JPH0231352A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH0231352A JPH0231352A JP18215688A JP18215688A JPH0231352A JP H0231352 A JPH0231352 A JP H0231352A JP 18215688 A JP18215688 A JP 18215688A JP 18215688 A JP18215688 A JP 18215688A JP H0231352 A JPH0231352 A JP H0231352A
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- magneto
- layer
- optical recording
- tantalum oxide
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は記録媒体として好適な光磁気記録媒体に係り、
特に稀土類金属と遷移金属の合金とから成る磁性記録層
を有する光磁気記録媒体に関する。
特に稀土類金属と遷移金属の合金とから成る磁性記録層
を有する光磁気記録媒体に関する。
〔従来技術及び発明が解決しようとする課題〕現在、書
き換え可能の大容量ディスクメモリとして光磁気記録媒
体（以下「光磁気ディスク」とも記す）か注目を浴びて
おり、我が国においても精力的に開発が進められている
。中でも、希土嬰−遷移金属合金（以下、ＲＥ−ＴＩ４
とも記述する）からなる記録層を備えたものは、非晶質
であることから粒界ノイズが小さく、高品質の光磁気デ
ィスクとして最も期待されている。かかる光磁気ディス
ク（以下単に「ディスク」又は「媒体」とも記す）を使
用して情報の記録、再生を行なう光磁気記録方式は、記
録の書込み、読出しを光によって行なう方式であり、記
録の書替えが可能であると共に、媒体とピックアップ（
記録、再生素子）とが非接触で行なえるという特長を有
している。この記録、再生によく用いられる光は、通常
スポット径が僅か１μｍ程度の半導体レーザーであり、
従って記録密度を高く設定することができる。
き換え可能の大容量ディスクメモリとして光磁気記録媒
体（以下「光磁気ディスク」とも記す）か注目を浴びて
おり、我が国においても精力的に開発が進められている
。中でも、希土嬰−遷移金属合金（以下、ＲＥ−ＴＩ４
とも記述する）からなる記録層を備えたものは、非晶質
であることから粒界ノイズが小さく、高品質の光磁気デ
ィスクとして最も期待されている。かかる光磁気ディス
ク（以下単に「ディスク」又は「媒体」とも記す）を使
用して情報の記録、再生を行なう光磁気記録方式は、記
録の書込み、読出しを光によって行なう方式であり、記
録の書替えが可能であると共に、媒体とピックアップ（
記録、再生素子）とが非接触で行なえるという特長を有
している。この記録、再生によく用いられる光は、通常
スポット径が僅か１μｍ程度の半導体レーザーであり、
従って記録密度を高く設定することができる。
ところで、かかる光磁気記録媒体に用いられる稀土類遷
移金属合金（ＲＥ−ＴＨ）膜は酸化され易い性質を有し
ている。これを防止するためにｒｊＡ護層を設けるのが
常識となっている。ところでＲＥ−Ｔ１４のカー回転角
（光の照射によって生ずる磁極の傾き角）は、その組成
に拘らず０，３゛程度と極めて小さいので、再生の際に
良好なＳＮ比が得られない。
移金属合金（ＲＥ−ＴＨ）膜は酸化され易い性質を有し
ている。これを防止するためにｒｊＡ護層を設けるのが
常識となっている。ところでＲＥ−Ｔ１４のカー回転角
（光の照射によって生ずる磁極の傾き角）は、その組成
に拘らず０，３゛程度と極めて小さいので、再生の際に
良好なＳＮ比が得られない。
そこで、干渉膜を設け、その干渉効果を利用したいわゆ
るカーエンハンスにより所望の特性を得ている。即ち、
カー効果を高めるために、基板と合金層の中間に誘電体
（エンハンスメント）層を設けている。かかる誘電体層
と保護層に同じ材料特にＴａＯｘ （タンタル酸化物）
を用いた光磁気ディスクは、有機樹脂基板上に設けられ
たＴａ０Ｘの防湿効果と付着力とを向上させるため、次
のような構造になっている。
るカーエンハンスにより所望の特性を得ている。即ち、
カー効果を高めるために、基板と合金層の中間に誘電体
