JPS6230086A - 光学情報記録部材 - Google Patents
光学情報記録部材Info
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- JPS6230086A JPS6230086A JP60169607A JP16960785A JPS6230086A JP S6230086 A JPS6230086 A JP S6230086A JP 60169607 A JP60169607 A JP 60169607A JP 16960785 A JP16960785 A JP 16960785A JP S6230086 A JPS6230086 A JP S6230086A
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- recording film
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- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
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- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24312—Metals or metalloids group 14 elements (e.g. Si, Ge, Sn)
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕本発明は光、熱等を利用する光学的情報
の記録再生を行なう光学情報記録部材に関するものであ
って、その目的とするところは光学的情報の記録および
消去の繰シ返し特性がすぐれ、かつ消去率の経時変動も
少く、情報信号を高速度かつ高密度に記録、再生すると
とのできる光学情報記録部材を提供することにある。
の記録再生を行なう光学情報記録部材に関するものであ
って、その目的とするところは光学的情報の記録および
消去の繰シ返し特性がすぐれ、かつ消去率の経時変動も
少く、情報信号を高速度かつ高密度に記録、再生すると
とのできる光学情報記録部材を提供することにある。
レーザ光を利用する光ディスクには記録再生が１回のみ
の追記型と、記録した信号を消去して繰返して使用する
ことの可能な書き換え可能型とがあるが本発明は後者の
書き換え可能型に属する。本発明者らは先にＴｇ−７ｇ
０２の非晶質状態と結晶質状態との間の相転移による反
射率の変化を信号とする方式を提案した。また、相転移
を利用した書き換え可能な記録膜としての７ｇ−ＴｇＯ
，に対し、各種の添加物（日ｗ、ｒ）ｇ、Ｂｉ。
の追記型と、記録した信号を消去して繰返して使用する
ことの可能な書き換え可能型とがあるが本発明は後者の
書き換え可能型に属する。本発明者らは先にＴｇ−７ｇ
０２の非晶質状態と結晶質状態との間の相転移による反
射率の変化を信号とする方式を提案した。また、相転移
を利用した書き換え可能な記録膜としての７ｇ−ＴｇＯ
，に対し、各種の添加物（日ｗ、ｒ）ｇ、Ｂｉ。
■か、Ｐｈ、 ＴＬ、 ８１など）を添加することも
行なわれてお）、これらはＣ／Ｎが高く耐湿性のすぐれ
た記録膜かえられることを明らかにしている。
行なわれてお）、これらはＣ／Ｎが高く耐湿性のすぐれ
た記録膜かえられることを明らかにしている。
ところで酸化物を含む上記記録膜には以下述べるような
欠点がある。書き換え可能な光ディスクにおいてはＴｅ
−ＴｌＩＯ２の結晶質状態で消去が行なわれ、非晶質状
態で記録が行なわれる。この結晶質と非晶質との間の相
転移はレーザ光による除冷と急冷の条件変化によって行
なわれる。
欠点がある。書き換え可能な光ディスクにおいてはＴｅ
−ＴｌＩＯ２の結晶質状態で消去が行なわれ、非晶質状
態で記録が行なわれる。この結晶質と非晶質との間の相
転移はレーザ光による除冷と急冷の条件変化によって行
なわれる。
すなわち、レーザ光による加熱後、除冷によって結晶質
になり、急冷によって非晶質となる。
になり、急冷によって非晶質となる。
したがって、記録、消去の繰返しによって記録膜は結晶
質状態と非晶質状態の相転移が繰返される。この場合、
記録膜に酸化物が存在すると、膜の粘性が高いためにカ
ルコゲン化物の泳動性が少なくなり、膜組成の偏析が生
じ易くなる。
質状態と非晶質状態の相転移が繰返される。この場合、
記録膜に酸化物が存在すると、膜の粘性が高いためにカ
ルコゲン化物の泳動性が少なくなり、膜組成の偏析が生
じ易くなる。
さらに、酸化物は熱伝導率が低いのでレーザ光の入射側
と反対側との間で温度分布差を生じ、これがまた膜組成
の偏析の原因になる。以上の 。
と反対側との間で温度分布差を生じ、これがまた膜組成
の偏析の原因になる。以上の 。
理由によって酸化物を含む記録膜は記録、消去の繰返し
によって特性が次第に変化する欠点がある。本発明はこ
の欠点を解消すると共に、カルコゲン化合物よりなる従
来の記録膜のＣ／Ｎ 。
によって特性が次第に変化する欠点がある。本発明はこ
の欠点を解消すると共に、カルコゲン化合物よりなる従
来の記録膜のＣ／Ｎ 。
消去率、耐湿性および耐熱性などの緒特性を改善するこ
とを目的とするものである。
とを目的とするものである。
〔発明の構成〕本発明の光学情報記録部材は、テルル（
Ｔｅ）、ケルマニウム（Ｇｌ）＞よびスズ（Ｓｕ、）を
主成分として含み、これらの元素の割合がＴｔ、 Ｇ
ｄ、 ｓＬＬをそれぞれ１００ ａｔ％の頂点とする
３色座標図において座標（ａｔＳ）が、Ａ（Ｔｅ２３
Ｇ’５８％ ） ＢＣＴｇ６３ Ｇｇ２ Ｂ’Ｌ５
）、Ｃ（Ｔｌ’、、 Ｇｄ。
Ｔｅ）、ケルマニウム（Ｇｌ）＞よびスズ（Ｓｕ、）を
