JPH04364249A - 光磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体及びその製造方法Info
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- JPH04364249A JPH04364249A JP3235610A JP23561091A JPH04364249A JP H04364249 A JPH04364249 A JP H04364249A JP 3235610 A JP3235610 A JP 3235610A JP 23561091 A JP23561091 A JP 23561091A JP H04364249 A JPH04364249 A JP H04364249A
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- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10584—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the form, e.g. comprising mechanical protection elements
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- Y10T428/265—1 mil or less
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上に少なくとも希
土類−遷移金属合金薄膜（以下、ＲＥ−ＴＭ膜と称する
。）と誘電体膜とが成膜されてなる光磁気記録媒体に関
し、特に低外部磁界下においても高感度の磁界変調記録
が可能な光磁気記録媒体に関する。
土類−遷移金属合金薄膜（以下、ＲＥ−ＴＭ膜と称する
。）と誘電体膜とが成膜されてなる光磁気記録媒体に関
し、特に低外部磁界下においても高感度の磁界変調記録
が可能な光磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、書換え可能な高密度記録方式とし
て、レーザ光を熱エネルギー源として用いると共に垂直
磁化膜に磁界を印加して情報を記録し、磁気光学効果を
用いてこの情報を読み出す光磁気記録方式が提案されて
いる。この光磁気記録方式に適用される光磁気記録媒体
の記録材料層としては、Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ等の希土類金
属とＦｅ，Ｃｏ等の遷移金属とを組み合わせた非晶質合
金薄膜、すなわちＲＥ−ＴＭ膜が代表的なものである。 特に、希土類金属としてＴｂを含むＴｂＦｅＣｏ膜，Ｇ
ｄＴｂＦｅ膜等は垂直磁気異方性が大きく、実用化に向
けて研究が進められているものである。
て、レーザ光を熱エネルギー源として用いると共に垂直
磁化膜に磁界を印加して情報を記録し、磁気光学効果を
用いてこの情報を読み出す光磁気記録方式が提案されて
いる。この光磁気記録方式に適用される光磁気記録媒体
の記録材料層としては、Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ等の希土類金
属とＦｅ，Ｃｏ等の遷移金属とを組み合わせた非晶質合
金薄膜、すなわちＲＥ−ＴＭ膜が代表的なものである。 特に、希土類金属としてＴｂを含むＴｂＦｅＣｏ膜，Ｇ
ｄＴｂＦｅ膜等は垂直磁気異方性が大きく、実用化に向
けて研究が進められているものである。
【０００３】近年では上記ＲＥ−ＴＭ膜が単独で使用さ
れることは少なく、多くの場合これを誘電体膜や反射膜
と共に積層した多層膜構造が採られる。最も代表的な膜
構成は、基板上に下層側誘電体膜、ＲＥ−ＴＭ膜、上層
側誘電体膜、反射膜が順次積層されてなるいわゆる４層
構成であり、膜厚を最適化することによる多重反射、Ｒ
Ｅ−ＴＭ膜の透過光も反射させて利用することによる磁
気ファラデー効果の相乗、および反射膜への熱拡散防止
によるカー効果のエンハンスメント等を通じてＣ／Ｎの
向上を図っている。
れることは少なく、多くの場合これを誘電体膜や反射膜
と共に積層した多層膜構造が採られる。最も代表的な膜
構成は、基板上に下層側誘電体膜、ＲＥ−ＴＭ膜、上層
側誘電体膜、反射膜が順次積層されてなるいわゆる４層
構成であり、膜厚を最適化することによる多重反射、Ｒ
Ｅ−ＴＭ膜の透過光も反射させて利用することによる磁
気ファラデー効果の相乗、および反射膜への熱拡散防止
によるカー効果のエンハンスメント等を通じてＣ／Ｎの
向上を図っている。
【０００４】上記誘電体膜は、屈折率ｎがおおよそ１．
９以上の材料で構成されることが望ましく、Ｓｉ３ Ｎ
４ ，ＳｉＯ（いずれもｎ＝２．０）等が従来から多用
されている。これらの誘電体膜は一般に反応性スパッタ
リングにより成膜され、たとえば上記Ｓｉ３ Ｎ４ は
ＳｉターゲットをＡｒガスとＮ２ ガスとを含む雰囲気
中でスパッタリングすることにより成膜されている。
９以上の材料で構成されることが望ましく、Ｓｉ３ Ｎ
４ ，ＳｉＯ（いずれもｎ＝２．０）等が従来から多用
されている。これらの誘電体膜は一般に反応性スパッタ
リングにより成膜され、たとえば上記Ｓｉ３ Ｎ４ は
ＳｉターゲットをＡｒガスとＮ２ ガスとを含む雰囲気
中でスパッタリングすることにより成膜されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、光磁気記録
媒体の記録方式には、常に弱い直流外部磁界を印加し，
情報信号に応じてレーザー光を照射する光変調方式と、
常に一定強度のレーザー光を照射し，情報信号に応じて
外部磁界を反転させる磁界変調方式とがある。このうち
、磁界変調方式は光変調方式に比べて装置構成はやや複
雑となるものの、オーバライトが可能でコンピュータ用
ハードディスクに匹敵する高速記録が可能となる利点を
有している。
媒体の記録方式には、常に弱い直流外部磁界を印加し，
情報信号に応じてレーザー光を照射する光変調方式と、
常に一定強度のレーザー光を照射し，情報信号に応じて
外部磁界を反転させる磁界変調方式とがある。このうち
、磁界変調方式は光変調方式に比べて装置構成はやや複
雑となるものの、オーバライトが可能でコンピュータ用
ハードディスクに匹敵する高速記録が可能となる利点を
有している。
【０００６】ただし、磁界変調方式により高密度記録を
行おうとする場合、以下の理由により光磁気記録媒体の
磁界感度を高めることが不可欠となる。磁界変調方式で
は、外部磁界の印加手段として磁界を極めて高速に反転
させることが可能な高周波マグネットが使用されるが、
かかるマグネットにより大きな外部磁界を発生させるこ
とは困難である。また、そもそも磁界変調方式の場合、
