JPS5953614B2 - ジヨウホウキロクホウホウ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、低エネルギーで光学濃度変化を与えることが
できる情報記録方法を提供するものである。

近年情報量の増大にともなつて、これらの信号を高速、
高密度に記録、再生する方法が望まれており、この観点
から、最近注目をあつめているのは光学的な情報記録再
生方法である。

これらの中で代表的なものを次にあげる。

第１は、湿式現象が不要なドライシルバー銀塩感光部材
を用いる方法である。

この方法では、信号に対応した光を照射し、しかる後に
この部材を加熱して顕像化し、黒化せしめ画像を形成Ｌ
記録再生するもので、光感度が高い（１０２ｃｆｎＪ／
Ｃｄ）という利点を有している。

しかしながら、加熱現像過程が必要である点、及び化学
的に若干不安定であるという欠点を有している。第２は
、金属薄膜にレーザ光などによつて情報の書き込みをお
こなう方法である。

たとえぱ、インジウム金属膜ｎ（融点Ｔｍ＝１５６℃）
あるいはビスマス金属Ｂｉ（融点Ｔｍ二２７１℃）等を
基板上に１０００λ程度の薄膜として形成したものが知
られている。

この部材に対する記録機構は、レーザ等の光源を用いて
微少スポット〜１０μφをこの薄膜に照射せしめ、該金
属膜の光吸収、昇温の結果、該スポット部位の金属が融
解、凝縮、あるいは蒸発し、この部位に微少な穴が形成
され、透明な部分として画像を形成するものである。

この材料は現像処理が不要であるという長所をもつが感
度が１０３〜１０２ｍＪ／ｄと低く、光学濃度変化に物
質移動が伴うという点が問題である。

第３の例は、半導体ガラス材料を用いた情報記録再生方
法である。これは、記録部材として酸素Ｉを含まないカ
ルコゲン化組成を使用するもので、例えば、Ｇｅ、５Ｔ
ｅ３、Ｓｂ２Ｓ２、ＡＳ２Ｓ３、ＡＳ２０Ｓｅ６０Ｇｅ
２０等の材料が代表的である。この部材は、光学濃度の
低い非結晶状態つまり微視的には構成原子間の配置に規
則性を有しており、巨視的には規則性がみだれている状
態と、光学濃度の高い結晶状態つまり、結晶全体に規則
性が成立せる、少くとも２つの状態を有するものである
。記録方法としては、例えば、レーザ光スポツト等をこ
の材料薄膜に照射し、光吸収昇温によつて熱的に非結晶
状態から結晶状態に変化させることができる。

この場合、一般に光学濃度は低い方から高い方に変化し
信号像が形成されるものである。

この方法は、光照射と同時に像形成が生ずる点及び結晶
状態から再び非結晶状態にかえすことができる等の長所
を有する。

しかしながら、光学情報記録方法に用いる場合、記録エ
ネルギーが２×１０２ｍＪ以上必要であり、感度が低い
という点が問題である。

本発明における情報記録方法は、その記録部材としては
、第１図の実施例に示すように基材１の表面に光吸収性
のアンチモン酸化物ＳｂＯｘｌ（ただし、０くＸ１く１
．５）を主成分とする薄膜感光層２を形成せしめたもの
である。

使用の目的によつては、薄膜感光層２の上に、さらに透
明保護層３を設ける。

基材１は金属、例えばアルミニウム、銅等、あるいはガ
ラス、例えば石英、パイレツクス、ソーダガラス等ある
いは樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリスチレン、アクリル等、又
、透明フイルムとしてはアセテート、テフロン、ポリエ
ステル等が使用できる。

中でも、ポリエステルフイルム、アクリル板等を使用す
る場合、透明性がすぐれており、形成せしめた信号像を
光学的に再生する際に有効である。反射で再生する場合
は、基材として紙などが使用できる。薄膜感光層２は光
吸収性の膜であり、アンチモン酸化物ＳｂＯｘｌ（ただ
し、０くＸ１く１．５）を主成分とし、淡褐色を呈して
いる。

膜厚は、６００λから２μ程度のいずれでも良いが、２
０００人〜４０００人の領域のものが記録解像度光学濃
度変化によるコントラスト比としてすぐれたものを得る
。透明保護層３は、例えば、有機材料から得るアクリル
ラツカ一あるいは、ポリビニールアルコール等の液を吹
きつけ塗付を施して形成する。

