JPH01107350A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、コンピュータ用外部メモリ、ドキュメントフ
ァイル等に使用する光磁気記録媒体に関する。

〔従来技術〕

従来は射出成形によりガイドトラックを形成した樹脂、
例えばポリカーボネート、ポリメチルメタクリレートに
誘電膜、例えば５ｉｎ２゜ＡＩＮ、Ｓｉ、Ｎ４の薄膜を
作製し、この上にアモルファス磁性膜、更に保護膜を順
次形成し、光磁気ディスクを製作していた。この場合Ｈ
２０及び０２が基板及び誘電膜を通過し磁性膜を酸化し
、腐蝕が生じた。本発明者によれば、今回これは基板及
び誘電膜にはＨ，Ｏ及び０□を通過する微小孔が存在し
ているためであることが判明したが、これを完全に密閉
することが困難である。

又、基板としてガラス板を用いた場合は外部からのＨ，
０，０２の浸入が無いが、ガラス表面部の各金属イオン
（Ｎａ、Ｂ、に、Ｂａ、Ａｌ・・・）及び吸着Ｈ２０、
０２が誘電膜を透過し、特性劣化が生じた（特開昭６１
−３４７４５号、特開昭６１−２９４３９号）。ガラス
基板を用いた場合、ガイドトラックをガラス上に直接作
製する方法（ホトリソグラフィー法、エツチング法）が
有るが工程が複雑で、量産化困難であった。通常はガラ
ス基板上にＵＶレジンを用い、２Ｐ＠（スパイラル状グ
ループを具備した金型とＵＶレジン薄膜を塗布したガラ
ス基板とを積層し、ガラス基板側よりＵＶ照射してガイ
ド溝を作る方法）にてガイドトラック溝を作製している
。しかしながら、本発明者の研究によればこの場合はＵ
Ｖレジンに含まれるｏ２゜Ｈ，Ｏ及び反応残渣等が誘電
膜を透過して特性劣化の原因となっていたことが判明し
た。

〔目　　的〕

遷移金属と希土類金属とのアモルファス合金磁性体を用
いた光磁気記録媒体は、酸化、腐蝕し易く、実用化を困
難にしていた。

本発明は、酸化、腐蝕を防止するために、光磁気記録媒
体の構成を特定し、酸化、腐蝕の原因である、Ｈ２Ｏ及
び０□の浸入を防止し、特性劣化を改良することを目的
としたものである。

〔構　　成〕

本発明は、アモルファス磁性膜を０２とＨ，０から密閉
することのできる層によりサンドインチすることにより
、０２やＨ，Ｏがアモルファス磁性膜に浸入するのを防
止することを特徴とするものである。

すなわち、本発明は基板上に含弗素樹脂層および含珪素
樹脂層よりなる群から選ばれた０２およびＨ，Ｏ不透過
層、光磁気記録層および保護層の順で積層されてなるこ
とを特徴とする光磁気配、録媒体に関する。

基板にはプラスチック、例えばポリカーボネート、ポリ
メチルメタクリレートのようなアクリル樹脂、オレフィ
ン系樹脂、エポキシ樹脂、ガラス、例えばアルミノケイ
酸ガラス、ソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラ
ス、結晶化ガラス、単結晶、例えばＧＧＧ、リチウムタ
ンタレート、サファイア、セラック、例えばＡｌ□Ｏ，
、ＭｇＯ，５ｉｘｔｙ、ＳｉｘＮｙ。

Ａ　ｌｘ　Ｎ　ｙ、金属、例えばステンレス、アルマイ
ト等が用いられる。

本発明において、不透過層を形成する含弗素樹脂層およ
び含珪素樹脂層は公知のものがいづれも使用できるが、
′？４子線、Ｘ線、紫外線などで硬化するタイプのもの
が便利である。

この不透過層はＯ，、Ｈ，Ｏの透過を防止するためにそ
の臨界表面張力が２５ｄｙｎｅ／　ａｎ以下であること
が好ましい。

含弗素樹脂を形成するモノマーの具体例としては電子線
レジスト、Ｘ線レジスト感応性モノマー；例えばテトラ
フルオロプロピルメタクリレート、テトラフルオロペン
タメチルメタクリレート、ヘキサフルオロペンタメタク
リレート、ヘキサフルオロへキサメタクリレート、ヘキ
サフルオロへブタメタクリレート、オクタブチルフルオ
ロへブタメタクリレート、オクタフルオロイソへブタメ
タクリレート、ヘキサフルオロイソへキサメタクリレー
ト；フルオロアルキルビニルエーテル（ビニルエーテル
の１部が含フツ素アルキル基で置換、ヘキサデカンフル
オロヘプタアルキルビニルエーテル等・・・）又はテト
ラフルオロエチレンビニールエーテルとアルキルビニー
ルエーテルとの混合物（例えばテトラフルオロエチレン
／ビニルメチルエーテル、テトラフルオロエチレン／ビ
ニルブチルエーテル等）。

他のフルオロアルキルメタクリレートとアジドとの混合
物等；Ｕｖレジストモノマー例えばテトラフルオロイソ
ペンタメタクリレート、ヘキサフルオロブチルメタクリ
レート、ヘキサフルオロイソブチルメタクリレート、ト
リフルオロエチルメタクリレート等があげられる。

