JPS58158054A - 光学的情報記録媒体 - Google Patents
光学的情報記録媒体Info
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- JPS58158054A JPS58158054A JP57039431A JP3943182A JPS58158054A JP S58158054 A JPS58158054 A JP S58158054A JP 57039431 A JP57039431 A JP 57039431A JP 3943182 A JP3943182 A JP 3943182A JP S58158054 A JPS58158054 A JP S58158054A
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- JP
- Japan
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- layer
- light
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
- G11B7/2572—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of organic materials
- G11B7/2575—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of organic materials resins
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/258—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は光、特（ニレーザ光な利用した光学的記録媒体
に係り、特電；高感度記８４二最も適した構造の一つで
ある反射防止手段を活用した３層構造の改良（＝関する
ものである。
に係り、特電；高感度記８４二最も適した構造の一つで
ある反射防止手段を活用した３層構造の改良（＝関する
ものである。
３層構造を光記録媒体Ｃ−利用することは例えば特許ｉ
ｓ ５６−６５３４１ζ；開示されている。その構造は
ｉＪ１図（二示す如く基板（１）上に光の反射層（２）
を設けその上ζ＝光の透過層（３）、その上に光の吸収
層でありかつ情報信号の記録１層となる膚（４）を積層
する。
ｓ ５６−６５３４１ζ；開示されている。その構造は
ｉＪ１図（二示す如く基板（１）上に光の反射層（２）
を設けその上ζ＝光の透過層（３）、その上に光の吸収
層でありかつ情報信号の記録１層となる膚（４）を積層
する。
信号を記録する場合Ｃ：は、記録層（４）Ｉｇより光を
反射し、信号媚二応じてその光の強度をかえると、光が
熱となって鳩（４）に吸収され、ある量以上になると層
が蒸発してピット（穴）が形成される。そのビットの有
無、形状が記録となる。一方読み出しの場合６；は、光
の透過層（３）の膜厚を使用する。光の波長久）の１仁
すると、ピットのない所では吸収層（４）を通過し、反
射層（２）で反射した光も吸収層（４）で再び１収され
、かつ、なおかつ通過した光も、吸収層（４で反射され
た光と、干渉し合い、ビットのない所での反射光量は非
常（二小さくなる。
反射し、信号媚二応じてその光の強度をかえると、光が
熱となって鳩（４）に吸収され、ある量以上になると層
が蒸発してピット（穴）が形成される。そのビットの有
無、形状が記録となる。一方読み出しの場合６；は、光
の透過層（３）の膜厚を使用する。光の波長久）の１仁
すると、ピットのない所では吸収層（４）を通過し、反
射層（２）で反射した光も吸収層（４）で再び１収され
