JPS60107744A - 光学情報記録部材 - Google Patents
光学情報記録部材Info
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- JPS60107744A JPS60107744A JP58215489A JP21548983A JPS60107744A JP S60107744 A JPS60107744 A JP S60107744A JP 58215489 A JP58215489 A JP 58215489A JP 21548983 A JP21548983 A JP 21548983A JP S60107744 A JPS60107744 A JP S60107744A
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- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
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- G11B2007/24318—Non-metallic elements
- G11B2007/2432—Oxygen
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光、熱等を用いて高速かつ高密度に光学的な情
報を記録、再生できる光学情報記録部材に関するもので
ある。
報を記録、再生できる光学情報記録部材に関するもので
ある。
従来例の構成とその問題点
レーザー光線を利用して高密度な情報の記録。
再生を行なう技術は公知である。このような記録再生に
用いる記録媒体として基板上にテルルの酸化物ＴｅＯｘ
１（０＜ｌＩｃ１＜２）を主成分とする薄膜を設けたも
のがある （特開昭５０−４６３１７号公報。
用いる記録媒体として基板上にテルルの酸化物ＴｅＯｘ
１（０＜ｌＩｃ１＜２）を主成分とする薄膜を設けたも
のがある （特開昭５０−４６３１７号公報。
特開昭５０−４６３１８号公報、特開昭６０−４６３１
９号公報、米国特許第３９７１８７４号明細書）。添加
成分としてはＰｂ０ｘ６（０（ｘ６〈１ ）、５ｂＯｘ
６（０＜Ｘ６＜１．６）、ＶＯｘ７（０＜ｘ７＜２．５
）等が使用される。このような記録媒体は再生用の光ビ
ームの照射において透過率変化を大きく得ることが出来
る。
９号公報、米国特許第３９７１８７４号明細書）。添加
成分としてはＰｂ０ｘ６（０（ｘ６〈１ ）、５ｂＯｘ
６（０＜Ｘ６＜１．６）、ＶＯｘ７（０＜ｘ７＜２．５
）等が使用される。このような記録媒体は再生用の光ビ
ームの照射において透過率変化を大きく得ることが出来
る。
しかし、記録、再生装置の小型化、簡易化を図る場合に
使用し得るレーザー光源の出力には限度があり、小型の
出力２０ ｍＷ以内のＨｅ−Ｎｅレーザー発振装畳、半
導体レーザー発振装置等を使用して記録、再生を行なう
には前記ＴｅＯｘ、（０（ｘ〈２）を主成分とする薄膜
を備えた記録媒体では感度が不十分である。丑だ、情報
を反射光量変化で再生ずる場合には十分な変化量が得ら
れない。
使用し得るレーザー光源の出力には限度があり、小型の
出力２０ ｍＷ以内のＨｅ−Ｎｅレーザー発振装畳、半
導体レーザー発振装置等を使用して記録、再生を行なう
には前記ＴｅＯｘ、（０（ｘ〈２）を主成分とする薄膜
を備えた記録媒体では感度が不十分である。丑だ、情報
を反射光量変化で再生ずる場合には十分な変化量が得ら
れない。
次に、前記欠点を補うものとして、ＴｅＯｘ （０（ｘ
（２）に、融点の低い添加材料を適用し、状態変化のス
レノ／ヨールド温度を下げる試み、例えばＴｌ２Ｏλ（
Ｏくｘ〈１．６）（Ｔｌ２Ｏ融点３００℃）を添加する
方法が有る。
（２）に、融点の低い添加材料を適用し、状態変化のス
レノ／ヨールド温度を下げる試み、例えばＴｌ２Ｏλ（
Ｏくｘ〈１．６）（Ｔｌ２Ｏ融点３００℃）を添加する
方法が有る。
一方状態変化に伴う光学特性の変化を太きぐするために
、媒体の屈折率を大きくする方法があり、このため、イ
オン分極率の大きいかつ密度の大きい添加材料を用いる
試みがなされている。例えば、Ｂ１Ｏｘ２．Ｉｎ０ｘ２
（０（ｘ２（１，６）等である。
、媒体の屈折率を大きくする方法があり、このため、イ