含珪素樹脂形成のためのモノマーとしては、例えばメチ
ルシクロシロキサン、ジメチルシロキサン、ジメチルシ
ロキサンとγ−メタクリルオキシプロピルトリメトキシ
シランとの混合物、モノシンナモイルオキシメチルジェ
トキシシランおよびジオルガノシロキサン、とビスアシ
ド物、アクリロイルクロリド又はＰ−アジドベンゾアー
ト等との混合物、あるいはビニルシロキサンなどがあり
、又、式％式％ で示されるシリコーンポリマー、シリコーンワニス（例
えばオルガノポリシロキサンとアルキッド、オルガノア
ルコキシポリシロキサン＋多価アルコール＋多塩基酸、
オルガノメトポリシロキサンとエポキシ樹脂等）が使用
できる。シリコーンワニスは加熱する事により熱硬化す
る。

本発明の０２およびＨ２Ｑ不透過層を形成するには、基
板材と含フツ素材又は含珪素材を混合溶融し、これを射
出成形により一体に作成することができる。又、基板上
に別途形成する場合は基板上に含フツ素レジスト、含フ
ッ素ｄｅｅｐＵＶ（短波長紫外光１８０〜２６０ｎ＋ｎ
）レジスト、含珪素レジスト、シリコーンワニス等を例
えばスピンコード法により薄層膜に形成する。ついでこ
れとガイドトラック溝を有する金型（スタンパ）と接合
し、放射線又は熱を照射し、ガイドトラックをもつ不透
過層を形成することができる。さらに、不透過層の形成
後に改めてガイドトラックを形成する方法もある。すな
わち、不透過層が完全に形成された後、これに微小ビー
ムを直接照射しガイドトラックを描画してもよく、又、
ガイドトラックを有するマスクと密着させ露光してガイ
ドトラック溝を作製してもよい。これらの場合は、未硬
化部分は常法により除去し、ガイドトラックが形成され
る。不透過層形成後は未反応残渣を除去するため真空中
で加熱処理することがのぞましい。

光磁気記録層は、磁性層のみから構成することもできる
が、誘電体層と磁性層とのコンビで構成することもでき
る。

０２を含まない誘電体層は誘電体例えばＳｉｘＮｙ、Ａ
ｌｘＮｙ、ＴｉＮ、ＣｒＮ等をスパッタリング法又は蒸
着で薄膜状に形成することにより得られる。

アモルファスな磁性層は遷移金属（＝　Ｔ　ＭＦｅＣｏ
）と希土類（＝ＲＭ　Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ。

Ｎｄ、　Ｐ　ｒｅ　Ｓ　ｍ）をスパッタリング法又は蒸
着法にて作製する。これらは垂直磁化膜であることが好
ましい。

保護層は酸化、腐蝕に強いＡｕ、　Ｐｔ、　Ｎｉ。

Ｃｒ、Ｒｈ、Ａｇ又はこれら金属と熱伝導率が比較的小
さいＩ：６０Ｗ／ｍＫ以下（Ｋ＝３００））金属、Ｇｅ
、Ｔｅ、Ｍｎ、Ｎｂ、Ｎｄ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｓｅ、Ｓｂ、
Ｔａ。

Ｔｉ、Ｓｃ、Ｓｍ、Ｖ、Ｚｒとの合金をスパッタリング
法又は蒸着法にて作製することができる６又、保護層は
これらの金属膜のかわりに酸素を含まない例えば、ＡＬ
Ｎ、ＴｉＮ、ＣｒＮ、Ｓ１３　Ｎ　４　ｇ　Ｔ　ａ　Ｎ
　＋　Ｔ　Ｉ　Ｃ＋　Ｚ　ｌ”　Ｃ等の薄膜を使用する
ことができ、とくに窒化物が好ましい。

図面に基づいて説明すると、第１図〜第５図は、いずれ
も本発明の光磁気記録媒体の構成例を示す断面図である
。

第１〜第３図は、平坦な基板１上に順次不透過層２、誘
電体層４、磁性層５、保護層６を形成したものであり、
３はガイドトラックである。第４図は、光磁気記録層を
磁性層単独で形成している例である。第５図は、含弗素
樹脂又は含珪素樹脂を基板形成用のプラスチック材料と
混合した組成物を使用し、基板１の部分とガイドトラッ
ク３の付いた不透過層２の部分までを一度に射出成形法
により成形した場合を示す。

〔効　　果〕

本発明の構成をとることにより、 ｌ）　プラスチック基板を用いた場合でも特性劣化の無
い高寿命ディスクが提供出来た。

２）　ガラス基板にガイドトラック溝の作製が容易に出
来特性劣化の防止が可能となった。

（以下余白） 加速試験８５℃、ＲＨ＝９０％、　３０００時間後の試
験結果 （以下余白） 上記のディスクを８０℃、９０％ＲＨで３０００時間加
速試験して特性劣化を調べた。

本発明は３０００時間後でもＣ／　Ｎ　（ｄＢ）及びＢ
。

Ｅ、Ｒ，も特性劣化は認められなかった。比較例２，３
はいづれもＣ／　Ｎ　（ｄＢ）及びＢ、Ｅ、Ｒ。

が劣化し、特にポリカーボネート基板を用いたディスク
は著しく低下した。

８０℃、９０％ＲＨ１３０００時間という条件は２５℃
、８０％ＲＨの条件では２０年に対応すると推定される
。

ｔ：：ｉ　ｉｆ＋　ｉ　（／、＋　１ｉ’ｉ’ｉ　ｇ　
ＷＡ

【図面の簡単な説明】

第１図〜第５図は、いずれも本発明の光磁気記録媒体の
構成例を示す断面図である。 １・・・基　板　　　　　２・・・不透過層３・・・ガ
イドトラック　４・・・誘電体層５・・・磁性層　　　
　　６・・・保護層昂　１　（￥１１ 死２（￥ｌ 消３（￥ｌ 第４　肥 荒う図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、基板と含弗素樹脂層又は含珪素樹脂層と光磁気記録
   層および保護層より構成されてなることを特徴とする光
   磁気記録媒体。