DE3030434C2 - Laserstrahlaufzeichnungsträger und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents
Laserstrahlaufzeichnungsträger und Verfahren zu dessen HerstellungInfo
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Description
60
Die Erfindung betrifft einen Laserstrahl-Aufzeichnungsträger, gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs
1, der zur Laserstrahlaufzeichnung mittels eines thermischen Vorgangs geeignet ist, und ein Verfahren
zur Herstellung desselben.
Eine thermische Laseraufzeichnung ist in mehrererlei
Hinsicht zweckmäßig, da beispielsweise eine Realzeitaufzeichnung und ein momentanes Auslesen (ein
sofortiger Zugriff) ohne Verarbeitung möglich sind, da zusätzliche oder ergänzende Aufzeichnungen von
zusätzlichen Informationen und eine Archivspeicherung möglich sind, und da die Handhabung aufgrund
der Tatsache einfach ist, daß der Aufzeichnungsträger
in Raumlicht gehandhabt werden kann.
Für eine solche Art eines Laserstrahl-Aufzeichnungsträgers ist es bekannt, einen dünnen Metallfilm aus Rh,
B i, Te oder dergleichen, einen dünnen Chalkogen-Glasfilm,
bestehend aus Se, Te oder dergleichen, ouer einen dünnen Pigmentfilm aus Fluoreszin oder dergleichen
zu verwenden. Optische Speichereinrichtungen und Aufzeichnungsträger sind in der Literaturstelle von
R.A. Bartolini, A.E. Bell, R.E. Flory, M. Lurie und F.W.
Spong mit der Bezeichnung »optical disk systems emerge«, IEEE spectrum, Vol. 15,Nr. 8, Seiten 20 bis 28
(1978) angegeben. Jedoch ist bei diesen Arten von Aufzeichnungsträgern
die Belichtungsempfindlichkeit schwach. Deshalb sind zusätzliche Hilfseinrichtungen,
wie Hochleistungs-Aufzeichnungslaser, ein Modulator,
ein Deflektor usw. erforderlich, um eine Realzeitaufzeichn.ung
zu erreichen. Deshalb wird eine solche Aufzeichnungseinrichtung
sperrig und teuer. Zu dem vorstehend beschriebenen Stand der Technik gehört auch
das Aufzeichnungsmaterial, das in derDE-OS 24 39 848 beschrieben ist. Dieses nützt die durch einen Laserstrahl
hervorgerufene thermische Schmelzverformung und/oder Ausdampfung aus; der laserbestrahlte Teil
der Aufzeichnungsschicht absorbiert die Strahlungsenergie und wird durch Verdampfung entfernt, wodurch
die Informationsaufzeichnung auf der Basis der realen Zeit bewirkt wird. Die Aufzeichnungsschicht des Aufzeichnungsmaterials
ist nichtmetallisch und besteht entweder aus einem Chalkogenelement, wie Schwefel,
Selen oder Telur oder aus einem Chalkogenit. Aus der DE-OS 21 53 775 ist weiterhin ein Aufzeichnungsverfahren
bekannt, bei dem ein aus einem Schichtträger mit aufgebrachter Schicht bestehendes Aufzeichnungsmaterial
mit einer Laserstrahlung belichtet wird. Die lichtempfindliche Schicht enthält *ine thermochrome
Verbindung, und zwar einen lichtempfindlichen kristallinen Alkylester einer Diacetylenverbindung mit endständigen
Dicarbonsäureresten, wobei diese Verbindung 16 bis 26 Kohlenstoffatome hat und die Alkylgruppe
Methyl oder Äthyl ist. Die Aufzeichnung kommt so zustande, daß das thermochrome Material im
unbelichteten Zustand das Laserlicht absorbiert, im belichteten Zustand dagegen durchläßt. Das thermochrome
Material enthält keinerlei Metall.
Auch ist bereits vorgeschlagen worden, einen Halbleiter-Laser als eine Lichtquelle für eine optische Speichereinrichtung
zu verwenden, so daß dieselbe kompakt ausgelegt und mit geringeren Kosten verbunden
ist. Da jedoch die Leistung eines Halbleiterlasers in der Größenordnung von 15 bis 20 mW liegt und sich die
Emissionswellenlänge auf etwa 800 nm beläuft, ist die Belichtungsempfindlichkeit gering und eine Realzeitaufzeichnung
ist mit den zuvor angegebenen üblichen Aufzeichnungsträgern schwierig. Deshalb ist es
erwünscht, einen hochemfpindlichen Aufzeichnungsträger zu entwickeln, der eine Aufzeichnung unter Verwendung
eines Halbleiterlaser ermöglicht.
Aufgabe der Erfindung ist daher die Schaffung eines Laserstrahl-Aufzeichnungsträgers, der hohe Empfindlichkeit,
insbesondere auch im Infrarotbereich, verbunden mit einer hohen Auflösung aufweist, sowie ein Verfahren
zur Herstellung eines solchen Aufzeichnungsträgers.
Gegenstand der Erfindung ist daher ein Laserstrahl-Aufzeichnungsträger
aus einem Substrat und einem darauf gebildeten plasmapolymerisierten Film, der
Metall enthält, dadurch gekennzeichnet, daß als Metall wenigstens eines der aus Te, Bi, Ag, In oder Legierun- >
gen dieser Metalle bestehenden Gruppe in dem plasmapolymerisierten Film in einer Menge von 10 bis 90
Vol.-% vorhanden ist, daß der plasmapolymerisierte
Film aus wenigstens einem Monomeren aus der aus Kohlenstoffdisuifid, Styrol, Acrylnitril, Hexamethy|di- m
siloxan und Norbornadien bestehenden Gruppe aufgebaut ist, und daß die Metalle oder deren Legierungen
a!s feine Teilchen mit einer Korngröße < 50 nm innerhalb des plasmapolymerinerten Films abgelagert sind.
B evorzugte Substrate für den darauf abgeschiedenen plasmapolymerisierten Film, bestehend aus Glas oder
einem Acrylharz.
Auf dtm Substrat weist der Aufzeichnungsträger
zweckmäßig einen das Licht reflektierenden Film und darüber eine lichtdurchlässige Schicht auf, die bewirken 2«
soll, daß die Reflektion bei der Aufzeichnungswellenlänge so gering wie möglich ist. Der ein Metp.U enthaltende
plasmapolymerisierte Film ist dann auf der Oberfläche der lichtdurchlässigen Schicht angeordnet.
Zweckmäßig ist nach einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der plasmapolymerisierte Film von
einem Schutzfilm überdeckt, wobei besonders bevorzugt dieser Schutzfilm als Überzug über den plasmapolymerisierten
Film vorgesehen ist.
