JP4337209B2 - 永久磁石薄膜およびその製造方法 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 64
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 128
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 80
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 80
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 65
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims abstract description 65
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 27
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 151
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 24
- 229910001172 neodymium magnet Inorganic materials 0.000 description 18
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 17
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 17
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 15
- 229910000521 B alloy Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 238000007736 thin film deposition technique Methods 0.000 description 4
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000004663 powder metallurgy Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000976 Electrical steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000006247 magnetic powder Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005298 paramagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 229910000938 samarium–cobalt magnet Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
- G11B5/672—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers having different compositions in a plurality of magnetic layers, e.g. layer compositions having differing elemental components or differing proportions of elements
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- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
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- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/12—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys
- H01F10/14—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys containing iron or nickel
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- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/8404—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers manufacturing base layers
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- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
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- H01F1/032—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of hard-magnetic materials
- H01F1/04—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of hard-magnetic materials metals or alloys
- H01F1/047—Alloys characterised by their composition
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- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
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- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
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- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
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- H01F41/30—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates for applying nanostructures, e.g. by molecular beam epitaxy [MBE]
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- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、永久磁石薄膜およびその製造方法に関する。特に、本発明は、小型モータ、マイクロアクチュエータ、磁気抵抗素子へのバイアス磁界印加素子、磁気記録媒体等に好適に用いられる永久磁石薄膜に関する。
【0002】
【従来の技術】
各種電気機器の小型化が進む中で、永久磁石薄膜を用いたマイクロモータやマイクロアクチュエータなどの開発が進められている。この種のデバイスのサイズや性能は、永久磁石薄膜の磁気特性に左右される。このため、永久磁石薄膜の材料として、最大磁気エネルギー積の高いNd−Fe−B系磁石材料やSm−Co系磁石材料が注目され、その研究開発が盛んに行われている。なかでも、Nd−Fe−B系磁石材料の主相を構成する正方晶Nd2Fe14B化合物は、その飽和磁化がSmCo5やSm2Co17の飽和磁化よりも大きいため、高性能永久磁石薄膜の材料として注目されている。
【0003】
しかし、バルク状永久磁石の場合、最大エネルギー積が400kJ/m3を超えるNd−Fe−B系磁石が作製され、商品化されているのに対し、正方晶Nd2Fe14B化合物を主体とする永久磁石薄膜は、磁化および保磁力の両立を向上させることが困難であるため、現在、実用化に至っていない状況にある。
【0004】
永久磁石薄膜の場合に、磁化および保磁力の両方を向上させることが困難である原因のひとつは、薄膜堆積技術によって形成したNd−Fe−B系磁石の磁気異方性が粉末冶金的手法等の方法によって作製されたバルク状永久磁石に比較して低い点にある。
【0005】
粉末冶金法による場合は、磁石粉末の成形体を作製する際、磁界中で磁石粉末の配向を実行したり、すべり変形を利用することによって、比較的容易に強い磁気的な異方性を材料に付与することが可能である。
【0006】
薄膜堆積技術による場合、結晶成長の異方性を利用した垂直磁化膜の製作例が例えばF.J.Cadieu,et al,IEEE Trans. Magn. 22(1986)p.752等に開示されている。しかし、その技術的な完成度は粉末冶金法で用いられている異方性化技術の水準に達していないと考えられる。
【0007】
また、K.D.Ayelsworth et al., Journal ofMagnetism and Magnetic Materials 82(1989)p.48に開示されているように、正方晶R2Fe14B化合物を主相とする薄膜には、しばしば希土類金属酸化物などの意図しない不純物相の混入や生成が発生する。このことも、永久磁石薄膜の特性改善を阻む要因となっている。
【0008】
このため、永久磁石薄膜の特性改善を意図した種々の試みがなされてきた。例えば、特開平7−6916号公報は、希土類合金磁性薄膜の上に保護膜を配した永久磁石薄膜を開示している。また特開平9−219313号公報は、希土類合金磁性薄膜の上下に保護膜を配した永久磁石薄膜を開示している。
【0009】
これらの保護膜は、希土類合金磁性薄膜と大気または基板との間での反応を防止し、それによって希土類合金磁性薄膜の磁気特性が劣化しないようにする機能を発揮している。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来技術では、希土類合金磁性膜と基板または大気とが直接に接触することによって生じる反応を抑制し、そのような反応に起因する磁性膜の変質を防止することを目的としていたため、希土類合金磁性膜の金属組織が充分に制御されていなかった。そのため、保磁力は、正方晶R2Fe14B化合物が本来持つ結晶磁気異方性エネルギーから期待される値よりも低く、また、十分な残留磁束密度も得られていない。
【0011】
永久磁石薄膜を実用化するためには、そのエネルギー積を現状よりも向上させる必要がある。そのためには、堆積した希土類合金磁性層の金属組織を制御し、その磁気異方性を更に向上させる必要がある。
