JPH03273544A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH03273544A JPH03273544A JP7421290A JP7421290A JPH03273544A JP H03273544 A JPH03273544 A JP H03273544A JP 7421290 A JP7421290 A JP 7421290A JP 7421290 A JP7421290 A JP 7421290A JP H03273544 A JPH03273544 A JP H03273544A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレーザー光を用いて情報の記録、再生、消去を
行う光磁気記録媒体に関するものである。
行う光磁気記録媒体に関するものである。
光磁気ディスクはレーザー光を用いて情報の記録、再生
及び消去を行うため記憶容量が大きく、しかも記録膜に
磁性体を用いているため書換えが可能である。又非接触
で記録、再生が出来、塵埃の影響を受けないことから安
定性にも優れている。
及び消去を行うため記憶容量が大きく、しかも記録膜に
磁性体を用いているため書換えが可能である。又非接触
で記録、再生が出来、塵埃の影響を受けないことから安
定性にも優れている。
この光磁気記録層(以下記録層と記す)に用いる材料と
してはTbFeCo、 NdDyFeCo、TbDyF
eCo等の希土類−遷移金属(RE−丁M)非晶質合金
が知られており、これらの非晶質合金は5粒界ノイズが
無く。
してはTbFeCo、 NdDyFeCo、TbDyF
eCo等の希土類−遷移金属(RE−丁M)非晶質合金
が知られており、これらの非晶質合金は5粒界ノイズが
無く。
スパッタリング等を用いることによって容易に垂直磁化
膜が得られることから盛んに開発が行われており、現在
一部では商品化の段階に至っている。
膜が得られることから盛んに開発が行われており、現在
一部では商品化の段階に至っている。
この光磁気記録媒体の構成として、レーザー光の記録再
生効率を向上させるために記録層を200〜300Aの
厚さまで薄くし、その上に反射層を設ける方式が提案さ
れている(特公昭62−27458号公報等)。この場
合、反射層は反射率が高いことが望ましく、そのような
構成材料としてはAQ、 Ag、 Au、Cu等の金属
が挙げられる。上記方式はカー効果とファラデー効果の
両方が利用できるためC/Nやジッダマージンが大きく
とれるという点で優れている。
生効率を向上させるために記録層を200〜300Aの
厚さまで薄くし、その上に反射層を設ける方式が提案さ
れている(特公昭62−27458号公報等)。この場
合、反射層は反射率が高いことが望ましく、そのような
構成材料としてはAQ、 Ag、 Au、Cu等の金属
が挙げられる。上記方式はカー効果とファラデー効果の
両方が利用できるためC/Nやジッダマージンが大きく
とれるという点で優れている。
しかしながら、上記従来技術には以下のような問題点が
あった。
あった。
反射層の材料としてAu、 Ag、A!i、Cu等のよ
うな、記録再生光であるレーザー光に対して反射率の高
い材料を用いた場合、C/N +特にキャリアレベルが
大きくなるが、Au−Ag、 Cuのように熱伝導率も
高い材料は、記録時に反射層においてレーザー光照射に
よる熱が拡散してしまい、反射層を用いない構成の媒体
に比べて記録感度が大幅に低下してしまうといった欠点
を有している。このため、反射率の高い上記の材料の中
でも比較的熱伝導率が小さい脚が現在一般に用いられて
いる。ところが、光磁気記録媒体の高速化に対応した記
録用レーザーパワーを考慮するとAQ反射層では感度上
十分とは言えない。又、肝反射層の場合、高温高湿度な
環境条件下において、酸化によって反射率が変化し、C
