JPH0194545A - 光学式情報記録媒体 - Google Patents
光学式情報記録媒体Info
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はレーザー光線等の光学的手段を用いて情報信号
を高密度かつ高速に記録・再生および書き換え可能な光
学情報記録媒体に関するものである。
を高密度かつ高速に記録・再生および書き換え可能な光
学情報記録媒体に関するものである。
従来の技術
レーザー光線を利用して高密度な情報の記録再生を行う
技術は公知であり、現在、文書ファイルシステム、静止
画ファイルシステム等への応用が行われている。また書
き換え可能型の情報記録システムについても研究開発が
なされており、事例が報告されている。光ディスクの記
録をつかさどる活性層には主にＳｅ、Ｔｅなどのカルコ
ゲン、またはその化合物（カルコゲン化物）を主成分と
している。これらの物質においては、加熱・冷却により
アモルファス相が比較的容易に得られ、しかも結晶相と
アモルファス相とで光学定数が変化する。この現象を検
出することにより情報の再生を行う。
技術は公知であり、現在、文書ファイルシステム、静止
画ファイルシステム等への応用が行われている。また書
き換え可能型の情報記録システムについても研究開発が
なされており、事例が報告されている。光ディスクの記
録をつかさどる活性層には主にＳｅ、Ｔｅなどのカルコ
ゲン、またはその化合物（カルコゲン化物）を主成分と
している。これらの物質においては、加熱・冷却により
アモルファス相が比較的容易に得られ、しかも結晶相と
アモルファス相とで光学定数が変化する。この現象を検
出することにより情報の再生を行う。
アモルファス相は、例えば強（て短いパルスレーザ−光
を照射し、照射部を液相まて昇温し、その後急冷するこ
とにより得られる。一方結晶相は、例えば弱くて長いパ
ルスレーザ−光を照射して、アモルファス相を加熱・徐
冷することにより得られる。光学定数の変化は主に反射
率の変化として観測される。
を照射し、照射部を液相まて昇温し、その後急冷するこ
とにより得られる。一方結晶相は、例えば弱くて長いパ
ルスレーザ−光を照射して、アモルファス相を加熱・徐
冷することにより得られる。光学定数の変化は主に反射
率の変化として観測される。
書き換え可能型光ディスク装置の場合には、アモルファ
ス相を記録された信号に対応させ、結晶相を消去した状
態に対応させる。すなわち、結晶の海のなかにアモルフ
ァスの島が浮かんでいる状態が情報の記録されたパター
ンである。この方が逆の場合と比べて高速なスイッチイ
ングが要求される記録時に急冷条件で対処できるので、
有利である。
ス相を記録された信号に対応させ、結晶相を消去した状
態に対応させる。すなわち、結晶の海のなかにアモルフ
ァスの島が浮かんでいる状態が情報の記録されたパター
ンである。この方が逆の場合と比べて高速なスイッチイ
ングが要求される記録時に急冷条件で対処できるので、
有利である。
具体的な記録薄膜材料の従来例としては、ＴｅとＧｅを
主材料としたものが広く知られている。
主材料としたものが広く知られている。
これは単体のＴｅは室温では結晶として安定であって、
アモルファス状態としては存在しないため、室温でアモ
ルファス相を安定化させるために、添加物としてＧｅを
採用しているのである。
アモルファス状態としては存在しないため、室温でアモ
ルファス相を安定化させるために、添加物としてＧｅを
採用しているのである。
Ｔｅ−Ｇｅを基本にした光学式記録材料（以下記録膜と
記述する）には、例えば、Ｇｅ＋５Ｔｅｓ＋５ｂｚＳｚ
等（特公昭４７−２６８９７号公報）がある。しかしな
がら、ｓｂおよびＳは少量の添加では、元素の性格上ア
モルファス状態を安定化することはあっても結晶化を推
進する効果は少ないので、結晶化時間はおおよそ数十μ
秒以上で、結晶化（消去）時間が長く、また、記録パタ
ーンのコントラスト比も十分でないので、実用的には満
足すべきものではなかった。
記述する）には、例えば、Ｇｅ＋５Ｔｅｓ＋５ｂｚＳｚ
等（特公昭４７−２６８９７号公報）がある。しかしな
がら、ｓｂおよびＳは少量の添加では、元素の性格上ア
モルファス状態を安定化することはあっても結晶化を推
進する効果は少ないので、結晶化時間はおおよそ数十μ
秒以上で、結晶化（消去）時間が長く、また、記録パタ
ーンのコントラスト比も十分でないので、実用的には満
足すべきものではなかった。
一方、本発明者等は、Ｔｅ−Ｇｅ−Ａｕ系合金（特開昭
６１−２１９６９２号公報）、もしくは、Ｔｅ−Ｇｅ−
８ｎ−Ａｕ系合金（特開昭６１−２７０１９０号公報）
