JPS60219646A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
- Publication number
- JPS60219646A JPS60219646A JP59076257A JP7625784A JPS60219646A JP S60219646 A JPS60219646 A JP S60219646A JP 59076257 A JP59076257 A JP 59076257A JP 7625784 A JP7625784 A JP 7625784A JP S60219646 A JPS60219646 A JP S60219646A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- thin
- thin film
- recording
- xsnxte
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24312—Metals or metalloids group 14 elements (e.g. Si, Ge, Sn)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光ビームを用いて情報が記録される光情報記録
媒体に関し、特に小さい光エネルギーにて情報を記録す
ることができる記録薄膜に関す乙ものである。
媒体に関し、特に小さい光エネルギーにて情報を記録す
ることができる記録薄膜に関す乙ものである。
光情報記録媒体において、記録薄膜に光ビームを照射し
、記録簿ｍ’ｔａ成す２材料の非晶質−結晶質転移によ
４反射率変化を成起せしめ、情報を記録する方法が知ら
れていゐ０この記録膜材料としてはテルル低級酸化物Ｔ
ｅＯｘ （０（ｘ （２）や三セレン化アンチモンＢｂ
、Ｂｅ、Ｑ’ＥＪられてぃ２が、光ビーム照射前後の反
射率変化量が小さかったシ、光エネルギー吸収層を積層
す２必要がある等の欠点がちゐ。本出願人は鳶にか＼ゐ
欠点上解消すえ材料と（てテルル化□ゲルマニウムＧｅ
Ｔｅ薄膜ｔ−特ＪＩｌ昭５９−１３７４５号によシ提案
し九。ＧｏＴｏは光ビーム照射前後の反射率変化量が太
きくＬｄ−も単層で記録膜を構成できゐ利点があゐが、
非晶質−結晶質転移′を生じさせ乙には該薄膜ｔ”４４
０ｃＫ以上になるよう光エネルギーを与え２必要があっ
た。そのため高感度記録、例えばビデオ（６号を実時間
で記録すゐ龍には、光ビーム装置は高出力のものが必要
にな□す、記録再生装置が高価になこ欠点があった。
、記録簿ｍ’ｔａ成す２材料の非晶質−結晶質転移によ
４反射率変化を成起せしめ、情報を記録する方法が知ら
れていゐ０この記録膜材料としてはテルル低級酸化物Ｔ
ｅＯｘ （０（ｘ （２）や三セレン化アンチモンＢｂ
、Ｂｅ、Ｑ’ＥＪられてぃ２が、光ビーム照射前後の反
射率変化量が小さかったシ、光エネルギー吸収層を積層
す２必要がある等の欠点がちゐ。本出願人は鳶にか＼ゐ
欠点上解消すえ材料と（てテルル化□ゲルマニウムＧｅ
Ｔｅ薄膜ｔ−特ＪＩｌ昭５９−１３７４５号によシ提案
し九。ＧｏＴｏは光ビーム照射前後の反射率変化量が太
きくＬｄ−も単層で記録膜を構成できゐ利点があゐが、
非晶質−結晶質転移′を生じさせ乙には該薄膜ｔ”４４
０ｃＫ以上になるよう光エネルギーを与え２必要があっ
た。そのため高感度記録、例えばビデオ（６号を実時間
で記録すゐ龍には、光ビーム装置は高出力のものが必要
にな□す、記録再生装置が高価になこ欠点があった。
本発明はＧｅＴｅ記録薄膜の上述の欠点全解消し、小さ
い光エネルギーにて情報を記録再生すえことのでき２元
情報記録媒体を提供することを目的とす芝ものでＪその
特徴は記録薄膜がＧｅ、８ｎ及びＴｅｔ−主成分とす４
金属薄膜であｊ） Ｇｅ 、 Ｓｎ及びＴｅがＧｅ□−
ｘ８ｎｘＴｏ （０＜ ｘ≦０．７）なえ組成（アトミ
ツクチ）であゐことに６４゜ 以下冥施例に従って詳細に説明する。
い光エネルギーにて情報を記録再生すえことのでき２元
情報記録媒体を提供することを目的とす芝ものでＪその