【0012】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、金属組織を制御することによって高い保磁力と高い残留磁束密度を併せ持つ高性能永久磁石薄膜を提供することにある。また、本発明の他の目的は、そのような永久磁石薄膜を用いた回転機および磁気記録媒体を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明による永久磁石薄膜は、高融点金属層と希土類合金磁性層とが交互に積層された4層以上の積層構造を備えた永久磁石薄膜であって、前記高融点金属層は、Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、およびWからなる群から選択された少なくとも1種類の材料から形成されており、5nm以上50nm以下の厚さを有し、前記希土類合金磁性層は、主たる構成相が正方晶R2Fe14B(RはNdおよび/またはPr)であり、50nm以上500nm以下の厚さを有していることを特徴とする。
【0014】
好ましい実施形態では、前記希土類合金磁性層が磁気異方性を有している。
【0015】
前記希土類合金磁性層の面内方向の残留磁束密度(Br1)に対する前記面内方向に垂直な方向の残留磁束密度(Br2)の比(Br2/Br1)が2以上であることが好ましい。
【0016】
前記積層構造に含まれる前記希土類合金磁性層の数は3以上であることが好ましい。
【0017】
前記積層構造に含まれる前記希土類合金磁性層の合計厚さ(tm)に対する高融点金属層の合計厚さ(tn)の比率(tn/tm)が、0.01≦(tn/tm)≦0.3を満足することが好ましい。
【0018】
ある好ましい実施形態では、前記積層構造を支持する基板と前記積層構造との間に、緩衝層が形成されている。
【0019】
好ましい実施形態では、前記緩衝層が、Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、およびWからなる群から選択された少なくとも1種類の材料から形成されている。
【0020】
好ましい実施形態では、前記積層構造の最上層に保護層が形成される。
【0021】
前記保護層は、Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、およびWからなる群から選択された少なくとも1種類の材料から形成されているものであってもよい。
【0022】
本発明による永久磁石薄膜の製造方法は、300℃以上の融点を有する材料から形成された基板を用意する工程と、Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、およびWからなる群から選択された少なくとも1種類の材料から形成され、5nm以上50nm以下の厚さを有する高融点金属層と、主たる構成相が正方晶R2Fe14B(RはNdおよび/またはPr)であり、50nm以上500nm以下の厚さを有する希土類合金磁性層とが交互に積層された4層以上の積層構造を前記基板上に形成する工程とを包含する。
【0023】
ある好ましい実施形態では、前記積層構造を前記基板上に形成する工程において、前記基板の温度を300℃以上800℃以下の範囲に調整しながら前記希土類合金磁性層を形成する。
【0024】
前記積層構造を前記基板上に形成する工程において、前記基板の温度を300℃未満に調整しながら前記希土類合金磁性層を形成し、前記積層構造を前記基板上に形成した後、前記積層構造を400℃以上800℃以下の温度に加熱するようにしてもよい。
【0025】
好ましい実施形態では、前記積層構造の形成中または形成後に、前記積層構造に対して磁界を印加する工程を包含している。
【0026】
本発明による回転機は、上記の何れかの永久磁石薄膜を備えていることを特徴とする。
【0027】
本発明による磁気記録媒体は、上記の何れかの永久磁石薄膜を備えていることを特徴とする。
【0028】
【発明の実施の形態】
本発明者は、主たる構成相が正方晶R2Fe14B化合物(RはNdおよび/またはPr)であるR−Fe−B系合金層と、高融点金属からなる層とを交互に重ねた種々の積層膜について、永久磁石特性の検討を行った。その結果、R−Fe−B系合金層の金属組織は、R−Fe−B系合金層の上下に配置された高融点金属層の種類やR−Fe−B系合金層自身の厚さによって強く影響されることを見出し、本発明を想到するに至った。
【0029】
本発明による永久磁石薄膜は、高融点金属層と希土類合金磁性層とが交互に積層された4層以上の積層構造を備えた永久磁石薄膜である。高融点金属層は、Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、およびWからなる群から選択された少なくとも1種類の材料から形成されており、5nm以上50nm以下の厚さを有している。また、希土類合金磁性層は、主たる構成相が正方晶R2Fe14Bであり、50nm以上500nm以下の厚さを有している。ここで、Rは、Nd、Pr、またはNdとPrの両方を含むものである。Feの一部は、CoやNi等の遷移金属元素と置換していても良い。
【0030】
本発明者は、上記のような積層構造を採用することによって、薄膜でありながらも、強い垂直磁気異方性と高い保磁力の両方を達成した永久磁石を作製できることを見出した。
【0031】
以下、図1を参照しながら、本発明の永久磁石薄膜について、その好ましい実施形態を詳細に説明する。図1は、本実施形態における永久磁石薄膜の断面構成を示している。
【0032】
図1に示される永久磁石薄膜は、高融点金属層2、4、6、8、および10と希土類合金磁性層3、5、7、9、および11とが交互に積層された10層の積層構造を備えており、この積層構造が基板1の上に設けられている。
【0033】
高融点金属層2、4、6、8、および10は、Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、およびWからなる群から選択された少なくとも1種類の材料から形成されており、5nm以上50nm以下の厚さを有している。