磁気記録と異なり磁界を小さく絞り込む必要がないため
に、媒体表面とマグネットとの間のスペーシングを磁気
記録と比べて１桁以上も大きく確保することができる反
面、このためにやはり有効外部磁界が弱くなる。したが
って、光磁気記録媒体が低外部磁界下において磁化の反
転を起こし易いものに改良されることが必要となるので
ある。
行おうとする場合、以下の理由により光磁気記録媒体の
磁界感度を高めることが不可欠となる。磁界変調方式で
は、外部磁界の印加手段として磁界を極めて高速に反転
させることが可能な高周波マグネットが使用されるが、
かかるマグネットにより大きな外部磁界を発生させるこ
とは困難である。また、そもそも磁界変調方式の場合、
磁気記録と異なり磁界を小さく絞り込む必要がないため
に、媒体表面とマグネットとの間のスペーシングを磁気
記録と比べて１桁以上も大きく確保することができる反
面、このためにやはり有効外部磁界が弱くなる。したが
って、光磁気記録媒体が低外部磁界下において磁化の反
転を起こし易いものに改良されることが必要となるので
ある。
【０００７】かかる問題を解決するアプローチとして、
従来はＲＥ−ＴＭ膜、もしくはその上に耐蝕性の向上を
目的として積層される希土類金属膜 （特開平１−１３
８６４０号公報等を参照。） の成膜条件を工夫する試
みがなされている。
従来はＲＥ−ＴＭ膜、もしくはその上に耐蝕性の向上を
目的として積層される希土類金属膜 （特開平１−１３
８６４０号公報等を参照。） の成膜条件を工夫する試
みがなされている。
【０００８】しかしながら、高記録密度化の今後一層の
進展を図る上では、ＲＥ−ＴＭ膜の成膜条件の最適化の
みでは磁界感度の向上に限度がある。そこで本発明は、
かかる従来の実情に鑑みて提案されたものであって、低
外部磁界下においても優れた記録再生特性を発揮する光
磁気記録媒体を提供することを目的とする。
進展を図る上では、ＲＥ−ＴＭ膜の成膜条件の最適化の
みでは磁界感度の向上に限度がある。そこで本発明は、
かかる従来の実情に鑑みて提案されたものであって、低
外部磁界下においても優れた記録再生特性を発揮する光
磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上述の目
的を達成するために鋭意検討を行った結果、誘電体膜の
成膜時に何らかの形で酸素がＲＥ−ＴＭ膜および／また
は希土類金属膜に作用し得る条件をつくり出すことによ
り、光磁気記録媒体の磁界感度の向上、誘電体膜の成膜
の高速化、内部応力の低減等が図られることを見出した
。さらには、誘電体膜としてＳｉ３ Ｎ４ 膜を選び、
これに酸素のみならず炭素を導入せしめてＳｉＣＯＮ膜
となし、その組成を適切な値に設定することで、前記磁
界感度の向上ばかりでなく、熱的及び光学的見地から誘
電体膜の膜厚構成を薄くすることができ、生産性の点で
さらなる改良が図られることを見出した。
的を達成するために鋭意検討を行った結果、誘電体膜の
成膜時に何らかの形で酸素がＲＥ−ＴＭ膜および／また
は希土類金属膜に作用し得る条件をつくり出すことによ
り、光磁気記録媒体の磁界感度の向上、誘電体膜の成膜
の高速化、内部応力の低減等が図られることを見出した
。さらには、誘電体膜としてＳｉ３ Ｎ４ 膜を選び、
これに酸素のみならず炭素を導入せしめてＳｉＣＯＮ膜
となし、その組成を適切な値に設定することで、前記磁
界感度の向上ばかりでなく、熱的及び光学的見地から誘
電体膜の膜厚構成を薄くすることができ、生産性の点で
さらなる改良が図られることを見出した。
【００１０】本発明の光磁気記録媒体は、これらの知見
に基づいて完成されたものである。すなわち、本発明の
第１の発明にかかる光磁気記録媒体は、基板上に少なく
とも希土類−遷移金属合金薄膜と誘電体膜とが成膜され
てなる光磁気記録媒体において、前記誘電体膜は少なく
とも酸素ガスもしくは酸素を一構成元素とする化合物の
ガスを含む雰囲気中でターゲットをスパッタリングする
ことにより成膜されてなることを特徴とするものである
。
に基づいて完成されたものである。すなわち、本発明の
第１の発明にかかる光磁気記録媒体は、基板上に少なく
とも希土類−遷移金属合金薄膜と誘電体膜とが成膜され
てなる光磁気記録媒体において、前記誘電体膜は少なく
とも酸素ガスもしくは酸素を一構成元素とする化合物の
ガスを含む雰囲気中でターゲットをスパッタリングする
ことにより成膜されてなることを特徴とするものである
。
【００１１】また、本発明の第２の発明にかかる光磁気
記録媒体は、基板上に少なくとも希土類−遷移金属合金
薄膜と誘電体膜とが成膜されてなる光磁気記録媒体にお
いて、前記誘電体膜はインジウム−スズ酸化物ターゲッ
トをスパッタリングすることにより成膜されてなること
を特徴とするものである。
記録媒体は、基板上に少なくとも希土類−遷移金属合金
薄膜と誘電体膜とが成膜されてなる光磁気記録媒体にお
いて、前記誘電体膜はインジウム−スズ酸化物ターゲッ
トをスパッタリングすることにより成膜されてなること
を特徴とするものである。
【００１２】さらに、本発明の第３の発明にかかる光磁
気記録媒体は、基板上に少なくとも希土類−遷移金属合
金薄膜と誘電体膜とが成膜されてなる光磁気記録媒体に
おいて、前記誘電体膜はＳｉｘ Ｃｙ Ｏｚ Ｎｖ な
る組成を有し、且つその組成範囲が ０．４０≦ｘ≦０．６０ ０．０５≦ｙ≦０．２０ ０．０５≦ｚ≦０．３０ ０．１０≦ｖ≦０．３０ ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｖ＝１ であることを特徴とするものである。
気記録媒体は、基板上に少なくとも希土類−遷移金属合
金薄膜と誘電体膜とが成膜されてなる光磁気記録媒体に
おいて、前記誘電体膜はＳｉｘ Ｃｙ Ｏｚ Ｎｖ な
る組成を有し、且つその組成範囲が ０．４０≦ｘ≦０．６０ ０．０５≦ｙ≦０．２０ ０．０５≦ｚ≦０．３０ ０．１０≦ｖ≦０．３０ ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｖ＝１ であることを特徴とするものである。
【００１３】本発明では、誘電体膜の成膜時に既に成膜
されているＲＥ−ＴＭ膜や希土類金属膜へ酸素を作用さ
せることを意図しているため、光磁気記録媒体の構成と
してはこれらＲＥ−ＴＭ膜や希土類金属膜よりも上層側
（基板から遠い側）に誘電体膜を有するものであること
が必要である。つまり実質的には、熱拡散防止を目的と
してＲＥ−ＴＭ膜と反射膜との間に介在される誘電体膜
の成膜時に、上述の工夫が施されることになる。
されているＲＥ−ＴＭ膜や希土類金属膜へ酸素を作用さ
せることを意図しているため、光磁気記録媒体の構成と
してはこれらＲＥ−ＴＭ膜や希土類金属膜よりも上層側
（基板から遠い側）に誘電体膜を有するものであること
が必要である。つまり実質的には、熱拡散防止を目的と
