JPS61283050A

JPS61283050A - 光記録担体

Info

Publication number: JPS61283050A
Application number: JP12411585A
Authority: JP
Inventors: Yoshihiko Kudo; 工藤　嘉彦; Yuichi Fukamachi; 深町　裕一; Masahiro Orukawa; 正博尾留川; Hideji Kawabata; 川端　秀次
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1985-06-10
Filing date: 1985-06-10
Publication date: 1986-12-13

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）この発明は、レーデ光等を用いて情報の記録。

再生を行なう光記録担体に関する。

（従来の技術）近年の急速な情報量の増大により、情報処理システム、
特に画像情報システム、あるいはＯＡ（オフィスオート
メーション）分野において、記録容量の大きい記録担体
が注目を浴び、中でも光記録担体が強い脚光を受けてい
る。

一般に、光記録担体はよく知られているように、光ビー
ムを照射して光吸収による局部的な温度上昇、あるいは
化学変化を誘起して情報の記録、再生を行なう媒体であ
るが、従来の構造は例えば第４図に示すようなものであ
りた。

すなわち、第４図は従来の光記録担体を断面をもって示
したものであり、４１はガラス、プラスチック等によ多
形成された透明基板、４２はその上に設けた熱−損傷防
止あるいは後記の記録膜の劣化防止のだめの透明な保護
層、４３は記録膜で、テルル系合金膜、希土類−遷移金
属系フェリ磁性膜等によ多形成されて卦シ、その上を他
の保護層４４で被覆している構成が示されて込る。なお
、不活性ガスを基板間に封じ込めた構造のものもある。

ところで、上記能の保護層４４は記録膜４３を形成する
希土類−遷移金属系フェリ磁性膜、あるいはテルル系合
金等の耐食性が極めて低く酸化し易いために設けられる
もので、ＳｉＯ２・５ｉ５Ｎ４あるいはＡＩＮ等の酸化
膜、あるいは窒化膜からなる誘電体膜の使用が提案され
ている。

（発明が解決しようとする問題点）しかしながら、酸化膜あるいは窒化膜からなる誘電体層
は保護層として、膜厚が薄いと膜の欠陥等のために十分
な耐食性がなく保護の目的を達成できず、これを避ける
ため膜厚を厚くすればクラックを生ずるなど好ましくな
い欠点がある。さらに、Ｓｉ３Ｎ４　、ＡＩＮ等の窒化
膜は酸化膜に比し熱伝導率が高く、光記録担体の記録感
度を阻害する。また、酸化物のＳｉＯはス・そツタ装置
を使用して作成した場合には酸化防止性に、劣る。さら
に、不活性ガスを封じ込める構造では記録膜４３に希土
類−遷移金属系フェリ磁性膜を使用している場合、希土
類金属の酸化性が極めて強いため、不活性ガス中に含ま
れる微量な酸素や水蒸気の影響で記録膜が劣化し十分な
保護効果が期待できないなど、従来の光記録担体には多
くの欠点がある。

本発明は上記従来例の欠点に鑑み適切な保護構造により
、特性を劣化させず、耐久性に富んだ光記録担体を提供
しようとするものである。

（問題点を解決するための手段）本発明は光記録担体の第１の保護層を、２Ｍｇ０・Ｓｉ
Ｏ２あるいはＭｇＯ・ＳｉＯ２のいずれかによシ形成し
、第２の保護層に、シリコン、エポキシ、フェノール、
ポリブタジェン、フッ素あるいはアルキドの各樹脂の何
れかを単体、または複合体として用いることにより、従
来の前述の光記録担体の問題点を解決するものである。

（作用）本発明によれば、第１の保護層は、外部からの酸素の侵
入を阻止して記録膜の酸化を防止する効果をもち、また
、第２の保護層は、外部からの水分を抑制して記録膜お
よび第１の保護層の腐食を防止する効果を有するので、
記録膜の特性を劣化に結びつく酸化と腐食を防止でき、
信頼性のある光記録担体を提供することが可能になる。

（実施例）以下、図面を用いて本発明を説明する。図は本発明の一
実施例を示す断面図で、１１はポリカーボネイト樹脂に
よる基板、１２は２Ｍｇ０・ＳｉＯ２膜による第１の保
護層、１３はＦｂＦｅ　、ＧｄＴｂＦｅ　、ＦｂＦｅＣ
Ｏ等の希土類−遷移金属系フェリ磁性膜から形成した記
録膜、また、１４は第２の保護層でシリコンゴム層によ
り形成されている。

