JPS5817038B2 - 光学記録用媒体及びその製造方法 - Google Patents
光学記録用媒体及びその製造方法Info
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- JPS5817038B2 JPS5817038B2 JP54138761A JP13876179A JPS5817038B2 JP S5817038 B2 JPS5817038 B2 JP S5817038B2 JP 54138761 A JP54138761 A JP 54138761A JP 13876179 A JP13876179 A JP 13876179A JP S5817038 B2 JPS5817038 B2 JP S5817038B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザビームなどを照射するなどして局部的に
加熱し、その加熱部に光学的変化を起させて記録するに
適した光学記録媒体とその製造方法に関するものである
。
加熱し、その加熱部に光学的変化を起させて記録するに
適した光学記録媒体とその製造方法に関するものである
。
レーザビームによる熱的効果を利用する記録力、法は、
経年変化のない記録ができること、実時間の記録ができ
ること、情報の追加記録が容易にできること、明るい場
所で記録媒体が扱えるため取扱いが簡便であるなどの優
れた特徴を有している。
経年変化のない記録ができること、実時間の記録ができ
ること、情報の追加記録が容易にできること、明るい場
所で記録媒体が扱えるため取扱いが簡便であるなどの優
れた特徴を有している。
このような記録方法に用いられる記録媒体としては、こ
れまでに金属薄膜、カルコゲナイド系非晶質薄膜、色素
薄膜などが実用に供せられているがいずれも感度が低く
、レーザビームの出力の大きいもので感度不足を捕って
使用している状況である。
れまでに金属薄膜、カルコゲナイド系非晶質薄膜、色素
薄膜などが実用に供せられているがいずれも感度が低く
、レーザビームの出力の大きいもので感度不足を捕って
使用している状況である。
例えばＲｈ、Ｂｉなどの金属薄膜では記録に必要なエネ
ルギーは１００ｍｊ／ＣＪ以上であり、カルコゲナイド
系非晶質薄膜でも５０ｍｊ／ｃｒｌＪＪ。
ルギーは１００ｍｊ／ＣＪ以上であり、カルコゲナイド
系非晶質薄膜でも５０ｍｊ／ｃｒｌＪＪ。
上である。
従ってこのような記録を行なうレーザ装置としては、Ａ
ｒイオンレーザなどの高出力のレーザ光源、変調器、偏
向器などの各種機器を組合せた大型な装置になるという
欠点を有している。
ｒイオンレーザなどの高出力のレーザ光源、変調器、偏
向器などの各種機器を組合せた大型な装置になるという
欠点を有している。
一方、現在半導体レーザが実用化され、装置の小型化の
ため、このようなレーザ記録装置への使用が検討されて
いるが、出力が低く、また発振波長も近赤外部（〜８０
０ｍμ）であるため、従来の記録媒体では感度が低く使
用が困難である。
ため、このようなレーザ記録装置への使用が検討されて
いるが、出力が低く、また発振波長も近赤外部（〜８０
０ｍμ）であるため、従来の記録媒体では感度が低く使
用が困難である。
したがって、近赤外部に吸収を有する高感度な記録媒体
が要求されている。
が要求されている。
本発明はこのような要求を充足した高感度の光学記録用
媒体およびその製造方法を提供することを目的とする。
媒体およびその製造方法を提供することを目的とする。
したがって本発明による光学記録用媒体は、基板上にＴ
ｅを含む有機放電重合膜を形成させて基本的に成ること
を特徴とするものである。
ｅを含む有機放電重合膜を形成させて基本的に成ること
を特徴とするものである。
また、本発明による光学記録用媒体の製造方法は、有機
単量体ガス中で放電を行なうと同時にＴｅあるいはＴｅ
元素を含む化合物を蒸発させ、所定基板上にＴｅを含む
有機放電重合膜を形成させる工程を含むことを特徴とす
るものである。
単量体ガス中で放電を行なうと同時にＴｅあるいはＴｅ
元素を含む化合物を蒸発させ、所定基板上にＴｅを含む
有機放電重合膜を形成させる工程を含むことを特徴とす
るものである。
本発明によれば、
（１）吸収係数の制御が容易であり、半導体レーザの発
光波長である近赤外領域でも高い吸収係数を有する。
光波長である近赤外領域でも高い吸収係数を有する。
（２）金属薄膜と較べて熱伝導率が低く、また光学的変
化を示す温度が低いため高い感度を示す。
化を示す温度が低いため高い感度を示す。