してＲＥ−ＴＭ膜と反射膜との間に介在される誘電体膜
の成膜時に、上述の工夫が施されることになる。
【００１４】この場合、媒体構造としては、基板上に下
層側誘電体膜，ＲＥ−ＴＭ膜，希土類金属膜，上層側誘
電体膜，反射膜がこの順に積層された５層構造が考えら
れるが、本発明においては、ＲＥ−ＴＭ膜に酸素を作用
させることで十分に耐蝕性及び磁界感度を確保すること
ができるので、希土類金属膜を省略して４層構造とする
のが有利である。勿論、上記反射膜上にさらに紫外線硬
化樹脂，電子線硬化樹脂等からなる表面保護膜が設けら
れていても良い。なお、膜厚構成は一般的な範囲であれ
ばよく、ＲＥ−ＴＭ膜の膜厚は通常１５０〜３５０Å程
度に、上記希土類金属膜の膜厚は１〜３０Å程度に、ま
た上記下層側誘電体膜および上層側誘電体膜の膜厚は５
〜５０００Å程度にそれぞれ選ばれる。
層側誘電体膜，ＲＥ−ＴＭ膜，希土類金属膜，上層側誘
電体膜，反射膜がこの順に積層された５層構造が考えら
れるが、本発明においては、ＲＥ−ＴＭ膜に酸素を作用
させることで十分に耐蝕性及び磁界感度を確保すること
ができるので、希土類金属膜を省略して４層構造とする
のが有利である。勿論、上記反射膜上にさらに紫外線硬
化樹脂，電子線硬化樹脂等からなる表面保護膜が設けら
れていても良い。なお、膜厚構成は一般的な範囲であれ
ばよく、ＲＥ−ＴＭ膜の膜厚は通常１５０〜３５０Å程
度に、上記希土類金属膜の膜厚は１〜３０Å程度に、ま
た上記下層側誘電体膜および上層側誘電体膜の膜厚は５
〜５０００Å程度にそれぞれ選ばれる。
【００１５】本発明は、先にも述べたように、ＲＥ−Ｔ
Ｍ膜に対して酸素を作用させることを意図しており、そ
のための１手法が誘電体膜のスパッタリング時に雰囲気
中に酸素を含んだガスを導入することである。したがっ
て、本発明の第１の発明においては、例えばＳｉ３ Ｎ
４ からなる誘電体膜をＳｉターゲットを用いてスパッ
タリングする際に、スパッタリング雰囲気中に窒素ガス
のみならず酸素ガス、あるいは酸素を一構成元素とする
化合物のガス（二酸化炭素ガスＣＯ２ 、一酸化炭素ガ
スＣＯ等）を導入する。この場合、スパッタリング雰囲
気の全ガス圧は２〜８ｍＴｏｒｒ程度、雰囲気ガス中に
占める酸素ガスもしくは酸素を一構成元素とする化合物
のガスの体積は１０〜３０％程度に選ばれることが望ま
しい。
Ｍ膜に対して酸素を作用させることを意図しており、そ
のための１手法が誘電体膜のスパッタリング時に雰囲気
中に酸素を含んだガスを導入することである。したがっ
て、本発明の第１の発明においては、例えばＳｉ３ Ｎ
４ からなる誘電体膜をＳｉターゲットを用いてスパッ
タリングする際に、スパッタリング雰囲気中に窒素ガス
のみならず酸素ガス、あるいは酸素を一構成元素とする
化合物のガス（二酸化炭素ガスＣＯ２ 、一酸化炭素ガ
スＣＯ等）を導入する。この場合、スパッタリング雰囲
気の全ガス圧は２〜８ｍＴｏｒｒ程度、雰囲気ガス中に
占める酸素ガスもしくは酸素を一構成元素とする化合物
のガスの体積は１０〜３０％程度に選ばれることが望ま
しい。
【００１６】また、ＲＥ−ＴＭ膜に対して酸素を作用さ
せる手法としては、酸素を含んだガスを作用させる他に
、酸化物ターゲットを用いることが考えられる。このよ
うな手法としては、例えば、ＳｉＯやＳｉＯ２ をター
ゲットに用い、通常の要領で酸素を含むＳｉ３ Ｎ４
膜を成膜することが挙げられる。本発明の第２の発明に
おいては、光学特性や熱的特性に優れ、しかも膜中（タ
ーゲット中）に酸素を含む透明膜、特にインジウム−ス
ズ酸化物膜をＲＥ−ＴＭ膜上に形成する。
せる手法としては、酸素を含んだガスを作用させる他に
、酸化物ターゲットを用いることが考えられる。このよ
うな手法としては、例えば、ＳｉＯやＳｉＯ２ をター
ゲットに用い、通常の要領で酸素を含むＳｉ３ Ｎ４
膜を成膜することが挙げられる。本発明の第２の発明に
おいては、光学特性や熱的特性に優れ、しかも膜中（タ
ーゲット中）に酸素を含む透明膜、特にインジウム−ス
ズ酸化物膜をＲＥ−ＴＭ膜上に形成する。
【００１７】一方、本発明の第１の発明において、二酸
化炭素ガスＣＯ２ や一酸化炭素ガスＣＯ等を用いると
、Ｓｉ３ Ｎ４ 膜の代わりに、屈折率、吸収率がＳｉ
３ Ｎ４ 膜と同程度で熱伝導率が小さいＳｉＣＯＮ膜
（Ｃ，Ｏを含むＳｉＮ膜）が形成され、磁界感度のみな
らず、膜厚構成の点でも有利であることが判明した。
化炭素ガスＣＯ２ や一酸化炭素ガスＣＯ等を用いると
、Ｓｉ３ Ｎ４ 膜の代わりに、屈折率、吸収率がＳｉ
３ Ｎ４ 膜と同程度で熱伝導率が小さいＳｉＣＯＮ膜
（Ｃ，Ｏを含むＳｉＮ膜）が形成され、磁界感度のみな
らず、膜厚構成の点でも有利であることが判明した。
【００１８】すなわち、これまで誘電体膜として用いら
れているＳｉ３ Ｎ４ 膜の物性値は、屈折率１．９〜
２．０程度、吸収率０〜０．０５程度、熱伝導率０．０
３（Ｊ／ｃｍ・ｓｋ）程度であり、これらを熱的，光学
的に解析して、例えば４層構造の光磁気記録媒体におい
ては、第１の誘電体膜の膜厚を１１００Å程度、ＲＥ−
ＴＭ膜を２５０Å程度、第２の誘電体膜の膜厚を３５０
Å程度に設定している。ここで、生産性向上等の目的か
らＳｉ３ Ｎ４ 膜の膜厚を薄くしようとすると、光学
的な見地（反射率、位相補償量、Ｒθｋ 等）からは解
が存在するが、熱的な見地からは、ＲＥ−ＴＭ膜の温度
勾配がブロードな形となりレーザーパワーに対する信号
マージンが小さくなってしまう等の理由から、十分な解
が得られない。これに対して、ＳｉＣＯＮ膜は、屈折率
や吸収率はＳｉ３ Ｎ４ 膜と同程度であるが、熱伝導
率はＳｉ３ Ｎ４ 膜の約６０％であり、膜厚を薄くし
たときにも光学的な解が得られるばかりでなく、熱的に
もあたかも厚い膜があるかの如く構成することができる
。
れているＳｉ３ Ｎ４ 膜の物性値は、屈折率１．９〜
２．０程度、吸収率０〜０．０５程度、熱伝導率０．０
３（Ｊ／ｃｍ・ｓｋ）程度であり、これらを熱的，光学
的に解析して、例えば４層構造の光磁気記録媒体におい
ては、第１の誘電体膜の膜厚を１１００Å程度、ＲＥ−
ＴＭ膜を２５０Å程度、第２の誘電体膜の膜厚を３５０
Å程度に設定している。ここで、生産性向上等の目的か
らＳｉ３ Ｎ４ 膜の膜厚を薄くしようとすると、光学
的な見地（反射率、位相補償量、Ｒθｋ 等）からは解
が存在するが、熱的な見地からは、ＲＥ−ＴＭ膜の温度
勾配がブロードな形となりレーザーパワーに対する信号
マージンが小さくなってしまう等の理由から、十分な解
が得られない。これに対して、ＳｉＣＯＮ膜は、屈折率
や吸収率はＳｉ３ Ｎ４ 膜と同程度であるが、熱伝導
率はＳｉ３ Ｎ４ 膜の約６０％であり、膜厚を薄くし
たときにも光学的な解が得られるばかりでなく、熱的に
もあたかも厚い膜があるかの如く構成することができる
。