特に強度の大きい保護層が必要な場合は、無機材料であ
るＳｉＯ２膜等を電子ビーム加熱蒸着等の方法で形成す
る。本発明におけるアンチモン酸化物ＳｂＯｘ，（Ｏく
ｘ，く１．５）を主成分とする光学記録膜は、有機フイ
ルム、アルミ箔等、いずれの基材に対しても密着性がす
ぐれており、金属薄膜記録部材、例えばＢｌ，Ｉｎ蒸着
膜に比較して機械的強度が大きく、使用条件によつては
透明保護層３をはぶくことも可能である。

つぎに、本発明における情報書き込みの方法を述べる。

光学書き込みの実施例としては、第２図、第３図、第４
図に示すように、キセノンフラツシユランプ、Ｈｅ−Ｎ
ｅ等のガスレーザ及び半導体レーザによる近赤外光によ
る書き込み等も可能である。

キセノンランプを用いる場合の記録方法について第２図
の実施例とどもに述べると、まず光吸収性のアンチモン
酸化物ＳｂＯＸｌを主成分とする光学記録膜５を基板４
に形成した記録部材に、場所的に光透過率の異るパター
ンを形成したマスク６を密着せしめる。この上から、キ
セノンランプＴを発光、照射することにより、パターン
に対応した濃淡像が該記録部材に形成する。他の光学記
録の実施例として、ガスレーザ光源を用いた書き込みの
態様を第３図とともに説明する。

レーザー光源８は、Ｈｅ−Ｎｅレーザλ二６３２８λ，
Ｈｅ−Ｃｄレーザλ二４４１６人Ａｒレーザλ二５１４
５Ａ等いずれでも使用できる。

レーザ管８から出たレーザ光９は、光変調器１０例えば
、ＬｉＮｂＯ３電気光学光変調器又は超音波光変調器等
により信号に応じた強度変調を受けミラー１１を介し、
収束用レンズ１２によりスポツト形成し、アンチモン酸
化物ＳｂＯｘ，を主成分とする光吸収性記録薄１３を設
けた基材１４からなる光学記録部材を信号に対応した光
強度で照射する。光ビームと光学記録部材の相対的な移
動に伴つて遂次にビツト信号が該記録部材上に書き込ま
れる。レーザ光源として半導体レーザー、λ＝９０４０
λを使用する場合の実施例を第４図に示す。半導体レー
ザは一般に射出するレーザ光のビームの拡がりが±２０
という角度で大きいためビーム成型のために、第１、第
２のレンズを用いてスポツトを成型せしめる。半導体レ
ーザ１５としては例えばパルス発振半導体レーザを用い
る。射出ビームは、第１のレンズ１６により疑似平行光
１７となり第２のレンズ１８によつてスポツ卜光１９に
成型し、アンチモン酸化物ＳｂＯＸｌを主成分とする光
吸収性薄膜２０を設けた基材２１からなる記録部材を信
号に対応した光強度で照射する。半導体レーザを使用す
る場合はガスレーザとは異つて内部変調が容易であり、
光変調器は不要である。

光照射を受けた部位では黒化し、光学濃度変化として記
録できる。

つぎに、本発明におけるように記録された信号１の情報
再生方法について述べる。

該情報記録薄膜は、未書き込み状態において淡褐色で、
書き込み状態では灰褐色ないし黒化し、光学濃度が増大
するとともに、反射率が変化する。

信号読み出しに際しては、第５図及び第６図の実施例に
示すように、透過式光信号再生及び反射式光信号再生が
可能である。第５図において透過式再生方法を説明する
。

照明用光源２２はタングステンランプ、Ｈｅ−Ｎｅレー
ザ、半導体レーザ等が使用でき、集光用ニレンズ２３を
用いてスポツト光２４とし、信号像２５を裏面から照明
する。該信号記録膜からの透過光はレンズ２６を通して
検出先２７となり光感応ダイオード２８に入る。

透過光２７の強度は信号がない状態に比べて信号３像を
照明する場合は約１／２から１／１０に減少し、これを
検出して信号再生をおこなうものである。第６図におい
て同様に反射式再生方法を説明する。

