DE3030434C2

DE3030434C2 - Laserstrahlaufzeichnungsträger und Verfahren zu dessen Herstellung

Info

Publication number: DE3030434C2
Application number: DE3030434A
Authority: DE
Inventors: Yoshihiro Asano; Akira Morinaka; Kei Mito Ibaraki Murase
Original assignee: Nippon Telegraph & Telephone Public Corp Tokyo; Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date: 1979-08-14
Filing date: 1980-08-12
Publication date: 1984-03-22
Also published as: GB2059088A; US4373004A; FR2463479A1; NL8004541A; DE3030434A1; GB2059088B; FR2463479B1; NL191766C; NL191766B

Description

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Die Erfindung betrifft einen Laserstrahl-Aufzeichnungsträger, gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1, der zur Laserstrahlaufzeichnung mittels eines thermischen Vorgangs geeignet ist, und ein Verfahren zur Herstellung desselben.

Eine thermische Laseraufzeichnung ist in mehrererlei Hinsicht zweckmäßig, da beispielsweise eine Realzeitaufzeichnung und ein momentanes Auslesen (ein sofortiger Zugriff) ohne Verarbeitung möglich sind, da zusätzliche oder ergänzende Aufzeichnungen von zusätzlichen Informationen und eine Archivspeicherung möglich sind, und da die Handhabung aufgrund der Tatsache einfach ist, daß der Aufzeichnungsträger in Raumlicht gehandhabt werden kann.

Für eine solche Art eines Laserstrahl-Aufzeichnungsträgers ist es bekannt, einen dünnen Metallfilm aus Rh, B i, Te oder dergleichen, einen dünnen Chalkogen-Glasfilm, bestehend aus Se, Te oder dergleichen, ouer einen dünnen Pigmentfilm aus Fluoreszin oder dergleichen zu verwenden. Optische Speichereinrichtungen und Aufzeichnungsträger sind in der Literaturstelle von R.A. Bartolini, A.E. Bell, R.E. Flory, M. Lurie und F.W. Spong mit der Bezeichnung »optical disk systems emerge«, IEEE spectrum, Vol. 15,Nr. 8, Seiten 20 bis 28 (1978) angegeben. Jedoch ist bei diesen Arten von Aufzeichnungsträgern die Belichtungsempfindlichkeit schwach. Deshalb sind zusätzliche Hilfseinrichtungen, wie Hochleistungs-Aufzeichnungslaser, ein Modulator, ein Deflektor usw. erforderlich, um eine Realzeitaufzeichn.ung zu erreichen. Deshalb wird eine solche Aufzeichnungseinrichtung sperrig und teuer. Zu dem vorstehend beschriebenen Stand der Technik gehört auch das Aufzeichnungsmaterial, das in derDE-OS 24 39 848 beschrieben ist. Dieses nützt die durch einen Laserstrahl hervorgerufene thermische Schmelzverformung und/oder Ausdampfung aus; der laserbestrahlte Teil der Aufzeichnungsschicht absorbiert die Strahlungsenergie und wird durch Verdampfung entfernt, wodurch die Informationsaufzeichnung auf der Basis der realen Zeit bewirkt wird. Die Aufzeichnungsschicht des Aufzeichnungsmaterials ist nichtmetallisch und besteht entweder aus einem Chalkogenelement, wie Schwefel, Selen oder Telur oder aus einem Chalkogenit. Aus der DE-OS 21 53 775 ist weiterhin ein Aufzeichnungsverfahren bekannt, bei dem ein aus einem Schichtträger mit aufgebrachter Schicht bestehendes Aufzeichnungsmaterial mit einer Laserstrahlung belichtet wird. Die lichtempfindliche Schicht enthält *ine thermochrome Verbindung, und zwar einen lichtempfindlichen kristallinen Alkylester einer Diacetylenverbindung mit endständigen Dicarbonsäureresten, wobei diese Verbindung 16 bis 26 Kohlenstoffatome hat und die Alkylgruppe Methyl oder Äthyl ist. Die Aufzeichnung kommt so zustande, daß das thermochrome Material im unbelichteten Zustand das Laserlicht absorbiert, im belichteten Zustand dagegen durchläßt. Das thermochrome Material enthält keinerlei Metall.

Auch ist bereits vorgeschlagen worden, einen Halbleiter-Laser als eine Lichtquelle für eine optische Speichereinrichtung zu verwenden, so daß dieselbe kompakt ausgelegt und mit geringeren Kosten verbunden ist. Da jedoch die Leistung eines Halbleiterlasers in der Größenordnung von 15 bis 20 mW liegt und sich die Emissionswellenlänge auf etwa 800 nm beläuft, ist die Belichtungsempfindlichkeit gering und eine Realzeitaufzeichnung ist mit den zuvor angegebenen üblichen Aufzeichnungsträgern schwierig. Deshalb ist es erwünscht, einen hochemfpindlichen Aufzeichnungsträger zu entwickeln, der eine Aufzeichnung unter Verwendung eines Halbleiterlaser ermöglicht.

Aufgabe der Erfindung ist daher die Schaffung eines Laserstrahl-Aufzeichnungsträgers, der hohe Empfindlichkeit, insbesondere auch im Infrarotbereich, verbunden mit einer hohen Auflösung aufweist, sowie ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Aufzeichnungsträgers.

Gegenstand der Erfindung ist daher ein Laserstrahl-Aufzeichnungsträger aus einem Substrat und einem darauf gebildeten plasmapolymerisierten Film, der Metall enthält, dadurch gekennzeichnet, daß als Metall wenigstens eines der aus Te, Bi, Ag, In oder Legierun- > gen dieser Metalle bestehenden Gruppe in dem plasmapolymerisierten Film in einer Menge von 10 bis 90 Vol.-% vorhanden ist, daß der plasmapolymerisierte Film aus wenigstens einem Monomeren aus der aus Kohlenstoffdisuifid, Styrol, Acrylnitril, Hexamethy|di- m siloxan und Norbornadien bestehenden Gruppe aufgebaut ist, und daß die Metalle oder deren Legierungen a!s feine Teilchen mit einer Korngröße < 50 nm innerhalb des plasmapolymerinerten Films abgelagert sind.

B evorzugte Substrate für den darauf abgeschiedenen plasmapolymerisierten Film, bestehend aus Glas oder einem Acrylharz.