【0034】
希土類合金磁性層3、5、7、9、および11の主たる構成相は、正方晶R2Fe14B(RはNdおよび/またはPr)であり、その厚さは50nm以上500nm以下に調整されている。本永久磁石においては、このハード磁性相である正方晶R2Fe14B化合物が磁気的性質を主に担う。なお、高保磁力を有する永久磁石薄膜が必要とされる場合、各希土類合金磁性層の特に好ましい厚さは、50nm以上200nm以下である。また、積層構造中の希土類合金磁性層の数は3以上であることが好ましい。
【0035】
上記の積層構造中において、上下に重なり合う2つの希土類合金磁性層(例えば、磁性層3と磁性層5)の間には、必ず、薄い高融点金属層(例えば、高融点金属層4)が設けられている。本実施形態では、最下層に位置する希土類合金磁性層3と基板1との間にも、高融点金属層2が存在しているが、この高融点金属層2は省略しても良い。また、図1の例では、最上層に位置する希土類合金磁性層11上には高融点金属層が形成されていないが、この希土類合金磁性層11上に他の高融点金属層を設けても良い。
【0036】
希土類合金磁性層の磁気異方性を向上させるという観点からは、高融点金属層の材料は任意では無く、Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、およびWからなる群から選択された少なくとも1種類の材料から形成されている必要がある。希土類合金磁性層中のR2Fe14B化合物は、堆積時または熱処理時に、上記の材料から形成された高融点金属層と接していると、その磁化容易軸を基板面に対して垂直な方向に配向させる傾向がある。言いかえると、上記の高融点金属層は、希土類合金磁性層の磁気異方性を高め、面に垂直な残留磁束密度Brを向上させる機能を有している。
【0037】
更に、これらの高融点金属層4、6、8、および10は、永久磁石薄膜中の希土類合金を膜厚方向に分断することによって、正方晶R2Fe14B化合物の結晶成長を抑えるように働く。その結果、希土類合金磁性層3、5、7、9、および11の各々においては微細な金属組織が形成され、保磁力が向上することになる。図2は、単一の希土類合金層12を基板1上に形成した従来の永久磁石薄膜の断面構成を示している。図1および図2からわかるように、本実施形態の希土類合金磁性層3、5、7、9、および11の合計厚さは、図2の希土類合金磁性層12の厚さと略同じであるが、図1における希土類合金磁性層3、5、7、9、および11の各々は高融点金属層4、6、8、および10の存在によって分断されている。その結果、希土類合金磁性層3、5、7、9、および11において、正方晶R2Fe14B化合物の結晶成長が抑制され、その結晶組織が充分に微細化される。このことは、保磁力の増大に大いに寄与することとなる。
【0038】
なお、高融点金属層2、4、6、8、および10の各々の厚さが5nmを下回ると、上述した結晶配向効果が十分に発現しないことがわかった。一方、高融点金属層2、4、6、8、および10の各々の厚さが50nmを超えると、非磁性の高融点金属原子が希土類合金磁性層中に多く溶け込み、磁性層の結晶磁気異方性エネルギーを減少させてしまうおそれがあることもわかった。
【0039】
また、上下の希土類合金磁性層によって挟まれた高融点金属層4、6、8、および10が厚くなりすぎると、上下2層の希土類合金磁性層間の磁気的結合が弱くなるため好ましくない。この磁気的結合の問題は、高融点金属層が積層構造の最下層に位置している場合や最上層に位置している場合には特に問題にならない。そのような位置にある高融点金属層は、むしろ保護層としての機能が重要になるため、50nmを超える厚さを有していても良い。
【0040】
なお、希土類合金磁性層の厚さに対する高融点金属層の厚さの比率が大きくなりすぎると、Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、およびWが強磁性や常磁性でないために積層膜全体の磁化が低下するので好ましくない。このため、ひとつの永久磁石薄膜を構成する希土類合金磁性層3、5、7、9、および11の合計厚さ(tm)に対する高融点金属層2、4、6、8、および10の合計厚さ(tn)の比率(tn/tm)は、0.01≦(tn/tm)≦0.3を満足することが好ましい。
【0041】
R−Fe−B系合金の三元状態図には、多くの熱平衡相及び準安定相の存在が知られているが、本発明の永久磁石薄膜では、R−Fe−B合金層が主に正方晶R2Fe14B化合物で構成されている。正方晶R2Fe14B化合物は、R−Fe−B系合金三元系で知られている化合物中、結晶磁気異方性エネルギーが最も大きく、従って高い保磁力を実現する。このために、希土類合金磁性層に占めるR2Fe14B化合物の割合は、できるだけ大きいことが望ましい。
【0042】
また、保磁力は、R2Fe14B化合物の金属組織や結晶粒子径にも依存することが知られている。保磁力を向上させるには、結晶を微細化することによって磁壁の移動を妨げることが望ましい。本発明による永久磁石薄膜では、前述のように、希土類合金磁性層が高融点金属層によって膜厚方向に分断されているため、正方晶R2Fe14Bの結晶成長が各磁性層の厚さによって制限される。故に、希土類合金磁性層を調整することによって、R2Fe14B化合物の結晶粒径を最適化し、保磁力を増加させることができる。
【0043】
前述したように、希土類合金磁性層が厚すぎると、正方晶R2Fe14B結晶粒が粗大化するため、保磁力が低下し、また、結晶成長の配向性も乱れるため、磁化も低下してしまう。従って、各希土類合金磁性層の厚さは500nm以下であることが好ましい。一方、各希土類合金磁性層の厚さが薄すぎると、積層構造全体に占める非磁性層の存在比率が高くなる傾向があるため、積層構造全体の平均磁化レベルが低下するので好ましくない。各希土類合金磁性層の厚さは50nm以上であることが好ましい。