この場合は照明光は透過式とは異なり信号記５録層表面
から照明する。照明光２９はタングステンランプ、Ｈｅ
−Ｎｅレーザ、半導体レーザ等が使用できる。まずハー
フミラー３０を通過した光３１は、レンズ３２により集
光し、信号像３３を照明する。つぎに、信号像３３から
反射した光は、レンズ３２を通過しハーフミラー３０に
よつて反射し、反射光３４としてレンズ３５を通じて光
感応ダイオード３６に入る。

反射光３４の強度は、信号がない状態に比べて信号像を
照明する場合は約２〜・３倍に増大し、これを検出して
信号再生をおこなうものである。つぎに本発明における
情報記録方法に適用する情報記録部材の製造方法につい
て述べる。

実施例の１方法として蒸着法を適用する場合、蒸着出発
原材料の一例として次の組成式であられされる成分を使
用する。

｛（Ｓｂ２Ｏ３）１００−ｙ（Ｍ２）ｙ｝１００−ＸＲ
ｘＭ２：添加材料Ｒ：還元用材料 ただし、Ｘ，ｙはモル％でＯ＜．ｙ〈１００，０くｘく
１００、添加材料Ｍ２としてはＰｂＯ，Ｉｎ，Ｏ３，Ｓ
ｎＯ，Ｂ２Ｏ３，ＣＵＯ，ＴｅＯ２，ＳｉＯ，ＧｅＯ２
等の少くとも１つを用いる。

還元用材料ＲとしてはＣｒ，Ｆｅ，Ｗ，Ｍｎ等の少くと
も１つの材料を用いる。この蒸着出発材料を用いて、光
吸収性の記録部材を形成する手順を述べる。

まず、主成分である原材料アンチモン酸化物Ｓｂ２Ｏ３
、これは融点が６５６℃で、結晶系は斜方晶系の白色粉
末であり、これに対して第２添加材料Ｍ２粉末及びこれ
らの材料に対して還元反応を生ずる還元材料Ｒを選んで
混合せしめる。

第７図の生成系を用い、真空系３７の真空度は１０−３
關Ｈｇ〜１０−６ｍ７！ＬＨｇの間に選ぶ。蒸着用基材
３８としては、金属、ガラス、有機フイルム、紙などが
使用でき、基板支持台４０に設ける。加熱蒸着用容器４
４は、石英ルツボ、白金、アルミナ磁器などが使用でき
、蒸着出発原材料とは反応蒸着温度６００℃〜１０００
℃において反応を生じない安定な材質のものを選ぶ。他
の使用態様としては、還元材料Ｒとして容器の材質を利
用する。例えば、Ｗボート、Ｔｉボートを用いることも
可能である。この容器４４に該蒸着出発原材料４５を入
れ、真空系３７の中で加熱用コイルヒータ４２を電極４
１と結合し、電源４３を用いて加熱する。加熱方式とし
ては、カンタル線、タングステン線コイルのバスケツト
、あるいはボートに該容器を入れて電流抵抗加熱方式で
実施する。他の方法としては、該混合体を電子ビーム等
で直接加熱する方式も可能である。加熱温度は、添加材
料成分Ｍ２によつても異るが６００℃〜１０００℃の範
囲で選ぶ。

以上の真空度、加熱温度条件で、容器４４の中の蒸着原
材料は昇温、反応し溶融、昇化蒸発し蒸着用基材３８の
上に光吸収性記録膜として形成する。

蒸着膜厚は原材料の量、蒸着面積等によりかえることが
でき、１０００Ａ〜２μの範囲で容易に制御可能である
用途に応じて設定できる。つぎに、蒸着形成した光吸収
性記録用薄膜の構成について述べる。まず、蒸着出発原
材料組成式は ｛（Ｓｂ，Ｏ，），００−，（Ｍ２），｝１００？ＸＲ
ｘＯくｙ〈１００，０〈ｘ〈１００であり、真空中での
加熱に伴い還元材料Ｒはそれぞれアンチモン酸化物及び
酸化物添加材料Ｍ２と反応し、両者から酸素を一部とり
こんで、それぞれを低酸化物の形にする。