等で、特定のＡｕおよびＳｎの添加量の場合、Ｔｅ−Ｇ
ｅ２元系での前述の不十分な特性が改善されることを見
いだした。
６１−２１９６９２号公報）、もしくは、Ｔｅ−Ｇｅ−
８ｎ−Ａｕ系合金（特開昭６１−２７０１９０号公報）
等で、特定のＡｕおよびＳｎの添加量の場合、Ｔｅ−Ｇ
ｅ２元系での前述の不十分な特性が改善されることを見
いだした。
これらＡｕ、Ｓｎは共有結合性の強い構造を部分的に破
壊することにより、結晶化を促進する役割をしていると
考えられ、結晶化時間は数μ秒以下となり、短くなって
いる。
壊することにより、結晶化を促進する役割をしていると
考えられ、結晶化時間は数μ秒以下となり、短くなって
いる。
しかし、今後の信号の高転送レート化を考えると、さら
に結晶化時間を短（する必要がある。
に結晶化時間を短（する必要がある。
発明が解決しようとする問題点
前述のように、これまでに提案された記録薄膜材料では
結晶化速度が充分でない場合があり、今後の信号の高転
送レート化に連用できない場合が生ずるという問題点が
あった。
結晶化速度が充分でない場合があり、今後の信号の高転
送レート化に連用できない場合が生ずるという問題点が
あった。
問題点を解決するための手段
光、または熱等の手段を用いて光学定数の変化を生じさ
せることにより、情報の記録、再生、消去を行う光学式
情報記録媒体において、光学定数の変化を示す記録薄膜
材料がインジウムとＡおよびＢ（ＡはＡｇ、Ｃｕより選
ばれた少なくとも一者、ＢはＳ、Ｓｅ、Ｔｅより選ばれ
た少なくとも一者）からなる合金であって、特に、前記
３元系の化学量論的化合物の近傍の組成とする。
せることにより、情報の記録、再生、消去を行う光学式
情報記録媒体において、光学定数の変化を示す記録薄膜
材料がインジウムとＡおよびＢ（ＡはＡｇ、Ｃｕより選
ばれた少なくとも一者、ＢはＳ、Ｓｅ、Ｔｅより選ばれ
た少なくとも一者）からなる合金であって、特に、前記
３元系の化学量論的化合物の近傍の組成とする。
作用
本発明によれば、結晶化速度が大きく、今後の信号の高
転送レート化に対応可能な記録薄膜材料を得ることがで
きる。
転送レート化に対応可能な記録薄膜材料を得ることがで
きる。
実施例
前述のごとく、書き換え可能な光ディスクにおいては記
録と比べて時間を要する結晶化、すなわち消去時間を短
（することが高速に記録、消去すのに必要である。
録と比べて時間を要する結晶化、すなわち消去時間を短
（することが高速に記録、消去すのに必要である。
本発明者等は、アモルファス状態から高速度で結晶化さ
せる場合に、共晶系や包晶系のように２相に分離する材
料系は、長距離の原子の拡散を必要とするので結晶化速
度は小さく、逆に高速度で結晶化させても単相の結晶構
造を形成するものは結晶化速度は大きいであろうという
観点にたって検討を加えてきた。その結果、記録薄膜材
料としてＩｎＡｇＴｅ、ＩｎＡｇＳｅ、ＩｎＡｇ５．Ｔ
ｎＣｕＴｅ、ＩｎＣｕ５ｅ、ＩｎＣｕＳのそれぞれの３
元系において、特に化学量論的化合物の近傍に結晶化速
度の大きな領域を見い出した。
せる場合に、共晶系や包晶系のように２相に分離する材
料系は、長距離の原子の拡散を必要とするので結晶化速
度は小さく、逆に高速度で結晶化させても単相の結晶構
造を形成するものは結晶化速度は大きいであろうという
観点にたって検討を加えてきた。その結果、記録薄膜材
料としてＩｎＡｇＴｅ、ＩｎＡｇＳｅ、ＩｎＡｇ５．Ｔ
ｎＣｕＴｅ、ＩｎＣｕ５ｅ、ＩｎＣｕＳのそれぞれの３
元系において、特に化学量論的化合物の近傍に結晶化速
度の大きな領域を見い出した。
上記６つの三元系では、化学量論的化合物はＩ０２Ｂ３
とＡ２Ｂ （ＡはＡｇ、Ｃｕより選ばれた一者、ＢはＳ
、Ｓｅ、Ｔｅより選ばれた一者）とを結ぶライン上にあ
り、従って結晶化速度の大きな領域はこのラインに沿っ
て存在している。そして、光記録薄膜として有用と考え
られる領域は第１図のａ、ｂ、ｃ、ｄで囲まれた範囲内
にあり、これは前記３元系ではほぼ同じであった。
とＡ２Ｂ （ＡはＡｇ、Ｃｕより選ばれた一者、ＢはＳ
、Ｓｅ、Ｔｅより選ばれた一者）とを結ぶライン上にあ
り、従って結晶化速度の大きな領域はこのラインに沿っ
て存在している。そして、光記録薄膜として有用と考え
られる領域は第１図のａ、ｂ、ｃ、ｄで囲まれた範囲内
にあり、これは前記３元系ではほぼ同じであった。
なお、第１図中のａ、ｂ、ｃ、ｄ点のそれぞれの組成を
以下に示す。
以下に示す。
（Ｉ ｎ ｒ Ａ ＊ Ｂ ） ； ａ ｔ％ａ
： （２５，３５，４０） ｂ ： （１５，３５，５０） ｃ ： （３０，１０，６０）ｄ ：
（４０，１０，５０） さらにこの領域内で最も結晶化速度が大きな部分はＩｎ
