JP2003242697A - 光磁気記録媒体に記録された情報の再生方法及び光磁気記録再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、光磁気記録媒体上に高密度記録さ
れた情報を正確に再生可能な情報の再生方法を提供する
ことを目的とする。 【解決手段】 光磁気記録媒体上に記録された情報の再
生方法であって、光磁気記録媒体は磁性再生層１８´
と、磁性再生層１８´上に積層された磁性制御層２０´
と、磁性制御層２０´上に積層された磁性記録層２２と
を含んでいる。情報の再生方法は、バイアス磁界を印加
しながら記録媒体にレーザビームを照射して、記録層の
キュリー温度以下に記録媒体を加熱するステップを含ん
でいる。これにより、ビームスポット内に再生層の磁化
がバイアス磁界方向を向く第１領域と、記録層の磁化状
態が交換結合によって制御層と再生層に転写される第２
領域と、制御層がキュリー温度以上となり再生層の磁化
方向がバイアス磁界方向を向く第３領域とからなる温度
分布が形成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は高密度光磁気記録媒
体に記録された情報の再生方法及び光磁気記録再生装置
に関する。

【０００２】光磁気ディスクは高密度記録媒体として知
られているが、情報量の増大に伴いさらなる高密度化が
要望されている。高密度化は記録マークの間隔を詰める
ことによって実現できるが、その記録、再生は、媒体上
の光ビームの大きさ（ビームスポット）によって制限さ
れる。

【０００３】ビームスポット内に一つの記録マークしか
存在しないように設定した場合、記録マークがあるかな
いかによって“１”，“０”に対応する出力波形が再生
信号として観測できる。

【０００４】しかし、記録マークの間隔を詰めてビーム
スポット内に複数個存在するようにすると、媒体上のビ
ームスポットが移動しても再生出力に変化が生じないた
め、出力波形は直線となって記録マークの有り無しを識
別できなくなる。

【０００５】このようなビームスポット以下の周期を持
つ小さな記録マークを再生するためには、ビームスポッ
トを小さく絞れば良いが、ビームスポットの大きさは光
源の波長λと対物レンズの開口数ＮＡとで制約され、十
分に小さく絞ることはできない。

【０００６】

【従来の技術】最近、現行の光学系をそのまま利用して
ビームスポット以下の記録マークを再生する磁気誘導超
解像技術を利用した再生方法が提案されている。これ
は、ビームスポット内の一つのマークを再生していると
き他のマークをマスクすることで再生分解能を上げた再
生方法である。

【０００７】このため超解像ディスク媒体には、マーク
を記録するための記録層以外に信号再生時に一つのマー
クのみが再生されるように他のマークを隠しておくため
のマスク層又は再生層が最低必要となる。

【０００８】再生層に垂直磁化膜を用いた光磁気記録媒
体が特開平３−８８１５６号で提案されている。しか
し、この公開公報に記載された従来技術では、再生層を
初期化するために数キロエールステッド程度の初期化磁
界が必要であるため、装置を小型化できないという問題
がある。

【０００９】一方、再生層に室温で面内方向に磁化容易
軸を有し所定温度以上では垂直方向の磁化容易軸を有す
る磁性膜を用いた光磁気記録媒体が特開平５−８１７１
７号で提案されている。

【００１０】この従来技術の再生原理を図７を参照して
簡単に説明する。図７（Ｃ）に示すように、光磁気ディ
スク２は透明基板４上に磁性再生層６及び磁性記録層８
を積層して構成されている。

【００１１】磁性再生層６は室温では面内方向に磁化容
易軸を有しているが、再生パワーが照射されて所定温度
以上になると磁化容易軸が垂直方向に変化する。磁性記
録層８は垂直磁化膜である。符号１０は光ビームを示し
ている。

【００１２】光ビームの強度分布は図７（Ａ）に示すよ
うにガウス分布をしているため、ディスクが静止してい
る場合にはディスク上の温度分布も中心部分が周辺部分
よりも高温となっている。

【００１３】しかし実際には、ディスク２が矢印Ｒ方向
に回転しているため、ディスク上の温度分布は図７
（Ｂ）に示すようにビームスポット内のディスク移動方
向前方側が高温となっている。