特徴は記録薄膜がＧｅ、８ｎ及びＴｅｔ−主成分とす４
金属薄膜であｊ） Ｇｅ 、 Ｓｎ及びＴｅがＧｅ□−
ｘ８ｎｘＴｏ （０＜ ｘ≦０．７）なえ組成（アトミ
ツクチ）であゐことに６４゜ 以下冥施例に従って詳細に説明する。
光情報記録媒体に使用さｔ′Ｌ／：基板は熱伝導度が小
さく、該基板表面が平滑でキズが少ないことが必要で、
又例えけ光ビー・ムを基板を通して記録薄膜に照射す２
場合Ｆｉ牌元ビームに対して透過性でなければならない
。このような基板には記録再生レーザー光に対し透明な
合成樹脂、例えはポリメチルメタクリレート、ポリカー
ボネート、ポリ塩化ビニル、ポリスルホンな・どや、ガ
ラスが用いられ乙。
さく、該基板表面が平滑でキズが少ないことが必要で、
又例えけ光ビー・ムを基板を通して記録薄膜に照射す２
場合Ｆｉ牌元ビームに対して透過性でなければならない
。このような基板には記録再生レーザー光に対し透明な
合成樹脂、例えはポリメチルメタクリレート、ポリカー
ボネート、ポリ塩化ビニル、ポリスルホンな・どや、ガ
ラスが用いられ乙。
情報記録薄膜は前記基板上に接して設けおこともでき乙
が、前記基板上に低熱伝導、物質からなる熱遮断性薄膜
、前記基板上に存在すふキズを除去すふ高分子塗膜又は
光ビーム反射性＃膜を介して設けふこともできる。金属
記録薄膜は公知の技術、例えば真空蒸着、スパッタリン
グ、イオンブレーティング等によって前記基板上に被着
させ４ことができ２゜ 本実施例においては前記記録薄膜は真空蒸着法にて基板
上に被着させた。真空蒸着法にょシＧ％−エ５ｎｘＴｅ
（以下Ｇｅ８ｎＴｅと記載する場合もあ４）合金薄膜
全作製す４にはＧｅ５ｎＴｅ合金を蒸発源とする一元蒸
発法あ２いはＧｅＴｅ 、５ｎＴｅ ′ｔ−蒸発源とす
る二元”一時蒸着法を用い２ことができ本発明にはいず
九も有効であった。
が、前記基板上に低熱伝導、物質からなる熱遮断性薄膜
、前記基板上に存在すふキズを除去すふ高分子塗膜又は
光ビーム反射性＃膜を介して設けふこともできる。金属
記録薄膜は公知の技術、例えば真空蒸着、スパッタリン
グ、イオンブレーティング等によって前記基板上に被着
させ４ことができ２゜ 本実施例においては前記記録薄膜は真空蒸着法にて基板
上に被着させた。真空蒸着法にょシＧ％−エ５ｎｘＴｅ
（以下Ｇｅ８ｎＴｅと記載する場合もあ４）合金薄膜
全作製す４にはＧｅ５ｎＴｅ合金を蒸発源とする一元蒸
発法あ２いはＧｅＴｅ 、５ｎＴｅ ′ｔ−蒸発源とす
る二元”一時蒸着法を用い２ことができ本発明にはいず
九も有効であった。
一元蒸発法に用いられ２合金は以下のように作゛製した
純度９９．９９−以上のＧｏ 、・Ｓｎ及びＴｅｌ所望
の合金組成となるよう秤量し、石英ガラス管内に入れ真
空封止を行った０この石英ガラス管ｆ １０００ ｏＣ
ｓ５時間加熱の後急冷してＧｅ５ｎＴｅ合金會得た。Ｇ
ｅ５ｎＴｅ合金は、抵抗加熱法、電子ビーム加熱法いず
れの方法によっても蒸発させることができ４０なお蒸発
源合金組成と薄膜合金組成との差異は抵抗加熱法におい
て少し認められたので、このことを考慮して前記合金組
成を変化させふことにより所望の合金組成を持つＧｅ５
ｎＴｅ薄膜ｔ ａｊことがで′＃ｚ。
純度９９．９９−以上のＧｏ 、・Ｓｎ及びＴｅｌ所望
の合金組成となるよう秤量し、石英ガラス管内に入れ真
空封止を行った０この石英ガラス管ｆ １０００ ｏＣ
ｓ５時間加熱の後急冷してＧｅ５ｎＴｅ合金會得た。Ｇ
ｅ５ｎＴｅ合金は、抵抗加熱法、電子ビーム加熱法いず
れの方法によっても蒸発させることができ４０なお蒸発
源合金組成と薄膜合金組成との差異は抵抗加熱法におい
て少し認められたので、このことを考慮して前記合金組
成を変化させふことにより所望の合金組成を持つＧｅ５
ｎＴｅ薄膜ｔ ａｊことがで′＃ｚ。
一方電子ビーム加熱法においては蒸発源合金組成と薄膜
合金組成との差異は認められなかった。
合金組成との差異は認められなかった。
次に第１図は二元同時蒸発法を示す図で真空槽１１の中
に回転すこ基板ホルダー１２が設けられておシその下方
に基板１３ｔ−取シ付けふ。基板１３の下方には蒸発源
１４および１５があシそれ、ぞ隻にＧｅＴｅおよび５ｎ