つまり、つぎの反応生成過程が生ずるわけである。

ＮＳｂ，Ｏ３＋Ｒ→２ｎＳｂ０ｘ，＋ＲＯｎ（３−２ｘ
１），０くＸ１く１．５及び、例えば酸化物添加材料Ｍ
，が４価の金属酸化物の場合、この添加材料はＭＯ２の
酸化物の型でありＭＭＯ，＋Ｒ媚０ｘ２＋Ｒｍ（２−０
２），ｏくＸ２〈２となり、蒸着生成膜は以上の還元反
応過程で生じた低酸化物ＳｂＯＸｌとＭＯＸ２の混合膜
として得られる。

一般に金属酸化物の還元低酸化物は、光吸収性が生じ生
成膜は光吸収性記録薄膜として得られる。

ただしこの場合、反応材料Ｒは必ずしもこの生成薄膜に
含まれない。以上の方法で得た薄膜は淡褐色を呈してお
りエネルギーを与えることにより、例えば光照射によつ
て灰褐色に光学濃度が変化する特性を有する。

この情報記録再生部材の感度は、光吸収性記録膜の材料
組成の他に部材の構成要素によつてかえることができる
。たとえば使用する基材の材質については熱伝導率、比
熱の小さいものを選ぶことが望ましく、ガラスに比べて
有機フイルムの方が良い。

さらに、基材の熱容量が小さいほど記録膜の光吸収昇温
の効率が高くなるため、基材の厚さは薄い方が望ましい
。

本発明におけるアンチモン酸化物ＳｂＯｘ，Ｏ〈Ｘ，〈
１．５を主成分とする光吸収性薄膜を用いた情報記録方
法においては、該薄膜の感度が約７０ｍＪ／ＣｒｆＬと
高く、比較的低エネルギーで記録が可能で、コントラス
ト比は２：１以上得ることができるが、使用の条件によ
つては該薄膜の膜厚を選ぶことによりさらに大きいコン
トラスト比を得ることができ、膜厚３０００λ〜７００
０λで１０：１以上のコントラスト比が得られる。

一方透過光によつてこの信号像を再生するにあたつては
未記録部分の透過率を上げる方が信号の読み出し効率が
向上し、比較的薄い膜厚１０００λ〜３０００λの領域
で良好な結果を得る。〔実施例１〕 蒸着原材料として酸化アンチモンＳｂ２Ｏ，単体を用い
、還元用材料としてＣｒ，Ｆｅ，Ｗ，Ｍｎの少くとも１
つを用いて蒸着形成した場合の実施例を述べる。

第１図における基材１として、透明ポリエステルフイル
ム厚さ２５μを使用している。

薄膜感光層２は淡褐色を呈しており、アンチモン酸化物
ＳｂＯｘ，ただしＯ＜Ｘ１〈１．５である生成条件によ
つては、例えば、１０００℃以上の高温蒸着の場合は還
元に用いた反応材料成分が不純物として薄膜感光層に混
入する場合があるが情報記録特性に及ぼす影響は少い。
つぎに酸化アンチモン単体及び還元材料を用いて情報記
録膜を形成する方法について述べる。

蒸着原材料組成式の１例は次式である。（Ｓｂ，Ｏ３）
１００−ＸＲｘただし、０〈ｘく１００さらにＲは還元
材料成分で、Ｃｒ，Ｆｅ，Ｗ，Ｍｎの少くとも１つであ
る。

第７図の生成系を用い、真空系３７の真空度は１０−３
〜１０−６１１Ｈｇとする。

蒸着用基材３８は透明ポリエステルフイルムであり厚さ
は２５μである。

加熱蒸着用容器４４は石英ルツボである。この中に、酸
化アンチモンＳｂ２Ｏ３及び還元材料成分ＲとしてＦｅ
を選んでＳｂ２Ｏ，に対して４０モル％（ｘ＝４０）の
組成比で加えた混合粉末を入れる。混合粉末蒸着原材料
の重量は、蒸着膜の設定膜厚に対応して選ぶことができ
る。約１００Ｔ１１ｆＩ用いることによつて約３０００
人の膜厚を得る。加熱用ヒータ４２としてタングステン
バスケツトを使用する。蒸着加熱温度は６００℃〜１０
００℃の範囲で容易に蒸着がおこなわれる。アンチモン
単体と還元材料を用いて生成した膜は、ＳｂＯＸｌただ
し、０〈Ｘ１＜１．５の組成範囲で得られる。蒸着膜は
淡褐色で、この薄膜の分光透過率曲線は第８図の曲線Ａ
２に示すように、可視光波長領域で１０％以上の透過率
を有する。

