JPS5990244A - 光学記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
光学記録媒体およびその製造方法Info
- Publication number
- JPS5990244A JPS5990244A JP57198978A JP19897882A JPS5990244A JP S5990244 A JPS5990244 A JP S5990244A JP 57198978 A JP57198978 A JP 57198978A JP 19897882 A JP19897882 A JP 19897882A JP S5990244 A JPS5990244 A JP S5990244A
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- JP
- Japan
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- polyfluorocarbon
- optical recording
- substrate
- recording
- film
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/251—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials dispersed in an organic matrix
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
４１：発明Ｖ１１、レーザ光の熱作用により情報を記録
４るレーリ゛記Ｈに関し、７ｔｈに経時安定性に優れ、
かつ高１１℃冒縫のｙｃ ’？記記録科料よびその製造
方法に一関−４るも０）でＡりる。
４るレーリ゛記Ｈに関し、７ｔｈに経時安定性に優れ、
かつ高１１℃冒縫のｙｃ ’？記記録科料よびその製造
方法に一関−４るも０）でＡりる。
レーザ記録のうち、レーザ光の熱作用により情報全記録
するヒートモード型レーザ記録ｔま、人容１杖ファイル
メモリとしての利１１］が仁Ｑ ＩＩされている。
するヒートモード型レーザ記録ｔま、人容１杖ファイル
メモリとしての利１１］が仁Ｑ ＩＩされている。
従来、このような記録に用いる記録媒体としてケ」、Ｔ
ｉ 、 Ｂｉ、 、 Ｔｅなどの金属薄膜あるいはＡｓ
、 Ｓｅ。
ｉ 、 Ｂｉ、 、 Ｔｅなどの金属薄膜あるいはＡｓ
、 Ｓｅ。
Ｔｅ 、 Ｇｅなどからなるカルコゲナイドガラス薄膜
が知られている。そして、これら記録媒体のうちでモ、
Ｔｅ薄膜が感度やコントラストなどの記録特性の点で優
れている。しかし、Ｔｅ薄膜Ｖま耐候性の点で劣るため
、これを空気中に放ｌ？すすると酸化劣化が生じ、反射
率および透過率が低Ｆする。そのため、長期間にわたる
使用や１ｖ存により記録感度の低重やＳ／ＩＪの劣化が
生じるという問題点をイＩしている。
が知られている。そして、これら記録媒体のうちでモ、
Ｔｅ薄膜が感度やコントラストなどの記録特性の点で優
れている。しかし、Ｔｅ薄膜Ｖま耐候性の点で劣るため
、これを空気中に放ｌ？すすると酸化劣化が生じ、反射
率および透過率が低Ｆする。そのため、長期間にわたる
使用や１ｖ存により記録感度の低重やＳ／ＩＪの劣化が
生じるという問題点をイＩしている。
そこで、本発明の目的は、上述の問題点を解決し、耐候
性に優れ、かつ記′Ｄ！ｒ＆度の高い光学記録材料を提
供することにある。
性に優れ、かつ記′Ｄ！ｒ＆度の高い光学記録材料を提
供することにある。
本発明の他のｔ４的は、このようなソロ学記録材料を簡
単な工程で製造することのできる製造方法秀−提供する
ことにある。
