JPS6230085A - 光学情報記録部材 - Google Patents
光学情報記録部材Info
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- JPS6230085A JPS6230085A JP60169606A JP16960685A JPS6230085A JP S6230085 A JPS6230085 A JP S6230085A JP 60169606 A JP60169606 A JP 60169606A JP 16960685 A JP16960685 A JP 16960685A JP S6230085 A JPS6230085 A JP S6230085A
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- G11B2007/24314—Metals or metalloids group 15 elements (e.g. Sb, Bi)
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- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕本発明は光、熱等を利用する光学的情報
の記録、再生を行なう光学情報記録部材に関するもので
あって、その目的とするところは、情報信号を高速度か
つ、高密度に光学的に記録再生すると共に、消去速度お
よび消去感度が高く、情報の書き換えが可能な光学情報
記録部材を提供することにある。
の記録、再生を行なう光学情報記録部材に関するもので
あって、その目的とするところは、情報信号を高速度か
つ、高密度に光学的に記録再生すると共に、消去速度お
よび消去感度が高く、情報の書き換えが可能な光学情報
記録部材を提供することにある。
レーザ光線を利用して高密度の情報の記録再生に用いる
記録媒体には、テルルのアモルファスと結晶間の状態変
化を利用するものが用いられている。これらは比較的強
くて短いパルス光を照射して照射部を昇温状態から急冷
してアモルファス状態にし、その光学定数を減少させ、
（白色化する）あるいは比較的弱くて長いパルス光を照
射して結晶状態にし、光学定数を増大させる（黒色化す
る）ことによって記録、消去を行なうものであり、記録
時には光学定数を減少させる方向を、消去時にはこれを
増大させる方向を利用している。
記録媒体には、テルルのアモルファスと結晶間の状態変
化を利用するものが用いられている。これらは比較的強
くて短いパルス光を照射して照射部を昇温状態から急冷
してアモルファス状態にし、その光学定数を減少させ、
（白色化する）あるいは比較的弱くて長いパルス光を照
射して結晶状態にし、光学定数を増大させる（黒色化す
る）ことによって記録、消去を行なうものであり、記録
時には光学定数を減少させる方向を、消去時にはこれを
増大させる方向を利用している。
テルルは室温では結晶として安定であり、アモルファス
状態としては存在しない。したがって室温でアモルファ
ス状態で安定に存在させるだめには添加物が必要であり
、その代表的な添加物として、セレンが知られている。
状態としては存在しない。したがって室温でアモルファ
ス状態で安定に存在させるだめには添加物が必要であり
、その代表的な添加物として、セレンが知られている。
セレンは室温において非常に安定なアモルファスとして
存在し、また、テルルといかなる比率でも完全に固溶し
てテルルとセレンとのあらゆる組成範囲において、アモ
ルファスとして安定なＴｅ−８ｅ薄膜を形成する。
存在し、また、テルルといかなる比率でも完全に固溶し
てテルルとセレンとのあらゆる組成範囲において、アモ
ルファスとして安定なＴｅ−８ｅ薄膜を形成する。
ところでこのＴｅ −Ｓｅ薄膜は、情報の光学的記録、
消去は可能であるがアモルファスとして非常に安定であ
るため、比較的弱くて長いパルス光を照射して照射部を
除熱、徐冷した場合に結晶化速度が遅いために書きかえ
ができない。
消去は可能であるがアモルファスとして非常に安定であ
るため、比較的弱くて長いパルス光を照射して照射部を
除熱、徐冷した場合に結晶化速度が遅いために書きかえ
ができない。
この書き換えが可能な記録薄膜として、Ｔｅ −８ｅ−
８ｄ薄膜（例えばＴｅ、。Ｓｏ、。Ｓｂ３５ ）がある
がこの薄膜の光ディスクは、消去速度が遅くかつ、消去
感度が不十分で、加うるに黒色部と白色部の光学定数の
差が小さいために書き込みコントラスト比が不十分であ
るなどの欠点を有する。
８ｄ薄膜（例えばＴｅ、。Ｓｏ、。Ｓｂ３５ ）がある
がこの薄膜の光ディスクは、消去速度が遅くかつ、消去
感度が不十分で、加うるに黒色部と白色部の光学定数の
差が小さいために書き込みコントラスト比が不十分であ
るなどの欠点を有する。
一方、本発明者らは先に、ＴｅとＴｅＯ２との混合物よ
シなるＴｅ Ｏｘ薄膜にパラジウムを添加することによ
って結晶化速度を改善することに成功した（特願昭５９
−１９２００３号）が、とのＴｅ０Ｘ−Ｐｄ記録薄膜は
一度黒化させると再び白化させるのが困難なため、書き
換え可能な記録薄膜として使用することができない。本
発明はこの点にかんがみ、Ｔｅ−８ｅ薄膜のもつアモル
ファスとしての安定性と、 Ｔｅ０ｚ Ｐｄ薄膜のも
つ高速黒色結晶化特性との双方のすぐれた特性を有する
と共に、これらＴｅ −Ｓｅ薄膜およびＴｅ ０ｘ−Ｐ
ｄ薄膜に期待することのできない書き換えの可能な光学
情報記録部材を提供することを目的とするものである。
シなるＴｅ Ｏｘ薄膜にパラジウムを添加することによ
って結晶化速度を改善することに成功した（特願昭５９
−１９２００３号）が、とのＴｅ０Ｘ−Ｐｄ記録薄膜は
一度黒化させると再び白化させるのが困難なため、書き
換え可能な記録薄膜として使用することができない。本
発明はこの点にかんがみ、Ｔｅ−８ｅ薄膜のもつアモル
ファスとしての安定性と、 Ｔｅ０ｚ Ｐｄ薄膜のも
つ高速黒色結晶化特性との双方のすぐれた特性を有する
と共に、これらＴｅ −Ｓｅ薄膜およびＴｅ ０ｘ−Ｐ
ｄ薄膜に期待することのできない書き換えの可能な光学
情報記録部材を提供することを目的とするものである。
〔発明の構成〕本発明の光学情報記録部材は、テルル（
Ｔｅ）、セレン（Ｓｅ ）およびパラジウム（Ｐｄ）を
主成分として含み、これらの元素の割合が、Ｔｅ、 Ｓ
ｅ、 Ｐｄをそれぞれ１００ａｔ％の頂点とする三角座
標図において座標（ａｔ％）が、Ａ （Ｔｅ３５ Ｓｅ
３５ Ｐｄ、 ）、Ｂ （Ｔｅ３５ ５ｅ４１ ｐｃｔ
、。）、Ｃ（Ｔｅ＋！Ｓｅ、！Ｐｄ４０）、Ｄ （Ｔｅ
ｓ、 Ｓｅ、 Ｐｄ、。）の４点で囲まれた範囲内に
ある組成をもつ記録薄膜を有することを特徴とする。す
