JPS6177150A - 光学的記録用媒体 - Google Patents
光学的記録用媒体Info
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- JPS6177150A JPS6177150A JP59198202A JP19820284A JPS6177150A JP S6177150 A JPS6177150 A JP S6177150A JP 59198202 A JP59198202 A JP 59198202A JP 19820284 A JP19820284 A JP 19820284A JP S6177150 A JPS6177150 A JP S6177150A
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- Mathematical Physics (AREA)
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はレーザビームを照射して局部的に加熱し、その
加熱部に穴もしくは凹部又は凸部を形成することによっ
て記録する光字記録用媒体に関するものである。
加熱部に穴もしくは凹部又は凸部を形成することによっ
て記録する光字記録用媒体に関するものである。
（従来の技術）
基板上に形成された薄膜にレーザビームを照射して、ピ
ットを形成するようにした光学的記録用媒体として、従
来よりＴｏを使用することが知られている。Ｔｅは低融
点、低熱伝導度を有する為に、上記方法による記録にお
いて高い感度を、示す。しかし％ｗｅは酸化され易く、
酸化されると透明にな勺記録が出来なくなるという問題
がある。
ットを形成するようにした光学的記録用媒体として、従
来よりＴｏを使用することが知られている。Ｔｅは低融
点、低熱伝導度を有する為に、上記方法による記録にお
いて高い感度を、示す。しかし％ｗｅは酸化され易く、
酸化されると透明にな勺記録が出来なくなるという問題
がある。
上記問題点を一改良したものとして、Ｔｏを合金化した
もの、Ｔｏの低酸化物％Ｔｏ を有機膜中に分散させた
もの等がある（たとえば、特開 ゛昭１３−ＪｌｌＱＱ
号公報、特開昭３ｔ−３１ＪＪｔ号公報、特開昭５７−
９１３９４１号公報）。
もの、Ｔｏの低酸化物％Ｔｏ を有機膜中に分散させた
もの等がある（たとえば、特開 ゛昭１３−ＪｌｌＱＱ
号公報、特開昭３ｔ−３１ＪＪｔ号公報、特開昭５７−
９１３９４１号公報）。
（発明の目的）
我々は、かかるＴｅ を中心とする系について鋭意検討
した結果、ジアルキルテルル放電重合膜中にＴｅを分散
させることによシ、感度、経時安定性、ビット形状良好
な記録媒体を得るこ。
した結果、ジアルキルテルル放電重合膜中にＴｅを分散
させることによシ、感度、経時安定性、ビット形状良好
な記録媒体を得るこ。
とができることを見出し、本発明に到達したものである
。
。
（問題点を解決するための手段）
本発明の要旨は、基板と、この基板上に被着されたジア
ルキルテルル放電重合膜とから成り、該放電重合膜中に
はテルル（Ｔｏ）が分散して含有されていることを特徴
とする光学的記録用媒体にある。
ルキルテルル放電重合膜とから成り、該放電重合膜中に
はテルル（Ｔｏ）が分散して含有されていることを特徴
とする光学的記録用媒体にある。
以下１本発明の詳細な説明する。
本発明に係る記録用媒体は、たとえばジアルキルテルル