主成分として含み、これらの元素の割合がＴｔ、 Ｇ
ｄ、 ｓＬＬをそれぞれ１００ ａｔ％の頂点とする
３色座標図において座標（ａｔＳ）が、Ａ（Ｔｅ２３
Ｇ’５８％ ） ＢＣＴｇ６３ Ｇｇ２ Ｂ’Ｌ５
）、Ｃ（Ｔｌ’、、 Ｇｄ。
５ｕ−ｓ。）、Ｄ（Ｔｅ！２ Ｇ’１８ ８”３Ｇ）、
Ｋ（Ｔｅｓｚ Ｇ’４６ Ｓ％ ）の５点で囲まれた範
囲内にある組成を有し、これにパラジウム（ｐｄ）コバ
ルト（ｃｏ）およびクロム（Ｃｒ）よりａ択された元素
を副成分として含有する記録膜を有することを特徴とす
る。
Ｋ（Ｔｅｓｚ Ｇ’４６ Ｓ％ ）の５点で囲まれた範
囲内にある組成を有し、これにパラジウム（ｐｄ）コバ
ルト（ｃｏ）およびクロム（Ｃｒ）よりａ択された元素
を副成分として含有する記録膜を有することを特徴とす
る。
記録膜にカルコゲン化合物を用いる試みは古く、Ｔｓ−
Ｇｅをはじめとして、これに、ＡＪ’、Ｓ。
Ｇｅをはじめとして、これに、ＡＪ’、Ｓ。
Ｓｉ、 Ｅｇ、 Ｂｂ、 ’ｆ３ｉなどを添加して特性
を改良した例がある。これらカルコゲン化物よりなる書
き換え可能な記録膜は、一般に記録、消去の繰シ返しに
対する安定性が悪い特徴がある。その理由はＴｇ、Ｑｇ
とその他の添加成分が数度の繰シ返しによって記録膜の
相分離を生じ、初期と繰シ返し後では記録膜の構成成分
が異なるからである。消去可能な記録膜で相転移を利用
する場合、通常、未記録、消去状態を結晶質とし、記録
状態を非晶質とする方法がとられる。この場合、記録は
レーザ光で、記の膜を溶融させ急冷によって非晶質にす
るのであるが、現在の半導体レーザはパワーに限界がち
るので融点の低い記録膜が、記録感度が高いことになる
。そのために上述のカルコゲン化物よυなる記録膜は記
録感度を向上させるために、できるだけ融点の低い組成
すなわち、Ｔｇの多い膜組成となっている。Ｔ−が他の
添加成分よりも多いことは繰シ返し特性においてそれだ
け相分離が起こシ易いことを意味する。したがって融点
を下げるために添加した過剰のＴｔをいかに固定して動
きにくい組成にするかが、繰シ返し特性や、ＣＮＲ１消
去率の経時変動に大きな影響を及ばずことになる。
を改良した例がある。これらカルコゲン化物よりなる書
き換え可能な記録膜は、一般に記録、消去の繰シ返しに
対する安定性が悪い特徴がある。その理由はＴｇ、Ｑｇ
とその他の添加成分が数度の繰シ返しによって記録膜の
相分離を生じ、初期と繰シ返し後では記録膜の構成成分
が異なるからである。消去可能な記録膜で相転移を利用
する場合、通常、未記録、消去状態を結晶質とし、記録
状態を非晶質とする方法がとられる。この場合、記録は
レーザ光で、記の膜を溶融させ急冷によって非晶質にす
るのであるが、現在の半導体レーザはパワーに限界がち
るので融点の低い記録膜が、記録感度が高いことになる
。そのために上述のカルコゲン化物よυなる記録膜は記
録感度を向上させるために、できるだけ融点の低い組成
すなわち、Ｔｇの多い膜組成となっている。Ｔ−が他の
添加成分よりも多いことは繰シ返し特性においてそれだ
け相分離が起こシ易いことを意味する。したがって融点
を下げるために添加した過剰のＴｔをいかに固定して動
きにくい組成にするかが、繰シ返し特性や、ＣＮＲ１消
去率の経時変動に大きな影響を及ばずことになる。
本発明の特徴は上述の従来の組成Ｔｔ−Ｇｅ−ＢｔＬに
ｐｄ、ｃｏ、Ｑｆを添加して過剰のＴｇを固定すること
にある。過剰のＴｅを固定する方法としてＱｅ、ＳｔＬ
の濃度を増加させ、量論的なＧａＴｔ、 Ｂｕ。
ｐｄ、ｃｏ、Ｑｆを添加して過剰のＴｇを固定すること
にある。過剰のＴｅを固定する方法としてＱｅ、ＳｔＬ
の濃度を増加させ、量論的なＧａＴｔ、 Ｂｕ。
Ｔ−とするととも可能ではあるが、Ｇ１１の場合は添加
Ｓ゛が多くなると非晶質から結晶質への転移温度が高く
カシ、記録、消去に大きなレーザパワーが必要となり、
実用的でない。またＳｕの場合は量論に近いＳ「シ近傍
組成では、蒸着後は結晶質であり安定な非晶質状態がえ
られない。したがって本発明のように、Ｐｄ、ｃｏ、
Ｏｒを添加してＴｔを固定することが有益である。
Ｓ゛が多くなると非晶質から結晶質への転移温度が高く
カシ、記録、消去に大きなレーザパワーが必要となり、
実用的でない。またＳｕの場合は量論に近いＳ「シ近傍
組成では、蒸着後は結晶質であり安定な非晶質状態がえ
られない。したがって本発明のように、Ｐｄ、ｃｏ、
Ｏｒを添加してＴｔを固定することが有益である。
次に本発明の詳細な説明する。本発明においてＴｔは他
の元素と結合した状態で記録前後によって光学的濃度変
化を量する母材である。
の元素と結合した状態で記録前後によって光学的濃度変
化を量する母材である。
Ｇｅは、Ｔｇとの濃度化によって非晶質、結晶質間の転
移速度を支配する。すなわち、Ｇ−の濃度が低い領域で
は（ＴｅとＱｔのみの場合は、ＧＣが５ Ｑ ａｔ％）
、非晶質として安定に存在するが濃度が高くなると結晶
質が安定となるため、一旦結晶質となったものを非晶質
化させることが困難となる。本発明のＧ＃濃度は５０ａ
ｔ％以下であるから、Ｑｇは膜の非晶質性を増大させる
ことに寄与する。Ｓｕの作用はＱｇと同様であるがＳｕ
がＴ６とで非晶質性を増大させる領域は狭く、本発明の
範囲ではむしろ結晶化を促進する。すなわち、ＧｔとＢ
ｔｔ、はＴｇに対する作用は似ているが、Ｔ−との濃度
比によって、非晶質性が増大したり、結晶質性が増大し
たシする。ＧｔとＳｕの濃度が高くなると記録膜は結晶
質として安定するため、非晶質から結晶質への転移は容
易になるが、その逆は困難となる。したがって、このよ
うな材料は追記型材料（Ｗ１０材料）に適している。し
かし、この上うなＶ１０材料でもレーザパワーが強く、
記録膜を充分に溶融させることが可能であれば、消去可
能なディスクとして使用することが可能でおる。現在、