【００１９】そこで、本発明の第３の発明では、誘電体
膜をＳｉｘ Ｃｙ Ｏｚ Ｎｖ なる組成とし、その組
成範囲を０．４０≦ｘ≦０．６０ ０．０５≦ｙ≦０．２０ ０．０５≦ｚ≦０．３０ ０．１０≦ｖ≦０．３０ ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｖ＝１ とする。上記組成式において、各構成元素Ｓｉ、Ｃ、Ｏ
、Ｎの組成範囲は、光学特性、特に屈折率ｎや吸収率ｋ
の兼ね合いから決まるものであり、前述の範囲を外れる
と良好な透明誘電体膜とすることができない。
膜をＳｉｘ Ｃｙ Ｏｚ Ｎｖ なる組成とし、その組
成範囲を０．４０≦ｘ≦０．６０ ０．０５≦ｙ≦０．２０ ０．０５≦ｚ≦０．３０ ０．１０≦ｖ≦０．３０ ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｖ＝１ とする。上記組成式において、各構成元素Ｓｉ、Ｃ、Ｏ
、Ｎの組成範囲は、光学特性、特に屈折率ｎや吸収率ｋ
の兼ね合いから決まるものであり、前述の範囲を外れる
と良好な透明誘電体膜とすることができない。
【００２０】誘電体膜としてＳｉＣＯＮ膜を用いた場合
、先にも述べた通り膜厚を薄くすることができる。具体
的には、４層構造の光磁気記録媒体において、第１の誘
電体膜は６００〜９００Å、ＲＥ−ＴＭ膜は２００〜２
５０Å、第２の誘電体膜は３００Å以下である。前記第
１の誘電体膜の膜厚に対しては、第２の誘電体膜の膜厚
の影響が大きいが、６００Å未満であると第２の誘電体
膜の膜厚をいかように設定しても十分なＲθｋ を確保
することが難しくなる。また、特性等の点からは特に上
限は規定されないが、膜厚を薄くして生産性を上げると
いう目的からは、前記第１の誘電体膜の膜厚が９００Å
を越えると意味がない。
、先にも述べた通り膜厚を薄くすることができる。具体
的には、４層構造の光磁気記録媒体において、第１の誘
電体膜は６００〜９００Å、ＲＥ−ＴＭ膜は２００〜２
５０Å、第２の誘電体膜は３００Å以下である。前記第
１の誘電体膜の膜厚に対しては、第２の誘電体膜の膜厚
の影響が大きいが、６００Å未満であると第２の誘電体
膜の膜厚をいかように設定しても十分なＲθｋ を確保
することが難しくなる。また、特性等の点からは特に上
限は規定されないが、膜厚を薄くして生産性を上げると
いう目的からは、前記第１の誘電体膜の膜厚が９００Å
を越えると意味がない。
【００２１】また、前記第２の誘電体膜の膜厚は、第１
の誘電体膜の膜厚に対応して解が決まるため、第１の誘
電体膜の膜厚に応じて最適値に設定する必要がある。た
だし生産性を考慮して３００Å以下とする。なお、ＲＥ
−ＴＭ膜の膜厚は任意であるが、ＲＥ−ＴＭ膜の膜厚が
あまり厚くなると特性の劣化が見られ、逆にあまり薄く
なると信頼性が低下することから、ここでは２００〜２
５０Åとする。
の誘電体膜の膜厚に対応して解が決まるため、第１の誘
電体膜の膜厚に応じて最適値に設定する必要がある。た
だし生産性を考慮して３００Å以下とする。なお、ＲＥ
−ＴＭ膜の膜厚は任意であるが、ＲＥ−ＴＭ膜の膜厚が
あまり厚くなると特性の劣化が見られ、逆にあまり薄く
なると信頼性が低下することから、ここでは２００〜２
５０Åとする。
【００２２】
【作用】本発明による磁界感度の向上の理由は必ずしも
明らかではないが、おおよそ次のように考えられる。ま
ず、本発明の第１の発明では、誘電体膜の成膜時にスパ
ッタリング雰囲気中に酸素ガスあるいは酸素を一構成元
素とするガスが含まれていることにより、４層構成の場
合には下地であるＲＥ−ＴＭ膜の表層部が、また５層構
成の場合には下地である希土類金属膜，もしくは希土類
金属膜とＲＥ−ＴＭ膜の表層部とが緻密で薄い酸化物層
に変化し、この酸化物層が外界からの酸素の進入や界面
反応に対するバリヤとして機能するものと考えられる。 また、本発明の第２の発明によれば、ＩＴＯターゲット
に含有される酸素がスパッタされて下地であるＲＥ−Ｔ
Ｍ膜および／または希土類金属膜に作用し、同様にバリ
ヤ性の高い酸化物層を形成するものと考えられる。
明らかではないが、おおよそ次のように考えられる。ま
ず、本発明の第１の発明では、誘電体膜の成膜時にスパ
ッタリング雰囲気中に酸素ガスあるいは酸素を一構成元
素とするガスが含まれていることにより、４層構成の場
合には下地であるＲＥ−ＴＭ膜の表層部が、また５層構
成の場合には下地である希土類金属膜，もしくは希土類
金属膜とＲＥ−ＴＭ膜の表層部とが緻密で薄い酸化物層
に変化し、この酸化物層が外界からの酸素の進入や界面
反応に対するバリヤとして機能するものと考えられる。 また、本発明の第２の発明によれば、ＩＴＯターゲット
に含有される酸素がスパッタされて下地であるＲＥ−Ｔ
Ｍ膜および／または希土類金属膜に作用し、同様にバリ
ヤ性の高い酸化物層を形成するものと考えられる。
【００２３】一方、本発明の第３の発明においては、前
記磁界感度の向上の他、ＳｉＣＯＮ膜の屈折率や吸収率
がＳｉ３ Ｎ４ 膜と同程度であり、熱伝導率がＳｉ３
Ｎ４ 膜の約６０％であることから、膜厚を薄くした
ときにも光学的な解が得られるばかりでなく、熱的にも
あたかも厚い膜があるかの如く作用する。したがって、
光磁気記録媒体において、誘電体膜の膜厚を薄くした膜
厚構成が可能となる。
記磁界感度の向上の他、ＳｉＣＯＮ膜の屈折率や吸収率
がＳｉ３ Ｎ４ 膜と同程度であり、熱伝導率がＳｉ３
Ｎ４ 膜の約６０％であることから、膜厚を薄くした
ときにも光学的な解が得られるばかりでなく、熱的にも
あたかも厚い膜があるかの如く作用する。したがって、
光磁気記録媒体において、誘電体膜の膜厚を薄くした膜
厚構成が可能となる。
【００２４】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例について、実験
結果に基づいて説明する。
結果に基づいて説明する。
【００２５】実施例１
本実施例は、ＣＯ２ を含有する雰囲気中でＳｉターゲ
ットをスパッタリングすることによりＣ，Ｏを含有する
ＳｉＮ膜を成膜し、５層構成の光磁気ディスクを作成し
た例である。まず、本実施例において作成された５層構
成の光磁気ディスクの概略的な構成を図２に示す。この
光磁気記録媒体は、記録・再生が基板側から行われるこ
とを前提としており、ポリカーボネートからなる基板１
上にＣ，Ｏを含むＳｉＮ膜（第１の誘電体膜）２ａ、Ｔ
ｂＦｅＣｏ合金からなるＲＥ−ＴＭ膜３、Ｔｂからなる
希土類金属膜４、Ｃ，Ｏを含むＳｉＮ膜（第２の誘電体
膜）２ｂ、Ａｌからなる反射膜５、および紫外線硬化樹
脂からなる保護膜６がこの順序にて積層されてなるもの
である。
ットをスパッタリングすることによりＣ，Ｏを含有する
ＳｉＮ膜を成膜し、５層構成の光磁気ディスクを作成し
た例である。まず、本実施例において作成された５層構
成の光磁気ディスクの概略的な構成を図２に示す。この
