JPH03269848A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［利用分野］ 本発明はレーザー等の光により情報の記録・再生・消去
等を行う光磁気記録媒体に関する。更に詳細には、交換
結合した、組成の異なる２層以上の希土類元素と遷移金
属元素との合金磁性薄膜からなる光磁気記録層を有し高
感度で耐久性に優れ、特に高速データ転送に好適な光磁
気記録媒体に関する。

［従来技術］ 光記録媒体は、高密度・大容量の情報記録媒体として種
々の研究開発が行われている。特に情報の消去可能な光
磁気記録媒体は応用分野が広く種々の材料・システムが
発表されており、その実用化が待望されている。

光磁気記録媒体は、種々の特性の面で計算機の補助メモ
リーとして現在多用されているハード磁気ディスクと比
較されることが多い。

一般に、記録容量、ヘッドと非接触等の点では光磁気記
録媒体の方が優位にあるが、オーバーライド技術、デー
タ転送速度等の点においては、ハード磁気ディスクの方
が優れていると言われている。

そこで、本発明者らは、上述の光磁気記録媒体の欠点の
うち計算機の補助メモリー用途で特にその解決が要請さ
れているデーター転送速度が遅いという問題点を解決す
るために次のような検討を行った。先ず、現状を把握す
べく、現状＜ｒｓ。

規格）の２倍速度、即ちディスク回転数３６００ｒｐｍ
　。

記録周波数７．４　ＭＨｚ　　（ｄｕｔｙ　３３％〉、
半導体レーザーの最大記録パワーＩＱｍＷ、データ転送
速度的１、５　ＭＢ／ｓｅｅの記録条件で現状の媒体の
評価を行った。用いた媒体はＩＳＯ規格用として作成し
た、記録層としてキュリー温度Ｔｃが２００〜２１０℃
のＴｂＦｅＣｏ膜を用いた、樹脂基板（ポリカーボネー
ト（Ｐ　Ｃ＞　）　／Ａ１５ｉＮ／ＴｂＦｅＣｏ／Ａ１
５ｉＮ　／ＡＩ／有機保護層からなる反射膜付構成の直
径１３０ｍφのディスクである。上述の条件で記録・再
生し、再生信号の１次高周波と２次高周波の差が最大と
なる記録レーザーパワー即ち最適記録パワーＰｗ、及び
そこでのキャリア信号と雑音との比であるＣ／Ｎを測定
したところ、最内周半径３０ｍｍＲでは、Ｐｉ　＝９．
０ｍＷ　、　Ｃ／Ｎ＝４９．０ｄＢであったが、最外周
半径６０　ｏｗｎ　Ｒでは、線速度が速いために現在多
用されている半導体レーザーの最大出力１０ｍＷ以下で
は最適記録パワーに到達していないこと、換言すればＰ
ｗは現用半導体レーザーの最大出力１０ｍＷ以上になる
ことがわかった。一方この媒体は現在実用化されている
前述のＩＳＯ規格の記録条件、具体的にはディスク回転
数１８０Ｏｒｐｍ、記録周波数３．７　ＭＨｚ　　（ｄ
ＩＩＩｔｙ　３３％）、データ転送速度的０．７ＭＢ／
ｓｅｅでの測定では、半径３０　ｏｗｎ　Ｒで、Ｐｗ＝
４．５ｍＷ　、　Ｃ／Ｎ＝４９．０ｄＢであり、半径６
０層ｍｒ　ＲでＰｗ　＝９．０ｍＷ　、　Ｃ／Ｎ＝５５
．０ｄＢと良好な特性を有している。

このように現在の実用化レベルで充分な特性を有する媒
体でも、より高レベルの応用のためディスク回転数を上
げ、記録周波数を上げることにより、データ転送速度を
高めた場合、媒体の記録感度が低いために最外周の線速
度が速いところでは良好な記録が行えないという問題が
生じることがわかった。

これに対して本発明者らは、記録感度、　Ｃ／Ｎの向上
に有効として特開昭５７−７８６５２号公報、特開平１
−１７８１５１号公報に提案されている組成の異なる２
層の磁性層を交換結合させて積層した記録層を用いた媒
体を評価した。

この媒体は、２層の磁性層としては光入射側、具体的に
は基板に近い側から第１磁性層、第２磁性層と呼ぶこと
にすると、第２磁性層に第１磁性層よりも保磁力が大き
く、キュリー温度の低い磁性材料を用いる。記録の際に
は、まずキュリー温度の低い第２磁性層にビットが記録
され、続いて交換結合によって第１磁性層にビットが転
写されるという過程をとる。再生の際には、レーザー光
はキュリー温度の高い、即ちカー（Ｋｅｒｒ）回転角の
大きい第１磁性層に入射するため、第２磁性層で用いた
ものと同じ材料からなる単層膜を記録層とした媒体に比
べ、低記録パワーにおいても高いＣ／Ｎが得られるとさ
れている。

そこで、本発明者らは、実際にこの方法を検討するため
、第１磁性層としてＧｄＦｅＣｏ、第２磁性層としてキ
ュリー温度Ｔｃが１２０〜１３０℃のＴｂＦｅＣ。

を用い、媒体構成として、ｐｃ基板／Ａ１５ｉＮ／Ｇｄ
ＦｅＣｏ／ＴｂＦｅＣｏ／Ａ１５ｉＮ／ＡＩ／有機保護
層の構成からなる直径１３０　ｍｍφサイズのディスク
媒体について前述のディスク回転数３６００　ｒｐｍで
の評価を行ったところ、半径３０　ｍｍ　ＲではＰｗ　
＝７ｍＷ、Ｃ／Ｎ＝４８、０ｄＢであり、前述のＩＳＯ
規格対応媒体に比べれば感度の向上が実現されているも
のの、最外周半径６０ｒｍＲではまだ目標の１０ｍＷ以
下では最適記録パワーに到達しないことがわかった。

このように従来技術では現状の２倍であるディスク回転
数３６００　ｒｐｍで、データ転送速度１．５　ＭＢ／
ｓｅｅのような転送速度での使用に対してもＣ／Ｎ　。

記録感度等の点でまだまだ不十分である。さらに現在の
ハード磁気ディスクは、転送速度２〜４ＭＢ／ｓｅｃが
実現されており、上述のディスク回転数３６００　ｒｐ
ｍ、データ転送速度１．５１Ｂ／ｓｅｃでもまだハード
磁気ディスクのレベルには到達していない。