Ｔｅが斜線の如、、＜充填され乙。蔓発源１４および１
５！ｉ独立に制御可能な電源１６および１７ｊ有し、−
発源、１４セよび県５に供給される電力を変化さ１″ふ
員に１９・作製さｔするＧ″棹＝薄膜中のＧｅとＳｎＯ
比全変化させ所望の合金組成、をもつＧｅ５ｎＴｅ薄膜
を得た・なお合金組成定量は竺光Ｘ線分析装置を使用し
て行、つた。
に回転すこ基板ホルダー１２が設けられておシその下方
に基板１３ｔ−取シ付けふ。基板１３の下方には蒸発源
１４および１５があシそれ、ぞ隻にＧｅＴｅおよび５ｎ
Ｔｅが斜線の如、、＜充填され乙。蔓発源１４および１
５！ｉ独立に制御可能な電源１６および１７ｊ有し、−
発源、１４セよび県５に供給される電力を変化さ１″ふ
員に１９・作製さｔするＧ″棹＝薄膜中のＧｅとＳｎＯ
比全変化させ所望の合金組成、をもつＧｅ５ｎＴｅ薄膜
を得た・なお合金組成定量は竺光Ｘ線分析装置を使用し
て行、つた。
第２図実＋１！２１は、Ｇｅ ｚ ｘｓｘＴｅ合金薄膜
瞥おいて種々のＸの値の薄膜を作製し非結晶−結晶、、
転、移点を測定した結果である。測定はガラ、ス基板上
にＧ。
瞥おいて種々のＸの値の薄膜を作製し非結晶−結晶、、
転、移点を測定した結果である。測定はガラ、ス基板上
にＧ。
８ｎＴｅ合金薄膜を被着させた試料、全加熱、シ１．薄
２膜の反射率あ２いは透過率の光学的性質が大きく変化
する点上転移点とした。又、第２図実線２２は洲板上に
被着されたＧｅ、−ｘ８ｎｘＴｅ薄膜にμ長λ＝ ８３
０ ｎｍの半導体レーザー光を２００ ｎａ間照射した
時、該Ｇｅ １−ｘ”ｎｘ’ｒｅ薄膜のレーザー光被照
射部の反射率ζ大きく変化させ、るに必要なレーザーパ
ワーの相対値を示す。第２図に見られ４ごと＜Ｇｅ５ｎ
ｘＴｏ ＃ ｄはＧｅＴｅ薄膜に比較するならば、Ｇｅ
、 ＸＳｎｘＴｅ薄膜中のＸの値が大きくなゐにつれ非
結晶−結晶転移点が下が東例えばｘ ＝ ０．２で４１
．０°に１ｘ ＝ ０．５で３５０°にとなυ、情報音
記録す２に必要な′：′：二”９−’ｔ”： ！６ 、
：。；゛：＝ニニニ６．ｆｂ、、 、゛ユ°゛：４１、
。
２膜の反射率あ２いは透過率の光学的性質が大きく変化
する点上転移点とした。又、第２図実線２２は洲板上に
被着されたＧｅ、−ｘ８ｎｘＴｅ薄膜にμ長λ＝ ８３
０ ｎｍの半導体レーザー光を２００ ｎａ間照射した
時、該Ｇｅ １−ｘ”ｎｘ’ｒｅ薄膜のレーザー光被照
射部の反射率ζ大きく変化させ、るに必要なレーザーパ
ワーの相対値を示す。第２図に見られ４ごと＜Ｇｅ５ｎ
ｘＴｏ ＃ ｄはＧｅＴｅ薄膜に比較するならば、Ｇｅ
、 ＸＳｎｘＴｅ薄膜中のＸの値が大きくなゐにつれ非
結晶−結晶転移点が下が東例えばｘ ＝ ０．２で４１
．０°に１ｘ ＝ ０．５で３５０°にとなυ、情報音
記録す２に必要な′：′：二”９−’ｔ”： ！６ 、
：。；゛：＝ニニニ６．ｆｂ、、 、゛ユ°゛：４１、
。
、４１％、の光エネヶギーを節約下きえ。
、本実施例におい又はＧｅ８ｎＴｅ合金薄膜は真空蔓着
法にて作製され、だが、該Ｇｅ５ｎＴｅ薄膜は真空蒸着
法に限らず公知の技術であえスパッタリング法で作製し
ても同様の結果が得られた。ただし、−の場合Ｇｅ５ｎ
Ｔｅ薄膜の非結晶−結晶転移点は、真空蒸着 、法に比
してＧ、ｅ、−ＸＳｎｘＴｅ薄膜中のＸの値にか＼わら
−７”２０〜４０７に高くなった。しかしスパン、り法
により作製したＧｅＴｅ ＄膜の転移点は４８０°にで
あったので、Ｇｅ ｚ ｘｓｎｘＴｅ薄膜の転移点はＸ
の竺にか＼わらずＧｅＴｅ ４膜の転移点よシ低く、予
の値の門人と共実施例と同、じであった。又、前記実施
例は元ビームとして半導体レーザー食用いたが元ビーム
は半導体レーザーに限定され４ことな（Ｈｅ −Ｎｅレ
ーｆ −、Ａｒレーサー等のレーザー光、キセノンラン
プ、タングステンランプを用いることができふ。
法にて作製され、だが、該Ｇｅ５ｎＴｅ薄膜は真空蒸着
法に限らず公知の技術であえスパッタリング法で作製し
ても同様の結果が得られた。ただし、−の場合Ｇｅ５ｎ
Ｔｅ薄膜の非結晶−結晶転移点は、真空蒸着 、法に比
してＧ、ｅ、−ＸＳｎｘＴｅ薄膜中のＸの値にか＼わら
−７”２０〜４０７に高くなった。しかしスパン、り法