我々が実 ゛用土入手できる半導体レーザは波長が８５
０■でパワーは３０１ｕｗＪ程度であシ、Ｔｇ、 Ｇｇ
５Ｆｌｕの量論に近い組成（ＴｅＧａ、 ＴｇｓＩＬ）
を溶融させることは困難である。（融点が８ｏｏ℃程度
）Ｔｔ−Ｑｇ−８μの記録、消去可能な領域は、Ｔ−が
非常に多い領域（８０ａｔ％以上）にあるが、この領域
の組成は転移温度が低く、熱的に不安定であること、Ｔ
ｔが過剰なため、繰シ返しによって、Ｔｇ（！：ＴｇＧ
ｇあるいはＴｇｆ３ｗＫ記録膜が相分離を起こしゃすい
ことなどの欠点を肩している。本発明のＰｄ、Ｃｏ、
Ｏｒ ｕこの過剰のＴｅをＰｄＴｇ、 ＯＯＴｇ、 ０
ｒＴ−として安定化させる作用を有する。しかも熱的に
不安定な過剰のＴｔを、ＰｄＴｅ、 ＯｏＴｇ、 Ｃｌ
Ｔｇとして結合させているため、熱的に安定で、かつ、
記録、消去の繰夛返しによって相分離を生ずることなく
、長期に亘って安定な記録膜を形成する。Ｐｄ、 ＯＱ
、 Ｃ”の添加量は、Ｇｇ、 ＥｊｔＬと結合した残シ
の過ｊｌｊ’ｒｇを固定するのに必要な量であって、Ｔ
ｅの？ａ反の高い領域ではＰｄ、 Ｃｏ、 Ｏｒの濃度
も高い。
移速度を支配する。すなわち、Ｇ−の濃度が低い領域で
は（ＴｅとＱｔのみの場合は、ＧＣが５ Ｑ ａｔ％）
、非晶質として安定に存在するが濃度が高くなると結晶
質が安定となるため、一旦結晶質となったものを非晶質
化させることが困難となる。本発明のＧ＃濃度は５０ａ
ｔ％以下であるから、Ｑｇは膜の非晶質性を増大させる
ことに寄与する。Ｓｕの作用はＱｇと同様であるがＳｕ
がＴ６とで非晶質性を増大させる領域は狭く、本発明の
範囲ではむしろ結晶化を促進する。すなわち、ＧｔとＢ
ｔｔ、はＴｇに対する作用は似ているが、Ｔ−との濃度
比によって、非晶質性が増大したり、結晶質性が増大し
たシする。ＧｔとＳｕの濃度が高くなると記録膜は結晶
質として安定するため、非晶質から結晶質への転移は容
易になるが、その逆は困難となる。したがって、このよ
うな材料は追記型材料（Ｗ１０材料）に適している。し
かし、この上うなＶ１０材料でもレーザパワーが強く、
記録膜を充分に溶融させることが可能であれば、消去可
能なディスクとして使用することが可能でおる。現在、
我々が実 ゛用土入手できる半導体レーザは波長が８５
０■でパワーは３０１ｕｗＪ程度であシ、Ｔｇ、 Ｇｇ
５Ｆｌｕの量論に近い組成（ＴｅＧａ、 ＴｇｓＩＬ）
を溶融させることは困難である。（融点が８ｏｏ℃程度
）Ｔｔ−Ｑｇ−８μの記録、消去可能な領域は、Ｔ−が
非常に多い領域（８０ａｔ％以上）にあるが、この領域
の組成は転移温度が低く、熱的に不安定であること、Ｔ
ｔが過剰なため、繰シ返しによって、Ｔｇ（！：ＴｇＧ
ｇあるいはＴｇｆ３ｗＫ記録膜が相分離を起こしゃすい
ことなどの欠点を肩している。本発明のＰｄ、Ｃｏ、
Ｏｒ ｕこの過剰のＴｅをＰｄＴｇ、 ＯＯＴｇ、 ０
ｒＴ−として安定化させる作用を有する。しかも熱的に
不安定な過剰のＴｔを、ＰｄＴｅ、 ＯｏＴｇ、 Ｃｌ
Ｔｇとして結合させているため、熱的に安定で、かつ、
記録、消去の繰夛返しによって相分離を生ずることなく
、長期に亘って安定な記録膜を形成する。Ｐｄ、 ＯＱ
、 Ｃ”の添加量は、Ｇｇ、 ＥｊｔＬと結合した残シ
の過ｊｌｊ’ｒｇを固定するのに必要な量であって、Ｔ
ｅの？ａ反の高い領域ではＰｄ、 Ｃｏ、 Ｏｒの濃度
も高い。
〔第１図の説明〕第１図は本発明の記録膜の主成分子４
−Ｇｇ−８ｕの濃度を３角座標図で表わしている。同図
において本発明の組成の範囲を規定するＡ、Ｂ１ Ｃ！
、ＤＳＢの各点の座標は、Ａ（Ｔｅ０３ ”ｓ ＥＪ”
ｔ ）、Ｂ （Ｔｅｏｓ Ｇ’ｚ Ｓｕｓ ）、Ｏ（Ｔ
ｅ、、 Ｇｌｌ。
−Ｇｇ−８ｕの濃度を３角座標図で表わしている。同図
において本発明の組成の範囲を規定するＡ、Ｂ１ Ｃ！
、ＤＳＢの各点の座標は、Ａ（Ｔｅ０３ ”ｓ ＥＪ”
ｔ ）、Ｂ （Ｔｅｏｓ Ｇ’ｚ Ｓｕｓ ）、Ｏ（Ｔ
ｅ、、 Ｇｌｌ。
５ｈｏ）、Ｄ（Ｔｅ５ｔ Ｇｅ１８ Ｓｕ、、 ）、Ｂ
（Ｔｅｓｔ Ｇ’４６８％ ）であって、本発明の記
録膜の組成はとのＡＢＯＤＦｉによって囲まれた範囲内
にある主成分のＴｅ−Ｑｇ−８ｔＬ系に対しｐｅｌ、Ｑ
ｏ、Ｃｒのうちから選択された元素Ｍｅを副成分として
１〜４０ａｔ％添加することによって形成される。した
がって本発明の記録膜の構成は次の一般式で表わすこと
ができる。
（Ｔｅｓｔ Ｇ’４６８％ ）であって、本発明の記
録膜の組成はとのＡＢＯＤＦｉによって囲まれた範囲内
にある主成分のＴｅ−Ｑｇ−８ｔＬ系に対しｐｅｌ、Ｑ
ｏ、Ｃｒのうちから選択された元素Ｍｅを副成分として
１〜４０ａｔ％添加することによって形成される。した
がって本発明の記録膜の構成は次の一般式で表わすこと
ができる。
（Ｔ ｅ ＠ ａ： Ｇ ｔ ＊ ｙＳ ＩＬ ｍ
Ｚ ） ｍ Ｍ ｅ ” ｎただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１０
０、ｍ＋が＝１００線ＡＢよｐＴｅが多い場合は必然的
にＧｅ濃度が少なくなり、非晶質化が困難となる。また
、３ｇ９ｕが低いため、非晶質から結晶質への転移温度
も低い。線ＢＣより、Ｇ−が低い場合も、線ＡＢよりＴ
ｅが多い場合と同様に転移温度が低い。また、結晶質か
ら非晶質への変態に対する傾向は、Ｔｅが多い場合より
も良好である。
Ｚ ） ｍ Ｍ ｅ ” ｎただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１０
０、ｍ＋が＝１００線ＡＢよｐＴｅが多い場合は必然的
にＧｅ濃度が少なくなり、非晶質化が困難となる。また
、３ｇ９ｕが低いため、非晶質から結晶質への転移温度
も低い。線ＢＣより、Ｇ−が低い場合も、線ＡＢよりＴ
ｅが多い場合と同様に転移温度が低い。また、結晶質か