また高度なレベルでの使用、例えば４８ｄＢ以上のＣ／
Ｎが必要といわれるアナログ式画像記録等に用いるため
には、Ｃ／Ｎにおいても更に一層の向上が必要である。

更に、前述の媒体について、８０°Ｃ７８５％ＲＨの高
温高温雰囲気中での加速劣化試験を５００時間行ったと
ころ、媒体面に腐食によると思われる多数の白ぬけ（膜
が透明化〉が発生した。これは金属反射膜のＡＩ膜自体
の耐腐食性が低いことが主因と考えられる。したがって
、記録再生特性のみでなく、耐久性の面でも改善が必要
であることがわかった。

［発明の目的］ 本発明はかかる現状に鑑みなされたもので、構成上感度
及びＣ／Ｎの向上が期待できる前述の交換結合した組成
の異なる磁性層を積層した交換結合複層磁性膜を光磁気
記録層に用い、現用の最大出力１０ｍＷ程度の半導体レ
ーザーにより前述の現状の２倍の速度でも充分記録でき
、且つＣ／Ｎも大きく耐久性も充分な光磁気記録媒体を
提供することを目的とするものである。

［発明のｎ４戒及び作用］ 上述の目的は以下の本発明により達成される。

すなわち、本発明は、光磁気記録層が交換結合した組成
の異なる２層以上の希土類元素と遷移金属元素との合金
磁性薄膜の積層体からなる光磁気記録媒体において、前
記光磁気記録層の膜厚が１５０Ａ以上６００　Ａ以下で
あり、その光入射側と反対側に屈折率ＮがＮ≦３．５で
光吸収係数ＫがＫ≧３．５゜熱伝導率が２０〜１００　
Ｗ／　（ｍ　−Ｋ　）　　＜Ｗ　：ワット。

ｍ：メートル、に：絶対温度）の金属反射膜を設けたこ
とを特徴とする光磁気記録媒体である。

上述の発明は以下のようにしてなされたものである。即
ち、前述の交換結合複層膜を用い、その特性を発現させ
て前記目的を達成するには、記録感度面では不利である
がＣ／Ｎ面で有利な前述の特開平１−１７８１５１号公
報等で公知の金属反射層との組合せが耐久性面も含める
と有利と考えた。そしてその改良のポイントは、媒体の
Ｃ／Ｎに大きな影響を与える金属反射層の光学特性と、
その記録感度に大きな影響を与える金属反射層の熱伝導
特性にあると考え、この面から金属反射層の改良を検討
した。その結果上述の記録層の交換結合複層膜の合計膜
厚が１５０〜６００人で、金属反射層を光学定数がＮ≦
３．５かつに≧３．５であり、更に熱伝導率が２０Ｗ／
　＜　ｍ　−Ｋ　）以上、１００　ｗ／（ｍ−Ｋ　）以
下でｌ〉るような光学的及び熱的性質を調節した金属反
射層としｆＳ構構成おいて、前述のディスク回転数３６
００　ｒｐｍ、記録周波数７．４　ＭＨｚ　　＜ｄｕｔ
ｙ３３％）、データ転送速度的１．５ＭＢ／ｓｅｃの条
件で全記録領域において、最大記録パワー１０ｍＷ以下
が実現できることを見出し、本発明に想到したものであ
る。上述の構成において磁性層全体の合計膜厚は、その
裏面の金属反射層の効果、及び前面の透明誘電体層によ
る光干渉効果を最大限に引き出すためには、前述の１５
０〜６００人の範囲内におさめることが必要である。な
お、合計膜厚を６００　Ａ以上と厚くすると、金層反射
層の効果は低減し、Ｃ／Ｎは低下してしまう。

また、合計膜厚１５０〜６００　Ａのうち、前記複層の
磁性層を基板側より第１磁性層と第２磁性層とし、その
膜厚ｄ１．ｄｚとした時その配分は、少なくともｄｘ＜
ｄ２であることが好ましい。ｄ工≧ｄ２では、第２磁性
層に保磁力の高い材料を用い、交換結合によって第１磁
性層の磁化を保持しているものの、第２磁性層が薄くな
ると、第１磁性層の磁化を保持し切れなくなってしまい
、逆に単一の磁性層を記録層として用いた媒体よりもＣ
／Ｎが低下してしまうという場合が生ずる恐れがある。

但し、第１磁性層の膜厚を薄くしすぎると、製膜上磁気
特性を良好に発現させることが難しく、また耐久性の面
で安定性に欠けるため第１磁性層の膜厚は１００　Ａ以
上が好ましく、よって、第１磁性層の膜厚の範囲として
は １００≦ｄ工＜　（ｄｘ　＋ｄ２　）／２　＜単位Ａ）
であることが好ましい。尚、本発明は、記録層をレーザ
ー光が通過する際のファラデイー効果をも利用すること
を特徴とするため、交換結合複層膜としては通常前述の
通り第２磁性層を第１磁性層よりも保磁力が大きく、キ
ュリー温度が低いものとするが、この積層順序を逆にし
ｆＳｊｆ４成に対しても適用できる。さらに同様の理由
により、上述のように記録層の層数を２層に限定せず、
２種以上の組成の異なる材料を用い、２層以上の交換結
合させて積層した記録層に対しても適用できる。但し、
これらの場合においても、記録層の合計膜厚は、１５０
〜６００人とする必要がある。

上述の記録層に用いる材料としては、光磁気効果により
記録・再生できるもの、具体的には膜面に垂直な方向に
磁化容易軸を有し、任意の反転磁区を作ることにより光
磁気効果に基いて情報の記録・再生が可能な磁性薄膜、
例えば希土類・遷移金属合金系のＴｂＦｅＣｏ、　Ｇｄ
ＦｅＣｏ、　ＧｄＴｂＦｅ、　ＧｄＴｂＦｅＣｏ。

ＧｄＤｙＰｅＣｏ、　ＮｄＤｙＦｅＣｏ、　ＮｄＤｙＴ
ｂＦｅｅｏ、　ＮｄＰｅ、　ＰｒＦｅ。

ＣｅＦｅ等の希土類と遷移金属との非晶質合金膜、ある
いはガーネット膜、ＣｏＣｒ膜、Ｂａフェライト膜、等
公知のものが全て適用できる。

本発明において用いる金属反射膜としては、用いるレー
ザー光の波長に対する光学定数Ｎ、　Ｋ（Ｎ：屈折率、
Ｋ：吸収係数）が、Ｎ≦２．５かつに≧３．５であり、
かつ熱伝導率が２０〜１００　Ｗ／（ｍ−Ｋ）である材
料を選択する必要がある。また、更に好ましくはＮ≦３
．５かつ４．５≦Ｋ≦８．５であり、この条件で作成し
た媒体では、金属反射膜の反射率向上によりカー効果エ
ンハンスメントが向上し、媒体ＣＮ比のより一層の向上
が実現できる。

