JPH0558910B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0558910B2 JPH0558910B2 JP59176276A JP17627684A JPH0558910B2 JP H0558910 B2 JPH0558910 B2 JP H0558910B2 JP 59176276 A JP59176276 A JP 59176276A JP 17627684 A JP17627684 A JP 17627684A JP H0558910 B2 JPH0558910 B2 JP H0558910B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- thin film
- recording
- optical disk
- optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 51
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 29
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 8
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- -1 MgF 2 Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N lead(II) oxide Inorganic materials [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、たとえばレーザービームによりヒー
トモード記録が行なえる光デイスクに関する。
トモード記録が行なえる光デイスクに関する。
従来用いられているメモリ用光デイスクの記録
形態は第５図〜第７図に示す３種のタイプに分類
される。第５図に示すタイプは、基板１上に形成
した低融点材料の薄膜２にレーザービームをスポ
ツト照射してその局部を融解・蒸発させ微小な穴
３として記録するものである。また、第６図に示
すタイプは、基板４上に２層以上からなる多層薄
膜５を形成し、レーザービームをスポツト照射し
たとき温度が上昇した下地層６から気泡を発生さ
せ、上の薄膜７にふくらみ８として記録するタイ
プである。また、第７図に示すタイプは、基板９
上に温度変化で組織の変化する薄膜１０を形成
し、レーザービームのスポツト照射で薄膜１０の
局部１１をたとえば反射率のことなる組織に変化
させることで記録するタイプである。そして、こ
れらタイプの記録部３，８，１１はいずれも無記
録部に対して光の透過または反射の特性に違いを
生じることから、レーザービームを用い記録部
３，８，１１の有無を検出することで記録情報は
読み出される。しかしながら、これらタイプの記
録形態のうち、第５図および第６図に示すタイプ
は記録部３，８に不可逆的な変化を与えるもの
で、記録は可能であるが消去はできない。また、
第７図に示すタイプは記録膜の材料として熱的に
光学特性が不可逆的変化する材料を用いれば記録
と消去が可能になる。その１例として光磁気記録
膜がある。
形態は第５図〜第７図に示す３種のタイプに分類
される。第５図に示すタイプは、基板１上に形成
した低融点材料の薄膜２にレーザービームをスポ
ツト照射してその局部を融解・蒸発させ微小な穴
３として記録するものである。また、第６図に示
すタイプは、基板４上に２層以上からなる多層薄
膜５を形成し、レーザービームをスポツト照射し
たとき温度が上昇した下地層６から気泡を発生さ
せ、上の薄膜７にふくらみ８として記録するタイ
プである。また、第７図に示すタイプは、基板９
上に温度変化で組織の変化する薄膜１０を形成
し、レーザービームのスポツト照射で薄膜１０の
局部１１をたとえば反射率のことなる組織に変化
させることで記録するタイプである。そして、こ
れらタイプの記録部３，８，１１はいずれも無記
録部に対して光の透過または反射の特性に違いを
生じることから、レーザービームを用い記録部
３，８，１１の有無を検出することで記録情報は
読み出される。しかしながら、これらタイプの記
録形態のうち、第５図および第６図に示すタイプ
は記録部３，８に不可逆的な変化を与えるもの
で、記録は可能であるが消去はできない。また、
第７図に示すタイプは記録膜の材料として熱的に
光学特性が不可逆的変化する材料を用いれば記録
と消去が可能になる。その１例として光磁気記録
膜がある。
一方、Ge，Te，InSb等の半導体は安定な結晶
相と非晶質相の２つの状態を取り得ることは良く
知られており、それぞれの状態での複素屈折率Ｎ
＝ｎ−ikが異なることはJ.STUKEがJ.of.Non−
Crystalline Solid ４ １（1970）に詳しく報告
している。この半導体の結晶相と非晶質相との２
状態をレーザービームによる熱処理で可逆的に変
化させて光メモリとする着想はS.R.