により作製したＧｅＴｅ ＄膜の転移点は４８０°にで
あったので、Ｇｅ ｚ ｘｓｎｘＴｅ薄膜の転移点はＸ
の竺にか＼わらずＧｅＴｅ ４膜の転移点よシ低く、予
の値の門人と共実施例と同、じであった。又、前記実施
例は元ビームとして半導体レーザー食用いたが元ビーム
は半導体レーザーに限定され４ことな（Ｈｅ −Ｎｅレ
ーｆ −、Ａｒレーサー等のレーザー光、キセノンラン
プ、タングステンランプを用いることができふ。
なぜならＧｅ５ｎＴｅ薄膜はＧｅＴｅ薄膜と同様に光学
的性質の波長依存性がゆえやかで、該薄膜の膜厚を記録
光ビーム波長に応じて最適化でき乙からである０ 本発明においてＧｅ１−エ５ｎｘＴｅ合金薄膜の組成を
０〈Ｘ≦０，７とした理由は以下の通シであえ。Ｇｅ□
１ＳｎｘＴｅ合金薄膜においてＸが大きくなえにつれ該
薄膜の非結晶−結晶転移温度は低くなりｘ ＝ ０．７
のときには該転移点は３００°にとなシ室温よシわずか
に褐いが、ｘ）０．７のときは、作製した上記合金薄膜
は室温にてすでに結晶質に転移していることになシ、情
報を記録す２ことができ々くなＺからである。従って周
囲温度が室温よシも高くなえ可能性があえ場合は、転移
温度を例えば３５０°に＠度に設定すればよく、この為
には０ （ｘ≦０．５とすｎばよい。
的性質の波長依存性がゆえやかで、該薄膜の膜厚を記録
光ビーム波長に応じて最適化でき乙からである０ 本発明においてＧｅ１−エ５ｎｘＴｅ合金薄膜の組成を
０〈Ｘ≦０，７とした理由は以下の通シであえ。Ｇｅ□
１ＳｎｘＴｅ合金薄膜においてＸが大きくなえにつれ該
薄膜の非結晶−結晶転移温度は低くなりｘ ＝ ０．７
のときには該転移点は３００°にとなシ室温よシわずか
に褐いが、ｘ）０．７のときは、作製した上記合金薄膜
は室温にてすでに結晶質に転移していることになシ、情
報を記録す２ことができ々くなＺからである。従って周
囲温度が室温よシも高くなえ可能性があえ場合は、転移
温度を例えば３５０°に＠度に設定すればよく、この為
には０ （ｘ≦０．５とすｎばよい。
以上詳述したように、基体と該基体上に形成された薄膜
を有し、該薄膜へ元ビームを照射し情報全記録すゐ光情
報記録媒体において、上記薄膜がＧｅ、Ｓｎ及びＴｅｉ
主成分とする薄膜であり、該ＧｅＳｎ、Ｔｅは、Ｇｅ１
−Ｘ５ｎＸＴｅ （０（ｘ≦０．７）なこ組成であ芝こ
とを特徴とす４光情報記録媒体は小さな光エネルギーに
て情報全記録すとことができ、安価な記録再生装置にて
高感度記録全実現することができえ。
を有し、該薄膜へ元ビームを照射し情報全記録すゐ光情
報記録媒体において、上記薄膜がＧｅ、Ｓｎ及びＴｅｉ
主成分とする薄膜であり、該ＧｅＳｎ、Ｔｅは、Ｇｅ１
−Ｘ５ｎＸＴｅ （０（ｘ≦０．７）なこ組成であ芝こ
とを特徴とす４光情報記録媒体は小さな光エネルギーに
て情報全記録すとことができ、安価な記録再生装置にて
高感度記録全実現することができえ。
第１図は本発明元情報記録媒体を作製する装置の１例を
示し、第２図は本発明によ芝記録媒体の組成と非晶質−
結晶質転移点及び記録光エネルギーの関係を示す図であ
え。 １１・・・真空槽 １３・・・基板 １４．１５・・・蒸発源
示し、第２図は本発明によ芝記録媒体の組成と非晶質−
結晶質転移点及び記録光エネルギーの関係を示す図であ
え。 １１・・・真空槽 １３・・・基板 １４．１５・・・蒸発源
Claims (1)
- 基体と該基体上に形成された薄膜を有し、該薄膜へ光ビ
ームを照射し情報を記脅す底光情報記録媒体において、
上記薄膜がゲルマニウム、錫、テルルを主成分としＧｅ
１−ｘＳｎｘＴｅ（０＜ｘ≦０．７）なる組成であるこ
とを特徴とする光情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59076257A JPS60219646A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59076257A JPS60219646A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 光情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60219646A true JPS60219646A (ja) | 1985-11-02 |