また熱伝導率は、レーザー光による加熱で信号を記録す
る際、熱伝導率が高すぎると熱の拡散が大きく、記録感
度の低下を引き起こす。したがって、本発明者らが解決
しようとしているところのディスク回転数が高い場合で
の線速の速い最外周で１０ｍＷ以下のレーザーパワー最
適記録を行うことが不可能となってしまう。金属反射層
に用いる材料の熱伝導率は、目的の記録条件でパワーが
１０ｍ１以下のレーザーで信号の記録を可能とするため
には１００　Ｗ／　（ｍ　−Ｋ）以下が必要である。さ
らに８０Ｗ／　（ｍ　−Ｋ　）以下が好ましい。一方Ｃ
／Ｎ面から、２０Ｗ／　＜　ｍ　−Ｋ　）以上が必要で
ある。

上記特性を満足する金属材料としては、ＡｌＡｕ合金又
はＡｇＡｕ合金が挙げられる。反射率が高く、熱伝導率
が大きいＡ１又はＡｇに熱伝導率の大きいＡｕを添加す
ることにより、驚くべきことに熱伝導率が大巾に低下し
、金属反射層に好適な上記特性を満足する合金が得られ
ることが見出された。そしてこの合金、具体的にはＡｌ
Ａｕ合金又はＡｇＡｕ合金の膜は膜自体の耐久性も優れ
ている。

ところで、これら合金においてＡｎの添加量が０．５　
ａｔ％　（原子％〉より少ないと、かかる熱伝導低下の
効果は小さく、逆に２０　ａｔ％より多いとＡＩＡ＋＋
合金膜もしくはＡｇＡｕ合金膜の反射率の低下が大きく
不都合である。したがってＡｕの含有量は０，５〜２０
　ａｔ％の範囲内におさめる必要がある。さらに、反射
率の低下をＡＩもしくはＡｇ単独膜に比べ２％以内に抑
えるためにはＡ１１含有量は０．５〜１５　ａｔ％、さ
らには０．５〜１０　ａｔ％であることが好ましい。

また、ターゲットや媒体のコストを低減する意味からＡ
ｕの含有量は少ないことが好ましい。このようにＡｕの
添加量を低減するという目的からは、Ｔｉ、　Ｚｒ、　
Ｈｆ、　Ｖ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｃｒ、　Ｍｏ、　Ｗ、
　Ｔｃ、　Ｒｅ。

Ｒｕ、　Ｏｓ、　Ｉｒの群の１種以上の特定元素を補助
的に添加すると効果がある。これら特定元素の添加量は
５．０ａｔ％以内にとどめるべきであり、これより多い
と金属反射膜の反射率が低下してしまう。

５．０ａｔ％以内では光磁気記録再生装置で使用される
半導体レーザーの波長である８３０ｎｍでの反射率の低
下は２％以内の低下幅にとどまる。一方、０．３ａｔ％
より少ないとＡ＋＋を節約したことによる熱伝導率の上
昇分を補うことができない。したがって、特定元素の添
加量は０°３〜５．０ａｔ％の範囲に設定する必要があ
る。この特定元素の添加により、Ａｌの添加量は０，５
〜１０　ａｔ％の範囲であれば、反射膜の反射率はＡＩ
もしくはＡｇ単独膜に比べ、２％以内の低下に抑えるこ
とができＡｌも低減できると同時に、前述の光学特性及
び熱伝導特性も満足することができる。

更に金属反射膜自身の耐久性を高めるという点で、上記
特定元素群の中ではＴｉ、　Ｚｒ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　
Ｏｒ。

Ｒｅが好ましい。

これら金属反射層の膜厚範囲は金属反射層の特性で異な
るが、反射率の低下によるＣＮ比低下を抑え、かつ１０
ｍＷ以下のレーザーパワーで記録を可能とするために、
好ましくは３００〜２００ＯÅ、特に好ましくは４００
〜１００ＯＡである。

以上のＡ１１及び特定元素が上述の組成範囲内にあるＡ
ｌＡｕ合金又はＡｇＡｕ合金を金属反射層とすることに
より、ＩＳＯ規格の倍速の記録条件で、ディスクの記録
領域全面に１０ｍＷ以下のレーザーパワーで信号をｉ＆
適記録にすることができる。

さらに微少ビットを高性能、かつ安定して記録すべく鋭
意検討した結果、記録層及び金属反射層の熱伝導率の値
が、おおよそ同じオーダーである場合にレーザー光加熱
による温度上昇が高性能ビットを形成する上で有効なレ
ベルに到達することを見出した。さらに好ましくは誘電
体の熱伝導率も同じオーダーであることはビットの安定
化に有効である。これは、媒体の記録感度及びＣ／Ｎに
大きく反映する。

ところで、本発明における光磁気記録媒体の積層構成は
、その金属反射層が光磁気記録層の光入射面と反対側に
形成される点を除いて、その構成は特に限定されない。

すなわち、金属反射層を光磁気記録層上に直接設けたも
の、または透明誘電体層を介して設けたもの、更には金
属反射層上に透明誘電体層等の無機保護層及び／又は光
硬化性樹脂等の有機保護層を設けたもの等あらゆる構成
に適用できる。

そして、これら各層が積層される透明基板の材料として
は、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹
脂、２−メチル−ペンテン樹脂など、またそれらの共重
合体等の高分子樹脂、もしくはガラスなどが適用できる
。中でも機械強度、耐候性、耐熱性、透湿性の点でポリ
カーボネート樹脂が好ましい。

また、前述の有機保護層としては、光及び／又は熱硬化
型樹脂、あるいは熱可塑性樹脂等が適用でき、コーティ
ング法等により形成できる。なお、これら裏面保護層は
少なくとも記録層の側面まで被覆するように設けるのが
好ましい。

透明誘電体層としては、カー効果エンハンスメントを高
めるという点で屈折率の高い材料、すなわち１．８以上
の屈折率を有する材料、更に好ましくはましくは２．０
以上である材料が望ましい。