なわち、本発明の記録薄膜を構成するＴｅ、 Ｓｅ、
Ｐｄの原子数の割合は第１図のＡ％Ｂ、Ｃ，Ｄで囲まれ
た範囲内にある。
Ｔｅ）、セレン（Ｓｅ ）およびパラジウム（Ｐｄ）を
主成分として含み、これらの元素の割合が、Ｔｅ、 Ｓ
ｅ、 Ｐｄをそれぞれ１００ａｔ％の頂点とする三角座
標図において座標（ａｔ％）が、Ａ （Ｔｅ３５ Ｓｅ
３５ Ｐｄ、 ）、Ｂ （Ｔｅ３５ ５ｅ４１ ｐｃｔ
、。）、Ｃ（Ｔｅ＋！Ｓｅ、！Ｐｄ４０）、Ｄ （Ｔｅ
ｓ、 Ｓｅ、 Ｐｄ、。）の４点で囲まれた範囲内に
ある組成をもつ記録薄膜を有することを特徴とする。す
なわち、本発明の記録薄膜を構成するＴｅ、 Ｓｅ、
Ｐｄの原子数の割合は第１図のＡ％Ｂ、Ｃ，Ｄで囲まれ
た範囲内にある。
本発明の記録薄膜はアモルファスとしてきわめて安定し
ており、かつ、黒化感度が非常にすぐれていて光学的に
信号の書き換えが可能である。このＴｅ −Ｓｅ −Ｐ
ｄ記録薄膜中におけるＳｅの作用はアモルファス状態に
おいてＴｅあるいはＴｅ −Ｐｄ化合物が結晶化するの
を阻止してアモルファス状態（信号の記録ビット）を安
定にするものと考えられる。一方、Ｐｄは消去時にＴｅ
−Ｐｄ化合物を形成して結晶の成長を促進する結晶核
としての作用をするものと考えられる。したがってＳｅ
を含むことによってアモルファス状態の安定した記録薄
膜がＰｄを含むことによって十分な消去速度と消去感度
とをもつようになると考えられるのである。さらに、Ｔ
ｅ −Ｓｅ −Ｐｄ薄膜はＴｅ −Ｓｅ薄膜に比べ、光
の透過率が低いため、記録薄膜における光の吸収率がよ
く、感度が高い。また、結晶化が高速に、かつ十分に行
なわれるためアモルファスと結晶との光学定数の差が大
きく信号書き込み時のコントラスト比が大となシ、大き
なＣ／Ｎ がえられる。
ており、かつ、黒化感度が非常にすぐれていて光学的に
信号の書き換えが可能である。このＴｅ −Ｓｅ −Ｐ
ｄ記録薄膜中におけるＳｅの作用はアモルファス状態に
おいてＴｅあるいはＴｅ −Ｐｄ化合物が結晶化するの
を阻止してアモルファス状態（信号の記録ビット）を安
定にするものと考えられる。一方、Ｐｄは消去時にＴｅ
−Ｐｄ化合物を形成して結晶の成長を促進する結晶核
としての作用をするものと考えられる。したがってＳｅ
を含むことによってアモルファス状態の安定した記録薄
膜がＰｄを含むことによって十分な消去速度と消去感度
とをもつようになると考えられるのである。さらに、Ｔ
ｅ −Ｓｅ −Ｐｄ薄膜はＴｅ −Ｓｅ薄膜に比べ、光
の透過率が低いため、記録薄膜における光の吸収率がよ
く、感度が高い。また、結晶化が高速に、かつ十分に行
なわれるためアモルファスと結晶との光学定数の差が大
きく信号書き込み時のコントラスト比が大となシ、大き
なＣ／Ｎ がえられる。
次に本発明の記録薄膜を構成するＴｅ、 ８ｅ、Ｐｄの
原子数の割合について説明する。構成元素のうちＴｅは
レーザ照射による加熱、急冷によってアモルファス状態
となり、除熱、除冷によって結晶状態となる。すなわち
、このＴｅ −８ｅ −Ｐｄ薄膜においては主としてＴ
ｅの相変態による反射率の変化によって信号の記録、消
去が行なわれるのであるが、Ｔｅの含有量の少ない領域
では反射率変化が小さくなる。そしてＴｅ ４５ ａｔ
％ （第１図ＢＣ線）以下のＴｅの含有量の少ない領域
ではアモルファスと結晶との相変態を繰返すと、除々に
結晶化しにくくなることが確認された。
原子数の割合について説明する。構成元素のうちＴｅは
レーザ照射による加熱、急冷によってアモルファス状態
となり、除熱、除冷によって結晶状態となる。すなわち
、このＴｅ −８ｅ −Ｐｄ薄膜においては主としてＴ
ｅの相変態による反射率の変化によって信号の記録、消
去が行なわれるのであるが、Ｔｅの含有量の少ない領域
では反射率変化が小さくなる。そしてＴｅ ４５ ａｔ
％ （第１図ＢＣ線）以下のＴｅの含有量の少ない領域
ではアモルファスと結晶との相変態を繰返すと、除々に
結晶化しにくくなることが確認された。
Ｔｅそれ自体は室温で結晶性が強＜ 、Ｔｅ８５ ａｔ
％（第１図ＣＤ線ｉ）以上のＴｅの豊富な領域ではアモ
ルファス部分（記録ビット）が結晶しゃすく、記録信号
の保存の点で問題がある。
％（第１図ＣＤ線ｉ）以上のＴｅの豊富な領域ではアモ
ルファス部分（記録ビット）が結晶しゃすく、記録信号
の保存の点で問題がある。
ＳｅはＴｅといかなる比率においても完全に固溶してＴ
ｅの結晶中に入シこみ、 Ｔｅの結晶が増大するのを阻
止して記録薄膜をアモルファス状態に保持するよう作用
するのに対し、 ＰｄはＴｅがアモルファスから結晶化
するときにＴｅ −ＰｄあるいはＳｅ −Ｐｄのなんら
かの化合物を作ることによって一種の結晶核のような作
用をするものと考えられ、レーザ照射によって高速かつ
高感度でＴｅの結晶化（記録信号の消去）を促進する作
用を有する。したがってＳｅとＰｄは記録薄膜中で相反
する作用をするのでこれらの含有量の相対的割合は重要
である。
ｅの結晶中に入シこみ、 Ｔｅの結晶が増大するのを阻
止して記録薄膜をアモルファス状態に保持するよう作用
するのに対し、 ＰｄはＴｅがアモルファスから結晶化
するときにＴｅ −ＰｄあるいはＳｅ −Ｐｄのなんら
かの化合物を作ることによって一種の結晶核のような作
用をするものと考えられ、レーザ照射によって高速かつ
高感度でＴｅの結晶化（記録信号の消去）を促進する作
用を有する。したがってＳｅとＰｄは記録薄膜中で相反
する作用をするのでこれらの含有量の相対的割合は重要
である。
Ｐｄの含有量が第１図ＣＤ線以下の少ない領域ではＰｄ
の作用がＳｅの作用に比べて小さすぎ、白化感度（記録
感度）は十分にえられるが黒化感度（消去感度）が不足
する。Ｐｄの含有量が第１図ＣＤ線以上の多い領域では
Ｓｅの作用がＰｄの作用に比べて小さすぎ、アモルファ
ス化が不足する。また、アモルファス化した部分も結晶
化し易いために、記録信号の保存に信頼性が乏しい。本
発明の記録薄膜が十分な記録、消去感度と記録信号の保
存性および高いＣ／Ｎを有し、かつ、信号の記録、消去
の繰返しに安定した特性を示すためのＴｅ１Ｓｅ、 Ｐ
ｄの相対的割合はＴｅ ＝ ４５〜８５ ａｔ％、Ｓｅ
＝ ５〜４５ ａｔ％、Ｐｄ＝５〜４０ ａｔ％であ
って、これらの数字は後述の実施例１〜３のデータから
明らかであシ、これを３角座標によって表わすと第１図
に示すように、Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄで囲まれた領域となる。
の作用がＳｅの作用に比べて小さすぎ、白化感度（記録
感度）は十分にえられるが黒化感度（消去感度）が不足
する。Ｐｄの含有量が第１図ＣＤ線以上の多い領域では