単な工程で製造することのできる製造方法秀−提供する
ことにある。
そのだめシト、本発明光学記録材利け、Ｔｅヶ含含有サ
ムポリフルオロカーボンのスパック膜をＭ＆板トに関着
して構成する。
ムポリフルオロカーボンのスパック膜をＭ＆板トに関着
して構成する。
かかる光学記録材料を裳清するにあたって、本発明方法
では、Ｊｌ（板に対して、Ｔｅおよびポリフルオロカー
ボンを同時にスパッタすることにより、Ｔｅを含有した
ポリフルオロカーボンのスパッタ膜４基板上に形成する
。
では、Ｊｌ（板に対して、Ｔｅおよびポリフルオロカー
ボンを同時にスパッタすることにより、Ｔｅを含有した
ポリフルオロカーボンのスパッタ膜４基板上に形成する
。
以Ｆに図面を参照１７て本発明をｄ″Ｃ細に説明する。
１ず、本発明による記録材料の鳴音方法を先に説明４−
る。第１図は本発明による光学記録材料の製潰方法を実
施するための装置の一例を７５＜ず模式図であり、本例
では２極高周波スパッタ゛庚置を用いている。図中、／
は真空容器、）は容器／へのガス導入（１，３は容器／
からの排気［二１、≠およびψ′は７７、に対向して配
置した高層θｕｌ（？、極、Ｓは電極り上にＩｉ＆１１
′１′シブとｉ’ｅのターゲット、乙はＴｅターゲット
ｓ上に載置したポリフルオロカーボン片によるターゲッ
ト、７は゛１１ｆ、極ｔ′に取イ・ｊけたシと板である
。
る。第１図は本発明による光学記録材料の製潰方法を実
施するための装置の一例を７５＜ず模式図であり、本例
では２極高周波スパッタ゛庚置を用いている。図中、／
は真空容器、）は容器／へのガス導入（１，３は容器／
からの排気［二１、≠およびψ′は７７、に対向して配
置した高層θｕｌ（？、極、Ｓは電極り上にＩｉ＆１１
′１′シブとｉ’ｅのターゲット、乙はＴｅターゲット
ｓ上に載置したポリフルオロカーボン片によるターゲッ
ト、７は゛１１ｆ、極ｔ′に取イ・ｊけたシと板である
。
本発明７（、学記録何半′１の製Ｉｉにあたっては、“
まず、Ｌ′工空容器／を真空に排気した後、不活性ガス
をガス導入口コより容器／内へ導入する。その後、高周
波電極１１′との間に高周波”１ｆ−１，圧を印加して
放電を起こさせる。ここで、不活性ガスとし７てはＡ、
ｒやｌｉｅなどを用いることができる。この放’ｔ（ｉ
、によりターゲットよおよび乙をスパック［７て）重板
７上にスパッタ膜を形成するわけであるが、本例では、
ターゲットとしてはＴｅ円板によるターゲットＳとその
上に格子点状に規則的に配：；ｔしたポリフルオロカー
ボン片６とからなるものを用いる。このようなターゲッ
トな一用いることにより、ポリフルオロカーボン片＆の
個数を変え、以てＴｅとポリフルオロカーボンとの表面
積比を適切に選定することにより、７４１；板７上に得
られるスパッタ膜の組成４容易に制御できる。ここで、
ポリフル副ロカーボンとしては、ポリ四弗化エチレン、
ポリ三弗化エチレン、ポリ三弗化塩化エチレン、ポリ六
弗化プロピレンなどを用いることができる。以上の工程
によす、Ｔｅを含有したポリフルオロカーボンのスパッ
タ膜が基板７上に形成される。
まず、Ｌ′工空容器／を真空に排気した後、不活性ガス
をガス導入口コより容器／内へ導入する。その後、高周
波電極１１′との間に高周波”１ｆ−１，圧を印加して
放電を起こさせる。ここで、不活性ガスとし７てはＡ、
ｒやｌｉｅなどを用いることができる。この放’ｔ（ｉ
、によりターゲットよおよび乙をスパック［７て）重板
７上にスパッタ膜を形成するわけであるが、本例では、
ターゲットとしてはＴｅ円板によるターゲットＳとその
上に格子点状に規則的に配：；ｔしたポリフルオロカー
ボン片６とからなるものを用いる。このようなターゲッ
トな一用いることにより、ポリフルオロカーボン片＆の
個数を変え、以てＴｅとポリフルオロカーボンとの表面