このような材料としては、ＡＩＮ、ＭｇＦ２．ＺｎＳ。

ＣｅＦ３．ＡｌＦ３　・３ＮａＦ、Ｓｉ、Ｎ４　、Ａ１
５ｉＮ。

Ｓｉｎ、　５ｉ０２．　Ｚｒ２Ｏ３，１１１２０３，５
ｎ０２．　Ｔａ２０５　。

Ａｌ０Ｎ、５ｉＯＮ、Ｚｒ０Ｎ、Ｉｎ０Ｎ、５ｎＯＮ、
Ｔａ０Ｎまたはこれらの混合体などが適用できる。特に
屈折率が２．０以上という点ではＡ１５ｉＮ、　ＺｎＳ
。

１ｒ２０３．　Ｔａ２０５　、　Ｚｒ０Ｎ、　Ｔａ０Ｎ
が好ましい。

以上で述べた透明誘電体層、記録層、金属反射層の無機
薄膜の製造方法としては、公知の真空蒸着法、スパッタ
リング法等のＰＶＤ法、あるいはＣＶＤ法等、種々の薄
膜形成法が適用できる。しかし、光磁気記録媒体として
は、高温高温耐環境性試験で生じる剥離を生じさせない
ために、特に高分子基板との密着性が大きい条件で作製
することが好ましい。このためにはスパッタリング法が
好ましい。

なお、本発明の光磁気記録媒体は、ＩＳＯ規格の倍速の
ディスク高速回転時に記録領域の最外周でも現用の半導
体レーザーの最大出力１０ｍ１以下で最適記録できるよ
うにしたものであるが、当然のことながら、従来のディ
スク回転数１８００　ｒｐｍ。

２４０Ｏｒｐｍ等の場合についても使用可能であること
はいうまでもなく、かかる場合は特性上に余裕が生じ、
それだけシステム信頼性が向上するという効果が得られ
る。また出力の大きい半導体レーザーが利用できるよう
になれば、更に高速転送あるいはシステム信頼性の向上
が期待できる。

また、ディスクの形態として、単板構造１両面貼合せ構
造１片面ダミー基板の貼合せｍ造等いずれに対しても適
用可能で、ディスクのサイズも２インチφ、３．５イン
チφ、５．２５インチφ、８インチφ、　１２インチφ
等、公知の全ての形態について使用可能である。また、
サーボ方式についても、連続サーボ、サンプルサーボ等
に関わりなく、あらゆる方式に適用可能である。

以上の通り本発明は、特定の光学特性と熱伝導特性の金
属反射膜と交換結合複層膜を組み合わせて高感度でＣ／
Ｎ及び耐久性の優れた光磁気記録媒体を実現したもので
、現在の倍速以上の高速データ転送を可能とし、その適
用分野を拡大すると共に現用システムで用いた場合には
、性能に余裕が生じそれだけシステム信頼性が向上する
という効果を奏するものである。

以下、本発明を実験例及び実施例を用いて説明する。

［実験例１〜１７］ 以下のようにして基板上に金属反射膜を作成し、その特
性を評価した。

基板として、５　Ｘ　５　Ｘ　１　ｍｍのサイズのＮａ
Ｃｌ結晶、１０Ｘ　ＩＯＸ　０１５ｍｍのサイズのＳｉ
ウェハーを３ターゲツトの高周波マグネトロンスパッタ
装置くアネルバ■製５ＰＦ−４３０Ｈ型〉真空槽内に固
定し、４　Ｘ　１Ｏ−７Ｔｏｒｒになるまで排気する。

次にＡｒガス（５Ｎ）を真空槽内に導入し、圧力５ｍ　
ＴｏｒｒになるようにＡｒガス流量を調整した。ターゲ
ットとしては、直径１００ｍｍ　、厚さ５ｍｍのＡＩ。

Ａｇの円盤上に、必要に応じてＡ＋＋、　Ｔｉのチップ
〈５Ｘ　５　Ｘ　１　ｍｍｌを適宜適当数配置した。放
電電力１００Ｗ、放電周波数１３．５６ＭＨｚで高周波
スパッタリングを行い、表１の膜組成の欄に示すところ
の組成をもつ金属膜もしくは合金膜を約１μｍ堆積した
。

まず、Ｓｉウェハー上に堆積したサンプルを用いて、波
長８３０ｎｍの光に対する薄膜の屈折率Ｎ及び吸収係数
Ｋを求めた。測定装置としては、■渭尻光学工業所製、
自動エリプソメーターＤＨＡ−ＯＬＷを用いた。結果を
表１のＮ、にの欄に示す。

次に、ＮａＣＩ結晶上に堆積したサンプルを用いて、薄
膜の熱伝導率を求めた。サンプルを純水に浸すことによ
りＮａ１１のみを溶解させ金属膜もしくは合金膜だけを
取り出した。この薄膜を、真空理工■製、薄膜用光交流
法熱定数測定装置ＰＩＴ−１により熱伝導率を測定した
。結果を表１の熱伝導率の欄に示す。

［実験例１７］ 以下のようにして基板上にＡ１５ｉＮ透明誘電体膜を作
成し、その特性を評価した。

基板として５　Ｘ　５　Ｘ　１　ｍｍのサイズのＮａＣ
１結晶を、実験例１〜１６と全く同じ装置内に固定し、
４×１０　’Ｔｏｒｒになるまで排気する。

次にＡ　ｒ　／　Ｎ２混合ガス（Ｎ２３０　ｖｏ１％）
を真空槽内に導入し、圧力５ｍＴｏｒｒになるようにＡ
ｒ／Ｎ２混合ガス流量を調節した。ターゲットとしては
直径１００ｍｍ　、厚さ５ｍｍのÅ、１５ｏＳｉｓｏ　
（添数字は組成（原子％）を示す〉の焼結体を用い、実
験例１〜１６と同条件でスパッタリングを行い、Ａ１４
°Ｓｉ４°Ｎ２０透明誘電体膜を約１μｍ堆積した。

実験例１〜１６と同様の装置で、薄膜の熱伝導率を測定
した。結果を表１の熱伝導率の欄に示す。

［実験例１８〜２０］ 以下のようにして基板上にＴｂＦｅＣｏ、　ＧｄＦｅＣ
ｏ、　ＮｄＤｙＦｅＣｏ合金膜を作成し、その特性を評
価した。

基板として５　Ｘ　５　Ｘ　１　ｍｍのサイズのＮａＣ
１結晶を、実験例１〜１７と全く同じ装置内に固定し、
４×１Ｏ−７Ｔｏｒｒになるまで排気する。

次に純Ａｒ（５Ｎ＞を真空槽内に導入し、圧力５ｍ　Ｔ
ｏｒｒになるようにＡ「ガス流量を調整した。ターゲッ
トとしては直径１００ｍｍ　、厚さ５ｍｍのＧｄ２１Ｐ
ｅ５５Ｃ０２４合金、Ｔｂ２２Ｆｅ７□Ｃｏ６合金及び
Ｎｄ、ＤＶ２９Ｆｅ４５Ｃｏ１７合金（添数字は組成（
原子％）を示す〉の円盤を用い、実験例１〜１６と同条
件でスパッタリングを行い、Ｇｄ２１Ｆｅ、５ＣＧ２４
．　Ｔｂ２２Ｆｅ７□Ｃｏｇ　、　Ｎｄ。