ＡＢ２で表される化学量論的化合物の近傍であり、特に
転送レートの大きな光デイスク用材料となりうることが
分かった。
： （２５，３５，４０） ｂ ： （１５，３５，５０） ｃ ： （３０，１０，６０）ｄ ：
（４０，１０，５０） さらにこの領域内で最も結晶化速度が大きな部分はＩｎ
ＡＢ２で表される化学量論的化合物の近傍であり、特に
転送レートの大きな光デイスク用材料となりうることが
分かった。
記録層は真空蒸着、またはスパッタリングなどの方法で
形成できるが、以下の実施例ではすべて真空蒸着法で、
透明基板の上に形成した。形成後の記録膜はアモルファ
スである。記録媒体の構造を第２図に示す。１は基板、
２は基板を熱から保護するための無機物よりなる耐熱保
護層、３は記録層で、４は２と同様な耐熱保護層であり
、５の接着材により６の保護基板を貼り合わせている。
形成できるが、以下の実施例ではすべて真空蒸着法で、
透明基板の上に形成した。形成後の記録膜はアモルファ
スである。記録媒体の構造を第２図に示す。１は基板、
２は基板を熱から保護するための無機物よりなる耐熱保
護層、３は記録層で、４は２と同様な耐熱保護層であり
、５の接着材により６の保護基板を貼り合わせている。
記録、再生、消去を行うレーザー光は１の基板側から入
射させる。
射させる。
基板の材質は、ガラス、石英、ポリカーボネート、ある
いは、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）を使用し
た。
いは、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）を使用し
た。
° 記録膜の膜厚はＩｎＡｇＴｅ、ＩｎＡｇＳｅ。
ＩｎＡｇ５．ＩｎＣｕＴｅ系ではおよそ１００ ｎ ＋
ｎとし、ＩｎＣｕ５ｅ、ｒｎｃｕｓ系では６０ｎｍとし
て、記ｊ！薄膜はそれぞれ耐熱保護層である二酸化ケイ
素（ＳｉＯ２）によって両側を保護している。耐熱保護
層の膜厚は基板側、記録膜上ともにＩｏｏｎｍとした。
ｎとし、ＩｎＣｕ５ｅ、ｒｎｃｕｓ系では６０ｎｍとし
て、記ｊ！薄膜はそれぞれ耐熱保護層である二酸化ケイ
素（ＳｉＯ２）によって両側を保護している。耐熱保護
層の膜厚は基板側、記録膜上ともにＩｏｏｎｍとした。
なお、前記記録薄膜の膜厚の違いは、後述の結晶化時間
とアモルファス化のしきい値の測定に用いた光源のレー
ザー光の波長が違うためであり、半導体レーザーの波長
（本実施例では８３０ｒ＋ｍ ）に対して充分な吸収を
示すものは１１００ｎ、吸収が小さいものに対しては光
源としてアルゴンイオンレーザ−（中心波長５１５ｎｍ
）を使用し、膜厚は６０ｎｍとした。
とアモルファス化のしきい値の測定に用いた光源のレー
ザー光の波長が違うためであり、半導体レーザーの波長
（本実施例では８３０ｒ＋ｍ ）に対して充分な吸収を
示すものは１１００ｎ、吸収が小さいものに対しては光
源としてアルゴンイオンレーザ−（中心波長５１５ｎｍ
）を使用し、膜厚は６０ｎｍとした。
得られた記録薄膜はすべてにおいて結晶化を開始するレ
ーザー光のパワーとパルス幅およびアモルファス化を開
始するレーザー光のパワーとパルス幅を調べた。
ーザー光のパワーとパルス幅およびアモルファス化を開
始するレーザー光のパワーとパルス幅を調べた。
結晶化時間は、静的および動的な方法で測定した。静的
な測定は、ＰＭＭＡ上に耐熱保護層を設けて、構造を光
ディスクと同一した模擬的な試料上に、波長限界まで絞
りこんだレーザー光を照射することにより行うが、この
場合、媒体とレーザー光が静止した状態で測定するもの
である。特定強度を有するレーザーパルスを照射したあ
との反射率変化の有無を測定し、変化が開始するパルス
幅を求め、結晶化のしきい値とする。
な測定は、ＰＭＭＡ上に耐熱保護層を設けて、構造を光
ディスクと同一した模擬的な試料上に、波長限界まで絞
りこんだレーザー光を照射することにより行うが、この
場合、媒体とレーザー光が静止した状態で測定するもの
である。特定強度を有するレーザーパルスを照射したあ
との反射率変化の有無を測定し、変化が開始するパルス
幅を求め、結晶化のしきい値とする。
また、アモルファス化のしきい値も、−旦結晶化させた
試料に再度レーザーを照射して同様に測定した。
試料に再度レーザーを照射して同様に測定した。
なお結晶化時間の測定とアモルファス化しきい値の測定
には、前述のようにＩｎＡｇＴｅ、ＩｎＡｇＳｅ、Ｉｎ
Ａｇ５．ＩｎＣｕＴｅ系に対しては、光源として半導体
レーザーを使用し、ＩｎＣｕ５ｅ、ＩｎＣｕＳ系の場合
にはアルゴンイオンレーザ−を使用した。
には、前述のようにＩｎＡｇＴｅ、ＩｎＡｇＳｅ、Ｉｎ
Ａｇ５．ＩｎＣｕＴｅ系に対しては、光源として半導体