のモノマーガスを導入した真空容器中でグロー放電を行
なうとともに、一方ではＴｅを蒸発させることにより得
られる。このようにすれば放電重合膜中に非晶質Ｔｅが
分散したジアルキルテルル類の放電重合膜が基板上に形
成される。
のモノマーガスを導入した真空容器中でグロー放電を行
なうとともに、一方ではＴｅを蒸発させることにより得
られる。このようにすれば放電重合膜中に非晶質Ｔｅが
分散したジアルキルテルル類の放電重合膜が基板上に形
成される。
本発明における放電重合膜を形成するジアルキルテルル
としては％通常ジメチルテルル、ジエチルテルルが用い
られる。
としては％通常ジメチルテルル、ジエチルテルルが用い
られる。
また、該放電重合膜中に分散して含有されるＴｅの原料
としてはＴｅ、又はＴｅ を含む化合物、たとえばＰｂ
Ｔｅ 、 ＭＯＴｅ＊ 、 Ｔｅｎｔが用いられ、さら
にＢｉ 、 Ｂｅ 等を含む化合物を他成分として目的
に応じ加えることもできる。
としてはＴｅ、又はＴｅ を含む化合物、たとえばＰｂ
Ｔｅ 、 ＭＯＴｅ＊ 、 Ｔｅｎｔが用いられ、さら
にＢｉ 、 Ｂｅ 等を含む化合物を他成分として目的
に応じ加えることもできる。
基板としては、ガラス、アクリル樹脂、ポリカーボネー
ト樹脂等のプラスチック、又はアルミニウム等の金属が
挙げられ、その厚みは一般にｔ −／、 ｊ 順程度か
ら選ばれる。ジアルキルテルルの放電重合膜形成のため
のグロー放電に際しては、高周波法又は直流法の常法に
よることができ、ラジカル及びイオン種な生成させるこ
とにより、ジアルキルテルルの放電重合膜が形成される
。基板温度は、室温ないし基板の軟化点未満に保持され
る。Ｔｏが分散して含有されたジアルキルテルル放電重
合膜の淳みは、通常ＳＯＡ〜ｌμ程度、好ましくは一〇
θ〜／、０００Ａ程度である。
ト樹脂等のプラスチック、又はアルミニウム等の金属が
挙げられ、その厚みは一般にｔ −／、 ｊ 順程度か
ら選ばれる。ジアルキルテルルの放電重合膜形成のため
のグロー放電に際しては、高周波法又は直流法の常法に
よることができ、ラジカル及びイオン種な生成させるこ
とにより、ジアルキルテルルの放電重合膜が形成される
。基板温度は、室温ないし基板の軟化点未満に保持され
る。Ｔｏが分散して含有されたジアルキルテルル放電重
合膜の淳みは、通常ＳＯＡ〜ｌμ程度、好ましくは一〇
θ〜／、０００Ａ程度である。
このようにしてＴｅ を蒸着させると、ジアルキルテル
ルの放電重合膜がＴｅの活発化点をふさぎ、経時安定性
を増すことができる。ここで上記方法によって得られた
膜に熱処理を施し、結晶化したＴｅが分散したジアルキ
ルテルルの放電重合膜とすることもできる。
ルの放電重合膜がＴｅの活発化点をふさぎ、経時安定性
を増すことができる。ここで上記方法によって得られた
膜に熱処理を施し、結晶化したＴｅが分散したジアルキ
ルテルルの放電重合膜とすることもできる。
以下、図面を用いて本発明の一例につき、さらに詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本発明の光学的記録用媒体の一例の縦断面図で
ある。図中ｌはポリメチルメタアクｌｊレ−）（ＰＭＭ
Ａ）基板、コはＴｅ金含有ジアルキルテルル類電重合膜
である。
ある。図中ｌはポリメチルメタアクｌｊレ−）（ＰＭＭ
Ａ）基板、コはＴｅ金含有ジアルキルテルル類電重合膜
である。
本発明に係る記録用媒体は、上記のよ゛うに基板上に上
記放電重合膜を形成させてなるが、第１図における基板