【００１４】このように温度分布が生じているため、ビ
ームスポット内の温度が低い領域では磁性再生層６の磁
化容易軸が面内方向を向いているので、反射光のカー回
転角は殆ど零となる。高温領域では、磁性再生層６の磁
化容易軸は面内方向から垂直方向へと変化する。

【００１５】このとき磁性再生層６の垂直磁化は、磁性
記録層８の磁化と交換力によって結合し磁性記録層８の
磁化方向に揃うため、磁性記録層８に記録した磁化を磁
性再生層６に転写することができる。この転写領域の広
さは、再生レーザビームパワー或いはディスクの回転に
よって変えることができる。

【００１６】このように磁性再生層のマスクの大きさを
一つの記録マークだけを再生できるように制御すること
によって、ビームスポットの面積を実質的に縮小したの
と同じ効果を得ることができ、解像度が向上し高密度記
録・再生を実現できる。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、ディ
スク２に照射されるレーザビーム１０の強度分布はガウ
ス分布をしており、ディスク２は矢印Ｒ方向に回転して
いるため、磁性再生層６上には低温領域と高温領域が生
じ、高温領域はディスク上に形成されたビームスポット
の下流側即ち後方側にシフトする。

【００１８】このように情報を再生するビームスポット
内の高温領域が下流側にシフトするため、レーザビーム
の強度が相対的に弱くなり、特開平５−８１７１７号に
記載された従来技術では大きな光磁気信号を得られない
という問題がある。

【００１９】また、光学マスクがビームスポット内の上
流側にのみ形成されるので、情報を再生する開口部の大
きさを余り小さく絞ることができない。

【００２０】よって本発明の目的は、光磁気記録媒体上
に高密度記録された情報を正確に再生可能な情報の再生
方法及び光磁気記録再生装置を提供することである。

【００２１】

【課題を解決するための手段】本発明によると、膜面に
対して垂直方向の磁化容易軸を有する再生層と、該再生
層上に設けられた室温で面内方向に磁化容易軸を示し、
希土類の磁気モーメントが優勢で、かつ少なくとも希土
類金属としてＧｄを含み遷移金属としてＦｅを含みキュ
リー温度まで補償温度を有さず、さらにＳｉからなる非
磁性材料を１０〜６０ａｔ％含む制御層と、該制御層上
に設けられた膜面に対して垂直方向の磁化容易軸を有す
る記録層とを具備し、前記再生層、制御層、記録層のキ
ュリー温度をそれぞれＴｃ１，Ｔｃ２，Ｔｃ３とし、室
温における前記再生層及び記録層の保磁力をそれぞれＨ
ｃ１，Ｈｃ３とするとき、各磁性層のキュリー温度が、
Ｔｃ１＞Ｔｃ２及びＴｃ３＞Ｔｃ２の関係を満たし、前
記再生層と前記記録層の室温における保磁力が、Ｈｃ３
＞Ｈｃ１関係を満たす光磁気記録媒体に記録された情報
の再生方法であって、バイアス磁界を印加しながら前記
記録媒体にレーザビームを照射して、前記記録層のキュ
リー温度以下に前記記録媒体を加熱し、ビームスポット
内に前記再生層の磁化がバイアス磁界方法を向く第１領
域と、前記記録層の磁化状態が交換結合によって前記制
御層と前記再生層に転写される第２領域と、前記制御層
がキュリー温度以上となり前記再生層の磁化方向がバイ
アス磁界方向を向く第３領域とからなる温度分布を形成
することを特徴とする光磁気記録媒体に記録された情報
の再生方法が提供される。

【００２２】再生層、制御層及び記録層を有する本発明
の光磁気記録媒体に記録された情報を再生する場合、記
録媒体上に形成されたビームスポット内で生じる温度勾
配を利用し、より小さなマークを正確に再生することを
特徴としている。

【００２３】ビームスポット内で温度が低い領域（第１
領域）では再生層の磁化は再生バイアス磁界方向を向い
てアップスピンマスク又はダウンスピンマスクが形成さ
れ、制御層のキュリー温度以上の高温領域（第３領域）
では制御層の磁化が消滅し、再生層の磁化が再生バイア
ス磁界方向を向いてアップスピンマスク又はダウンスピ
ンマスクが形成される。