Auf dtm Substrat weist der Aufzeichnungsträger zweckmäßig einen das Licht reflektierenden Film und darüber eine lichtdurchlässige Schicht auf, die bewirken 2« soll, daß die Reflektion bei der Aufzeichnungswellenlänge so gering wie möglich ist. Der ein Metp.U enthaltende plasmapolymerisierte Film ist dann auf der Oberfläche der lichtdurchlässigen Schicht angeordnet.

Zweckmäßig ist nach einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der plasmapolymerisierte Film von einem Schutzfilm überdeckt, wobei besonders bevorzugt dieser Schutzfilm als Überzug über den plasmapolymerisierten Film vorgesehen ist.

Gegenstand der Erfindung ist ferner ein Verfahren zur Herstellung eines Laserstrahl-Aufzeichnungsträgers durch Erzeugung einer elektrischen Entladung in einer ein organisches Monomeres enthaltenden Atmosphäre und Bildung eines organischen, plasmapolymerisierten Films auf einem vorbestimmten Substrat, dadurch gekennzeichnet, daß als organisches Monomeres Kohlenstoffdisuifid, Styrol, Acrylnitril, Hexamethyldisiloxan oder Norbornadien verwendet werden, daß die elektrische Entladung während der Verdampfung wenigstens eines der Metalle Te, Bi, Ag, In oder Legierungen dieser Metalle bei einem verminderten Druck von \0~³ bis 10 Torr, erzeugt wird, und daß die Metalle oder deren Legierungen als feine Teilchen mit einer Korngröße < 50 nm innerhalb des plasmapolymerisierten Films abgelagert werden.

Bevorzugt enthält die das organische Monomere enthaltende Atmosphäre zusätzlich noch ein Inertgas.

Die Erfindung wird nachstehend an Beispielen und unter Bezugnahme auf die beigefügte Zeichnung näher erläutert. Darin zeigt:

F i g. 1 und 2 schematische Ansichten einer Vorrichtung zur Herstellung eines Laserstrahl-Aufzeichnungsträgers nach der Erfindung,

F i g. 3 bis 6 Schnittansichten verschiedener Ausführungsformen eine·. Laserstrahi-Aufzeichnungsträgers nach der Erfindung,

F i g. 7 ein Diagramm zur Verdeutlichung des Zusammenhangs von Absorptionskoeffizienten und Wellenlänge eines CS₂-pIasmapolymerisierten Films, der Te enthält, und zwar vor und nach der Erwärmung, und t>o

F i g. 8 ein Diagramm zur Verdeutlichung des Zusammenhangs von Absorptionskoeffizient und Wellenlänge ei.ies styrol-plasmapolymerisierten Films, der Te enthält, und zwar vor und nach der Erwärmung.

Ein Laserstrahl-Aufzeichnungsträger nach der Erfindung ist fähig. Informationen durch Bestrahlung mit einem Laserstrahl aufzuzeichnen, der mit aufgezeichneten Informationen moduliert wird, wobei der bestrahlte Teil erschmolzen oder verdampft wird, oder wobei eine Änderung hinsichtlich der optischen Dichte oder des Brechungsindex dieses Teils erzeugt wird.

Zuerst soll ein Verfahren zur Herstellung eines Laserstrahl-Aufzeichnungsträgers nach der Erfindung beschrieben werden.

Zur Herstellung eines Laserstrahl-Aufzeichnungsträgers nach der Erfindung wird eine elektrische Entladung in einem wenigstens CS2 oder ein organisches Monomßres enthaltenden Gas bewirkt, Metalle oder Verbindungen dieser Metalle werden gleichzeitig verdampft und dann wird ein plasmapolymerisierter Film gebildet, der die verdampften Metalle enthäü Das bei der Erfindung verwendete organische Monomere kann wenigstens einen der nachstehenden Stoffe aufweisen: eine aromatische Verbindung, wie Styrol oder Chlorbenzol; eine Silanverbindung, Wie Hexamethyldisiloxan; eine Nitrilverbindung, wie Acetonitril oder Acrylnitril; und eine cycloolefinische Verbindung, wie Norbornadien. Das organische Monomere und das CS₂-Gas können gesondert oder in Veit. ^:adung mit einem Inertgas, wie Argon oder N₂, verwende: werden.

Als verdampfte Metalle kommen Te, Bi, Ag und In oder deren Verbindungen in Betracht.

Der Gasdruck der Anlage zur Bildung eines plasmapolymerisierten Films liegt vorzugsweise in der Größenordnung von 10 bis 10~³ Torr. In diesem Zusammenhang ist unter dem Gasdruck der Druck des CS₂-Gases und des organischen monomeren Gases allein oder die Summe des Gesamtdruckes des CS₂-GaSeS oder des organischen monomeren Gases in Verbindung mit einem Druckreguliergas, d. h. einem Inertgas, wie Ar oder N₂, zu verstehen. Wenn der Druck größer als 10 Torr wird, ergeben sich Schwierigkeiten bei der Bildung eines organischen plasmapolymerisierten Films und wenn der Druck kleiner als 10~³ Torr ist, ergeben sich Schwierigkeiten bei der Aufrechterhaltung einer stabilen Glimmentladung. Vorzugsweise ist der Gasdruck kleiner als 1 Torr, so daß man leicht ein feines Metallpulver mit einer Teilchengröße von 10 nm oder kleiner erhalten kann.

Ein Beispiel einer Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens zur Herstellung eines Laserstrahl-Aufzeichnungsträgers nach der Erfindung wird nachstehend beschrieben.

F i g. 1 stellt ein Modell eines Beispiels einer Vorrichtung zur Herstellung eines Laserstrahl-Aufzeichnungsträgers nach der Erfindung dar, wobei mit 11 eine Reaktionskammer, mit 12 ein Gaseinlaß Tür CS₂, für ein organisches monomeres Gas oder dergleichen, mit 13 ein Substrat, mit 14 eine Hochfrequenzelektrode, mit 15 eine Heizeinrichtung zur Verdampfung eines Metalb oder einer Verbindung und mit 17 ein Ausgang einer Vakuumanlage bezeichnet ist.