、かつ、なおかつ通過した光も、吸収層（４で反射され
た光と、干渉し合い、ビットのない所での反射光量は非
常（二小さくなる。
それ（二反し、ビットの弗る所では吸収層が蒸発して存
在しないため、反射層（２）からの反射光量のみとなる
。
在しないため、反射層（２）からの反射光量のみとなる
。
通常の一層構造、即ち基板上（二記錐層のみの構造（＝
比べ、この３層構造は大幅なＳハ比向上となり、なおか
つ一層構造の場合−二は反射率を得るため署＝、記録層
の膜厚は最低５００Å以上は必要であるが、この３層構
造の場合（二は記録層の膜厚は光の吸収の効果がでるだ
けでよいため、５０Ａ程度と極めて薄くてよい。ビット
を形成させるためのエネルギーは膜厚に比例するので、
膜厚が薄い程低いエネルギーでビットが形成できる。即
ち高感度となり、例えば１００倍の高感度が期待される
。この具体例として前記の公知例は、基板上に反射層と
してＡｌ膜、透過層としてＳｔｏｗ膜、記録吸収膜とし
てＴ１又はＴｅ膜を開示している。
比べ、この３層構造は大幅なＳハ比向上となり、なおか
つ一層構造の場合−二は反射率を得るため署＝、記録層
の膜厚は最低５００Å以上は必要であるが、この３層構
造の場合（二は記録層の膜厚は光の吸収の効果がでるだ
けでよいため、５０Ａ程度と極めて薄くてよい。ビット
を形成させるためのエネルギーは膜厚に比例するので、
膜厚が薄い程低いエネルギーでビットが形成できる。即
ち高感度となり、例えば１００倍の高感度が期待される
。この具体例として前記の公知例は、基板上に反射層と
してＡｌ膜、透過層としてＳｔｏｗ膜、記録吸収膜とし
てＴ１又はＴｅ膜を開示している。
しかし、この３層構造で最も重要なポイントは５０Ａ厚
の記録吸収膜の材質である。吸収効果をもたせるために
は、金属であることが必要であるが金属は酸化され、か
つその酸化金属は透明なため、になってしまい、記録の
保持性がない。上記の例では酸化されにくい代表として
５０Ｘ厚のＴｉを選んだが、Ｔｌの蒸発砿二要するエネ
ルギーが大きくため高感度（二ならず、かつ寿命も短か
い。一方５ｏλのＴ・膜ではエネルギーが少なくてすむ
ため、高感度（二はなるが、直ち（二酸化され極めて短
寿命であるという大きな欠点をもつ。
の記録吸収膜の材質である。吸収効果をもたせるために
は、金属であることが必要であるが金属は酸化され、か
つその酸化金属は透明なため、になってしまい、記録の
保持性がない。上記の例では酸化されにくい代表として
５０Ｘ厚のＴｉを選んだが、Ｔｌの蒸発砿二要するエネ
ルギーが大きくため高感度（二ならず、かつ寿命も短か
い。一方５ｏλのＴ・膜ではエネルギーが少なくてすむ
ため、高感度（二はなるが、直ち（二酸化され極めて短
寿命であるという大きな欠点をもつ。
又、透過層は波長の％倍の厚さを必要とする。
通常これら光記鍮媒体はディスク鳳をした光デイスクメ
モリー４二使用され、かつ半導体レーザな使用するので
その発振波長である約ｇｏｏｏ Ｘのに、即ち約２００
０１の膜厚を必要とし、ディスクも直径Ｉ函と大きい。
モリー４二使用され、かつ半導体レーザな使用するので
その発振波長である約ｇｏｏｏ Ｘのに、即ち約２００
０１の膜厚を必要とし、ディスクも直径Ｉ函と大きい。
又、そのディスクとなる基板材も、記録の高密度化のた
め、基板面４二あらかじめレーザー元の案内溝な作って
おく必要があり、その案内溝を容易に作る４二はプラス
チック成層が最も喪い。従って、透過層を作る（二は、
直径３０儂のプラスチック板上に２０００ムの厚さを均
一に形成できる条件を満足せねばならない。通常は、５
ｔｏｆｆｉｐ、υ＾等の透明無機膜をスパッター等で形
成するのがよいが、これらの膜の成長速度は２０又／分
と遅く、２０００ Ａ （：するため（二は１００分程