OVSHINSKY等によつてMetallurgical
Transactions２ 641（1971）誌に提示されてい
る。しかしながら、これらの半導体材料の薄膜は
化学的に不安定で耐久性に乏しく実用化されるに
は至らなかつた。すなわち、Ge，Te，InSb等の
半導体は溶融状態まで加熱して高速に冷却すると
非晶質となり、より低い温度に加熱してゆつくり
冷却すると結晶質となる特性を持つており、この
非晶質相と結晶質相はそれぞれn′−ik′とｎ−ikの
複素屈折率で特徴付けられる異なつた光学的性質
をもつて安定に存在するが、これらの半導体は薄
膜にすると光学的安定性に乏しく、大気中では次
第に腐食して劣化するのでメモリ用光デイスクの
記録膜としては実用的ではなかつた。
相と非晶質相の２つの状態を取り得ることは良く
知られており、それぞれの状態での複素屈折率Ｎ
＝ｎ−ikが異なることはJ.STUKEがJ.of.Non−
Crystalline Solid ４ １（1970）に詳しく報告
している。この半導体の結晶相と非晶質相との２
状態をレーザービームによる熱処理で可逆的に変
化させて光メモリとする着想はS.R.
OVSHINSKY等によつてMetallurgical
Transactions２ 641（1971）誌に提示されてい
る。しかしながら、これらの半導体材料の薄膜は
化学的に不安定で耐久性に乏しく実用化されるに
は至らなかつた。すなわち、Ge，Te，InSb等の
半導体は溶融状態まで加熱して高速に冷却すると
非晶質となり、より低い温度に加熱してゆつくり
冷却すると結晶質となる特性を持つており、この
非晶質相と結晶質相はそれぞれn′−ik′とｎ−ikの
複素屈折率で特徴付けられる異なつた光学的性質
をもつて安定に存在するが、これらの半導体は薄
膜にすると光学的安定性に乏しく、大気中では次
第に腐食して劣化するのでメモリ用光デイスクの
記録膜としては実用的ではなかつた。
その後、これら半導体を化合物にしたり耐久性
のある保護膜の間に挟んだりして耐久性を持たせ
る試みが発表されているが、それら従来の技術に
次のような欠点があつた。
のある保護膜の間に挟んだりして耐久性を持たせ
る試みが発表されているが、それら従来の技術に
次のような欠点があつた。
公知例 １
Teの低酸化物膜の加熱による相変化を用いた
非消去形光デイスク（特公昭54−3725号、
National Technical Report 28 116（1982）｝
……この例では、Teの低酸化物TeOx（（Ｏ＜ｘ
＜２）の薄膜を相変化する記録膜と記述している
が、光学特性の可逆的変化については言及してい
ない。
非消去形光デイスク（特公昭54−3725号、
National Technical Report 28 116（1982）｝
……この例では、Teの低酸化物TeOx（（Ｏ＜ｘ
＜２）の薄膜を相変化する記録膜と記述している
が、光学特性の可逆的変化については言及してい
ない。
公知例 ２
TeOx（ｘ＝1.1）薄膜の可逆的変化による消去
可能な光デイスク｛日本学術振興会 薄膜第131
委員会 第116回研究会資料1983｝……この例で
は、Teに微量不純物としてGeとSnを添加したも
のとTeO2の同時蒸発により分解生成物として
TeO．1薄膜を蒸着している。このように成膜工
程中に高温で不安定なTeO2分解過程を含む膜で
は品質の制御が困難であるという欠点がある。さ
らに、TeO1．1は、上記National Technical
Report 28 24（1982）に記載されているよう
に、記録前の膜の反射率が15％程度と低いこと、
および記録による反射率変化も約12％と小さいた
め、この膜による光デイスクは信号検出用光ピツ
クアツプのフオーカシングやトラツキングの動作
が難しい上に読み出し信号も小さいという欠点も
ある。
可能な光デイスク｛日本学術振興会 薄膜第131
委員会 第116回研究会資料1983｝……この例で
は、Teに微量不純物としてGeとSnを添加したも
のとTeO2の同時蒸発により分解生成物として
TeO．1薄膜を蒸着している。このように成膜工
程中に高温で不安定なTeO2分解過程を含む膜で
は品質の制御が困難であるという欠点がある。さ