ら非晶質への変態に対する傾向は、Ｔｅが多い場合より
も良好である。
しかし、実用的な観点からは、充分な結晶から非晶質へ
の相転移が得られない。線ＣＤよりＳｕ濃度が多い場合
、Ｂｕの添加は結晶質化を促進するので、非晶質化が困
難となる。また、非晶質から結晶質への転移温度も低く
、熱的な安定性に乏しい。線ＤＥよυＴ＃が少ない場合
、この領域は、’ｆｔとＧｇ、ＳｔＬが化学的量論に近
い′結晶として安定なＧｔＴｇ、 ｆ３ｕＴｇを形成す
るので、非晶質化が困難となる。また、この領域は過剰
なＴｇがほとんどないので添加するＰｔＬ、Ｏｏ、Ｃｒ
濃度も少ない。すなわち、ｐｃｔ、ｃｏ、ｃｒの添加効
果も少ない。したがりて、この領域は膜の融点も高く、
非晶質化が困難となる。Ｓｕが線ＫＡより少ない領域で
は、非晶質として安定であるため、結晶化が困難である
。ただし、この傾向はＬＡ線上のＴｇとＱｔの比によっ
て支配され、Ｔｔが多い程結晶がより容易で、ＴＣ濃度
が７０ａｔ％付近が、最も結晶化が困難となり、Ｔｇが
５０ａｔ％付近で、再び、結晶化が容易となる。
の相転移が得られない。線ＣＤよりＳｕ濃度が多い場合
、Ｂｕの添加は結晶質化を促進するので、非晶質化が困
難となる。また、非晶質から結晶質への転移温度も低く
、熱的な安定性に乏しい。線ＤＥよυＴ＃が少ない場合
、この領域は、’ｆｔとＧｇ、ＳｔＬが化学的量論に近
い′結晶として安定なＧｔＴｇ、 ｆ３ｕＴｇを形成す
るので、非晶質化が困難となる。また、この領域は過剰
なＴｇがほとんどないので添加するＰｔＬ、Ｏｏ、Ｃｒ
濃度も少ない。すなわち、ｐｃｔ、ｃｏ、ｃｒの添加効
果も少ない。したがりて、この領域は膜の融点も高く、
非晶質化が困難となる。Ｓｕが線ＫＡより少ない領域で
は、非晶質として安定であるため、結晶化が困難である
。ただし、この傾向はＬＡ線上のＴｇとＱｔの比によっ
て支配され、Ｔｔが多い程結晶がより容易で、ＴＣ濃度
が７０ａｔ％付近が、最も結晶化が困難となり、Ｔｇが
５０ａｔ％付近で、再び、結晶化が容易となる。
その理由は、ＴｇとＧｇが、非晶質として、より安定な
化合物Ｇｇ ’ｌ’ ｔ、を形成するためで、Ｔｇ濃反
が７０％付近では全体的に結晶質化が困難である。
化合物Ｇｇ ’ｌ’ ｔ、を形成するためで、Ｔｇ濃反
が７０％付近では全体的に結晶質化が困難である。
以上述べた理由により、本発明の主成分を構成する’１
−Ｇｔ−８μ系は第１図においてＡ、Ｂ。
−Ｇｔ−８μ系は第１図においてＡ、Ｂ。
Ｊ Ｄ、Ｅの５点で囲まれた範囲内に限定される。すな
わち、この領域内の’ｌ’ｇ−Ｇｔ−ｆ３ｔＬにＰｄ、
Ｃｏ５ａｒから選択された元素Ｍｔを副成分として１〜
４０ａｔ％添加すると実用上、結晶質と非晶質との可逆
性を利用して情報の記録、消去が可能となる。
わち、この領域内の’ｌ’ｇ−Ｇｔ−ｆ３ｔＬにＰｄ、
Ｃｏ５ａｒから選択された元素Ｍｔを副成分として１〜
４０ａｔ％添加すると実用上、結晶質と非晶質との可逆
性を利用して情報の記録、消去が可能となる。
〔第２図の説明〕第２図は第１図と同様に本発明の記録
膜の主成分Ｔ＃−Ｇ＄−８ＬＬの濃度を３角座標図で表
わしている。Ｆ、Ｇ、Ｈ，Ｉのｉ点で囲まれた部分は特
許請求の範囲（４）の領域であって、１ｏ−３５ｃｔ％
の副成分Ｍｅ（ｐｃＬ、Ｑｏ。
膜の主成分Ｔ＃−Ｇ＄−８ＬＬの濃度を３角座標図で表
わしている。Ｆ、Ｇ、Ｈ，Ｉのｉ点で囲まれた部分は特
許請求の範囲（４）の領域であって、１ｏ−３５ｃｔ％
の副成分Ｍｅ（ｐｃＬ、Ｑｏ。
（３ｒ ）が添加される。また、Ｈ，Ｊ、に、Ｌ。
Ｍの５点で囲まれた部分は特許請求の範囲（５）の ゛
領域であって１〜１０ａｔ％の副成分Ｍｅ（ｐｄ、ＣＱ
、ａｙ）が添加される。なお、？ないしＭの各点は第４
図に示すように、Ａ、Ｂ、Ｏ，Ｄ、にで囲まれた特許請
求の範囲（１）の領域内にあって各点の座標は次のとお
シである。
領域であって１〜１０ａｔ％の副成分Ｍｅ（ｐｄ、ＣＱ
、ａｙ）が添加される。なお、？ないしＭの各点は第４
図に示すように、Ａ、Ｂ、Ｏ，Ｄ、にで囲まれた特許請
求の範囲（１）の領域内にあって各点の座標は次のとお
シである。
Ｆ （Ｔｅ９２ Ｇ’５ Ｓｕｓ ）、Ｇ （Ｔｅｗｔ
Ｇ’ｓ Ｅ３’りＨ（Ｔｅ６ｓ Ｇ’、５Ｔ１１ｏ
）、工（Ｔｅ？４ Ｇ’ｔｓ Ｂ”ｓ ）Ｊ （Ｔｅｙ
ｎ Ｇ’＋ｏ Ｓｈｏ ）、Ｋ （Ｔｅ＋ＨＢ Ｇ’２
１１８”ｓ ）Ｌ （Ｔｅｑ２Ｇ’４５ Ｓｕ、）、Ｍ
（Ｔｅｓｚ Ｇ’＋ｏ Ｓｈｏ ）ＦＧＨ工の４点で
囲まれた領域の非晶質から結晶質への転移温度は９０〜
１６０℃以内で、ＨＪＫＬＭの５点で囲まれた領域で転
移温度（１５０〜２２０℃程度）よりも低い。Ｐｄ、
００． Ｏｒの添加はＴｔ−（：４ｔ−３ｕだけの場合
よりも結晶転移温度を１０〜３０℃高める作用を有する
。それ故ｐｄ、００、Ｃｒの添加は熱的安定性を示す転
移温肱を上昇させる効果と、記録膜の融点をそれほど上
昇させないで非晶質化を容易にする利点を有する。
Ｇ’ｓ Ｅ３’りＨ（Ｔｅ６ｓ Ｇ’、５Ｔ１１ｏ
）、工（Ｔｅ？４ Ｇ’ｔｓ Ｂ”ｓ ）Ｊ （Ｔｅｙ
ｎ Ｇ’＋ｏ Ｓｈｏ ）、Ｋ （Ｔｅ＋ＨＢ Ｇ’２
１１８”ｓ ）Ｌ （Ｔｅｑ２Ｇ’４５ Ｓｕ、）、Ｍ
（Ｔｅｓｚ Ｇ’＋ｏ Ｓｈｏ ）ＦＧＨ工の４点で
囲まれた領域の非晶質から結晶質への転移温度は９０〜
１６０℃以内で、ＨＪＫＬＭの５点で囲まれた領域で転
移温度（１５０〜２２０℃程度）よりも低い。Ｐｄ、
００． Ｏｒの添加はＴｔ−（：４ｔ−３ｕだけの場合
よりも結晶転移温度を１０〜３０℃高める作用を有する
。それ故ｐｄ、００、Ｃｒの添加は熱的安定性を示す転
移温肱を上昇させる効果と、記録膜の融点をそれほど上
昇させないで非晶質化を容易にする利点を有する。
ＨＪＫＬＭの５点で囲まれた領域は過剰のＴｇが少いの
でＰｄ、 ００． Ｏｒの添加効果は、Ｆ’ＧＨ工の場
