JPH0473387B2 - - Google Patents
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- JPH0473387B2 JPH0473387B2 JP59213003A JP21300384A JPH0473387B2 JP H0473387 B2 JPH0473387 B2 JP H0473387B2 JP 59213003 A JP59213003 A JP 59213003A JP 21300384 A JP21300384 A JP 21300384A JP H0473387 B2 JPH0473387 B2 JP H0473387B2
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は光ビームを用いて情報が記録される光
情報記録媒体に関し、特に小さい光エネルギーに
て情報を記録することができる記録薄膜に関する
ものである。
情報記録媒体に関し、特に小さい光エネルギーに
て情報を記録することができる記録薄膜に関する
ものである。
（従来技術）
光情報記録媒体において、記録薄膜に光ビーム
を照射し、記録薄膜を構成する材料の非晶質−結
晶質転移の相変化による反射率変化を生起せし
め、情報を記録する方法が知られている。この記
録膜材料としてはテルル低級酸化物TeOx（０＜
ｘ＜２）や三セレン化アンチモンSb2Se3が知ら
れているが、光ビーム照射前後の反射率変化量が
小さかつたり、光エネルギー吸収層を積層する必
要がある等の欠点がある。本出願人は、先にかゝ
る欠点を解消する材料としてテルル化ゲルマニウ
ムGeTe薄膜を特願昭59−13745号により提案し
た。
を照射し、記録薄膜を構成する材料の非晶質−結
晶質転移の相変化による反射率変化を生起せし
め、情報を記録する方法が知られている。この記
録膜材料としてはテルル低級酸化物TeOx（０＜
ｘ＜２）や三セレン化アンチモンSb2Se3が知ら
れているが、光ビーム照射前後の反射率変化量が
小さかつたり、光エネルギー吸収層を積層する必
要がある等の欠点がある。本出願人は、先にかゝ
る欠点を解消する材料としてテルル化ゲルマニウ
ムGeTe薄膜を特願昭59−13745号により提案し
た。
（発明が解決しようとする問題点）
GeTeは光ビーム照射前後の反射率変化量が大
きくしかも単層で記録膜を構成できる利点がある
が、非晶質−結晶質転移の相変化を生じさせるに
は、該薄膜を440〓以上になるよう光エネルギー
を与える必要があつた。そのため高感度記録、例
えばビデオ信号を実時間で記録する際には、光ビ
ーム装置は高出力のものが必要になり、記録再生
装置が高価になる欠点があつた。
きくしかも単層で記録膜を構成できる利点がある
が、非晶質−結晶質転移の相変化を生じさせるに
は、該薄膜を440〓以上になるよう光エネルギー
を与える必要があつた。そのため高感度記録、例
えばビデオ信号を実時間で記録する際には、光ビ
ーム装置は高出力のものが必要になり、記録再生
装置が高価になる欠点があつた。
（問題点を解決するための手段）
本発明はGeTe記録薄膜の上述の欠点を解消
し、小さい光エネルギーにて情報を記録再生する
ことのできる光情報記録媒体を提供することを目
的とするもので、その特徴は記録薄膜がGe、Sb
及びTeを主成分とする金属薄膜であり、Ge、Sb
及びTeがGe1-xSb2xTe1+2x（０＜ｘ＜1.0）なる組
成（アトミツク％）であることにある。
し、小さい光エネルギーにて情報を記録再生する
ことのできる光情報記録媒体を提供することを目
的とするもので、その特徴は記録薄膜がGe、Sb
及びTeを主成分とする金属薄膜であり、Ge、Sb
及びTeがGe1-xSb2xTe1+2x（０＜ｘ＜1.0）なる組
成（アトミツク％）であることにある。
（実施例）
以下実施例に従つて詳細に説明する。
光情報記録媒体に使用される基板は熱伝導度が
小さく、該基板表面が平滑でキズが少ないことが
必要で、又例えば光ビームを基板を通して記録薄
膜に照射する場合は該光ビームに対して透過性で
なければならない。このような基板には記録再生
レーザー光に対し透明な合成樹脂、例えばポリメ
チルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリ塩
化ビニル、ポリスルホンなどや、ガラスが用いら
れる。
小さく、該基板表面が平滑でキズが少ないことが
必要で、又例えば光ビームを基板を通して記録薄
膜に照射する場合は該光ビームに対して透過性で
なければならない。このような基板には記録再生
レーザー光に対し透明な合成樹脂、例えばポリメ
チルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリ塩
化ビニル、ポリスルホンなどや、ガラスが用いら
れる。
情報記録薄膜は前記基板上に接して設けること
もできるが、前記基板上に低熱伝導物質からなる
熱遮断性薄膜、前記基板上に存在するキズを除去
する高分子塗膜又は光ビーム反射性薄膜を介して
設けることもできる。金属記録薄膜は公知の技
術、例えば真空蒸着、スパツタリング、イオンプ
レーテイング等によつて前記基板上に被着させる
ことができる。
もできるが、前記基板上に低熱伝導物質からなる
熱遮断性薄膜、前記基板上に存在するキズを除去
する高分子塗膜又は光ビーム反射性薄膜を介して
設けることもできる。金属記録薄膜は公知の技
術、例えば真空蒸着、スパツタリング、イオンプ