公租スパッタ時間を要する。スパッタ法は無機絶縁膜を
均一４；付けるＣ−は最も良い手段だが、電離イオンが
基板を照射するため、耐熱性のすぐれた基板Ｃ＝シか使
えないという欠点をもつ。耐熱性温度が５０〜７０′Ｏ
のプラスチック板では、通常のスパッタ法で３公租度で
熱変形を起し、とうてい２０００ Ａの無機透明膜は形
成できカい。スパッタ法自体も改良が施されつつおるが
成長速度が遅く、かつ根本的にイオンの照射がさけられ
ないので、プラスチック上に２００ＯＡの透明無機膜を
形成させることは不可能である。プラスチックの材質を
かえるのが嵐いが上記１μｍ幅以下の案内溝を成形させ
る（二は、アクリル、エンカビニール、ボリカーボナイ
ト等の有機ポリマーをキャステング、インジエクシ冒ン
、：Ｉンプレツ７ヨン法等で成形させざるを得ないので
必然的に基板は、５０′Ｃ〜７０℃の耐熱性しかない。
め、基板面４二あらかじめレーザー元の案内溝な作って
おく必要があり、その案内溝を容易に作る４二はプラス
チック成層が最も喪い。従って、透過層を作る（二は、
直径３０儂のプラスチック板上に２０００ムの厚さを均
一に形成できる条件を満足せねばならない。通常は、５
ｔｏｆｆｉｐ、υ＾等の透明無機膜をスパッター等で形
成するのがよいが、これらの膜の成長速度は２０又／分
と遅く、２０００ Ａ （：するため（二は１００分程
公租スパッタ時間を要する。スパッタ法は無機絶縁膜を
均一４；付けるＣ−は最も良い手段だが、電離イオンが
基板を照射するため、耐熱性のすぐれた基板Ｃ＝シか使
えないという欠点をもつ。耐熱性温度が５０〜７０′Ｏ
のプラスチック板では、通常のスパッタ法で３公租度で
熱変形を起し、とうてい２０００ Ａの無機透明膜は形
成できカい。スパッタ法自体も改良が施されつつおるが
成長速度が遅く、かつ根本的にイオンの照射がさけられ
ないので、プラスチック上に２００ＯＡの透明無機膜を
形成させることは不可能である。プラスチックの材質を
かえるのが嵐いが上記１μｍ幅以下の案内溝を成形させ
る（二は、アクリル、エンカビニール、ボリカーボナイ
ト等の有機ポリマーをキャステング、インジエクシ冒ン
、：Ｉンプレツ７ヨン法等で成形させざるを得ないので
必然的に基板は、５０′Ｃ〜７０℃の耐熱性しかない。
別（二反射膚の材質にも問題がある。通常ＡＪ膜を使用
するが、半導体レーザーの兄振波量である０、８μｍ近
辺ではＡｊ自体の反射率が低下Ｕｔしめる一層であり、
ＡＪ−〇費面状−シ二反射単は大きく値合し、均一な反
射率をもった膜を舛構性よく得ることが非常伸暖かしい
。ＡｊｌＡの表面の粗れは通常きルキーと呼ばれるが、
Ａｊ表函の鹸化度合と密接４：関連しており、０．８
Ｊ１ｍ仮長での反射率ｔｌ′３ｏ工直径の大面積で均一
（＝作成することは惚めて−かしく１．υ膜では不可能
とさえいえる。
するが、半導体レーザーの兄振波量である０、８μｍ近
辺ではＡｊ自体の反射率が低下Ｕｔしめる一層であり、
ＡＪ−〇費面状−シ二反射単は大きく値合し、均一な反
射率をもった膜を舛構性よく得ることが非常伸暖かしい
。ＡｊｌＡの表面の粗れは通常きルキーと呼ばれるが、
Ａｊ表函の鹸化度合と密接４：関連しており、０．８
Ｊ１ｍ仮長での反射率ｔｌ′３ｏ工直径の大面積で均一
（＝作成することは惚めて−かしく１．υ膜では不可能
とさえいえる。
本発明は上記の欠点を全てと９＊き、３層構造の最もす
ぐれた高感度性と１％Ｓ／Ｎ性をもち、かつ長寿命で安
価な光記録ディスクを提供することを目的とする。
ぐれた高感度性と１％Ｓ／Ｎ性をもち、かつ長寿命で安
価な光記録ディスクを提供することを目的とする。
本発明は３層構造（二おける元吸収層が２５〜６００υ
の融点をもつ金属と、Ｎ、Ｃ，Ｈ，０，Ｐのうちの少な
くとも１ｍの元素とからなる膜で榊成したこと区二ｑ＃
徴を有する。