【0044】
以下、本発明による永久磁石薄膜の製造方法の実施形態を説明する。
【0045】
まず、300℃以上の融点を有する材料から形成された基板を用意する。基板は、積層構造の形成中、または、その後に、300℃以上の熱処理を受けることになる。そのため、基板の材料は、300℃以上の融点を持ち、上記の熱処理に耐える必要がある。更に、基板は、薄膜形成中や加熱処理中に雰囲気ガスや堆積した材料と反応しにくく、化学的に安定な材料から形成されていることが好ましい。このような基板として、Siウェハ、Mo板、ステンレス、各種鋼鈑、サファイヤ板、石英板、ガラス板、Al2O3−TiC複合セラミックス板などを好適に用いることができる。
【0046】
なお、基板自身の材料が希土類合金磁性層と反応しやすい場合でも、そのような反応を抑制する緩衝層で基板上面を覆っていれば問題ない。そのような緩衝層として、Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、およびWからなる群から選択された少なくとも1種類の材料から形成された高融点金属層を用いても良いし、他の安定な膜を用いて良い。なお、緩衝層の厚さは、50nm以下に制限されない。
【0047】
本発明では、スパッタ法などの薄膜堆積技術を用いて、高融点金属層と希土類合金磁性層とを交互に積層させた構造を基板上に形成する。積層構造を基板上に形成する工程において、基板の温度を300℃以上800℃以下の範囲に調整する方法と、積層構造を基板上に形成する工程では、基板の温度を300℃未満に調整し、積層構造を基板上に形成した後に、400℃以上800℃以下の熱処理を行う方法の何れを採用しても良い。
【0048】
積層構造形成時における基板加熱方法は任意であり、例えばシースヒータや赤外線ランプヒータによって直接または間接的に基板を加熱してもよい。また、積層構造形成後に行う加熱処理は、永久磁石薄膜を酸化しないように真空中または不活性ガス雰囲気中で実行することが望ましい。この加熱処理の時間は、熱処理温度によっても異なるが、例えば、熱処理温度が600℃のとき、0.2〜2時間程度の加熱処理を行うことが好ましい。
【0049】
希土類合金磁性層を構成する希土類金属、または希土類金属を含む合金は、容易に酸化するため、堆積工程は堆積装置内の雰囲気を高真空または不活性ガスとすることが望ましい。好ましい薄膜堆積方法としては、スパッタ法の他、真空蒸着法やレーザーアブレーション法などが挙げられる。これらの方法によって堆積された層の化学的、物理的、金属組織的特性は、堆積工程時の諸条件に左右される。R−Fe−B系合金は非晶質化しやすいので、堆積時の基板温度を前述の範囲に制御するか、または、堆積後の加熱処理によって、結晶化する必要がある。
【0050】
本発明の永久磁石薄膜を回転機などに応用する場合は、基板材料は化学的に安定でしかもヨーク材として適当な材料、例えば、珪素鋼鈑やパーマロイ板などを用いることが望ましい。
【0051】
本発明の永久磁石薄膜を磁気記録媒体に応用する場合は、永久磁石薄膜の上にダイヤモンド状カーボンなどからなる保護膜を設けることが望ましい。この記録媒体を垂直磁気記録用媒体として用いる場合は、永久磁石薄膜と基板との間にNi−Pやパーマロイ膜などの裏打ち層を設けることが望ましい。
【0052】
【実施例】
以下、本発明の実施例を説明する。
【0053】
(実施例1)
本実施例では、まず、550℃に加熱したAl2O3−TiCセラミック基板の上に、DCダイオードマグネトロンスパッタ装置で、Ta、Mb、Zr、Ti層のいずれか一種からなる高融点金属層とNd−Fe−B合金層(希土類合金磁性層)とを交互に積層した複数の試料を作製した。本実施例では、全ての試料について、Nd−Fe−B合金層の合計厚さを1000nm(200nm×5)とした。各試料における積層構造および磁気特性を下記の表1に示す。
【0054】
【表1】
【0055】
ここで、試料No.2〜8は、本発明の実施例であり、試料No.1、および試料No.9〜13は比較例である。
【0056】
Ta、Mb、Zr、Ti層の形成は、それぞれ、純金属ターゲットを用い、投入電力3〜6W/cm2、Ar圧力0.5Pa、堆積速度0.1〜0.8nm/sの条件で行った。、Nd−Fe−B合金層の形成は、ターゲットに原子比でNd14Fe71B15の組成を有する鋳造合金を用い、投入電力10W/cm2、Ar圧力0.5Pa、堆積速度3nm/sの条件で行った。
【0057】
試料は、スパッタ装置のチャンバー内で冷却した後、取り出し、試料振動型磁力計で膜面内方向と膜面に垂直な方向の磁化曲線を測定した。そのデータをもとに、Nd−Fe−B合金層のみが一様に磁化されるものと仮定して特性値を計算し、それによって得た残留磁束密度Brと保磁力HcJを表1に示している。
【0058】
なお、表1における「積層構造」の欄に記載されている「基板/[Ti(20nm)/Nd−Fe−B(200nm)]×5」の標記は、「厚さ20nmのTi層と厚さ200nmのNd−Fe−B合金層を交互に積層した構造が基板上に形成されており、その積層構造中に含まれるTi層およびNd−Fe−B合金層の層数が何れも5である」ということを示している。
【0059】
表1からわかるように、実施例の保磁力HcJは、いずれも、単層のNd−Fe−B合金層のみを形成した比較例(試料No.1)の保磁力HcJに比べて大きい。また、実施例では、膜面内方向の残留磁束密度Br1よりも膜面に垂直な方向の残留磁束密度Br2が高く、いわゆる垂直磁気異方性が示されている。特に、試料No.3〜7の場合、膜面内方向の残留磁束密度Br1に対する膜面に垂直な方向の残留磁束密度Br2の比率(Br2/Br1)は5以上の高い値となっている。