（３）Ｔｅは１００λ以下の微粒子として含有されてい
るため、高い分解能を示す。
るため、高い分解能を示す。
（４）レーザ照射による光学濃度変化が大きくまた屈折
率変化も大きいため、透過型および反射型の２種類の読
み出しが行える。
率変化も大きいため、透過型および反射型の２種類の読
み出しが行える。
またコントラスト比が高い。
（５）有機放電重合膜は均質で機械的強度がすぐれてお
りまた基板との密着性もすぐれているため極めて安定で
ある。
りまた基板との密着性もすぐれているため極めて安定で
ある。
などの種々の利点を有している。
本発明を更に詳しく説明する。
この明細書においては、説明の都合上、光学記録用媒体
の製造方法を先に説明する。
の製造方法を先に説明する。
本発明による光学記録用媒体の製造方法は、有機単量体
を含むガス中で放電を行ない、これと同時にＴｅあるい
はＴｅ元素を含む化合物を蒸発せしめ、所定基板上に有
機放電重合膜を形成させるものであるが、本発明におい
て用いられる有機単量体としては、たとえば、スチレン
、クロロベンゼンなどのベンゼン類、ヘキサメチルジシ
ロキサンなどの含ケイ素化合物、アセトニトリル、アク
リロニトリルなどの含窒素化合物、エチレンなどのオレ
フィン化合物、ノルボルナジェンなどの単量体などの一
種以上を用いることができる。
を含むガス中で放電を行ない、これと同時にＴｅあるい
はＴｅ元素を含む化合物を蒸発せしめ、所定基板上に有
機放電重合膜を形成させるものであるが、本発明におい
て用いられる有機単量体としては、たとえば、スチレン
、クロロベンゼンなどのベンゼン類、ヘキサメチルジシ
ロキサンなどの含ケイ素化合物、アセトニトリル、アク
リロニトリルなどの含窒素化合物、エチレンなどのオレ
フィン化合物、ノルボルナジェンなどの単量体などの一
種以上を用いることができる。
また、Ｔｅ供給源としてのＴｅ元素を含む化合物として
は、たとえばＰｂＴｅ、ＧａＴｅ、ＭｏＴｅ２ 。
は、たとえばＰｂＴｅ、ＧａＴｅ、ＭｏＴｅ２ 。
ＺｎＴｅ、ＡＳ２Ｔｅ３ 、ＴｅＯ２の一種以上を用い
ることができる。
ることができる。
またＴｅ単独で用いることもでき、更には前記Ｔｅ化合
物の一種以上とＴｅを混在させて用いることができる。
物の一種以上とＴｅを混在させて用いることができる。
前述の有機単量体およびＴｅ化合物は、例示であって、
本発明を限定するものではないのはもちろんである。
本発明を限定するものではないのはもちろんである。
なお、有機単量体およびＴｅまたはＴｅ含有化合物の量
は製造される有機放電重合膜の性質などを考慮し、機能
的に定めることができる。
は製造される有機放電重合膜の性質などを考慮し、機能
的に定めることができる。
この有機放電重合膜を形成する際の系のガス圧は１０〜
１０＝ ｔｏｒｒであるのが好ましい。
１０＝ ｔｏｒｒであるのが好ましい。
ここでガス圧は有機単量体ガスあるいは有機単量体とＡ
ｒ、Ｎ２など不活性ガスを例とする圧力調整ガスとの和
、即ち全圧を意味する。
ｒ、Ｎ２など不活性ガスを例とする圧力調整ガスとの和
、即ち全圧を意味する。
ガス圧が］、０ｔｏｒｒを超えると有機放電重合膜が形
成しに＜ ＜、１ｃｒ３ｔｏｒｒ未満であると安定した
放電が得られにくいからである。
成しに＜ ＜、１ｃｒ３ｔｏｒｒ未満であると安定した
放電が得られにくいからである。
特に好ましくは１ ｔｏｒｒ以下である。Ｔｅあるいは
Ｔｅ化合物粒子の粒度が１００λ以下となるからである
。
Ｔｅ化合物粒子の粒度が１００λ以下となるからである
。
次に、本発明による光学記録用媒体の製造方法を実施す
るための装置の一例について説明する。
るための装置の一例について説明する。
第１図は本発明による光学記録用媒体の製造方法を実施
するための装置の一例の模式図であり、図中、１は反応
容器、２は有機単量体ガス導入口、）３は基板、４は高
周波電極、５はＴｅあるいはＴｅ化合物の蒸着用ヒータ
である。
するための装置の一例の模式図であり、図中、１は反応
容器、２は有機単量体ガス導入口、）３は基板、４は高
周波電極、５はＴｅあるいはＴｅ化合物の蒸着用ヒータ
である。
有機放電重合膜の製造は、まず反応容器１を真空にした
後、有機単量体ガスあるいはＡ ｒ ＊ Ｎ２などの不
活性ガスとの混合ガスを有機単量体ガス導５人口２より
ｌＯ〜１０−３ｔｏｒｒ前記反応容器１中に導入する。
後、有機単量体ガスあるいはＡ ｒ ＊ Ｎ２などの不
活性ガスとの混合ガスを有機単量体ガス導５人口２より
ｌＯ〜１０−３ｔｏｒｒ前記反応容器１中に導入する。
ガス導入後、高周波電極４に１３．５６ＭＨｚ の高周
