JPH04337541A - 光ディスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はレーザー光の照射により
記録、再生、消去の可能な光ディスクに関する。

【０００２】

【従来の技術】光磁気ディスクの記録膜として用いる磁
性体膜には、従来よりＦｅ、Ｃｏなどの遷移金属とＴｂ
、Ｄｙ、Ｇｄなどの重希土類金属との非晶質合金薄膜が
一般に用いられている。ところが、上記の遷移金属−重
希土類金属薄膜は、空気中の酸素や水分などにより酸化
され易く、酸化により垂直磁気異方性の低下や、飽和磁
化の減少という磁気特性の劣化、あるいは、磁気光学効
果の劣化を示したり、膜の孔食によるピンホールを生じ
たりするため、記録データの信頼性、保存性に問題があ
った。

【０００３】記録膜の酸化を防ぎ、更に記録再生特性を
向上させるため、磁性体膜を磁気光学効果のエンハンス
メント機能を持つ誘電体膜ではさむ方法や、磁性体膜に
対して基板とは反対側に例えばＡｌのような高反射率の
金属からなる反射膜を設けるという方法がとられている
。

【０００４】一方、磁性体膜にも磁気特性の劣化を抑え
るために、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｐｄ
、Ｔａなどの金属を添加し磁性体膜自身の耐酸化性を強
化するという方法も知られている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上述の如く、反射膜を
有する構成の光磁気ディスクにおいて反射膜としてＡｌ
を用いると、Ａｌは酸化し易いため、反射膜から孔食を
生じ、データの信頼性の確保が難しい。そこで、Ａｌに
対してＴｉ、Ｃｒ、Ｐｔなどの金属を添加しＡｌ−Ｘ合
金反射膜として耐食性を向上させて用いる方法が知られ
ている。ところが、Ａｌ反射膜に金属を添加すると、反
射層の熱伝導率の低下から、記録時のレーザー光の熱が
、磁性体層から逃げにくくなり、記録時に磁性体層の温
度が必要以上に上昇し、光磁気ディスクの繰り返し記録
、再生、消去が行なわれる際の、磁性体層の構造緩和や
酸化等により、垂直磁気異方性の低下や飽和磁化の減少
という磁気特性の劣化、あるいはカー回転角の減少等の
磁気光学特性の劣化が生じる。その結果、記録再生特性
が低下しデータの信頼性が損なわれるという問題点があ
った。

【０００６】本発明が解決しようとする課題は、上記の
Ａｌ反射層の熱伝導率を変化させず、即ち、記録感度を
変化させずに反射層の耐食性を向上させ、長期間の使用
に対して信頼できる光ディスクを提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために鋭意検討した結果、反射層に対して基
板とは反対側にＴｉ層を設けるという方法により反射層
の耐環境性が著しく向上することを見い出した。

【０００８】即ち、本発明は上記課題を解決するために
、基板上に誘電体層、磁性体層及びＡｌを主成分とする
反射層を積層してなる光磁気記録膜を有する光ディスク
において、反射層に接して基板とは反対側にＴｉ層を有
することを特徴とする光ディスクを提供する。

【０００９】Ｔｉ膜は、表面に安定な酸化物皮膜を形成
し、比較的薄くても反射層の表面酸化や孔食の発生を防
ぐことができる。ここでＴｉ膜厚は、０．２ｎｍ以上で
あれば十分な効果が得られる。一方、Ｔｉ膜厚が厚過ぎ
ると、Ｔｉ膜が熱拡散層として機能し、記録感度が低下
すること、更に製造上の成膜時間を考慮すると、５ｎｍ
程度以下が好ましい。

【００１０】Ａｌを主成分とする反射層に添加可能な金
属としては、Ｔａ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｚ
ｒ、Ｖ等の金属が挙げられるが、少量の添加で容易に記
録感度を調整できること、Ａｌ層の耐酸化性の向上に寄
与することから、Ｔｉの添加が特に好ましい。添加量は
、上記の記録消去の繰り返しの問題から１５ａｔ％以下
が好ましい。