Gegenstand der Erfindung ist ferner ein Verfahren zur Herstellung eines Laserstrahl-Aufzeichnungsträgers
durch Erzeugung einer elektrischen Entladung in einer ein organisches Monomeres enthaltenden Atmosphäre
und Bildung eines organischen, plasmapolymerisierten Films auf einem vorbestimmten Substrat,
dadurch gekennzeichnet, daß als organisches Monomeres Kohlenstoffdisuifid, Styrol, Acrylnitril, Hexamethyldisiloxan
oder Norbornadien verwendet werden, daß die elektrische Entladung während der Verdampfung
wenigstens eines der Metalle Te, Bi, Ag, In oder Legierungen dieser Metalle bei einem verminderten
Druck von \0~3 bis 10 Torr, erzeugt wird, und daß die
Metalle oder deren Legierungen als feine Teilchen mit einer Korngröße < 50 nm innerhalb des plasmapolymerisierten
Films abgelagert werden.
Bevorzugt enthält die das organische Monomere enthaltende Atmosphäre zusätzlich noch ein Inertgas.
Die Erfindung wird nachstehend an Beispielen und unter Bezugnahme auf die beigefügte Zeichnung näher
erläutert. Darin zeigt:
F i g. 1 und 2 schematische Ansichten einer Vorrichtung
zur Herstellung eines Laserstrahl-Aufzeichnungsträgers nach der Erfindung,
F i g. 3 bis 6 Schnittansichten verschiedener Ausführungsformen
eine·. Laserstrahi-Aufzeichnungsträgers
nach der Erfindung,
F i g. 7 ein Diagramm zur Verdeutlichung des Zusammenhangs von Absorptionskoeffizienten und Wellenlänge
eines CS2-pIasmapolymerisierten Films, der Te enthält, und zwar vor und nach der Erwärmung, und t>o
F i g. 8 ein Diagramm zur Verdeutlichung des Zusammenhangs von Absorptionskoeffizient und Wellenlänge
ei.ies styrol-plasmapolymerisierten Films, der Te enthält,
und zwar vor und nach der Erwärmung.
Ein Laserstrahl-Aufzeichnungsträger nach der Erfindung
ist fähig. Informationen durch Bestrahlung mit einem Laserstrahl aufzuzeichnen, der mit aufgezeichneten
Informationen moduliert wird, wobei der bestrahlte Teil erschmolzen oder verdampft wird, oder
wobei eine Änderung hinsichtlich der optischen Dichte oder des Brechungsindex dieses Teils erzeugt wird.
Zuerst soll ein Verfahren zur Herstellung eines Laserstrahl-Aufzeichnungsträgers
nach der Erfindung beschrieben werden.
Zur Herstellung eines Laserstrahl-Aufzeichnungsträgers nach der Erfindung wird eine elektrische Entladung
in einem wenigstens CS2 oder ein organisches Monomßres enthaltenden Gas bewirkt, Metalle oder
Verbindungen dieser Metalle werden gleichzeitig verdampft und dann wird ein plasmapolymerisierter Film
gebildet, der die verdampften Metalle enthäü Das bei
der Erfindung verwendete organische Monomere kann wenigstens einen der nachstehenden Stoffe aufweisen:
eine aromatische Verbindung, wie Styrol oder Chlorbenzol; eine Silanverbindung, Wie Hexamethyldisiloxan;
eine Nitrilverbindung, wie Acetonitril oder Acrylnitril; und eine cycloolefinische Verbindung, wie
Norbornadien. Das organische Monomere und das CS2-Gas
können gesondert oder in Veit. :adung mit einem
Inertgas, wie Argon oder N2, verwende: werden.
Als verdampfte Metalle kommen Te, Bi, Ag und In oder deren Verbindungen in Betracht.
Der Gasdruck der Anlage zur Bildung eines plasmapolymerisierten Films liegt vorzugsweise in der
Größenordnung von 10 bis 10~3 Torr. In diesem Zusammenhang
ist unter dem Gasdruck der Druck des CS2-Gases und des organischen monomeren Gases allein
oder die Summe des Gesamtdruckes des CS2-GaSeS oder des organischen monomeren Gases in Verbindung
mit einem Druckreguliergas, d. h. einem Inertgas, wie Ar oder N2, zu verstehen. Wenn der Druck größer als 10
Torr wird, ergeben sich Schwierigkeiten bei der Bildung eines organischen plasmapolymerisierten Films und
wenn der Druck kleiner als 10~3 Torr ist, ergeben sich Schwierigkeiten bei der Aufrechterhaltung einer stabilen
Glimmentladung. Vorzugsweise ist der Gasdruck kleiner als 1 Torr, so daß man leicht ein feines Metallpulver
mit einer Teilchengröße von 10 nm oder kleiner erhalten kann.
Ein Beispiel einer Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens zur Herstellung eines Laserstrahl-Aufzeichnungsträgers
nach der Erfindung wird nachstehend beschrieben.
F i g. 1 stellt ein Modell eines Beispiels einer Vorrichtung zur Herstellung eines Laserstrahl-Aufzeichnungsträgers nach der Erfindung dar, wobei mit 11 eine Reaktionskammer,
mit 12 ein Gaseinlaß Tür CS2, für ein organisches
monomeres Gas oder dergleichen, mit 13 ein Substrat, mit 14 eine Hochfrequenzelektrode, mit 15
eine Heizeinrichtung zur Verdampfung eines Metalb oder einer Verbindung und mit 17 ein Ausgang einer
Vakuumanlage bezeichnet ist.
Zuerst wird die Reaktionskammer 11 evakuiert und dann wird CS2-GaS, ein organisches monomeres Gas
oder ein Gemisch derselben mit einem Inertgas, wie Ar oderN2, über den Gaseinlaß 12 in die Reaktionskammer
11 eingeleitet, in dfr ein Druck in der Größenordnung
von 10 bis 10"3 Torr herrscht. Nach dem Einbringen des Gases wird an die Höchfrequenzelektröde 14 eine
Hochfrequenzspannung von 13,56 MHz angelegt, um eine elektrische Entladung zu erzeugen. Gleichzeitig
wird ein Metall oder eine Verbindung desselben durch die Verdampfungshe;7.ung 15 verdampft, so daß sich ein
plasmapolymerisierter Film bildet, der ein Metall auf dem Substrat 13 enthält.
F i g. 2 zeigt ein Beispiel einer Vorrichtung zur Her-
Stellung des Aufzeichnungsträgers nach der Erfindung, wobei mit den Bezugsziflern 11 bis 15 dieselben Teile
wie bei der zuvor beschriebenen Ausfuhrungsform bezeichnet sind. Mit 16 ist eine Strahlungselektrode
bezeichnet, die aus einem Metall oder einer Verbindung von demselben besteht.
Nach der Evakuierung der Reaktionskammer 11 wird ein organisches monomeres Gas oder dergleichen über
den Gaseinlaß 12 eingeleitet. Wer.n eine Hochfrequenzspannung an den Hochfrequenzelektroden 14 anliegt,
um eine elektrische Entladung zu erzeugen, wird CS2 oder das organische Monomere polymerisiert und ein
Metall oder eine Verbindung desselben \on der Strahlungselektrode 16 freigesetzt. Ein plasmapolymerisierterFilm,
der ein Metall oder eine Verbindung desselben enthält, wird dann auf dem Substrat 13 gebildet.