レーザーを使用し、ＩｎＣｕ５ｅ、ＩｎＣｕＳ系の場合
にはアルゴンイオンレーザ−を使用した。
動的な測定は、実際に光ディスクを作成して、記録、再
生、消去特性を測定した。光ディスクの基板はポリカー
ボネートを用いた。
生、消去特性を測定した。光ディスクの基板はポリカー
ボネートを用いた。
次にさらに詳細な実施例により本発明の詳細な説明する
。
。
実施例ｌ
ＩｎＡｇＴｅの３元系で記録薄膜を作成し評価した。こ
の３元系における化学量論的化合物は、Ｉ ｎ Ａ ｇ
Ｔ ｅ ２ 、 Ｉ ｎ ｓ Ａ ｇ Ｔ ｅ ａが
知られており、これらはともに化学量論的化合物ＡｇＴ
ｅ２とＩ ｎ ２ Ｔ ｅ ａの混合組成として表され
る。そこで、 Ａ ｇ Ｔ ｅ ２とＩ ｎ ２ Ｔ
ｅ ａを結ぶライン上およびその近傍の組成で記録薄膜
を真空蒸着法で作成し、記録特性と消去特性を測定した
。記録膜の膜厚は１００ ｎ ｍで耐熱保護層は、二酸
化ケイ素を用いた。第３図に静的な測定による結晶化特
性の１例としてＩｎａｏＡｇｔ７Ｔｅｓａの組成の記録
膜の結果を示す。同図に示すように照射パワーを２ｍＷ
からｌＯｍＷと増加させるにしたがって、結晶化開始パ
ルス幅が短パルス側ヘシフトしていくのがわかる。本実
施例ではｌＯｍＷのパワーで１００ｎ秒の結晶化開始し
きい値が得られている。
の３元系における化学量論的化合物は、Ｉ ｎ Ａ ｇ
Ｔ ｅ ２ 、 Ｉ ｎ ｓ Ａ ｇ Ｔ ｅ ａが
知られており、これらはともに化学量論的化合物ＡｇＴ
ｅ２とＩ ｎ ２ Ｔ ｅ ａの混合組成として表され
る。そこで、 Ａ ｇ Ｔ ｅ ２とＩ ｎ ２ Ｔ
ｅ ａを結ぶライン上およびその近傍の組成で記録薄膜
を真空蒸着法で作成し、記録特性と消去特性を測定した
。記録膜の膜厚は１００ ｎ ｍで耐熱保護層は、二酸
化ケイ素を用いた。第３図に静的な測定による結晶化特
性の１例としてＩｎａｏＡｇｔ７Ｔｅｓａの組成の記録
膜の結果を示す。同図に示すように照射パワーを２ｍＷ
からｌＯｍＷと増加させるにしたがって、結晶化開始パ
ルス幅が短パルス側ヘシフトしていくのがわかる。本実
施例ではｌＯｍＷのパワーで１００ｎ秒の結晶化開始し
きい値が得られている。
アモルファス化特性は、−旦パワー４ ｍ Ｗでパルス
幅５μ秒の単発パルスを照射して、充分に結晶化させた
後、同じ位置にそのパワーよりも強いレーザー光を照射
して測定したー。第４図に示すように１７ｍＷ以上のパ
ワーで、１００ｎ秒以上のパルス幅のときに、反射率の
変化が生じていることがら、アモルファス化が実現して
いることがわかる。
幅５μ秒の単発パルスを照射して、充分に結晶化させた
後、同じ位置にそのパワーよりも強いレーザー光を照射
して測定したー。第４図に示すように１７ｍＷ以上のパ
ワーで、１００ｎ秒以上のパルス幅のときに、反射率の
変化が生じていることがら、アモルファス化が実現して
いることがわかる。
このようにして測定した結晶化開始のしきい値およびア
モルファス化開始のしきい値の組成依存性を第１表に示
す。ここで結晶化のしきい値は、レーザーパワーがｌＯ
ｍＷの場合であり、アモルファス化のしきい値は２０ｍ
Ｗの場合である。
モルファス化開始のしきい値の組成依存性を第１表に示
す。ここで結晶化のしきい値は、レーザーパワーがｌＯ
ｍＷの場合であり、アモルファス化のしきい値は２０ｍ
Ｗの場合である。
（以下余白）
第１表
第１表から、第１図中のＡをＡｇ、ＢをＴｅとした場合
に、ａ、ｂ、ｃ、ｄで囲まれた領域では、結晶化しきい
値、アモルファス化しきい値ともに１μｓｅｃ 以下
を達成しており、高速で信号の記録と消去が行えること
が分かる。
に、ａ、ｂ、ｃ、ｄで囲まれた領域では、結晶化しきい
値、アモルファス化しきい値ともに１μｓｅｃ 以下
を達成しており、高速で信号の記録と消去が行えること
が分かる。
特にＩ ｎ ２５ Ａ ｇ ２ Ｅ５ Ｔ ｅ ｓ ｏ
、すなわち化学量論的化合物であるＴｎＡｇＴｅ２では
、結晶化開始しきい値は最小になった。
、すなわち化学量論的化合物であるＴｎＡｇＴｅ２では
、結晶化開始しきい値は最小になった。
同様にして、ＩｎＡｇＳｅ、ＩｎＡｇ５．ＩｎＣｕＴｅ
系のそれぞれの３元系について記録薄膜を作成し、同様
の評価を行ったところ、少なくとも第１図のａ、ｂ、ｃ
、ｄで囲まれた領域では１μｓｅ’ｃ以下の短時間のレ
ーザー光照射によりアモルファス化と結晶化が可逆的に
行えることを確認した。
系のそれぞれの３元系について記録薄膜を作成し、同様
の評価を行ったところ、少なくとも第１図のａ、ｂ、ｃ
、ｄで囲まれた領域では１μｓｅ’ｃ以下の短時間のレ
ーザー光照射によりアモルファス化と結晶化が可逆的に
行えることを確認した。