Zuerst wird die Reaktionskammer 11 evakuiert und dann wird CS₂-GaS, ein organisches monomeres Gas oder ein Gemisch derselben mit einem Inertgas, wie Ar oderN₂, über den Gaseinlaß 12 in die Reaktionskammer 11 eingeleitet, in df^r ein Druck in der Größenordnung von 10 bis 10"³ Torr herrscht. Nach dem Einbringen des Gases wird an die Höchfrequenzelektröde 14 eine Hochfrequenzspannung von 13,56 MHz angelegt, um eine elektrische Entladung zu erzeugen. Gleichzeitig wird ein Metall oder eine Verbindung desselben durch die Verdampfungshe^;7.ung 15 verdampft, so daß sich ein plasmapolymerisierter Film bildet, der ein Metall auf dem Substrat 13 enthält.

F i g. 2 zeigt ein Beispiel einer Vorrichtung zur Her-

Stellung des Aufzeichnungsträgers nach der Erfindung, wobei mit den Bezugsziflern 11 bis 15 dieselben Teile wie bei der zuvor beschriebenen Ausfuhrungsform bezeichnet sind. Mit 16 ist eine Strahlungselektrode bezeichnet, die aus einem Metall oder einer Verbindung von demselben besteht.

Nach der Evakuierung der Reaktionskammer 11 wird ein organisches monomeres Gas oder dergleichen über den Gaseinlaß 12 eingeleitet. Wer.n eine Hochfrequenzspannung an den Hochfrequenzelektroden 14 anliegt, um eine elektrische Entladung zu erzeugen, wird CS₂ oder das organische Monomere polymerisiert und ein Metall oder eine Verbindung desselben \on der Strahlungselektrode 16 freigesetzt. Ein plasmapolymerisierterFilm, der ein Metall oder eine Verbindung desselben enthält, wird dann auf dem Substrat 13 gebildet.

Bei der Herstellung können auch viele andere elektrische Entladungsarten verwendet werden, die eine elektrische Entladung, die durch Mikrowellen oder Hochfrequenzwellen erzeugt wird, wobei diese Ent-Iadungsarten an die Stelle der Entladungsart treten, die unter dem zuvor angegebenen Frequenzwellenbereiv.li entsteht. Insbesondere wenn parallele planare bzw. ebene Elektroden verwendet werden, kann eine elektrische Entladung mittels Gleichstrom verwirklicht werden. Wenn die parallelen Elektroden verwendet werden, wird ein Metall oder eine das Metall enthaltende Verbindung als Strahlungselektrode verwendet die das Metall freisetzt, um einen polymerisierten Film zu erhalten, der das Metall enthält.

Plasmapolymerisierte Filme, die nach der Erfindung erzeugt werden sollen, haben die folgenden Eigenschaften. Die gebildeten polymerisierten Schichten sind hinsichtlich ihres Aufbaus grundlegend von Polymeren verschieden, die mittels üblichen Polymerisationsme- a thoden gebildet sind und besitzen eine stark quer vernetzte Netzstruktur, um eine vollständig amorphe dünne Schicht zu bilden. Das Infrarotabsorpiionsspektrum eines acrylnitrilplasmapolymerisierten Films hat beispielsweise eine verminderte Absorption, basierend *o auf-C =N bei 2250 cm"', und eine Absorption, basierend auf- C = NH bei 3500 cm"¹ und basierend auf -C = N-bei 1500 cm"¹. Dies bedeutet, daß das plasmapolymerisierte Acrylnitril eine quervernetzte Netzstruktur hat, die aus der Abspaltung von -C =N resul- « tiert. Der plasmapolymerisierte Film ist hinsichtlich der chemischen Widerstandsfähigkeit, des Wärmewiderstands und der mechanischen Eigenschaften Polymeren überlegen, die man durch die übliche Polymerisationsmethode erhält, was auf die quervernetzte Netzstruktur so zurückzuführen ist.

Demzufolge kann ein plasmapolymerisierterFilm im allgemeinen nicht durch Wärme leicht sublimiert wer-' den. Jedoch hat ein plasmapolymerisierter und aus CS₂-Gas hergestellter Film spezielle Eigenschaften, die ihn von anderen plasmapolymerisierten Filmen unterscheiden.

Die Zusammensetzung des CSrpIasmapolymerisierten Films ändert sich durch eine Veränderung bei der elektrischen Entladeleistung, dem CSi-Ga^druck, der CSj-Gasströmungsgeschwindigkeit und der Substrattemperatur und die Änderung liegt innerhalb eines Bereiches von CS0.16 bis CSu. Wenn sich die Zusammensetzung innerhalb eines Bereiches von CS₂ bis CSm ändert, sublimiert der polymerisierte Film bei einer Temperatur von I0öbis2ö{rC mit einer I0%igen Gewichtsabnahme.
Die Laserstrahlaufzeichnungsempfindlichkeit kann dadurch höher gemacht werden, daß man die Sublimationstemperatur dieses CS2-plasmapolymerisierten Films herabsetzt. Umgekehrt kann die Haltbarkeit des Films dadurch verbessert werden, daß ma<i die Sublimationstemperatur höher wählt. Demzufolge wird die Sublimationstemperatur dadurch bestimmt, daß man die Polymerisierungsbedingungen entsprechend den zuvor beschriebenen Angaben unter Berücksichtigung der gewünschten Haltbarkeit des Films und der Aufzeichnungsempfindlichkeit variiert. Im allgemeinen liegt die Sublimationstemperatur dieses Films vorzugsweise in der Größenordnung von 180 bis 200° C.

Der optische Absorptionsrandbereich eines CSj-plasmapolymerisierten Films liegt zwischen dem sichtbaren und dem nahegelegenen Infrarotbereich und er ändert sich in Abhängigkeit von der Zusammensetzung. Bei einer Wellenlänge von 800 nm ist ein AbsorptionskoelTizient von etwa 10⁴ cm-' erreichbar. Wenn demzufolge ein sichtbarer Laserstrahl auf den polymerisierten Film gerichtet wird, erwärmt das absorbierte Licht den Film und bewirkt ein Loch infolge der lokalen Verdampfung.

Demzufolge braucht nicht zwingend notwendigerweise ein Diodenlaser, wie GaAs, verwendet zu werden, da die Emissionswellenlänge des Lasers in der Nähe des Infrarotbereichs (800 bis 900 nm) liegt und der Absorptionskoeffizient des CS₂-plasmapolymerisierten Films hierzu ausreicht.