Bei der Herstellung können auch viele andere elektrische Entladungsarten verwendet werden, die eine
elektrische Entladung, die durch Mikrowellen oder Hochfrequenzwellen erzeugt wird, wobei diese Ent-Iadungsarten
an die Stelle der Entladungsart treten, die unter dem zuvor angegebenen Frequenzwellenbereiv.li
entsteht. Insbesondere wenn parallele planare bzw. ebene Elektroden verwendet werden, kann eine elektrische
Entladung mittels Gleichstrom verwirklicht werden. Wenn die parallelen Elektroden verwendet
werden, wird ein Metall oder eine das Metall enthaltende Verbindung als Strahlungselektrode verwendet die
das Metall freisetzt, um einen polymerisierten Film zu erhalten, der das Metall enthält.
Plasmapolymerisierte Filme, die nach der Erfindung erzeugt werden sollen, haben die folgenden Eigenschaften.
Die gebildeten polymerisierten Schichten sind hinsichtlich ihres Aufbaus grundlegend von Polymeren
verschieden, die mittels üblichen Polymerisationsme- a thoden gebildet sind und besitzen eine stark quer vernetzte
Netzstruktur, um eine vollständig amorphe dünne Schicht zu bilden. Das Infrarotabsorpiionsspektrum
eines acrylnitrilplasmapolymerisierten Films hat beispielsweise eine verminderte Absorption, basierend *o
auf-C =N bei 2250 cm"', und eine Absorption, basierend
auf- C = NH bei 3500 cm"1 und basierend auf
-C = N-bei 1500 cm"1. Dies bedeutet, daß das plasmapolymerisierte
Acrylnitril eine quervernetzte Netzstruktur hat, die aus der Abspaltung von -C =N resul- «
tiert. Der plasmapolymerisierte Film ist hinsichtlich der chemischen Widerstandsfähigkeit, des Wärmewiderstands
und der mechanischen Eigenschaften Polymeren überlegen, die man durch die übliche Polymerisationsmethode erhält, was auf die quervernetzte Netzstruktur so
zurückzuführen ist.
Demzufolge kann ein plasmapolymerisierterFilm im
allgemeinen nicht durch Wärme leicht sublimiert wer-' den. Jedoch hat ein plasmapolymerisierter und aus CS2-Gas
hergestellter Film spezielle Eigenschaften, die ihn von anderen plasmapolymerisierten Filmen unterscheiden.
Die Zusammensetzung des CSrpIasmapolymerisierten Films ändert sich durch eine Veränderung bei der
elektrischen Entladeleistung, dem CSi-Ga^druck, der
CSj-Gasströmungsgeschwindigkeit und der Substrattemperatur
und die Änderung liegt innerhalb eines Bereiches von CS0.16 bis CSu. Wenn sich die Zusammensetzung
innerhalb eines Bereiches von CS2 bis CSm ändert, sublimiert der polymerisierte Film bei
einer Temperatur von I0öbis2ö{rC mit einer I0%igen
Gewichtsabnahme.
Die Laserstrahlaufzeichnungsempfindlichkeit kann dadurch höher gemacht werden, daß man die Sublimationstemperatur dieses CS2-plasmapolymerisierten Films herabsetzt. Umgekehrt kann die Haltbarkeit des Films dadurch verbessert werden, daß ma<i die Sublimationstemperatur höher wählt. Demzufolge wird die Sublimationstemperatur dadurch bestimmt, daß man die Polymerisierungsbedingungen entsprechend den zuvor beschriebenen Angaben unter Berücksichtigung der gewünschten Haltbarkeit des Films und der Aufzeichnungsempfindlichkeit variiert. Im allgemeinen liegt die Sublimationstemperatur dieses Films vorzugsweise in der Größenordnung von 180 bis 200° C.
Die Laserstrahlaufzeichnungsempfindlichkeit kann dadurch höher gemacht werden, daß man die Sublimationstemperatur dieses CS2-plasmapolymerisierten Films herabsetzt. Umgekehrt kann die Haltbarkeit des Films dadurch verbessert werden, daß ma<i die Sublimationstemperatur höher wählt. Demzufolge wird die Sublimationstemperatur dadurch bestimmt, daß man die Polymerisierungsbedingungen entsprechend den zuvor beschriebenen Angaben unter Berücksichtigung der gewünschten Haltbarkeit des Films und der Aufzeichnungsempfindlichkeit variiert. Im allgemeinen liegt die Sublimationstemperatur dieses Films vorzugsweise in der Größenordnung von 180 bis 200° C.
Der optische Absorptionsrandbereich eines CSj-plasmapolymerisierten
Films liegt zwischen dem sichtbaren und dem nahegelegenen Infrarotbereich und er
ändert sich in Abhängigkeit von der Zusammensetzung. Bei einer Wellenlänge von 800 nm ist ein AbsorptionskoelTizient
von etwa 104 cm-' erreichbar. Wenn demzufolge
ein sichtbarer Laserstrahl auf den polymerisierten Film gerichtet wird, erwärmt das absorbierte Licht den
Film und bewirkt ein Loch infolge der lokalen Verdampfung.
Demzufolge braucht nicht zwingend notwendigerweise ein Diodenlaser, wie GaAs, verwendet zu werden,
da die Emissionswellenlänge des Lasers in der Nähe des Infrarotbereichs (800 bis 900 nm) liegt und der Absorptionskoeffizient
des CS2-plasmapolymerisierten Films hierzu ausreicht.
Weniv jedoch Metalle, wie Te, B i. Ag oder I η oder Verbindungen
derselben, wie PbTe, Bi2Te, Sb2Te.!,
InSb,In2Tej, Ag2Te oder Ag2Sj in einem Bereich von 10
bis 19 Vol.-% einem solchen Film zugegeben werden, hat der Film einen ausreichend hohen Absorptionskoeffizienten
in der Nähe des infrarotbereiches. Wenn die Menge an Metallen kleiner als 10 Vol.-Ib ist, würde der
AbsorptionskoefTizient in der Nähe des Infrarotbereiches für eine Laserstrahlaufzeichnung nicht mehr ausreichen.
Wenn andererseits die Menge an Metallen größer als 90 Vol.-% ist, würde ein solcher Film nahezu mit
einem metallischen Film im Hinblick auf die Wärmeleitfähigkeit und das Wärmeaufnahmevermögen übereinstimmen,
so daß man nur schlechte Aufzeichnungskennwerte erhält.
Mit einem solchen CSj-plasmapolymerisierten Film,
der Metalle enthält, ist keine optische Inhomogenität festzustellen, da die Teilchengröße der eingeschlossenen
Metalle kleiner als etwa 10 nm ist. Die Oberfläche des Films zeigt sich bei der Untersuchung mit einem
abtastenden Elektronenmikroskop als glatt und eben. Der AbsorptionskoefTizient und der Brechungsindex
dieses Films lassen sich dadurch variieren, daß man die Menge des in dem polymerisierten'Film enthaltenen
Metalls ändert. Ein Absorptionskoeffizient von 5 x 10* cm"1 läßt sich beispielsweise leicht mit einer Wellenlänge
von 800 nm erreichen. Ferner kann die Sublimationstemperatur im Vergleich zu jenen der eingeschlossenen
Metalle ausreichend herabgesetzt werden.