実施例２
ＩｎＣｕＳｅの３元系で記録薄膜を作成し、評価した。
成膜は、化学量論的化合物Ｃｕ２ＳｅとＩｎ２Ｓｅ３を
結ぶライン上およびその近傍の組成で行い、実施例１と
同様に記録特性と消去特性を測定した。
結ぶライン上およびその近傍の組成で行い、実施例１と
同様に記録特性と消去特性を測定した。
しかしながら、この３元系の記録薄膜は、半導体レーザ
ーの波長（約８３０ｎｍ）の光はあまり吸収せず透過し
てしまうので、光源としてアルゴンイオンレーザ−（中
心波長５１５ｎｍ）を使用し、Ｅ○変調器を用いてレー
ザー光を変調し、記録特性と消去特性を測定した。
ーの波長（約８３０ｎｍ）の光はあまり吸収せず透過し
てしまうので、光源としてアルゴンイオンレーザ−（中
心波長５１５ｎｍ）を使用し、Ｅ○変調器を用いてレー
ザー光を変調し、記録特性と消去特性を測定した。
なお、記録薄膜の膜厚は６００ｎｍであり、材料として
二酸化ケイ素を用いた。
二酸化ケイ素を用いた。
第２表に実施例１と同様の方法で求めた結晶化開始のし
きい値とアモルファス化開始のしきい値の組成依存性を
示す。この場合結晶化のしきい値は、レーザーパワーが
８Ｗの場合であり、アモルファス化のしきい値は１６ｍ
Ｗの場合である。
きい値とアモルファス化開始のしきい値の組成依存性を
示す。この場合結晶化のしきい値は、レーザーパワーが
８Ｗの場合であり、アモルファス化のしきい値は１６ｍ
Ｗの場合である。
第２表から、第１図中のＡをＣｕ、ＢをＳｅとした場合
に、ａ、ｂ、ｃ、ｄで囲まれた領域では、結晶化しきい
値、アモルファス化しきい値ともに１μｓｅｃ 以下
を達成しており、高速で信号の記録と消去が行えること
が分かる。
に、ａ、ｂ、ｃ、ｄで囲まれた領域では、結晶化しきい
値、アモルファス化しきい値ともに１μｓｅｃ 以下
を達成しており、高速で信号の記録と消去が行えること
が分かる。
なお、この場合も化学量論的化合物であるＩｎＣｕ５ｅ
２が最も結晶化開始しきい値が小さくなっている。
２が最も結晶化開始しきい値が小さくなっている。
（以下余白）
第２表
同様にして、ＩｎＣｕＳ系について記録薄膜を作成し、
同様の評価を行ったところ、少なくとも第１図のａ、ｂ
、Ｃ，ｄで囲まれた領域ではｌμｓｅｃ以下の短時間の
レーザー光照射によりアモルファス化と結晶化が可逆的
に行えることを確認した。
同様の評価を行ったところ、少なくとも第１図のａ、ｂ
、Ｃ，ｄで囲まれた領域ではｌμｓｅｃ以下の短時間の
レーザー光照射によりアモルファス化と結晶化が可逆的
に行えることを確認した。
実施例３
記録薄膜として、ＩｎＡｇＣｕＴｅおよびＩｎＡｇＴｅ
Ｓｅの４元系を採用し、実施例１と同様の実験をおこな
った。ただしＩｎＡｇＣｕＴｅ系では、ＡｇのＣｕ濃度
比をＡｇ ： Ｃｕ＝７ ： ３と一定にし、またＩｎ
ＡｇＴｅＳｅ系では、ＴｅとＳｅの濃度比をＴｅ ：
５ｅ＝７ ： ３と一定にした。この場合の記録膜の膜
厚は１００ ｎ ｍで耐熱保護層は、二酸化ケイ素であ
る。
Ｓｅの４元系を採用し、実施例１と同様の実験をおこな
った。ただしＩｎＡｇＣｕＴｅ系では、ＡｇのＣｕ濃度
比をＡｇ ： Ｃｕ＝７ ： ３と一定にし、またＩｎ
ＡｇＴｅＳｅ系では、ＴｅとＳｅの濃度比をＴｅ ：
５ｅ＝７ ： ３と一定にした。この場合の記録膜の膜
厚は１００ ｎ ｍで耐熱保護層は、二酸化ケイ素であ
る。
第３表にＩｎＡｇＣｕＴｅ系の、実施例１と同様の方法
で求めた結晶化開始のしきい値とアモルファス化開始の
しきい値の組成依存性を示し、第４表にｒｎＡｇＴｅｓ
ｅ系のそれを示す。この場合結晶化のしきい値は、レー
ザーパワーが１１Ｗの場合であり、アモルファス化のし
きい値は２２ｍＷの場合である。
で求めた結晶化開始のしきい値とアモルファス化開始の
しきい値の組成依存性を示し、第４表にｒｎＡｇＴｅｓ
ｅ系のそれを示す。この場合結晶化のしきい値は、レー
ザーパワーが１１Ｗの場合であり、アモルファス化のし
きい値は２２ｍＷの場合である。
第３．４表から、第１図中のＡをＡｇ＋Ｃｕ。
ＢをＴｅ十Ｓｅとした場合に、ａ、ｂ、ｃ、ｄで囲まれ
た領域では、結晶化しきい値、アモルファス化しきい値
ともに１μｓｅｃ 以下を達成しており、高速で信号
の記録と消去が行えることが分かる。これは実施例１の
ＩｎＡｇＴｅ系の場合とほぼ同じ値であり、ＡｇはＣｕ
で、ＴｅはＳｅで置換しても高速で信号の記録と消去が
可能であることを示している。
た領域では、結晶化しきい値、アモルファス化しきい値
ともに１μｓｅｃ 以下を達成しており、高速で信号
の記録と消去が行えることが分かる。これは実施例１の
ＩｎＡｇＴｅ系の場合とほぼ同じ値であり、ＡｇはＣｕ
で、ＴｅはＳｅで置換しても高速で信号の記録と消去が