波電圧を印加し放電を起こさせる。
波電圧を印加し放電を起こさせる。
これと同時に蒸着用ヒータ５よりＴｅあるいはＴｅ化合
物を加熱蒸発させ基板３上にＴｅあるいンはＴｅ化合物
を含有する有機放電重合膜を得る。
物を加熱蒸発させ基板３上にＴｅあるいンはＴｅ化合物
を含有する有機放電重合膜を得る。
第２図は本発明の記録媒体の製造方法を実施するための
他の一例を示す模式図であり、図中、符号１〜５は第１
図と同様のものを示し、また６はＴｅあるいはＴｅ化合
物からなるターゲットであｉる。
他の一例を示す模式図であり、図中、符号１〜５は第１
図と同様のものを示し、また６はＴｅあるいはＴｅ化合
物からなるターゲットであｉる。
反応容器１を真空にした後、有機単量体ガス導入口２よ
り有機単量体ガスを導入し、高周波電極４に高周波電圧
を印加し放電を起させると、有機単量体の重合とともに
ターゲット６のＴｅあるいνはＴｅ化合物がスパッタさ
れ、基板３上にはＴｅあるいはＴｅ化合物を含有した有
機放電重合膜が得られる。
り有機単量体ガスを導入し、高周波電極４に高周波電圧
を印加し放電を起させると、有機単量体の重合とともに
ターゲット６のＴｅあるいνはＴｅ化合物がスパッタさ
れ、基板３上にはＴｅあるいはＴｅ化合物を含有した有
機放電重合膜が得られる。
なお、このような平行電極の場合には高周波のほか直流
放電など低周波放電を用いることができする。
放電など低周波放電を用いることができする。
以上のようにして得られた有機放電重合膜はＴｅ含有量
により吸収係数を制御することができ、波長８００ｍμ
で吸収係数を１０’ｍ” にすることもできる。
により吸収係数を制御することができ、波長８００ｍμ
で吸収係数を１０’ｍ” にすることもできる。
半導体レーザを用いる場合、好まし；い吸収係数は１０
４〜１０５ｃｒｎ−１であるので、この範囲になるよう
に、Ｔｅ含有量は有機放電重合膜全体に対し、１０ ａ
ｔｏｍｉｃ ４以上であるのが好ましい。
４〜１０５ｃｒｎ−１であるので、この範囲になるよう
に、Ｔｅ含有量は有機放電重合膜全体に対し、１０ ａ
ｔｏｍｉｃ ４以上であるのが好ましい。
また、Ｔｅ粒子の粒径は小さい方が好ましく、特に１０
０λ以下であるのがよい。
０λ以下であるのがよい。
これは分解能が向上するからである。
さらにこの有機放電重合膜は示差熱分析測定によると、
１００〜１５０℃に不可逆な発熱ピークを示す。
１００〜１５０℃に不可逆な発熱ピークを示す。
この発熱ピークの基因は明らかでないが、この温度以上
の加熱により、光学濃度および屈折率が大きく増加する
。
の加熱により、光学濃度および屈折率が大きく増加する
。
従って、この有機放電重合膜に記録するにはレーザビー
ムなどを照射し、照射部分を加熱し、光学濃度および屈
折率を増加させることによって行なわれる。
ムなどを照射し、照射部分を加熱し、光学濃度および屈
折率を増加させることによって行なわれる。
またレーザビームの代わりにフラッシュ光、電子線など
の照射およびヒータによる接触加熱により記録を行なう
ことも可能である。
の照射およびヒータによる接触加熱により記録を行なう
ことも可能である。
なお、Ｔｅを含有しない有機放電重合膜は近赤外域での
光の吸収はほとんどなく、また熱的に安定であり加熱に
よる大きな光学的変化は観られない。
光の吸収はほとんどなく、また熱的に安定であり加熱に
よる大きな光学的変化は観られない。
さらにＴｅのみの蒸着膜でも加熱による光学濃度変化は
観られず、融点での融解および蒸発が起るのみである。
観られず、融点での融解および蒸発が起るのみである。
次に本発明の実施例を示す。
実施例 ■
スチレン単量体ガスを５Ｘ１０−２ｔｏｒｒ導入した容
器中で、電極に１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を印加し
て放電を行なうとともにＴｅをタングステンボードから
基板に蒸着する。
器中で、電極に１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を印加し
て放電を行なうとともにＴｅをタングステンボードから
基板に蒸着する。
基板としてはガラス基板およびポリエステルフィルムを
用い、スチレン単量体ガス流量２０ ｃｃ／ ｍｉｎ、
放電電力１００Ｗ、Ｔｅ蒸着速度約２人／ｓｅｃで２０
分間放電を行なうと、基板上に膜厚約１μｍのＴｅを含
有した重合膜が形成される。
用い、スチレン単量体ガス流量２０ ｃｃ／ ｍｉｎ、
放電電力１００Ｗ、Ｔｅ蒸着速度約２人／ｓｅｃで２０