| JPH0327974B2 JPH0327974B2 (ja) | 1991-04-17 |
Family
ID=13600152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59076257A Granted JPS60219646A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60219646A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61283044A (ja) * | 1985-06-07 | 1986-12-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録再生デイスク |
| JPS6230086A (ja) * | 1985-07-31 | 1987-02-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材 |
| JPS6240648A (ja) * | 1985-08-15 | 1987-02-21 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 光学的な情報記憶方法 |
| JPS6276035A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-08 | Tdk Corp | 情報記録媒体および記録方法 |
| US4670345A (en) * | 1985-02-22 | 1987-06-02 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Information recording medium |
| JPS62152786A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-07 | Hitachi Ltd | 相変化記録媒体 |
| USRE42222E1 (en) * | 1985-09-25 | 2011-03-15 | Matsushita Electronic Industrial Co., Ltd. | Reversible optival information-recording medium |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60107744A (ja) * | 1983-11-15 | 1985-06-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材 |
-
1984
- 1984-04-16 JP JP59076257A patent/JPS60219646A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60107744A (ja) * | 1983-11-15 | 1985-06-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4670345A (en) * | 1985-02-22 | 1987-06-02 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Information recording medium |
| JPS61283044A (ja) * | 1985-06-07 | 1986-12-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録再生デイスク |
| JPS6230086A (ja) * | 1985-07-31 | 1987-02-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材 |