可能であることを示している。
（以下余白）
第３表
第４表
実施例４
記録膜として、Ｉ ｎ ２ ｓ Ａ ｇ ２６ Ｔ ｅ
ｓ ｏの組成の記録薄膜を真空蒸着法で作成し、光デ
ィスクとしての動的な特性を′測定した。記録膜の膜厚
は、１００ ｎ ｍで耐熱保護層は、二酸化ケイ素を用
いた。ディスクは５．２５インチの物を用い、レーザー
ビームとディスクの相対速度は５ｍ／秒である。第５図
に周波数２ＭＨｚの時の記録のＣＮ比（搬送波対ノイズ
比）の書き込みパワーとの関係を示す。同図かられかる
ように記録パワーが１６ｍＷから２２ｍＷ七増加させる
にしたがって、ＣＮ比が増加しているのがわかる。
ｓ ｏの組成の記録薄膜を真空蒸着法で作成し、光デ
ィスクとしての動的な特性を′測定した。記録膜の膜厚
は、１００ ｎ ｍで耐熱保護層は、二酸化ケイ素を用
いた。ディスクは５．２５インチの物を用い、レーザー
ビームとディスクの相対速度は５ｍ／秒である。第５図
に周波数２ＭＨｚの時の記録のＣＮ比（搬送波対ノイズ
比）の書き込みパワーとの関係を示す。同図かられかる
ように記録パワーが１６ｍＷから２２ｍＷ七増加させる
にしたがって、ＣＮ比が増加しているのがわかる。
第６図に記録した信号の、消去特性を示す。横軸は消去
レーザー光のパワー、縦軸が消去率である。消去を行う
レーザービームの形状は円形で、パワーは、ガウス分布
である。信号の記録パワーは２０ｍＷであり、消去（結
晶化）は直流的にレーザー光を照射することによりおこ
なった。結晶化時間が信号の記録に要する時間と同程度
に短いために、信号記録用と同一のレーザースポットで
も結晶化（消去）が充分におこなえることがわかる。
レーザー光のパワー、縦軸が消去率である。消去を行う
レーザービームの形状は円形で、パワーは、ガウス分布
である。信号の記録パワーは２０ｍＷであり、消去（結
晶化）は直流的にレーザー光を照射することによりおこ
なった。結晶化時間が信号の記録に要する時間と同程度
に短いために、信号記録用と同一のレーザースポットで
も結晶化（消去）が充分におこなえることがわかる。
このように、本発明による記録薄膜を用いた光ディスク
は、優れた信号の記録・消去特性を有している。
は、優れた信号の記録・消去特性を有している。
発明の効果
本発明によるインジウムとＡおよびＢ（ＡはＡｇ、Ｃｕ
より選ばれた少なくとも−者、ＢはＳ。
より選ばれた少なくとも−者、ＢはＳ。
Ｓｅ、Ｔｅより選ばれた少なくとも一者）からなる記録
薄膜は、結晶化速度が太き（、かつ、記録感度の良い光
ディスクを提供することができる。
薄膜は、結晶化速度が太き（、かつ、記録感度の良い光
ディスクを提供することができる。
第１図は本発明による記録材料の組成範囲を示す組成図
、第２図は記録媒体の構造を示す断面図、第３図は静的
結晶化特性を示すグラフ、第４図は静的アモルファス化
特性を示すグラフ、第５図は動的記録特性を示すグラフ
、第６図は動的消去特性を示すグラフである。
“代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名第１図 ｒＬ 第２図 ′Ｅ？、録媒体の構造 第３図 静的結晶化特性 （消去） パルス巾（ナノ秒） 第４図 静的アモルファス化ｌＰＦ性 パフレス巾（ナノ秒う 第５図 動的記録特性 記録レーザ゛−パワー（ｍり 第６図 ′Ｄ的涌ま待洗 消去レーザーパワー（ｍ＋ｙ〕
、第２図は記録媒体の構造を示す断面図、第３図は静的
結晶化特性を示すグラフ、第４図は静的アモルファス化
特性を示すグラフ、第５図は動的記録特性を示すグラフ
、第６図は動的消去特性を示すグラフである。
“代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名第１図 ｒＬ 第２図 ′Ｅ？、録媒体の構造 第３図 静的結晶化特性 （消去） パルス巾（ナノ秒） 第４図 静的アモルファス化ｌＰＦ性 パフレス巾（ナノ秒う 第５図 動的記録特性 記録レーザ゛−パワー（ｍり 第６図 ′Ｄ的涌ま待洗 消去レーザーパワー（ｍ＋ｙ〕
Claims (4)
- （１）光、または熱等の手段を用いて光学定数の変化を
生じさせることにより、情報の記録、再生、消去を行う
光学式情報記録媒体において、光学定数の変化を示す記
録薄膜材料がインジウムとＡおよびＢ（ＡはＡｇ、Ｃｕ
より選ばれた少なくとも一種、ＢはＳ、Ｓｅ、Ｔｅより
選ばれた少なくとも一種）からなる合金であることを特
徴とする光学式情報記録媒体。 - （２）記録薄膜組成が第１図のａ、ｂ、ｃ、ｄで囲まれ
た領域にあることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の光学式情報記録媒体。 - （３）記録薄膜組成がインジウムとＡおよびＢからなる