【0060】
試料No.1の比較例の磁化曲線を図3に示し、試料No.3の実施例の磁化曲線を図4に示す。これらの磁化曲線を比較すると明らかなように、実施例における垂直方向の残留磁束密度Br2は単層のNd−Fe−B合金層における垂直方向の残留磁束密度Br2に比べて著しく高くなっており、垂直磁気異方性が向上していることがわかる。
【0061】
(実施例2)
本実施例では、550℃に加熱したAl2O3−TiCセラミック基板の上に、DCダイオードマグネトロンスパッタ装置で、20nmのTa層と200nmのPr−Fe−B合金層を交互にそれぞれ5層積層した試料と、Pr−Fe−B合金層のみを1000nmの厚さに形成した試料を作製した。各試料について、積層構造および磁気特性を下記の表2に示す。
【0062】
【表2】
【0063】
ここで、試料No.15が本発明の実施例であり、試料No.14が比較例である。
【0064】
Ta層の形成は、純金属のターゲットを用い、投入電力6W/cm2、Ar圧力0.5Pa、堆積速度0.8nm/sの条件で行った。Pr−Fe−B合金層の形成は、ターゲットに原子比でPr14Fe72B14の組成を有する鋳造合金を用い、投入電力10W/cm2、Ar圧力0.5Pa、堆積速度3nm/sの条件で行った。
【0065】
試料は、スパッタ装置のチャンバー内で冷却した後、取り出し、試料振動型磁力計で膜面内方向と膜面に垂直な方向の磁化曲線を測定した。そのデータをもとに、Pr−Fe−B合金層のみが一様に磁化されるものと仮定して特性値を計算し、それによって得た残留磁束密度と保磁力を表2に示している。
【0066】
表2からわかるように、実施例の保磁力HcJは、単層のPr−Fe−B合金層のみを形成した比較例(試料No.14)の保磁力HcJに比べて大きい。また、実施例では、面内方向の残留磁束密度Br1よりも面に垂直な方向の残留磁束密度Br2が極めて高く、垂直磁気異方性が示されている。
【0067】
(実施例3)
本実施例では、水冷したAl2O3−TiCセラミック基板上に、DCダイオードスパッタリング法によって20nmのTa層と200nmのNd−Fe−B合金層を交互にそれぞれ5層積層した試料と、Nd−Fe−B合金層のみ1000nm成膜した試料を作製した。各試料について、積層構造および熱処理条件を下記の表3に示す。
【0068】
【表3】
【0069】
ここで、試料No.17が本発明の実施例であり、試料No.16が比較例である。
【0070】
Ta層の形成は、純金属のターゲットを用い、投入電力6W/cm2、Ar圧力0.5Pa、堆積速度0.8nm/sの条件で行った。Nd−Fe−B合金層の形成は、ターゲットに原子比でNd14Fe71B15の組成を有する鋳造合金を用い、投入電力10W/cm2、Ar圧力0.5Pa、堆積速度3nm/sの条件で行った。
【0071】
試料に対して、真空中で600℃、1時間の熱処理を行った。その後、試料振動型磁力計を用いて、この試料の膜面内方向と膜面に垂直方向の磁化曲線を測定した。そのデータをもとに、Nd−Fe−B合金層のみが一様に磁化されるものと仮定して特性値を計算し、それによって得た残留磁束密度と保磁力を表4に示す。
【0072】
【表4】
【0073】
表4からわかるように、実施例の保磁力HcJは、単層のNd−Fe−B合金層のみを形成した比較例(試料No.16)の保磁力HcJに比べて格段に大きい。また、実施例では、面内方向の残留磁束密度Br1よりも面に垂直な方向の残留磁束密度Br2が極めて高く、垂直磁気異方性が示されている。
【0074】
以上説明してきたように、本発明の永久磁石薄膜は、高い保磁力と垂直磁気異方性を発揮することができる。
【0075】
このような本発明の永久磁石薄膜を回転機に組み込み、定格条件で動作させたところ、良好な特性が得られた。また、そのトルクを測定したところ、従来の膜に比べて上昇していた。一方、本発明による永久磁石薄膜を磁気記録媒体に使用したところ、高出力、高S/N比が得られた。
【0076】
【発明の効果】
本発明によれば、正方晶R2Fe14B化合物の結晶配向性が向上し、膜面に垂直な方向に高い残留磁束密度を持つ異方性磁石を実現することができる。また、本発明によれば、正方晶R2Fe14B化合物の金属組織が微細化するため、保磁力の向上を達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態における永久磁石薄膜を示す断面図である。
【図2】従来の永久磁石薄膜を示す断面図である。
【図3】表1における試料No.1の比較例の磁化曲線を示すグラフである。横軸が外部磁界の大きさを示し、縦軸が磁化強度を示している。
【図4】表1における試料No.3の実施例の磁化曲線を示すグラフである。横軸が外部磁界の大きさを示し、縦軸が磁化強度を示している。
【符号の説明】
1 基板
2、4、6、8、10 高融点金属層
3、5、7、9、11、12 希土類合金磁性層
Claims (14)
- 高融点金属層と希土類合金磁性層とが交互に積層された4層以上の積層構造を備えた永久磁石薄膜であって、
前記高融点金属層は、Taから形成されており、5nm以上50nm以下の厚さを有し、
前記希土類合金磁性層は、主たる構成相が正方晶R2Fe14B(RはNdおよび/またはPr)であり、50nm以上500nm以下の厚さを有し、かつ、磁気異方性を有していることを特徴とする永久磁石薄膜。 - 前記希土類合金磁性層の面内方向の残留磁束密度(Br1)に対する前記面内方向に垂直な方向の残留磁束密度(Br2)の比(Br2/Br1)が2以上であることを特徴とする請求項1に記載の永久磁石薄膜。
- 前記積層構造に含まれる前記希土類合金磁性層の数が3以上であることを特徴とする請求項1または2に記載の永久磁石薄膜。