Ｓｅの作用がＰｄの作用に比べて小さすぎ、アモルファ
ス化が不足する。また、アモルファス化した部分も結晶
化し易いために、記録信号の保存に信頼性が乏しい。本
発明の記録薄膜が十分な記録、消去感度と記録信号の保
存性および高いＣ／Ｎを有し、かつ、信号の記録、消去
の繰返しに安定した特性を示すためのＴｅ１Ｓｅ、 Ｐ
ｄの相対的割合はＴｅ ＝ ４５〜８５ ａｔ％、Ｓｅ
＝ ５〜４５ ａｔ％、Ｐｄ＝５〜４０ ａｔ％であ
って、これらの数字は後述の実施例１〜３のデータから
明らかであシ、これを３角座標によって表わすと第１図
に示すように、Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄで囲まれた領域となる。
なお、Ａ％Ｂ％Ｃ，Ｄ各点の座標（ａｔ％）は次のとお
シである。
シである。
Ａ （Ｔｅ３５ Ｓｅ、。Ｐｄ、 ）、Ｂ （Ｔｅ３５
８ｅ４１ Ｐｄｔｏ ）Ｃ（Ｔｅ４５ Ｂｅ３５ Ｐ
ｄ、。）、Ｄ （Ｔｅ、５Ｓｅ、 Ｐｄ、。） 。
８ｅ４１ Ｐｄｔｏ ）Ｃ（Ｔｅ４５ Ｂｅ３５ Ｐ
ｄ、。）、Ｄ （Ｔｅ、５Ｓｅ、 Ｐｄ、。） 。
〔添加物〕本発明の記録薄膜は添加物を配合することに
よって特性をよシ向上させることができる。特許請求の
範囲（２）の実施例は少量のＧｅを添加した場合で高温
で使用するときに特に有効である。記録薄膜が劣化する
原因の１にアモルファス状態のＴｅを高温中に放置した
ときに除々に、結晶化（白化部が除々に黒化する）する
ことが考えられるが、Ｇｅは記録薄膜中においてアモル
ファス化したＴｅが結晶化を開始する転移開始温度を上
昇させる作用があるものと考えられる。Ｇｅの添加量は
２ａｔ％程度でもその効果が十分に認められる。添加量
が１５ａｔ％をこえると転移開始温度が高くなシすぎて
消去感度が低下するのでｓ １５ａｔ％が限度である。
よって特性をよシ向上させることができる。特許請求の
範囲（２）の実施例は少量のＧｅを添加した場合で高温
で使用するときに特に有効である。記録薄膜が劣化する
原因の１にアモルファス状態のＴｅを高温中に放置した
ときに除々に、結晶化（白化部が除々に黒化する）する
ことが考えられるが、Ｇｅは記録薄膜中においてアモル
ファス化したＴｅが結晶化を開始する転移開始温度を上
昇させる作用があるものと考えられる。Ｇｅの添加量は
２ａｔ％程度でもその効果が十分に認められる。添加量
が１５ａｔ％をこえると転移開始温度が高くなシすぎて
消去感度が低下するのでｓ １５ａｔ％が限度である。
特許請求の範囲（３）の実施例は、Ｓｎ％Ｓｂ、 Ｂｉ
、Ｉｎのなかから選択した元素の少くともその１を添加
する場合である。Ｔｅ −Ｓｅ −Ｐｄ記録薄膜の黒化
感度を向上させるためにＰｄの含有量を増加すると白化
感度を低下させるが、少量のＳｎ、 Ｓｂ。
、Ｉｎのなかから選択した元素の少くともその１を添加
する場合である。Ｔｅ −Ｓｅ −Ｐｄ記録薄膜の黒化
感度を向上させるためにＰｄの含有量を増加すると白化
感度を低下させるが、少量のＳｎ、 Ｓｂ。
Ｂｉ、Ｉｎ等を添加すると白化感度を低下させることな
く黒化感度を向上させることができ、その添加量は５〜
３Ｑ ａｔ％が適当である。このＳｎ。
く黒化感度を向上させることができ、その添加量は５〜
３Ｑ ａｔ％が適当である。このＳｎ。
８ｂ、 Ｂｉ、 Ｉｎ等の添加は黒化感度を向上させる
点でＰｄの含有量の少い領域において特に有効であｐ、
Ｐｄが高価な・元素であることを併せ考えると、実用上
、有利な添加物質である、ということができる。
点でＰｄの含有量の少い領域において特に有効であｐ、
Ｐｄが高価な・元素であることを併せ考えると、実用上
、有利な添加物質である、ということができる。
本発明の光学情報記録部材およびその製造法並びにその
特性評価の方法を第２図および第３図について説明する
。第２図は本発明の光学情報記録部材の断面図で、１は
ＰＭＭＡ 、 ポリカーボネイト、塩化ビニール、ポ
リエステル等の透明な樹脂又はガラスよりなる基板、２
は記録薄膜である。記録薄膜２は基板１の上に蒸着、ス
パッタリング等によって形成され、その膜組成はオージ
ェ電子分光法、誘導結合高周波プラズマ発光分析法、Ｘ
線マイクロアナリシス法等によシ決定される。
特性評価の方法を第２図および第３図について説明する
。第２図は本発明の光学情報記録部材の断面図で、１は
ＰＭＭＡ 、 ポリカーボネイト、塩化ビニール、ポ
リエステル等の透明な樹脂又はガラスよりなる基板、２
は記録薄膜である。記録薄膜２は基板１の上に蒸着、ス
パッタリング等によって形成され、その膜組成はオージ
ェ電子分光法、誘導結合高周波プラズマ発光分析法、Ｘ
線マイクロアナリシス法等によシ決定される。
記録薄膜の形成には３源蒸着の可能な電子ビーム蒸着機
を採用し、１８％８ｅ、Ｐｄをそれぞれのソースから１
５０ｒｐｍで回転するアクリル樹脂基板（１ｏ Ｘ ２
０ Ｘ １．ｚ％ ）上にＩ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ以
下の真空の下で蒸着した。記録薄膜の厚さは約１２０Ｏ
Ａとした。各ソースからの蒸着速度は記録薄膜中のＴｅ
、 Ｓｅ、 Ｐｄの原子数の割合を調整するために、い
ろいろと変化させた。
を採用し、１８％８ｅ、Ｐｄをそれぞれのソースから１
５０ｒｐｍで回転するアクリル樹脂基板（１ｏ Ｘ ２
０ Ｘ １．ｚ％ ）上にＩ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ以
下の真空の下で蒸着した。記録薄膜の厚さは約１２０Ｏ
Ａとした。各ソースからの蒸着速度は記録薄膜中のＴｅ
、 Ｓｅ、 Ｐｄの原子数の割合を調整するために、い
ろいろと変化させた。
上記の方法によって作成した試験片の黒化特性（消去特
性）および白化特性（記録特性）を評価する方法を第３
図について説明する。半導体レーザ３を出た波長８３０
ｎｍの光は第２レンズ６によって疑似平行光５となシ、
第２レンズ６で丸く整形された後、第３レンズ７で再び
平行光になり、ハーフミラ−８を介して第４レンズ９で
試験片１０上に波長限界約０．８μｍの大きさのスポッ
ト１１に集光され記録が行なわれる。信号の検出は、試
験片１０からの反射光をハーフミラ−８を介して受け、
第５レンズ１２を通して光感応ダイオード１３で行なっ
た。このように半導体レーザを変調して、試験片上に照
射パワーと照射時間の異なる種々のパルスレーザ光を照
射することによシ黒化特性と白化特性とを知ることがで
きる。
性）および白化特性（記録特性）を評価する方法を第３
図について説明する。半導体レーザ３を出た波長８３０
ｎｍの光は第２レンズ６によって疑似平行光５となシ、
第２レンズ６で丸く整形された後、第３レンズ７で再び