このような構成の光記録担体は、まず、脱がスしたポリ
カーボネート樹脂の基板１１の上に、アルゴン導入圧力
が２／１０３ないし５／１０５Ｔｏｒｒのス・やツタ装
置内で、第１の保護層１２として２Ｍｇ０・ＳｉＯ２膜
を３００ないし５０００Ｘの厚さにスノＪ？ツタし、次
に、記録層１３として希土類−遷移金属系フェリ磁性膜
を厚さ約１０００Ｘに形成、さらに上記と同じく第１の
保護層１２を同様に形成したのち、両面に、つオシ後か
らの第１の保護層１２および基板１１の上に第２の保護
層１４を、例えば、厚さ１０ないし５００Ｒｎのシリコ
ンゴムをスピンナーによシ塗布することによシ形成する
。

このようにして形成した本発明の光記録担体を、温度６
０℃、湿度９０％の環境下で、前述した第４図の構造の
従来例と比較試験したところ、従来の光記録担体は、放
置時間５’ＯＯないし１０００時間後に、記録膜４３、
あるいは保護層４４中の膜欠陥箇所等から記録膜４３に
腐食が発生して不良になったが、酸化防止用の第１の保
護層１２と　・腐食防止用の第２の保護層を設けた本発
明の光記録担体では、１５００時間経過後も腐食の発生
は認められなかった。

また、本発明の第１の保護層である２Ｍｇｏ−ＳｉＯ２
Ｍは、スパッタ装置による作成に適しておシ、温度６０
℃、湿度−９０％の環境試験で１５００時間経過後にも
、希土類−遷移金属系７エリ磁性膜からなる記録膜１３
の保磁力は、第３図に試験結果を示したように全く劣化
せｔしたがって酸化防止性に優れていることが認められ
た。さらにＳｉＮ４膜やＡＩＮ膜のような窒化物に対し
テ２Ｍｇｏ−８ｉＯ２は熱伝導率が１桁前後低いため記
録感度も従来の記録単体の約２倍になる。

以上、本発明を一実施例により詳細に説明して明らかな
ように本発明は、酸化、あるいは腐食から十分記録膜を
保護した構造の、したがって信頼性のある優れた光記録
担体である。

なお、上記の実施例では基板１１にポリカーがネート樹
脂、第１の保護層１２に２Ｍｇｏ−８ｉ０２、記録膜１
３を希土類−遷移金属系フェリ磁性膜、そして第２の保
護層１４にシリコンゴムを用いたが、これは基板１１に
、アクリル樹脂、エポキシ樹脂。

フォトポリマ等の透明プラスチックまたはガラスを使用
しても同様な結果かえられる。また、第１の保護層１２
はＭｇＯ・ＳｉＯ２．記録膜１３はテルル系合金膜、第
２の保護膜１４はエポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリ
ブタジェン樹脂、フッ素樹脂あるいはアルキド樹脂のい
ずれかの単体または複合体であってもよい。

なお、第３図（ａ）　ｔ　（ｂ）は本発明の他の実施例
の断面を示し、第１図の構成を張）合わせた構造の光記
録担体である。２１は基板、２２は第１の保護層、２３
は記録膜、２４は第２の保護層、２５は接着剤である。

このように構成することにより使用する基板によっては
、基板表面の第２の保護層の形成が省略できる。

（発明の効果）本発明は、記録膜上に酸化防止用の第１の保護層と、腐
食防止用の第２の保護層を適切な材料によシ形成して、
耐食性、耐腐食性のある構造とした光記録担体であるか
ら、高い信頼性を有し、従って情報処理分野に用いて近
時の氾濫する情報処理に大いに貢献するところがある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図は本発
明の試験結果を示す図、第３図は他の実施例を示す断面
図、第４図は従来例を示す断面図である。１１．２１・・・基板、１２．２２・・・第１の保護層
、１３．２３・・・記録膜、１４．２４・・・第２の保
護層、２５・・・接着剤。第１図１１・・・１５級第２図数１時制茅３図第４　図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）光記録担体において光記録膜を、その両面上に直
接形成した第１の保護層と、その外側から保護する第２
の保護層とを設けて保護する構造にしたことを特徴とす
る光記録担体。
（２）第１の保護層に２ＭｎＯ・ＳｉＯまたはＭｇＯ・
ＳｉＯ＿２を、第２の保護層にシリコン樹脂、エポキシ
樹脂、フェノール樹脂、ポリブタジエン樹脂、フッ素樹
脂、あるいはアルキル樹脂のいずれかを用いた単体また
は複合体を用いたことを特徴とする特許請求の範囲第（
１）項記載の光記録担体。