らに、TeO1．1は、上記National Technical
Report 28 24（1982）に記載されているよう
に、記録前の膜の反射率が15％程度と低いこと、
および記録による反射率変化も約12％と小さいた
め、この膜による光デイスクは信号検出用光ピツ
クアツプのフオーカシングやトラツキングの動作
が難しい上に読み出し信号も小さいという欠点も
ある。
公知例 ３
記録・消去可能な光デイスク（A.E.Bell等
Appl.Phys.Lett38 920（1981）……この例では、
熱的に光学定数の可逆的変化の大きいTe単体の
薄膜を、その耐食性を保護するためと、加熱時に
おけるTeの蒸発を防ぐため、SiO2膜で挟んだ３
層構造としている。この構造では、各膜厚を正し
く制御しなければならず、成膜工程が複雑になる
欠点があつた。
Appl.Phys.Lett38 920（1981）……この例では、
熱的に光学定数の可逆的変化の大きいTe単体の
薄膜を、その耐食性を保護するためと、加熱時に
おけるTeの蒸発を防ぐため、SiO2膜で挟んだ３
層構造としている。この構造では、各膜厚を正し
く制御しなければならず、成膜工程が複雑になる
欠点があつた。
（発明の目的）
本発明は上記事情にもとづいてなされたもの
で、その目的とするところは、耐久性に優れ長期
に亘つて記録と消去が可能であり、しかも、高い
信号レベルを得ることができ、さらに、製作が簡
単で品質が揃えられるとともに安価で安全無害で
ある光デイスクを提供することにある。
で、その目的とするところは、耐久性に優れ長期
に亘つて記録と消去が可能であり、しかも、高い
信号レベルを得ることができ、さらに、製作が簡
単で品質が揃えられるとともに安価で安全無害で
ある光デイスクを提供することにある。
本発明は、上記目的を達成させるために、基体
上に薄膜を設け、この薄膜に記録すべき情報を有
する光ビームを照射することにより上記薄膜に局
所的に光学特性の変化を生じさせ、これにより情
報の記録を行なうことが可能なものにおいて、上
記薄膜は、光ビームによる熱的エネルギーの賦与
方法により複素屈折率が可逆的に変化する半導体
の微粒子を化学的に安定な無機誘電体中に体積比
で40〜80％分散混合してなる混合膜としたもので
ある。
上に薄膜を設け、この薄膜に記録すべき情報を有
する光ビームを照射することにより上記薄膜に局
所的に光学特性の変化を生じさせ、これにより情
報の記録を行なうことが可能なものにおいて、上
記薄膜は、光ビームによる熱的エネルギーの賦与
方法により複素屈折率が可逆的に変化する半導体
の微粒子を化学的に安定な無機誘電体中に体積比
で40〜80％分散混合してなる混合膜としたもので
ある。
以下、本発明の一実施例を第１図〜第４図を参
照しながら説明する。第１図および第２図中２１
は基板（基体）であり、この基板２１上には記録
膜（薄膜）２２が設けられている。さらに、この
記録膜２２上には、傷がつかないようにその表面
を保護する保護膜２３が設けられている。そし
て、上記記録膜２２は、レーザービームＬによる
熱的エネルギーの賦与方法により光学定数が可逆
的に変化する、すなわち、安定な２つの異なる光
学状態を呈する微粒子の半導体（複素屈折率ｎ−
ik）２４…を、化学的に特に高温で安定な誘電体
（屈折率n0）２５中に、体積比で40〜80％分散混
合してなる単一の混合膜で構成されており、また
実効的な光学厚さがレーザービームＬの波長の1/
２以下とされている。なお、第２図中２６はレー
ザービームＬを記録膜２２上に集光するための対
物レンズである。
照しながら説明する。第１図および第２図中２１
は基板（基体）であり、この基板２１上には記録
膜（薄膜）２２が設けられている。さらに、この
記録膜２２上には、傷がつかないようにその表面
を保護する保護膜２３が設けられている。そし
て、上記記録膜２２は、レーザービームＬによる
熱的エネルギーの賦与方法により光学定数が可逆
的に変化する、すなわち、安定な２つの異なる光
学状態を呈する微粒子の半導体（複素屈折率ｎ−
ik）２４…を、化学的に特に高温で安定な誘電体
（屈折率n0）２５中に、体積比で40〜80％分散混