/Nが低下したり、孔食の発生によってエラーレートが
増加したりしてしまうといった欠点がある。
うな、記録再生光であるレーザー光に対して反射率の高
い材料を用いた場合、C/N +特にキャリアレベルが
大きくなるが、Au−Ag、 Cuのように熱伝導率も
高い材料は、記録時に反射層においてレーザー光照射に
よる熱が拡散してしまい、反射層を用いない構成の媒体
に比べて記録感度が大幅に低下してしまうといった欠点
を有している。このため、反射率の高い上記の材料の中
でも比較的熱伝導率が小さい脚が現在一般に用いられて
いる。ところが、光磁気記録媒体の高速化に対応した記
録用レーザーパワーを考慮するとAQ反射層では感度上
十分とは言えない。又、肝反射層の場合、高温高湿度な
環境条件下において、酸化によって反射率が変化し、C
/Nが低下したり、孔食の発生によってエラーレートが
増加したりしてしまうといった欠点がある。
本発明は以上のような従来技術の問題点を解決するため
になされたもので、記録感度及び再生C/Nが高く、か
つ経時安定性に優れた反射層タイプの光磁気記録媒体を
提供することを目的とする。
になされたもので、記録感度及び再生C/Nが高く、か
つ経時安定性に優れた反射層タイプの光磁気記録媒体を
提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段及び作用〕本発明者は上記
目的を達成すべく鋭意検討を重ねた結果、反射層をNi
Cr合金薄膜で構成することによって、記録感度が高く
かつキャリアレベルが高く、シかも経時安定性に優れた
光磁気記録媒体が得られることを見出し5本発明を完成
するに至った。
目的を達成すべく鋭意検討を重ねた結果、反射層をNi
Cr合金薄膜で構成することによって、記録感度が高く
かつキャリアレベルが高く、シかも経時安定性に優れた
光磁気記録媒体が得られることを見出し5本発明を完成
するに至った。
即ち、本発明によれば、透明な基板上に少なくとも干渉
層、光磁気記録層および反射層が順次積層されてなる光
磁気記録媒体において、前記反射層がNiCr合金薄膜
からなることを特徴とする光磁気記録媒体が提供される
。
層、光磁気記録層および反射層が順次積層されてなる光
磁気記録媒体において、前記反射層がNiCr合金薄膜
からなることを特徴とする光磁気記録媒体が提供される
。
以下本発明を図面に基づき詳細に説明する。
第1図は本発明による反射層タイプの光磁気記録媒体の
一構成例を示す断面図である。この媒体はプリグループ
付の透明な基板1上に干渉層2、記録層3及び反射層4
を順次積層して構成されている。
一構成例を示す断面図である。この媒体はプリグループ
付の透明な基板1上に干渉層2、記録層3及び反射層4
を順次積層して構成されている。
本発明の光磁気記録媒体の構成上の特徴は、反射層4を
NiCr合金薄膜で構成した点にある。
NiCr合金薄膜で構成した点にある。
本発明の光磁気記録媒体を構成する材料及び各層の必要
特性について説明すると、先ず、透明基板1としてはポ
リカーボネート(pc)、ポリメチルメタクリレート(
PMMA)、アモルファスポリオレフィン(APO)等
の樹脂からなるプラスチック基板、又はアルミノ珪酸、
バリウム硼珪酸等のガラス上に溝付き樹脂を形成した基
板等が挙げられる。これらの基板は、ディスク形状をな
し、厚みが1.2@m程度のものが一般に使用される。
特性について説明すると、先ず、透明基板1としてはポ
リカーボネート(pc)、ポリメチルメタクリレート(
PMMA)、アモルファスポリオレフィン(APO)等
の樹脂からなるプラスチック基板、又はアルミノ珪酸、
バリウム硼珪酸等のガラス上に溝付き樹脂を形成した基
板等が挙げられる。これらの基板は、ディスク形状をな
し、厚みが1.2@m程度のものが一般に使用される。
記録層3としてはTbFeCo、 NdDyFeCo、
TbDyFeC。
TbDyFeC。