Ｄｙ２９Ｆｅａ５ＣＯｘｔの各合金膜を約１μｍ堆積し
た。実験例１〜１６と同様の装置で、薄膜の熱伝導率を
測定した。結果を表１の熱伝導率の欄に示す。

実験例１，９と実験例２〜８，１０〜１６との比較から
、Ａａを添加しｆＳＡＩＡｕ合金、　ＡｇＡｕ合金の合
金膜はＡＩ、　Ａｇの金属に比し、熱伝導率が大巾に低
下し、光学特性はそれほど低下しないことがわがる。そ
して実験例２〜５と６〜７、並びに実験例１０〜１３と
１４〜１５との比較がら、Ｔｉの添加により光学特性及
び熱伝導特性をそれほど低下させることなく、Ａｕ量を
大巾に減少させることがわかる。

また実験例２〜８，１０〜１６より例示のＡｌＡｕ合金
、　ＡｇＡｕ合金は、本発明の光学特性Ｎ、Ｋ及び熱伝
導率の条件を満足していることがわかる。

［実施例１〜１４、比較例１，２］ 以下のようにして基板上に第１図に示す構成の光磁気記
録媒体を作成し評価した。図において１は基板、２は透
明誘電体層、３ａ、　３ｂは、交換結合した第１．第２
の記録層、４は金属反射層、６は有機保護層である。

直径１３０ｍｍ　、厚さ１．２ｍｍの円盤で、１．６μ
ｍピッチのグループを有するポリカーボネート樹脂（Ｐ
Ｃ）のディスク基板１を３ターゲツトの高周波マグネト
ロンスパッタ装置（アネルバ■製５ＰＦ−４３０Ｈ型〉
の真空槽内に固定し、４　Ｘ　１Ｏ−７Ｔｏｒｒになる
まで排気する。なお、膜形成において基板１は１５ｒｐ
ｍで回転させた。

まず透明誘電体層２として、ターゲットとしては直径１
０ｈ＋ｍ　、厚さ５ｎ＋ｍの円盤で、Ａ１５ｏＳｊ５ｏ
　（添数字は組成（原子％〉を示す〉の焼結体を用い、
真空槽内にＡｒ／Ｎｚ混合ガス（Ｎ２３０ＶＯＩ％）を
導入し、圧力５ｍＴｏｒｒになるようにＡｒ／Ｎ２混合
ガス流量を調整した。放電電力１００Ｗ、放電周波数１
３．５６ＭＨ７で高周波スパッタリングを行い、誘電体
層２としてＡ１４ｏＳｉ４ｏＮ　２０透明誘電体層７０
０人を堆積した。

次に第１の記録層３ａとして、ターゲットをＧｄ２１Ｆ
ｅ５ｓＣＯ２ａ合金の円盤に変えスパッタリングガスを
純Ａｒ（５Ｎ）とする以外は上述と同様の放電条件でＧ
ｄ２１Ｆｅ５５ＣＯ２ａ合金膜を約１５ＯＡ堆積した。

さらに、第１の記録層と交換結合した第２の記録層３ｂ
として、ターゲットＴｂ２□Ｆｅ−ｔ□ＣＯ６合金の円
盤に変え、上述と同様の放電条件でＴｂ２２Ｆｅ７□Ｃ
ｏ。

合金膜を約２５ＯＡ堆積した。

最後に、前述の実験例１〜１６と同様に、種々の組成か
らなる金属反射膜４を形成した。すなわち、ターゲット
としては直径１００ｍｍ　、厚さ５ｍｍのＡＩ、　Ａｇ
の円盤上にＡｕ、　Ｔｉのチップ（５Ｘ５Ｘ１ｍｍ）を
適宜適当数配置し、上述と同様の放電条件で、金属反射
層４として表２に示すところの実施例１〜１４．比較例
１，２の組成の金属膜もしくは合金膜を約５００Ａ堆積
した。

この積層体をスパッタリング装置から取り出し、スピン
コーターに取り付けた。ディスクを回転させながら紫外
線硬化性のフェノールノボラックエボキシアクリレート
樹脂を塗布した後、紫外線照射装置を通過させて樹脂を
硬化させ、約２０μｍの有機保護層６を設けた。

以上の順序で、第１図に示すところの記録層が交換結合
複層膜の光磁気ディスクを得た。

この光磁気ディスクの最適記録パワーＰｉ及びＣ／Ｎを
測定した。測定には光磁気記録再生装置（バルステック
工業製ＤＤＵ−１０００＋を用い、ディスクを３６０Ｏ
ｒｐｍで回転させ、半径３０ｍｍ及び６０ｍｍの位置で
記録・再生・消去を行った。信号の再生は１、５ｍＷの
レーザーパワーで行った。記録時のｆ！に、適記録パワ
ーＰｗは、信号再生時の１次高周波と２次高周波の差が
最大となる記録レーザーパワーの尚、記録・消去の際の
印加磁界は２５００ｅ　（エルステッド）である。各媒
体の！＆適記録パワーＰｗ及びその時のＣ／Ｎを表２の
各欄に示す。

［比較例３］ 以下のようにして基板上に第２図に示す構成の記録層が
単層の光磁気記録媒体を作成し評価した。

図において１は基板、２は透明誘電体層、３は、単層の
記録層、４は金属反射層、６は有機保護層である。

直径１３０ｍｍ　、厚さ１．２ｍｍの円盤で、１．６μ
ｍピッチのグループを有するポリカーボネート樹脂＜ｐ
ｃ＞のディスク基板１を３ターゲツトの高周波マグネト
ロンスパッタ装置（アネルバ■製５ＰＦ−４３０Ｈ型）
の真空槽内に固定し、４　Ｘ　１Ｏ−７Ｔｏｒｒになる
まで排気する。なお、膜形成において基板１は１５ｒｐ
ｍで回転させた。

まず透明誘電体層２として、ターゲットとしては直径１
００ｍｍ　、厚さ５ｍｍの円盤で、Ａ１５ｏＳｉｓｏ　
（添数字は組成（原子％〉を示す〉の焼結体を用い、真
空槽内にＡ　ｒ　／　Ｎ２混合ガス（Ｎ２３０ＶＱＩ％
）を導入し、圧力５ｍＴｏｒｒになるようにＡｒ／Ｎｚ
混合ガス流量を調整した。放電電力１００Ｗ、放電周波
数１３．５６ＭＨ７で高周波スパッタリングを行い、誘
電体層２としてＡ１４ｏＳｉ４ｏＮ２ｏ透明誘電体層７
００人を堆積した。

