JP2619432B2 - 光磁気ディスク - Google Patents
光磁気ディスクInfo
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- JP2619432B2 JP2619432B2 JP28869487A JP28869487A JP2619432B2 JP 2619432 B2 JP2619432 B2 JP 2619432B2 JP 28869487 A JP28869487 A JP 28869487A JP 28869487 A JP28869487 A JP 28869487A JP 2619432 B2 JP2619432 B2 JP 2619432B2
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- Japan
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- magneto
- dielectric layer
- optical disk
- protective
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
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- G11B11/10584—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the form, e.g. comprising mechanical protection elements
Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明はコンピューターの外部記録メモリー、文書情
報ファイル等に用いられる光磁気ディスクに関する。
報ファイル等に用いられる光磁気ディスクに関する。
従来技術 従来、磁気光学効果を増大するためにディスク状基板
（通常ガラス板）に誘電層を設けた光磁気ディスクとし
ては第１図に示すようにガイドトラック溝３付き基板１
上に、誘電層２、磁性層４及び保護層５を順次設けたも
のが知られている（特開昭59−42577号）。このような
光磁気ディスクを作製する際は基板の微小なガイドトラ
ック溝上にまず誘電層を形成した後、その上に磁性層を
形成するために、磁性層に形成されるガイドトラック溝
３′は基板のガイドトラック溝３に比べて狭くなった
り、形状が変化する結果、トラッキング信号にエラーが
生じる（又はトラッキングエラー信号が外れる）ことが
あった。また基板が種々の金属（Si、Al、Ｂ、Na、Ba
等）を含むガラス板であるため、これにエッチングによ
りガイドトラック溝を形成すると、エッチングが均質に
行なえないという問題もあった。
（通常ガラス板）に誘電層を設けた光磁気ディスクとし
ては第１図に示すようにガイドトラック溝３付き基板１
上に、誘電層２、磁性層４及び保護層５を順次設けたも
のが知られている（特開昭59−42577号）。このような
光磁気ディスクを作製する際は基板の微小なガイドトラ
ック溝上にまず誘電層を形成した後、その上に磁性層を
形成するために、磁性層に形成されるガイドトラック溝
３′は基板のガイドトラック溝３に比べて狭くなった
り、形状が変化する結果、トラッキング信号にエラーが
生じる（又はトラッキングエラー信号が外れる）ことが
あった。また基板が種々の金属（Si、Al、Ｂ、Na、Ba
等）を含むガラス板であるため、これにエッチングによ
りガイドトラック溝を形成すると、エッチングが均質に
行なえないという問題もあった。
更に前述のような光磁気ディスクは誘電層や磁性層の
内周及び外周側縁部はいずれも保護層で封止されていな
いので、ディスクの側面からH2OやO2が進入し、磁性膜
の特性劣化原因になっていた。しかも保護層には一般の
プラスチック又は誘電体が用いられているが、プラスチ
ックはH2Oを透過し、また誘電体は微小ピンホールが存
在し、このためにたとえ側縁部を封止しても表面からの
H2OやO2や侵入を防止することは不可能であった。
内周及び外周側縁部はいずれも保護層で封止されていな
いので、ディスクの側面からH2OやO2が進入し、磁性膜
の特性劣化原因になっていた。しかも保護層には一般の