（エンハンスメント）層を設けている。かかる誘電体層
と保護層に同じ材料特にＴａＯｘ （タンタル酸化物）
を用いた光磁気ディスクは、有機樹脂基板上に設けられ
たＴａ０Ｘの防湿効果と付着力とを向上させるため、次
のような構造になっている。
基板／ Ｔ ａ Ｏｘ ／ Ｔ ａ Ｏｘ Ｏ／ Ｍ
Ｏ／ Ｔ ａ Ｏｘ Ｏ／ Ｔ ａ Ｏｘ
（但し、Ｏ＜ｘ＜ｘｏ ）このように、基板と金属元素
Ｔａの付着力が、Ｔａ酸化物よりも大きいことを利用し
ている。
Ｏ／ Ｔ ａ Ｏｘ Ｏ／ Ｔ ａ Ｏｘ
（但し、Ｏ＜ｘ＜ｘｏ ）このように、基板と金属元素
Ｔａの付着力が、Ｔａ酸化物よりも大きいことを利用し
ている。
しかるに、誘電体層と保護層に同じ材料、特にＴａＯｘ
（タンタル酸化物）を用いた光磁気ディスクに関゛し
ては、ＣＮ比やＲ反射率等の特性が充分ではなかった。
（タンタル酸化物）を用いた光磁気ディスクに関゛し
ては、ＣＮ比やＲ反射率等の特性が充分ではなかった。
本発明の光磁気記録媒体は、有機樹脂基板上に設けられ
たタンタル酸化物の中間層と、光磁気記録層と、保護層
のためのタンタル酸化物とを順次積層し、上記中間層を
タンタル酸化物の酸素量が上記有機樹脂基板から遠ざか
るにつれて増大する領域と一定である領域とで構成し、
両領域の合計の厚さを約４０乃至９０ｎｌに形成するこ
とにより上記問題点を解決した。
たタンタル酸化物の中間層と、光磁気記録層と、保護層
のためのタンタル酸化物とを順次積層し、上記中間層を
タンタル酸化物の酸素量が上記有機樹脂基板から遠ざか
るにつれて増大する領域と一定である領域とで構成し、
両領域の合計の厚さを約４０乃至９０ｎｌに形成するこ
とにより上記問題点を解決した。
本発明の光磁気ディスクの構造及び製法について、第１
図を参照しながら説明する。まず、例えばポリカーボネ
ートからなる直径１３０１１ｎ＋、厚さ１２ＩＩｌｌの
円盤状の基板４を用い、スパッタＷＩ（図示せず）内を
４ ｘ １０−’ Ｐａ以下に排気する。基板１１にＴ
ａ０ｘ（タンタル酸化物）膜５を形成するには、０２混
合Ａｒ（アルゴン）ガス雰囲気中で、Ｔａをスパッタリ
ングする。Ａｒガスと０２カスとは別個のパイプより導
入する。その際、Ａｒカスの流量は一定とし、０２ガス
の流量を０から徐々に増加させ、ＴａＯｘ遷移層５が５
０〜１００人になった時点でそれ以後０２ガスの流量を
一定としてＴａｏｘ（１膜６を形成する。続いて、Ｔｂ
ＦｅＣ。
図を参照しながら説明する。まず、例えばポリカーボネ
ートからなる直径１３０１１ｎ＋、厚さ１２ＩＩｌｌの
円盤状の基板４を用い、スパッタＷＩ（図示せず）内を
４ ｘ １０−’ Ｐａ以下に排気する。基板１１にＴ
ａ０ｘ（タンタル酸化物）膜５を形成するには、０２混
合Ａｒ（アルゴン）ガス雰囲気中で、Ｔａをスパッタリ
ングする。Ａｒガスと０２カスとは別個のパイプより導
入する。その際、Ａｒカスの流量は一定とし、０２ガス
の流量を０から徐々に増加させ、ＴａＯｘ遷移層５が５
０〜１００人になった時点でそれ以後０２ガスの流量を
一定としてＴａｏｘ（１膜６を形成する。続いて、Ｔｂ
ＦｅＣ。
等の磁性材料を用いて光磁気記録層２を形成した後、中
間層３ （ＴａＯｘ膜５＋Ｔａ０ｘｏ膜６）と同様の方
法を用いて金属酸化物ＮＯ（ここでは酸化タンタル）か
らなる保護層７を形成し、光磁気ディスク１を得る。
間層３ （ＴａＯｘ膜５＋Ｔａ０ｘｏ膜６）と同様の方
法を用いて金属酸化物ＮＯ（ここでは酸化タンタル）か
らなる保護層７を形成し、光磁気ディスク１を得る。
なお、ＴａＯｘの膜厚とＴ ａ Ｏｘ ｏの膜厚との和
（即ち中間層３の膜厚）は、エンハンスメント効果が最
大となるようにする。実際に、この中間層３の膜厚を２
０〜１００［ｎｌｌの範囲で変化させて数種類のディス
クを作製し、ＣＮ比（信号対雑音比）及び多重干渉によ
る反射率（Ｒ反射率）を測定したところ、第２図に示す
ように、膜厚４０〜９０［ｎｌｌで良好な結果が得られ
、膜厚６５［ｎｎ１辺りで特性が最良となった。
（即ち中間層３の膜厚）は、エンハンスメント効果が最
大となるようにする。実際に、この中間層３の膜厚を２
０〜１００［ｎｌｌの範囲で変化させて数種類のディス
クを作製し、ＣＮ比（信号対雑音比）及び多重干渉によ
る反射率（Ｒ反射率）を測定したところ、第２図に示す
ように、膜厚４０〜９０［ｎｌｌで良好な結果が得られ
、膜厚６５［ｎｎ１辺りで特性が最良となった。