Weniv jedoch Metalle, wie Te, B i. Ag oder I η oder Verbindungen derselben, wie PbTe, Bi₂Te, Sb₂Te.!, InSb,In₂Tej, Ag₂Te oder Ag₂Sj in einem Bereich von 10 bis 19 Vol.-% einem solchen Film zugegeben werden, hat der Film einen ausreichend hohen Absorptionskoeffizienten in der Nähe des infrarotbereiches. Wenn die Menge an Metallen kleiner als 10 Vol.-Ib ist, würde der AbsorptionskoefTizient in der Nähe des Infrarotbereiches für eine Laserstrahlaufzeichnung nicht mehr ausreichen. Wenn andererseits die Menge an Metallen größer als 90 Vol.-% ist, würde ein solcher Film nahezu mit einem metallischen Film im Hinblick auf die Wärmeleitfähigkeit und das Wärmeaufnahmevermögen übereinstimmen, so daß man nur schlechte Aufzeichnungskennwerte erhält.

Mit einem solchen CSj-plasmapolymerisierten Film, der Metalle enthält, ist keine optische Inhomogenität festzustellen, da die Teilchengröße der eingeschlossenen Metalle kleiner als etwa 10 nm ist. Die Oberfläche des Films zeigt sich bei der Untersuchung mit einem abtastenden Elektronenmikroskop als glatt und eben. Der AbsorptionskoefTizient und der Brechungsindex dieses Films lassen sich dadurch variieren, daß man die Menge des in dem polymerisierten'Film enthaltenen Metalls ändert. Ein Absorptionskoeffizient von 5 x 10* cm"¹ läßt sich beispielsweise leicht mit einer Wellenlänge von 800 nm erreichen. Ferner kann die Sublimationstemperatur im Vergleich zu jenen der eingeschlossenen Metalle ausreichend herabgesetzt werden.

Wenn Te und Bi als eingeschlossene Metalle verwendet werden, werden die optische Dichte und der Brechungsindex der polymerisierten Filme durch Erwärmung größer. Die Röntgenstrahl-Beugungsmessungen zeigen, daß dies auf den Einschluß von Te und Bi im amorphen Zustand zurückzuführen ist, die durch Erwärmung kristallisiert werden. Dies heißt, daß kein Beugungsbild in einem polymerisierten Film vor der Erwärmung feststellbar ist, und daß sich das Beugungsbild von Te oder Bi erst nach der Erwärmung feststellen läßt. Durch differenzielle Abtastwärmemessungen

ergibt sich eine exothermische Spitze bei etwa 80⁰C bei einem CS₂-polymerisierten Film, der Te enthält, und eine exothermische Spitze von etwa 200⁰C bei einem CS₂-polymerisierttn Film, der Bi enthält. Diese Spitzen sind vermutlich auf die Umkristailisation zurückzufüh- ί ren.

Der Metall enthaltende CSrplasmapolymerisierte Film >ßt sich somit fur die Laserstrahlaufzeichnung mittels thermischer Vorgänge verwenden. Der Aufzeichnungsstrahl kann allein als eine lokale Wärmequelle verwendet werden, der die Temperatur des Films erhöht, um lokale optische Änderungen in dem Film infolge der Sublimation oder Kristallisation des Films zu erzeugen.

Wenn ein Laserstrahl auf einen Film trifft, den man anstelle von CS2 durch einfache Plasmapolymerisierung eines organischen Monomeren, wie Styrol oder Acrylnitril erhält, sublimiert der bestrahlte Teil nicht. Wenn

JCUUVfI 1 C-1 CIICIfCII UUCI 1 C- » CtUtllUUIIgatCIICIICIf UCIfI

Film hinzugegeben werden, kann man eine Zunahme des Absorptionskoeffizienten und des Brechungsindexes des Films durch die Erwärmung mittels des Laserstrahls feststellen. Röntgenstrahlenbeugungsmessungen stützen diese Vermutung, daß dies ebenfalls auf die Kristallisierung von Te zurückzuführen ist. Diese Kri- :3 stallisationsumwandlung ist irreversibel und die optische Änderung ist extrem groß. DerTe enthaltende plasmapolymerisierte Film kann daher als Laser-Aufzeichnungsträger verwendet werden, indem man den Vorteil der Änderungen hinsichtlich der Durchlässig- jo keit iiad des Reflektionsvermögens ausnützt, die sich aus der Kristallisation von Te ergeben. Das organische Monomere für den plasmapolymerisierten Film nach der Erfindung kann beispielsweise Styrol, Acrylnitril, Hexamethyldisiloxan. Norbornadien oder dergleichen » sein.

Das Substrat, auf dem der plasmapolymerisierte Film ausgebildet werden soll, kann aus einem üblichen Material, wie Glas, Polyesterharz oder einem Acrylharz bestehen. 4η

Die Struktu·· eines Laserstrahl-Aufzeichnungsträgers nach der Erfindung kann willkürlich gewählt werden und kann die folgenden Formen annehmen: eine Struktur nach F i g. 3, bei der ein plasmapolymerisierter Film 3, der feines Metallpulver enthält, auf einem Substrat 1, beispielsweise aus Glas, gebildet wird; eine in F i g. 4 gezeigte Struktur, bei der ein Schutzfilm 5, beispielsweise bestehend aus Polyvinylalkohol, zusätzlich auf dem plasmapolymerisierten Film bei der in F i g. 3 gezeigten Struktur vorgesehen ist; eine in F i g. 5 so gezeigte reflektionsmindernde Struktur, bei der ein lichtreflektierender Film 7 aus Al oder dergleichen, ein lichtdurchlässiger Film 9 zur Minimalisierung der Reflektion bei der Aufzeichnungswellenlänge und ein plasmapolymerisierter Film 3 vorgesehen sind, der ein feines Metallpulver enthält und auf dem Substrat 1 in der vorgenannten Reihenfolge ausgebildet sind; und eine in F i g. 6 gezeigte Struktur, bei der ein Schutzfilm 5 ferner auf dem plasmapolymerisierten Film 3 bei der Struktur nach F i g. 5 auf ähnliche Art und Weise wie in F i g. 4 angegeben, ausgebildet isL