合してなる単一の混合膜で構成されており、また
実効的な光学厚さがレーザービームＬの波長の1/
２以下とされている。なお、第２図中２６はレー
ザービームＬを記録膜２２上に集光するための対
物レンズである。
以上の構成によれば、記録膜２２は、化学的に
不安定で耐久性に乏しい半導体２４…を微粒子と
して、その相変化を可能にする化学的に安定な誘
電体２５中に分散させるように同時スパツタで成
膜する構造としたので、記録膜２２中に分散した
半導体２４…の微粒子は結晶相と非晶質相とのい
ずれの状態にも容易に遷移することができるとと
もに、記録膜２２として重要な耐久性も著しく向
上することができる。
不安定で耐久性に乏しい半導体２４…を微粒子と
して、その相変化を可能にする化学的に安定な誘
電体２５中に分散させるように同時スパツタで成
膜する構造としたので、記録膜２２中に分散した
半導体２４…の微粒子は結晶相と非晶質相とのい
ずれの状態にも容易に遷移することができるとと
もに、記録膜２２として重要な耐久性も著しく向
上することができる。
また、上記の記録膜２２を局所的にレーザービ
ームＬにより短時間τだけ照射すると、その中に
含まれる微粒子の半導体２４…はレーザービーム
Ｌのパワーに比例した温度θまで加熱される。照
射が終わると高温になつた半導体２４…は周囲の
誘電体２５への熱の流出によりC〓＝θ／2τの冷却
速度で温度が低下する。したがつて、照射部内の
半導体２４…は、レーザービームＬを強くして短
時間加熱したときは高速に、レーザービームＬを
弱くして長い時間加熱したときはゆつくりと冷却
される。すなわち、レーザービームＬの賦与方法
を選択することにより、記録膜２２の照射部に含
まれる半導体２４…を複素屈折率の異なる非晶質
相あるいは結晶相のいずれかの所望する状態にす
ることができる。その結果、記録膜２２の照射部
をそこの複素屈折率で決まる反射率Ｒに変換する
こと、換言すれば記録したり消去したりすること
ができる。
ームＬにより短時間τだけ照射すると、その中に
含まれる微粒子の半導体２４…はレーザービーム
Ｌのパワーに比例した温度θまで加熱される。照
射が終わると高温になつた半導体２４…は周囲の
誘電体２５への熱の流出によりC〓＝θ／2τの冷却
速度で温度が低下する。したがつて、照射部内の
半導体２４…は、レーザービームＬを強くして短
時間加熱したときは高速に、レーザービームＬを
弱くして長い時間加熱したときはゆつくりと冷却
される。すなわち、レーザービームＬの賦与方法
を選択することにより、記録膜２２の照射部に含
まれる半導体２４…を複素屈折率の異なる非晶質
相あるいは結晶相のいずれかの所望する状態にす
ることができる。その結果、記録膜２２の照射部
をそこの複素屈折率で決まる反射率Ｒに変換する
こと、換言すれば記録したり消去したりすること
ができる。
また、記録膜２２の実効的な光学厚さをレーザ
ービームＬの波長の1/2以下（第１の反射率極小
が生じるより薄い厚さ）とすることにより、記録
膜２２は、記録時も消去時も、すなわち消去後も
記録後も共に比較的高い反射率を保有することに
なり、情報信号はもとよりフオーカシング信号や
トラツキング信号も大きくとることができる。
ービームＬの波長の1/2以下（第１の反射率極小
が生じるより薄い厚さ）とすることにより、記録
膜２２は、記録時も消去時も、すなわち消去後も
記録後も共に比較的高い反射率を保有することに
なり、情報信号はもとよりフオーカシング信号や
トラツキング信号も大きくとることができる。
すなわち、たとえば、微粒子の半導体２４…に
Ge、誘電体２５にBi2O3を用い、全記録膜２２中
に占めるGeの体積充填率が60％になるようにGe
とBi2O3を同時にスパツタして基板２１に成膜し
た記録膜２２の記録部（非晶質相）と消去部（結
晶相）のレーザーダイオード光の波長0.83μｍに
対する反射率Ｒおよび反射率変化量ΔRの膜厚依
存性は、第３図および第４図に示すようになり、
同じ組成の記録膜２２であつても、その膜厚のよ
り記録時と消去時の反射率Ｒおよび反射率変化量
ΔRは記録膜２２の両表面における反射光の干渉
効果で大きく変化する。したがつて、この例で
は、記録膜２２の膜厚を0.05μｍにすることによ