プラスチック又は誘電体が用いられているが、プラスチ
ックはH2Oを透過し、また誘電体は微小ピンホールが存
在し、このためにたとえ側縁部を封止しても表面からの
H2OやO2や侵入を防止することは不可能であった。
目的 本発明の目的はトラッキング信号のエラーや磁性膜の
特性劣化もなく、しかも均質なエッチングも行なえる光
磁気ディスクを提供することである。
特性劣化もなく、しかも均質なエッチングも行なえる光
磁気ディスクを提供することである。
構成 本発明の光磁気ディスクは第２図に示すように、ディ
スク状基板１上に、基板よりも屈折率の大きいガイトト
ラック溝３付き誘電層２と周期律表における3d,4f及び5
f元素から選ばれた元素からなる磁性層４と保護層５と
有機系不透過性材料からなるの保護強化層とを順次設け
ると共に、磁性層の内周及び外周側縁部を保護層で、ま
た誘電層及び保護層の各内周及び外周側縁部を保護強化
層で夫々封止してなることを特徴とするものである。
スク状基板１上に、基板よりも屈折率の大きいガイトト
ラック溝３付き誘電層２と周期律表における3d,4f及び5
f元素から選ばれた元素からなる磁性層４と保護層５と
有機系不透過性材料からなるの保護強化層とを順次設け
ると共に、磁性層の内周及び外周側縁部を保護層で、ま
た誘電層及び保護層の各内周及び外周側縁部を保護強化
層で夫々封止してなることを特徴とするものである。
本発明において基板１には、通常、H2O、O2等を透過
しない材料（以下、不透過性材料という。）が用いられ
るが、前記物椎を透過する材料（以下、透過性材料とい
う。）の基板でも有機系の不透過性材料層で被覆保護す
れば使用可能である。不透過性材料としては例えばソー
ダガラス、ソーダを含まない一般ガラス、ホウケイ酸ガ
ラス、アルミノケイ酸ガラス、バイコールガラス、強化
ガラス、石英ガラス、結晶化ガラス、GGG、リチウムタ
ンタレート、透光性セラミック等又はフッ素樹脂、シリ
コーン樹脂等が挙げられる。一方、透過性材料としては
ポリカーボネート、ポリメタクリレート、エポキシ樹
脂、ポリオレフィン樹脂、UVポリマー等が挙げられる。
またこのような透過性材料基板を保護する有機系不透過
性材料としては臨界界面張力が20dyne/cm以下の含フッ
素又は含シリコーン材料が使用される。フッ素系材料と
してはポリフッ化ビニリデン、ポリトリフルオロエチレ
ン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリテトラフルオロ
プロピルメチルメタクリレート、ポリテトラフルオロペ
ンタメチルメタクリレート、ポリエキサフルオロブチル
メタクリレート、ポリフルオロビニルエーテル等が、ま
たシリコーン系材料としてはポリジオルガノシロキサ
ン、ジメチルポロシロキサン、エポキシ変性シリコーン
ワニス、側鎖にシンナモイル基を有するジメチルポロシ
ロキサン、両末端にアクリロイル基を有するジメチルポ
リシロキサン、アジド基を有するジメチルポリシロキサ
ン等が例示である。
しない材料（以下、不透過性材料という。）が用いられ
るが、前記物椎を透過する材料（以下、透過性材料とい
う。）の基板でも有機系の不透過性材料層で被覆保護す
れば使用可能である。不透過性材料としては例えばソー
ダガラス、ソーダを含まない一般ガラス、ホウケイ酸ガ
ラス、アルミノケイ酸ガラス、バイコールガラス、強化
ガラス、石英ガラス、結晶化ガラス、GGG、リチウムタ
ンタレート、透光性セラミック等又はフッ素樹脂、シリ
コーン樹脂等が挙げられる。一方、透過性材料としては
ポリカーボネート、ポリメタクリレート、エポキシ樹
脂、ポリオレフィン樹脂、UVポリマー等が挙げられる。
またこのような透過性材料基板を保護する有機系不透過
性材料としては臨界界面張力が20dyne/cm以下の含フッ
素又は含シリコーン材料が使用される。フッ素系材料と
してはポリフッ化ビニリデン、ポリトリフルオロエチレ
ン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリテトラフルオロ
プロピルメチルメタクリレート、ポリテトラフルオロペ
ンタメチルメタクリレート、ポリエキサフルオロブチル
メタクリレート、ポリフルオロビニルエーテル等が、ま
たシリコーン系材料としてはポリジオルガノシロキサ
ン、ジメチルポロシロキサン、エポキシ変性シリコーン