光磁気記録媒体は、記録・再生が基板側から行われるこ
とを前提としており、ポリカーボネートからなる基板１
上にＣ，Ｏを含むＳｉＮ膜（第１の誘電体膜）２ａ、Ｔ
ｂＦｅＣｏ合金からなるＲＥ−ＴＭ膜３、Ｔｂからなる
希土類金属膜４、Ｃ，Ｏを含むＳｉＮ膜（第２の誘電体
膜）２ｂ、Ａｌからなる反射膜５、および紫外線硬化樹
脂からなる保護膜６がこの順序にて積層されてなるもの
である。
【００２６】そして、 上記光磁気ディスクは、以下
の手順により作成した。まず、上記第１の誘電体膜２ａ
、ＲＥ−ＴＭ膜３、第２の誘電体膜２ｂ、希土類金属膜
４、Ａｌ反射膜５を連続工程により成膜するため、４元
スパッタリング装置のチャンバー内にＳｉターゲット，
Ｔｂターゲット，ＦｅＣｏ合金ターゲット，Ａｌター
ゲットの４種類のターゲット、および基板１をセットし
た。続いてチャンバー内を排気し、バックグラウンド真
空度を１．０×１０−３ｍＴｏｒｒ（１．３３×１０−
４Ｐａ） とした。
の手順により作成した。まず、上記第１の誘電体膜２ａ
、ＲＥ−ＴＭ膜３、第２の誘電体膜２ｂ、希土類金属膜
４、Ａｌ反射膜５を連続工程により成膜するため、４元
スパッタリング装置のチャンバー内にＳｉターゲット，
Ｔｂターゲット，ＦｅＣｏ合金ターゲット，Ａｌター
ゲットの４種類のターゲット、および基板１をセットし
た。続いてチャンバー内を排気し、バックグラウンド真
空度を１．０×１０−３ｍＴｏｒｒ（１．３３×１０−
４Ｐａ） とした。
【００２７】次に、Ａｒ流量８０ＳＣＣＭ， Ｎ２ 流
量７ＳＣＣＭ，ＣＯ２ 流量５ＳＣＣＭ，ガス圧３ｍＴ
ｏｒｒ（０．４Ｐａ），投入電力２ｋＷの条件にてＳｉ
ターゲットを使用した高周波反応性スパッタリングを行
い、ポリカーボネート基板１上に膜厚１１００Åの第１
の誘電体膜２ａを成膜した。次いで、ＦｅＣｏ合金ター
ゲットとＴｂターゲットとを使用して直流同時二元スパ
ッタリングを行い、Ｔｂ１９．４Ｆｅ７６．５Ｃｏ４．
１ なる組成を有するＲＥ−ＴＭ膜３を２５０Åの膜厚
に成膜した。
量７ＳＣＣＭ，ＣＯ２ 流量５ＳＣＣＭ，ガス圧３ｍＴ
ｏｒｒ（０．４Ｐａ），投入電力２ｋＷの条件にてＳｉ
ターゲットを使用した高周波反応性スパッタリングを行
い、ポリカーボネート基板１上に膜厚１１００Åの第１
の誘電体膜２ａを成膜した。次いで、ＦｅＣｏ合金ター
ゲットとＴｂターゲットとを使用して直流同時二元スパ
ッタリングを行い、Ｔｂ１９．４Ｆｅ７６．５Ｃｏ４．
１ なる組成を有するＲＥ−ＴＭ膜３を２５０Åの膜厚
に成膜した。
【００２８】さらに、Ｔｂターゲットのみを使用して直
流スパッタリングを行い、膜厚５Åの希土類金属膜４を
成膜した。次に、再びＳｉターゲットを使用して前述の
第１の誘電体膜２ａの成膜時と同様の条件で高周波反応
性スパッタリングを行い、膜厚３５０Åの第２の誘電体
膜２ｂを成膜し、さらにＡｌターゲットを使用して直流
スパッタリングにより膜厚６００ÅのＡｌ反射膜５を成
膜した。最後に、上記Ａｌ反射膜５の表面に紫外線硬化
樹脂をスピンコートし、水銀ランプ露光によるＵＶキュ
アを行って保護膜６を形成し、光磁気ディスクを作成し
た。
流スパッタリングを行い、膜厚５Åの希土類金属膜４を
成膜した。次に、再びＳｉターゲットを使用して前述の
第１の誘電体膜２ａの成膜時と同様の条件で高周波反応
性スパッタリングを行い、膜厚３５０Åの第２の誘電体
膜２ｂを成膜し、さらにＡｌターゲットを使用して直流
スパッタリングにより膜厚６００ÅのＡｌ反射膜５を成
膜した。最後に、上記Ａｌ反射膜５の表面に紫外線硬化
樹脂をスピンコートし、水銀ランプ露光によるＵＶキュ
アを行って保護膜６を形成し、光磁気ディスクを作成し
た。
【００２９】実施例２
第１の誘電体膜２ａおよび第２の誘電体膜２ｂの成膜条
件をガス圧 ３ｍＴｏｒｒ，Ａｒ流量７０ＳＣＣＭ，Ｎ
２ 流量１０ＳＣＣＭ，ＣＯ２ 流量２．７ＳＣＣＭ，
ＣＨ４ 流量２．５ＳＣＣＭ，投入電力２ｋＷとした以
外は、実施例１と同様に光磁気ディスクを作成した。
件をガス圧 ３ｍＴｏｒｒ，Ａｒ流量７０ＳＣＣＭ，Ｎ
２ 流量１０ＳＣＣＭ，ＣＯ２ 流量２．７ＳＣＣＭ，
ＣＨ４ 流量２．５ＳＣＣＭ，投入電力２ｋＷとした以
外は、実施例１と同様に光磁気ディスクを作成した。
【００３０】実施例３
第１の誘電体膜２ａおよび第２の誘電体膜２ｂの成膜条
件をガス圧３ｍＴｏｒｒ，Ａｒ流量８０ＳＣＣＭ，Ｎ２
流量１６ＳＣＣＭ，Ｏ２ 流量４ＳＣＣＭ，投入電力
２ｋＷとした以外は、実施例１と同様に光磁気ディスク
を作成した。
件をガス圧３ｍＴｏｒｒ，Ａｒ流量８０ＳＣＣＭ，Ｎ２
流量１６ＳＣＣＭ，Ｏ２ 流量４ＳＣＣＭ，投入電力
２ｋＷとした以外は、実施例１と同様に光磁気ディスク
を作成した。
【００３１】実施例４
本実施例は、ＩＴＯターゲットをスパッタリングするこ
とによりＩｎ２ Ｏ３ −ＳｎＯ２ からなる誘電体膜
を成膜し、５層構成の光磁気ディスクを作成した例であ
る。本実施例により作成される光磁気ディスクの構成お
よび誘電体膜以外の膜の成膜方法は、実施例１と同様で
ある。 本実施例では、第１の誘電体膜２ａおよび第２の誘電体
膜２ｂの成膜に際し、条件をガス圧３ｍＴｏｒｒ， Ａ
ｒ流量８０ＳＣＣＭ， 投入電力２ｋＷとし、ＩＴＯタ
ーゲットに対する高周波スパッタリングを行った。
とによりＩｎ２ Ｏ３ −ＳｎＯ２ からなる誘電体膜
を成膜し、５層構成の光磁気ディスクを作成した例であ
る。本実施例により作成される光磁気ディスクの構成お
よび誘電体膜以外の膜の成膜方法は、実施例１と同様で
ある。 本実施例では、第１の誘電体膜２ａおよび第２の誘電体
膜２ｂの成膜に際し、条件をガス圧３ｍＴｏｒｒ， Ａ
ｒ流量８０ＳＣＣＭ， 投入電力２ｋＷとし、ＩＴＯタ
ーゲットに対する高周波スパッタリングを行った。
【００３２】比較例１
比較のために、従来の雰囲気ガス条件を適用してＳｉ３
Ｎ４ からなる誘電体膜を成膜した。本比較例により
作成される光磁気ディスクの構成および誘電体膜以外の
膜の成膜方法は、実施例１と同様である。ここでは、第
１の誘電体膜２ａおよび第２の誘電体膜２ｂの成膜に際
し、条件をガス圧３ｍＴｏｒｒ， Ａｒ流量７５ＳＣＣ
Ｍ，Ｎ２ 流量２５ＳＣＣＭ，投入電力２ｋＷとし、Ｓ
ｉターゲットに対する高周波反応性スパッタリングを行
った。この系では、スパッタリング雰囲気，ターゲット
のいずれからも酸素は供給されない。
Ｎ４ からなる誘電体膜を成膜した。本比較例により
作成される光磁気ディスクの構成および誘電体膜以外の
膜の成膜方法は、実施例１と同様である。ここでは、第
１の誘電体膜２ａおよび第２の誘電体膜２ｂの成膜に際
し、条件をガス圧３ｍＴｏｒｒ， Ａｒ流量７５ＳＣＣ
Ｍ，Ｎ２ 流量２５ＳＣＣＭ，投入電力２ｋＷとし、Ｓ
ｉターゲットに対する高周波反応性スパッタリングを行
った。この系では、スパッタリング雰囲気，ターゲット
