JPS58189850A - 光記録媒体およびその製造方法 - Google Patents

光記録媒体およびその製造方法

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JPS58189850A
JPS58189850A JP57071389A JP7138982A JPS58189850A JP S58189850 A JPS58189850 A JP S58189850A JP 57071389 A JP57071389 A JP 57071389A JP 7138982 A JP7138982 A JP 7138982A JP S58189850 A JPS58189850 A JP S58189850A
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JP
Japan
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film
tellurium
amorphous
recording medium
optical recording
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Pending
Application number
JP57071389A
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English (en)
Inventor
Susumu Fujimori
進 藤森
Yoshihiro Asano
浅野　義曠
Hironori Yamazaki
裕基 山崎
Akira Morinaka
森中　彰
「ふな」越　宣博
Norihiro Funakoshi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ＋発明じ、テルル７ｖ膜を用いてレーザ光による情報の
書さ込みと読み取りｔ行５光記録媒体おＪひセの９ａ石
力故に関し、特にチル′ル薄脹に漬れた絆時女足法馨付
与する工５にしたものである。
元による情報の−ＩｉＦき込みお裏び読み取り虻丁、そ
の元諒として用いる半４俸レーザの進歩により、小梨で
低価格な装置が作製ｉＪ能になったため、大谷−フアイ
ルメモリとしての利用が期待されている。この工５な記
録に用いる媒体としては、これまで数長くり材料か検討
されてきＴこが、その中でもテルル簿膜がｊし跣やコン
トラストなどの特性が最も曖れ℃いゐ。しかし、テルル
膜は大気中に放置すると酸化劣１１１１．か起こり、反
射率および透過率が変化してしまう。七のため、長期間
にわたって使用または保存する際に記録感度の低下およ
びｓ　／　Ｎ比の劣化が生じ、問題となっている。
本発明の目的は、この酸化の進行によるテルル膜の劣化
という欠点ン解決して、経時安定性の優れた光記録媒体
χ提供することにある。
本発明の他の目的は、経時安定性の優れた光記録媒体ン
適切に製造する方法を提案することにある。
かかる目的を達成するためＶＣ％本発明ではテルル非晶
５Ｍ膜の表面馨強制酸化させたものｔレーザ光の吸収体
として用いて経時安定性の向上した元記録媒体ン構成す
る。
本発明製造方法で（工、光記録媒体として用いる非晶質
テルル膜５ケ基板またを了酸素雰囲気で加熱することに
よりその薄膜表向を強制酸化させて光吸収層乞杉戚する
。
本発明ｃＤ他の形態で１丁、非晶質テルル薄映γ空気中
または噛索雰囲気で加熱するとともに非晶質テルル薄膜
に紫外線ケ照射し℃、その表＠ン強制酸化させる。
本発明の更に他の形態では、非晶質テルルｆＩ／Ｉ膜χ
プラズマ噌化して、七の表面を強制酸化させる。
趨′帛、テルル膜馨空獄中に放置すると１時１司経愈ｒ
ｃともｆ工つ（表＠Ｄ）ら徐々に酸化が進を丁してＴｅ
Ｏｘとなり、実質的なテルル膜の厚さが著しく減少−［
るたΔ′）、光記録媒体としての特性、−ｆなわち光字
的性賛が劣化する。これに対して本発明によ１ｔは、強
制酸化によって表面に形成された酸化テルル膜か保護膜
として作用するｋめ、その便で〕酸化が進行ゼ丁、化学
的に女冗化する。これは、表面を酸化アルミニウムでお
おわれたアルミニウムか女だであることと同様の事情で
ある。
以ドＶＣ−圓馨参照して本発明馨評細に説明する。
一般に、アルル蒸層膜＆ゴ比較的結晶社が良く。