Wenn Te und Bi als eingeschlossene Metalle verwendet werden, werden die optische Dichte und der Brechungsindex
der polymerisierten Filme durch Erwärmung größer. Die Röntgenstrahl-Beugungsmessungen
zeigen, daß dies auf den Einschluß von Te und Bi im amorphen Zustand zurückzuführen ist, die durch
Erwärmung kristallisiert werden. Dies heißt, daß kein Beugungsbild in einem polymerisierten Film vor der
Erwärmung feststellbar ist, und daß sich das Beugungsbild von Te oder Bi erst nach der Erwärmung feststellen
läßt. Durch differenzielle Abtastwärmemessungen
ergibt sich eine exothermische Spitze bei etwa 800C bei
einem CS2-polymerisierten Film, der Te enthält, und eine exothermische Spitze von etwa 2000C bei einem
CS2-polymerisierttn Film, der Bi enthält. Diese Spitzen
sind vermutlich auf die Umkristailisation zurückzufüh- ί
ren.
Der Metall enthaltende CSrplasmapolymerisierte Film >ßt sich somit fur die Laserstrahlaufzeichnung
mittels thermischer Vorgänge verwenden. Der Aufzeichnungsstrahl kann allein als eine lokale Wärmequelle
verwendet werden, der die Temperatur des Films erhöht, um lokale optische Änderungen in dem Film
infolge der Sublimation oder Kristallisation des Films zu erzeugen.
Wenn ein Laserstrahl auf einen Film trifft, den man anstelle von CS2 durch einfache Plasmapolymerisierung
eines organischen Monomeren, wie Styrol oder Acrylnitril erhält, sublimiert der bestrahlte Teil nicht. Wenn
Film hinzugegeben werden, kann man eine Zunahme des Absorptionskoeffizienten und des Brechungsindexes
des Films durch die Erwärmung mittels des Laserstrahls feststellen. Röntgenstrahlenbeugungsmessungen
stützen diese Vermutung, daß dies ebenfalls auf die Kristallisierung von Te zurückzuführen ist. Diese Kri- :3
stallisationsumwandlung ist irreversibel und die optische Änderung ist extrem groß. DerTe enthaltende
plasmapolymerisierte Film kann daher als Laser-Aufzeichnungsträger
verwendet werden, indem man den Vorteil der Änderungen hinsichtlich der Durchlässig- jo
keit iiad des Reflektionsvermögens ausnützt, die sich
aus der Kristallisation von Te ergeben. Das organische Monomere für den plasmapolymerisierten Film nach
der Erfindung kann beispielsweise Styrol, Acrylnitril, Hexamethyldisiloxan. Norbornadien oder dergleichen »
sein.
Das Substrat, auf dem der plasmapolymerisierte Film ausgebildet werden soll, kann aus einem üblichen Material,
wie Glas, Polyesterharz oder einem Acrylharz bestehen. 4η
Die Struktu·· eines Laserstrahl-Aufzeichnungsträgers
nach der Erfindung kann willkürlich gewählt werden und kann die folgenden Formen annehmen: eine Struktur
nach F i g. 3, bei der ein plasmapolymerisierter Film 3, der feines Metallpulver enthält, auf einem Substrat 1,
beispielsweise aus Glas, gebildet wird; eine in F i g. 4 gezeigte Struktur, bei der ein Schutzfilm 5, beispielsweise
bestehend aus Polyvinylalkohol, zusätzlich auf dem plasmapolymerisierten Film bei der in F i g. 3
gezeigten Struktur vorgesehen ist; eine in F i g. 5 so gezeigte reflektionsmindernde Struktur, bei der ein
lichtreflektierender Film 7 aus Al oder dergleichen, ein lichtdurchlässiger Film 9 zur Minimalisierung der
Reflektion bei der Aufzeichnungswellenlänge und ein plasmapolymerisierter Film 3 vorgesehen sind, der ein
feines Metallpulver enthält und auf dem Substrat 1 in der vorgenannten Reihenfolge ausgebildet sind; und
eine in F i g. 6 gezeigte Struktur, bei der ein Schutzfilm 5 ferner auf dem plasmapolymerisierten Film 3 bei der
Struktur nach F i g. 5 auf ähnliche Art und Weise wie in F i g. 4 angegeben, ausgebildet isL
Der Schutzfilm 5 in den F i g. 4 und 6 ist ausgebildet,
um die Sublimation des plasmapolymerisierten Films zu verhindern und besteht aus einem Material, wie
Polyvinylalkohol. Polymethylacrylat, Polyäthylenterephthalat,
Polyparaxylylen und SiO2. Der lichtrefiektierende
Film 7 besteht aus einem Material, wie Al, Ag. Der lichtdurchlässige Film 9 bildet eine regelbare
Schicht, mit der das reflektierende Licht durch Erreichen einer Interferenz zwischen dem Licht vermindert
wird, das von dem plasmapolymerisierten Film reflektiert wird, und dem Licht, das von dem Licht reflektierenden
Film 7 reflektiert wird, wobei diese beiden aufgehoben werden können. Die Stärke dieses Films ist so
gewählt, daß sie sich auf mXIAn beläuft, wobei mit λ die
Laserstrahlenwellenlänge, mit m eine ganze Zahl und mit «der Brechungsindex des Films bezeichnet ist. Der
lichtdurchlässige Film 9 kann einen SiO2 -, Cs2-plasmapolymerisierten
Film, einen styrol-plasmapolymerisierten Film, Calgonidglas, wie As2Sj usw. aufweisen.
Ein Laserstrahl-Aufzeichnungsträger nach der Erfindung
ist in mehrererlei Hinsicht vorteilhaft:
1 Die optischen Konstanten, wie der Absorptionskoeffizient, lassen sich leicht regulieren. Somit läßt sich
leicht eine Struktur, wie eine reflektionsmindernde Struktur, schaffen, mit der man eine größere
Absorptionsleistung für einen Laserstrahl erreicht. Ein hoher Absorptionskoeffizient läßt sich in der
Nähe des Infrarotbereiches verwirklichen, der äquivalent mit der Emissionswellenlänge eines Halbleiterlasers
ist.
2 Es läßt sich eine hohe Empfindlichkeit erreichen, da die für eine optische Änderung kennzeichnende
Temperatur, wie die Sublimationstemperatur oder die Kristallisationstemperatur, niedrig ist.
3 Die Wärmeleitfähigkeit ist im Vergleich zu einem dünnen Metallfilm gering.
4 Es läßt sich eine hohe Auflösung erreichen, da Metalle in Form von kleinen Teilchen mit einerTeilchengröße
von 10 nm oder kleiner eingeschlossen sind und da der plasmapolymerisierte Film amorph
und optisch homogen ist.
5 Der plasmapolymerisierte Film ist glatt und eben sowie mechanisch widerstandsfähig und hat ein
gutes Haftvermögen an einem Substrat.
6 Eine Änderung der optischen Dichte und des Brechungsindexes ist groß, wenn der Film mit einem
Laserstrahl bestrahlt wird. Auch ist das Kontrastverhältnis hoch.