レーテイング等によつて前記基板上に被着させる
ことができる。
本実施例においては前記記録薄膜は真空蒸着法
にて基板上に被着させた。真空蒸着法により
Ge1-xSb2xTe（以下GeSbTeと記載する場合もあ
る）合金薄膜を作製するにはGeSbTe合金を蒸発
源とする一元蒸発法あるいはGeTe、Sb2Te3を蒸
発源とする二元同時蒸発法を用いることができ本
発明にはいずれも有効であつた。
にて基板上に被着させた。真空蒸着法により
Ge1-xSb2xTe（以下GeSbTeと記載する場合もあ
る）合金薄膜を作製するにはGeSbTe合金を蒸発
源とする一元蒸発法あるいはGeTe、Sb2Te3を蒸
発源とする二元同時蒸発法を用いることができ本
発明にはいずれも有効であつた。
一元蒸発法に用いられる合金は以下のように作
製した純度99.99％以上のGe、Sb及びTeを所望
の合金組成となるよう秤量し、石英ガラス管内に
入れ真空封止を行つた。この石英ガラス管を1000
℃、５時間加熱の後急冷してGeSbTe合金を得
た。GeSbTe合金は、抵抗加熱法、電子ビーム加
熱法いずれの方法によつても蒸発させることがで
きる。なお蒸発源合金組成と薄膜合金組成との差
異は抵抗加熱法において少し認められたので、こ
のことを考慮して前記合金組成を変化させること
により所望の合金組成を持つGeSbTe薄膜を得る
ことができる。一方電子ビーム加熱法においては
蒸発源合金組成と薄膜合金組成との差異は認めら
れなかつた。
製した純度99.99％以上のGe、Sb及びTeを所望
の合金組成となるよう秤量し、石英ガラス管内に
入れ真空封止を行つた。この石英ガラス管を1000
℃、５時間加熱の後急冷してGeSbTe合金を得
た。GeSbTe合金は、抵抗加熱法、電子ビーム加
熱法いずれの方法によつても蒸発させることがで
きる。なお蒸発源合金組成と薄膜合金組成との差
異は抵抗加熱法において少し認められたので、こ
のことを考慮して前記合金組成を変化させること
により所望の合金組成を持つGeSbTe薄膜を得る
ことができる。一方電子ビーム加熱法においては
蒸発源合金組成と薄膜合金組成との差異は認めら
れなかつた。
次に第１図は二元同時蒸発法を示す図で、真空
槽１１の中に回転する基板ホルダー１２が設けら
れており、その下方に基板１３を取り付ける。基
板１３の下方には蒸発源１４および１５があり、
それぞれにGeTeおよびSb2Te3が斜線の如く充填
される。蒸発源１４および１５は独立に制御可能
な電源１６および１７を有し、蒸発源１４および
１５に供給される電力を変化させることにより、
作製されるGeSbTe薄膜中のGeとSbの比を変化
させ所望の合金組成をもつGeSbTe薄膜を得た。
なお合金組成定量は螢光Ｘ線分析装置を使用して
行つた。
槽１１の中に回転する基板ホルダー１２が設けら
れており、その下方に基板１３を取り付ける。基
板１３の下方には蒸発源１４および１５があり、
それぞれにGeTeおよびSb2Te3が斜線の如く充填
される。蒸発源１４および１５は独立に制御可能
な電源１６および１７を有し、蒸発源１４および
１５に供給される電力を変化させることにより、
作製されるGeSbTe薄膜中のGeとSbの比を変化
させ所望の合金組成をもつGeSbTe薄膜を得た。
なお合金組成定量は螢光Ｘ線分析装置を使用して
行つた。
第２図実線２１は、Ge1-xSb2xTe1+2x合金薄膜
において種々のｘの値の薄膜を作製し非結晶−結
晶、転移点を測定した結果である。測定はガラス
基板上にGeSbTe合金薄膜を被着させた試料を加
熱し、薄膜の反射率あるいは透過率の光学的性質
が大きく変化する点を転移点とした。又、第２図
実線２２は、基板上に被着されたGeSbTeの薄膜
に、波長λ＝830nｍの半導体レーザー光を200ns
間照射した時、該GeSbTe薄膜のレーザー光被照
射部の反射率を、大きく変化させるに必要なレー
ザーパワーの相対値を示す。第２図に見られるご
とくGe1-xSb2xTe1+2x薄膜はGeTe薄膜に比較する
ならば、Ge1-xSb2xTe1+2x薄膜中のｘの値が大き
くなるにつれ非晶質−結晶転移の相変化点が下が
り、例えばｘ＝0.3で430〓、0.6で388〓となり、
情報を記録するに必要な光エネルギーはｘ＝0.3
のとき88％、ｘ＝0.6のときは60％であり、GeTe
薄膜に比しそれぞれ12％、40％の光エネルギーを
節約できる。
において種々のｘの値の薄膜を作製し非結晶−結
晶、転移点を測定した結果である。測定はガラス
基板上にGeSbTe合金薄膜を被着させた試料を加
熱し、薄膜の反射率あるいは透過率の光学的性質
が大きく変化する点を転移点とした。又、第２図
実線２２は、基板上に被着されたGeSbTeの薄膜
に、波長λ＝830nｍの半導体レーザー光を200ns
間照射した時、該GeSbTe薄膜のレーザー光被照
射部の反射率を、大きく変化させるに必要なレー
ザーパワーの相対値を示す。第２図に見られるご
とくGe1-xSb2xTe1+2x薄膜はGeTe薄膜に比較する
ならば、Ge1-xSb2xTe1+2x薄膜中のｘの値が大き
くなるにつれ非晶質−結晶転移の相変化点が下が
り、例えばｘ＝0.3で430〓、0.6で388〓となり、
情報を記録するに必要な光エネルギーはｘ＝0.3
のとき88％、ｘ＝0.6のときは60％であり、GeTe
薄膜に比しそれぞれ12％、40％の光エネルギーを
節約できる。
本実施例においてはGeSbTe合金薄膜は真空蒸
着法にて作製されたが、該GeSbTe薄膜は真空蒸