次に、単層の記録層３として、ターゲットＴｂ２２Ｆｅ
、２Ｃｏ、合金の円盤に変え、スパッタリングガスを純
Ａ「とする以外は上述と同様の放電条件でＴｂｚ□Ｆｅ
７□ＣＯ６合金膜を約４０ＯＡ堆積した。

最後に、金属反射層４として、ＡＩの円盤上に、Ａｎ、
　Ｔｉのチップ（５Ｘ　５　Ｘ　Ｉ　Ｎｎ　ｔ　）を適
当数配置したものとし、上述と同様の放電条件でＡＩ、
１Ａｕ７Ｔｉｚ合金膜を約５００Ａ堆積した。この積層
体をスパッタリング装置がら取出し、実施例１〜１４と
全く同様の方法で、約２０μｍの有機保護層６を設けた
。

以上の順序で、第２図に示すところの記録層が単層の光
磁気ディスクを得た。

実施例１〜１４と同様に、最適記録パワー及びＣ／Ｎの
測定を行った。結果を表２の比較例３に示す。

実施例と比較例との比較がら本発明により大巾に記録感
度が向上し、ＩＳＯ規格の倍速度においても充分使用で
きる媒体が実現できることがゎがる。そして、ハイエン
ド用途に必要４８ｄＢ以上のＣ／Ｎが全記録領域で実現
されており、この面でも優れた媒体が実現できることが
わがる。

また実施例３，６，１０，１１，１３．１４の結果より
、記録層と金属反射層の然伝導率が近いと良好なＣ／Ｎ
が得られることがわかる。

表　　２ ［実施例１５〜２８、比較例４，５］ 以下のようにして基板上に第３図に示す構成の裏面透明
誘電体層を有する交換結合複層膜の光磁気記録媒体を作
成し評価した。図において１は基板、２は透明誘電体層
、３ａ、　３ｂは、交換結合した第１．第２の記録層、
５は裏面透明誘電体層、４は金属反射層、６は有機保護
層である。

直径１３０ｍｍ　、厚さ１．２ｍｍの円盤で、１．６μ
ｍピッチのグループを有するポリカーボネート樹脂（Ｐ
Ｃ）のディスク基板１を３ターゲツトの高周波マグネト
ロンスパッタ装置（アネルバ■製５ＰＦ−４３０Ｈ型〉
の真空槽内に固定し、４　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒになる
まで排気する。なお、膜形成において基板１は１５ｒｐ
ｍで回転させた。

まず透明誘電体層２として、ターゲットとしては直径１
００ｍｍ　、厚さ５ｍｍの円盤で、ＡＩ＋ｏＳｉ５ｏ　
＜添数字は組成（原子％〉を示す）の焼結体を用い、真
空槽内にＡｒ／Ｎ２混合ガス（Ｎ２３０ＶＯ１％）を導
入し、圧力５ｍＴｏｒｒになるようにＡ　ｒ　／　Ｎ２
混合ガス流量を調整した。放電電力ｔｏｏｗ、放電周波
数１３．５６１１！Ｈｚで高周波スパッタリングを行い
、誘電体層２としてＡ１４ｏＳｉ４ｏＮ　２０透明誘電
体層１２０ＯＡを堆積した。

次に第１の記録層３ａとして、ターゲットをＧｄ２ｔＦ
ｅ５５Ｃｏ２４合金の円盤に変えスパッタリングガスを
純Ａｒ（５Ｎ）とする以外は上述と同様の放電条件でＧ
ｄ２．Ｆｅ５ｓＣ０２４合金膜を約１０ＯＡ堆積した。

さらに、第１の記録層と交換結合した第２の記録層３ｂ
として、ターゲットＴｂ２□Ｆｅ７□Ｃｏ、合金の円盤
に変え、上述と同様の放電条件でＴｂ２２Ｆｅ７２Ｃｏ
６合金膜を約１５０Ａ堆積した。

続いて、裏面透明誘電体層５として、ターゲットをＡｌ
Ｓｉに戻し、スパッタリングガスをＡｒ／Ｎ２混合ガス
（Ｎ２３０　ｖｏ１％）に変え、透明誘電体層２と同様
の放電条件でＡ１４ｏ］４ｏＮ　２０透明誘電体層を３
５０人堆積した。

最後に、前述の実験例１〜１６と同様に、種々の組成か
らなる金属反射膜４を形式した。すなわち、ターゲット
としては直径１００ｍｍ　、厚さ５ｍｍのＡＩ、　Ａｇ
の円盤上にＡｕ、　Ｔｔのチップ＜５ｘ５ｘ１ｍｍ＞を
適宜適当数配置し、スパッタリングガスを純Ａｒとする
以外は上述と同様の放電条件で、金属反射層４として表
３に示すところの実施例１５〜２８゜比較例４，５の組
成の合金膜もしくは金属膜を約５０ＯＡ堆積した。

この積層体をスパッタリング装置から取出し、実施例１
〜１４と全く同様の方法で、約２０μｍの有機保護層６
を設けた。

以上の順序で、第３図に示すところの裏面透明誘電体層
を有する交換結合複層膜の光磁気ディスクを得た。

実施例１〜１４と同様の評価条件で最適記録パワーＰｗ
、及びＣ／Ｎの測定を行った。結果を表３の各欄に示す
。

［比較例６］ 以下のようにして基板上に第４図に示す構成の裏面透明
誘電体層を有する単層記録膜の光磁気記録媒体を作成し
評価した。図において１は基板、２は透明誘電体層、３
は記録層、５は裏面透明誘電体層、４は金属反射層、６
は有機保護層である。

直径１３０ｍｍ　、厚さ１．２ｍｍの円盤で、１．．６
μｍビッチのグループを有するポリカーボネート樹脂（
ＰＣ）のディスク基板１を３ターゲツトの高周波マグネ
トロンスパッタ装置くアネルバ■製５ＰＦ−４３０Ｈ型
〉の真空槽内に固定し、４　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒにな
るまで排気する。なお、膜形式において基板１は１５ｒ
ｐｍで回転させた。

まず透明誘電体層２として、ターゲットとしては直径１
００ｍｍ　、厚さ５ｍｍの円盤で、ＡＩｖｏＳｉ５ｏ　
（添数字は組成（原子％）を示す〉の焼結体を用い、真
空槽内にＡ　ｒ　／　Ｎ２混合ガス（Ｎ２３０ＶＯＩ％
）を導入し、圧力５ｍＴｏｒｒになるようにＡ　ｒ　／
　Ｎ２混合ガス流量を調整した。放電電力ｔｏｏｗ、放
電周波数１３．５６ＭＨｚで高周波スパッタリングを行
い、誘電体層２としてＡ１４ｏＳ！ａｏＮ２ｏ透明誘電
体層１２０ＯＡを堆積した。