積比を適切に選定することにより、７４１；板７上に得
られるスパッタ膜の組成４容易に制御できる。ここで、
ポリフル副ロカーボンとしては、ポリ四弗化エチレン、
ポリ三弗化エチレン、ポリ三弗化塩化エチレン、ポリ六
弗化プロピレンなどを用いることができる。以上の工程
によす、Ｔｅを含有したポリフルオロカーボンのスパッ
タ膜が基板７上に形成される。
なお、かかるターゲットとしては、上側とは逆にポリフ
ルオロカーボン円板上にＴｅ片を配置したものに用いて
も同じようにＴｅ含有ポリフルオロカーボンのスパッタ
膜ン：形成することができる。川に寸だ、Ｔｅ円板とポ
リフルオロカーボン円板のユつのターゲットを用い、基
板を回転しながらこのλつのターゲットを同時にスパッ
タすることによってもこの種のスパッタ膜を形成するこ
とができる。
ルオロカーボン円板上にＴｅ片を配置したものに用いて
も同じようにＴｅ含有ポリフルオロカーボンのスパッタ
膜ン：形成することができる。川に寸だ、Ｔｅ円板とポ
リフルオロカーボン円板のユつのターゲットを用い、基
板を回転しながらこのλつのターゲットを同時にスパッ
タすることによってもこの種のスパッタ膜を形成するこ
とができる。
以」−のようにして得られたスパッタ膜では、Ｔｅが非
晶ｄ状＋、ｉｔｆで存在する。これはＴｅとポリフルオ
ロカーボンとが同時にスパッタされたために生ずるもの
と−・巧えられる。そして、示差熱測定を行なうと、７
００〜／ｊＯ℃の範囲に非晶質Ｔｅの結晶化によるうＬ
（１１ビークが観１１＋１１された。この結晶化により
スパッタ膜の反射率は増加し、透Ｊ＾゛＾率は低下する
。
晶ｄ状＋、ｉｔｆで存在する。これはＴｅとポリフルオ
ロカーボンとが同時にスパッタされたために生ずるもの
と−・巧えられる。そして、示差熱測定を行なうと、７
００〜／ｊＯ℃の範囲に非晶質Ｔｅの結晶化によるうＬ
（１１ビークが観１１＋１１された。この結晶化により
スパッタ膜の反射率は増加し、透Ｊ＾゛＾率は低下する
。
１泊つＣＸＴｅ ６有ポ°リフルオロカーボンのスパッ
タ膜にレーリ゛ソ１）を１１（（射してその照射部分を
加熱し、それによ、ｉ〕、ｌ！（ｉ射部分の反射率ある
いは透過率を要件１さＩＪ：ることによって情報をレー
ザ記録することかできる。あるいは−また、加熱による
溶融および蒸発を利用して孔を形ｊｊもすることによっ
ても清を侵存・ｄ１２録することが＋１工能である。
タ膜にレーリ゛ソ１）を１１（（射してその照射部分を
加熱し、それによ、ｉ〕、ｌ！（ｉ射部分の反射率ある
いは透過率を要件１さＩＪ：ることによって情報をレー
ザ記録することかできる。あるいは−また、加熱による
溶融および蒸発を利用して孔を形ｊｊもすることによっ
ても清を侵存・ｄ１２録することが＋１工能である。
ここで上述の結晶化現象を利用（〜で記録を行う場合に
ハ、Ｔｅ含有月（リフル第１ゴカーボンのスパッタ１１
％上に透明性のよい高分子膜、例えばア、クリル膜ある
いはＴｅを含寸ないポリフル：Ａτコカーボンスパツタ
膜（例えばポリ四弗化エチ１／ンスパツタ）漠）あるい
はＳｉｎ、、膜などの誘７１６体膜などＡ保ｉ！’ｇ膜
として設けてＴｅ含有ポリフルオロカーボンスパッタ膜
の蒸発をＨノ４ぐ構造とするのが好適である１、さらに
まだ、溶融および蒸発現象を利用して記録を行なう場合
には、膜をあらかじめｐ１４処理して結晶化させた膜を
用いることもできる。
ハ、Ｔｅ含有月（リフル第１ゴカーボンのスパッタ１１
％上に透明性のよい高分子膜、例えばア、クリル膜ある
いはＴｅを含寸ないポリフル：Ａτコカーボンスパツタ
膜（例えばポリ四弗化エチ１／ンスパツタ）漠）あるい
はＳｉｎ、、膜などの誘７１６体膜などＡ保ｉ！’ｇ膜
として設けてＴｅ含有ポリフルオロカーボンスパッタ膜