その帖！粒のサイズは、　１ｏｏｏからλ０００　Ａに
達する。しかし、光記録媒体としてのテルルの膜厚汀約
３０ＯＡと薄い１こめ、通常の結晶性の良いテルル族で
Ｗゴ強制酸化が均一におこなわれず、保頑膜としての役
割ン果に丁ことか難しい。
実際、第１図（Ａ）　ｉｃ　７ｒＸｊようニ、膜厚３０
０　Ａのテルル膜ｌが、基板λ上に、膜厚と凹梶度ある
いはそれ以上の粒径ン有する結晶粒３から構ｔＪｙ、さ
れるなら、酸化は結晶粒表面に沿って進行し、七の結果
、膜／の表面だけでなく基板コとの界ｌ近くまで酸化さ
れて表面酸化層ギが形成され、全体が酸化劣化してしま
う。
そこで、本発明では、テルルの非晶質映乞用いて、その
表面の酸化ケ行う。丁なわち、不発明で＆Ｓ第１図ＬＢ
）に示す工うに、結晶粒径が十がＶＣ小さく、非晶質と
みなし得るよ５なテルル膜５ヶ基板−上νＣ杉成し、こ
のテルル膜ｊの表面のみン薄く均一に酸化して酸化膜ｌ
′を形成する。この場合には、Ｍ化層Ｖ′がその下のテ
ルル膜ｊに対して保護膜として作用し、テルルｗｋｊの
それ以上の酸化劣化が進行することを１ない。
本発明において、テルル非晶質腺ｊン作製するＫは、Ａ
ｒ、　　Ｎ２．　　Ｈ・などの不活性ガスＹ真空室に導
入し、ガス圧１０　　＝　１０　Ｔｏｒｒ程度の範囲で
、基板−上にテルルの真空蒸層馨行う。この方法で粒径
／θＡ以下と結晶粒径が十分に小さいテルル非晶５Ｍ膜
ｊが基板λ上に形成される。このテルル震Ｓン・ｔ　’
Ａ　’−Ｐま１、二を工暖素富囲気で１ｒｔｌ熱して強
制酸化し、以て酸１ヒ噛り′を得る。
次シて本発明の実施例〉不丁。
（実凪例１） テルル非晶實映ン付層させた基板ケ炉中Ｋｍさ、パス中
まｆこｈｓｔｌ＊素雰囲気下で約１００℃、〃シナ（１
）ＩＪｎ熱ンイ■′）１こ。この処理により表団から厚
さｆＪ’；Ｏｋだけ薄く均一に酸化された。このように
して衣【川の強制醗化乞行ったテルル非晶實昶じ化学ド
、Ｊに非常に安定化さｔ１反射率や透過事前の尤６ピ！
貞媒体としての特性についての経時安定１王か者しく同
上した。その例として、６０℃、ｑｏ％相対＆直の環境
で加速鍵劣化テストケ付つ１こ結果ｒ第２図にボテ。第
２図の縦軸６工、反射＄Ｒヶ劣化テスト萌の反射率ａＯ
で割った髄であり、映の反射率変化ン表わしている。チ
ル酌帽工釡編元沢馨不し、反射率も高いが、酸化される
と自明になり１反射率が減少する。したかつて１反射率
変化Ｒ／Ｒｏの減少（Ｉ、テルルの酸化劣化欠設わして
いる。第２卸中の曲糾ａは本実施例の方法により表面の
強制酸化処理ンした媒体に対する結果である。また、比
較のために１通常のテルル結晶性膜とテルル非晶質側に
対する結果ケ曲糾すとＣに示す。図から本発明により製
造された媒体（曲線ａ）ｌ工１曲鞄１．Ｃの場合に比べ
て、Ｒ／Ｒｏの減少が極めて小さく、耐酸化性、丁なわ
ち経時安定性に擾れて（・δことがわかる。
（実施例２） ここでは、第３図に示すように、実施例１の場合とＪ１
様の酸化炉６内に配置したテルル非晶質膜７を、酸素ガ
ス流ｌによる酸素雰囲気で約／ＤＯ″Ｃに加熱しながら
、ざらに第３図に示すように、Ｍｉ高圧水鎖灯９により
約χｍ　Ｗ　／α８の紫外線照射を加え、表面ケ薄く均
一に酸化した。
このように紫外線照射ン併用して加熱ン行うことにより
、実施例ＩＫ比べて、約５分といつ短時間で、効率良く
、より均一な酸化層が形成された。また、本実施例につ
いての加速度劣化テストの結果ケ第λ図の曲線ｄに示す
。反射率変化ｆｌ　／　ＲＯｋ’！、実施例１の揚台よ
り、さらに変化か小さく、経時安定性Ｃ一層の向上がみ
られγこ。
（実施＠６〕 本例でし工、テルル非晶質膜表面［酸素プラズマｒ冶び
一＋！：ろことＶＣより、テルル鋏表面ヶ均−ＶＣ＊ｇ
率艮〈酸化する。ここで（丁、第１図に示すように千付
平板篭＆ｌθと／ｌを有する乎行平板電極型プラズマリ
アクター１２中にテルル非晶質膜７馨買き、ｆＨ巣ガス
をその導入口／ｌ　Ｋよりリアクタ１２内ＶＣ４人する
。／ｆ’はガス排気系である。
ガス圧幻０．／　Ｔｏｒｒ　ｓＲＦパワーｉｏｏ　ｗで
’１１　極／１７と／／との間で放ｔＩＬさせて酸素プ
ラズマ／Ｓン生成し、Ｊｆ：のプラズマ１５　［Ｊ−り
膜表面をプラズマ酸化し１こ。プラズマ酸化は１回路素
子の作製ニおいで％シリコン・ウェーハ表口乞薄く均一
に酸化するのにしばしば利用されていることがらゎＯ・