この膜に対して第２図に示すように、マスクを密着し、
Ｘｅフラツシユランプを照射すると、マスクを透過した
光は記録薄膜層５を照射し、パターンに対応して光照射
部位が灰褐色ないし黒色に変化し、光学濃度が増大する
。この記録後の膜の分光透過率曲線は第８図の曲線Ａ６
に示すように透過率が減少し、可視光波長領域吸収が顕
著に増大する。

同様に還元材料Ｒとして、Ｃｒ，Ｗ，Ｍｎを用いて蒸着
形成した光学記録膜はそれぞれ未記録状態の膜は淡褐色
を呈し、第８図の曲線Ａｌ，ａ３，ａ４に示す分光透過
率曲線となる。生成膜の濃度は還元材料によつて異なり
、Ｍｎ，Ｗ，Ｆｅ，Ｃｒの順で濃度が低くなる傾向があ
る。

いずれも光照射により光学濃度が増大し、記録後の分光
透過率曲線は第８図の曲線Ａ５，ａ７，ａ８に示すよう
に透過率が低下し光学的に情報の記録、再生がおこなえ
る。還元材料として、Ｃ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｔｌ，Ａｌｌ等
を用いても同様の結果を得る。

〔実施例 ２〕 蒸着材料として酸化アンチモンＳｂ２Ｏ３を用い、添加
材料Ｍ２として金属酸化物ＴｅＯ２，ｃｕＯ，ＰｂＯ，
Ｂ２Ｏ３の少くとも１つを用い還元材料としてＦｅを選
んで蒸着形成した光学情報記録膜は、第１図に示すよう
に基材として透明ポリエスフイルム厚さ２５μを使用す
る。

薄膜感光層２は淡褐色を呈しており、主成分がＳｂＯＸ
ｌ、０くＸ１〈１．５で、副成分として添加金属酸化物
を低酸化物の形で含むものである。

還元材料として用いた成分は、必ずしも該蒸着記録薄膜
層２には含まれない。つぎに、酸化アンチモンＳｂ２Ｏ
３及び金属酸化物を添加材料として用いた光学記録膜を
生成する方法を述べる。

蒸着原材料組成式の１例は次式である。

｛（Ｓｂ２Ｏ３）１００−ｙ（Ｍ２），｝１００−ＸＲ
ｘＯ＜ｙく１００，０〈ｘ〈１００Ｍ２は還元材料成分
で、実施例１に用いた材料が適用できるが、本実施例で
はＦｅを用いた例について述べる。

Ｍ２は添加材料成分で、ＴｅＯ２，ＣｕＯ，ＰｂＯ，Ｂ
２Ｏ３の少くとも１つを用いるものである。

第７図の生成系を用い、真空系３７の真空度は１０−３
ｍ７！ＬＨｇ〜１０−６Ｈｇとする。蒸着用基板３８は
透明ポリエステルフイルムで、膜厚は２５μである。加
熱蒸着用容器４４は石英ルツボである。この中に、酸化
アンチモンＳｂ２Ｏ３及び添加材料成分としてＣｕＯを
選んで、Ｓｂ２Ｏ３に対して８モル％（ｙ−８）の組成
比で加え、該混合体を約７５０℃で固溶せしめたのち粉
末とし、さらに還元材料成分であるＦｅを全体の４０モ
ル％（ｘ二４０）の組成比で加えた混合粉末を入れる。

この混合粉末蒸着原材料の重量は蒸着膜の設定膜厚に対
応して選ぶことができる。約１００９用いることによつ
て４０００λの膜厚を得る。加熱用ヒータとしてタング
ステンバスケツトを使用する。

蒸着加熱温度は６００℃〜１０００℃の範囲で容易に蒸
着がおこなわれる。該薄膜の生成過程は真空中での加熱
反応蒸着であり、つぎの過程になる。ＮＳｂ２Ｏ３＋Ｆ
ｅ→２ｎＳｂ０ｘ１＋ＦｅＯｎ（３−２ｘ１），０〈Ｘ
１く１．５ｍＣｕ０＋Ｆｅ→ＭＣＵＯ＋ＦｅＯｍ（１−
０２），０くＸ２く１．０それぞれ還元生成したＳｂＯ
Ｘｌ，ＣＵＯＸ２の低酸化物が蒸着し混合膜が生成し、
（ＳｂＯＸｌ）１００−２（ＣｕＯｘ２），Ｏ＜ｚく１
００の組成の膜を得る。