Nachstehend wird ein Beispiel für die Aufzeichnungsmethode beschrieben. Die Beschichtung des Aufzeichnungsträgers
wird auf einem scheibenförmigen Substrat abgelagert. Ein Laserstrahl, der mit einer aufzuzeichnenden
Information moduliert wird, ist auf einer Sektorenscheibe zur Erstellung einer Aufzeichnung
fokusiert. Die Scheibengeschwindigkeit beträgt 1800 Upm und der fokussierte Strahlfleck hat einen
Durchmesser von etwa 1 μπι. Die aufgezeichnete Information
wird dadurch wieder aufgefunden, daß man die Scheibe mit einem etwas weniger intensiven Strahl ausleuchtet
und dann das von der Scheibe zurückreflektierende Licht erfaßt. Ein Aufzeichnungsträger beispeilsweise,
der eine reflektionsmindernde Struktur mit einem AI-abgelagerten Film, einen CSrpIasmapolymerisierten
Film und einen CSrPlasmapolymerisierten Film, der Te enthält, hat, die auf einem Glassubstrat
ausgebildet sind, kann eine Aufzeichnungsempfindlichkeit haben, die eine Realzeitaufzeichnung mit
einem Halbleiterlaserstrahl mit einer Abgabeleistung von 20 mW und einer Emissionswellenlänge von 830
nm ermöglicht
Anstelle eines Laserstrahls kann eine Aufzeichnung auch durch Sublimation eines Teils der Einrichtung
mittels Erwärmung durch einen Energiestrahler, wie ein Blitzlichtstrahl, ein Elektronenstrahl oder durch
Kontakt mit einer Heizeinrichtung, erfolgen. Deshalb ist der Laserstrahl-Aufzeichnungsträger nach der Erfindung
nicht nur zur Aufzeichnung unter Verwendung eines Laserstrahls geeignet, sondern unter einem Laserstrahl
ist nur ein Anwendungsbeispiel eines Energie-Strahlers zu verstehen. Der Aufzeichnungsträger nach
der Erfindung ist somit wenigstens für einen Laserstrahl als Aufzeichnungsmittel geeignet.
Die Erfindung wird nachstehend an Beispielen näher
erläutert.
Eine elektrische Entladung wird dadurch bewirkt, daß eine Hochfrequenzspannung von 13,56 MHz an eine
Elektrode in einer Kammer angelegt wird, in die Kohlenstoffdisulfidgas (CS2) auf einen Druck von 1 x 10~2
Torr eingeleitet wurde. Unter Verwendung einer Glasplatte als ein Substrat erfolgte die Entladung mit einer
Strömungsgeschwindigkeit für den CS2-Gasstrom mit ;o
100 cnWmin, einer Entladeleistung von IUU Watt und
einer Substrattemperatur von 50° C. Die Behandlung dauerte 30 Minuten lang und es wurde eine dünne
Schicht auf dem Susbtrat gebildet, die eine Stärke von etwa 1 μΐη hat. Die Elementenanalyse ergab, daß die
Schicht aus CSj bestand. Eine unter denselben Polymerisationsbedingungen
auf einer KBr-Platte gebildete Schicht hat Infrarotabsorptionsspektren, die auf die
C = S-, C-S- und S-S-Bindung zurückzuführen sind, und beliefen sich jeweils auf 1065 cm-', 810 cnr1 und 460
cm"1. Diese Schicht sublimierte bei einer Temperatur
von 185° C mit einer 10%igen Gewichtsabnahme und ihr Absorptionskoeffizient belief sich auf 104 cm1 bei
einer Wellenlänge von 750 nm.
Unter Verwendung eines He-Ne-Lasers mit einer Wellenlänge von 633 nm und einer Abgabeleistung von
15 mW wurde diese Schicht zur Bestimmung der Aufzeichnungsempfindüchkeit
und Variation der Dauer der Laserbestrahiung vermessen. Die Aufzeichnung
erfolgte, indem die bestrahlten Abschnitte erwärmt und j()
verdampft wurden und der Aufzeichnungsenergieschwellenwert belief sich auf 50 mJ/cm2. Dieser Wert
zeigt eine höhere Empfindlichkeit als der Aufzeichnungsenergieschwellenwert von 200 mJ/cmJ. den man
bei Messungen unter den selben Bedingungen bei einer vakuumaufgedampften Te-Schicht erhält, die auf einer
Glasplatte gebildet wird.
Eine elektrische Entladung erfolgte unter denselben *>
Bedingungen wie beim Beispiel 1. Te wurde mit einer Ablagerungsgeschwindigkeit von 0,15 nm/Sek. abgelagert
und ein dünner, etwa 20 Vol.-% Te enthaltender Film wurde gebildet.
Der Te enthaltende CS2-polymerisierte Film zeigte bei der Differentialthermoanalyse einen exothermischen
Spitzenwert bei etwa 80° C, der auf die Kristallisation des amorphen Te zurückzuführen ist, und der
Absorptionskoeffizient und der Brechungsindex nehmen beide beträchtlich um diesen Temperaturbereich
zu. Der Brechungsindex belief sich auf 2,9, wenn der Film bei einer Temperatur von 100°C lOMinutenlang
erwärmt wurde. Dies ist ein beträchtlicher Unterschied zu dem Brechungsindex von 2,3 eines unerwärmten
polymerisierten Films.
Durch Variation der Ablagerungsgeschwindigkeit
von Te erhält man Filme, die 10 Vol.-%, 30 Vol.-% und 60
VoI.-%Te enthielten. Die Absorptionskoeffizienten dieser
polymerisierten Filme als Funktion 6er Wellenlänge und der Änderungen nach der Erwärmung bei einer
Temperatur von 100° C während 10 Minuten wurden gemessen. Die Ergebnisse sind in F i g. 7 gezeigt. In dieser
Figur ist mit ja« ein Kurvenzug für den Fall eines Films bezeichnet, der kein Te enthält. Der Kurvenzug
»b« ergibt sich bei einem Film, der 10 Vol.-% Te enthält, der Kurvenzug »c« bei einem Film, der 30 Vol.-% Te enthält,
der Kurvenzug »d« bei einem Film, der 60 Vol.-% Te enthält, und die Kurvenzüge »a'«, »b'«, »c'« und
»d'« beziehen sich auf die Kennwerte der jeweiligen Filme nach der Erwärmung bei einer Temperatur von
100° C während 10 Minuten.
Te war als feine Partikelchen dispergiert, die optisch homogen waren und sich mit Hilfe eines optischen
Mikroskops nahezu kaum feststellen ließen. Die Oberfläche des erhaltenen dünnen Films war extrem glatt,
wenn man sie mit Hilfe eines Abtastelektronenmikroskops betrachtete.