次に単層の記録層３として、ターゲットをＴｂ２２Ｆｅ
ｙｚＣＯ６合金の円盤に変えスパッタリングガスを純Ａ
ｒ（５Ｎ）とする以外は上述と同様の放電条件でＴｂ２
２Ｆｅ７２ＣＯ６合金膜を約２５０Ａ堆積した。

続いて、裏面透明誘電体層５として、ターゲットをＡｌ
Ｓｉにもどし、スパッタリングガスをＡｒ／Ｎ２混合ガ
ス（Ｎ２３０　ｖｏ１％）に変え、透明誘電体層２と同
様の放電条件でＡ１４ｏＳｉ４ｏＮ２°透明誘電体層を
３５０Ａ堆積した。

最後に、ターゲットをＡＩの円盤上にＡｎ、　Ｔｉのチ
ップ（５Ｘ５Ｘ１ｍｍ）を適宜適当数配置したものとし
、スパッタリングガスを純Ａｒとする以外は上述と同様
の放電条件で、金属反射層４としてＡ１９１Ａｎ７Ｔｉ
２合金膜を約５００　Ａｉ’Ｉ積した。

この積層体をスパッタリング装置から取出し、実施例１
〜１４と全く同様の方法で約２０μｍの有機保護層６を
設けた。

以上の順序で、第４図に示すところの裏面透明誘電体層
を有する単層記録層の光磁気ディスクを得た。

実施例１〜１４と同様の評価条件で最適記録パワーＰｗ
、及びＣ／Ｎの測定を行った。結果を表３の比較例６に
示す。

実施例１５〜２８と比較例４〜６との比較から、裏面透
明誘電体層を設けた場合にも、感度向上及びＣ／Ｎ向上
の本発明の効果が発現されることがわかる。

また、実施例１〜１４とすると、裏面透明誘電体層を設
は他本例は、それだけ積層構成が増加しコスト上不利で
あるが、Ｃ／Ｎが約０．５ｄＢ増加し、ハイエンド用途
に必要なＣ／Ｎを充分クリアできるものとなることがわ
かる。

表　　３ ［実施例２９〜４２、比較例７，８］ 以下のようにして基板上に第３図に示す構成の交換結合
の第２の記録層に感度のよいＮｄＤｙＦｅＣｏ合金を用
いた光磁気記録媒体を作成し評価した９図において１は
基板、２は透明誘電体層、３ａ、　３ｂは交換結合した
第１．第２の記録層、５は裏面透明誘電体層、４は金属
反射層、６は有機保護層である。

直径１３０ｍｍ　、厚さ１．２ｍｍの円盤で、１．６μ
ｍピッチのグループを有するポリカーボネート樹脂（Ｐ
Ｃ）のディスク基板１を３ターゲツトの高周波マグネト
ロンスパッタ装置くアネルバ■製５ＰＦ−４３０Ｈ型）
の真空槽内に固定し、４　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒになる
まで排気する。なお、膜形成において基板１は１５ｒｐ
ｍで回転させた。

まず透明誘電体層２として、ターゲットとしては直径１
００ｍｍ　、厚さ５ｍｍの円盤で、Ａ１５ｏＳｉｓｏ　
（添数字は組成（原子％）を示す〉の焼結体を用い、真
空槽内にＡ　ｒ　／　Ｎ２混合ガス（Ｎｚ３０ｖｏ１％
）を導入し、圧力５ｍ　ＴｏｒｒになるようにＡ　ｒ　
／　Ｎ２混合ガス流量を調整した。放電電力１００Ｗ、
放電周波数１３．５６Ｍ）Ｉｚで高周波スパッタリング
を行い、誘電体層２としてＡ１４ｏＳ！４ｏＮ　２０透
明誘電体層１２００人を堆積した。

次に第１の記録層３ａとして、ターゲットを前述の例と
同じＧｄ２ｔＦｅｑ、ＣＯ２４合金の円盤に変えスパッ
タリ〉′グガスを純Ａｒ＜５Ｎ）とする以外は上述と同
様の放電条件でＧｄ２１Ｆｅ、ｓＣＯ□ａ合金膜を約１
０ＯＡ堆積した。

さらに、第１の記録層と交換結合した第２の記録層３ｂ
として、ターゲツトＮｄ９Ｄ３’２Ｊｅ４ｑＣＯｘ７合
金の円盤に変え、上述と同様の放電条件で前の例とは異
なるＮｄ９Ｄｙ２Ｊｅ４．Ｃｏｔ７合金膜を約１５０人
堆積した。

続いて、裏面透明誘電体層５として、ターゲットをＡｌ
Ｓｉに戻し、スパッタリングガスをＡｒ／Ｎ２混合ガス
（Ｎ２３０ＶＯＩ％）に変え、透明誘電体層２と同様の
放電条件でＡ１４ｏＳｉ４ｏＮｚｏ透明誘電体層を３５
０人堆積した。

ｉＩＬ後に、前述の実験例１〜１６と同様に、種々の組
成からなる金属反射膜４を形式した。すなわち、ターゲ
ットとしては直径１００ｍｍ　、厚さ５ｍｍのＡｔ、　
Ａｇの円盤上にＡｕ、　Ｔｉのチップ＜５Ｘ５Ｘ１ｍｍ
）を適宜適当数配置し、スパッタリングガスを純Ａｒと
する以外は上述と同様の放電条件で、金属反射層４とし
て表４に示すところの実施例２９〜４２゜比較例７，８
の組成の金属膜もしくは合金膜を約５００Ａ堆積した。

この積層体をスパッタリング装置から取出し、実施例１
〜１４と全く同じ方法で約２０μｍの有機保護層６を設
けた。

以上の順序で、第３図に示すところのＮｄＤｙＦｅＣ。

を第２の記録層とした光磁気ディスクを得た。

実施例１〜１４と同様の評価条件で、最適記録パワーＰ
ｗ　、及びＣ／Ｎの測定を行った。結果を表４の各欄に
示す。

［比較例９］ 以下のようにして基板上に第４図に示すｍ戒の記録層に
高感度のＮｄＤｙＦｅＣｏ合金単層膜を用いた光磁気記
録媒体を作成し評価した。図において１は基板、２は透
明誘電体層、３は記録層、５は裏面透明誘電体層、４は
金属反射層、６は有機保護層である。