- 前記積層構造に含まれる前記希土類合金磁性層の合計厚さ(tm)に対する前記高融点金属層の合計厚さ(tn)の比率(tn/tm)が、0.01≦(tn/tm)≦0.3を満足することを特徴とする請求項1から3の何れかに記載の永久磁石薄膜。
- 前記積層構造を支持する基板と前記積層構造との間に、緩衝層が形成されていることを特徴とする請求項1から4の何れかに記載の永久磁石薄膜。
- 前記緩衝層は、Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、およびWからなる群から選択された少なくとも1種類の材料から形成されていることを特徴とする請求項5に記載の永久磁石薄膜。
- 前記積層構造の最上層に保護層が形成されていることを特徴とする請求項1から4の何れかに記載の永久磁石薄膜。
- 前記保護層は、Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、およびWからなる群から選択された少なくとも1種類の材料から形成されていることを特徴とする請求項7に記載の永久磁石薄膜。
- 300℃以上の融点を有する材料から形成された基板を用意する工程と、
Taから形成され、5nm以上50nm以下の厚さを有する高融点金属層と、主たる構成相が正方晶R2Fe14B(RはNdおよび/またはPr)であり、50nm以上500nm以下の厚さを有し、かつ磁気異方性を有している希土類合金磁性層とが交互に積層された4層以上の積層構造を前記基板上に形成する工程と
を包含する永久磁石薄膜の製造方法。 - 前記積層構造を前記基板上に形成する工程では、前記基板の温度を300℃以上800℃以下の範囲に調整しながら前記希土類合金磁性層を形成することを特徴とする請求項9に記載の永久磁石薄膜の製造方法。
- 前記積層構造を前記基板上に形成する工程では、前記基板の温度を300℃未満に調整しながら前記希土類合金磁性層を形成し、
前記積層構造を前記基板上に形成した後、前記積層構造を400℃以上800℃以下の温度に加熱することを特徴とする請求項9に記載の永久磁石薄膜の製造方法。 - 前記積層構造の形成中または形成後に、前記積層構造に対して磁界を印加する工程を包含している請求項9から11の何れかに記載の永久磁石薄膜の製造方法。
- 請求項1から8の何れかに記載の永久磁石薄膜を有する回転機。
- 請求項1から8の何れかに記載の永久磁石薄膜を有する磁気記録媒体。
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000044175A JP4337209B2 (ja) | 2000-02-22 | 2000-02-22 | 永久磁石薄膜およびその製造方法 |
AT01906188T ATE412245T1 (de) | 2000-02-22 | 2001-02-21 | Dauer magnet-dünnschicht und hestellungsverfahren |
DE60136253T DE60136253D1 (de) | 2000-02-22 | 2001-02-21 | Dauer magnet-dünnschicht und hestellungsverfahren |
US09/959,256 US6805980B2 (en) | 2000-02-22 | 2001-02-21 | Thin permanent-magnet film and process for producing the same |
PCT/JP2001/001276 WO2001063628A1 (fr) | 2000-02-22 | 2001-02-21 | Film d'aimant permanent mince et sa production |
AU34113/01A AU3411301A (en) | 2000-02-22 | 2001-02-21 | Thin permanent-magnet film and process for producing the same |
KR1020017013400A KR100734062B1 (ko) | 2000-02-22 | 2001-02-21 | 영구자석박막 및 그 제조방법 |
EP01906188A EP1187148B1 (en) | 2000-02-22 | 2001-02-21 | Thin permanent-magnet film and process for producing the same |
CNB018002749A CN1249737C (zh) | 2000-02-22 | 2001-02-21 | 永久磁铁薄膜及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000044175A JP4337209B2 (ja) | 2000-02-22 | 2000-02-22 | 永久磁石薄膜およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001237119A JP2001237119A (ja) | 2001-08-31 |
JP4337209B2 true JP4337209B2 (ja) | 2009-09-30 |
Family
ID=18566981
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000044175A Expired - Lifetime JP4337209B2 (ja) | 2000-02-22 | 2000-02-22 | 永久磁石薄膜およびその製造方法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6805980B2 (ja) |