等の希土類金属と遷移金属との非晶質合金薄膜。
BaFJzOxs、CoFe2O4,(Bi、Y)、F
e50□2等の酸化物薄膜、MnB1、CoPt等の多
結晶合金薄膜が挙げられ、これらはいずれも膜面に垂直
な方向に磁化容易軸を有している、膜厚は合金薄膜の場
合、100〜1000人、好ましくは200〜400λ
である。酸化物薄膜の場合、多くは記録再生光に対して
透光性が大きいので特に膜厚に制約はないが+ 100
0〜5000λが適当である。又記録層3は単層膜に限
らず多層膜でも良い。
e50□2等の酸化物薄膜、MnB1、CoPt等の多
結晶合金薄膜が挙げられ、これらはいずれも膜面に垂直
な方向に磁化容易軸を有している、膜厚は合金薄膜の場
合、100〜1000人、好ましくは200〜400λ
である。酸化物薄膜の場合、多くは記録再生光に対して
透光性が大きいので特に膜厚に制約はないが+ 100
0〜5000λが適当である。又記録層3は単層膜に限
らず多層膜でも良い。
干渉層3は基板1と記録層3との間に設けられる。
干渉層3は、この層に屈折率の高い(1,8以上)透明
膜を用い、光の干渉効果によって磁気光学効果をエンハ
ンスメントさせ、又反射率を落とすことでノイズを低下
させ、C/Nを向上させることを目的として設けられる
。又、記録層3が希土類金属と遷移金属とからなる非晶
質合金薄膜により構成される場合には、酸化等の腐食を
防止する機能も兼ね備えていなければならない。即ち、
空気中や基板1からの水分や酸素の侵入を防ぎ、それ自
身の耐食性が高く、記録層3との反応性が小さいことが
必要であり、具体的な材料としては、5iO1Sin2
、Aff203、Ta2O,等の金属酸化物、84C,
SiC等の無機炭化物、ZrS等の金属硫化物が挙げら
れる。
膜を用い、光の干渉効果によって磁気光学効果をエンハ
ンスメントさせ、又反射率を落とすことでノイズを低下
させ、C/Nを向上させることを目的として設けられる
。又、記録層3が希土類金属と遷移金属とからなる非晶
質合金薄膜により構成される場合には、酸化等の腐食を
防止する機能も兼ね備えていなければならない。即ち、
空気中や基板1からの水分や酸素の侵入を防ぎ、それ自
身の耐食性が高く、記録層3との反応性が小さいことが
必要であり、具体的な材料としては、5iO1Sin2
、Aff203、Ta2O,等の金属酸化物、84C,
SiC等の無機炭化物、ZrS等の金属硫化物が挙げら
れる。
これらの材料は複合して用いても良く(例えば、5iA
QON、 5iZrN等)、また単層膜に限らず多NW
Aであっても良い。膜厚は屈折率によって最適値が異な
るが、通常300〜1500Å、好ましくは800−1
200人である。
QON、 5iZrN等)、また単層膜に限らず多NW
Aであっても良い。膜厚は屈折率によって最適値が異な
るが、通常300〜1500Å、好ましくは800−1
200人である。
反射層4は本発明の特徴となるもので、前述したように
、NiCr合金が構成材料として使用される。
、NiCr合金が構成材料として使用される。
NiとCrの組成比は30ニア0〜85:15程度が適
当である。
当である。
上記範囲外であると耐食性が著しく悪化したり、反射率
が低下するといった不都合が生じる6本発明のNiCr
反射層4は記録再生光(波長:830nm)に対する反
射率が65−80%、熱伝導率がO,15−0,3ca
L’cm・sec・℃であるため、みかけ上のカー回転
角を増大させ再生信号を大きくするとともに、記録時に
おけるレーザー光照射による熱の拡散を小さくシ記録感
度を向上させるように作用する。Nj Cr合全中には
さらに耐食性等の特性改善のため他の元素(阿n−Fe
等)を小量含有させても良い。反射層4の膜厚は200
〜1000Aが好ましく、300〜800Aが特に好ま
しい。膜厚が薄すぎた場合にはC/Nが低下し、厚すぎ
た場合には記録感度が低下する6基板1上に干渉層2.