着法に限らず公知の技術であるスパツタリング法
で作製しても同様の結果が得られた。だたし、こ
の場合GeSbTe薄膜の非結晶−結晶転移の相変化
点は、真空蒸着法に比してGe1-xSb2xTe1+2x薄膜
中のｘの値にかかわらず20〜40〓高くなつた。し
かしスパツタ法により作製したGeTe薄膜の転移
点は480〓であつたので、Ge1-xSb2xTe1+2x薄膜の
転移点はｘの値にかゝわらずGeTe薄膜の転移点
より低く、ｘの値の増大と共に転移点が下がる効
果は真空蒸着法を用いた前記実施例と同じであつ
た。又、前記実施例は光ビームとして半導体レー
ザーを用いたが、光ビームは半導体レーザーに限
定されることなく、He−Neレーザー、Arレー
ザー等のレーザー光、キヤノンランプ、タングス
テンランプを用いることができる。なぜなら
GeSbTe薄膜はGeTe薄膜と同様に光学的性質の
波長依存性がゆるやかで、該薄膜の膜厚を記録光
ビーム波長に応じて最適化できるからである。
着法にて作製されたが、該GeSbTe薄膜は真空蒸
着法に限らず公知の技術であるスパツタリング法
で作製しても同様の結果が得られた。だたし、こ
の場合GeSbTe薄膜の非結晶−結晶転移の相変化
点は、真空蒸着法に比してGe1-xSb2xTe1+2x薄膜
中のｘの値にかかわらず20〜40〓高くなつた。し
かしスパツタ法により作製したGeTe薄膜の転移
点は480〓であつたので、Ge1-xSb2xTe1+2x薄膜の
転移点はｘの値にかゝわらずGeTe薄膜の転移点
より低く、ｘの値の増大と共に転移点が下がる効
果は真空蒸着法を用いた前記実施例と同じであつ
た。又、前記実施例は光ビームとして半導体レー
ザーを用いたが、光ビームは半導体レーザーに限
定されることなく、He−Neレーザー、Arレー
ザー等のレーザー光、キヤノンランプ、タングス
テンランプを用いることができる。なぜなら
GeSbTe薄膜はGeTe薄膜と同様に光学的性質の
波長依存性がゆるやかで、該薄膜の膜厚を記録光
ビーム波長に応じて最適化できるからである。
（発明の効果）
以上詳述したように、基体と該基体上に形成さ
れた薄膜を有し、該薄膜へ光ビームを照射し相変
化を利用して情報を記録する光情報記録媒体にお
いて、上記薄膜がGe、Sb及びTeを主成分とする
薄膜であり、該GeSb、Teは、Ge1-xSb2xTe1+2x
なる組成であることを特徴とする光情報記録媒体
は小さな光エネルギーにて情報を記録することが
でき、安価な記録再生装置にて高感度記録を実現
することができる。
れた薄膜を有し、該薄膜へ光ビームを照射し相変
化を利用して情報を記録する光情報記録媒体にお
いて、上記薄膜がGe、Sb及びTeを主成分とする
薄膜であり、該GeSb、Teは、Ge1-xSb2xTe1+2x
なる組成であることを特徴とする光情報記録媒体
は小さな光エネルギーにて情報を記録することが
でき、安価な記録再生装置にて高感度記録を実現
することができる。
第１図は本発明の光情報記録媒体を作製する装
置の１例を示し、第２図は本発明による記録媒体
の組成と非晶質−結晶質転移点及び記録光エネル
ギーの関係を示す図である。 １１……真空槽、１３……基板、１４，１５…
…蒸発源。
置の１例を示し、第２図は本発明による記録媒体
の組成と非晶質−結晶質転移点及び記録光エネル
ギーの関係を示す図である。 １１……真空槽、１３……基板、１４，１５…
…蒸発源。
Claims (1)
- １ 媒体と該媒体上に形成された薄膜を有し、該
薄膜へ光ビームを照射し相変化を利用して情報を
記録する光情報記録媒体において、上記薄膜がゲ
ルマニウム、アンチモン、テルルを主成分とし
Ge1-xSb2xTe1+2x（０＜ｘ＜1.0）なる組成である
ことを特徴とする光情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59213003A JPS6189889A (ja) | 1984-10-11 | 1984-10-11 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59213003A JPS6189889A (ja) | 1984-10-11 | 1984-10-11 | 光情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6189889A JPS6189889A (ja) | 1986-05-08 |
| JPH0473387B2 true JPH0473387B2 (ja) | 1992-11-20 |
Family
ID=16631870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59213003A Granted JPS6189889A (ja) | 1984-10-11 | 1984-10-11 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6189889A (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6253886A (ja) * | 1984-12-26 | 1987-03-09 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 情報記録媒体 |
| CN1010519B (zh) * | 1985-09-25 | 1990-11-21 | 松下电器产业株式会社 | 可逆的光学情报记录介质 |