Der Te enthaltende. CSj-plasmapolymerisierte Film
wies bei Erwärmung durch eine Bestrahlung mittels eines Laserstrahls Änderungen hinsichtlich des
Absorptionskoeffizienten und des Brechungsindex und auch eine Neigung zur Sublimation auf. Polyvinylalkohol
wurde in einer Schicht mit einer Stärke von 10 pm auf den polymerisierten Film aufgetragen, um eine
die Sublimation verhindernde Struktur zu haben und die Laserstrahlaufzeichnungsempfindlichkeit, bestimmt
durch Änderungen hinsichtlich des Absorptionskoeffizienten und des Brechungsindexes infolge
der Kristallisation, wurde gemessen. Als ein Laserstrahl wurde ein GaAs-Diodenlaserstrahl mit einer Ausgabeleistung
von 15 mW und einer Wellenlänge von 830 nm verwendet. Die Messungen wurden bei sich ändernder
Impulsdauer eines Laserstrahls vorgenommen und man erhielt einen Aufzeichnungsschwellenwert von 15 mJ/
cm2.
Bc i s n i cI 3
Um die Laserstrahlaufzeichnungsempfindlichkeit von CSi-plasmapolymerisiertem Film, der nach Beispiel
2 Te enthält, zu verbessern, wurden die Aufzeichnungskennwerte erfaßt, die sich bei einer retlektionsmindernden
Struktur nach F i g. 3 ergeben. Bei dieser Struktur wurden ein Al-abgelagerter Film (1 μπι stark),
ein CSrplasmapolymerisierter Film (0,3 μΐη stark) und
ein CSrplasmapolymerisierter Film mit 15 Vol.-% Te (20 nm stark) in der vorgegebenen Reihenfolge gebildet,
so daß das von dem CSrplasmapolymerisierten und Te enthaltenden Film reflektierte Licht und das von dem
Al-Film reflektierte Licht interferrierten und aufgehoben wurden. Der Te enthaltene CSj-polymerisierte
Film wurde bei einer Temperatur von 1000C zur Erreichung
einer Kristallisierung wärmebehandelt und die Laserstrahlaufzeichnungskennwerte unter Sublimation
wurden gemessen. Die Messungen wurden unter denselben Bedingungen wie beim Beispiel 2 vorgenommen
und man erhielt einen Aufzeichnungsenergieschwellenwert von 10 mJ/cm2.
Eine elektrische Entladung wurde unter denselben Bedingungen wie beim Beispiel 1 erzeugt und Bi wurde
mit einer Ablagerungsgeschwindigkeit von 0,2 nm/min abgelagert, so daß sich ein dünner Film auf einem Substrat
bildet, der 30 Vol.-% Bi enthält. Der Absorptionskoeffizient dieses Films belief sich bei der Messung
auf 5 x 104 cm"1 bei einer Wellenlänge von 800 μΐη
800 .im). Bei der Differentialthermoanalyse ergab sich
ein exothermischer Spitzenwert bei 200° C.
Die Laserstrahlaufzeichnungskennwerte dieses Films unter Sublimation wurden unter denselben Bedingungen
wie beim Beispiel 2 gemessen. Man erhielt einen Aufzeichnungsenergieschwellenwert von 70 mJ/cm2.
Eine elektrische Entladung wurde unter denselben Bedingungen wie beim Beispiel 1 bewirkt und Ag
wurde mit einer Ablagerungsgeschwindigkeit von 0,1 nm/min abgelagert, so daß sich auf einem Substrat ein
dünner Film bildet, der 50 Vol.-% Ag enthält. Die Kennwerte des so erhaltenen Aufzeichnungsträgers wurden
gemesseri. Dsr Absorptionskoeffizient belief sich auf ü
etwa 6 x 104 crrr1 bei einer Wellenlänge von 800 nm
und die Sublimationstemperatur (Temperatur bei einer lO°/oigen Gewichtsabnahme) auf 250° C.
Die Laserstrahlaufzeichnungskennwerte dieses Films unter Sublimation wurden unter denselben Bedingun- -1R
gen wie bWm Beispiel 2 gemessen. Es prgab sich ein
Aufzeichnungsenergieschwellenwert von 200 mJ/cm2.
Eine elektrische Entladung wurde unter denselben ^ Bedingungen wie bei Beispiel 1 bewirkt und In wurde
mit einer Ablagerungsgeschwindigkeit von 0,2 nm/min abgelagert, so daß sich auf einem Substrat ein dünner
Film bildet, der 30 Vol.-°/o In enthält. Die Kennwerte des so erhaltenen Aufzeichnungsträgers wurden gemes- >o
sen. Der Absorptionskoeffizieni belief sich auf etwa
5 x 10-1Cm-1 bei einer Wellenlänge von 800 nm und die
Sublimationstemperatur (Temperatur für eine 10%ige Gewichtsabnahme) belief sich auf 200° C.
Die Laserstrahlaufzeichnungskennwerte dieses Films
unter Sublimation wurden unter denselben Bedingungen wie bei Beispiel 2 gemessen. Es ergab sich ein Aufzeichnungsenergieschweiienwert
von 80 mj/cm:.
B e i s ρ i e 1 7 4f)
Eine elektrische Entladung wurde unter denselben Bedingungen wie bei Beispiel 1 bewirkt und PbTe mit
einer Ablagerungsgeschwindigkeit von 2Ä/min abgelagert, so daß sich auf einem Substrat ein dünner Film bildet,
der 30 Vol.-% Pb und Te enthält. Der Absorptions- ·<5 koeffizient des so erhaltenen Aufzeichnungsträgers
wurde gemessen und belief sich auf etwa 7 x 104 cm-'
bei einer Wellenlänge von 800 nm. Bei derDifferentiaithermoanalyse
ergab sich ein exothermischer Spitzenwert bei 1000C. Der Absorptionskoeffizient nimmt mit
der Erwärmung zu, wie dies in F i g. 7 gezeigt ist.
Ein Styrolmonomergas wurde in eine Kammer mit einem Druck in der Größenordnung von 5 x ΙΟ"2 Torr
eingeleitet. Eine Hochfrequenzspannung von 13,56 MHz wurde an Elektroden angelegt und Te wurde auf
einer Wolframplatte abgelagert. Ein Glassubstrat wurde verwendet. Eine elektrische Entladung wurde 70 Minuten
lang bei einer Strömungsgeschwindigkeit des Styrolmonomergases
von 20 ctnVmin durchgeführt. Die elektrische Entladungsleistung belief sich auf 120 Watt
und es ergab sich eine Te-Ablagerungsgeschwindigkeit von etwa 0,2 nm/sek. Ein styroi-plasmapolymerisierter
Film bildete sich auf dem Substrat mit einer Stärke von etwa 1 μΐΉ, der 25 Voi.-% Te enthält.
Bei den Infrarotabsorptionsspektren dieses Films wurde eine auf -C-H und -C=CR zurückzuführende
Absorption bei 3290, 2200 und 2100 cm'1 festgestellt
und die auf-CHb zurückgehende Absorption belief sich
auf 2950, 2880 und 1370 cm"1.
Bei der differenziellen Abtastwärmemessung des Te enthaltenden styrol-polymerisierten Films ergab sich
ein exothermischer Spitzenwert bei eine" Temperatur von 80 bis 120° C und der Absorptionskoeffizient und
der Brechungsindex stiegen beträchtlich um diesen Temperaturbereich an.