平行光になり、ハーフミラ−８を介して第４レンズ９で
試験片１０上に波長限界約０．８μｍの大きさのスポッ
ト１１に集光され記録が行なわれる。信号の検出は、試
験片１０からの反射光をハーフミラ−８を介して受け、
第５レンズ１２を通して光感応ダイオード１３で行なっ
た。このように半導体レーザを変調して、試験片上に照
射パワーと照射時間の異なる種々のパルスレーザ光を照
射することによシ黒化特性と白化特性とを知ることがで
きる。
悪化特性の評価には、照射パワーを比較的小さく例えば
１ ｍｗ／μｍ２程度のパワー密度に固定し照射時間を
変化させて黒化開始の照射時間を測定する方法を採用し
た、白化特性の評価には、記録部材をあらかじめ黒化し
ておき、照射時間を例えば５０ｎｓｏｃ程度に固定し白
化開始に必要な照射光パワーを測定する方法を採用した
。半導体レーザの実用的な出力を考慮した場合、上記の
評価方法において、黒化開始の照射時間が３μ爪程度以
下、白化開始の照射パワーがｌＱｍｗ／μ？Ｆ！２程度
以下であれば、その記録薄膜は実用的な光ディスクに利
用可能と考えられる。作成した試験片を上記評価方法を
用いて評価した結果は次に示すとおシである。
１ ｍｗ／μｍ２程度のパワー密度に固定し照射時間を
変化させて黒化開始の照射時間を測定する方法を採用し
た、白化特性の評価には、記録部材をあらかじめ黒化し
ておき、照射時間を例えば５０ｎｓｏｃ程度に固定し白
化開始に必要な照射光パワーを測定する方法を採用した
。半導体レーザの実用的な出力を考慮した場合、上記の
評価方法において、黒化開始の照射時間が３μ爪程度以
下、白化開始の照射パワーがｌＱｍｗ／μ？Ｆ！２程度
以下であれば、その記録薄膜は実用的な光ディスクに利
用可能と考えられる。作成した試験片を上記評価方法を
用いて評価した結果は次に示すとおシである。
〔実施例１〕評価材料組成として８ｅとＰｄの原子数比
が５０：５０となるように組成制御を行ない、同時にこ
のＳｅ、。Ｐｄ、。とＴｅの比を変化させて複数の試験
片を作成した。
が５０：５０となるように組成制御を行ない、同時にこ
のＳｅ、。Ｐｄ、。とＴｅの比を変化させて複数の試験
片を作成した。
第４図（ａ）はＳｅ、。Ｐｄ、ｏに保ちなからＴｅの含
有量を変化させてゆき１ｍｗ／μｍ２のパワーで照射し
たときの黒化開始に要する照射時間の変化を示したもの
である。この図から黒化開始に要′する照射時間はＴｅ
の含有量が少ないと長くなることがわかるが、本実施例
の範囲であれば十分に実用的な時間であると考えられる
。またＴｅの含有量が少なくなると反射率の変化量が小
さくなるのが認められ、これは大きなＣ／Ｎ が見られ
ないことを示しているが実用上、問題にはならない。さ
らにＴｅの含有量が４５ ａｔ％よシ少ない領域、例え
ばＴｅ、。Ｓｅ、。Ｐｄ ｓｏの薄膜では、一度黒化し
た後、白化した部分は、再び黒化しても最初の黒化状態
はど十分に黒化しないことが確認された。これはレーザ
照射された部分の記録薄膜が何らかの相分離を起こすこ
とによるものと考えられ、信号の記録、消去を繰返した
ときに、除々に記録、消去特性が変動することを示すも
ので実用上問題がある。
有量を変化させてゆき１ｍｗ／μｍ２のパワーで照射し
たときの黒化開始に要する照射時間の変化を示したもの
である。この図から黒化開始に要′する照射時間はＴｅ
の含有量が少ないと長くなることがわかるが、本実施例
の範囲であれば十分に実用的な時間であると考えられる
。またＴｅの含有量が少なくなると反射率の変化量が小
さくなるのが認められ、これは大きなＣ／Ｎ が見られ
ないことを示しているが実用上、問題にはならない。さ
らにＴｅの含有量が４５ ａｔ％よシ少ない領域、例え
ばＴｅ、。Ｓｅ、。Ｐｄ ｓｏの薄膜では、一度黒化し
た後、白化した部分は、再び黒化しても最初の黒化状態
はど十分に黒化しないことが確認された。これはレーザ
照射された部分の記録薄膜が何らかの相分離を起こすこ
とによるものと考えられ、信号の記録、消去を繰返した
ときに、除々に記録、消去特性が変動することを示すも
ので実用上問題がある。
第４図（ｂ）は、ｌ ｍｗ／ ａｍ”のパワーで１５μ
（８）照射して十分に黒化した部分に、照射時間を５０
ｎ９［ｃとして照射パワーを変化して照射したときの白
化開始に要する照射パワーの違いを示している。これか
らＳｅ、。Ｐｄ、。に対するＴｅの割合が増加するにつ
れて白化開始に要する照射）（ワーは増大することがわ
かるが、本実施例の範囲であれば十分に実用的な照射パ
ワーであると考えられる。しかし、 Ｔｅの含有量が８
５ ａｔ％を越える領域では白化部分（アモルファス部
分）は室温で長期間安定に存在することができず、除々
に黒化（結晶化）することが確認された。これは信号の
記録ビットが自然に消滅することを示すもので実用上問
題がある。
（８）照射して十分に黒化した部分に、照射時間を５０
ｎ９［ｃとして照射パワーを変化して照射したときの白
化開始に要する照射パワーの違いを示している。これか
らＳｅ、。Ｐｄ、。に対するＴｅの割合が増加するにつ
れて白化開始に要する照射）（ワーは増大することがわ
かるが、本実施例の範囲であれば十分に実用的な照射パ
ワーであると考えられる。しかし、 Ｔｅの含有量が８
５ ａｔ％を越える領域では白化部分（アモルファス部
分）は室温で長期間安定に存在することができず、除々
に黒化（結晶化）することが確認された。これは信号の
記録ビットが自然に消滅することを示すもので実用上問
題がある。
以上から（Ｓｅ、ｏＰｄ、。） １００−ｘ Ｔ＋４
（ａｔ％表示）で表わされる組成からなる記録薄膜は、
Ｘの値を４５≦Ｘ≦８５ａｔ％に選ぶことによって、記
録、消去特性がともにすぐれた記録薄膜となることがわ
かる。
（ａｔ％表示）で表わされる組成からなる記録薄膜は、
Ｘの値を４５≦Ｘ≦８５ａｔ％に選ぶことによって、記
録、消去特性がともにすぐれた記録薄膜となることがわ
かる。
〔実施例２〕評価材料組成としてＴｅと（Ｓｅ−４−Ｐ
ｄ）の原子数比が８０ ： ２０ となるように組成
制御を行ない、同時にＳｅとＰｄの比を変化させて複数
の試験片を作成した。
ｄ）の原子数比が８０ ： ２０ となるように組成
制御を行ない、同時にＳｅとＰｄの比を変化させて複数
の試験片を作成した。
第５図（ａｌはＴｅ１１゜５ｅ２ｏ−ｘ ＰｄＸ、０≦
Ｘ≦２０（ａｔ％表示）において、Ｘの値を変化させ、
１ｒｒｒＷ／μ？Ｆ１２のパワーで照射したときの黒化
開始に要する照射時間の変化を示している。同図から黒
化開始に要する照射時間はＸの値が大きいほど（Ｐｄの
添加量が多いほど）短かくなくなることがわかり、Ｘの
値が約６ａｔ％以上であれば実用的な黒化速度が得られ