分間放電を行なうと、基板上に膜厚約１μｍのＴｅを含
有した重合膜が形成される。
第３図に得られた膜の吸収係数のスペクトル依存性およ
び同じ膜を１２０℃１０分間加熱した場合の吸収係数の
スペクトル依存性を示す。
び同じ膜を１２０℃１０分間加熱した場合の吸収係数の
スペクトル依存性を示す。
曲線ａは未加熱試料の、曲線すは加熱試料の吸収係数で
ある。
ある。
なお、この際の屈折率は未加熱試料で２．９で加熱試料
で３．８である。
で３．８である。
同一条件下での半導体レーザ（波長８３０ｍμ）による
記録では、Ｔｅ蒸着膜の融解による記録に較べ１桁高い
感度を示した。
記録では、Ｔｅ蒸着膜の融解による記録に較べ１桁高い
感度を示した。
実施例 ■
有機単量体としてヘキサメチルジシロキサンを用い、実
施例Ｉと同じ条件下で放電を行な゛う。
施例Ｉと同じ条件下で放電を行な゛う。
１５分間の放電で約１μｍの膜厚の有機放電重合ン膜が
得られた。
得られた。
この有機放電重合膜の機械的強度は極めて大きく、また
加熱による変化は実施例Ｉと同様であった。
加熱による変化は実施例Ｉと同様であった。
実施例 ■
有機単量体としてアクリロニトリルを用い、ｉＴｅ蒸着
速度約１人／ｓｅｃで実施例Ｉと同条件で３０分間放電
を行なうと、膜厚約１μｍの有機放電重合膜が得られる
。
速度約１人／ｓｅｃで実施例Ｉと同条件で３０分間放電
を行なうと、膜厚約１μｍの有機放電重合膜が得られる
。
この有機放電重合膜は実施例Ｉの有機放電重合膜と較べ
てＴｅ含有量が少いにもかかわらず高い吸収係数を示し
た。
てＴｅ含有量が少いにもかかわらず高い吸収係数を示し
た。
ノ実流側 ■
有機単量体としてノルボルナジェンを用い、実施例Ｉと
同じ条件下で放電を行なった。
同じ条件下で放電を行なった。
この場合、有機放電重合膜の形成速度は実施例Ｉの約２
倍になった。
倍になった。
テ図面の簡単な説明
第１図は本発明の製造方法を実施するための装置の一例
を示す模式図、第２図は本発明の製造方法の別の一例を
示す模式図、第３図は本発明の記録媒体の吸収係数−波
長特性を示す図である。
を示す模式図、第２図は本発明の製造方法の別の一例を
示す模式図、第３図は本発明の記録媒体の吸収係数−波
長特性を示す図である。
） １・・・・・・容器、２・・・・・・ガス導入口、
３・・・・・・基板、４・・・・・・高周波電極、５・
・・・・・蒸着用ヒータ、６・・・・・・ターゲット。
３・・・・・・基板、４・・・・・・高周波電極、５・
・・・・・蒸着用ヒータ、６・・・・・・ターゲット。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上にＴｅを含む有機放電重合膜を形成させて基
本的に成ることを特徴とする光学記録用媒体。 ２ 有機単量体ガス中で放電を行なうと同時にＴｅある
いはＴｅ元素を含む化合物を蒸発させて、所定基板上に
Ｔｅを含む有機放電重合膜を形成させることを特徴とす
る光学記録用媒体の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54138761A JPS5817038B2 (ja) | 1979-10-29 | 1979-10-29 | 光学記録用媒体及びその製造方法 |
| US06/173,733 US4373004A (en) | 1979-08-14 | 1980-07-30 | Laser beam-recording media and method for manufacturing the same |
| NL8004541A NL191766C (nl) | 1979-08-14 | 1980-08-11 | Laserstraal-registreermedium en werkwijze voor het bereiden van een laserstraalregistreermedium. |
| DE3030434A DE3030434C2 (de) | 1979-08-14 | 1980-08-12 | Laserstrahlaufzeichnungsträger und Verfahren zu dessen Herstellung |
| GB8026326A GB2059088B (en) | 1979-08-14 | 1980-08-13 | Laser beam-recording media and a method for manufacturing the same |