Die Absorptionskoeffizienten verschiedener Te enthaltender
plasmapolymerisierter Filme, die man dadurch erhält, daß man die Ablagerungsgeschwindigkeit
von Te variiert und ihre Änderungen bei Erwärmung (120° C 1.0 Minuten lang) sind in F i g. 8 gezeigt.
Der jeweilige exothermische Spitzenwert derTemperatur ist in Tabelle 1 gezeigt. Den Kurvenzug »a« in F i g. 8
erhält man bei einem Film, der kein Te enthält, den Kurvenzug »b<· bei einem Film, der 25 Vol.-% Te enthält,
den Kurvenzug »c« bei einem Film, der 40 Vol.-% Te enthält, den Kurvenzug »d« bei einem Film, der 60
Vol-% Te enthält. Die Kurvenzüge »a'«, »b'«, »c'« und
>>d'« beziehen sich auf die jeweiligen Filme nach der Erwärmung.
Exothermische Spitzentemperatur der Te enthaltenden styrol-polymensierten Filme
Substrat | Entlade | Te-Gehalt | Spitzen |
temperatur | leistung | temperatur | |
(W) | (Vol.-%) | CC) | |
Raum | 120 | 25 | 116 |
temperatur | |||
Raum | 200 | 25 | 118 |
temperatur | |||
Raum | 120 | 40 | 98 |
temperatur | |||
Raum | 200 | 60 | 85 |
temperatur | |||
Raum | 200 | 70 | 76 |
temperatur | |||
80°C | 200 | 70 | 101 |
55
60
65 Bei einem 25 Vol.-% Te enthaltenden styrol-plasmapolymerisierten
Film belief sich der Brechungsindex auf 2,6, wenn der Film nicht erwärmt worden ist, und auf
3,2, wenn der Film erwärmt wurde.
Die Oberfläche des polymerisierten Films wurde mittels
eines Abtastelektronenmikroskops untersucht und es ergab sich eine extrem glatte Oberfläche vor und
nach der Erwärmung. Die Röntgenstrahlbeugung ergab kein Beugungsbild für Te bei einem unerwärmten polymerisierten
Film und ein Beugungsbild für Te bei einem erwärmten polymerisierten Film.
Ein 25 Vol.-% Te enthaltender styrol-polymerisierter
Film wurde mit einer Stärke von 1 μΐη auf einer Glasplatte
ausgebildet. Unter denselben Bedingungen wie in Beispiel 1 wurde die Laserstrahlaufzeichnungsempfindlichkeit
basierend auf der Kristallisation gemessen. Es ergab sich ein Aufzeichnungsenergieschwellenwert
von 70 mJ/cm2.
Zur Verbesserung der Laseraufzeichnungsempfindlichkeit des Te enthaltenden styrol-plasmapoly-
10
merisierten Films nach Beispiel 8 wurden die Aufzeichnungskennwerte
untersucht, die sich bei einer reflektionsmindernden
Struktur nach F i g. 3 ergeben. Ein Alabgelagerter
Film (1 um stark) und ein styrol-polymerisierter Film, der 50 Vol.-% Te enthält (20 nm stark) wurden
in der zuvor angegebenen Reihenfolge auf einer Glasplatte gebildet. Die Laserstrahlempfindlichkeit
wurde unter denselben Bedingungen wie bei Beispiel 1 gemessen. Es ergab sich hierbei ein Aufzeichnungsenergieschwellenwert
von 20 mJ/cm2.
Eine elektrische Entladung wurde 30 Minuten lang unter Verwendung von Acrylnitril als ein organisches
ivfonomeres bei einer Te-Ablagerungsgeschwindigkeit von 0,1 nm/sek. unter denselben Bedingungen wie bei
Beispiel 8 hewirkt. Ein 20 Vol.-%Te enthaltender acrylnitrilpolymerisierter
Film mit einer Stärke von 1 μΐη wurde gebildet. Die Infrarotabsorptionsspektren dieses
polymerisierten Films ergaben eine Absorption basierend auf-C=N bei 2250 cm-', eine Absorption basierend
auf-C=NH bei 3500 cm-' und eine Absorption basierend auf-C=N- bei 1500 cm"1.
Dieser Film hatte einen Absorptionskoeffizienten von5x 104cm-' beieinerWellenlängevon800nm.Die
Differentialthermoanalyse ergab einen exothermischen Spitzenwert bei 1500C und der Absorptionskoeffizient
wurde bei Erwärmung größer.
Beispiel 11 Μ
Eine elektrische Entladung wurde unter Verwendung eines Hexamethyldisiloxans als ein organisches Monomeres
unter denselben Bedingungen wie in Beispiel 8 erzeugt. Nach einer 15 Minuten langen elektrischen
Entladung wurde ein polymerisierter Film mit einer Stärke von 1 um gebildet, der 20 VoI.-%Te enthält
Die Infrarotabsorptionsspektren dieses Films ergaben eine Absorption, basierend auf C-H bei 2980
cnr1, eine Absorption basierend auf Si-CH3 bei 1250
cnr1 und eine Absorption, basierend auf Si-O- bei
1050 cm~'. Dieser polymerisierte Film hat einen Absorptionskoeffizienten von 3 x 104 cm-' bei einer
Wellenlänge von 800 nm. Die Differentialthermoanalyse ergab einen exothermischen Spitzenwert bei
180° C und der Absorptionskoeffizient wurde bei Erwärmung größer.
Eine elektrische Entladung wurde unter Verwendung von Norbornadien als ein organisches Monomeres
unter denselben Bedingungen wie bei Beispiel 9 erzeugt. Nach einer elektrischen Entladung während 15
Minuten ergab sich ein polymerisierter Film mit einer Stärke von 1 μπι, der 20 Vol.-% Te enthält.
Die Infrarotabsorptionsspektren dieses polymerisierten Films ergaben eine Absorption basierend auf C=C
bei 1690 cm"' und 980 cnr', und eine Absorption basierend
auf C-H bei 2980 cm-'. Der polymerisierte Film hatte einen AbsorptionskoefTizienten von 4 x 104 cnr1
bei einer Wellenlänge von 800 nm und einen exothermischen Spitzenwert bei 1500C. Der Absorptionskoeffizient
wurde bei Erwärmung größer.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (7)
1. Laserstrahl-Aufzeichnungsträger aus einem Substrat und einem darauf gebildeten plasmopolymerisierten
Film, der Metall enthält, dadurch gekennzeichnet, daß als Metall wenigstens
eines der aus Te, Bi, Ag, In oder Legierungen dieser Metalle bestehenden Gruppen in dem plasmapolymerisierten
Film in einer Menge von lCbis90Vol.-% vorhanden ist, daß der plasmapolymerisierte Film
aus wenigstens einem Monomeren aus der aus KohlenstofTdisulfid,
Styrol, Acrylnitril, Hexamethyldisiloxan undNorbornadien bestehenden Gruppe aufgebaut
ist, und daß die Metalle oder deren Legierun- is gen als feine Teilchen mit einer Korngröße
< 50 nm innerhalb des plasmapolymerisierten Films abgelagert sind.
2. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat aus Glas oder
einem Acrylharz besteht.