の融点をもつ金属と、Ｎ、Ｃ，Ｈ，０，Ｐのうちの少な
くとも１ｍの元素とからなる膜で榊成したこと区二ｑ＃
徴を有する。
本発明直；よれば従来の３ノー構造の記録縄体ζ二比べ
尚慈駄かつ長寿確の記録媒体とすることができる。
尚慈駄かつ長寿確の記録媒体とすることができる。
以下、図面を用いで不強明を詳細に説明する。
第２図は本発明の３ノー構造を有する元学的情報記録脈
体（Ｄｅ属を示す図で、（勘は基板、＠は反射）−１ｂ
５は光透過層、Ｉは光吸収層である。ここで不究明にあ
ってはこの光吸収層ｔｌｌｔ、２５〜６００’０の一点
をもつ金属と、Ｃ，Ｎ、Ｉｉ、０．Ｐのうち少なくとも
ｌ稙の元系とからなる。
体（Ｄｅ属を示す図で、（勘は基板、＠は反射）−１ｂ
５は光透過層、Ｉは光吸収層である。ここで不究明にあ
ってはこの光吸収層ｔｌｌｔ、２５〜６００’０の一点
をもつ金属と、Ｃ，Ｎ、Ｉｉ、０．Ｐのうち少なくとも
ｌ稙の元系とからなる。
この記録編Ｑ〜の形成法の一例はＣ＆ガスとＡｒガスと
の適合ガス中でＴ＠をスパッタリングする方法でおる。
の適合ガス中でＴ＠をスパッタリングする方法でおる。
出来た瞑は金ＸＴ・と−〇１１薯−Ｃｕｔ −（Ｊ（基
とが菖入混伍した非晶質の楓で心り、４１１Ｘ上、（Ｔ
・−Ｃ）誤と名付けておく。この−の特長は賦化されな
いこと、吸収係畝が２に、ｊ：あること、Ｔ・単体臓よ
りも高ｉＩＡ藏厭でめること、スパッタ（二よる形成の
ため、均一性のよい属が容易（二得られること等でおる
。
とが菖入混伍した非晶質の楓で心り、４１１Ｘ上、（Ｔ
・−Ｃ）誤と名付けておく。この−の特長は賦化されな
いこと、吸収係畝が２に、ｊ：あること、Ｔ・単体臓よ
りも高ｉＩＡ藏厭でめること、スパッタ（二よる形成の
ため、均一性のよい属が容易（二得られること等でおる
。
光Ｏ叡収効米は十分巡＝あり、感度もあり、優れている
ため、前述した元奴収ノーとしては最適の薄膜である。
ため、前述した元奴収ノーとしては最適の薄膜である。
壕だ光透過層−としては、ボリカーボナイト樹脂５二よ
るスパッタ編が最雇である。
るスパッタ編が最雇である。
前述の如く、透明無慎膜をプラスチック板上４二形城す
るのは不可能シニ近い。そこで、透に！Ａ有機属形成法
を棟々検討してきたが、３０１嵐径（二０．２μｍ厚を
均一６二形成させるＣユμ従来の有−編の形成法で６６
スビンナー汝、ドクターブレードｆｔｇ等では不可能で
ある。噛一つ、ホトレジスト塗布法があるが１００υ以
上の熱処理が必賛であり５ｏ〜７０υの耐熱性しかない
プラスチック基板ζ；は使用で亀ない。そのため、−明
有機属のスパッタ法′ｌｋ：櫨々開発し、アクリル板、
エンカビニール板、ポリカーボナイト板、ポリスチレン
愼（１１１品名ｉイッーλフッソー庸系の板（−品名テ
フロン）等をターゲツト材とし、それらの膜の成長速度
とできた膜の真面状層透明ｆ：會を−ベた結果、アクリ
ル着板等を熱変形させずに２０００又・厚Ｏ透＠ｇ＊作
る素材はポリカーボナイト系博膜が蛾遍であることが４
！１ｊ明した。
るのは不可能シニ近い。そこで、透に！Ａ有機属形成法
を棟々検討してきたが、３０１嵐径（二０．２μｍ厚を
均一６二形成させるＣユμ従来の有−編の形成法で６６
スビンナー汝、ドクターブレードｆｔｇ等では不可能で
ある。噛一つ、ホトレジスト塗布法があるが１００υ以
上の熱処理が必賛であり５ｏ〜７０υの耐熱性しかない
プラスチック基板ζ；は使用で亀ない。そのため、−明
有機属のスパッタ法′ｌｋ：櫨々開発し、アクリル板、
エンカビニール板、ポリカーボナイト板、ポリスチレン
愼（１１１品名ｉイッーλフッソー庸系の板（−品名テ
フロン）等をターゲツト材とし、それらの膜の成長速度
とできた膜の真面状層透明ｆ：會を−ベた結果、アクリ
ル着板等を熱変形させずに２０００又・厚Ｏ透＠ｇ＊作