合に比べて小さい。しかし添加物なしのＴｅ−Ｇｇ−ｊ
３ ｕ系よりも非晶質化は容易である。ＥＪＫＬＭの領
域は転移温度が高く熱的に安定であること、ＧｔＴｇ％
ＳｕＴｇの量論に近い組成なので結晶化は容易で非晶質
化は困難ではあるが、半導体レーザを高出力にすれば非
晶質化は容易になる。点工ＪＫで囲まれた部分は安定な
非晶質状態のＧＩＩＴＩＩ、が存在する領域で結晶化は
困難である。
でＰｄ、 ００． Ｏｒの添加効果は、Ｆ’ＧＨ工の場
合に比べて小さい。しかし添加物なしのＴｅ−Ｇｇ−ｊ
３ ｕ系よりも非晶質化は容易である。ＥＪＫＬＭの領
域は転移温度が高く熱的に安定であること、ＧｔＴｇ％
ＳｕＴｇの量論に近い組成なので結晶化は容易で非晶質
化は困難ではあるが、半導体レーザを高出力にすれば非
晶質化は容易になる。点工ＪＫで囲まれた部分は安定な
非晶質状態のＧＩＩＴＩＩ、が存在する領域で結晶化は
困難である。
以上述べた理由によって、本発明の主成分’Ｉ’ｇ−Ｇ
ｇ−８μ系および副成分のＰｄ、 ｃｏｌｃｒの最適の
組成が限定される。
ｇ−８μ系および副成分のＰｄ、 ｃｏｌｃｒの最適の
組成が限定される。
〔第３図の説明〕第５図は本発明の記録膜を用いた光デ
ィスクの断拘を示している。１．５はポリカーボネイト
、アクリル樹脂ガラス、ポリエステル等、透明な材料よ
りなる基板２．４は種々の酸化物、硫化物、炭化物等よ
υなる保護層、５は本発明の記録膜である。保護層２．
４は記録膜３の記録、消去の繰返しによる基板１．５の
熱劣化を防止すると共に、記録膜乙の防湿の作用をする
。記録膜３は蒸着、スパッタリング等によって形成され
る。記録膜５の膜厚は、保護層２．４の光学特性とマツ
チング（記針部と未記録部との反射率の差を大きくとる
ことができる）する値とする。
ィスクの断拘を示している。１．５はポリカーボネイト
、アクリル樹脂ガラス、ポリエステル等、透明な材料よ
りなる基板２．４は種々の酸化物、硫化物、炭化物等よ
υなる保護層、５は本発明の記録膜である。保護層２．
４は記録膜３の記録、消去の繰返しによる基板１．５の
熱劣化を防止すると共に、記録膜乙の防湿の作用をする
。記録膜３は蒸着、スパッタリング等によって形成され
る。記録膜５の膜厚は、保護層２．４の光学特性とマツ
チング（記針部と未記録部との反射率の差を大きくとる
ことができる）する値とする。
〔実施例１〕４源蒸着の電子ビーム蒸着機により、Ｔｇ
、 Ｇｇ、 Ｓｕ、 Ｐｄをそれぞれのソースから蒸着
した。基板はψ８瓢のガラス板で、真空度Ｉ Ｘ １０
Ｔｏｒｒ、回転速度１５ Ｇ ｒｐｒｘの下で蒸着
し、膜厚を１０００Ｘとした。各ソースからの蒸着速度
は記録膜中のＴｇ、 Ｇｇ、 ８４ Ｐｄの原子数の割
合を調整するために変化させた。第１衣の組成はこの蒸
着速度から換算した値である。
、 Ｇｇ、 Ｓｕ、 Ｐｄをそれぞれのソースから蒸着
した。基板はψ８瓢のガラス板で、真空度Ｉ Ｘ １０
Ｔｏｒｒ、回転速度１５ Ｇ ｒｐｒｘの下で蒸着
し、膜厚を１０００Ｘとした。各ソースからの蒸着速度
は記録膜中のＴｇ、 Ｇｇ、 ８４ Ｐｄの原子数の割
合を調整するために変化させた。第１衣の組成はこの蒸
着速度から換算した値である。
なお、代表的な組成をＸ線マイクロアナライザ（ＸＭＡ
）で測定したところ、仕込値とはソ同様の定量結果かえ
られた。上記の製法で作成した試験片Ａ −Ｍおよび１
〜１６につき転移温度並びに黒化特性および白化特性を
評価した。結果は第１表に示すとおシである。第４図は
試験片Ａ〜Ｍおよび１〜１６の５角座標図における位置
を示している。
）で測定したところ、仕込値とはソ同様の定量結果かえ
られた。上記の製法で作成した試験片Ａ −Ｍおよび１
〜１６につき転移温度並びに黒化特性および白化特性を
評価した。結果は第１表に示すとおシである。第４図は
試験片Ａ〜Ｍおよび１〜１６の５角座標図における位置
を示している。
（転移温度）転移温度は蒸着直後の非晶質状態の膜が熱
によって結晶状態になる開始温度である。その測定には
膜の透過率を測定する装置を用い、ヒータにより試験片
の温度を昇温速度１℃ＡＢＣで上昇させたとき、透過率
が減少を開始する温度を転移温度とした。転移温度が高
いことは記録膜が熱的に安定であることを意味する。
によって結晶状態になる開始温度である。その測定には
膜の透過率を測定する装置を用い、ヒータにより試験片
の温度を昇温速度１℃ＡＢＣで上昇させたとき、透過率
が減少を開始する温度を転移温度とした。転移温度が高
いことは記録膜が熱的に安定であることを意味する。
〔黒化特性および白化特性〕黒化特性は非晶質から結晶
質へ転移する転移速度を示し、白化特性は結晶質から非
晶質へ転移する転移速度を示すものである。測定は試験
片上の記録膜に、レンズによりレーザ光を集光させ、試
験片を上下、左右に移動して行なった。レーザ光のスポ
ットは４５ Ｘ ０．４ μ、パルス中は４００ｎｚ。
質へ転移する転移速度を示し、白化特性は結晶質から非
晶質へ転移する転移速度を示すものである。測定は試験
片上の記録膜に、レンズによりレーザ光を集光させ、試
験片を上下、左右に移動して行なった。レーザ光のスポ
ットは４５ Ｘ ０．４ μ、パルス中は４００ｎｚ。
パワー密度は１０．６ｍ−μ〃？波長は９００ルｍとし
た。黒化特性線、試験片を比較的、緩かに移動させた場
合の変態（非晶質→結晶質）の速度を観察し、速度が充
分早く、かつ未記録部分と記録部分のコントラスト比が
充分大きいものを ◎とした。×は緩やかに移動させて
も、黒化しないもの、あるいはコントラスト比が小さい
ものを示す。○、Δは◎と×の中間に位置する。
た。黒化特性線、試験片を比較的、緩かに移動させた場
合の変態（非晶質→結晶質）の速度を観察し、速度が充
分早く、かつ未記録部分と記録部分のコントラスト比が