直径１３０ｍｍ　、厚さ１．２ｍｍの円盤で、１．６μ
ｍピッチのグループを有するポリカーボネート樹脂＜ｐ
ｃ＞のディスク基板１を３ターゲツトの高周波マグネト
ロンスパッタ装置くアネルバ■製５ＰＦ４３０Ｈ型〉の
真空槽内に固定し、４×王０−７Ｔｏｒｒになるまで排
気する。なお、膜形成において基板１は１５ｒｐｍで回
転させた。

まず透明誘電体層２として、ターゲットとしては直径１
００ｍｍ　、厚さ５ｍｍの円盤で、Ａ１５ｏＳｉｓｏ　
（添数字は組成（原子％）を示す〉の焼結体を用い、真
空槽内にＡｒ／Ｎ２混合ガス（Ｎ２３０ＶＯＩ％）を導
入し、圧力５ｍＴｏｒｒになるようにＡ　ｒ　／　Ｎ２
混合ガス流量を調整した。放電電力１００Ｗ、放電周波
数１３．５６ＭＨｚで高周波スパッタリングを行い、誘
電体層２としてＡ　ｌ　４０　Ｓ　１４０　Ｎ　２０透
明誘電体層１２０ＯＡを堆積した。

次に記録層３として、ターゲットをＮｄ、Ｄ３’２９Ｆ
ｅ４ｓＣＯｔ７合金の円盤に変えスパッタリングガスを
純Ａｒ〈５Ｎ）とする以外は上述と同様の放電条件でＮ
ｄ、Ｄ７２ｅＦｅａｓＣＯｘｙ合金膜を約２５０Ａ堆積
した。

続いて、裏面透明誘電体層５として、ターゲットをＡｌ
Ｓｉに戻し、スパッタリングガスをＡｒ／Ｎ２混合ガス
（Ｎ２３０　ｖｏ１％）に変え、透明誘電体層２と同様
の放電条件でＡ１４ｏＳｔ４ｏＮ２ｏ透明誘電体層を３
５０Ａ堆積した。

最後に、ターゲットをＡ１の円盤上にＡｌ１、　Ｔｉの
チップ（５Ｘ　５　Ｘ　１　ｍｍ　）を適当数配置した
ものとし、スパッタリングガスを純Ａ「とする以外は上
述と同様の放電条件で、金属反射層４としてＡ１１．Ａ
ｕ７Ｔｉｚ合金膜を約５００Ａ堆積した。

この積層体をスパッタリング装置から取出し、実施例１
〜１４と全く同じ方法で、約２０μｍの有機保護層６を
設けた。

以上の順序で、第４図に示すところの積層体、すなわち
光磁気記録媒体を得た。

実施例１〜１４と同様の評価条件で、最適記録パワーＰ
ｗ　、及びＣ／Ｎの測定を行った。結果を表４の比較例
９に示す。

表　　４ さらに、以上の比較例１〜９．実施例１〜４２全てのサ
ンプルについて、８０℃、８５％ＲＨの高温高温雰囲気
中に５００時間放置する加速劣化試験を行ったところ、
比較例１〜９のサンプルでは、膜の腐食によると思われ
る白ぬけ部分く膜が透明化〉やピンホールが多数発生し
ていた。これに対し実施例１〜４２では、このような白
ぬけやピンホールは全く発生していなかった。すなわち
本発明により耐久性も向上することが確認された。

以上実施例及び比較例より、本発明の特定の光学特性及
び熱伝達特性を有する金属反射層、具体的にはＡｌＡｕ
合金、　ＡｇＡｕ合金あるいはこれらにＴｉ等の特定元
素を添加した金属反射層を設け、かつ交換結合させた複
層の光磁気記録層の合計膜厚を１５０〜６００人とした
光磁気記録媒体では、従来の構成の媒体に比べ、高感度
でＣＮ比及び耐久性の向上が実現できることがわかった
。

【図面の簡単な説明】

第１図は実施例１〜１４、比較例１，２の、第２図は比
較例３、第３図は実施例１５〜４２．比較例４，５，７
．８、第４図は比較例６，９の積層構成の説明図である
。 に基板、２：透明誘電体層、３．３ａ、　３ｂ：記録層
、４：金属反射層、５：裏面透明誘電体層、６：有機保
護層

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、光磁気記録層が交換結合した組成の異なる２層以上
   の希土類元素と遷移金属元素との合金磁性薄膜の積層体
   からなる光磁気記録媒体において、前記光磁気記録層の
   膜厚が１５０Å以上６００Å以下であり、その光入射側
   と反対側に屈折率ＮがＮ≦３．５、光吸収係数ＫがＫ≧
   ３．５、熱伝導率が２０〜１００Ｗ／（ｍ・Ｋ）（Ｗ：
   ワット、ｍ：メートル、Ｋ：絶対濃度）の金属反射膜を
   設けたことを特徴とする光磁気記録媒体。 ２、前記金属反射膜の屈折率ＮがＮ≦２．５で、その光
   吸収係数Ｋが４．５≦Ｋ≦８．５である請求項１記載の
   光磁気記録媒体。 ３、前記金属反射膜がＡｌＡｕ合金もしくはＡｇＡｕ合
   金である請求項１もしくは２記載の光磁気記録媒体。 ４、前記金属反射膜中のＡｕの含有量が０．５〜２０ａ
   ｔ％（原子％）である請求項３記載の光磁気記録媒体。 ５、前記金属反射膜が、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、
   Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｉｒ
   の群から選ばれた１種以上の特定元素を含有したＡｌＡ
   ｕ合金もしくはＡｇＡｕ合金からなる請求項１〜４記載
   のいずれかの光磁気記録媒体。 ６、前記ＡｌＡｕ合金もしくはＡｇＡｕ合金のＡｌ含有
   量が０．５〜１０ａｔ％で、前記特定元素の含有量が０
   ．３〜５．０ａｔ％である請求項５記載の光磁気記録媒
   体。 ７、前記光磁気記録層が、第１磁性層、第２磁性層の２
   層を順次積層した積層体であり、第２磁性層は第１磁性
   層より保磁力が高く、キュリー温度が低い磁性層であり
   、第１磁性層、第２磁性層それぞれの膜厚ｄ１、ｄ２が
   、１５０Å≦ｄ１＋ｄ２≦６００Å、かつｄ１＜ｄ２を
   満足する請求項１〜６記載のいずれかの光磁気記録媒体
   。 ８、前記第１磁性層の保磁力が２０００エルステッド以
   下で、そのキュリー温度が１００℃以上である請求項７
   記載の光磁気記録媒体。