Der Schutzfilm 5 in den F i g. 4 und 6 ist ausgebildet, um die Sublimation des plasmapolymerisierten Films zu verhindern und besteht aus einem Material, wie Polyvinylalkohol. Polymethylacrylat, Polyäthylenterephthalat, Polyparaxylylen und SiO₂. Der lichtrefiektierende Film 7 besteht aus einem Material, wie Al, Ag. Der lichtdurchlässige Film 9 bildet eine regelbare Schicht, mit der das reflektierende Licht durch Erreichen einer Interferenz zwischen dem Licht vermindert wird, das von dem plasmapolymerisierten Film reflektiert wird, und dem Licht, das von dem Licht reflektierenden Film 7 reflektiert wird, wobei diese beiden aufgehoben werden können. Die Stärke dieses Films ist so gewählt, daß sie sich auf mXIAn beläuft, wobei mit λ die Laserstrahlenwellenlänge, mit m eine ganze Zahl und mit «der Brechungsindex des Films bezeichnet ist. Der lichtdurchlässige Film 9 kann einen SiO₂ -, Cs₂-plasmapolymerisierten Film, einen styrol-plasmapolymerisierten Film, Calgonidglas, wie As₂Sj usw. aufweisen.

Ein Laserstrahl-Aufzeichnungsträger nach der Erfindung ist in mehrererlei Hinsicht vorteilhaft:

1 Die optischen Konstanten, wie der Absorptionskoeffizient, lassen sich leicht regulieren. Somit läßt sich leicht eine Struktur, wie eine reflektionsmindernde Struktur, schaffen, mit der man eine größere Absorptionsleistung für einen Laserstrahl erreicht. Ein hoher Absorptionskoeffizient läßt sich in der Nähe des Infrarotbereiches verwirklichen, der äquivalent mit der Emissionswellenlänge eines Halbleiterlasers ist.

2 Es läßt sich eine hohe Empfindlichkeit erreichen, da die für eine optische Änderung kennzeichnende Temperatur, wie die Sublimationstemperatur oder die Kristallisationstemperatur, niedrig ist.

3 Die Wärmeleitfähigkeit ist im Vergleich zu einem dünnen Metallfilm gering.

4 Es läßt sich eine hohe Auflösung erreichen, da Metalle in Form von kleinen Teilchen mit einerTeilchengröße von 10 nm oder kleiner eingeschlossen sind und da der plasmapolymerisierte Film amorph und optisch homogen ist.

5 Der plasmapolymerisierte Film ist glatt und eben sowie mechanisch widerstandsfähig und hat ein gutes Haftvermögen an einem Substrat.

6 Eine Änderung der optischen Dichte und des Brechungsindexes ist groß, wenn der Film mit einem Laserstrahl bestrahlt wird. Auch ist das Kontrastverhältnis hoch.

Nachstehend wird ein Beispiel für die Aufzeichnungsmethode beschrieben. Die Beschichtung des Aufzeichnungsträgers wird auf einem scheibenförmigen Substrat abgelagert. Ein Laserstrahl, der mit einer aufzuzeichnenden Information moduliert wird, ist auf einer Sektorenscheibe zur Erstellung einer Aufzeichnung fokusiert. Die Scheibengeschwindigkeit beträgt 1800 Upm und der fokussierte Strahlfleck hat einen Durchmesser von etwa 1 μπι. Die aufgezeichnete Information wird dadurch wieder aufgefunden, daß man die Scheibe mit einem etwas weniger intensiven Strahl ausleuchtet und dann das von der Scheibe zurückreflektierende Licht erfaßt. Ein Aufzeichnungsträger beispeilsweise, der eine reflektionsmindernde Struktur mit einem AI-abgelagerten Film, einen CSrpIasmapolymerisierten Film und einen CSrPlasmapolymerisierten Film, der Te enthält, hat, die auf einem Glassubstrat ausgebildet sind, kann eine Aufzeichnungsempfindlichkeit haben, die eine Realzeitaufzeichnung mit einem Halbleiterlaserstrahl mit einer Abgabeleistung von 20 mW und einer Emissionswellenlänge von 830 nm ermöglicht

Anstelle eines Laserstrahls kann eine Aufzeichnung auch durch Sublimation eines Teils der Einrichtung mittels Erwärmung durch einen Energiestrahler, wie ein Blitzlichtstrahl, ein Elektronenstrahl oder durch

Kontakt mit einer Heizeinrichtung, erfolgen. Deshalb ist der Laserstrahl-Aufzeichnungsträger nach der Erfindung nicht nur zur Aufzeichnung unter Verwendung eines Laserstrahls geeignet, sondern unter einem Laserstrahl ist nur ein Anwendungsbeispiel eines Energie-Strahlers zu verstehen. Der Aufzeichnungsträger nach der Erfindung ist somit wenigstens für einen Laserstrahl als Aufzeichnungsmittel geeignet.

Die Erfindung wird nachstehend an Beispielen näher erläutert.

Beispiel 1

Eine elektrische Entladung wird dadurch bewirkt, daß eine Hochfrequenzspannung von 13,56 MHz an eine Elektrode in einer Kammer angelegt wird, in die Kohlenstoffdisulfidgas (CS₂) auf einen Druck von 1 x 10~² Torr eingeleitet wurde. Unter Verwendung einer Glasplatte als ein Substrat erfolgte die Entladung mit einer Strömungsgeschwindigkeit für den CS2-Gasstrom mit _;o 100 cnWmin, einer Entladeleistung von IUU Watt und einer Substrattemperatur von 50° C. Die Behandlung dauerte 30 Minuten lang und es wurde eine dünne Schicht auf dem Susbtrat gebildet, die eine Stärke von etwa 1 μΐη hat. Die Elementenanalyse ergab, daß die Schicht aus CSj bestand. Eine unter denselben Polymerisationsbedingungen auf einer KBr-Platte gebildete Schicht hat Infrarotabsorptionsspektren, die auf die C = S-, C-S- und S-S-Bindung zurückzuführen sind, und beliefen sich jeweils auf 1065 cm-', 810 cnr¹ und 460 cm"¹. Diese Schicht sublimierte bei einer Temperatur von 185° C mit einer 10%igen Gewichtsabnahme und ihr Absorptionskoeffizient belief sich auf 10⁴ cm¹ bei einer Wellenlänge von 750 nm.