【００２４】中間温度領域（第２領域）では、記録層の
磁化方向が制御層を介して再生層に転写され、記録層に
記録された情報を再生することができる。

【００２５】即ち、磁気光学的出力を差動検出した場
合、ビームスポット内において温度の低い領域と高い領
域はマスクとして働き、この部分での光磁気信号を読み
出すことはなく、中間温度領域だけの光磁気信号を読み
出すことができる。従って、レーザ波長の回折限界以下
の大きさのマークを正確に読み出すことができる。

【００２６】本発明の他の側面によると、光磁気記録媒
体に情報を記録再生する光磁気記録再生装置であって、
バイアス磁界を前記光磁気記録媒体に印加する手段と、
レーザビームを前記光磁気記録媒体に照射する光学ヘッ
ドと、前記光磁気記録媒体で反射された反射光から再生
信号を生成する光検出器とを具備し、前記光磁気記録媒
体は、膜面に対して垂直方向の磁化容易軸を有する再生
層と、該再生層上に設けられた室温で面内方向に磁化容
易軸を示し、希土類の磁気モーメントが優勢で、かつ少
なくとも希土類金属としてＧｄを含み遷移金属としてＦ
ｅを含みキュリー温度まで補償温度を有さず、さらにＳ
ｉからなる非磁性材料を１０〜６０ａｔ％含む制御層
と、該制御層上に設けられた膜面に対して垂直方向の磁
化容易軸を有する記録層とを具備し、前記再生層、制御
層、記録層のキュリー温度をそれぞれＴｃ１，Ｔｃ２，
Ｔｃ３とし、室温における前記再生層及び記録層の保磁
力をそれぞれＨｃ１，Ｈｃ３とするとき、各磁性層のキ
ュリー温度が、Ｔｃ１＞Ｔｃ２Ｔｃ３＞Ｔｃ２関係を満
たし、前記再生層と前記記録層の室温における保磁力
が、Ｈｃ３＞Ｈｃ１関係を満たすことを特徴とする光磁
気記録再生装置が提供される。

【００２７】

【発明の実施の形態】図１を参照して、本発明実施形態
の光磁気記録媒体の構成を説明する。１２ｄは光磁気記
録媒体であり、通常はディスク形状をしている。ガラス
等の透明基板１４上に例えばスパッタリングによりＳｉ
Ｎ等からなる誘電体層１６が積層されている。誘電体層
１６はその上に積層される磁性層の酸化及び腐食を防止
する。

【００２８】透明基板１４としては、ポリカーボネー
ト、ポリメチルメタクリレート、アモルファスポリオレ
フィン等の樹脂が採用可能である。また、誘電体層１６
としては、ＡｌＮ等の金属窒化物、ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ
３等の金属酸化物及びＺｎＳ等の金属硫化物が採用可能
である。

【００２９】誘電体層１６上にはＧｄＦｅＣｏ等の希土
類−遷移金属非晶質合金膜から形成された磁性再生層１
８′が積層されている。磁性再生層１８′は基板１４に
対して垂直方向に磁化容易軸を有している。

【００３０】磁性再生層１８′上にはＧｄＦｅＣｏ等の
希土類−遷移金属非晶質合金膜から形成された磁性制御
層２０′が積層されている。磁性制御層２０′は、室温
では面内方向に磁化容易軸を有している。

【００３１】磁性制御層２０´上にはＴｂＦｅＣｏ等の
希土類−遷移金属非晶質合金膜から形成された磁性記録
層２２が積層されている。磁性記録層２２は基板１４に
対して垂直方向に磁化容易軸を有している。

【００３２】再生層１８′，制御層２０′及び記録層２
２のキュリー温度をそれぞれＴｃ１，Ｔｃ２，Ｔｃ３と
すると、各磁性層のキュリー温度はＴｃ２＜Ｔｃ１及び
Ｔｃ２＜Ｔｃ３の関係を満たしている。

【００３３】また再生層１８′及び記録層２２の室温に
おける保磁力をＨｃ１及びＨｃ３とすると、Ｈｃ１＜Ｈ
ｃ３の関係を満たす必要がある。

【００３４】再生層１８′はＴｂＧｄＦｅＣｏの非晶質
合金膜から形成することができ、制御層２０′はＧｄＦ
ｅの非晶質合金膜から形成することが可能である。ま
た、好ましくは、制御層２０′にはＳｉ，Ａｌ，Ｔｉか
らなる群から選択される非磁性材料が添加される。