のいずれからも酸素は供給されない。
【００３３】以上の各実施例および比較例で作成された
各光磁気ディスクについて、磁界変調方式による記録再
生試験を行った。すなわち、記録外部磁界の強さ±５０
〜２５０Ｏｅ、線速度１．４ｍ／秒、記録信号周波数７
５０ｋＨｚ、半導体レーザー出力４．５ｍＷの条件で記
録を行った後、半導体レーザー出力を０．６ｍＷとして
再生を行い、その再生波形の全周波数帯域について１０
ｋＨｚの解像帯域で周波数スペクトル分析を行ってＣ／
Ｎを求めた。
各光磁気ディスクについて、磁界変調方式による記録再
生試験を行った。すなわち、記録外部磁界の強さ±５０
〜２５０Ｏｅ、線速度１．４ｍ／秒、記録信号周波数７
５０ｋＨｚ、半導体レーザー出力４．５ｍＷの条件で記
録を行った後、半導体レーザー出力を０．６ｍＷとして
再生を行い、その再生波形の全周波数帯域について１０
ｋＨｚの解像帯域で周波数スペクトル分析を行ってＣ／
Ｎを求めた。
【００３４】結果を図１に示す。図中、縦軸はＣ／Ｎ
（ｄＢ） 、横軸は記録外部磁界の強さ（Ｏｅ） を表
し、黒丸 （●） のプロットは実施例１、白丸（○）
プロットは実施例２、四角（□）のプロットは実施例３
、黒三角（▲）のプロットは実施例４、白三角（△）の
プロットは比較例に対応するものである。記録外部磁界
の強さが±２５０Ｏｅと高い場合には各実施例および比
較例とも同等のＣ／Ｎを達成しているが、低磁界側にお
いては各実施例の方が比較例よりも優れたＣ／Ｎを達成
しており、しかもその値はいずれも±１００〜１５０Ｏ
ｅの範囲でほぼ飽和する傾向を示している。つまり、本
発明を適用した光磁気記録媒体は、記録外部磁界の強さ
を従来の４０〜６０％程度に低減させても実用上十分な
記録再生特性を発揮する。換言すれば磁界感度が従来よ
りも１．７〜２．５倍程度増大することが明らかである
。
（ｄＢ） 、横軸は記録外部磁界の強さ（Ｏｅ） を表
し、黒丸 （●） のプロットは実施例１、白丸（○）
プロットは実施例２、四角（□）のプロットは実施例３
、黒三角（▲）のプロットは実施例４、白三角（△）の
プロットは比較例に対応するものである。記録外部磁界
の強さが±２５０Ｏｅと高い場合には各実施例および比
較例とも同等のＣ／Ｎを達成しているが、低磁界側にお
いては各実施例の方が比較例よりも優れたＣ／Ｎを達成
しており、しかもその値はいずれも±１００〜１５０Ｏ
ｅの範囲でほぼ飽和する傾向を示している。つまり、本
発明を適用した光磁気記録媒体は、記録外部磁界の強さ
を従来の４０〜６０％程度に低減させても実用上十分な
記録再生特性を発揮する。換言すれば磁界感度が従来よ
りも１．７〜２．５倍程度増大することが明らかである
。
【００３５】さらに、成膜速度および内部応力の比較を
行ったところ、実施例１における第１の誘電体膜２ａお
よび第２の誘電体膜２ｂの成膜速度は１００Å／分、膜
の内部応力は３．３０×１０９ ｄｙｎ／ｃｍ２ であ
ったのに対し、比較例における成膜速度は７０Å／分、
内部応力は５．５３×１０９ ｄｙｎ／ｃｍ２ であっ
た。したがって、本発明により成膜速度の高速化および
内部応力の低減を図ることも可能となる。
行ったところ、実施例１における第１の誘電体膜２ａお
よび第２の誘電体膜２ｂの成膜速度は１００Å／分、膜
の内部応力は３．３０×１０９ ｄｙｎ／ｃｍ２ であ
ったのに対し、比較例における成膜速度は７０Å／分、
内部応力は５．５３×１０９ ｄｙｎ／ｃｍ２ であっ
た。したがって、本発明により成膜速度の高速化および
内部応力の低減を図ることも可能となる。
【００３６】実施例５
本実施例は、誘電体膜にＳｉＣＯＮ膜を用い、膜厚構成
を通常のＳｉ３ Ｎ４ 膜を用いた場合に比べて薄く設
定した例である。先ず、先の実施例１と同様の手法によ
り、ＣＯ２ を含む雰囲気中で誘電体膜のスパッタリン
グを行い、ＳｉＣＯＮ膜を誘電体膜とする光磁気ディス
クを作製した。ただし、ここでは希土類金属膜４は省略
し、４層構造の光磁気ディスクとした。
を通常のＳｉ３ Ｎ４ 膜を用いた場合に比べて薄く設
定した例である。先ず、先の実施例１と同様の手法によ
り、ＣＯ２ を含む雰囲気中で誘電体膜のスパッタリン
グを行い、ＳｉＣＯＮ膜を誘電体膜とする光磁気ディス
クを作製した。ただし、ここでは希土類金属膜４は省略
し、４層構造の光磁気ディスクとした。
【００３７】成膜された誘電体膜２ａ，２ｂは、Ｓｉ４
６．３原子％、Ｃ８．５原子％、Ｏ２６．６原子％、Ｎ
１８．６原子％なる組成を有するＳｉＣＯＮ膜であった
。また、このＳｉＣＯＮ膜の熱伝導率λは０．０１６Ｊ
／ｃｍｓｋであり、通常のＳｉ３ Ｎ４ 膜の値（０．
０２６Ｊ／ｃｍｓｋ）に比べて低い値を示した。
６．３原子％、Ｃ８．５原子％、Ｏ２６．６原子％、Ｎ
１８．６原子％なる組成を有するＳｉＣＯＮ膜であった
。また、このＳｉＣＯＮ膜の熱伝導率λは０．０１６Ｊ
／ｃｍｓｋであり、通常のＳｉ３ Ｎ４ 膜の値（０．
０２６Ｊ／ｃｍｓｋ）に比べて低い値を示した。
【００３８】そこで、第１の誘電体膜２ａの膜厚を８０
０Åとし、ＲＥ−ＴＭ膜３及び第２の誘電体膜２ｂの膜
厚を変化させ、反射率、位相補償量及びＲθｋ の変動
を調べた。結果を図３、図４、図５にそれぞれ示す。な
お、これら図面においては、横軸にＲＥ−ＴＭ膜の膜厚
をとってあり、各線に付記した膜厚が第２の誘電体膜２
ｂの膜厚である。いずれの特性も、第２の誘電体膜２ｂ
の膜厚が薄くなるほど良くなることがわかった。
０Åとし、ＲＥ−ＴＭ膜３及び第２の誘電体膜２ｂの膜
厚を変化させ、反射率、位相補償量及びＲθｋ の変動
を調べた。結果を図３、図４、図５にそれぞれ示す。な
お、これら図面においては、横軸にＲＥ−ＴＭ膜の膜厚
をとってあり、各線に付記した膜厚が第２の誘電体膜２
ｂの膜厚である。いずれの特性も、第２の誘電体膜２ｂ
の膜厚が薄くなるほど良くなることがわかった。
【００３９】このような実験結果に基づき、誘電体膜２
ａの膜厚を９００Å、ＲＥ−ＴＭ膜３の膜厚を２００Å
、誘電体膜２ｂの膜厚を２５０Å、Ａｌ反射膜５５０Å
（このような膜厚構成を９００／２００／２５０／５５
０と表記する。）として、ＲＥ−ＴＭ膜３の温度勾配（
同一のレーザスポットを照射したときのスポット中心か
らの距離による温度分布）並びに記録パワーマージンを
測定した。温度勾配の様子を図６に、また記録パワーマ
ージンを表１に示す。なお、ここでは比較のために通常
のＳｉ３ Ｎ４ 膜を誘電体膜とする光磁気ディスクに
ついても測定したが、Ｓｉ３ Ｎ４ 膜を誘電体膜とす
る光磁気ディスクの膜厚構成は、１１００／２３０／３
５０／５５０（比較例２）及び９００／２００／２５０
／５５０（比較例３）の２種類である。
ａの膜厚を９００Å、ＲＥ−ＴＭ膜３の膜厚を２００Å
、誘電体膜２ｂの膜厚を２５０Å、Ａｌ反射膜５５０Å
（このような膜厚構成を９００／２００／２５０／５５