オン分極率の大きいかつ密度の大きい添加材料を用いる
試みがなされている。例えば、Ｂ１Ｏｘ２．Ｉｎ０ｘ２
（０（ｘ２（１，６）等である。
（特願昭６３−１０９００２ 、特願昭５４−７１５０
６）これらの方法によって、Ｔ ｅ Ｏｘ を主成分と
する記録媒体は、半導体レーザによる記録２反射光量変
化による再生等が可能となった。
６）これらの方法によって、Ｔ ｅ Ｏｘ を主成分と
する記録媒体は、半導体レーザによる記録２反射光量変
化による再生等が可能となった。
しかし、情報社会の進展に伴ない、これ寸で以上に情報
伝達の高速化が要求されるようになると、従来以」二の
記録速度、再生速度、それに伴なう記録感度の向」二が
必要となっできている。
伝達の高速化が要求されるようになると、従来以」二の
記録速度、再生速度、それに伴なう記録感度の向」二が
必要となっできている。
発明の目的
本発明は、従来の０を主成分とする光記録薄膜、例えば
ＴｅＯｘを主成分とする材料すなわち、ＴｅとＴｅＯ２
とから成る薄膜等を改良し、Ｏを主成分とする光記録薄
膜の特長、例えば耐湿性に強い、といったメリットを残
しながら、記録速度、記録感度とも従来に比べて犬ｄ〕
に向上した高速、高品質記録薄膜を得ようとするもので
ある。
ＴｅＯｘを主成分とする材料すなわち、ＴｅとＴｅＯ２
とから成る薄膜等を改良し、Ｏを主成分とする光記録薄
膜の特長、例えば耐湿性に強い、といったメリットを残
しながら、記録速度、記録感度とも従来に比べて犬ｄ〕
に向上した高速、高品質記録薄膜を得ようとするもので
ある。
発ＩＪＪの構成
本発明の光学情報記録部材は、基拐の」−に、Ｔｅ、Ｇ
ｏ、Ｓｎ、ならびに０の４元から構成され、膜中のＯの
原子比が２２０−６０ａｔ％、Ｔｅ、Ｇｅ。
ｏ、Ｓｎ、ならびに０の４元から構成され、膜中のＯの
原子比が２２０−６０ａｔ％、Ｔｅ、Ｇｅ。
Ｓｎの原子比が第１図Ａ−Ｆで四重れた領域による光記
録薄膜を設けたものである。
録薄膜を設けたものである。
Ｔｅ −００２元から構成される光記録薄膜においては
、光照射−吸収−昇温というプロセスによって、膜中の
Ｔｅ粒子が状態変化、すなわち結晶化、あるいは粒形を
増大し、記録が行なわれるわけであるが、この光学的濃
度変化の主成分であるＴｅの状態変化を促進するだめ、
例えば、結晶核のようなものになり得、変態に用する照
射時間を知紺１し、同時に照射強度を下げる添加材料と
して、Ｓｎ、Ｇｅが有効である。また、外部からの熱、
光のエネルギーによる不必要な状態変化を避ける目的で
、Ｇｅが不動である。Ｇｅは、膜中で、ネットワーク強
化要素としての働きを合わせもち、変態に至る温度を高
める。
、光照射−吸収−昇温というプロセスによって、膜中の
Ｔｅ粒子が状態変化、すなわち結晶化、あるいは粒形を
増大し、記録が行なわれるわけであるが、この光学的濃
度変化の主成分であるＴｅの状態変化を促進するだめ、
例えば、結晶核のようなものになり得、変態に用する照
射時間を知紺１し、同時に照射強度を下げる添加材料と
して、Ｓｎ、Ｇｅが有効である。また、外部からの熱、
光のエネルギーによる不必要な状態変化を避ける目的で
、Ｇｅが不動である。Ｇｅは、膜中で、ネットワーク強
化要素としての働きを合わせもち、変態に至る温度を高
める。
実施例の説明
次に図面を参照しながら実施例をもって、本発明の詳細
な説明する。
な説明する。
第２図は、本発明による光学情報記録部材の断面図であ
る。
る。
１は基拐であり、金属、例えばアルミニウム。
銅環；ガラス、例えば、石英、パイレックス、ソーダガ
ラス等；あるいは樹脂、例えばＡＢＳ樹脂。
ラス等；あるいは樹脂、例えばＡＢＳ樹脂。
ポリスチレン、アクリル、塩ビ等、又透明フィルムとし
ては、アセテ−１−、テフロン、ポリエステル等が使用
できる。中でも、ポリエステルフィルム、アクリル板等
を使用する場合、透明性がすぐれており、形成せしめた
信号像を光学的に再生する際に有効である。
ては、アセテ−１−、テフロン、ポリエステル等が使用
できる。中でも、ポリエステルフィルム、アクリル板等
を使用する場合、透明性がすぐれており、形成せしめた
信号像を光学的に再生する際に有効である。
２ば、薄膜記録層を示す。薄膜記録層は、真空系内に用
意された複数個の蒸着ソースから、次のような手順で前
記、基板−ヒに形成する。
意された複数個の蒸着ソースから、次のような手順で前