【００３５】磁性記録層２２上には保護膜２４が積層さ
れて光磁気記録媒体１２ｄが完成する。この保護膜２４
は、空気中からの水や酸素或いはハロゲン元素のような
物質の侵入を防止し、磁性記録層２２を保護する目的で
設けられる。

【００３６】保護膜２４は、ＳｉＮ，ＡｌＮ等の金属窒
化物、ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３等の金属酸化物及びＺｎＳ
等の金属硫化物から形成される。

【００３７】図２を参照すると、本発明の情報の再生方
法に採用可能な光磁気ディスク装置の概略図が示されて
いる。光磁気ディスク３０は透明基板１４上に３層膜の
磁性層２８を積層して構成されている。光磁気ディスク
３０はスピンドルモータ３２により回転される。

【００３８】符号３４は電磁石駆動回路３６により駆動
される電磁石であり、所定方向のバイアス磁界を光磁気
ディスク３０に印加する。バイアス磁界の方向は電磁石
３４に流す電流の方向によって上向きと下向きの間で切
り替えられる。

【００３９】或いは、３４は、数百エルステッド程度の
磁界を発生する小型の永久磁石で代用することも可能で
ある。この場合、バイアス磁界の方向は磁石のＳ，Ｎ極
を１８０°回転させることによって切り替えられる。

【００４０】信号発生回路３８で書き込むべきデータ信
号が発生され、レーザ駆動回路４０に入力される。これ
により、レーザ駆動回路４０はレーザダイオード４２を
データ信号に応じて変調駆動する。

【００４１】レーザダイオード４２で発生されたレーザ
ビームはコリメータレンズ４４でコリメートされてか
ら、ビームスプリッタ４６を透過して対物レンズ４８に
より光磁気ディスク３０の磁性層２８上にフォーカスさ
れる。

【００４２】電磁石３４により所定方向にバイアス磁界
を印加しながら、レーザダイオード４２を駆動してレー
ザビームを光磁気ディスク３０の磁性層２８に照射する
ことにより、データ信号がディスク３０に書き込まれ
る。

【００４３】一方、光磁気ディスク３０に記録された情
報（データ信号）を再生する場合には、電磁石３４で所
定方向のバイアス磁界を印加しながら、レーザダイオー
ド４２を駆動して光磁気ディスク３０に再生ビームパワ
ーを照射する。

【００４４】光磁気ディスク３０からの反射光は対物レ
ンズ４８でコリメートされてから、ビームスプリッタ４
６で反射され、検光子５０を通過してレンズ５２により
光検出器５４に集光され、光磁気ディスク３０に記録さ
れた情報が電気信号として再生される。

【００４５】次に図３を参照して、本実施形態のデータ
の消去方法を説明する。バイアス磁界Ｈｂを下向きに印
加しながらレーザビームを記録媒体に照射し、記録層２
２のキュリー温度以上に昇温することによって記録層２
２の磁化方向を下向きにする。

【００４６】レーザビームから遠ざかると、記録媒体は
室温まで降温される。室温では制御層２０′は面内磁化
膜となり、再生層１８′と記録層２２は磁気的に結合し
ていない状態になる。従って、再生層１８′の磁化は消
去用バイアス磁界程度の小さな磁界で下向きに揃う。

【００４７】次に図４を参照して、本実施形態のデータ
の書き込み方法について説明する。バイアス磁界Ｈｂを
消去方向とは逆向き、即ち上向きに印加しながら、記録
部分にのみ強いレーザビームを照射すると、データが記
録された部分の磁化のみ上向きになる。

【００４８】レーザビームから遠ざかると、記録媒体は
室温まで降温される。室温では、制御層２０′は面内磁
化膜となり、再生層１８′と記録層２２は磁気的に結合
していない状態になる。従って、再生層１８′の磁化は
バイアス磁界程度の小さな磁界で上向きに揃う。