０と表記する。）として、ＲＥ−ＴＭ膜３の温度勾配（
同一のレーザスポットを照射したときのスポット中心か
らの距離による温度分布）並びに記録パワーマージンを
測定した。温度勾配の様子を図６に、また記録パワーマ
ージンを表１に示す。なお、ここでは比較のために通常
のＳｉ３ Ｎ４ 膜を誘電体膜とする光磁気ディスクに
ついても測定したが、Ｓｉ３ Ｎ４ 膜を誘電体膜とす
る光磁気ディスクの膜厚構成は、１１００／２３０／３
５０／５５０（比較例２）及び９００／２００／２５０
／５５０（比較例３）の２種類である。
【００４０】
【表１】
【００４１】先ず、図６を見ると、通常のＳｉ３ Ｎ４
膜を誘電体膜とした場合、膜厚構成を薄くすると温度
勾配がブロードな形となっているのに対して、ＳｉＣＯ
Ｎ膜を誘電体膜とした場合には、Ｓｉ３ Ｎ４ 膜の膜
厚が厚い場合と遜色のない良好な温度勾配を示すことが
わかる。 また、表１に示した記録パワーのマージンについても同
様のことが言え、通常のＳｉ３ Ｎ４ 膜を誘電体膜と
した場合、膜厚構成を薄くするとマージンが少なくなる
のに対して、ＳｉＣＯＮ膜を誘電体膜とした場合には、
Ｓｉ３ Ｎ４ 膜の膜厚が厚い場合とほぼ同等のマージ
ンが得られている。
膜を誘電体膜とした場合、膜厚構成を薄くすると温度
勾配がブロードな形となっているのに対して、ＳｉＣＯ
Ｎ膜を誘電体膜とした場合には、Ｓｉ３ Ｎ４ 膜の膜
厚が厚い場合と遜色のない良好な温度勾配を示すことが
わかる。 また、表１に示した記録パワーのマージンについても同
様のことが言え、通常のＳｉ３ Ｎ４ 膜を誘電体膜と
した場合、膜厚構成を薄くするとマージンが少なくなる
のに対して、ＳｉＣＯＮ膜を誘電体膜とした場合には、
Ｓｉ３ Ｎ４ 膜の膜厚が厚い場合とほぼ同等のマージ
ンが得られている。
【００４２】以上、本発明を適用した実施例について説
明してきたが、本発明がこれら実施例に限定されるもの
でないことは言うまでもなく、本願の要旨を逸脱しない
範囲で材料、寸法、形状等について種々の変更が可能で
ある。例えば、本発明が適用される光磁気記録媒体の形
態は上述のようなディスクに限られるものではなく、カ
ード，テープ，ドラム等であっても良い。
明してきたが、本発明がこれら実施例に限定されるもの
でないことは言うまでもなく、本願の要旨を逸脱しない
範囲で材料、寸法、形状等について種々の変更が可能で
ある。例えば、本発明が適用される光磁気記録媒体の形
態は上述のようなディスクに限られるものではなく、カ
ード，テープ，ドラム等であっても良い。
【００４３】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明によれば、誘電体膜の成膜時に従来のスパッタリング
雰囲気中へ安価で安全なガスを若干添加するか、もしく
は酸化物ターゲットを使用するという極めて簡便な手法
により、効果的に光磁気記録媒体の磁界感度の向上、誘
電体膜の成膜の高速化、誘電体膜の内部応力の低減等を
図ることが可能となる。かかる光磁気記録媒体は、低外
部磁界下において磁界変調記録が行われる場合にも、優
れた実用特性を発揮する。また、特に二酸化炭素等の導
入により誘電体膜をＳｉＣＯＮ膜とすれば、膜厚構成を
薄く設定することが可能となり、希土類金属膜を省略で
きることと相俟って生産性の点で非常に有利である。
明によれば、誘電体膜の成膜時に従来のスパッタリング
雰囲気中へ安価で安全なガスを若干添加するか、もしく
は酸化物ターゲットを使用するという極めて簡便な手法
により、効果的に光磁気記録媒体の磁界感度の向上、誘
電体膜の成膜の高速化、誘電体膜の内部応力の低減等を
図ることが可能となる。かかる光磁気記録媒体は、低外
部磁界下において磁界変調記録が行われる場合にも、優
れた実用特性を発揮する。また、特に二酸化炭素等の導
入により誘電体膜をＳｉＣＯＮ膜とすれば、膜厚構成を
薄く設定することが可能となり、希土類金属膜を省略で
きることと相俟って生産性の点で非常に有利である。
【図１】本発明の第１の発明および第２の発明を適用し
た各実施例にかかる光磁気ディスクの記録再生特性を従
来品との比較において示す特性図である。
た各実施例にかかる光磁気ディスクの記録再生特性を従
来品との比較において示す特性図である。
【図２】本発明を適用して製造される光磁気記録媒体の
一構成例を示す概略断面図である。
一構成例を示す概略断面図である。
【図３】誘電体膜をＳｉＣＯＮ膜としたときのＲＥ−Ｔ
Ｍ膜及び第２の誘電体膜の膜厚による反射率を変化を示
す特性図である。
Ｍ膜及び第２の誘電体膜の膜厚による反射率を変化を示
す特性図である。
【図４】位相補償量の変化を示す特性図である。
【図５】Ｒθｋ の変化を示す特性図である。
【図６】誘電体膜をＳｉＣＯＮ膜とした光磁気ディスク
の温度勾配の様子を通常のＳｉ３ Ｎ４ 膜を用いた光
磁気ディスクのそれと比べて示す特性図である。
の温度勾配の様子を通常のＳｉ３ Ｎ４ 膜を用いた光
磁気ディスクのそれと比べて示す特性図である。
１・・・基板
２ａ・・・第１の誘電体膜
３・・・ＲＥ−ＴＭ膜
２ｂ・・・第２の誘電体膜
４・・・希土類金属膜
５・・・反射膜
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に少なくとも希土類−遷移金属
合金薄膜と誘電体膜とが成膜されてなる光磁気記録媒体
において、前記誘電体膜は少なくとも酸素ガスもしくは
酸素を一構成元素とする化合物のガスを含む雰囲気中で
ターゲットをスパッタリングすることにより成膜されて
なることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 基板上に少なくとも希土類−遷移金属
合金薄膜と誘電体膜とが成膜されてなる光磁気記録媒体
において、前記誘電体膜はインジウム−スズ酸化物ター
ゲットをスパッタリングすることにより成膜されてなる
ことを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 基板上に少なくとも希土類−遷移金属
合金薄膜と誘電体膜とが成膜されてなる光磁気記録媒体
において、前記誘電体膜はＳｉｘ Ｃｙ Ｏｚ Ｎｖ
なる組成を有し、且つその組成範囲が ０．４０≦ｘ≦０．６０ ０．０５≦ｙ≦０．２０ ０．０５≦ｚ≦０．３０ ０．１０≦ｖ≦０．３０ ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｖ＝１ であることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項４】 誘電体膜が酸素及び炭素を構成元素と
する化合物のガス及び窒素ガスを含む雰囲気中でシリコ
ンターゲットをスパッタリングすることにより成膜され
てなることを特徴とする請求項３記載の光磁気記録媒体
