【０００８】本発明は、このような従来技術の実情に鑑
みてなされたもので、短波長域でもカー回転角θｋが低
下せずかつその他の磁気特性を満たすことのできる光磁
気記録媒体及びその製造方法を提供することを目的とす
る。

【０００９】一般にＲＥ−ＴＭ非晶質合金はＴｂ、Ｇ
ｄ、Ｄｙ等の重希土類（ＨＲＥ）とＦｅ、Ｃｏ等の遷移
金属（ＴＭ）の磁気モーメントが反平行に結合したフェ
リ磁性体であり、適当な組成領域を選ぶことによって前
述した記録層としての条件を満たすようになる。一方
で、ＨＲＥの代わりに、Ｎｄ、Ｐｒのような軽希土類
（ＬＲＥ）を用いた場合、フェロ磁性体になるため重直
磁気異方性が著しく低下し、垂直磁化膜にならないが、
短波長でのθｋが大きくなることが知られている。

【００１０】そこで、本発明者らが鋭意検討した結果、
以前より提案しているＴｂＤｙＦｅＣｏの特定の組成域
に適量のＮｄを添加することによって６８０ｎｍ付近で
のカー回転角θｋが低下せず、かつその他記録層として
の条件を満たすことを見い出し、本発明を完成するに至
った。また、大容量化を目的とした高Ｃ／Ｎ化は短波長
域での記録層の力一回転角θｋを大きくする以外に、記
録層を含めた各層の製造方法の最適化によつても達成さ
れることがわかった。

【００１１】即ち、本発明によれば、透明基板上に少な
くとも光磁気記録層が形成された構成を有する光磁気記
録媒体において、前記光磁気記録層が下記一般式化１で
表わされる希土類−遷移金属合金膜であり、かつ膜面に
対して垂直方向に磁化容易軸を有することを特徴とする
光磁気記録媒体が提供される。

【化１】 〔Ｎｄ_b（Ｔｂ_aＤｙ_1-a）_1-b〕_c〔Ｆｅ_dＣｏ_1-d〕_1-c （但し、０＜ａ≦０．５、０＜ｂ≦０．２、０．１９≦
ｃ≦０．２２、０．８≦ｄ＜１である） また、本発明によれば、透明基板上に少なくともＴｂ、
Ｄｙ、Ｆｅ、Ｃｏを主な構成元素とする光磁気記録層が
形成された光磁気記録媒体の製造方法において、前記光
磁気記録層を、溶解法で得られる合金ターゲットを用い
たスパッタリングによって形成することを特徴とする光
磁気記録媒体の製造方法が提供される。また、本発明に
よれば、上記において、スパッタリングによって光磁気
記録層を形成する際、基板を自公転させ、かつ公転の回
転数を２０ｒｐｍ以上でかつ自転と公転の比を４以上に
設定することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法が
提供される。また、本発明によれば、透明基板上に少な
くともＳｉＮ膜から成る干渉層、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｆｅ、Ｃ
ｏを主な構成元素とする光磁気記録層、保護層が順次形
成された光磁気記録媒体の製造方法において、前記Ｓｉ
Ｎ膜を２５０Å／分以下の堆積速度で形成することを特
徴とする光磁気記録媒体の製造方法が提供される。さら
に、本発明によれば、透明基板上に少なくともＳｉＮ膜
から成る干渉層、少なくともＴｂ、Ｄｙ、Ｆｅ、Ｃｏを
主な構成元素とする光磁気記録層、保護層が順次形成さ
れた光磁気記録媒体の製造方法において、前記ＳｉＮ膜
の形成後にＡｒもしくはＡｒ＋Ｎ₂雰囲気中で逆スパッ
タリングを行った後、光磁気記録層を形成することを特
徴とする光磁気記録媒体の製造方法が提供される。