ることを明らかにしている０ 第５図（ｂ）は例えばｌ ｍｗ／ μｍ” ｔ７）パ’
７−テ１５μ式照射して十分に黒化した部分に、照射時
間を５ｏｎ＠＋とじて照射パワーを変化して照射したと
きの白化開始に要する照射パワーの違いを示している。
Ｘ≦２０（ａｔ％表示）において、Ｘの値を変化させ、
１ｒｒｒＷ／μ？Ｆ１２のパワーで照射したときの黒化
開始に要する照射時間の変化を示している。同図から黒
化開始に要する照射時間はＸの値が大きいほど（Ｐｄの
添加量が多いほど）短かくなくなることがわかり、Ｘの
値が約６ａｔ％以上であれば実用的な黒化速度が得られ
ることを明らかにしている０ 第５図（ｂ）は例えばｌ ｍｗ／ μｍ” ｔ７）パ’
７−テ１５μ式照射して十分に黒化した部分に、照射時
間を５ｏｎ＠＋とじて照射パワーを変化して照射したと
きの白化開始に要する照射パワーの違いを示している。
これからＴｅ、。Ｓｅ、。−ｘＰｄＸにおいて、Ｘの値
が大きいほど白化開始に要する照射パワーは大きくなる
ことがわかるが、Ｘの値が約１４ａｔ％以下であれば実
用上問題のない照射パワーと考えられる。さらに、Ｘ＝
１７ａｔ％、すなわちＴｅ、。Ｓｅ、Ｐｄ３５の組成か
らなる記録薄膜においては、白化部分は室温での長期間
放置において徐々に黒化することが確認され、記録信号
の長期保存の観点からも実用的でないことがわかった０ 以上からＴｅ、。８ｅ、。−ｘＰｄｘで表わされる組成
からなる記録薄膜は、Ｘの値を６≦Ｘ≦１４ａｔ％に選
ぶことによって、記録、消去ともにすぐれた特性を示す
ことが明らかになった。
が大きいほど白化開始に要する照射パワーは大きくなる
ことがわかるが、Ｘの値が約１４ａｔ％以下であれば実
用上問題のない照射パワーと考えられる。さらに、Ｘ＝
１７ａｔ％、すなわちＴｅ、。Ｓｅ、Ｐｄ３５の組成か
らなる記録薄膜においては、白化部分は室温での長期間
放置において徐々に黒化することが確認され、記録信号
の長期保存の観点からも実用的でないことがわかった０ 以上からＴｅ、。８ｅ、。−ｘＰｄｘで表わされる組成
からなる記録薄膜は、Ｘの値を６≦Ｘ≦１４ａｔ％に選
ぶことによって、記録、消去ともにすぐれた特性を示す
ことが明らかになった。
〔実施例３〕評価材料組成としてＴｅと（Ｓｅ十Ｐｄ）
の原子数比が５０ ： ５０となるように組成制御を行
ない、同時にＳｅとＰｄの比を変化させて複数の試験片
を作成した。
の原子数比が５０ ： ５０となるように組成制御を行
ない、同時にＳｅとＰｄの比を変化させて複数の試験片
を作成した。
第６図（＆）はＴｅ３５８ｅＢ’６−ｚ ＰｄＸ％ ０
≦Ｘ≦５０−（ａｔ％表示）においてＸの値を変化させ
、１ｍｗ／μｍ２のパワーで照射したときの黒化開始に
要する照射時間の変化を示している。同図から、黒化開
始に要する照射時間はＸの値が大きいほど（Ｐｄの添加
量が多いはど）短かくなることがわがＤｓ ”の値が１
０ａｔ％以上であれば実用的な 。
≦Ｘ≦５０−（ａｔ％表示）においてＸの値を変化させ
、１ｍｗ／μｍ２のパワーで照射したときの黒化開始に
要する照射時間の変化を示している。同図から、黒化開
始に要する照射時間はＸの値が大きいほど（Ｐｄの添加
量が多いはど）短かくなることがわがＤｓ ”の値が１
０ａｔ％以上であれば実用的な 。
黒化速度が得られることを明らかにしている。
第６図（ｂｌは、例えばｔｍｗ／μｒｎ”のパワーで１
５μ爪照射して十分に黒化した部分に、照射時間を５０
ｎ５Ｅｌｃとして照射パワーを変化して照射したとき
の白化開始に要する照射パワーの違いを示している。こ
れからＴｅｌ。Ｓｅ、ｏアＰｄｘにおいて、Ｘの値が大
きいほど白化開始に要する照射パワーは大きくなること
がわかるが、Ｘの値が３５ａｔ％以下であれば実用上問
題はないと考えられる。以上から、Ｔｅ、。Ｓｅ、。−
ｘＰｄｘ で表わされる組成からなる記録薄膜は、Ｘの
値を１０≦Ｘ≦３５ａｔ％とすることによって、記録、
消去ともにすぐれた記録薄膜となることがわかる。
５μ爪照射して十分に黒化した部分に、照射時間を５０
ｎ５Ｅｌｃとして照射パワーを変化して照射したとき
の白化開始に要する照射パワーの違いを示している。こ
れからＴｅｌ。Ｓｅ、ｏアＰｄｘにおいて、Ｘの値が大
きいほど白化開始に要する照射パワーは大きくなること
がわかるが、Ｘの値が３５ａｔ％以下であれば実用上問
題はないと考えられる。以上から、Ｔｅ、。Ｓｅ、。−
ｘＰｄｘ で表わされる組成からなる記録薄膜は、Ｘの
値を１０≦Ｘ≦３５ａｔ％とすることによって、記録、
消去ともにすぐれた記録薄膜となることがわかる。
上記実施例１〜３から、Ｔｅ、 Ｓｅ、 Ｐｄを構成元
素とし、各元素の原子数の割合が第１図のＡｌＢ、Ｃ，
Ｄで囲まれた範囲内にある記録薄膜は、記録特性、消去
特性ともに良好な光学情報記録部材であることがわかる
。
素とし、各元素の原子数の割合が第１図のＡｌＢ、Ｃ，
Ｄで囲まれた範囲内にある記録薄膜は、記録特性、消去
特性ともに良好な光学情報記録部材であることがわかる
。
〔実施例４〕評価材料組成としてＴｃとＢｅとＰｄの原
子数比が７０ ： １５ ： １５となるように組成制
御を行ない、同時にこのＴｅ７ｏＳｅ３５ Ｐｄ３５に
添加するＧｅの添加量を変化させた複数個の試験片を作
成した。この試験片の作成方法は４源蒸着が可能な電子
ビーム蒸着機を使用してそれぞれのソースからＴｅ、
Ｓｅ、 Ｐｄ、 Ｇｅを蒸着した。他の蒸着条件は前述
の実施例と同様である。
子数比が７０ ： １５ ： １５となるように組成制
御を行ない、同時にこのＴｅ７ｏＳｅ３５ Ｐｄ３５に
添加するＧｅの添加量を変化させた複数個の試験片を作
成した。この試験片の作成方法は４源蒸着が可能な電子
ビーム蒸着機を使用してそれぞれのソースからＴｅ、
Ｓｅ、 Ｐｄ、 Ｇｅを蒸着した。他の蒸着条件は前述
の実施例と同様である。
この試験片を６０Ｃの恒温槽内に放置し、波長８３０ｎ
ｍの光における透過率変化を測定することによって耐熱
特性を求めた０第７図（ａ）はその結果を示している。
ｍの光における透過率変化を測定することによって耐熱
特性を求めた０第７図（ａ）はその結果を示している。
同図からＴｅ、。Ｓｅ、 Ｐｄ１．に慟を添加すること
によシ、透過率の低下する速度が遅くなることがわかる
。透過率の低下は、アモルファス状態の記録薄膜を高温
中に放置したとき徐々に結晶化していくことを意味して
おシ、伽の添加は結晶化温度の上昇を示している。すな
わち、Ｑｅを添加することによって、信号の記録ビット
（アモルファス状態）の保存特性を向上させることがで
きる。この効果はＧｅの添加量が２ａｔ％以下でも認め
られるが、添加量が多ければ多いほど耐熱性の向上する
ことがわかる。
によシ、透過率の低下する速度が遅くなることがわかる