3. Aufzeichnungsträger nach Anspruch ! oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat an seiner Oberfläche einen Licht reflektierenden Film, eine
lichtdurchlässige Schicht, mit der verursacht wird, daß die Reflexion bei der Aufzeichnungswellenlänge
weitgehend minimal wird, und einen plasmapolymerisierten Film hat, der ein Metall enthält, und der
auf der Oberfläche der lichtdurchlässigen Schicht ausgebildet ist. in
4. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß ein Schutzfilm den plasmapolymerisierten
Film überdeckt.
5. Aufzeichnungsträger nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der y,
Schutzfilm als Überzug über dem plasmapolymerisierten Film vorgesehen ist.
O.Verfahren zur Herstellung eines Laserstrahl-Aufzeichnungsträgers
durch Erzeugung einer elektrischen Entladung in einer ein organisches Monomeres
enthaltenden Atmosphäre und Bildung eines organischen, plasmapolymerisierten Films auf
einem vorbestimmten Substrat, dadurch gekennzeichnet, daß als organisches Monomeres Kohlenstoffdisulfid,
Styrol, Acrylnitril, Hexamethyldisiloxan oder Norbornadien verwendet werden, daß die
elektrische Entladung während der Verdampfung wenigstens eines der Metalle Te, Bi, Ag, In oder
Legierungen dieser Metalle bei einem verminderten Druck von 10~jbis lOTorr. erzeugt wird,unddaßdie
Metalle oder deren Legierungen als feine Teilchen mit einer Korngröße kleiner als 50 nm innerhalb des
plasmapolymerisierten Films abgelagert werden.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Atmosphäre zusätzlich ein Inertgas
enthält.
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3902262A1 (de) * | 1988-01-30 | 1989-08-10 | Toshiba Kawasaki Kk | Optischer datentraeger |
DE3902954A1 (de) * | 1988-02-01 | 1989-08-10 | Toshiba Kawasaki Kk | Informationsspeichermedium und verfahren zu seiner herstellung |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4477555A (en) * | 1981-08-01 | 1984-10-16 | Ricoh Co., Ltd. | Optical information recording medium |
JPS5835741A (ja) * | 1981-08-21 | 1983-03-02 | Hitachi Ltd | プラスチツク情報記録媒体 |
US4465767A (en) * | 1981-11-27 | 1984-08-14 | Ricoh Company, Ltd. | Optical information recording medium |
DE3321906A1 (de) * | 1982-06-18 | 1983-12-22 | TDK Corporation, Tokyo | Magnetisches pulver mit verbesserter dispergierbarkeit |
JPS58223437A (ja) * | 1982-06-18 | 1983-12-26 | Tdk Corp | 分散性を改良した無機粉末 |
EP0107913B1 (de) * | 1982-09-29 | 1988-06-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Strahlungsempfindlicher Trägerkörper zur Verwendung als Prägestruktur |
JPS59104996A (ja) * | 1982-12-08 | 1984-06-18 | Canon Inc | 光記録方法 |
JPS59113534A (ja) * | 1982-12-20 | 1984-06-30 | Canon Inc | 光学記録媒体 |
CN1008845B (zh) * | 1984-12-05 | 1990-07-18 | 富士通株式会社 | 光学信息记录介质及信息的记录与擦抹的方法 |
US4578684A (en) * | 1985-02-28 | 1986-03-25 | Eastman Kodak Company | Optical recording and information elements |
JPH0695388B2 (ja) * | 1985-06-14 | 1994-11-24 | 株式会社東芝 | 情報記録媒体 |
JPH01249490A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-04 | Toshiba Corp | 情報記録媒体 |
EP0371428A3 (de) * | 1988-11-29 | 1991-10-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Medium für Informationsspeicherung |
JPH02171286A (ja) * | 1988-12-26 | 1990-07-02 | Toshiba Corp | 情報記録媒体 |
EP0405450A3 (en) * | 1989-06-30 | 1991-08-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Data recording medium and method of manufacturing the same |
WO2001055489A2 (de) * | 2000-01-27 | 2001-08-02 | Incoat Gmbh | Schutz- und/oder diffusionssperrschicht |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3297465A (en) * | 1963-12-31 | 1967-01-10 | Ibm | Method for producing organic plasma and for depositing polymer films |
US3723121A (en) * | 1970-11-03 | 1973-03-27 | Du Pont | Process for recording images with laser beams |
FR2209159A1 (en) * | 1972-09-25 | 1974-06-28 | Western Electric Co | Data processing bismuth plastics tape - precipitating plastics film within plasma discharge |
DE2439848C2 (de) * | 1973-08-20 | 1985-05-15 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Verfahren zum Aufzeichnen mittels eines Laserstrahls |
DE2358859C3 (de) * | 1973-11-26 | 1981-08-06 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Aufzeichungsträger zum optischen Aufzeichnen von Informationen mittels sequentieller Signale |
JPS5932319B2 (ja) * | 1974-03-22 | 1984-08-08 | 富士写真フイルム株式会社 | 記録材料 |
US4069487A (en) * | 1974-12-26 | 1978-01-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Recording member and process for recording |
US4188214A (en) * | 1975-08-11 | 1980-02-12 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Recording material |
GB2005155A (en) * | 1977-09-28 | 1979-04-19 | Rca Corp | Improved optical recording medium |
DE2744533A1 (de) * | 1977-10-04 | 1979-04-12 | Polygram Gmbh | Plattenfoermiger traeger zur optischen aufzeichnung und wiedergabe von signalen |
US4241156A (en) * | 1977-10-26 | 1980-12-23 | Xerox Corporation | Imaging system of discontinuous layer of migration material |
US4226896A (en) * | 1977-12-23 | 1980-10-07 | International Business Machines Corporation | Plasma method for forming a metal containing polymer |
JPS5538655A (en) * | 1978-09-08 | 1980-03-18 | Sumitomo Chem Co Ltd | Optical signal recording and reproducing member |
US4269917A (en) * | 1979-07-06 | 1981-05-26 | Drexler Technology Corporation | Data storage medium having reflective particulate silver layer |
-
1980
- 1980-07-30 US US06/173,733 patent/US4373004A/en not_active Expired - Lifetime
- 1980-08-11 NL NL8004541A patent/NL191766C/xx not_active IP Right Cessation
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- 1980-08-13 GB GB8026326A patent/GB2059088B/en not_active Expired
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3902262A1 (de) * | 1988-01-30 | 1989-08-10 | Toshiba Kawasaki Kk | Optischer datentraeger |
DE3902954A1 (de) * | 1988-02-01 | 1989-08-10 | Toshiba Kawasaki Kk | Informationsspeichermedium und verfahren zu seiner herstellung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3030434A1 (de) | 1981-03-26 |
GB2059088B (en) | 1984-01-11 |
FR2463479A1 (fr) | 1981-02-20 |
GB2059088A (en) | 1981-04-15 |
NL191766C (nl) | 1996-07-02 |
NL191766B (nl) | 1996-03-01 |
NL8004541A (nl) | 1981-02-17 |
US4373004A (en) | 1983-02-08 |
FR2463479B1 (de) | 1984-11-09 |
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