の蒸発をＨノ４ぐ構造とするのが好適である１、さらに
まだ、溶融および蒸発現象を利用して記録を行なう場合
には、膜をあらかじめｐ１４処理して結晶化させた膜を
用いることもできる。
本発明による光学記＠、Ａ ４，１判は、光の吸収効率
が高く、しかも結晶化イ（・起すＭＡ ｆｆＬも低い。
が高く、しかも結晶化イ（・起すＭＡ ｆｆＬも低い。
まだ、溶融および蒸発などの！［イ性もＴｅ１ｌ侍（Ｉ
−人さな差異がない。従って、本発明光学記録月利り口
＋’Ａ ＭＣおよびコントラストなどの記録！１ｑ性の
点で１・ψれている。さらに、本う６明による光学記録
材１′１の利点ｄ、１ψれた１、ｎｌ （１，’４ ト
十”；ａ： イ＋用７ていることにあり、そのため、光
学記ＩＡ月料の長期間にわかる使用および保存がｏｆ能
である。この耐候１１：向上のへ辻囚は明らかではない
が、Ｔｅとポリフルオロカーボンとが同時にスノぐツタ
されて膜中に其存するだめに生ずると考えられる。その
他、本発明光学記録材料は通常のスパッタ内１斤を月１
いて製造することができるので、均一な膜１’Ｘの膜が
得や−）′＜、しかもその作ＩＵが容易であるというｆ
ｌ１点噴−・有り、ている。
−人さな差異がない。従って、本発明光学記録月利り口
＋’Ａ ＭＣおよびコントラストなどの記録！１ｑ性の
点で１・ψれている。さらに、本う６明による光学記録
材１′１の利点ｄ、１ψれた１、ｎｌ （１，’４ ト
十”；ａ： イ＋用７ていることにあり、そのため、光
学記ＩＡ月料の長期間にわかる使用および保存がｏｆ能
である。この耐候１１：向上のへ辻囚は明らかではない
が、Ｔｅとポリフルオロカーボンとが同時にスノぐツタ
されて膜中に其存するだめに生ずると考えられる。その
他、本発明光学記録材料は通常のスパッタ内１斤を月１
いて製造することができるので、均一な膜１’Ｘの膜が
得や−）′＜、しかもその作ＩＵが容易であるというｆ
ｌ１点噴−・有り、ている。
以下に本発明の実施例を示す。
実施例
／θＣｍ ｊ％、の″ｒｅ円板上に５ｍｍ角のポリ四弗
化エチレンを４゛６子点状に規則的に配置したものｋ・
ターゲットとしてスパッタを行なった。Ｔｅとポリ四弗
化エチレンとの大間積比は９：／とし、基板には厚さ／
、３ｍｍのポリメヂルメタクリレート樹脂を用いた。
化エチレンを４゛６子点状に規則的に配置したものｋ・
ターゲットとしてスパッタを行なった。Ｔｅとポリ四弗
化エチレンとの大間積比は９：／とし、基板には厚さ／
、３ｍｍのポリメヂルメタクリレート樹脂を用いた。
スパッタ条１・１゛はＡｒガス圧／×ｌθ−２Ｔｏｒｒ
および放’ｒ１．Ｉ： ’ｉｌＵ力ｉｏｏ ｗであり、
約７分間スパッタしたところ、基板−りにノθｎｍのス
パッタ膜が形成された。
および放’ｒ１．Ｉ： ’ｉｌＵ力ｉｏｏ ｗであり、
約７分間スパッタしたところ、基板−りにノθｎｍのス
パッタ膜が形成された。
ついＣ１こσ））’（：学記録媒体に波長ｇ３０ ｎｍ
のＧａＡｓ半導体レーザで記録と再生を？ｊなった。そ
の結果を第２［Ａに示す。ここで、記録媒体上のレーザ
パワー１． ｍＷおよびビーム径／馬μｍで記録を行す
い、ｏ、ｓ ｍＷのレーザパワーでｅｆ生不・行なった
。第、２図の横軸は半導体レーザのパルス’１Ｑｉｌ、
（ｎＳｅＣ）、縦軸はｒＱ生信号出力、１なわち記録前
後の反射光強度の差（相対値）をそれぞれ表わしている
。丑だ、図中の白丸は反射強度が記録１（１１に比べて
記１ｉ１メ後に減少しだ（場合金子しており、黒丸は逆
に増加した場合を示しＣいる。つ−まり、白丸のパルス
幅では膜が溶融および蒸発により孔がおいていることを
、また黒丸のパルス幅でｉＪ、孔があかずに結晶化が起
っていることを〕」テしている。この結果から、本実施
例の記録媒体が高い記ｒ≠１１ψ度を有していること、