充分大きいものを ◎とした。×は緩やかに移動させて
も、黒化しないもの、あるいはコントラスト比が小さい
ものを示す。○、Δは◎と×の中間に位置する。
この定性的な表現において、実用可能な黒化特性は０以
上である。白化特性は、黒化した試験片を速やかに、移
動させて急冷状態な作シ、白化（結晶質→非晶質）させ
る。白化状態が◎のものは、移動速度が比較的緩やかで
も、白化し、しかも非晶質部分と結晶質部分のコントラ
スト比が大きいものを示し、×は全く白化しないものを
示している。○とΔは◎と×の中間に位置する。
− 上述した表現によれば、黒化特性および白化特性がとも
にすぐれている場合は、◎、◎となるが、実際問題とし
ては同じ移動速度で、どちらも◎となることはあり得す
、望ましい材料としては、◎、○あるいは◎、Δのよう
に、黒化特性が多少すぐれているものが好ましい。第１
表に示すように、第１図のＡＢＯｒｌＫの５点で囲まれ
た本発明の領域内にある組成Ａ −Ｍおよび１〜１６に
は黒化特性および白化特性に×はなく、光学的に情報の
書き込みおよび消去が可能である。
上である。白化特性は、黒化した試験片を速やかに、移
動させて急冷状態な作シ、白化（結晶質→非晶質）させ
る。白化状態が◎のものは、移動速度が比較的緩やかで
も、白化し、しかも非晶質部分と結晶質部分のコントラ
スト比が大きいものを示し、×は全く白化しないものを
示している。○とΔは◎と×の中間に位置する。
− 上述した表現によれば、黒化特性および白化特性がとも
にすぐれている場合は、◎、◎となるが、実際問題とし
ては同じ移動速度で、どちらも◎となることはあり得す
、望ましい材料としては、◎、○あるいは◎、Δのよう
に、黒化特性が多少すぐれているものが好ましい。第１
表に示すように、第１図のＡＢＯｒｌＫの５点で囲まれ
た本発明の領域内にある組成Ａ −Ｍおよび１〜１６に
は黒化特性および白化特性に×はなく、光学的に情報の
書き込みおよび消去が可能である。
第 １ 表 （２）
〔実施例２〕この実施例は第２図のＦＧＨ工で囲まれた
領域からはＴ’ｓｏ Ｇ’ｔｏ Ｅｌ”Ｉ。（第４図の
点４）を、ＨＪＫＬＭで囲まれた領域からはＴ ’６０
Ｇ ’２５””ｔｓ （第４図の点１２）をそれぞれ
選択し、実施例１と同様な製法および評価法により、Ｔ
ｇ−ａｇ−ｓμ系にｐｇを添加した場合、ｐｇの濃度の
特性に及ぼす影響を試験した。結果は第２表に示すよう
に、ＦＧＨ工の領域ではｐｄの濃度は１０ａｔチから３
５ａｔｑｂの間が良好な特性を示しておシ、ＨＪＫＩＪ
Ｍの領域ではｐｄの濃度は１〜１５ａｔ％が使用可能で
あることを示している。ＮＯ。
領域からはＴ’ｓｏ Ｇ’ｔｏ Ｅｌ”Ｉ。（第４図の
点４）を、ＨＪＫＬＭで囲まれた領域からはＴ ’６０
Ｇ ’２５””ｔｓ （第４図の点１２）をそれぞれ
選択し、実施例１と同様な製法および評価法により、Ｔ
ｇ−ａｇ−ｓμ系にｐｇを添加した場合、ｐｇの濃度の
特性に及ぼす影響を試験した。結果は第２表に示すよう
に、ＦＧＨ工の領域ではｐｄの濃度は１０ａｔチから３
５ａｔｑｂの間が良好な特性を示しておシ、ＨＪＫＩＪ
Ｍの領域ではｐｄの濃度は１〜１５ａｔ％が使用可能で
あることを示している。ＮＯ。
２４ （Ｍｌａｔ％以下）は本発明の範囲外で、白化せ
ず、書き換え可能な記録膜にならない。屋３０は黒化特
性はＸ〜Δで黒化は一応可能であるが実用的には使用が
困難である。
ず、書き換え可能な記録膜にならない。屋３０は黒化特
性はＸ〜Δで黒化は一応可能であるが実用的には使用が
困難である。
第 ２ 表
〔光ディスクによる特性試験ム１〕第３図の基板１に厚
さ１２ｍｍ直径２００■のポリカードネート樹脂板を使
用し、保護層２としてＺｎＢの耐熱層を９００１の厚さ
に蒸着し、その上に厚さ１０００λの記録膜３を実施例
１の方法で蒸着し、さらにその上に厚さ１８００又のＺ
ｎＢの保護層４を蒸着して基板５を密接配置した、なお
、記録膜３には第２表の屋２１および煮２６を使用して
２種類の光ディスクを作成した。
さ１２ｍｍ直径２００■のポリカードネート樹脂板を使
用し、保護層２としてＺｎＢの耐熱層を９００１の厚さ
に蒸着し、その上に厚さ１０００λの記録膜３を実施例
１の方法で蒸着し、さらにその上に厚さ１８００又のＺ
ｎＢの保護層４を蒸着して基板５を密接配置した、なお
、記録膜３には第２表の屋２１および煮２６を使用して
２種類の光ディスクを作成した。
この２種類の光ディスクにつき、記録パワーおよび消去
パワーはｓｍｕおよび１５ｍｅｖＶ、記録ビームはψ１
μｒｒＬ（半値巾）、消去レーザビーム長は約１５μｒ
ｎ（半値巾）として、白化状態および黒化状態での記録
、消去試験を行なった。
パワーはｓｍｕおよび１５ｍｅｖＶ、記録ビームはψ１
μｒｒＬ（半値巾）、消去レーザビーム長は約１５μｒ
ｎ（半値巾）として、白化状態および黒化状態での記録
、消去試験を行なった。
なお、記録周波数はＺＭＨｚ 、ディスク周速は５ ｍ
／ｚである。結果は次のとおシである。
／ｚである。結果は次のとおシである。
（１）／ＦＩＬ ２１デイスクの嗟は５３ ｇ１３、消
去率は−５０ｄＢであシ、Ａ ２６デイスクのＯ／’Ｎ
は４８ ｄＢ、消去率は−４６ｄＢであった。（２）１
０万回の記録、消去を繰返した後のｃ、Ｉｇの低下は、
扁２１ディスクは一３ｄＢ、４２６デイスクは一１ｄＢ
、消去率の低下はそれぞれ１ ｄＢおよび０．５ｄＢで
あった。（３） ８０℃、６０チＲＨ０下に１ケ月放置
した後の屋２１ディスクのＣ！／Ｈの低下は一〇、５Ｌ
ｉＢ、消去率の低下は１ＬｉＢであった。 ′ 〔光ディスクによる特性試験Ａ ２ ） Ａ ２１光デ
イスクにつき、耐熱保護層としてＱｅＯ２およびＳｉｃ
を用い、その特性を試験した。保護層（２）の膜厚はｓ
ｏ ｏ Ｌ保護層（４）の膜厚は１９００１である。
去率は−５０ｄＢであシ、Ａ ２６デイスクのＯ／’Ｎ