り、未記録部すなわち消去部および記録部のいず
れの反射率も大きく、しかも反射率変化量も大き
くでき、これにより、大きな読取り信号が得られ
るとともに、信号検出用光ピツクアツプのフオー
カシングやトラツキングのサーボ動作を容易にす
ることができる。なお、この例では、記録膜２２
は、半導体２４…としてGe、誘電体２５として
Bi2O3を用いたが、この他に、半導体２４…とし
てのGeには、B2O3，Sb2O3，PbO，SiO2，
Ta2O5等の酸化物およびBiF3，LiF，PbF2，
MgF2，BaF2，CaF2等の弗化物、半導体２４…
としてのTeおよびInSbには、B2O3，Sb2O3，
Bi2O3，PbO等の酸化物およびBiF3，LiF，PbF2
等の弗化物中の１種または２種以上を主成分とし
て含む誘電体２５が選出される。また、全記録膜
２２中に占めるGeの体積充填率を60％としたが、
半導体２４…の微粒子の体積充填率は、小さいと
記録膜２２としての必要な反射率変化が小さく、
大きいとメモリ用光デイスクとして必要な耐久性
が低下することから、40〜80％が適していること
が実験により確認されている。
Ge、誘電体２５にBi2O3を用い、全記録膜２２中
に占めるGeの体積充填率が60％になるようにGe
とBi2O3を同時にスパツタして基板２１に成膜し
た記録膜２２の記録部（非晶質相）と消去部（結
晶相）のレーザーダイオード光の波長0.83μｍに
対する反射率Ｒおよび反射率変化量ΔRの膜厚依
存性は、第３図および第４図に示すようになり、
同じ組成の記録膜２２であつても、その膜厚のよ
り記録時と消去時の反射率Ｒおよび反射率変化量
ΔRは記録膜２２の両表面における反射光の干渉
効果で大きく変化する。したがつて、この例で
は、記録膜２２の膜厚を0.05μｍにすることによ
り、未記録部すなわち消去部および記録部のいず
れの反射率も大きく、しかも反射率変化量も大き
くでき、これにより、大きな読取り信号が得られ
るとともに、信号検出用光ピツクアツプのフオー
カシングやトラツキングのサーボ動作を容易にす
ることができる。なお、この例では、記録膜２２
は、半導体２４…としてGe、誘電体２５として
Bi2O3を用いたが、この他に、半導体２４…とし
てのGeには、B2O3，Sb2O3，PbO，SiO2，
Ta2O5等の酸化物およびBiF3，LiF，PbF2，
MgF2，BaF2，CaF2等の弗化物、半導体２４…
としてのTeおよびInSbには、B2O3，Sb2O3，
Bi2O3，PbO等の酸化物およびBiF3，LiF，PbF2
等の弗化物中の１種または２種以上を主成分とし
て含む誘電体２５が選出される。また、全記録膜
２２中に占めるGeの体積充填率を60％としたが、
半導体２４…の微粒子の体積充填率は、小さいと
記録膜２２としての必要な反射率変化が小さく、
大きいとメモリ用光デイスクとして必要な耐久性
が低下することから、40〜80％が適していること
が実験により確認されている。
さらに、成膜過程で分解の生じない安定な材料
の組合わせを選定したため、同時に成膜を行なつ
て混合膜とすることが容易であり、しかも、単一
層であるため製作が簡単であり、品質の揃つたメ
モリ用光デイスクを安価に提供することができ
る。
の組合わせを選定したため、同時に成膜を行なつ
て混合膜とすることが容易であり、しかも、単一
層であるため製作が簡単であり、品質の揃つたメ
モリ用光デイスクを安価に提供することができ
る。
さらに、上記構造の記録膜２２では、光デイス
クとして取り扱い中に破損しても、また破棄して
も、半導体粉がむき出しで飛散することがなく安
全無害である。
クとして取り扱い中に破損しても、また破棄して
も、半導体粉がむき出しで飛散することがなく安
全無害である。
本発明は、以上説明したように、基体上に薄膜
を設け、この薄膜に記録すべき情報を有する光ビ
ームを照射することにより上記薄膜に局所的に光
学特性の変化を生じさせ、これにより情報の記録
を行なうことが可能なものにおいて、上記薄膜
は、光ビームによる熱的エネルギーの賦与方法に
より複素屈折率が可逆的に変化する半導体の微粒
子を化学的に安定な無機誘電体中に体積比で40〜