および記（ｔｖま溶融・蒸発による孔形成を利用するの
に適した記録媒体であることがわかった。
のＧａＡｓ半導体レーザで記録と再生を？ｊなった。そ
の結果を第２［Ａに示す。ここで、記録媒体上のレーザ
パワー１． ｍＷおよびビーム径／馬μｍで記録を行す
い、ｏ、ｓ ｍＷのレーザパワーでｅｆ生不・行なった
。第、２図の横軸は半導体レーザのパルス’１Ｑｉｌ、
（ｎＳｅＣ）、縦軸はｒＱ生信号出力、１なわち記録前
後の反射光強度の差（相対値）をそれぞれ表わしている
。丑だ、図中の白丸は反射強度が記録１（１１に比べて
記１ｉ１メ後に減少しだ（場合金子しており、黒丸は逆
に増加した場合を示しＣいる。つ−まり、白丸のパルス
幅では膜が溶融および蒸発により孔がおいていることを
、また黒丸のパルス幅でｉＪ、孔があかずに結晶化が起
っていることを〕」テしている。この結果から、本実施
例の記録媒体が高い記ｒ≠１１ψ度を有していること、
および記（ｔｖま溶融・蒸発による孔形成を利用するの
に適した記録媒体であることがわかった。
つぎに、本実施例の記録媒体にス、ｊしてｔ１０℃。
ワＯ％相対湿度の環境下で加ｆ−１〜度劣化テストを行
なったところ、ｊケ月経過後にも反射率の低下分−７１
サナカＺ’ ；’ｊ。Ｔｅ蒸着１１１ｋに対して同様σ
） ］、￥ｔ ）ｌ義−Ｆ−で）１１１速ＩＪＶ劣化テ
ストを行なったところ、約２ＪＪ ＋ｉｊ１で１ｔψ化
劣化のために反射率が明期値σ）１０％ＩｔＣ４４’；
トしノこ。
なったところ、ｊケ月経過後にも反射率の低下分−７１
サナカＺ’ ；’ｊ。Ｔｅ蒸着１１１ｋに対して同様σ
） ］、￥ｔ ）ｌ義−Ｆ−で）１１１速ＩＪＶ劣化テ
ストを行なったところ、約２ＪＪ ＋ｉｊ１で１ｔψ化
劣化のために反射率が明期値σ）１０％ＩｔＣ４４’；
トしノこ。
この結果から、本実施例の記録媒トトカ；１！１Ｋ）で
１ｆ１ｉ：ｔ （＋美性に１憂れていることがオつかっ
た。
１ｆ１ｉ：ｔ （＋美性に１憂れていることがオつかっ
た。
（実施例２）
実施例１のポリ四弗化エチレンの代才）りに、ｊＣＩＪ
玉１ｌｌｌ 化１４．（化エチレンを用い、その他は実
ｂ１１ｉ例１２二同様にし−Ｃ記録媒体を形成したとこ
ろ、記録１１懸Ｉ用、！、−よひ糾７時安定骨ともに実
施、例１と同様な結ｑ４力ζ得られた。
玉１ｌｌｌ 化１４．（化エチレンを用い、その他は実
ｂ１１ｉ例１２二同様にし−Ｃ記録媒体を形成したとこ
ろ、記録１１懸Ｉ用、！、−よひ糾７時安定骨ともに実
施、例１と同様な結ｑ４力ζ得られた。
（実ｂｎｉ（（ｉｆ ５ ）
’Ａ ｈ（ｌｉ （＞１１１７／） Ｔｅとポリ四弗化
エチレンの表面４占」Ｌ苓ｌ：／とし、スパッタ条件を
実施例１と同じノ二なして約３分間スパッタし、基板上
にＩ’Ｊさ左Ｏｎｍのスパッタ膜を形成した。そσ）ス
ノぐツク膜σ）、、に（ｌ（ユサＣ，Ｉｔｒｃポリ四弗
化エチレンをクーゲ゛ント、！：Ｌ、Ｉ’″Ｉす１００
Ｔｌ１１１のホリ四弗化エチレンスノぐ゛シタ１Ｉｂ
ｓ１：′り１１・°５１と１ 、 −’Ｃ １１多戒し
た。
エチレンの表面４占」Ｌ苓ｌ：／とし、スパッタ条件を
実施例１と同じノ二なして約３分間スパッタし、基板上
にＩ’Ｊさ左Ｏｎｍのスパッタ膜を形成した。そσ）ス
ノぐツク膜σ）、、に（ｌ（ユサＣ，Ｉｔｒｃポリ四弗
化エチレンをクーゲ゛ント、！：Ｌ、Ｉ’″Ｉす１００
Ｔｌ１１１のホリ四弗化エチレンスノぐ゛シタ１Ｉｂ
ｓ１：′り１１・°５１と１ 、 −’Ｃ １１多戒し
た。
こ（７）記Ｐ＋′媒１１りに対し７て、実Ｊｊｌｊ例１
と同様に半導体レーザで記録と出生を行なった結果を第
３図に示す。本実施例では、Ｔｅを含イ１したス，＜ツ
タ層」二にポリ四弗化エチレンのスパッタ）ｊりが存Ｃ
ｔ：．−Ｊ”るため、結晶化によって記録が行なわれる
０，経つで、第３図では、記録によつ゛Ｃ反射率噌増加