【００４９】次に図５を参照して、本実施形態における
データのシングルマスク再生方法について説明する。ト
ラック６４上に照射されたビームスポット５８内には温
度がＴcopy以下の低温領域と、Ｔcopy以上で制御層２
０′のキュリー温度Ｔｃ２以下の高温領域が形成され
る。

【００５０】ビームスポット５８内の低温領域ではアッ
プスピンマスク６０が形成され、高温領域では開口部６
２が形成される。この状態は上述した特開平５−８１７
１７号のデータ再生時の状態に類似しており、開口部６
２を介して光磁気信号を読み出すことができる。

【００５１】再生レーザパワーを更に上げると、図６に
示したようにビームスポット５８内に再生層１８′の磁
化が再生バイアス磁界Ｈｒ方向を向く低温領域と、記録
層２２の磁化が交換結合によって制御層２０′及び再生
層１８′に転写される中間温度領域と、制御層２０′の
キュリー温度Ｔｃ２以上の高温領域が形成される。

【００５２】低温領域及び高温領域では、再生層１８′
の磁化方向がバイアス磁界Ｈｒに揃うアップスピンマス
ク６０，６８が形成され、２つのアップスピンマスク６
０，６８の間の中間温度領域に開口部６２が形成され
る。

【００５３】アップスピンマスク部６８では、記録媒体
が制御層２０′のキュリー温度Ｔｃ２以上に加熱されて
いるため、制御層２０′の磁化が無くなり、再生層１
８′と記録層２２は磁気的に結合していない状態であ
る。

【００５４】従って、再生層１８′は室温で保磁力が小
さいことからその磁化方向は再生用バイアス磁界Ｈｒの
方向を向くことになる。即ち、制御層２０′のキュリー
温度以上の温度領域では、再生層１８′の磁化は常に上
向きとなり、光磁気信号は出力されず一種のマスクとし
て機能する。

【００５５】従って、特開平５−８１７１７号に記載さ
れた従来方法に比較して非常に小さな開口部６２を形成
することができる。更に、ビームスポットの端に比べて
相対的にレーザ強度が強いビームスポット中心部に開口
部６２が形成されるので、大きな光磁気信号を得ること
ができる。

【００５６】実施例１ スパッタリング装置内にＴｂＦｅＣｏ、第１のＧｄＦｅ
Ｃｏ、第２のＧｄＦｅＣｏ及びＳｉのターゲットと１．
２μｍのトラックピッチを有するポリカーボネート基板
をセットし、スパッタリング装置のチャンバー内を１０
^-5Ｐａまで真空引きした。

【００５７】次に、以下の条件で基板上に膜厚７０ｎｍ
の窒化珪素をＤＣスパッタリング法で製膜した。この膜
は磁性層を酸化から保護する役目だけでなく、光磁気信
号を増大させるエンハンス効果も有している。

【００５８】ガス圧：０．３Ｐａ スパッタガス：アルゴン、窒素 分圧：アルゴン：窒素＝６：４ 投入電力：０．８ｋＷ 次に、再びチャンバー内を１０^-5Ｐａまで真空引きし、
以下の条件で上記窒化珪素膜の上に第１のＧｄＦｅＣ
ｏ、第２のＧｄＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏの順にＤＣスパ
ッタリング法で連続的に製膜した。

【００５９】ガス圧：０．５Ｐａ スパッタガス：アルゴン 投入電力：１ｋＷ 各磁性層の組成、膜厚及び磁気特性は表１に示す通りで
ある。

【００６０】

【表１】

【００６１】表１で補償温度「−」はキュリー温度以下
に補償温度を有していないことを示している。

【００６２】更に、記録層の上に１００ｎｍの膜厚を有
する窒化珪素膜を上記と同様の方法で製膜した。窒化珪
素膜は磁性膜を酸化から防止する役目をする。

【００６３】このようにして製造した光磁気ディスクの
記録特性を図２に示した装置を用いて調べた。使用した
レーザの波長は７８０ｎｍである。まず、光磁気ディス
クを全面消去、即ち初期化した。このときのレーザパワ
ーは９ｍＷとし、下向きのバイアス磁界を印加した。