80％分散混合してなる混合膜としたから、耐久性
に優れ長期に亘つて記録と消去が可能であり、し
かも、高い信号レベルを得ることができ、さら
に、製作が簡単で品質が揃えられるとともに安価
で安全無害である等の優れた効果を奏する。
を設け、この薄膜に記録すべき情報を有する光ビ
ームを照射することにより上記薄膜に局所的に光
学特性の変化を生じさせ、これにより情報の記録
を行なうことが可能なものにおいて、上記薄膜
は、光ビームによる熱的エネルギーの賦与方法に
より複素屈折率が可逆的に変化する半導体の微粒
子を化学的に安定な無機誘電体中に体積比で40〜
80％分散混合してなる混合膜としたから、耐久性
に優れ長期に亘つて記録と消去が可能であり、し
かも、高い信号レベルを得ることができ、さら
に、製作が簡単で品質が揃えられるとともに安価
で安全無害である等の優れた効果を奏する。
第１図〜第４図は本発明の一実施例を示すもの
で、第１図は断面図、第２図は拡大断面図、第３
図は記録膜の反射率変化量と膜厚との関係を示す
図、第４図は記録膜の反射量と膜厚との関係を示
す図、第５図〜第７図はそれぞれ異なる従来例を
示す断面図である。 ２１…基体（基板）、２２…薄膜（記録膜）、２
４…半導体、２５…誘電体。
で、第１図は断面図、第２図は拡大断面図、第３
図は記録膜の反射率変化量と膜厚との関係を示す
図、第４図は記録膜の反射量と膜厚との関係を示
す図、第５図〜第７図はそれぞれ異なる従来例を
示す断面図である。 ２１…基体（基板）、２２…薄膜（記録膜）、２
４…半導体、２５…誘電体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基体上に薄膜を設け、この薄膜に記録すべき
情報を有する光ビームを照射することにより上記
薄膜に局所的に光学特性の変化を生じさせ、これ
により情報の記録を行なうことが可能なものにお
いて、 上記薄膜は、光ビームによる熱的エネルギーの
賦与方法により複素屈折率が可逆的に変化する半
導体の微粒子を化学的に安定な無機誘電体中に体
積比で40〜80％分散混合してなる混合膜としたこ
とを特徴とする光デイスク。 ２ 混合膜は、実効的な光学厚さが光ビームの波
長の1/2以下であることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の光デイスク。 ３ 混合膜は半導体として、Ge，Te，In，およ
びSbのいずれかを主成分とする材料を用い誘電
体として、B2O3，Sb2O3，Bi2O3，PbO，SiO2，
Ta2O5等の酸化物およびBiF3，LiF，PbF2，
MgF2，BaF2，CaF2等の弗化物の１種または２
種以上を主成分とする材料を用いて構成したこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項
記載の光デイスク。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59176276A JPS6153090A (ja) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | 光デイスク |
| KR1019850005874A KR890004230B1 (ko) | 1984-08-24 | 1985-08-14 | 광(光) 디스크 메모리 |
| DE8585305854T DE3580429D1 (de) | 1984-08-24 | 1985-08-16 | Optischer speicher. |
| EP85305854A EP0173523B1 (en) | 1984-08-24 | 1985-08-16 | Optical memory |
| US07/339,656 US4969141A (en) | 1984-08-24 | 1989-04-18 | Optical memory for storing and retrieving information by light exposure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59176276A JPS6153090A (ja) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | 光デイスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6153090A JPS6153090A (ja) | 1986-03-15 |