。透過率の低下は、アモルファス状態の記録薄膜を高温
中に放置したとき徐々に結晶化していくことを意味して
おシ、伽の添加は結晶化温度の上昇を示している。すな
わち、Ｑｅを添加することによって、信号の記録ビット
（アモルファス状態）の保存特性を向上させることがで
きる。この効果はＧｅの添加量が２ａｔ％以下でも認め
られるが、添加量が多ければ多いほど耐熱性の向上する
ことがわかる。
第７図（ｂ）はＴｅ７ｏＳ６．、 Ｐｄ３５に保ちなか
らＱｅの添加量を増加させてゆき、１ｍｗ／μｍ”で照
射したときの黒化開始に要する時間の変化を示したもの
である。同図からＧｅの添加量を増加していくと黒化開
始の照射時間は徐々に長くなることがわかる。これはＧ
ｅの添加によって、アモルファス状態にある記録薄膜の
結晶化温度が上昇したことによるものである。Ｇｅの添
加は黒化感度の低下を招くが、同図から添加量が１５ａ
ｔ％以下であれば問題のないことがわかる。
らＱｅの添加量を増加させてゆき、１ｍｗ／μｍ”で照
射したときの黒化開始に要する時間の変化を示したもの
である。同図からＧｅの添加量を増加していくと黒化開
始の照射時間は徐々に長くなることがわかる。これはＧ
ｅの添加によって、アモルファス状態にある記録薄膜の
結晶化温度が上昇したことによるものである。Ｇｅの添
加は黒化感度の低下を招くが、同図から添加量が１５ａ
ｔ％以下であれば問題のないことがわかる。
第７図（ｃ）は、例えば１ｍｗ／μｍ！のパワーで１５
μ灘照射して十分に黒化した部分に照射時間を５０ｎｓ
ｏｃとして照射パワーを変化して照射したときの、白化
開始に要する照射パワーの変化を示している。これから
Ｔｅ、。Ｓｅ３５ Ｐｄ３５にＧｅを添加することによ
って白化開始に要する照射パワーは徐々に増大するもの
の、本実施例における添加量の範囲内（２５ａｔ％以下
、）では実用上何ら問題はない。
μ灘照射して十分に黒化した部分に照射時間を５０ｎｓ
ｏｃとして照射パワーを変化して照射したときの、白化
開始に要する照射パワーの変化を示している。これから
Ｔｅ、。Ｓｅ３５ Ｐｄ３５にＧｅを添加することによ
って白化開始に要する照射パワーは徐々に増大するもの
の、本実施例における添加量の範囲内（２５ａｔ％以下
、）では実用上何ら問題はない。
以上によシ、（ト）の添加はＴｅ −Ｓｅ −Ｐｄ
記録薄膜の耐熱性向上に有効であシ、特に（ト）の添加
量が１５ａｔ％以下であれば、黒化特性および白化特性
をともに良好に保ちながら耐熱性を向上させることがで
きることがわかる。
記録薄膜の耐熱性向上に有効であシ、特に（ト）の添加
量が１５ａｔ％以下であれば、黒化特性および白化特性
をともに良好に保ちながら耐熱性を向上させることがで
きることがわかる。
〔実施例５〕評価材料組成としてＴｅとＳｅとＰｄの原
子数比が７５ ： １５ ： １０となるよう組成制御
を行ない、同時にこのＴｅ、 Ｓｅ、５ ｐｔｉ、。と
Ｓｎ、ｓｂ％Ｂｉ、Ｉｎから選択される一元素との比を
変化させて複数個の試験片を作成した。この場合の試験
片の作成方法は４源蒸着が可能な電子ビーム蒸着機を使
用し、それぞれのソースからＴｅ。
子数比が７５ ： １５ ： １０となるよう組成制御
を行ない、同時にこのＴｅ、 Ｓｅ、５ ｐｔｉ、。と
Ｓｎ、ｓｂ％Ｂｉ、Ｉｎから選択される一元素との比を
変化させて複数個の試験片を作成した。この場合の試験
片の作成方法は４源蒸着が可能な電子ビーム蒸着機を使
用し、それぞれのソースからＴｅ。
Ｓｅ、ＰｄおよびＳｎ、 Ｓｂ、 Ｂｉ、 Ｉｎから選
択される一元素を蒸着した。他の蒸着条件は前述の実施
例と同様である。
択される一元素を蒸着した。他の蒸着条件は前述の実施
例と同様である。
第８図（ａ）はＴｅ３５ Ｓｅ、５ Ｐｄ、。にＳｎを
添加した場合、第９図（ａ）はｓｂを添加した場合、第
１０図（ａｌはＢｉを添加した場合、第１ｉ図（ａ）は
Ｉｎを添加した場合において、１ｍｗ／μｍ２のパワー
で照射したときの黒化開始に要する照射時間の変化をそ
れぞれ示している。これらの図から、Ｓｎ％ｓｂ、
。
添加した場合、第９図（ａ）はｓｂを添加した場合、第
１０図（ａｌはＢｉを添加した場合、第１ｉ図（ａ）は
Ｉｎを添加した場合において、１ｍｗ／μｍ２のパワー
で照射したときの黒化開始に要する照射時間の変化をそ
れぞれ示している。これらの図から、Ｓｎ％ｓｂ、
。
Ｂｉ、Ｉｎのどの元素を添加した場合でも黒化開始に要
する照射時間が短かくなることがわかシ、特に５ａｔ％
以上添加した場合にその効果が大きいことがわかる。
する照射時間が短かくなることがわかシ、特に５ａｔ％
以上添加した場合にその効果が大きいことがわかる。
第８図（ｂ）、第９図（ｂ）、第ｘｏ図（ｂ）、第１１
図（ｂ）は、それぞれ、例えば１ｍｗ／μｍのパワーで
１５μ武照射して十分に黒化した部分に照射時間を５ｏ
ｎｓｅｃとして照射パワーを変化して照射したときの、
白化開始に要する照射パワーの変化を示している。これ
らの図から、 Ｔｅ□Ｓｅ３５ Ｐｄ、。にＳｎ％５ｂ
１Ｂｉ％Ｉｎのどの元素を添加した場合でも、白化開始
に要する照射パワーは増加することがわかる。しかし、
Ｓｎ、 Ｓｂ、 Ｂｉ、 Ｉｎのどの元素を添加した場
合においても、その添加量が３０ ａｔ％以下であれば
、十分に実用的な照射パワーと考えて差支えはない。
図（ｂ）は、それぞれ、例えば１ｍｗ／μｍのパワーで
１５μ武照射して十分に黒化した部分に照射時間を５ｏ
ｎｓｅｃとして照射パワーを変化して照射したときの、
白化開始に要する照射パワーの変化を示している。これ
らの図から、 Ｔｅ□Ｓｅ３５ Ｐｄ、。にＳｎ％５ｂ
１Ｂｉ％Ｉｎのどの元素を添加した場合でも、白化開始
に要する照射パワーは増加することがわかる。しかし、
Ｓｎ、 Ｓｂ、 Ｂｉ、 Ｉｎのどの元素を添加した場
合においても、その添加量が３０ ａｔ％以下であれば
、十分に実用的な照射パワーと考えて差支えはない。
以上より、Ｔｅ −８ｅ −Ｐｄ記録薄膜に５ｎ１Ｓｂ
。
。
Ｂｉ、Ｉｎよシ選択される元素を５〜３Ｑ ａｔ％添加
することによって、白化特性を実用的な範囲に保ちなが
ら黒化特性を改善することのできることがわかる。
することによって、白化特性を実用的な範囲に保ちなが
ら黒化特性を改善することのできることがわかる。
（実７１Ｊ６）基材としテ１．２ ｔ Ｘ ２００ ｗ
＄のアクリル樹脂板を用い、記録薄膜としてＴｅ７．
Ｓｅ、。
＄のアクリル樹脂板を用い、記録薄膜としてＴｅ７．
Ｓｅ、。
薄膜およびＴｅ、。Ｓｅ３５ Ｐｄ１．薄膜を形成した
２種類の光ディスクを試作し、信号の記録、消去の比較
試験を行なった。各記録薄膜の形成方法は上述の実施例
と同様である。
２種類の光ディスクを試作し、信号の記録、消去の比較
試験を行なった。各記録薄膜の形成方法は上述の実施例