Unter Verwendung eines He-Ne-Lasers mit einer Wellenlänge von 633 nm und einer Abgabeleistung von 15 mW wurde diese Schicht zur Bestimmung der Aufzeichnungsempfindüchkeit und Variation der Dauer der Laserbestrahiung vermessen. Die Aufzeichnung erfolgte, indem die bestrahlten Abschnitte erwärmt und _j() verdampft wurden und der Aufzeichnungsenergieschwellenwert belief sich auf 50 mJ/cm². Dieser Wert zeigt eine höhere Empfindlichkeit als der Aufzeichnungsenergieschwellenwert von 200 mJ/cm^J. den man bei Messungen unter den selben Bedingungen bei einer vakuumaufgedampften Te-Schicht erhält, die auf einer Glasplatte gebildet wird.

Beispiel 2

Eine elektrische Entladung erfolgte unter denselben *> Bedingungen wie beim Beispiel 1. Te wurde mit einer Ablagerungsgeschwindigkeit von 0,15 nm/Sek. abgelagert und ein dünner, etwa 20 Vol.-% Te enthaltender Film wurde gebildet.

Der Te enthaltende CS2-polymerisierte Film zeigte bei der Differentialthermoanalyse einen exothermischen Spitzenwert bei etwa 80° C, der auf die Kristallisation des amorphen Te zurückzuführen ist, und der Absorptionskoeffizient und der Brechungsindex nehmen beide beträchtlich um diesen Temperaturbereich zu. Der Brechungsindex belief sich auf 2,9, wenn der Film bei einer Temperatur von 100°C lOMinutenlang erwärmt wurde. Dies ist ein beträchtlicher Unterschied zu dem Brechungsindex von 2,3 eines unerwärmten polymerisierten Films.

Durch Variation der Ablagerungsgeschwindigkeit von Te erhält man Filme, die 10 Vol.-%, 30 Vol.-% und 60 VoI.-%Te enthielten. Die Absorptionskoeffizienten dieser polymerisierten Filme als Funktion 6er Wellenlänge und der Änderungen nach der Erwärmung bei einer Temperatur von 100° C während 10 Minuten wurden gemessen. Die Ergebnisse sind in F i g. 7 gezeigt. In dieser Figur ist mit ja« ein Kurvenzug für den Fall eines Films bezeichnet, der kein Te enthält. Der Kurvenzug »b« ergibt sich bei einem Film, der 10 Vol.-% Te enthält, der Kurvenzug »c« bei einem Film, der 30 Vol.-% Te enthält, der Kurvenzug »d« bei einem Film, der 60 Vol.-% Te enthält, und die Kurvenzüge »a'«, »b'«, »c'« und »d'« beziehen sich auf die Kennwerte der jeweiligen Filme nach der Erwärmung bei einer Temperatur von 100° C während 10 Minuten.

Te war als feine Partikelchen dispergiert, die optisch homogen waren und sich mit Hilfe eines optischen Mikroskops nahezu kaum feststellen ließen. Die Oberfläche des erhaltenen dünnen Films war extrem glatt, wenn man sie mit Hilfe eines Abtastelektronenmikroskops betrachtete.

Der Te enthaltende. CSj-plasmapolymerisierte Film wies bei Erwärmung durch eine Bestrahlung mittels eines Laserstrahls Änderungen hinsichtlich des Absorptionskoeffizienten und des Brechungsindex und auch eine Neigung zur Sublimation auf. Polyvinylalkohol wurde in einer Schicht mit einer Stärke von 10 pm auf den polymerisierten Film aufgetragen, um eine die Sublimation verhindernde Struktur zu haben und die Laserstrahlaufzeichnungsempfindlichkeit, bestimmt durch Änderungen hinsichtlich des Absorptionskoeffizienten und des Brechungsindexes infolge der Kristallisation, wurde gemessen. Als ein Laserstrahl wurde ein GaAs-Diodenlaserstrahl mit einer Ausgabeleistung von 15 mW und einer Wellenlänge von 830 nm verwendet. Die Messungen wurden bei sich ändernder Impulsdauer eines Laserstrahls vorgenommen und man erhielt einen Aufzeichnungsschwellenwert von 15 mJ/ cm².

Bc i s ⁿ i cI 3

Um die Laserstrahlaufzeichnungsempfindlichkeit von CSi-plasmapolymerisiertem Film, der nach Beispiel 2 Te enthält, zu verbessern, wurden die Aufzeichnungskennwerte erfaßt, die sich bei einer retlektionsmindernden Struktur nach F i g. 3 ergeben. Bei dieser Struktur wurden ein Al-abgelagerter Film (1 μπι stark), ein CSrplasmapolymerisierter Film (0,3 μΐη stark) und ein CSrplasmapolymerisierter Film mit 15 Vol.-% Te (20 nm stark) in der vorgegebenen Reihenfolge gebildet, so daß das von dem CSrplasmapolymerisierten und Te enthaltenden Film reflektierte Licht und das von dem Al-Film reflektierte Licht interferrierten und aufgehoben wurden. Der Te enthaltene CSj-polymerisierte Film wurde bei einer Temperatur von 100⁰C zur Erreichung einer Kristallisierung wärmebehandelt und die Laserstrahlaufzeichnungskennwerte unter Sublimation wurden gemessen. Die Messungen wurden unter denselben Bedingungen wie beim Beispiel 2 vorgenommen und man erhielt einen Aufzeichnungsenergieschwellenwert von 10 mJ/cm².

Beispiel 4

Eine elektrische Entladung wurde unter denselben Bedingungen wie beim Beispiel 1 erzeugt und Bi wurde mit einer Ablagerungsgeschwindigkeit von 0,2 nm/min abgelagert, so daß sich ein dünner Film auf einem Substrat bildet, der 30 Vol.-% Bi enthält. Der Absorptionskoeffizient dieses Films belief sich bei der Messung auf 5 x 10⁴ cm"¹ bei einer Wellenlänge von 800 μΐη

800 .im). Bei der Differentialthermoanalyse ergab sich ein exothermischer Spitzenwert bei 200° C.

Die Laserstrahlaufzeichnungskennwerte dieses Films unter Sublimation wurden unter denselben Bedingungen wie beim Beispiel 2 gemessen. Man erhielt einen Aufzeichnungsenergieschwellenwert von 70 mJ/cm².