| JPH0558910B2 true JPH0558910B2 (ja) | 1993-08-27 |
Family
ID=16010743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59176276A Granted JPS6153090A (ja) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | 光デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6153090A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2827201B2 (ja) * | 1987-03-18 | 1998-11-25 | 東レ株式会社 | 光記録媒体 |
| JP2827202B2 (ja) * | 1987-03-27 | 1998-11-25 | 東レ株式会社 | 光記録媒体 |
-
1984
- 1984-08-24 JP JP59176276A patent/JPS6153090A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6153090A (ja) | 1986-03-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3506491B2 (ja) | 光情報媒体 | |
| JP2000231724A (ja) | 光記録媒体の使用方法および光記録媒体 | |
| JP2000229479A (ja) | 光記録媒体 | |
| US6660451B1 (en) | Optical information recording medium | |
| JPH01116937A (ja) | 光学情報記録再生消去部材 | |
| JPH0558910B2 (ja) | ||
| JPH0375940B2 (ja) | ||
| JPH0526668B2 (ja) | ||
| JPH0194545A (ja) | 光学式情報記録媒体 | |
| JPH03152736A (ja) | 光学情報記録媒体と光学情報記録媒体用保護膜 | |
| JP2002117577A (ja) | 光記録媒体および光学的情報記録方法 | |
| JPS63244422A (ja) | 情報記録媒体 | |
| US7407696B2 (en) | Phase change materials for storage media | |
| US7083894B2 (en) | Optical recording medium | |
| JPS63155437A (ja) | 情報記録媒体 | |
| KR100186525B1 (ko) | 상변화형 광디스크 구조 | |
| JPS62226438A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPS63244424A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPH0441669B2 (ja) | ||
| JPH04316887A (ja) | 光記録媒体及びスパッタリングターゲット並びにそれらの製造方法 | |
| JP2903969B2 (ja) | 光学的記録用媒体およびこれを用いた記録再生方法 | |
| JPH0262736A (ja) | 光学情報記録媒体 | |
| JPH0530192B2 (ja) | ||
| JPH01112538A (ja) | 光学式情報記録媒体 | |
| JPS63167440A (ja) | 情報を記録もしくは記録及び消去する方法 |