| JPH0694230B2 (ja) * | 1985-12-25 | 1994-11-24 | 旭化成工業株式会社 | 情報記録用材料 |
| JP2585520B2 (ja) * | 1985-12-27 | 1997-02-26 | 株式会社日立製作所 | 相変化記録媒体 |
| JPH0832482B2 (ja) * | 1986-09-22 | 1996-03-29 | 松下電器産業株式会社 | 光学的情報記録媒体 |
| JP2696858B2 (ja) * | 1987-10-28 | 1998-01-14 | 松下電器産業株式会社 | 光学情報記録再生消去部材 |
| US5015548A (en) * | 1988-12-19 | 1991-05-14 | Eastman Kodak Company | Erasable phase change optical recording elements and methods |
| US5268254A (en) * | 1989-02-28 | 1993-12-07 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Optical recording medium |
| US6821707B2 (en) | 1996-03-11 | 2004-11-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, producing method thereof and method of recording/erasing/reproducing information |
| US6503690B1 (en) | 1997-08-12 | 2003-01-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, method for producing the same, and method for recording and reproducing optical information |
| JPH11134720A (ja) | 1997-08-28 | 1999-05-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学的情報記録媒体及びその記録再生方法 |
| US6343062B1 (en) | 1997-09-26 | 2002-01-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Optical disk device and optical disk for recording and reproducing high-density signals |
| TW448443B (en) | 1998-08-05 | 2001-08-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optical information storage media and production method as well as the storage reproducing method and device |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52115202A (en) * | 1976-03-24 | 1977-09-27 | Hitachi Ltd | Recording member for information |
| JPS53141040A (en) * | 1977-05-16 | 1978-12-08 | Hitachi Ltd | Information recording material |
| JPS543725A (en) * | 1977-06-10 | 1979-01-12 | Kubota Ltd | Front axle structure for tractor |
| JPS5740766A (en) * | 1979-09-10 | 1982-03-06 | Philips Nv | Optical recording disc |
| JPS58161161A (ja) * | 1982-03-19 | 1983-09-24 | Hitachi Ltd | 記録用部材 |
| JPS6048397A (ja) * | 1983-08-29 | 1985-03-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光学的記録媒体およびその製造方法 |
-
1984
- 1984-10-11 JP JP59213003A patent/JPS6189889A/ja active Granted
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS6048397A (ja) * | 1983-08-29 | 1985-03-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光学的記録媒体およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6189889A (ja) | 1986-05-08 |
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