ワニス、側鎖にシンナモイル基を有するジメチルポロシ
ロキサン、両末端にアクリロイル基を有するジメチルポ
リシロキサン、アジド基を有するジメチルポリシロキサ
ン等が例示である。
本発明の誘電層はガイドトラック溝を形成させ、また
磁気光学効果を増大するエンハスメントの役割を有して
いる。即ち誘電層の膜厚が適正であれば、光の多重反射
により磁気光学効果（この場合はカー回転角）が増大す
る効果が生じ、その結果、再生C/N比が向上する。しか
し誘電層の屈折率が基板の屈折率より小さければこのよ
うな効果は生じない。またこの層の屈折率は基板の屈折
率より大きくなければならない。このような誘電層を構
成する材料としてはAlN,SixNy,TixNy,TaxNy,CrxNy,AlSi
N,AlSiNO,Al2O3,SixOy,SixCy,TixCy,TixOy,ZnO,ZrO2,Fe
2O3,Fe3O4,TaxOy,CexOy,MgxOy等が使用されるが、磁性
膜への酸化の影響がない窒化物や炭化物が好ましい。誘
電層にガイドトラック溝を形成するにはまずこの層上に
スピンコートによりUVレジン薄膜を形成、プリベーク
後、これに溝状ガイドトラックパターンを有するマスク
を密着し、UV照射し、洗浄後、反応性イオンスパッタリ
ングによりエッチングすればよい。なお誘電層自体は真
空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の方
法で形成される。厚さは0.05〜1.0μｍ程度が適当であ
る。
磁気光学効果を増大するエンハスメントの役割を有して
いる。即ち誘電層の膜厚が適正であれば、光の多重反射
により磁気光学効果（この場合はカー回転角）が増大す
る効果が生じ、その結果、再生C/N比が向上する。しか
し誘電層の屈折率が基板の屈折率より小さければこのよ
うな効果は生じない。またこの層の屈折率は基板の屈折
率より大きくなければならない。このような誘電層を構
成する材料としてはAlN,SixNy,TixNy,TaxNy,CrxNy,AlSi
N,AlSiNO,Al2O3,SixOy,SixCy,TixCy,TixOy,ZnO,ZrO2,Fe
2O3,Fe3O4,TaxOy,CexOy,MgxOy等が使用されるが、磁性
膜への酸化の影響がない窒化物や炭化物が好ましい。誘
電層にガイドトラック溝を形成するにはまずこの層上に
スピンコートによりUVレジン薄膜を形成、プリベーク
後、これに溝状ガイドトラックパターンを有するマスク
を密着し、UV照射し、洗浄後、反応性イオンスパッタリ
ングによりエッチングすればよい。なお誘電層自体は真
空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の方
法で形成される。厚さは0.05〜1.0μｍ程度が適当であ
る。
磁性層はレーザー光により記録、再生を行なう層で、
3d元素、即ちFe,Co等の遷移金属並びに4f及び5f元素、
即ちTb,Dy,Gd,Ho,Nd,Pr等の希土類金属よりなる群から
選ばれた元素で構成される。このような構成材料の具体
例としては遷移金属と希土類金属とのアモルファス合金
が挙げられる。磁性層も誘電層と同じく真空蒸着、スパ
ッタリング、イオンプレーティング等の方法で形成され
る。厚さは0.05〜0.5μｍ程度が適当である。
3d元素、即ちFe,Co等の遷移金属並びに4f及び5f元素、
即ちTb,Dy,Gd,Ho,Nd,Pr等の希土類金属よりなる群から
選ばれた元素で構成される。このような構成材料の具体
例としては遷移金属と希土類金属とのアモルファス合金
が挙げられる。磁性層も誘電層と同じく真空蒸着、スパ
ッタリング、イオンプレーティング等の方法で形成され
る。厚さは0.05〜0.5μｍ程度が適当である。
保護層は外部からのH2O,O2の侵入による劣化を防止す
るための層で前述のような誘電体、各種金属酸化物（例
えばAl2O3,SixOy,ZrO2,ZnO,MgO,AlSiNO,Fe2O3,CoFe2O4,
NiFe2O4）、耐酸化腐食性金属（例えばCr,Nr,Pt,Au,Ag,
アルマイト等）で構成される。形成法は誘電層の場合と
同様である。厚さは0.05〜0.5μｍ程度が適当である。
るための層で前述のような誘電体、各種金属酸化物（例