【００１２】以下、本発明の光磁気記録媒体とその製造
方法について、具体的な構成例に基づき図１に沿って説
明する。図１の構成例はプリグルーブ付き透明基板１上
に干渉層２、記録層３、保護層４及び反射層５を順次形
成した構成を有する。以下各要素ごとに材料及び製造方
法について詳述する。

【００１３】（基板）本発明に用いる透明基板１として
は、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレ
ート（ＰＭＭＡ）、アモルファスポリオレフィン（ＡＰ
Ｏ）等の樹脂からなる構付き成形基板、又はアルミノケ
イ酸、バリウム硼珪酸等のガラス表面に溝付き紫外線硬
化樹脂（エポキシアクリレート等）層を形成した基板等
が挙げられる。これらの基板はディスク形状をしてお
り、厚みは０．６〜１．２ｍｍ程度である。図１の１Ａ
はガラス基板、１Ｂは紫外線硬化樹脂層を示したもので
ある。

【００１４】（干渉層）本発明においては、上記基板１
と記録層３との間に干渉層２を設けている。この干渉層
２には屈折率の高い（１．８以上）透明な膜を用い、こ
の層における再生光の多重反射を利用してみかけのカー
回転角（θｋ）を増大させ、それによってＣ（キャリ
ア）レベルを上げ、又反射率を小さくすることでＮ（ノ
イズ）レベルを下げて、トータルでＣ／Ｎを向上させる
ことを目的としている。又、ＲＥ−ＴＭ非晶質合金のよ
うに酸化等による腐食を起こしやすい材料を記録層３に
用いているため、この干渉層２は記録層３の腐食を防止
する保護膜としての役割も兼ね備えていなければならな
い。それには基板１からの水や酸素の侵入を防ぎ、それ
自身の耐食性が高く、かつ記録層３との反応性が小さい
ことが必要である。具体的な材料としては、ＳｉＯ、Ｓ
ｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅等の金属酸化物、Ｓｉ、Ａ
ｌ、Ｚｒ、Ｇｅ等との金属窒化物、ＺｎＳ等の金属硫化
物が挙げられるが、特にＳｉＮが適している。尚、これ
らは多層膜であってもよく、膜厚は屈折率によっても異
なるが、通常トータルで５００〜２０００Åで好ましく
は８００〜１２００Åである。

【００１５】この干渉層２は一般に膜質や膜厚の再現性
に優れているスパッタリング装置によって形成される。
例えば、ＳｉＮの場合、Ｓｉ単結晶をターゲット材とし
てＡｒ＋Ｎ₂雰囲気中でスパッタリングを行うことによ
って、基板表面でＳｉとＮが反応してＳｉＮ膜が形成さ
れる。しかしながら、ＳｉＮ膜は、図２に示したように
膜堆積速度が速すぎるとディスクにしたときのＮレベル
が上昇し、Ｃ／Ｎが低下することがわかった。よって膜
堆積速度は２５０でÅ／分以下、好ましくは１５０Å／
分以下が良い。但し、膜堆積速度が遅くなる程生産性が
低下するため、その範囲の中で速い方を選ぶように注意
しなければならない。

【００１６】また、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｆｅ、Ｃｏを主成分と
する記録層は、ディスクにしたときのＣ／Ｎが記録及び
消去時に印加する磁界（印加磁界）に対して大きく依存
する。しかし、干渉層２であるＳｉＮ膜をスパッタリン
グによって形成した後、ＡｒもしくはＡｒ＋Ｎ₂雰囲気
中でＳｉＮ膜表面をエッチング（逆スパッタリング）す
ることによってＣ／Ｎの磁界依存性が小さくなり、その
結果、低磁界（３００Ｏｅ以下）でのＣ／Ｎが向上する
ことを見い出した（図４参照）。これはＳｉＮ膜の表面
が粗いとＴｂ、Ｄｙ、Ｆｅ、Ｃｏを主成分とする記録層
がピニング効果によって保磁力が増大し、低磁界でのＮ
（ノイズ）レベルが増加するが、逆スパッタリングを行
うとＳｉＮ膜の表面が平坦化され、Ｎレベルが低く抑え
られるためである。