【００１１】本発明における光ディスクの光磁気記録膜
の構成としては、透明基板の上に、例えば、誘電体層、
磁性体層、誘電体層、Ａｌを主成分とする反射層、Ｔｉ
層の順に積層されたもの、あるいは誘電体層、磁性体層
、Ａｌを主成分とする反射層、Ｔｉ層、誘電体層の順に
積層されたものが挙げられる。

【００１２】本発明で使用する基板としては、例えば、
ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、アモル
ファスポリオレフィンの如き樹脂又はガラスに直接案内
溝を形成した基板；ガラス又は樹脂の平板上にフォトポ
リマー法により案内溝を形成した基板等が挙げられる。

【００１３】誘電体層には透明性、屈折率の高い無機誘
電体膜が用いられる。その材質としては、例えば、Ｓｉ
Ｎｘ、ＳｉＯｘ、ＡｌＳｉＯＮ、ＡｌＳｉＮ、ＡｌＮ、
ＡｌＴｉＮ、Ｔａ２Ｏ５、ＺｎＳ等が挙げられる。これ
ら誘電体層の屈折率は１．８〜２．８の範囲が好ましく
、吸収係数は０〜０．１の範囲が好ましい。

【００１４】磁性体層を構成する材質としては、例えば
、光磁気ディスクでは、ＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣ
ｏ等の遷移金属と希土類金属の合金等が挙げられる。

【００１５】誘電体層、磁性体層及び反射層は、スパッ
タリング、イオンプレーディング等の物理蒸着法（ＰＶ
Ｄ）、プラズマＣＶＤ等の化学蒸着法（ＣＶＤ）等によ
って形成し、有機色素系記録膜は溶液をスピンコート法
、ロールコート法等により塗布した後、溶媒を除去して
形成する。

【００１６】このようにして成膜した光ディスクは、単
体で使用しても良く、２枚を基板が外側にくるように貼
り合わせて使用しても良い。

【００１７】

【実施例】以下、実施例を用いて本発明を更に詳細に説
明する。

【００１８】（実施例１〜３及び比較例１〜４）図１は
本実施例における光ディスクの光磁気記録膜の層構成で
ある。本記録膜は、グルーブの形成された円盤状ポリカ
ーボネイト基板にスパッタリング法により成膜した。成
膜時の到達真空度は７×１０−７Ｔｏｒｒ、基板とター
ゲット間を９０ｍｍとし基板を回転させながら各層を順
次成膜した。 ここで、第１層の誘電体膜は、Ｓｉターゲットを用い、
ＡｒガスとＮ２ガス雰囲気においてＲＦスパッタリング
法で８０ｎｍの厚さに、第２層の磁性体膜は、ＴｂＦｅ
Ｃｏ合金ターゲットを用い、Ａｒガス雰囲気において、
ＤＣスパッタリング法で約２５ｎｍの厚さに、第３層目
の誘電体膜は、第１層と同条件で約２０ｎｍの厚さに、
第４層の反射膜は、Ｔｉを２ａｔ％含有するＡｌ合金タ
ーゲットを用い、Ａｒガス雰囲気中において、ＤＣスパ
ッタリング法で約５０ｎｍの厚さに各々成膜を行ない、
第５層のＴｉ膜は、Ｔｉターゲットを用い、Ａｒガス雰
囲気中において、ＤＣスパッタリング法で成膜を行なっ
た。この時に、Ｔｉ膜厚を０．２ｎｍ、２ｎｍ、５ｎｍ
、０．１ｎｍ、６ｎｍ、８ｎｍとしたものを各々実施例
１、２、３、４、５、６とし、Ｔｉ膜厚を０ｎｍとした
ものを比較例１とした。

【００１９】次に、上述のように、成膜した記録膜上に
スピンコート法でＵＶ硬化樹脂（大日本インキ化学（株
）製「ＳＤ−３０１」）を塗布し光磁気ディスクの作製
を行なった。