記、基板−ヒに形成する。
蒸着ンースとしては、ＴｅまたはＯの供給源としてＴｅ
ソースとＴｅ○２ソースのどちらか、あるいは両方。Ｇ
ｅｉたはＯの供給源としてＧｅンースとＧ ｅ Ｏ２ソ
ースのどちらか、あるいは両方、Ｓｎ捷たは０の供給源
としてＳｎソースとＳ ｎ Ｏ２ソースのどちらか、あ
るいは両方を用意する。このとき、膜中に必ず０が含丑
れるべく、ＴａＯ２、ＧｅＯ２゜Ｓ ｎ ０２ソースの
いずれかは必ず用いられる。蒸着は、各原材料を石英容
器に入れ、その外壁をＷコイルヒーターで加熱して行な
う。加熱方法としては、電子線ビームで直接加熱するこ
ともできる。
ソースとＴｅ○２ソースのどちらか、あるいは両方。Ｇ
ｅｉたはＯの供給源としてＧｅンースとＧ ｅ Ｏ２ソ
ースのどちらか、あるいは両方、Ｓｎ捷たは０の供給源
としてＳｎソースとＳ ｎ Ｏ２ソースのどちらか、あ
るいは両方を用意する。このとき、膜中に必ず０が含丑
れるべく、ＴａＯ２、ＧｅＯ２゜Ｓ ｎ ０２ソースの
いずれかは必ず用いられる。蒸着は、各原材料を石英容
器に入れ、その外壁をＷコイルヒーターで加熱して行な
う。加熱方法としては、電子線ビームで直接加熱するこ
ともできる。
各ソースからの蒸着量は、それぞれのソースを臨むセン
サーで検出し、ヒーター電流、電子線ビーム強度を制御
して変えることができる。
サーで検出し、ヒーター電流、電子線ビーム強度を制御
して変えることができる。
このようにして各ソースから蒸発した各成分が前記基板
上に蒸着され前述の記録薄膜が合成される。
上に蒸着され前述の記録薄膜が合成される。
蒸着膜は、淡黄色ないしは黄カン色の透過色を呈する薄
膜であり、膜厚は６００〜２０００への範囲で用いるの
が好ましい。
膜であり、膜厚は６００〜２０００への範囲で用いるの
が好ましい。
蒸着の際の真空度は６×１σ” ｍｍＨ９程度で十分で
あり、蒸着条件を変化させても得られる光学記録膜の特
性に顕著庁差は生じない。
あり、蒸着条件を変化させても得られる光学記録膜の特
性に顕著庁差は生じない。
蒸着膜の組成は、上記蒸着方法によってＯ−Ｔ 。
−Ｇｅ−８ｎ の４元で自由に選ぶことが可能である。
記録薄膜への記録は、Ｘｅフラッシュランプ光。
Ｈｅ −Ｎ ｅレーザ光、半導体レーザ光、赤外線ラン
プ光等の光照射の、何を用いても可能である。
プ光等の光照射の、何を用いても可能である。
本発明の記録膜は、赤外線う／プのような連続的光照射
から、１０ ｎ５ｅｃ程度のレーザーパルス光まで同様
に応答し、光学濃度を増すことがわかった。
から、１０ ｎ５ｅｃ程度のレーザーパルス光まで同様
に応答し、光学濃度を増すことがわかった。
記録薄膜には、耐湿性をより確実にするために、防湿層
をつけることも可能である。防湿層としては、半導体レ
ーザ光の波長で、すなわち４００〜１０００ ｎｍ付近
で透明な層が記録、再生上必要であり、酸化物薄膜、特
に５１０２が有効である。
をつけることも可能である。防湿層としては、半導体レ
ーザ光の波長で、すなわち４００〜１０００ ｎｍ付近
で透明な層が記録、再生上必要であり、酸化物薄膜、特
に５１０２が有効である。
次に、更に具体的な例をもって、本発明の詳細な説明す
る。
る。
〔実施例１〕
蒸着ソースとして、ＴｅＯ２，Ｔｅ、Ｇｅ、ａｎ を用
いる。蒸着レートは水晶振動子式膜厚計でモニターし、
それぞれ１Ａ／Ｓ、 １Ａ／Ｓ、２Ａ／Ｓ、２Ａ／Ｓと
する。加熱手段は、電子線ビームとし、１５０ｒｐｍで
回転する２ ００ ｔｔａｎφのＰＭＭＡ樹脂製のディ
スク基村上に、厚さ約１０００へのＴｏ−８ｎ −Ｇｏ
−０膜を形成した。膜組成は、オージェ電子分光法で
」り定した結果、Ｔｅ５ｏＧｅ２ｏＳｎ１．０３６であ
った。
いる。蒸着レートは水晶振動子式膜厚計でモニターし、
それぞれ１Ａ／Ｓ、 １Ａ／Ｓ、２Ａ／Ｓ、２Ａ／Ｓと
する。加熱手段は、電子線ビームとし、１５０ｒｐｍで
回転する２ ００ ｔｔａｎφのＰＭＭＡ樹脂製のディ
スク基村上に、厚さ約１０００へのＴｏ−８ｎ −Ｇｏ
−０膜を形成した。膜組成は、オージェ電子分光法で
」り定した結果、Ｔｅ５ｏＧｅ２ｏＳｎ１．０３６であ
った。
上記の方法で得た薄膜は、見た目に淡カン色を呈してい
る。この膜に、λ＝ ８３０ ｎ ｍの半導体レーザー
を用いて、約０．８μのスポットに集光し、照射時間を
１０〜２ｏｏｎｓｅｃの間で変化させてレーザーパワ〜