【００１７】（記録層）記録層３としては、請求項１の
媒体の場合、下記一般式化１で表わされ、膜面に対して
垂直方向に磁化容易軸を有するＲＥ−ＴＭ合金膜を用い
る。

【化１】 〔Ｎｄ_b（Ｔｂ_aＤｙ_1-a）_1-b〕_c〔Ｆｅ_dＣｏ_1-d〕_1-c （但し、０＜ａ≦０．５、０＜ｂ≦０．２、０．１９≦
ｃ≦０．２２、０．８≦ｄ＜１である） 化１に示す組成のＲＥ−ＴＭ合金は、ＴｂＤｙＦｅＣｏ
の特性の組成域に適量のＮｄを添加しているため６８０
ｎｍ付近までカー回転角θｋが低下せず、しかもその他
の記録層としての条件をも満たすものである。

【００１８】本発明においては、請求項２〜５で示すよ
うに、記録層を含めた各層の製造方法の最適化をする場
合には、上記化１のＲＥ−ＴＭ合金の他、本発明者らが
特開昭５９−６１０１１号公報において提案した特定組
成のＴｂＤｙＦｅＣｏも記録層とすることができる。上
記製造方法の最適化を上記化１に示す組成のＲＥ−ＴＭ
合金に適用した場合には、双方の効果が重量して、より
一層特性の優れた光磁気記録媒体の実現が可能となる。

【００１９】尚、記録層３には耐食性を向上させるため
に、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｐｔが少量（１〜
５原子％）含有されても良い。膜厚は図１に示したよう
な反射層５を設けた媒体構成の場合は１５０〜３００Å
が適している。反射層５を設けた構成は、記録層３のカ
ー効果とファラデー効果の両方が利用できるためＣ／Ｎ
やジッター特性に優れている。

【００２０】また、本発明の記録層３は多層膜であって
も適応できる。例えば、記録層が交換結合力を利用した
２層膜で、再生を担う層（再生用層）と記録を担う層
（記録用層）から成っている場合、本発明の記録層は再
生用層として十分効果を発揮できる。その場合の記録用
層として、ＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ
が用いられる。

【００２１】本発明の記録層３はＲＦもしくはＤＣマグ
ネトロンスパッタリングによって形成される。一般に、
非晶質合金膜からなる記録層をスパッタリングで成膜す
る場合、ＲＥ−ＴＭからなる合金ターゲット材が用いら
れ、その合金ターゲット材は通常、焼結法で製造された
ものと溶解法で製造されたものに分けられる。しかし、
溶解品はスパッタリング中にターゲット材から放出され
る角度がＲＥ原子とＴＭ原子とで大きな差があるため、
基板上に形成されるＲＥ−ＴＭ膜に組成の不均一が生じ
易いことから、現在は焼結品が多く用いられている。と
ころがＴｂ、Ｄｙ、Ｆｅ、Ｃｏを主成分とする記録層を
形成する場合、溶解品の合金ターゲット材を用い、か
つ、基板を自公転させることによって、組成の不均一が
なくなり、しかも記録層のθｋが焼結品を用いたよりも
大きく、その結果ディスクにしたときのＣ／Ｎが高くな
る（表１参照）。但し、基板を自公転させるときの公転
の回転数は２０ｒｐｍ以上、好ましくは２０〜４０ｒｐ
ｍに、又自転と公転の比は４以上、好ましくは４〜５に
することが必要である。