と同様である。
これら２種類の光ディスクを用いて、記録パワー、消去
パワーをそれぞれ８ｍｗ、１８ｍｗとし、消去レーザビ
ーム長は半値巾で約１×１５μｍとして白化記録と黒化
消去を行なったところ、Ｔｅ、。
パワーをそれぞれ８ｍｗ、１８ｍｗとし、消去レーザビ
ーム長は半値巾で約１×１５μｍとして白化記録と黒化
消去を行なったところ、Ｔｅ、。
５ｅｌｌ ｐｃｔ３５薄膜を有するディスクは単一周波
数２ＭＨｚ、ディス・りの周速７ｍ／８で、Ｃ／Ｎは５
５ｄＢであり、１０万回記録、消去を繰シ返した後にも
Ｃ／Ｎの劣化はほとんどみられなかった。一方、Ｔｅ３
５ Ｓｅ□薄膜を有するディスクは、消去ビームを照射
しても十分に黒化せず、しだがって信号を記録しても３
０ｄＢ程度のＣ／ＮＬか得られず、また記録信号の消去
時には黒化速度が遅いために消去ビームを１ターン照射
しただけでは十分に消去できなかった。
数２ＭＨｚ、ディス・りの周速７ｍ／８で、Ｃ／Ｎは５
５ｄＢであり、１０万回記録、消去を繰シ返した後にも
Ｃ／Ｎの劣化はほとんどみられなかった。一方、Ｔｅ３
５ Ｓｅ□薄膜を有するディスクは、消去ビームを照射
しても十分に黒化せず、しだがって信号を記録しても３
０ｄＢ程度のＣ／ＮＬか得られず、また記録信号の消去
時には黒化速度が遅いために消去ビームを１ターン照射
しただけでは十分に消去できなかった。
〔発明の効果〕以上述べたように本発明の光学情報記録
部材は、アモルファスとして安定なＴｅ−８ｅ薄膜にＰ
ｄを添加することによって信号の記録ビット（アモルフ
ァス）の安定性をそこなうことなく、その消去感度を向
上させており、ＴｅとＳｅとＰｄの適正な原子数の割合
を数多くの実験によって第１図のＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄで示す
枠の範囲に定めている。また、Ｇｅを県北することによ
って耐熱性を向上し、さらにＳｎ、 Ｓｂ、 Ｉｎ。
部材は、アモルファスとして安定なＴｅ−８ｅ薄膜にＰ
ｄを添加することによって信号の記録ビット（アモルフ
ァス）の安定性をそこなうことなく、その消去感度を向
上させており、ＴｅとＳｅとＰｄの適正な原子数の割合
を数多くの実験によって第１図のＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄで示す
枠の範囲に定めている。また、Ｇｅを県北することによ
って耐熱性を向上し、さらにＳｎ、 Ｓｂ、 Ｉｎ。
Ｂｉから選択された元素を添加することによって記録特
性をあまり低下させることなく消去特性を向上させてい
る。したがってＴｅ −Ｓｅを主成分とする信号の書き
換え可能な従来の光学情報記録薄膜のもつ欠点を解消し
、実用的にすぐれた光ディスクを提供するすぐれた効果
を有する。
性をあまり低下させることなく消去特性を向上させてい
る。したがってＴｅ −Ｓｅを主成分とする信号の書き
換え可能な従来の光学情報記録薄膜のもつ欠点を解消し
、実用的にすぐれた光ディスクを提供するすぐれた効果
を有する。
第１図：本発明の記録薄膜の組成を示す三角座標図
第２図二本発明の光学情報記録部材の断面間第３因二本
発明の光学情報記録部材の特性評価装置の光学系概略図 第４図：本発明の記録薄膜（５ｅ５ｏ Ｐｄ５ｏ ）＋
ｏｏ −ＸＴａｘの（ａ）黒化特性、（ｂ）白化特性を
示すグラフ 第５図：本発明の記録薄膜（Ｔｅ、。５ｅｔｏ−ｘＰｄ
ｘ ）の（ａ）黒化特性、（ｂ）白化特性を示すグラフ 第６図二本発明の記録薄膜（Ｔｅ、。Ｓｅ、。−ｘ Ｐ
ｄｘ）の（ａ）黒化特性、（ｂ）白化特性を示すグラフ 第７図：本発明の記録薄膜（Ｔｅ、。Ｓｅ、！Ｐｄｌり
１００−Ｘ Ｇｅｘの（ａｌ耐熱特性、（ｂ）黒化特性
、（ｅ）白化特性を示すグラフ 第８ｌ；本発明の記録薄膜（Ｔｅ７ｓ Ｓｅ３５ Ｐｄ
ｔｏ ）１００−Ｘ Ｓｎｘの（ａ）黒化特性、（ｂ）
白化特性を示すグ２７ 第９図：本発明の記録薄膜（Ｔｅ３５ Ｓｅ３５ ｐａ
ｌｅ ）＋００−Ｘ Ｓｂｘの（ａ）黒化特性、（ｂ）
白化特性を示すグラフ 第１０図：本発明の記録薄膜（Ｔ、ｅ７′、・Ｂｅ、５
Ｐｄ、。）、。、ＸＢｉｘの（ａ）黒化特性、（ｂｌ
白化特性を示すグラフ 第１１ｍ：本発明の記録薄膜（Ｔｅ３５ Ｓｎ３５ Ｐ
ｄ、。）、。ｏ−ｘ Ｉｎｘ ｏ（ａ）黒化特性、（ｂ
）白化特性を示すグラフ 図面の浄書（内ｇＦに変更なし） 牙１図 １０６−ｑ
（ｏｏ、ｃχ第２図 才３図 才４図 ［（Ｓｅｓ。Ｆｊ Ｔｏ）１ｍ−１Ｔｆ Ｘ ”Ｊ（ａ
−） 黒 イヒ ＠ −１広 ワ、！’ ！１罐閏鋏ヅ（０ （ｂ） 白 イｌ： 傳キ １゛生 貯酎Ｉザ７− Ｃ＝Ｖ／／ＩＡ−ｒ） ４′５図 口も。Ｓｅ２゜、７蹟］ 明 イキ 叶 間 ０ａ５ｅｃ） ｐ、ｇ 岑六 ハ・ツー （−可２μ〃そ）オ６Ｎ ＣＴｅ５＝ Ｓ＝ ５６− Ｘ ｆ’ｊ；ｃ ）！！
１９十 間 （ハら＜ｃ） ｖ９耐Ｊ？”Ｊ−ＣｍＶ△λ） 牙′ｉ３ 図 明 釘 畔間Ｃ％’敞） （シ） ［Ｆ］ Ａｔ 幣 ↑ｙ いｐ、 ｎ バーワー （’３５Ｖ ／Ａがど）牙
９ 図 Ｃ（７ｅｐ＋ｓ Ｓｔ、ｓ Ｐｋ＋ｏ）Ｈｏｅ−２５６
ｚ 〕〕ロ、１！ 對 晴 間（μ５ｅｃ） 叩 佃ｔｅ’１−（−ヅ碩り 牙１０図 ぐυン 黒 イヒ １１４“ へイｔ。 興 射 鯖間（Ｐ５ｃｃ−） （し） ６ イヒ 牛１９吐。 ｎＲ剣ｌ＼ａ、７−（３５、Ｖム剖 オ／／ＦＩＡ ［（ｒｅ３５ ｓｅ３５Ｐ、 、。ルｅ−Ｘ Ｔ％暑（
船 黒 イし斗％ ｉ＝生 歴 Ａ１ 唾 閉Ｃμ５ｃｃ） （し） （ｉ イし 柑ザト イ１生眠旦 村 バ
フ−（ｉ”Ｖ／ｓｔ一つ 手 続 補 正 書（方式） ｔ 事件の表示 昭和６０年特許願第１６９６（１；号 ２ 発明の名称 光学情報記録部材 ＆ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 ５７１ 大阪府門真市大字門真１００６番地５８２
松下電器産業株式会社 ４、代理人
発明の光学情報記録部材の特性評価装置の光学系概略図 第４図：本発明の記録薄膜（５ｅ５ｏ Ｐｄ５ｏ ）＋
ｏｏ −ＸＴａｘの（ａ）黒化特性、（ｂ）白化特性を
示すグラフ 第５図：本発明の記録薄膜（Ｔｅ、。５ｅｔｏ−ｘＰｄ
ｘ ）の（ａ）黒化特性、（ｂ）白化特性を示すグラフ 第６図二本発明の記録薄膜（Ｔｅ、。Ｓｅ、。−ｘ Ｐ
ｄｘ）の（ａ）黒化特性、（ｂ）白化特性を示すグラフ 第７図：本発明の記録薄膜（Ｔｅ、。Ｓｅ、！Ｐｄｌり
１００−Ｘ Ｇｅｘの（ａｌ耐熱特性、（ｂ）黒化特性
、（ｅ）白化特性を示すグラフ 第８ｌ；本発明の記録薄膜（Ｔｅ７ｓ Ｓｅ３５ Ｐｄ
ｔｏ ）１００−Ｘ Ｓｎｘの（ａ）黒化特性、（ｂ）
白化特性を示すグ２７ 第９図：本発明の記録薄膜（Ｔｅ３５ Ｓｅ３５ ｐａ