蒸着膜は淡青色で、この薄膜の分光透過率曲線は第９図
の曲線ｂ１に示すたうに可視光波長領域で２０％以上の
透過率を有する。

この膜に対する光学記録の１例として第４図に示す半導
体レーザを書き込み光源として用いた場合、光照射によ
り蒸着薄膜厚２０は、灰褐色に変化し半導体レーザのパ
ワーを大きくするにしたがつて、その濃度は増大する。
同様に、Ｘｅフラツシユランプによる光照射によつても
光学濃度変化を得ることができ、この記録後の膜の分光
透過率曲線は、第９図においてＢ５で示すように可視光
波長領域で吸収が増大し、Ｈｅ−Ｎｅレーザ光の波長λ
＝６３２８λでコントラスト比１１：１を得、同様に半
導体レーザ波長λ＝９０４０λの近赤外波長でもコント
ラスト比３：１を得ることができる。

同様に添加材料酸化物Ｍ２としてＴｅＯ２，ＰｂＯ，Ｂ
２Ｏ３を用いてこれらを低酸化物の形で含ませてなる光
学記録膜はそれぞれＳｂＯＸｌを主成分とし、（ＳｂＯ
Ｘｌ）１００−２（ＦｅＯＸ，）２０くＸ１く１．５０
くＸ，く２（ＳｂＯｘ，）１００−２（ＰｂＯＸ４）２
０〈Ｚ１〈１．５０〈Ｘ４く１（ＳｂＯｘｌ），。

ｏ−ｚ（ＢＯｘ，）ＺＯくＸ１く１．５０くＸ，く１．
５ いずれも、０くｚ〈１００の形の酸化物膜となる。

これらの情報記録膜は、未記録状態で淡褐色であり、そ
れぞれ分光透過率曲線は添加材料ＰｂＯ，Ｂ２Ｏ３，Ｆ
ｅＯ，に対応して第９図の曲線Ｂ２ｉｂ３，ｂ４となり
、可視光から長波長になるにしたがつて透過率が増大す
る。Ｘｅフラツシユランプを用いて光学的に記録した膜
は、それぞれ灰黒色になり光学濃度が増大する。

書き込み後の膜の分光透過率曲線は、第９図においてそ
れぞれ添加材料ＰｂＯ，Ｂ２Ｏ，，ＴｅＯ２に対応して
曲線Ｂ６，ｂ７，ｂ８となる。これら添加材料を含ませ
た膜は、実施例１に比べて情報書き込みコントラスト比
が大きく１０：１以上に向上する。

本発明における情報記録方法は、アンチモン酸化物Ｓｂ
Ｏｘ，，Ｏ〉Ｘ，〈１．５を主成分とする記録膜を用い
るものであり、Ｂｉ金属蒸着薄膜、カルコ２ｗゲン化材
料薄膜を用いる方法に比べて次の効果を有している。

１）低エネルギーで記録できる。

カルコゲン化組成物では、２Ｘ１０２ＷＬＪ／ＣＴｌｉ
以上の記録エネルギーが必要であるのに対して、本発明
の記録膜では約１／３になり、７０ｍＪ／ｄと感度が向
上する。

２）記録光学濃度比が高く、コントラスト比１０：１を
得ることができる。

３）機械強度ならびに化学的に安定である。

記録膜は酸化物組成であり、空気中で安定である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の情報記録方法に用いる記録部材の断面
図、第２図〜第４図はそれぞれ同記録部材を用いた記録
方法を実施する装置の概略図、第５図、第６図はそれぞ
れ光信号再生法を実施する装置の概略図、第７図は情報
記録膜を製造する装置の断面図、第８図、第９図はそれ
ぞれ本発明方法に用いる情報記録膜の記録前、後の分光
透過率曲線を示す図である。 １・・・・・・基材、２・・・・・・情報記録膜、３・
・・・・・透明保護層。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 光吸収性のアンチモン酸化物ＳｂＯｘ＿１（０＜ｘ
   ＿１＜１．５）を主成分とする薄膜に、信号に対応した
   強度変化を有するエネルギーを与え、光学濃度変化また
   は反射率変化を生ぜしめ、信号像を形成することを特徴
   とする情報記録方法。