【００６４】情報の記録はディスクを線速３ｍ／ｓｅｃ
で回転させながら初期化のときと反対方向の上向きのバ
イアス磁界を印加して、記録パワー４ｍＷ、周波数７．
５ＭＨｚ、発光デューティ比２６％で行った。ディスク
上に記録されたマークの長さは約０．４μｍである。

【００６５】次に、この光磁気ディスクの再生特性を調
べた。このとき印加する再生用バイアス磁界は上向きと
した。再生パワー１．５ｍＷでは、先に記録された信号
に対する光磁気信号の出力は得られなかった。これは再
生層１８′の全域がアップスピンマスクを形成している
ためと思われる。

【００６６】再生パワー１．６ｍＷでは、記録層２２の
磁化方向が制御層２０′を介して再生層１８′に転写さ
れ、光磁気信号の出力を得ることができた。これは、ビ
ームスポット内で記録層２２の磁化方向が制御層２０′
を介して再生層１８′に転写される温度以上の領域がで
きたために、アップスピンマスクと開口部が形成された
ためと思われる。このときの信号とノイズの比（Ｃ／
Ｎ）は４２ｄＢであった。

【００６７】再生パワー１．７ｍＷでは、記録層２２の
磁化はバイアス磁界の方向、即ち上方向に向き、制御層
２０′が記録層２２と交換結合する領域（開口部）の直
径が０．４μｍ程度となったために、４６ｄＢのＣ／Ｎ
を得ることができた。

【００６８】次に、再生層１８′の組成を他の組成でも
十分使用できるか否かについて検討を行った。その結
果、再生層１８′がＴｂＦｅＣｏまたはＤｙＦｅＣｏか
らなる材料では、保磁力が大きくなるため、バイアス磁
界程度の大きさでは再生層１８′の磁化方向を初期化で
きず、超解像再生を行うことができなかった。

【００６９】実施例２ 実施例１では再生層１８′としてＧｄＦｅＣｏからなる
材料を使用した。しかし、ＧｄＦｅＣｏ膜は垂直磁気異
方性を示す組成マージンは広くなく、組成制御が難しい
場合がある。そこで本実施例では、ＧｄＦｅＣｏに垂直
磁気異方性を大きくできるＴｂをわずかに添加すること
を試みた。実験は以下のように行った。

【００７０】スパッタリング装置内にＴｂＦｅＣｏ、Ｔ
ｂＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ及びＳｉのターゲットと
１．２μｍのトラックピッチを有するポリカーボネート
基板をセットし、スパッタリング装置のチャンバー内を
１０^-5Ｐａまで真空引きした。

【００７１】次に、以下の条件で基板上に膜厚７０ｎｍ
の窒化珪素をＤＣスパッタリング法で製膜した。この膜
は磁性膜を酸化から保護する役目だけでなく、光磁気信
号を増大させるエンハンス効果も有している。

【００７２】ガス圧：０．３Ｐａ スパッタガス：アルゴン、窒素 分圧：アルゴン：窒素＝６：４ 投入電力：０．８ｋＷ 次に、再びチャンバー内を１０^-5Ｐａまで真空引きし、
以下の条件で上記窒化珪素膜の上にＴｂＧｄＦｅＣｏ、
ＧｄＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏの順にＤＣスパッタリング
法で連続的に製膜した。

【００７３】ガス圧：０．５Ｐａ スパッタガス：アルゴン 投入電力：１ｋＷ 各磁性層の組成、膜厚及び磁気特性は表２に示す通りで
ある。

【００７４】

【表２】

【００７５】更に、記録層の上に１００ｎｍの膜厚を有
する窒化珪素膜を上記と同様の方法で製膜した。この窒
化珪素膜は磁性膜を酸化から防止する役目をする。

【００７６】このようにして製造した光磁気ディスクの
再生特性を実施例１と同様な条件で調べた。この時印加
した再生用バイアス磁界は上向きとした。再生パワー
１．４ｍＷでは、先に記録された信号に対する光磁気信
号の出力は得られなかった。これは、再生層１８′全域
がアップスピンマスクを形成しているためと思われる。

【００７７】再生パワー１．５ｍＷでは、記録層２２の
磁化方向が制御層２０′を介して再生層１８′に転写さ
れ、光磁気信号の出力を得ることができた。これは、ビ
ームスポット内で記録層２２の磁化方向が制御層２０′
を介して再生層１８′に転写される温度以上の領域がで
きたために、アップスピンマスクと開口部が形成された
ためと思われる。このときの信号とノイズの比（Ｃ／
Ｎ）は４２ｄＢであった。