化学量論的化合物であることを特徴とする特許請求の範
囲第２項記載の光学式情報記録媒体。 - （４）記録薄膜組成がＩｎＡＢ＿２で表される化学量論
的化合物からなることを特徴とする特許請求の範囲第３
項記載の光学式情報記録媒体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62251039A JPH0194545A (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | 光学式情報記録媒体 |
| DE88309103T DE3885848T2 (de) | 1987-10-05 | 1988-09-30 | Optisches Aufzeichnungsmedium. |
| EP88309103A EP0311314B1 (en) | 1987-10-05 | 1988-09-30 | Optical information recording medium |
| US07/842,731 US5385806A (en) | 1987-10-05 | 1992-02-26 | Optical information recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62251039A JPH0194545A (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | 光学式情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0194545A true JPH0194545A (ja) | 1989-04-13 |
| JPH0530393B2 JPH0530393B2 (ja) | 1993-05-07 |
Family
ID=17216705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62251039A Granted JPH0194545A (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | 光学式情報記録媒体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5385806A (ja) |
| EP (1) | EP0311314B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0194545A (ja) |
| DE (1) | DE3885848T2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02175285A (ja) * | 1988-12-28 | 1990-07-06 | Victor Co Of Japan Ltd | 光記録媒体 |
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|---|---|---|---|---|
| JPH10166738A (ja) * | 1996-12-10 | 1998-06-23 | Tdk Corp | 光記録材料および光記録媒体 |
| JPH10241211A (ja) * | 1997-02-27 | 1998-09-11 | Tdk Corp | 光記録媒体の製造方法 |
| US20040086802A1 (en) * | 2002-10-31 | 2004-05-06 | Gibson Gary A. | Two-dimensional materials and methods for ultra-high density data storage and retrieval |
| US20040218499A1 (en) * | 2003-05-01 | 2004-11-04 | Alison Chaiken | Ultra-high density storage and retrieval device using ordered-defect materials and methods of fabrication thereof |
| KR100889746B1 (ko) * | 2007-03-09 | 2009-03-24 | 한국전자통신연구원 | 칼코젠 박막 트랜지스터 어레이를 포함하는 전자의료영상장치 |