Beispiel 5

Eine elektrische Entladung wurde unter denselben Bedingungen wie beim Beispiel 1 bewirkt und Ag wurde mit einer Ablagerungsgeschwindigkeit von 0,1 nm/min abgelagert, so daß sich auf einem Substrat ein dünner Film bildet, der 50 Vol.-% Ag enthält. Die Kennwerte des so erhaltenen Aufzeichnungsträgers wurden gemesseri. Dsr Absorptionskoeffizient belief sich auf ü etwa 6 x 10⁴ crrr¹ bei einer Wellenlänge von 800 nm und die Sublimationstemperatur (Temperatur bei einer lO°/oigen Gewichtsabnahme) auf 250° C.

Die Laserstrahlaufzeichnungskennwerte dieses Films unter Sublimation wurden unter denselben Bedingun- -¹R gen wie bWm Beispiel 2 gemessen. Es prgab sich ein Aufzeichnungsenergieschwellenwert von 200 mJ/cm².

Beispiel 6

Eine elektrische Entladung wurde unter denselben ^ Bedingungen wie bei Beispiel 1 bewirkt und In wurde mit einer Ablagerungsgeschwindigkeit von 0,2 nm/min abgelagert, so daß sich auf einem Substrat ein dünner Film bildet, der 30 Vol.-°/o In enthält. Die Kennwerte des so erhaltenen Aufzeichnungsträgers wurden gemes- >o sen. Der Absorptionskoeffizieni belief sich auf etwa 5 x 10-¹Cm-¹ bei einer Wellenlänge von 800 nm und die Sublimationstemperatur (Temperatur für eine 10%ige Gewichtsabnahme) belief sich auf 200° C.

Die Laserstrahlaufzeichnungskennwerte dieses Films unter Sublimation wurden unter denselben Bedingungen wie bei Beispiel 2 gemessen. Es ergab sich ein Aufzeichnungsenergieschweiienwert von 80 mj/cm^:.

B e i s ρ i e 1 7 _4f)

Eine elektrische Entladung wurde unter denselben Bedingungen wie bei Beispiel 1 bewirkt und PbTe mit einer Ablagerungsgeschwindigkeit von 2Ä/min abgelagert, so daß sich auf einem Substrat ein dünner Film bildet, der 30 Vol.-% Pb und Te enthält. Der Absorptions- ·<5 koeffizient des so erhaltenen Aufzeichnungsträgers wurde gemessen und belief sich auf etwa 7 x 10⁴ cm-' bei einer Wellenlänge von 800 nm. Bei derDifferentiaithermoanalyse ergab sich ein exothermischer Spitzenwert bei 100⁰C. Der Absorptionskoeffizient nimmt mit der Erwärmung zu, wie dies in F i g. 7 gezeigt ist.

Beispiel 8

Ein Styrolmonomergas wurde in eine Kammer mit einem Druck in der Größenordnung von 5 x ΙΟ"² Torr eingeleitet. Eine Hochfrequenzspannung von 13,56 MHz wurde an Elektroden angelegt und Te wurde auf einer Wolframplatte abgelagert. Ein Glassubstrat wurde verwendet. Eine elektrische Entladung wurde 70 Minuten lang bei einer Strömungsgeschwindigkeit des Styrolmonomergases von 20 ctnVmin durchgeführt. Die elektrische Entladungsleistung belief sich auf 120 Watt und es ergab sich eine Te-Ablagerungsgeschwindigkeit von etwa 0,2 nm/sek. Ein styroi-plasmapolymerisierter Film bildete sich auf dem Substrat mit einer Stärke von etwa 1 μΐΉ, der 25 Voi.-% Te enthält.

Bei den Infrarotabsorptionsspektren dieses Films wurde eine auf -C-H und -C=CR zurückzuführende Absorption bei 3290, 2200 und 2100 cm'¹ festgestellt und die auf-CHb zurückgehende Absorption belief sich auf 2950, 2880 und 1370 cm"¹.

Bei der differenziellen Abtastwärmemessung des Te enthaltenden styrol-polymerisierten Films ergab sich ein exothermischer Spitzenwert bei eine" Temperatur von 80 bis 120° C und der Absorptionskoeffizient und der Brechungsindex stiegen beträchtlich um diesen Temperaturbereich an.

Die Absorptionskoeffizienten verschiedener Te enthaltender plasmapolymerisierter Filme, die man dadurch erhält, daß man die Ablagerungsgeschwindigkeit von Te variiert und ihre Änderungen bei Erwärmung (120° C 1.0 Minuten lang) sind in F i g. 8 gezeigt. Der jeweilige exothermische Spitzenwert derTemperatur ist in Tabelle 1 gezeigt. Den Kurvenzug »a« in F i g. 8 erhält man bei einem Film, der kein Te enthält, den Kurvenzug »b<· bei einem Film, der 25 Vol.-% Te enthält, den Kurvenzug »c« bei einem Film, der 40 Vol.-% Te enthält, den Kurvenzug »d« bei einem Film, der 60 Vol-% Te enthält. Die Kurvenzüge »a'«, »b'«, »c'« und >>d'« beziehen sich auf die jeweiligen Filme nach der Erwärmung.

Tabelle 1

Exothermische Spitzentemperatur der Te enthaltenden styrol-polymensierten Filme

Substrat	Entlade	Te-Gehalt	Spitzen
temperatur	leistung		temperatur
	(W)	(Vol.-%)	CC)
Raum	120	25	116
temperatur
Raum	200	25	118
temperatur
Raum	120	40	98
temperatur
Raum	200	60	85
temperatur
Raum	200	70	76
temperatur
80°C	200	70	101

55

60

65 Bei einem 25 Vol.-% Te enthaltenden styrol-plasmapolymerisierten Film belief sich der Brechungsindex auf 2,6, wenn der Film nicht erwärmt worden ist, und auf 3,2, wenn der Film erwärmt wurde.

Die Oberfläche des polymerisierten Films wurde mittels eines Abtastelektronenmikroskops untersucht und es ergab sich eine extrem glatte Oberfläche vor und nach der Erwärmung. Die Röntgenstrahlbeugung ergab kein Beugungsbild für Te bei einem unerwärmten polymerisierten Film und ein Beugungsbild für Te bei einem erwärmten polymerisierten Film.

Ein 25 Vol.-% Te enthaltender styrol-polymerisierter Film wurde mit einer Stärke von 1 μΐη auf einer Glasplatte ausgebildet. Unter denselben Bedingungen wie in Beispiel 1 wurde die Laserstrahlaufzeichnungsempfindlichkeit basierend auf der Kristallisation gemessen. Es ergab sich ein Aufzeichnungsenergieschwellenwert von 70 mJ/cm².