記録層3及び反射層4を形成する手段としては、スパッ
タリング、イオンブレーティング等の物理蒸着法、プラ
ズマCvDのような化学蒸着法等が用いられる。又層構
成は第1図に示した構成以外に、記録N3と反射N4と
の間にさらに第2の干渉層5を設けたり(第2図)、反
射層4の上に保護層を設けたり、又それらの膜面どうし
を接着剤によって貼り合わせた両面記録タイプの構成で
も本発明の効果はそこなわれない。
が低下するといった不都合が生じる6本発明のNiCr
反射層4は記録再生光(波長:830nm)に対する反
射率が65−80%、熱伝導率がO,15−0,3ca
L’cm・sec・℃であるため、みかけ上のカー回転
角を増大させ再生信号を大きくするとともに、記録時に
おけるレーザー光照射による熱の拡散を小さくシ記録感
度を向上させるように作用する。Nj Cr合全中には
さらに耐食性等の特性改善のため他の元素(阿n−Fe
等)を小量含有させても良い。反射層4の膜厚は200
〜1000Aが好ましく、300〜800Aが特に好ま
しい。膜厚が薄すぎた場合にはC/Nが低下し、厚すぎ
た場合には記録感度が低下する6基板1上に干渉層2.
記録層3及び反射層4を形成する手段としては、スパッ
タリング、イオンブレーティング等の物理蒸着法、プラ
ズマCvDのような化学蒸着法等が用いられる。又層構
成は第1図に示した構成以外に、記録N3と反射N4と
の間にさらに第2の干渉層5を設けたり(第2図)、反
射層4の上に保護層を設けたり、又それらの膜面どうし
を接着剤によって貼り合わせた両面記録タイプの構成で
も本発明の効果はそこなわれない。
次に実施例をあげて本発明をさらに詳細に説明するが、
本発明はここに例示の実施例に限定されるものではない
。
本発明はここに例示の実施例に限定されるものではない
。
(実施例1〜3)
直径130m+++、厚さ1、2mmのプリグループ付
ポリカーボネート基板をスパッタリング装置の真空槽内
にセットし、5 X 10−’ Torr以下になるま
で真空排気した。次にArとN2との混合ガスを真空槽
内に導入し、圧力を5 X IF3Torrに調整し、
Siをターゲットとして放電電力2kW (4tl/
cm2)で高周波スパッタリングを行い、基板上に干渉
層としてSiN膜を1000A堆積した。続いて記録層
としてTbx□DyxzFebeCOe合金(添数字は
組成(原子%)を示す)をターゲットとし、て同様にス
パッタリングによってTbDyFeCo膜を25OA設
けた。更にCrチップを配置した〜1ターゲットをスパ
ッタリングし500 A厚のNiCr合金からなる反射
層を形成し、実施例1〜3の記録媒体とした。なお、反
射層中のCrの量はNiターゲッ1〜上のCrチップの
数をかえてm節し、表−1に示す反射膜組成とした。
ポリカーボネート基板をスパッタリング装置の真空槽内
にセットし、5 X 10−’ Torr以下になるま
で真空排気した。次にArとN2との混合ガスを真空槽
内に導入し、圧力を5 X IF3Torrに調整し、
Siをターゲットとして放電電力2kW (4tl/
cm2)で高周波スパッタリングを行い、基板上に干渉
層としてSiN膜を1000A堆積した。続いて記録層
としてTbx□DyxzFebeCOe合金(添数字は
組成(原子%)を示す)をターゲットとし、て同様にス
パッタリングによってTbDyFeCo膜を25OA設
けた。更にCrチップを配置した〜1ターゲットをスパ
ッタリングし500 A厚のNiCr合金からなる反射
層を形成し、実施例1〜3の記録媒体とした。なお、反
射層中のCrの量はNiターゲッ1〜上のCrチップの
数をかえてm節し、表−1に示す反射膜組成とした。
(比較例)
上記実施例と同様にして記録層までの形成を行い、その
上に反射層としてAQ膜をスパッタリングによって50
0人形威し、比較例の記録媒体とした。
上に反射層としてAQ膜をスパッタリングによって50
0人形威し、比較例の記録媒体とした。
以上のようにして作製した各記録媒体のCハ及び記録感
度を測定した。その結果を表−1に示す。
度を測定した。その結果を表−1に示す。
記録感度は2次歪みが最小になるときの記録パワーとし
た。なお、記録再生条件は以下の通りとした。
た。なお、記録再生条件は以下の通りとした。
記録条件: CAV 1800rpm、半径30mmの