７ｍＷでパルス光を照射したところ、各パルス光に対し
て、リアルタイムで記録が完了し、見た目に黒化変態す
ることが確かめられた。
る。この膜に、λ＝ ８３０ ｎ ｍの半導体レーザー
を用いて、約０．８μのスポットに集光し、照射時間を
１０〜２ｏｏｎｓｅｃの間で変化させてレーザーパワ〜
７ｍＷでパルス光を照射したところ、各パルス光に対し
て、リアルタイムで記録が完了し、見た目に黒化変態す
ることが確かめられた。
この記録したところは、同じ半導体レーザー光を弱めて
、その反射光を検出して再生することができる。
、その反射光を検出して再生することができる。
第３図は、前述の膜の分光反射率曲線を表わす。
図中のａで示される部分は初期未記録状態、ｂはレーザ
ーで黒化記録した状態の曲線である。半導体レーザー波
長８３０ ｎ ｍでは、大きいΔＲ２２６係が得られて
いる。
ーで黒化記録した状態の曲線である。半導体レーザー波
長８３０ ｎ ｍでは、大きいΔＲ２２６係が得られて
いる。
〔実施例２〕
蒸着ソースとして、ＴｅＯ２，Ｔｅ、Ｇｅ、Ｓｎを用い
、実施例１と同様にして、各ソースからの蒸着レートを
変え、色々な組成比のＴｅ −Ｇｅ −Ｓｎ −０系薄
膜を形成した。これらの薄膜に、照射時間４０ｎ気の半
導体レーザー光を照射したところ、Ｏの原子比が２０〜
７０％の範囲では第１図に示した、Ａ、Ｆで囲まれた領
域では、実時間で記録が終了することがわかった。Ａ−
Ｆ領域の上では、記録完了までに若干のタイムディレィ
が観測された。
、実施例１と同様にして、各ソースからの蒸着レートを
変え、色々な組成比のＴｅ −Ｇｅ −Ｓｎ −０系薄
膜を形成した。これらの薄膜に、照射時間４０ｎ気の半
導体レーザー光を照射したところ、Ｏの原子比が２０〜
７０％の範囲では第１図に示した、Ａ、Ｆで囲まれた領
域では、実時間で記録が終了することがわかった。Ａ−
Ｆ領域の上では、記録完了までに若干のタイムディレィ
が観測された。
またＡ、Ｆ領域の下では、光の吸収が不十分で、記録感
度が低かった。
度が低かった。
またＡ−Ｆの領域の中でも、特に斜線で示したＧ、Ｈの
領域では応答速度が速く、４０ｎｓｅｃ以下のパルス光
にも十分対応した。
領域では応答速度が速く、４０ｎｓｅｃ以下のパルス光
にも十分対応した。
なお、Ａ〜Ｎ各点の座標は次のとおりである。
（Ｔｅ、Ｇｅ、Ｓｎ）％
Ａ：６０，２５．１５
Ｂ：６０，１６．２５
Ｃ：３０，０．７０
Ｄ：５，０．９５
Ｅ：１０，９０．Ｏ
Ｆ：４０，６０．Ｏ
Ｇ：５０，４０．１０
Ｈ： ｔｓｔｓ 、 ３０，１６
Ｉ：６５，２０．２５
Ｊ：３５，２０．４５
に：１５，４６．４０
Ｌ：１５，７５．１０
Ｍ：２０，７５．５
Ｎ：２５，７０．６
第４図は、４６°Ｃ，８５Ｈ％中での耐熱、耐湿テスト
の試験結果を示す。Ｃは、０２０ Ｔ ｅ ２□Ｇ ｅ
２ｅＳｎ２６．ｄは、Ｏｓ ｏＴ ｅ ２２ Ｇｅ２１
Ｓ ｎ ２１ 、ｅは０４ｏＴｅ２０Ｇｅ２ｏＳｎ２
゜の相対透過率Ｔ／Ｔｏ（Ｔは透過率、Ｔｏは初期透過
率）を表わす。この結果から、○の原子数比が２０％を
切ると耐湿性が極端に低下することがわかった３捷だ、
逆に０が多すぎると膜の光吸収が低下し記録感度が低下
するっ○比は３Ｑ〜６Ｑ％に選べば耐湿性、記録感度の
両方が保持される。
の試験結果を示す。Ｃは、０２０ Ｔ ｅ ２□Ｇ ｅ
２ｅＳｎ２６．ｄは、Ｏｓ ｏＴ ｅ ２２ Ｇｅ２１
Ｓ ｎ ２１ 、ｅは０４ｏＴｅ２０Ｇｅ２ｏＳｎ２
゜の相対透過率Ｔ／Ｔｏ（Ｔは透過率、Ｔｏは初期透過
率）を表わす。この結果から、○の原子数比が２０％を
切ると耐湿性が極端に低下することがわかった３捷だ、
逆に０が多すぎると膜の光吸収が低下し記録感度が低下
するっ○比は３Ｑ〜６Ｑ％に選べば耐湿性、記録感度の
両方が保持される。
発明の効果
本発明における、テルル、ゲルマニウム、錫。
酸素から成る光学記録薄膜を有する光学記録部材は、従
来のテルル、酸素を主成分とした系を用いる光学記録部
材と比較して、次にあげる効果を有する。
来のテルル、酸素を主成分とした系を用いる光学記録部
材と比較して、次にあげる効果を有する。
（１）光照射に対して高速にレスポンスする。
薄膜の構造をレーザー光等に対して敏感なものとするこ
とにより、４０ ｎ ＳｅＣと以下という短い時間内に
記録が完了できる。
とにより、４０ ｎ ＳｅＣと以下という短い時間内に