生じている。第３図から、溶融および蒸づθ（ｌｌ Ｊ
ｌｌ ｔ，た実７１１１ｉ例１に較べ、結晶化を利用し
た本実屏（１例の場合の方がＰＪ生信号出力に低下がみ
られるが、記録ｉ＋１４度は実施例１と同様に高く、し
かも４た記録層上に保脆層に．設′けているので耐候性
など経時安定性が実施例１より優れていることが期待で
きる。
と同様に半導体レーザで記録と出生を行なった結果を第
３図に示す。本実施例では、Ｔｅを含イ１したス，＜ツ
タ層」二にポリ四弗化エチレンのスパッタ）ｊりが存Ｃ
ｔ：．−Ｊ”るため、結晶化によって記録が行なわれる
０，経つで、第３図では、記録によつ゛Ｃ反射率噌増加
生じている。第３図から、溶融および蒸づθ（ｌｌ Ｊ
ｌｌ ｔ，た実７１１１ｉ例１に較べ、結晶化を利用し
た本実屏（１例の場合の方がＰＪ生信号出力に低下がみ
られるが、記録ｉ＋１４度は実施例１と同様に高く、し
かも４た記録層上に保脆層に．設′けているので耐候性
など経時安定性が実施例１より優れていることが期待で
きる。
以上説明したように、本発明光学１尼緑材料Ｖ．１１、
高感ルフ）優れた記録！１”を性をイｒし、しかも紅時
安＞１性の点でも優れている。さらに、本発明ｙｔ学記
録材判は）ＩＱ常のスパッタ法簑利用して製造できるσ
）で、その製造Ｉ程が１１１１便であるという利点り・
イｊしている。
高感ルフ）優れた記録！１”を性をイｒし、しかも紅時
安＞１性の点でも優れている。さらに、本発明ｙｔ学記
録材判は）ＩＱ常のスパッタ法簑利用して製造できるσ
）で、その製造Ｉ程が１１１１便であるという利点り・
イｊしている。
従って、本発明記録媒体シ」、人界Ｌｌｉファイルメモ
リとして有効に適用することができる。
リとして有効に適用することができる。
２４５７図は本発明の製造方法を実が１１するだめの装
置の一例を示す模式図、第２図および第３図は本発明光
学記録材料の記録！ＩＩｒ性を７ｊテず／ｌ’！１１１
曲線１・４である。 ／ ・貞空容器、 ！・・ガス導入［Ｉ。 ３・・ガス排気］」、 グ、４／′ ・・高周波’ｉ（ｆ、極、５・・・Ｔｅ
円板ターゲット、 乙・・ポリフルオロカーボン片、 ７ 基板。 ′１！１訂出願人 ＬＪ本゛１１Ｌ信電話公社第１図 ３２２− 曜ｍｌ菅塾へ体慎東塑）
置の一例を示す模式図、第２図および第３図は本発明光
学記録材料の記録！ＩＩｒ性を７ｊテず／ｌ’！１１１
曲線１・４である。 ／ ・貞空容器、 ！・・ガス導入［Ｉ。 ３・・ガス排気］」、 グ、４／′ ・・高周波’ｉ（ｆ、極、５・・・Ｔｅ
円板ターゲット、 乙・・ポリフルオロカーボン片、 ７ 基板。 ′１！１訂出願人 ＬＪ本゛１１Ｌ信電話公社第１図 ３２２− 曜ｍｌ菅塾へ体慎東塑）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）ブ、（板を；ｒＦ Ｌ、、Ｔｅを３イデさせたポリ
フル副ロカーボンのスパッタ膜を前記基板上に被着した
ことを１１！Ｊ・徴と−）る光学記録材料。 ２） ’ｌ＋許口［１）求の範囲第１項記載の光学記
録材料に： ：Ｉ５− イテ、前記スパッタ膜の上に透
明保護膜を設けたことを特徴とする光学記録材料。 ｓ ） Ｊ＋１４Ｍに対し゛て、Ｔｅおよびホ゛リフ
ルオロカーボンを同時にスパックすることによりＴｅを
・含イｊし／ζホ′リフルメロカーボンのスパッタ１戻
を前記７．ｉ、板上に？１＋ることを特徴とする光学記