【００２２】（保護層）通常、記録層３上には保護層４
を設ける。但し、設けなくても本発明の効果は損なわれ
ない。この保護層４は空気中（片面仕様の場合）、又は
接着剤（両面仕様の場合）からの水分や酸素又はハロゲ
ン元素のように記録層３に有害な物質の侵入を防止し、
記録層３を保護する目的で設けられるため、干渉層２同
様それ自身の耐食性が高く、記録層３との反応性が小さ
いことが必要である。具体的な材料は干渉層２として挙
げたものと同様である。この保護層４の膜厚はＣ／Ｎや
記録感度にも大きな影響を及ぼすが、通常０〜６００Å
が好ましい。

【００２３】（反射層）記録層３上に直接もしくは保護
層４を介して反射層５を設けてもよい。記録媒体の高Ｃ
／Ｎ、高感度化のためにこの反射層５は再生光に対して
反射率が高く、熱伝導率は小さい方が良い。また、当然
耐食性がなければならない。具体的な材料として、Ｓ
ｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｔａの１種
以上を含むＡｌ合金が好ましい。膜厚は薄すぎるとＣ／
Ｎが低下し、厚すぎると記録感度が悪くなるため３００
〜６００Åが適当である。

【００２４】

【発明の効果】以上、述べたように、各層の材料組成も
しくは製造方法を本発明のように最適化することによっ
て高Ｃ／Ｎなディスクが得られ、その結果、６８０ｎｍ
程度の短波長のレーザ光にも対応できる大容量光磁気記
録媒体が実現できる。

【００２５】

【実施例】以下本発明の実施例を述べるが、本発明はこ
れら実施例に限定されるものではない。

【００２６】実施例１ 直径８６ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのガラス基板をスパッタ
装置の真空槽内にセットし、真空圧１×１０^-6Ｔｏｒｒ
以下になるまで真空排気した。その後、ＮｄＴｂＤｙＦ
ｅＣｏ合金をターゲットとして直流マグネトロンスパッ
タリングを行い、記録層として［Ｎｄ₀.₀₅（Ｔｂ₀.₃Ｄ
ｙ₀.₇）₀.₉₅］₀.₂₁Ｆｅ₀.₂₁Ｃｏ₀.₀₉膜を１０００Å形
成し本発明の実施例となる試料を得た。

【００２７】実施例２〜４ 実施例１において、記録層をそれぞれ［Ｎｄ₀.₁（Ｔ
ｂ₀.₃Ｄｙ₀.₇）₀.₉］₀.₂₁Ｆｅ₀.₇Ｃｏ₀.₀₉膜、［Ｎｄ₀.
₁₅（Ｔｂ₀.₃Ｄｙ₀.₇）₀.₈₅］₀.₂₁Ｆｅ₀.₇Ｃｏ₀.₀₉膜及
び［Ｎｄ₀.₂（Ｔｂ₀.₃Ｄｙ₀.₇）₀.₈］₀.₂₁Ｆｅ₀.₇Ｃ
ｏ₀.₀₉膜とした以外は同様な方法にて、実施例２〜４の
試料を作製した。

【００２８】比較例１ 実施例１において、記録層を（Ｔｂ₀.₃Ｄｙ₀.₇）₀.₂₁Ｆ
ｅ₀.₇Ｃｏ₀.₀₉膜とした以外は同様な方法にて、比較例
の試料を作製した。

【００２９】上記で作製した実施例１〜４及び比較例１
の試料について、カー回転角θｋの波長依存性を調べ
た。その結果を図２に示す。図２から明らかなように、
本発明の各実施例による光磁気記録媒体は、比較例の光
磁気記録媒体に比べ、各波長域にわたってより大きなカ
ー回転角θｋを示し、特に短波長域において著しい向上
がみられる。