るようＶＣ、＾精度で高効率の表０１１酸化処理に虐し
た技衿である。不例の場合でも、約５分の処理で表面ｎ
・ら５０　Ａの厚さにわたって均一に叡化することかで
きた。本例で作製した媒体の加速度劣化テストの結果ン
ｍコ図の曲糾ｅｒ示す。この曲線ｅｎ・られかるように
、反射率変化の減少（工小さく、優れた耐酸化性ヶ示し
た。
以上説明し１こように１本発明による記録媒体ば。
表面に酸化保護膜ン有していることから経時安定性ＶＣ
潰れ、Ｌ、　Ｑ＝−もテルルに特有の高感朋、高コント
ラスト等の利点ン発揮して、半導体レーザｙＣＬる１％
速Ｈピ録が可能な記録特性Ｙ併せ具えているまた１本発
明製造方法ＶＣよれば、テルル非晶質膜に比較的聞便な
酸化処理を施丁だけで、経時安定性の優れ１こ記録媒体
乞作製できるため、低コストの製造がムｆ能である。
したがって、本発明を大容ｉｉファイルメモＩＪ　［適
用することにより、上述した利点ン有する記録媒体を提
供することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図（Ａ）および（Ｂ）は本発明ＶＣおいてテルル非
晶質側か結晶！Ｅ膜より均一に表面酸化されや丁いこと
ン示す模式図であって、第１図（Ａ）じテルル結品注膜
、第１図（Ｂ）ＦＸテルル非晶質膜が酸化される模４１
　ｖ　ｌ］＜Ｌ／　、弔λ図は本発明の記録媒体の経時
安定性Ｙ　７１Ｅ丁符性曲線図、第３−および第参凶Ｂ
、それぞｒ′Ｌ実施例２お工び実１０においてテルル非
晶質側の表［Ｉｏ酊化馨行う装置を示す模式図でｂ６゜ ／・・テルル薄膜、　　　　コ・・・基板。 ３・アルル結晶粒、　　　ダ、　ＩＩ’・・・表１１１
１信化層、Ｓ−テルル非晶＊腺、　　　６・・・酸化炉
。 ７・試材（テルル非・晶Ｖ！膜プ。 ｔ・・酸素カス流、　　　　９−ｄ高圧水銀灯。 ／θ、／／・生付平板’ｅＭ、ｍ、　　　　／２・・プ
ラズマ・リアクタ、／３・・・ｔｅｘカス導入口、　　
　／ダ・・・ガス排気糸。 １５・・＃！！素７ラズマ。 符計出願人　　日本醒信電帖公社 〜２ 〜２ 第２図 経通時間　（ロ）

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １）基板と、該基板上に形成した非晶質テルル膜と、該
    非晶質テルル膜の表面に形成しＴこ鹸化膜とを有し、削
    紀非晶賀テルル薄戻にエリレーサ九ン吸収する吸収層を
    形成しγこことゲ待鹸とする光記録媒体。 ２１　光記録媒体として用いる非晶質ノルル薄、」馨。 空気中または酸素雰囲気で加熱することにより、ｉ＋１
    記非晶賀テルル＃膜り表面ケ強制酸化させること馨特級
    とする光記録媒体の製造方法。 ３）光記録媒体として用いる非晶質テルル７ｖ膜、空気
    中またＩＸ酸素雰囲気でＤＯ熱するとともに、　：ｉＪ
    記非晶賀テルル＃膜に紫外線馨照射すること［エリ、前
    記非晶質テルル薄膜の表面ｒ強制酸化させることを特徴
    とする光記録媒体の製造方法。 ４）″Ｌ記録媒体として用いる非晶−テルル薄膜う一′
    、プラズマ酸比することＶＣより、前記非晶′Ｈデルル
    薄映の衣囲ン強制酸化させること馨符叡とする光記録媒
    体の製造方法。
JP57071389A 1982-04-30 1982-04-30 光記録媒体およびその製造方法 Pending JPS58189850A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61141591A (ja) * 1984-12-13 1986-06-28 Kuraray Co Ltd カルコゲナイド系酸化物からなる光記録媒体の製造方法
EP0188100A2 (en) * 1984-12-13 1986-07-23 Kuraray Co., Ltd. Optical recording medium formed of chalcogen oxide and method for producing same
JPS6323235A (ja) * 1986-07-16 1988-01-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学式情報記録担体

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