【００７８】再生パワー１．６ｍＷでは、再生層１８′
の磁化はバイアス磁界の方向、即ち上方向に向き、制御
層２０′が記録層２２と交換結合する領域（開口部）の
直径が０．４μｍ程度となったために４６ｄＢのＣ／Ｎ
を得ることができた。

【００７９】このＣ／Ｎは実施例１とは変わらなかっ
た。これは、再生層１８′にＴｂを添加することによっ
て、磁気異方性が増大しノイズが低減した反面、ＧｄＦ
ｅＣｏにＴｂを添加したことで磁気光学効果が低下した
ためと考えられる。

【００８０】そして、これらの効果が相殺して実施例１
と同様な結果が得られたためと思われる。しかし、Ｔｂ
を添加することによって、再生層１８′の組成マージン
を広げることができる。

【００８１】実施例３ 制御層２０′の組成を検討するために、制御層２０′の
組成をそれぞれ面内磁化を示すＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅ
Ｃｏ、ＧｄＦｅＣｏと変化させた三層膜記録媒体を試作
し、その記録再生特性を調べた。ここで、記録条件は実
施例１と同様である。その結果を表３に示す。

【００８２】

【表３】

【００８３】これは、制御層２０′をＴｂＦｅＣｏ又は
ＤｙＦｅＣｏから形成した場合、記録再生特性がよくな
いことを示しており、制御層２０′の組成としてＧｄＦ
ｅＣｏが適していることが判明した。

【００８４】更に、制御層２０′に適しているＧｄＦｅ
Ｃｏ組成を検討した。制御層２０′をＧｄＦｅＣｏとし
た時の、Ｃｏの含有量を変化させた場合の再生特性を実
施例１２と同様な方法で測定を行った。その結果を表４
に示す。

【００８５】

【表４】

【００８６】この結果から、Ｃｏの含有量が０〜５ａｔ
％でＣ／Ｎがよくなっていることがわかる。これは、制
御層２０′のキュリー温度が低下し、レーザビームのス
ポットの後縁にもマスクが形成されたためにダブルマス
クとなり、分解能が上がったためであると考えられる。

【００８７】実施例４ 実施例３から制御層２０′のキュリー温度を下げるとダ
ブルマスクが形成され、Ｃ／Ｎが向上することが判明し
た。そこで、制御層２０′のキュリー温度を下げること
を目的として制御層２０′に非磁性金属を添加すること
を試みた。

【００８８】ＧｄＦｅＣｏに非磁性元素を添加した制御
層２０′を有する光磁気記録媒体を試作し、再生特性を
調べた。再生特性は実施例１と同様な方法で測定を行っ
た。その結果を表５に示す。

【００８９】

【表５】

【００９０】以上の結果から制御層２０′に非磁性材料
を添加することが有効であることが判明した。次に、制
御層２０′に添加する非磁性材料をＳｉとし、Ｓｉの添
加量の変化に対する再生特性の変化について検討した。

【００９１】ここで、再生層１８′、制御層２０′及び
記録層２２の組成や膜厚は実施例１と同様である。即
ち、制御層２０′の組成はＧｄ３９Ｆｅ５６Ｃｏ５ で
ある。この組成にＳｉを添加することにした。Ｓｉの量
はＧｄＦｅＣｏからなる制御層２０′のターゲット上に
置くＳｉチップの数を変えることによって行った。その
結果を表６に示す。

【００９２】

【表６】

【００９３】この結果から、Ｓｉの含有量が１０〜６０
ａｔ％の広い範囲で高いＣ／Ｎが得られることが判明し
た。また、Ｓｉの含有量が７０ａｔ％以上では、再生層
１８′と記録層２２の交換結合力が小さくなるためにＣ
／Ｎが低下する。

【００９４】

【発明の効果】本発明によると、光磁気記録媒体上に高
密度記録された情報を正確に再生可能な情報の再生方法
を提供することができ、さらに再生すべきマークに隣接
するマークを完全にマスクして再生出力の向上を図るこ
とができるという効果を奏する。また、クロストークも
改善される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明実施形態の光磁気記録媒体の構成図であ
る。