【００３０】実施例５ 直径８６ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのプリグルーブ付ポリカ
ーボネート形成基板をスパッタ装置の真空槽内にセット
し、真空圧５ｍＴｏｒｒに調整し、Ｓｉをターゲットし
てＲＦマグネトロンスパッタリングを行い、保護層とし
てＳｉＮ膜を１５０Å／分の堆積速度で１０００Å形成
した。続いてＴｂＤｙＦｅＣｏ合金をターゲットとして
直流マグネトロンスパッタリングを行い、記録層として
Ｔｂ₆.₃Ｄｙ₁₄.₇Ｆｅ₇₀Ｃｏ₉膜を２２０Å形成した。更
に保護層としてＳｉＮ膜を１５０Å／分の堆積速度で３
００Å形成した後、反射層としてＡｌ₉₉Ｔｉ₁膜を４５
０Å形成し、最後にアクリル系紫外線硬化樹脂を１０μ
ｍ塗布して、光磁気記録媒体を作製した。

【００３１】実施例６ 実施例５において、ＳｉＮ膜を２２０Å／分の堆積速度
で形成した以外は同様にして光磁気記録媒体を作製し
た。

【００３２】比較例２ 実施例１において、ＳｉＮ膜を２９０Å／分の堆積速度
で形成した以外は同様にして光磁気記録媒体を作製し
た。

【００３３】上記で作製した実施例５、６及び比較例２
の光磁気記録媒体について、下記の条件でＣ／Ｎを測定
した。その結果を図３に示す。 記録半径 ３０ ｍｍ レーザ波長 ７８０ ｎｍ 記録周波数 ４．９ ＭＨｚ ディスクの回転数 ２４００ ｒｐｍ（ＣＡ
Ｖ） 記録レーザパワー ６ ｍＷ 再生レーザパワー １ ｍＷ 印加磁界（記録、消去） ３００ Ｏｅ

【００３４】実施例７ 直径８６ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのプリグルーブ付基板を
スパッタ装置の真空槽内にセットし、真空圧５×１０^-7
Ｔｏｒｒ以下になるまで真空排気した。その後、真空槽
内にＡｒとＮ₂との混合ガスを導入し、圧力を５ｍＴｏ
ｒｒに調整し、ＳｉをターゲットしてＲＦマグネトロン
スパッタリングを行い、保護層としてＳｉＮ膜を１００
０Å形成した。ＳｉＮ膜形成後、ＡｒとＮ₂との混合ガ
スの雰囲気中において、スパッタ圧力３ｍＴｏｒｒ、放
電電力２００Ｗ、スパッタ時間１８０秒の条件でＳｉＮ
膜に対し逆スパッタを行った。続いてＴｂＤｙＦｅＣｏ
合金をこのターゲットとして直流マグネトロンスパッタ
リングを行い、記録層としてＴｂ₆.₃Ｄｙ₁₄.₇Ｆｅ₇₀Ｃ
ｏ₉膜を２２０Å形成した。更に、保護層としてＳｉＮ
膜を１５０Å／分の堆積速度で３００Å形成した後、反
射層としてＡｌ₉₉Ｔｉ₁膜を４５０Å形成し、最後にア
クリル系紫外線硬化樹脂を１０μｍ塗布して光磁気記録
媒体を作製した。

【００３５】比較例３ 実施例７において、基板と記録層との間のＳｉＮ膜を形
成した後に逆スパッタを行わなかったこと以外は同様に
して光磁気記録媒体を作製した。

【００３６】上記で作製した実施例７と比較例３の光磁
気記録媒体について、実施例５、６及び比較例２の光磁
気記録媒体の評価条件と同じ条件でＣ／Ｎを測定した。
その結果を図４に示す。

【００３７】実施例８ 直径８６ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのプリグルーブ付基板を
スパッタ装置の真空槽内にセットし、真空圧５×１０^-7
Ｔｏｒｒ以下になるまで真空排気した。その後、真空槽
内にＡｒとＮ₂との混合ガスを導入し、圧力を５ｍＴｏ
ｒｒに調整し、ＳｉをターゲットしてＲＦマグネトロン
スパッタリングを行い、保護層としてＳｉＮ膜を１００
０Å形成した。続いて溶解法で得られたＴｂＤｙＦｅＣ
ｏをこのターゲットとして直流マグネトロンスパッタリ
ングを行い、記録層としてＴｂ₆.₃Ｄｙ₁₄.₇Ｆｅ₇₀Ｃｏ₉
膜を２２０Å形成した。更に保護層としてＳｉＮ膜を３
００Å形成した後、反射層としＡｌ₉₉Ｔｉ₁膜を４５０
Å形成し、最後にアクリル系紫外線硬化樹脂を１０μｍ
塗布して光磁気記録媒体を作製した。