| FR8017885A FR2463479A1 (fr) | 1979-08-14 | 1980-08-13 | Support d'enregistrement d'informations par faisceau laser et procede pour fabriquer ce support |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54138761A JPS5817038B2 (ja) | 1979-10-29 | 1979-10-29 | 光学記録用媒体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5662192A JPS5662192A (en) | 1981-05-27 |
| JPS5817038B2 true JPS5817038B2 (ja) | 1983-04-04 |
Family
ID=15229560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54138761A Expired JPS5817038B2 (ja) | 1979-08-14 | 1979-10-29 | 光学記録用媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5817038B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6326049Y2 (ja) * | 1981-12-11 | 1988-07-15 | ||
| JPS6326048Y2 (ja) * | 1981-10-06 | 1988-07-15 |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS589229A (ja) * | 1981-07-08 | 1983-01-19 | Toshiba Corp | 光記録媒体 |
| JPS589233A (ja) * | 1981-07-10 | 1983-01-19 | Toshiba Corp | 光学的情報記録媒体 |
| JPS588694A (ja) * | 1981-07-10 | 1983-01-18 | Toshiba Corp | 光学的情報記録媒体の製造方法 |
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| JPS5871194A (ja) * | 1981-10-23 | 1983-04-27 | Toshiba Corp | 情報記録再生方法 |
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| JPS58158054A (ja) * | 1982-03-15 | 1983-09-20 | Toshiba Corp | 光学的情報記録媒体 |
| JPS58158056A (ja) * | 1982-03-16 | 1983-09-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レ−ザ記録媒体およびその製造方法 |
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| JPS6034897A (ja) * | 1983-08-08 | 1985-02-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 書替可能光記録媒体 |
| JPS60124290A (ja) * | 1983-12-09 | 1985-07-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光学記録媒体の製造方法 |
-
1979
- 1979-10-29 JP JP54138761A patent/JPS5817038B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6326048Y2 (ja) * | 1981-10-06 | 1988-07-15 | ||
| JPS6326049Y2 (ja) * | 1981-12-11 | 1988-07-15 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5662192A (en) | 1981-05-27 |
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