| JPS6240648A (ja) * | 1985-08-15 | 1987-02-21 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 光学的な情報記憶方法 |
| USRE42222E1 (en) * | 1985-09-25 | 2011-03-15 | Matsushita Electronic Industrial Co., Ltd. | Reversible optival information-recording medium |
| JPS6276035A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-08 | Tdk Corp | 情報記録媒体および記録方法 |
| JPS62152786A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-07 | Hitachi Ltd | 相変化記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0327974B2 (ja) | 1991-04-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5580632A (en) | Information recording medium | |
| JPS6034897A (ja) | 書替可能光記録媒体 | |
| JPS6189889A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JPS60219646A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JPS62246788A (ja) | 情報記録媒体 | |
| US4341863A (en) | Archival optical recording medium | |
| JPS61152487A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JPH0444330B2 (ja) | ||
| JPH0139916B2 (ja) | ||
| US4615967A (en) | Optical information storage material | |
| TW200523914A (en) | Phase change optical media and fabrication method thereof | |
| JPH02219689A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPS63188836A (ja) | 光学記録媒体 | |
| JPS6256583B2 (ja) | ||
| JPS63167440A (ja) | 情報を記録もしくは記録及び消去する方法 | |
| Strand | Optical Recording With Amorphous Materials | |
| JPS63158293A (ja) | 光学的情報信号記録媒体 | |
| JPS61283049A (ja) | 光デイスクの製造方法 | |
| JPS62283431A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPS58222891A (ja) | 光学記録媒体 | |
| JPS61204841A (ja) | 光学記録媒体 | |
| JPH023114A (ja) | 情報記録用薄膜 | |
| JPH01251331A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPH02167784A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPH01271942A (ja) | 光学的情報記録媒体の製造方法 |