【００３８】比較例４ 実施例８において、溶解法で得られたＴｂＤｙＦｅＣｏ
合金の代わりに焼結法で得られたＴｂＤｙＦｅＣｏ合金
を用いた以外は同様にして光磁気記録媒体を作製した。

【００３９】上記で作製した実施例８及び比較例４の光
磁気記録媒体について、カー回転角θｋ及び実施例５、
６及び比較例２の光磁気記録媒体の評価条件と同じ条件
でＣ／Ｎを測定した。その結果を表１に示す。

【００４０】

【表１】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による光磁気記録媒体の構成例を模式的
に示す断面図である。

【図２】実施例１〜４及び比較例１の光磁気記録媒体の
カー回転角θｋの波長依存性を示す図である。

【図３】実施例５、６及び比較例２の光磁気記録媒体の
Ｃ／Ｎの測定結果を示す図である。

【図４】実施例７及び比較例３の光磁気記録媒体のＣ／
Ｎの測定結果を示す図である。

【符号の説明】

１ 透明基板 ２ 干渉層 ３ 記録層 ４ 保護層 ５ 反射層

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透明基板上に少なくとも光磁気記録層が
   形成された構成を有する光磁気記録媒体において、前記
   光磁気記録層が下記一般式化１で表わされる希土類−遷
   移金属合金膜であり、かつ膜面に対して垂直方向に磁化
   容易軸を有することを特徴とする光磁気記録媒体。 【化１】 〔Ｎｄ_b（Ｔｂ_aＤｙ_1-a）_1-b〕_c〔Ｆｅ_dＣｏ_1-d〕_1-c （但し、０＜ａ≦０．５、０＜ｂ≦０．２、０．１９≦
   ｃ≦０．２２、０．８≦ｄ＜１である）
2. 【請求項２】 透明基板上に少なくともＴｂ、Ｄｙ、Ｆ
   ｅ、Ｃｏを主な構成元素とする光磁気記録層が形成され
   た光磁気記録媒体の製造方法において、前記光磁気記録
   層を、溶解法で得られる合金ターゲットを用いたスパッ
   タリングによって形成することを特徴とする光磁気記録
   媒体の製造方法。
3. 【請求項３】 スパッタリングによって光磁気記録層を
   形成する際、基板を自公転させ、かつ公転の回転数を２
   ０ｒｐｍ以上でかつ自転と公転の比を４以上に設定する
   ことを特徴とする請求項２記載の光磁気記録媒体の製造
   方法。
4. 【請求項４】 透明基板上に少なくともＳｉＮ膜から成
   る干渉層、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｆｅ、Ｃｏを主な構成元素とす
   る光磁気記録層、保護層が順次形成された光磁気記録媒
   体の製造方法において、前記ＳｉＮ膜を２５０Å／分以
   下の堆積速度で形成することを特徴とする光磁気記録媒
   体の製造方法。
5. 【請求項５】 透明基板上に少なくともＳｉＮ膜から成
   る干渉層、少なくともＴｂ、Ｄｙ、Ｆｅ、Ｃｏを主な構
   成元素とする光磁気記録層、保護層が順次形成された光
   磁気記録媒体の製造方法において、前記ＳｉＮ膜の形成
   後にＡｒもしくはＡｒ＋Ｎ₂雰囲気中で逆スパッタリン
   グを行った後、光磁気記録層を形成することを特徴とす
   る光磁気記録媒体の製造方法。