ｌｅ ）＋００−Ｘ Ｓｂｘの（ａ）黒化特性、（ｂ）
白化特性を示すグラフ 第１０図：本発明の記録薄膜（Ｔ、ｅ７′、・Ｂｅ、５
Ｐｄ、。）、。、ＸＢｉｘの（ａ）黒化特性、（ｂｌ
白化特性を示すグラフ 第１１ｍ：本発明の記録薄膜（Ｔｅ３５ Ｓｎ３５ Ｐ
ｄ、。）、。ｏ−ｘ Ｉｎｘ ｏ（ａ）黒化特性、（ｂ
）白化特性を示すグラフ 図面の浄書（内ｇＦに変更なし） 牙１図 １０６−ｑ
（ｏｏ、ｃχ第２図 才３図 才４図 ［（Ｓｅｓ。Ｆｊ Ｔｏ）１ｍ−１Ｔｆ Ｘ ”Ｊ（ａ
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１９十 間 （ハら＜ｃ） ｖ９耐Ｊ？”Ｊ−ＣｍＶ△λ） 牙′ｉ３ 図 明 釘 畔間Ｃ％’敞） （シ） ［Ｆ］ Ａｔ 幣 ↑ｙ いｐ、 ｎ バーワー （’３５Ｖ ／Ａがど）牙
９ 図 Ｃ（７ｅｐ＋ｓ Ｓｔ、ｓ Ｐｋ＋ｏ）Ｈｏｅ−２５６
ｚ 〕〕ロ、１！ 對 晴 間（μ５ｅｃ） 叩 佃ｔｅ’１−（−ヅ碩り 牙１０図 ぐυン 黒 イヒ １１４“ へイｔ。 興 射 鯖間（Ｐ５ｃｃ−） （し） ６ イヒ 牛１９吐。 ｎＲ剣ｌ＼ａ、７−（３５、Ｖム剖 オ／／ＦＩＡ ［（ｒｅ３５ ｓｅ３５Ｐ、 、。ルｅ−Ｘ Ｔ％暑（
船 黒 イし斗％ ｉ＝生 歴 Ａ１ 唾 閉Ｃμ５ｃｃ） （し） （ｉ イし 柑ザト イ１生眠旦 村 バ
フ−（ｉ”Ｖ／ｓｔ一つ 手 続 補 正 書（方式） ｔ 事件の表示 昭和６０年特許願第１６９６（１；号 ２ 発明の名称 光学情報記録部材 ＆ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 ５７１ 大阪府門真市大字門真１００６番地５８２
松下電器産業株式会社 ４、代理人
Claims (3)
- （１）テルル（Ｔｅ）、セレン（Ｓｅ）およびパラジウ
ム（Ｐｄ）を主成分として含み、これらの元素の割合が
、Ｔｅ、Ｓｅ、Ｐｄをそれぞれ１００ａｔ％の頂点とす
る三角座標図において座標（ａｔ％）が、 Ａ（Ｔｅ＿３＿５Ｓｅ＿１＿０Ｐｄ＿５）、Ｂ（Ｔｅ＿
４＿５Ｓｅ＿４＿５Ｐｄ＿１＿０）Ｃ（Ｔｅ＿４＿５Ｓ
ｅ＿１＿５Ｐｄ＿４＿０）、Ｄ（Ｔｅ＿３＿５Ｓｅ＿５
Ｐｄ＿１＿０）の４点で囲まれた範囲内にある組成をも
つ 記録薄膜を有することを特徴とする光学情報記録部材。 - （２）添加物質として添加量が１５ａｔ％以下のゲルマ
ニウムを含むことを特徴とする特許請求の範囲（１）の
光学情報記録部材。 - （３）添加物質としてスズ、アンチモン、ビスマスおよ
びインジウムのなかから選択された元素の少くとも一種
以上を含み、その添加量の総和が５〜３０ａｔ％ であ
ることを特徴とする特許請求の範囲（１）の光学情報記
録部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60169606A JPH0675995B2 (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 光学情報記録部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60169606A JPH0675995B2 (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 光学情報記録部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6230085A true JPS6230085A (ja) | 1987-02-09 |
| JPH0675995B2 JPH0675995B2 (ja) | 1994-09-28 |
Family
ID=15889612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60169606A Expired - Lifetime JPH0675995B2 (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 光学情報記録部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0675995B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01162247A (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 書換型相転移光記録媒体 |
| US4983440A (en) * | 1987-05-30 | 1991-01-08 | Kuraray Company, Ltd. | Optical recording medium and recording process utilizing the same |
| US8241834B2 (en) * | 2008-05-01 | 2012-08-14 | Sony Corporation | Optical recording medium and production method therefor, and sputtering target and production method therefor |
-
1985
- 1985-07-31 JP JP60169606A patent/JPH0675995B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4983440A (en) * | 1987-05-30 | 1991-01-08 | Kuraray Company, Ltd. | Optical recording medium and recording process utilizing the same |
| JPH01162247A (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 書換型相転移光記録媒体 |
| US8241834B2 (en) * | 2008-05-01 | 2012-08-14 | Sony Corporation | Optical recording medium and production method therefor, and sputtering target and production method therefor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0675995B2 (ja) | 1994-09-28 |
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