EP (1) | EP1187148B1 (ja) |
JP (1) | JP4337209B2 (ja) |
KR (1) | KR100734062B1 (ja) |
CN (1) | CN1249737C (ja) |
AT (1) | ATE412245T1 (ja) |
AU (1) | AU3411301A (ja) |
DE (1) | DE60136253D1 (ja) |
WO (1) | WO2001063628A1 (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040062659A1 (en) * | 2002-07-12 | 2004-04-01 | Sinha Mahadeva P. | Ion pump with combined housing and cathode |
JP5063855B2 (ja) * | 2004-03-30 | 2012-10-31 | パナソニック株式会社 | 異方性希土類−鉄系磁石膜の製造方法および超小型モータ |
EP1744328B1 (en) * | 2005-06-10 | 2012-07-25 | Nissan Motor Co., Ltd. | Rare earth magnet having high strength and high electrical resistance |
SE529789C8 (sv) * | 2006-03-10 | 2007-12-27 | Abb Ab | Mätanordning omfattande ett skikt av en magnetoelastisk legering och förfarande för tillverkning av mätanordningen |
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-
2000
- 2000-02-22 JP JP2000044175A patent/JP4337209B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-02-21 CN CNB018002749A patent/CN1249737C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-02-21 WO PCT/JP2001/001276 patent/WO2001063628A1/ja active Application Filing
- 2001-02-21 KR KR1020017013400A patent/KR100734062B1/ko active IP Right Grant
- 2001-02-21 US US09/959,256 patent/US6805980B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-02-21 AT AT01906188T patent/ATE412245T1/de not_active IP Right Cessation
- 2001-02-21 EP EP01906188A patent/EP1187148B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-02-21 DE DE60136253T patent/DE60136253D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-02-21 AU AU34113/01A patent/AU3411301A/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001237119A (ja) | 2001-08-31 |
DE60136253D1 (de) | 2008-12-04 |
KR20020033610A (ko) | 2002-05-07 |
CN1249737C (zh) | 2006-04-05 |
AU3411301A (en) | 2001-09-03 |
WO2001063628A1 (fr) | 2001-08-30 |
CN1363101A (zh) | 2002-08-07 |
US6805980B2 (en) | 2004-10-19 |
US20020192502A1 (en) | 2002-12-19 |
EP1187148B1 (en) | 2008-10-22 |
KR100734062B1 (ko) | 2007-07-02 |
EP1187148A1 (en) | 2002-03-13 |
ATE412245T1 (de) | 2008-11-15 |
EP1187148A4 (en) | 2006-03-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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A711 | Notification of change in applicant |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A02 | Decision of refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120710 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
EXPY | Cancellation because of completion of term |