。 - 【請求項５】 基板上に第１の誘電体膜、希土類−遷
移金属合金薄膜、第２の誘電体膜、反射膜が順次積層形
成されてなり、第１の誘電体膜の膜厚が６００〜９００
Å、第２の誘電体膜の膜厚が３００Å以下であることを
特徴とする請求項３記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23561091A JP3178025B2 (ja) | 1990-11-07 | 1991-08-23 | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
| US08/112,060 US5476713A (en) | 1990-11-07 | 1993-08-26 | Magneto-optical recording medium |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-299938 | 1990-11-07 | ||
| JP29993890 | 1990-11-07 | ||
| JP23561091A JP3178025B2 (ja) | 1990-11-07 | 1991-08-23 | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04364249A true JPH04364249A (ja) | 1992-12-16 |
| JP3178025B2 JP3178025B2 (ja) | 2001-06-18 |
Family
ID=26532230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23561091A Expired - Fee Related JP3178025B2 (ja) | 1990-11-07 | 1991-08-23 | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5476713A (ja) |
| JP (1) | JP3178025B2 (ja) |
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| US6660365B1 (en) | 1998-12-21 | 2003-12-09 | Cardinal Cg Company | Soil-resistant coating for glass surfaces |
| US6974629B1 (en) | 1999-08-06 | 2005-12-13 | Cardinal Cg Company | Low-emissivity, soil-resistant coating for glass surfaces |
| US6652974B1 (en) | 1999-05-18 | 2003-11-25 | Cardinal Ig Company | Hard, scratch-resistant coatings for substrates |
| AU5611801A (en) * | 2000-03-16 | 2001-09-24 | Mat Gmbh Dresden | Low-friction protective layers that reduce wear and tear and a method for depositing same |
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| US8092660B2 (en) | 2004-12-03 | 2012-01-10 | Cardinal Cg Company | Methods and equipment for depositing hydrophilic coatings, and deposition technologies for thin films |
| US7923114B2 (en) | 2004-12-03 | 2011-04-12 | Cardinal Cg Company | Hydrophilic coatings, methods for depositing hydrophilic coatings, and improved deposition technology for thin films |
| JP2009534563A (ja) | 2006-04-19 | 2009-09-24 | 日本板硝子株式会社 | 同等の単独の表面反射率を有する対向機能コーティング |
| US20080011599A1 (en) | 2006-07-12 | 2008-01-17 | Brabender Dennis M | Sputtering apparatus including novel target mounting and/or control |
| US7820296B2 (en) | 2007-09-14 | 2010-10-26 | Cardinal Cg Company | Low-maintenance coating technology |
| EP3541762B1 (en) | 2016-11-17 | 2022-03-02 | Cardinal CG Company | Static-dissipative coating technology |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4661420A (en) * | 1984-02-06 | 1987-04-28 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Optical magnetic recording member |
| JPH0789414B2 (ja) * | 1986-01-31 | 1995-09-27 | シャープ株式会社 | 光学記憶素子 |
-
1991
- 1991-08-23 JP JP23561091A patent/JP3178025B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-08-26 US US08/112,060 patent/US5476713A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5476713A (en) | 1995-12-19 |
| JP3178025B2 (ja) | 2001-06-18 |
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|---|---|---|---|
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