ここで、エンハンスメント効果について説明を加える。
Ｔ ａ Ｏｘ 、 Ｔ ａ ＯＸ Ｑ等の光磁気薄膜
のカー回転角をθにとする。光磁気薄膜の表面に無反射
コーティングを施して、コーデイング層からカー回転角
を測定すると、θにの数倍（２〜３倍程度）になる現象
を「エンハンスメント」と呼んでいる０本発明の場合の
エンハンスメントは、透明基板／中間層／光磁気層の構
成とし、基板４（Ｐ！１からの測定を行なったものであ
る。中間層３が無反射コーティングの条件となるように
、屈折率と膜厚を設定している。無反射コーティングの
ときにθｋが数倍になる理由は、コーティング層と光磁
気層との境界で、光の反射が数回生じ、１回反射する毎
に開先面がθにずつ回転するためと考えられる。従って
、Ｒ反射率は低いほと望ましいわけで、中間層３の膜厚
：６５［ｎｌｌで最良となることが第２図から見受けら
れる。
のカー回転角をθにとする。光磁気薄膜の表面に無反射
コーティングを施して、コーデイング層からカー回転角
を測定すると、θにの数倍（２〜３倍程度）になる現象
を「エンハンスメント」と呼んでいる０本発明の場合の
エンハンスメントは、透明基板／中間層／光磁気層の構
成とし、基板４（Ｐ！１からの測定を行なったものであ
る。中間層３が無反射コーティングの条件となるように
、屈折率と膜厚を設定している。無反射コーティングの
ときにθｋが数倍になる理由は、コーティング層と光磁
気層との境界で、光の反射が数回生じ、１回反射する毎
に開先面がθにずつ回転するためと考えられる。従って
、Ｒ反射率は低いほと望ましいわけで、中間層３の膜厚
：６５［ｎｌｌで最良となることが第２図から見受けら
れる。
本発明の光磁気記録媒体は上記のように製造するように
したので、ＣＮ比やＲ反射率等の特性が向上したという
優れた特長を有する。
したので、ＣＮ比やＲ反射率等の特性が向上したという
優れた特長を有する。
第１図は本発明の光磁気記録媒体の拡大部分断面図、第
２図は光磁気記録媒体のＩｌ！厚とＣ／Ｎ及び反射率と
の関係を示す測定図である。 １・・・光磁気記録媒体、２・・・光磁気記録層、中間
層、４・・・基板、５・・・ＴａＯｘ膜（ＴａＯ移層）
、６・・・Ｔ ａ Ｏｘ ｏ膜、７・・・保護層。 ３・・・ Ｘ遷
２図は光磁気記録媒体のＩｌ！厚とＣ／Ｎ及び反射率と
の関係を示す測定図である。 １・・・光磁気記録媒体、２・・・光磁気記録層、中間
層、４・・・基板、５・・・ＴａＯｘ膜（ＴａＯ移層）
、６・・・Ｔ ａ Ｏｘ ｏ膜、７・・・保護層。 ３・・・ Ｘ遷
Claims (1)
- 有機樹脂基板上に設けられたタンタル酸化物の中間層
と、光磁気記録層と、保護層のためのタンタル酸化物と
を順次積層して成る光磁気記録媒体であって、上記中間
層はタンタル酸化物の酸素量が上記有機樹脂基板から遠
ざかるにつれて増大する領域と一定である領域とより成
り、且つ該両領域の合計の厚さを約４０乃至９０ｎｍに
形成したことを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18215688A JPH0231352A (ja) | 1988-07-20 | 1988-07-20 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18215688A JPH0231352A (ja) | 1988-07-20 | 1988-07-20 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0231352A true JPH0231352A (ja) | 1990-02-01 |
Family
ID=16113338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18215688A Pending JPH0231352A (ja) | 1988-07-20 | 1988-07-20 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0231352A (ja) |
-
1988
- 1988-07-20 JP JP18215688A patent/JPH0231352A/ja active Pending
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