iil!録位置。
iil!録位置。
記録周波数3.7MHz
再生条件: CAV 1800rpm、再生パワー1m
W表−1 表−1より、NiCr合金を反射層に用いた実施例の記
録媒体の場合、NiCrはAQに比べて熱伝導率が小さ
いため、肝を反射層に用いた比較例の記録媒体に比へ、
いずれも記録感度が向上していることがわかる。又、実
施例1と比較例の媒体の膜面どうしを接着剤によって貼
り合わせて、両面記録タイプの記録媒体を作成し、この
記録媒体について80℃、85%RHの環境条件下で寿
命の加速試験を行った。その結果を第3図に示す、この
試験の結果、比較例の記録媒体方は1000時間でビッ
トエラーレート(BER)が約1桁増加したにもかかわ
らず、実施例1の記録媒体の方は2000時間経過した
後もピットエラーレートに大きな変化は認められなかっ
た。
W表−1 表−1より、NiCr合金を反射層に用いた実施例の記
録媒体の場合、NiCrはAQに比べて熱伝導率が小さ
いため、肝を反射層に用いた比較例の記録媒体に比へ、
いずれも記録感度が向上していることがわかる。又、実
施例1と比較例の媒体の膜面どうしを接着剤によって貼
り合わせて、両面記録タイプの記録媒体を作成し、この
記録媒体について80℃、85%RHの環境条件下で寿
命の加速試験を行った。その結果を第3図に示す、この
試験の結果、比較例の記録媒体方は1000時間でビッ
トエラーレート(BER)が約1桁増加したにもかかわ
らず、実施例1の記録媒体の方は2000時間経過した
後もピットエラーレートに大きな変化は認められなかっ
た。
つまり本発明のように反射層にNiCr合金を用いた場
合、記録感度が向上するだけでなく経時安定性も改良さ
れることが確認された。
合、記録感度が向上するだけでなく経時安定性も改良さ
れることが確認された。
以上詳細に説明したように、本発明によれば、反射率が
高く熱伝導率の小さいNiCr合金を用いて反射層を構
成したので、記録感度及び再生C/Nが高く、かつ経時
安定性に優れた光磁気記録媒体の提供が可能となる。
高く熱伝導率の小さいNiCr合金を用いて反射層を構
成したので、記録感度及び再生C/Nが高く、かつ経時
安定性に優れた光磁気記録媒体の提供が可能となる。
第1図は本発明による光磁気記録媒体の層構成例を示す
断面図、第2図は本発明による光磁気記録媒体の別の層
構成例を示す断面図、第3図は実施例1及び比較例の記
録媒体の加速試験結果を示すグラフである。
断面図、第2図は本発明による光磁気記録媒体の別の層
構成例を示す断面図、第3図は実施例1及び比較例の記
録媒体の加速試験結果を示すグラフである。
Claims (1)
- (1)透明な基板上に少なくとも干渉層、光磁気記録層
および反射層が順次積層されてなる光磁気記録媒体にお
いて、前記反射層がNiCr合金薄膜からなることを特
徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7421290A JPH03273544A (ja) | 1990-03-23 | 1990-03-23 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7421290A JPH03273544A (ja) | 1990-03-23 | 1990-03-23 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03273544A true JPH03273544A (ja) | 1991-12-04 |
Family
ID=13540659
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7421290A Pending JPH03273544A (ja) | 1990-03-23 | 1990-03-23 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03273544A (ja) |
-
1990
- 1990-03-23 JP JP7421290A patent/JPH03273544A/ja active Pending
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