る素材はポリカーボナイト系博膜が蛾遍であることが４
！１ｊ明した。
これで、無機膜で実搗で１１なかった光透過層が有機膜
で実現できる禄（二なった。
で実現できる禄（二なった。
′ｅＬζ；反射層ａ４の反射率の不拘−性はＡｊし特定
の金属をまぜて合金化し、そのＡ７会金属を形成するこ
と１；よｐ解決で龜る。その金属とはＣｍ、 Ｍｇｓ
８１ 。
の金属をまぜて合金化し、そのＡ７会金属を形成するこ
と１；よｐ解決で龜る。その金属とはＣｍ、 Ｍｇｓ
８１ 。
Ｆｅ ＠ Ｍｎ ”Ｃｈす、その組成比はいずれも１〜
５組二人っている。出来た編の組成比は定ｊｋが廟かし
く決定できないが、反射率の安定性、均一性、再議性（
二縦も貢献しているのはＣｕと８１である。しかしＭＨ
、Ｆ・、 Ｍｎ尋が入っている方が製造上極めて好まし
い。０．８μｍ近辺の反射率が単体ムｌ属よりも大きく
なっているφも記録媒体として好ましい方向でめ９、こ
れらの金属との合金化鴫；よタム４の結晶粒成長が押え
られ、酸化の度合も押えられたためと推定される。
５組二人っている。出来た編の組成比は定ｊｋが廟かし
く決定できないが、反射率の安定性、均一性、再議性（
二縦も貢献しているのはＣｕと８１である。しかしＭＨ
、Ｆ・、 Ｍｎ尋が入っている方が製造上極めて好まし
い。０．８μｍ近辺の反射率が単体ムｌ属よりも大きく
なっているφも記録媒体として好ましい方向でめ９、こ
れらの金属との合金化鴫；よタム４の結晶粒成長が押え
られ、酸化の度合も押えられたためと推定される。
これらの３橋のぶ子を組み合わせて、新記録媒体を作成
した。３棟共、スパツメ楓で作成で亀るので、襄造は憾
めて簡革である。
した。３棟共、スパツメ楓で作成で亀るので、襄造は憾
めて簡革である。
代表的な実施例として、＾密直用濤付龜アクリル板にＡ
ｊ９金穢をＡｒガス中のスパッタ法で０．１μｎａ ４
彫成し、続いてボリカーポナイト膜をＡｒガス中のス
パッタ法で０．２μｍ形成し、その後（Ｔｅ−ｃ）Ｍを
ＡｒガスとＣＨ４ガス中のスパッタ法で０．００５μｍ
形成した。この誠体編を基板と共（’：１８００１陣で
回転し、感度とＳｌＮ比を測定した。これを従来の反射
層がＵ虞、透過層が５ｉＯｔ膜吸収層がＴＩ漠の場令と
比軟すると、感度で２．５倍高感ｆζ；なり、Ｓ／Ｎ比
でＬ５倍向上した。この理由は（Ｔ・−ａ）膜自体の熱
伝導性が低い事、ボリカーボナイトがＳ１０意（二比べ
約牛分の熱伝導度しかないために＾感度となり、又反射
層のＡＪ合金編の反射率が向上したためにＳ／Ｎ比が上
ったためである。その他ζ；寿命の向上が最も大きい、
Ｔ・が５０Ａｏ−合、（資）’０．９０％（：、放置す
れば２日で透８Ａ４；なってし遣う。坤ち梅雨時−一は
金ｂメモリー機能がなくなつ”ＣＬ−１５が、５０Ａ
（Ｔｏ−ｏ ） Ｊｌｉ（ハ、７０℃、９（ＮＧ（二２
ケ月以上放置しても何ら変化しないａ ｉａ Ｉｔｇ二
換算すると、栃年以上変化・しないと推定できるので、
半永久的な長崎命性なもつこと（二なる。
ｊ９金穢をＡｒガス中のスパッタ法で０．１μｎａ ４
彫成し、続いてボリカーポナイト膜をＡｒガス中のス
パッタ法で０．２μｍ形成し、その後（Ｔｅ−ｃ）Ｍを
ＡｒガスとＣＨ４ガス中のスパッタ法で０．００５μｍ
形成した。この誠体編を基板と共（’：１８００１陣で
回転し、感度とＳｌＮ比を測定した。これを従来の反射
層がＵ虞、透過層が５ｉＯｔ膜吸収層がＴＩ漠の場令と
比軟すると、感度で２．５倍高感ｆζ；なり、Ｓ／Ｎ比
でＬ５倍向上した。この理由は（Ｔ・−ａ）膜自体の熱
伝導性が低い事、ボリカーボナイトがＳ１０意（二比べ
約牛分の熱伝導度しかないために＾感度となり、又反射
層のＡＪ合金編の反射率が向上したためにＳ／Ｎ比が上
ったためである。その他ζ；寿命の向上が最も大きい、