ｌと重合膜−０間に、記録感度の向上、基板表面の改質
、孔形状の向上等のために、たとえばジアゾ系有機染料
（蒸着）、ジアルキルテルル放電重合膜等を下引層とし
て設けることもでき、さらには、記録媒体の保獲のため
に重合膜コ上にたとえば無定形８１０□ＭｇＦ、膜等を
保り膜として設けることもできる。
記放電重合膜を形成させてなるが、第１図における基板
ｌと重合膜−０間に、記録感度の向上、基板表面の改質
、孔形状の向上等のために、たとえばジアゾ系有機染料
（蒸着）、ジアルキルテルル放電重合膜等を下引層とし
て設けることもでき、さらには、記録媒体の保獲のため
に重合膜コ上にたとえば無定形８１０□ＭｇＦ、膜等を
保り膜として設けることもできる。
第２図は本発明に係る光学的記録用媒体を製造するため
の装置の一例を示す説明図であり、図中３は反応容器、
ダはジアルキルテルルガス導入口、夕は基板、６ｆ′ｉ
高周波コイル、りはＴ。
の装置の一例を示す説明図であり、図中３は反応容器、
ダはジアルキルテルルガス導入口、夕は基板、６ｆ′ｉ
高周波コイル、りはＴ。
蒸着用抵抗加熱器、ｇは膜厚モニター、９はシャッター
、ＩＯは排気口をそれぞれ示す。ジアルキルテルルの放
電重合膜の作製は、反応容器３内の気体を排気口１０か
ら排気し、１０″″’ Ｔｏｒｒ台の減圧状態とした後
、ジアルキルテルルガスを導入口ダより導入し、反応容
器Ｊの内圧なｓ ｘ ｉｏ″″’ 〜ｊ Ｘ １０−’
ＴＯｒｒとなるようくする。
、ＩＯは排気口をそれぞれ示す。ジアルキルテルルの放
電重合膜の作製は、反応容器３内の気体を排気口１０か
ら排気し、１０″″’ Ｔｏｒｒ台の減圧状態とした後
、ジアルキルテルルガスを導入口ダより導入し、反応容
器Ｊの内圧なｓ ｘ ｉｏ″″’ 〜ｊ Ｘ １０−’
ＴＯｒｒとなるようくする。
ガス導入後、高周波コイル６に高周波を印加し放電を起
こさせる。これと同時に蒸着用抵抗加熱器りからＴｏを
蒸発させ、安定状態えなった時点でシャッタータを開き
基板よ上にＴｅを含むジアルキルテルル放電重合膜を形
成する。
こさせる。これと同時に蒸着用抵抗加熱器りからＴｏを
蒸発させ、安定状態えなった時点でシャッタータを開き
基板よ上にＴｅを含むジアルキルテルル放電重合膜を形
成する。
Ｔｅの蒸発量は膜厚モニターｔで監視する。
放電重合膜中のＴｏの含有量ＦｉＴｅの蒸着速度、ある
いは重合条件を変えることによるジアルキルテルル放電
重合膜の成膜速度の二者のうちいずれかを変えることに
より制御できる。得られた膜が半導体レーザの波長で十
分な吸収を示すように、Ｔｅ含有１には、ｔ Ｏ〜９
！ｒ ｖｏｌ ９ｂ以上であるのが好ましい。
いは重合条件を変えることによるジアルキルテルル放電
重合膜の成膜速度の二者のうちいずれかを変えることに
より制御できる。得られた膜が半導体レーザの波長で十
分な吸収を示すように、Ｔｅ含有１には、ｔ Ｏ〜９
！ｒ ｖｏｌ ９ｂ以上であるのが好ましい。
本発明に係る光学的記録用媒体は、光デイスク記録媒体
として有用であシ、レーザービームを照射して加熱する
ことにより、穴をあけ、もしくは凹又は凸部を形成させ
て、記録を行なうことができる。
として有用であシ、レーザービームを照射して加熱する
ことにより、穴をあけ、もしくは凹又は凸部を形成させ
て、記録を行なうことができる。
（実施例）
以下、実施例により本発明を更に詳しく説明するが１本
発明が以下の実施例に限定されるものでないことけ勿１
のことである。
発明が以下の実施例に限定されるものでないことけ勿１