記録が完了できる。
（２）信号品質が高い。
レーザー光で、記録された情報を再生する場合に、初期
未記録部と記録部の反射率差ΔＲが２６％以上と極めて
大きく、高品質の光学記録ができる。
未記録部と記録部の反射率差ΔＲが２６％以上と極めて
大きく、高品質の光学記録ができる。
第１図は、本発明による光学情報記録部拐における０以
外の有効な組成領域を示す組成図、第２図は、本発明の
一実施例における光学情報記録部拐の断面図、第３図は
、本発明の一実施例における光学情報記録部材の分光反
射率を示すグラフ、第４図は光学情報記録部材の耐湿テ
ストの結果を示すグラフである。 １・・・・・・暴利、２・・・・・・光学情報記録薄膜
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名固 の 旧蓄徐ぺ
外の有効な組成領域を示す組成図、第２図は、本発明の
一実施例における光学情報記録部拐の断面図、第３図は
、本発明の一実施例における光学情報記録部材の分光反
射率を示すグラフ、第４図は光学情報記録部材の耐湿テ
ストの結果を示すグラフである。 １・・・・・・暴利、２・・・・・・光学情報記録薄膜
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名固 の 旧蓄徐ぺ
Claims (6)
- （１）Ｏ，Ｔｏ、Ｇｏ及びＳｎから成り、膜中のＯの原
子数比が２０ａｔｍ％以上かっ６０ａｔｍ％以下であっ
て、Ｔｅ、Ｇｏ、Ｓｎの原子数の割合が、第１図におけ
るＡ−Ｆで囲まれた領域にある光学情報記録薄膜を有す
ることを特徴とする光学情報記録部材。 - （２） Ｔｅ、Ｇｅ、Ｓｎの原子数の割合が、第１図に
おけるＧ−Ｎで囲まれた領域にある特許請求の範囲第１
項記載の光学情報記録部材。 - （３）Ｏの原子数比が３０ ａ ｔｍ％以上かッ６０
ａ ｔｍ％以下である特許請求の範囲第１項記載の光学
情報記録部材。 - （４）薄膜の膜厚を６００ん２０００への間に選ぶこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学情報記録
部材。 - （５）＃膜の両側に、波長４００〜１０００ ｎｍで透
明な防湿層を設けることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の光学情報記録部材。 - （６）透明な防湿層として、特に５ｉ０２を用いること
を特徴とする特許請求の範囲第６項記載の光学情報記録
部材。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58215489A JPS60107744A (ja) | 1983-11-15 | 1983-11-15 | 光学情報記録部材 |
| EP84307783A EP0142968B1 (en) | 1983-11-15 | 1984-11-09 | Optical recording medium and method of producing same |
| DE8484307783T DE3480240D1 (en) | 1983-11-15 | 1984-11-09 | Optical recording medium and method of producing same |
| KR1019840007139A KR890003202B1 (ko) | 1983-11-15 | 1984-11-14 | 광학 기록매체 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58215489A JPS60107744A (ja) | 1983-11-15 | 1983-11-15 | 光学情報記録部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60107744A true JPS60107744A (ja) | 1985-06-13 |
| JPH0441669B2 JPH0441669B2 (ja) | 1992-07-09 |
Family
ID=16673228