Beispiel 9

Zur Verbesserung der Laseraufzeichnungsempfindlichkeit des Te enthaltenden styrol-plasmapoly-

10

merisierten Films nach Beispiel 8 wurden die Aufzeichnungskennwerte untersucht, die sich bei einer reflektionsmindernden Struktur nach F i g. 3 ergeben. Ein Alabgelagerter Film (1 um stark) und ein styrol-polymerisierter Film, der 50 Vol.-% Te enthält (20 nm stark) wurden in der zuvor angegebenen Reihenfolge auf einer Glasplatte gebildet. Die Laserstrahlempfindlichkeit wurde unter denselben Bedingungen wie bei Beispiel 1 gemessen. Es ergab sich hierbei ein Aufzeichnungsenergieschwellenwert von 20 mJ/cm².

Beispiel 10

Eine elektrische Entladung wurde 30 Minuten lang unter Verwendung von Acrylnitril als ein organisches ivfonomeres bei einer Te-Ablagerungsgeschwindigkeit von 0,1 nm/sek. unter denselben Bedingungen wie bei Beispiel 8 hewirkt. Ein 20 Vol.-%Te enthaltender acrylnitrilpolymerisierter Film mit einer Stärke von 1 μΐη wurde gebildet. Die Infrarotabsorptionsspektren dieses polymerisierten Films ergaben eine Absorption basierend auf-C=N bei 2250 cm-', eine Absorption basierend auf-C=NH bei 3500 cm-' und eine Absorption basierend auf-C=N- bei 1500 cm"¹.

Dieser Film hatte einen Absorptionskoeffizienten von5x 10⁴cm-' beieinerWellenlängevon800nm.Die Differentialthermoanalyse ergab einen exothermischen Spitzenwert bei 150⁰C und der Absorptionskoeffizient wurde bei Erwärmung größer.

Beispiel 11 _Μ

Eine elektrische Entladung wurde unter Verwendung eines Hexamethyldisiloxans als ein organisches Monomeres unter denselben Bedingungen wie in Beispiel 8 erzeugt. Nach einer 15 Minuten langen elektrischen Entladung wurde ein polymerisierter Film mit einer Stärke von 1 um gebildet, der 20 VoI.-%Te enthält

Die Infrarotabsorptionsspektren dieses Films ergaben eine Absorption, basierend auf C-H bei 2980 cnr¹, eine Absorption basierend auf Si-CH3 bei 1250 cnr¹ und eine Absorption, basierend auf Si-O- bei 1050 cm~'. Dieser polymerisierte Film hat einen Absorptionskoeffizienten von 3 x 10⁴ cm-' bei einer Wellenlänge von 800 nm. Die Differentialthermoanalyse ergab einen exothermischen Spitzenwert bei 180° C und der Absorptionskoeffizient wurde bei Erwärmung größer.

Beispiel 12

Eine elektrische Entladung wurde unter Verwendung von Norbornadien als ein organisches Monomeres unter denselben Bedingungen wie bei Beispiel 9 erzeugt. Nach einer elektrischen Entladung während 15 Minuten ergab sich ein polymerisierter Film mit einer Stärke von 1 μπι, der 20 Vol.-% Te enthält.

Die Infrarotabsorptionsspektren dieses polymerisierten Films ergaben eine Absorption basierend auf C=C bei 1690 cm"' und 980 cnr', und eine Absorption basierend auf C-H bei 2980 cm-'. Der polymerisierte Film hatte einen AbsorptionskoefTizienten von 4 x 10⁴ cnr¹ bei einer Wellenlänge von 800 nm und einen exothermischen Spitzenwert bei 150⁰C. Der Absorptionskoeffizient wurde bei Erwärmung größer.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims

Patentansprüche:

1. Laserstrahl-Aufzeichnungsträger aus einem Substrat und einem darauf gebildeten plasmopolymerisierten Film, der Metall enthält, dadurch gekennzeichnet, daß als Metall wenigstens eines der aus Te, Bi, Ag, In oder Legierungen dieser Metalle bestehenden Gruppen in dem plasmapolymerisierten Film in einer Menge von lCbis90Vol.-% vorhanden ist, daß der plasmapolymerisierte Film aus wenigstens einem Monomeren aus der aus KohlenstofTdisulfid, Styrol, Acrylnitril, Hexamethyldisiloxan undNorbornadien bestehenden Gruppe aufgebaut ist, und daß die Metalle oder deren Legierun- is gen als feine Teilchen mit einer Korngröße < 50 nm innerhalb des plasmapolymerisierten Films abgelagert sind.

2. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat aus Glas oder einem Acrylharz besteht.

3. Aufzeichnungsträger nach Anspruch ! oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat an seiner Oberfläche einen Licht reflektierenden Film, eine lichtdurchlässige Schicht, mit der verursacht wird, daß die Reflexion bei der Aufzeichnungswellenlänge weitgehend minimal wird, und einen plasmapolymerisierten Film hat, der ein Metall enthält, und der auf der Oberfläche der lichtdurchlässigen Schicht ausgebildet ist. in

4. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß ein Schutzfilm den plasmapolymerisierten Film überdeckt.

5. Aufzeichnungsträger nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der y, Schutzfilm als Überzug über dem plasmapolymerisierten Film vorgesehen ist.

O.Verfahren zur Herstellung eines Laserstrahl-Aufzeichnungsträgers durch Erzeugung einer elektrischen Entladung in einer ein organisches Monomeres enthaltenden Atmosphäre und Bildung eines organischen, plasmapolymerisierten Films auf einem vorbestimmten Substrat, dadurch gekennzeichnet, daß als organisches Monomeres Kohlenstoffdisulfid, Styrol, Acrylnitril, Hexamethyldisiloxan oder Norbornadien verwendet werden, daß die elektrische Entladung während der Verdampfung wenigstens eines der Metalle Te, Bi, Ag, In oder Legierungen dieser Metalle bei einem verminderten Druck von 10~^jbis lOTorr. erzeugt wird,unddaßdie Metalle oder deren Legierungen als feine Teilchen mit einer Korngröße kleiner als 50 nm innerhalb des plasmapolymerisierten Films abgelagert werden.

7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Atmosphäre zusätzlich ein Inertgas enthält.