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| JPS62208442A (ja) * | 1986-03-07 | 1987-09-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 書換型光記録媒体 |
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| US3907566A (en) * | 1971-07-23 | 1975-09-23 | Canon Kk | Photosensitive material containing inorganic compound coated metal particles and the use thereof in photographic development processes |
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| JPS5629233A (en) * | 1979-08-16 | 1981-03-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Recording body and recording system |
| JPS57205193A (en) * | 1981-06-12 | 1982-12-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | Optical information recording medium |
| US4434427A (en) * | 1982-01-05 | 1984-02-28 | Magnaflux Corporation | Atmosphere control for photographic pipeline inspection |
| JPS61133354A (ja) * | 1984-12-03 | 1986-06-20 | Hitachi Ltd | 分光反射率可変合金及び記録材料 |
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| US4788097A (en) * | 1986-02-12 | 1988-11-29 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Information recording medium |
-
1987
- 1987-10-05 JP JP62251039A patent/JPH0194545A/ja active Granted
-
1988
- 1988-09-30 EP EP88309103A patent/EP0311314B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-09-30 DE DE88309103T patent/DE3885848T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-02-26 US US07/842,731 patent/US5385806A/en not_active Expired - Lifetime
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| JPS61272191A (ja) * | 1985-05-28 | 1986-12-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | 記録材料 |
| JPS62208442A (ja) * | 1986-03-07 | 1987-09-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 書換型光記録媒体 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0311314B1 (en) | 1993-11-24 |
| EP0311314A3 (en) | 1990-07-11 |
| JPH0530393B2 (ja) | 1993-05-07 |
| US5385806A (en) | 1995-01-31 |
| DE3885848T2 (de) | 1994-05-11 |
| DE3885848D1 (de) | 1994-01-05 |
| EP0311314A2 (en) | 1989-04-12 |
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