録イオ料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57198978A JPS5990244A (ja) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | 光学記録媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57198978A JPS5990244A (ja) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | 光学記録媒体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5990244A true JPS5990244A (ja) | 1984-05-24 |
| JPH0319628B2 JPH0319628B2 (ja) | 1991-03-15 |
Family
ID=16400084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57198978A Granted JPS5990244A (ja) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | 光学記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5990244A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008197046A (ja) * | 2007-02-15 | 2008-08-28 | Aisan Ind Co Ltd | レゾルバ |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55126480A (en) * | 1979-03-26 | 1980-09-30 | Hitachi Ltd | Recording member |
| JPS5662192A (en) * | 1979-10-29 | 1981-05-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Medium for optical recording use and preparation thereof |
| JPS589233A (ja) * | 1981-07-10 | 1983-01-19 | Toshiba Corp | 光学的情報記録媒体 |
-
1982
- 1982-11-15 JP JP57198978A patent/JPS5990244A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55126480A (en) * | 1979-03-26 | 1980-09-30 | Hitachi Ltd | Recording member |
| JPS5662192A (en) * | 1979-10-29 | 1981-05-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Medium for optical recording use and preparation thereof |
| JPS589233A (ja) * | 1981-07-10 | 1983-01-19 | Toshiba Corp | 光学的情報記録媒体 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008197046A (ja) * | 2007-02-15 | 2008-08-28 | Aisan Ind Co Ltd | レゾルバ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0319628B2 (ja) | 1991-03-15 |
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