えばAl2O3,SixOy,ZrO2,ZnO,MgO,AlSiNO,Fe2O3,CoFe2O4,
NiFe2O4）、耐酸化腐食性金属（例えばCr,Nr,Pt,Au,Ag,
アルマイト等）で構成される。形成法は誘電層の場合と
同様である。厚さは0.05〜0.5μｍ程度が適当である。
保護強化層は保護層へのH2O、O2等の侵入防止と保護
層の損傷を防止するための層で、有機系不透過性材料で
構成される。このような材料又は原料の具体例としては
フッ素樹脂、シリコーン樹脂等、詳しくはジフルオロメ
チルメタクリレート、テトラフルオロブチルメタクリレ
ート、ヘキサフルオロヘプタメタクリレート、オクタフ
ルオロペンタメチルメタクリレート等の含フッ素メタク
リルエステル及びこれらとメタクリルエステルとの共重
合体；ヘプタデシルフルオロノナンアルキルビニルエー
テル（一部エステル化）；テトラフルオロエチレンとア
ルキルビニルエーテルとの共重合体；ポリメチルシロキ
サン、ポリビニルシロキサン、ポリジオルガノシロキサ
ン、γ−メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン
等の含ケイ素化合物又はシリコーン樹脂及びこれらのエ
ポキシメタクリレート又はアクリレートの変性品等が用
いられる。
層の損傷を防止するための層で、有機系不透過性材料で
構成される。このような材料又は原料の具体例としては
フッ素樹脂、シリコーン樹脂等、詳しくはジフルオロメ
チルメタクリレート、テトラフルオロブチルメタクリレ
ート、ヘキサフルオロヘプタメタクリレート、オクタフ
ルオロペンタメチルメタクリレート等の含フッ素メタク
リルエステル及びこれらとメタクリルエステルとの共重
合体；ヘプタデシルフルオロノナンアルキルビニルエー
テル（一部エステル化）；テトラフルオロエチレンとア
ルキルビニルエーテルとの共重合体；ポリメチルシロキ
サン、ポリビニルシロキサン、ポリジオルガノシロキサ
ン、γ−メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン
等の含ケイ素化合物又はシリコーン樹脂及びこれらのエ
ポキシメタクリレート又はアクリレートの変性品等が用
いられる。
以下に本発明を実施例によって説明する。
実施例１ ソーダを含まない一般ガラス板（屈折率1.5）にスパ
ッタリング法で0.2μｍ厚のSi3N4膜からなる誘電層を形
成した。この層の屈折率は2.0であった。これにUVレジ
ンの薄膜をスピンコートにより塗布し、プリベーク後、
溝状ガイドパターンを具備したマスクと密着し、UV光を
全面露出し、洗浄し、反応イオンスパッタリングにより
エッチングシ、最後に残存UVレジンを除去してSi3N4層
に微小ガイドトラック溝を作製した。このガイドトラッ
ク溝の深さは0.06μｍ、幅は0.6μｍであった。この際
に注意すべきことは第２図で示される様にディスクの内
周及び外周側縁部はSi3N4が被覆されない様にマスクす
ることである。次にこうして作製したガイドトラック溝
付き誘電層上にスパッタリング法で0.08μｍ厚のTbFeCo
膜よりなる磁性層を形成し、更にその上に同じ方法で0.
2μｍ厚のSi3N4膜よりなる保護膜を形成した。最後にこ
の保護層上にテトラフルオロブチルメタクリレートを塗
布し、deepUV照射により塗膜を硬化させた後、全体を10
0℃で３時間アニールしてポリテトラフルオロブチルメ
タクリレートからなる10μｍ厚（保護層の非溝部表面で
の厚さ）の保護強化層を設けることにより光磁気ディス
クを作製した。
ッタリング法で0.2μｍ厚のSi3N4膜からなる誘電層を形
成した。この層の屈折率は2.0であった。これにUVレジ
ンの薄膜をスピンコートにより塗布し、プリベーク後、
溝状ガイドパターンを具備したマスクと密着し、UV光を
全面露出し、洗浄し、反応イオンスパッタリングにより
エッチングシ、最後に残存UVレジンを除去してSi3N4層
に微小ガイドトラック溝を作製した。このガイドトラッ
ク溝の深さは0.06μｍ、幅は0.6μｍであった。この際
に注意すべきことは第２図で示される様にディスクの内
周及び外周側縁部はSi3N4が被覆されない様にマスクす
ることである。次にこうして作製したガイドトラック溝
付き誘電層上にスパッタリング法で0.08μｍ厚のTbFeCo
膜よりなる磁性層を形成し、更にその上に同じ方法で0.