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58215489A Granted JPS60107744A (ja) | 1983-11-15 | 1983-11-15 | 光学情報記録部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60107744A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60219646A (ja) * | 1984-04-16 | 1985-11-02 | Nippon Columbia Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| JPS61217287A (ja) * | 1985-03-25 | 1986-09-26 | Nippon Columbia Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| JPS6230086A (ja) * | 1985-07-31 | 1987-02-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材 |
| JPS6276035A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-08 | Tdk Corp | 情報記録媒体および記録方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55126480A (en) * | 1979-03-26 | 1980-09-30 | Hitachi Ltd | Recording member |
| JPS5854338A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学記録媒体および記録方法 |
| JPS58161161A (ja) * | 1982-03-19 | 1983-09-24 | Hitachi Ltd | 記録用部材 |
-
1983
- 1983-11-15 JP JP58215489A patent/JPS60107744A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55126480A (en) * | 1979-03-26 | 1980-09-30 | Hitachi Ltd | Recording member |
| JPS5854338A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学記録媒体および記録方法 |
| JPS58161161A (ja) * | 1982-03-19 | 1983-09-24 | Hitachi Ltd | 記録用部材 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60219646A (ja) * | 1984-04-16 | 1985-11-02 | Nippon Columbia Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| JPH0327974B2 (ja) * | 1984-04-16 | 1991-04-17 | Nippon Columbia | |
| JPS61217287A (ja) * | 1985-03-25 | 1986-09-26 | Nippon Columbia Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| JPS6230086A (ja) * | 1985-07-31 | 1987-02-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材 |
| JPS6276035A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-08 | Tdk Corp | 情報記録媒体および記録方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0441669B2 (ja) | 1992-07-09 |
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