は４８ ｄＢ、消去率は−４６ｄＢであった。（２）１
０万回の記録、消去を繰返した後のｃ、Ｉｇの低下は、
扁２１ディスクは一３ｄＢ、４２６デイスクは一１ｄＢ
、消去率の低下はそれぞれ１ ｄＢおよび０．５ｄＢで
あった。（３） ８０℃、６０チＲＨ０下に１ケ月放置
した後の屋２１ディスクのＣ！／Ｈの低下は一〇、５Ｌ
ｉＢ、消去率の低下は１ＬｉＢであった。 ′ 〔光ディスクによる特性試験Ａ ２ ） Ａ ２１光デ
イスクにつき、耐熱保護層としてＱｅＯ２およびＳｉｃ
を用い、その特性を試験した。保護層（２）の膜厚はｓ
ｏ ｏ Ｌ保護層（４）の膜厚は１９００１である。
その他は特性試験４１の場合と同じである。結果は、（
１） Ｏ／Ｎ ＃′ｉ、Ｇｇ０ｔの場合は５５ｄＢ、
Ｓｉｃの場合は５０ ｄＢでおった。また、消去率は
それぞれ一４８ｄＢおよび−４６ｄ、Ｂでちった。（２
）寿命試験（１ケ月放置した後の特性低下）は、（Ｎｏ
、の場合のＯＡの低下は一３ｄＢ、Ｓｉａの場合は−０
，８ｄＢであった。
１） Ｏ／Ｎ ＃′ｉ、Ｇｇ０ｔの場合は５５ｄＢ、
Ｓｉｃの場合は５０ ｄＢでおった。また、消去率は
それぞれ一４８ｄＢおよび−４６ｄ、Ｂでちった。（２
）寿命試験（１ケ月放置した後の特性低下）は、（Ｎｏ
、の場合のＯＡの低下は一３ｄＢ、Ｓｉａの場合は−０
，８ｄＢであった。
〔光ディスクによる特性試験屋３〕記録膜を実施例１の
屋５とする光ディスクを特性試験１と同じ基板および方
法によって作成した。なお、耐熱保護層２はｓ ６ Ｏ
Ａ、記録層３は５００ズ、保護層４は１９５０１である
。この光ディスクのＣ／′Ｎは５２ＣＬＢ、消去率は一
５０ｄＢであシ、１０万回の記録、消去を繰返した後の
Ｏ／Ｎの低下は−２ｇＢであった。
屋５とする光ディスクを特性試験１と同じ基板および方
法によって作成した。なお、耐熱保護層２はｓ ６ Ｏ
Ａ、記録層３は５００ズ、保護層４は１９５０１である
。この光ディスクのＣ／′Ｎは５２ＣＬＢ、消去率は一
５０ｄＢであシ、１０万回の記録、消去を繰返した後の
Ｏ／Ｎの低下は−２ｇＢであった。
〔光ディスクによる特性試験ム４〕実施例２の記録膜Ａ
２１ （Ｔｅｓｏ Ｇｇ、。Ｓｕ＋ｏ ）、 ｐ−〇
ｐｇ、の代シに、”３０ ％ Ｃ”１１３ｓ ”２０
”ＩＱおよびｐｄ、 ａｒ、。
２１ （Ｔｅｓｏ Ｇｇ、。Ｓｕ＋ｏ ）、 ｐ−〇
ｐｇ、の代シに、”３０ ％ Ｃ”１１３ｓ ”２０
”ＩＱおよびｐｄ、 ａｒ、。
を置換した記録膜により特性試験＆１の光ディスクを作
成し、特性を評価した。結果は下記のとおシである。
成し、特性を評価した。結果は下記のとおシである。
（ｄＢ） ｃｏ Ｏｆ” ＰｔＬＯｏ Ｐ
ｄ０ｒａ／Ｎ ５０ ４８ ５３ ５２消
去率 −４６−４５−５０−４８ 〔発明の効果〕以上述べたように本発明の光学情報記録
部材は、Ｔｔ−Ｇｄ−８μ系にｐｃＬ、ｃｏおよびＱｆ
のうちから選択された元素を添加して記録消去の繰返し
特性を改善するに当って、数多くの実験によりて各成分
の有効な配合範囲を定め、現行の半導体レーザパワーで
十分に黒化（消化）および白化（記録）することを可能
にすると共に、温度および湿度に安定で従来のこの種の
記録膜のもつ欠点を解消するすぐれた効果を有する。
ｄ０ｒａ／Ｎ ５０ ４８ ５３ ５２消
去率 −４６−４５−５０−４８ 〔発明の効果〕以上述べたように本発明の光学情報記録
部材は、Ｔｔ−Ｇｄ−８μ系にｐｃＬ、ｃｏおよびＱｆ
のうちから選択された元素を添加して記録消去の繰返し
特性を改善するに当って、数多くの実験によりて各成分
の有効な配合範囲を定め、現行の半導体レーザパワーで
十分に黒化（消化）および白化（記録）することを可能
にすると共に、温度および湿度に安定で従来のこの種の
記録膜のもつ欠点を解消するすぐれた効果を有する。
第１１二本発明の光学情報記録部材の記録膜の主成分の
組成を示す３色座標図 第２図： ４＋ｆ許請求の範囲（４）および（５）の記
録膜の主成分の組成を示す３色座標図 第６Ｎ：本発明の光学情報記録部材の断面同第４凹二本
発明の実施例１の試験片Ａ −Ｍおよび１〜１６の３色
座標図における位置 を示す図 図面の浄書（白さに変更なし） 牙１図 牙２鏝 才３ｖ！Ｊ 牙４ｖＡ 手 続 補 正 書（方式） ｔ 事件の表示 昭和６０年特許願第１６９６０７号 λ 発明の名称 光学情報記触部材 ＆ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 ５７１ 大阪府門真市大字門真１００６番地５８２
松下電器産業株式会社 ４、代理人
組成を示す３色座標図 第２図： ４＋ｆ許請求の範囲（４）および（５）の記
録膜の主成分の組成を示す３色座標図 第６Ｎ：本発明の光学情報記録部材の断面同第４凹二本
発明の実施例１の試験片Ａ −Ｍおよび１〜１６の３色
座標図における位置 を示す図 図面の浄書（白さに変更なし） 牙１図 牙２鏝 才３ｖ！Ｊ 牙４ｖＡ 手 続 補 正 書（方式） ｔ 事件の表示 昭和６０年特許願第１６９６０７号 λ 発明の名称 光学情報記触部材 ＆ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 ５７１ 大阪府門真市大字門真１００６番地５８２
松下電器産業株式会社 ４、代理人
Claims (5)
- （１）テルル（Ｔｅ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）およびス
ズ（Ｓｕ）を主成分として含み、これらの元素の割合が
Ｔｅ、Ｇｅ、Ｓｕをそれぞれ１００ａｔ％の頂点とする
３角座標図において座標（ａｔ％）が、Ａ（Ｔｅ＿９＿
３Ｇｅ＿５Ｓｕ＿２）、Ｂ（Ｔｅ＿９＿３Ｇｅ＿２Ｓｕ
＿５）、Ｃ（Ｔｅ＿６＿８Ｇｅ＿２Ｓｕ＿３＿０）、Ｄ
（Ｔｅ＿５＿２Ｇｅ＿１＿３Ｓｕ＿３＿０）、Ｅ（Ｔｅ