2μｍ厚のSi3N4膜よりなる保護膜を形成した。最後にこ
の保護層上にテトラフルオロブチルメタクリレートを塗
布し、deepUV照射により塗膜を硬化させた後、全体を10
0℃で３時間アニールしてポリテトラフルオロブチルメ
タクリレートからなる10μｍ厚（保護層の非溝部表面で
の厚さ）の保護強化層を設けることにより光磁気ディス
クを作製した。
実施例２〜８ 下記表−１に示す材料を用いて実施例１と同様にして
光磁気ディスクを作製した。
光磁気ディスクを作製した。
次に以上のようにして作った光磁気ディスクを100
℃、80％RHの雰囲気中に3000時間放置して特性の変化を
調べた。その結果を表−２に示す。
℃、80％RHの雰囲気中に3000時間放置して特性の変化を
調べた。その結果を表−２に示す。
効 果 以上の如く本発明の光磁気ディスクはガイドトラック
溝を誘電層に設けたので、磁性層でのガイドトラック溝
も寸法や形状に変化がなく、このためトラッキング信号
にエラーを生じることがない。また磁性層を誘電層、保
護層及び保護強化層で密閉した構造にしたので、磁性層
への外部からのH2O、O2等の侵入を防止でき、このためC
/N比、BER等の特性が劣化することはない。更にエッチ
ングは１種類の金属しか含まない誘電層を対象にしてい
るので、均質に行なえるという利点もある。
溝を誘電層に設けたので、磁性層でのガイドトラック溝
も寸法や形状に変化がなく、このためトラッキング信号
にエラーを生じることがない。また磁性層を誘電層、保
護層及び保護強化層で密閉した構造にしたので、磁性層
への外部からのH2O、O2等の侵入を防止でき、このためC
/N比、BER等の特性が劣化することはない。更にエッチ
ングは１種類の金属しか含まない誘電層を対象にしてい
るので、均質に行なえるという利点もある。
第１図は従来の誘電層を有する光磁気ディスクの部分断
面図、第２図は本発明光磁気ディスクの断面図である。 １……基板、２……誘電層 ３……ガイドトラック溝 ３′……磁性層のガイドトラック溝 ４……磁性層、５……保護層 ６……保護強化層
面図、第２図は本発明光磁気ディスクの断面図である。 １……基板、２……誘電層 ３……ガイドトラック溝 ３′……磁性層のガイドトラック溝 ４……磁性層、５……保護層 ６……保護強化層
Claims (1)
- 【請求項１】ディスク状基板上に、基板よりも屈折率の
大きいガイドトラック溝付き誘電層と周期律表における
3d,4f及び5f元素から選ばれた元素からなる磁性層と保
護層と有機系不透過性材料からなる保護強化層とを順次
設けると共に、磁性層の内周及び外周側縁部を保護層
で、また誘電層及び保護層の各内周及び外周側縁部を保
護強化層でそれぞれ封止してなる光磁気ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28869487A JP2619432B2 (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | 光磁気ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28869487A JP2619432B2 (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | 光磁気ディスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01130346A JPH01130346A (ja) | 1989-05-23 |
| JP2619432B2 true JP2619432B2 (ja) | 1997-06-11 |
Family
ID=17733484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28869487A Expired - Lifetime JP2619432B2 (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | 光磁気ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2619432B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR960030116A (ko) * | 1995-01-28 | 1996-08-17 | 김광호 | 광자기 디스크 및 이의 제조방법 |
| US6623828B1 (en) * | 1995-01-28 | 2003-09-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical disk employing integral substrate, and method for manufacturing the same |
| JP5062167B2 (ja) * | 2006-03-03 | 2012-10-31 | コニカミノルタアドバンストレイヤー株式会社 | 磁気記録媒体用基板 |
-
1987
- 1987-11-16 JP JP28869487A patent/JP2619432B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01130346A (ja) | 1989-05-23 |
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