Ｔ・が５０Ａｏ−合、（資）’０．９０％（：、放置す
れば２日で透８Ａ４；なってし遣う。坤ち梅雨時−一は
金ｂメモリー機能がなくなつ”ＣＬ−１５が、５０Ａ
（Ｔｏ−ｏ ） Ｊｌｉ（ハ、７０℃、９（ＮＧ（二２
ケ月以上放置しても何ら変化しないａ ｉａ Ｉｔｇ二
換算すると、栃年以上変化・しないと推定できるので、
半永久的な長崎命性なもつこと（二なる。
以上代表的な実施例をのべた寮、透過層としてポリエチ
レンｍｓ、ａ状膜として（Ｔ・−Ｎ）、（’ｌ’ｅ −
Ｎ −ｃ ） 、 （Ｂｉ −ａ） −（Ｂｉ −Ｎ
）等の編を用いても同様な結果が得られる。
レンｍｓ、ａ状膜として（Ｔ・−Ｎ）、（’ｌ’ｅ −
Ｎ −ｃ ） 、 （Ｂｉ −ａ） −（Ｂｉ −Ｎ
）等の編を用いても同様な結果が得られる。
ｖ＃１図は、光学的情報記録媒体の断面図、第２図は本
＠明の一実施例を示す断面図である。 １１・・・基板 し・・・反射層 塾・・・光透
過層１４・・・光吸収層 代理人 弁理士 則 近 憲 佑（はか１名）第 １
図 第 ２ 図
＠明の一実施例を示す断面図である。 １１・・・基板 し・・・反射層 塾・・・光透
過層１４・・・光吸収層 代理人 弁理士 則 近 憲 佑（はか１名）第 １
図 第 ２ 図
Claims (3)
- （１） ある波長の光を反射する反射層と、この反射
層をおおい前記波長の光を実質的４；透過する光透過層
と、その光透過層をおおい前記波長の光を吸収する材料
からなる光吸収層とから成る光学的情報記録媒体（−お
いて、前記光吸収層が２５〜６００℃の融点をもつ全島
とＮ、 Ｃ，Ｈ，０，Ｐのうち少なくとも１種の元素と
からなる膜で構成されていることを％黴とする光学的情
報記録媒体。 - （２）前記光透過層が、ボリカーボナイト等の有機透明
膜で形成されていることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の光学的情報記録媒体。 - （３）前記反射層が、Ａ１合金属で形成されていること
を特徴とする特許請求の範囲１１１項記載の光学的情報
記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57039431A JPS58158054A (ja) | 1982-03-15 | 1982-03-15 | 光学的情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57039431A JPS58158054A (ja) | 1982-03-15 | 1982-03-15 | 光学的情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58158054A true JPS58158054A (ja) | 1983-09-20 |
Family
ID=12552802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57039431A Pending JPS58158054A (ja) | 1982-03-15 | 1982-03-15 | 光学的情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58158054A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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1982
- 1982-03-15 JP JP57039431A patent/JPS58158054A/ja active Pending
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