【００２０】得られたディスクの評価は以下のように行
なった。

【００２１】先ず、実施例で得られた各ディスクについ
てＣＮ比の評価を行ない、図２に実施例２のＣＮ比と記
録パワーの関係を示した。

【００２２】図２に示した結果より、実施例２のディス
クは、良好なＣＮ比、記録感度が得られていることが分
かる。他のディスクについても、同様な結果が得られた
。

【００２３】次に、実施例１〜３で得られた各ディスク
について、記録、再生、消去を１００万回繰り返し、先
に測定を行なったＣＮ比との比較を行なった。その比較
結果を図３に示した。

【００２４】図３に示した結果より、これらのディスク
は、記録消去の繰り返し耐久性にも優れたディスクであ
ることが分かる。

【００２５】更に、実施例及び比較例で得られた各ディ
スクについて、８０℃、８５％ＲＨの条件中に２，００
０時間放置する耐環境試験を行ない、図４に環境試験前
後でのバイトエラー率（以下、Ｂ．Ｅ．Ｒ．とする。）
の変化率とＴｉ膜厚との関係を示した。Ｂ．Ｅ．Ｒ．の
変化率は、耐環境試験後に測定したＢ．Ｅ．Ｒ．を環境
試験前のＢ．Ｅ．Ｒ．（以下、Ｂ．Ｅ．Ｒ．ｉｎｉ．と
する。）で除した値とした。

【００２６】図４に示した結果より、Ｔｉ膜厚が０．２
ｎｍ以上からＢＥＲの変化率が低下し、より信頼性の高
いディスクが得られたことが分かる。

【００２７】また、図５にＴｉ膜厚と記録感度との関係
を示した。ここで記録感度とは、ＣＮ比が飽和する最小
記録パワーとした。

【００２８】図５に示した結果より、５ｎｍ以上のＴｉ
膜厚を持つディスクは、記録感度が低下する傾向にある
ことが分かる。

【００２９】以上の結果より、Ｔｉ層膜厚が、０．２ｎ
ｍ以上５ｎｍ以下の範囲に限定することによって、より
優れた耐環境性と良好な記録感度を有する光ディスクが
得られることが分かる。

【００３０】

【発明の効果】本発明によれば、Ａｌ反射層への金属添
加による熱伝導度の低下を抑え、記録消去の繰り返しに
よる磁性体層の劣化を防ぎ、かつ記録膜の耐食性を向上
させることにより信頼性、保存性の高い光磁気記録膜を
有する光ディスクを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例の光磁気記録膜の層構成を示す
断面図である。

【符号の説明】

１　　基板 ２　　誘電体層 ３　　磁性体層 ４　　誘電体層 ５　　反射層 ６　　Ｔｉ層

【図２】本発明の実施例２のＣＮ比の記録パワー依存性
を示す図表である。

【図３】本発明の実施例１〜３の記録消去の１００万回
繰り返し前後でのＣＮ比の比較結果である。

【符号の説明】

○　　繰り返し耐久試験実施前 ●　　繰り返し耐久試験実施後

【図４】本発明の光ディスクのＢ．Ｅ．Ｒ．変化率のＴ
ｉ膜厚依存性を示す図表である。

【図５】本発明の光ディスクの記録感度のＴｉ膜厚依存
性を示す図表である。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　基板上に誘電体層、磁性体層及びＡｌ
   を主成分とする反射層を積層してなる光磁気記録膜を有
   する光ディスクにおいて、反射層に接して基板とは反対
   側にＴｉ層を有することを特徴とする光ディスク。
2. 【請求項２】　　Ｔｉ層の膜厚が、０．２ｎｍ以上５ｎ
   ｍ以下の範囲にある請求項１記載の光ディスク。
3. 【請求項３】　　Ａｌを主成分とする反射層がＴｉを含
   有する請求項１記載の光ディスク。