＿５＿２Ｇｅ＿４＿６Ｓｕ＿２）の５点で囲まれた範囲
内にある組成を有し、これにパラジウム（ｐｄ）コバル
ト（Ｃｏ）およびクロム（Ｃｒ）より選択された元素を
副成分として含有する記録膜を有することを特徴とする
光学情報記録部材 - （２）前記Ｐｄ、ＣｏおよびＣｒより選択された副成分
（Ｍｅ）の添加量は、下式において、 （Ｔｅｘ・Ｇｅｙ・Ｓｎｚ）ｍＭｅｎ たゞしｘ＋ｙ＋ｚ＝１００、ｍ＋ｎ＝１００ｎの値が１
〜４０ａｔ％であることを特徴とする特許請求の範囲（
１）の光学情報記録部材 - （３）前記副成分（Ｍｅ）はＰｄであって前記ｎの値は
１〜３０ａｔ％であることを特徴とする特許請求の範囲
（２）の光学情報記録部材 - （４）前記主成分を構成するＴｅ、Ｇｅ、Ｓｕの座標が
前記３角座標図のＦ（Ｔｅ＿９＿２Ｇｅ＿５Ｓｕ＿３）
、Ｇ（Ｔｅ＿９＿２Ｇｅ＿３Ｓｕ＿３）、Ｈ（Ｔｅ＿６
＿８Ｇｅ＿３Ｓｕ＿２＿９）、Ｉ（Ｔｅ＿７＿４Ｇｅ＿
２＿３Ｓｕ＿３）の４点で囲まれる範囲内にあって、前
記副成分として添加されるＭｅの添加量は前記ｎの値が
１０〜３５ａｔ％であることを特徴とする特許請求の範
囲（１）および（２）の光学情報記録部材 - （５）前記主成分を構成するＴｅ、Ｇｅ、Ｓｕの座標が
前記３角座標図のＨ（Ｔｅ＿６＿８Ｇｅ＿３Ｓｕ＿２＿
９）、Ｊ（Ｔｅ＿７＿０Ｇｅ＿１＿０Ｓｕ＿２＿０）、
Ｋ（Ｔｅ＿６＿８Ｇｅ＿２＿９Ｓｕ＿３）、Ｌ（Ｔｅ＿
５＿２Ｇｅ＿４＿５Ｓｕ＿３）、Ｍ（Ｔｅ＿５＿２Ｇｅ
＿１＿９Ｓｕ＿２＿９）の５点で囲まれる範囲内にあっ
て、前記副成分として添加されるＭｅの添加量は前記ｎ
の値が１〜１０ａｔ％であることを特徴とする特許請求
の範囲（１）および（２）の光学情報記録部材
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60169607A JPH07115536B2 (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 光学情報記録部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60169607A JPH07115536B2 (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 光学情報記録部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6230086A true JPS6230086A (ja) | 1987-02-09 |
| JPH07115536B2 JPH07115536B2 (ja) | 1995-12-13 |
Family
ID=15889632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60169607A Expired - Lifetime JPH07115536B2 (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 光学情報記録部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07115536B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6276035A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-08 | Tdk Corp | 情報記録媒体および記録方法 |
| JPH01116935A (ja) * | 1987-10-28 | 1989-05-09 | Nippon Columbia Co Ltd | 光情報記録媒体 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60107744A (ja) * | 1983-11-15 | 1985-06-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材 |
| JPS60219646A (ja) * | 1984-04-16 | 1985-11-02 | Nippon Columbia Co Ltd | 光情報記録媒体 |
-
1985
- 1985-07-31 JP JP60169607A patent/JPH07115536B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60107744A (ja) * | 1983-11-15 | 1985-06-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材 |
| JPS60219646A (ja) * | 1984-04-16 | 1985-11-02 | Nippon Columbia Co Ltd | 光情報記録媒体 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6276035A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-08 | Tdk Corp | 情報記録媒体および記録方法 |
| JPH01116935A (ja) * | 1987-10-28 | 1989-05-09 | Nippon Columbia Co Ltd | 光情報記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07115536B2 (ja) | 1995-12-13 |
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