【図２】光磁気ディスク装置の概略構成図である。

【図３】データの消去を説明する図である。

【図４】データの書き込みを説明する図である。

【図５】シングルマスク再生方法を説明する図であり、
（Ａ）が平面図を、（Ｂ）が記録媒体の縦断面図をそれ
ぞれ示している。

【図６】実施形態のデータの再生方法を説明する図であ
り、（Ａ）が平面図を、（Ｂ）が記録媒体の縦断面図を
それぞれ示している。

【図７】従来例の再生原理を説明する図である。

【符号の説明】

１４ 透明基板 １６ 誘電体層 １８′ 再生層 ２０′ 制御層 ２２ 記録層 ２４ 保護膜 ５８ ビームスポット ６０ アップスピンマスク ６２ 開口部 ６８ アップスピンマスク

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 膜面に対して垂直方向の磁化容易軸を有
   する再生層と、該再生層上に設けられた室温で面内方向
   に磁化容易軸を示し、希土類の磁気モーメントが優勢
   で、かつ少なくとも希土類金属としてＧｄを含み遷移金
   属としてＦｅを含みキュリー温度まで補償温度を有さ
   ず、さらにＳｉからなる非磁性材料を１０〜６０ａｔ％
   含む制御層と、該制御層上に設けられた膜面に対して垂
   直方向の磁化容易軸を有する記録層とを具備し、前記再
   生層、制御層、記録層のキュリー温度をそれぞれＴｃ
   １，Ｔｃ２，Ｔｃ３とし、室温における前記再生層及び
   記録層の保磁力をそれぞれＨｃ１，Ｈｃ３とするとき、
   各磁性層のキュリー温度が、Ｔｃ１＞Ｔｃ２及びＴｃ３
   ＞Ｔｃ２の関係を満たし、前記再生層と前記記録層の室
   温における保磁力が、Ｈｃ３＞Ｈｃ１関係を満たす光磁
   気記録媒体に記録された情報の再生方法であって、 バイアス磁界を印加しながら前記記録媒体にレーザビー
   ムを照射して、前記記録層のキュリー温度以下に前記記
   録媒体を加熱し、 ビームスポット内に前記再生層の磁化がバイアス磁界方
   法を向く第１領域と、前記記録層の磁化状態が交換結合
   によって前記制御層と前記再生層に転写される第２領域
   と、前記制御層がキュリー温度以上となり前記再生層の
   磁化方向がバイアス磁界方向を向く第３領域とからなる
   温度分布を形成することを特徴とする光磁気記録媒体に
   記録された情報の再生方法。
2. 【請求項２】 光磁気記録媒体に情報を記録再生する光
   磁気記録再生装置であって、 バイアス磁界を前記光磁気記録媒体に印加する手段と、 レーザビームを前記光磁気記録媒体に照射する光学ヘッ
   ドと、 前記光磁気記録媒体で反射された反射光から再生信号を
   生成する光検出器とを具備し、 前記光磁気記録媒体は、 膜面に対して垂直方向の磁化容易軸を有する再生層と、 該再生層上に設けられた室温で面内方向に磁化容易軸を
   示し、希土類の磁気モーメントが優勢で、かつ少なくと
   も希土類金属としてＧｄを含み遷移金属としてＦｅを含
   みキュリー温度まで補償温度を有さず、さらにＳｉから
   なる非磁性材料を１０〜６０ａｔ％含む制御層と、 該制御層上に設けられた膜面に対して垂直方向の磁化容
   易軸を有する記録層とを具備し、 前記再生層、制御層、記録層のキュリー温度をそれぞれ
   Ｔｃ１，Ｔｃ２，Ｔｃ３とし、室温における前記再生層
   及び記録層の保磁力をそれぞれＨｃ１，Ｈｃ３とすると
   き、 各磁性層のキュリー温度が、 Ｔｃ１＞Ｔｃ２ Ｔｃ３＞Ｔｃ２ の関係を満たし、前記再生層と前記記録層の室温におけ
   る保磁力が、 Ｈｃ３＞Ｈｃ１ の関係を満たすことを特徴とする光磁気記録再生装置。