のことである。
実施例／
第一図に示したような装置を用い真空容器を３×１０−
・ＴＯｒｒまで排気した後、ジエチルテルル（Ｔｅ（Ｃ
會Ｈｓ）ｔ ）ガスを導入し、コイル状の電極（径／１
０朋ダ、３ターン、ピッチ１３龍）に／ ３．１６ Ｍ
Ｈ２の高周波電圧を印加してグロー放電を行なった。
・ＴＯｒｒまで排気した後、ジエチルテルル（Ｔｅ（Ｃ
會Ｈｓ）ｔ ）ガスを導入し、コイル状の電極（径／１
０朋ダ、３ターン、ピッチ１３龍）に／ ３．１６ Ｍ
Ｈ２の高周波電圧を印加してグロー放電を行なった。
ジエチルテルルガス流ｆｌｔＪＳＣｃＩｒＬ１カス圧、
ｔｘ／（ｒ” Ｔｏｒｒ 、放電電力ダＯＷでグロー放
電をおこすと同時に、Ｔｅ？：抵抗加熱で蒸発させ、Ｔ
。
ｔｘ／（ｒ” Ｔｏｒｒ 、放電電力ダＯＷでグロー放
電をおこすと同時に、Ｔｅ？：抵抗加熱で蒸発させ、Ｔ
。
含有ジエチルテルル重合膜をＰＭＭＡ基板上に形成させ
た。
た。
Ｔｅの蒸着速度なコｏｏＸ７馴とし、デＯ秒間成膜する
と約Ｊ００λのＴｅ含有ジエチルテルル重合膜が得られ
た。
と約Ｊ００λのＴｅ含有ジエチルテルル重合膜が得られ
た。
波長ｇＪＯｒｓｍ、媒体上りｍＷの半導体レーザーで記
録すると周辺部に盛り上がシの無いビットが書け、Ｏ／
Ｈの大変良好なものであった。
録すると周辺部に盛り上がシの無いビットが書け、Ｏ／
Ｈの大変良好なものであった。
経時安定性は、Ｔｅ 単独膜が６０℃、ＳＯチＲＨ中
に保存すると１週間で反射率が初期値の７３４に低下し
たのに対して、上記方法によシ成膜したものは７７月で
も反射率低下がみられなかった。
に保存すると１週間で反射率が初期値の７３４に低下し
たのに対して、上記方法によシ成膜したものは７７月で
も反射率低下がみられなかった。
実施例コ
実施例１に従〆い、ジエチルテルルガスｉｔＪｓｃｃｍ
、ガス圧ｒ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ 、放電電力１００
Ｗでグロー放電をおこすと同時に％ ’ｒｅ ｔ／蒸着
速度−７０Ａ ／ Ｈｍで７０秒間成膜した。ＰＭＭＡ
基板上に約ａｏｏｈのＴｅ含有ジエチルテルル重合膜が
得られた。
、ガス圧ｒ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ 、放電電力１００
Ｗでグロー放電をおこすと同時に％ ’ｒｅ ｔ／蒸着
速度−７０Ａ ／ Ｈｍで７０秒間成膜した。ＰＭＭＡ
基板上に約ａｏｏｈのＴｅ含有ジエチルテルル重合膜が
得られた。
上記方法でＰＭＭＡ基板上に成膜した光学的記録用媒体
に波長ＫＪＯｎｍ、媒体上ｅ ｍｙの半導体レーザーを
用いて記録すると、パルス幅ｇ。
に波長ＫＪＯｎｍ、媒体上ｅ ｍｙの半導体レーザーを
用いて記録すると、パルス幅ｇ。
ｎａｅｃでふくれの記録が行なえた。
また、経時安定性は％６０℃、ｇＯ１ＲＨ中保存で反射
率は初期値のｆ７％までしか低下しなかった。
率は初期値のｆ７％までしか低下しなかった。
（発明の効果）
本発明に係る記録用媒体は、Ｔｅの感度特性を従来と同
等以上に保持しつつ、経時安定性を向上しうる。
等以上に保持しつつ、経時安定性を向上しうる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の光学的記録用媒体の一例の縦断面図、
第一図は本発明に係る光学的記録用媒体を製造するため
の装置の一例を示す説明図である。 図中ｌは基板、コは放電重合膜、３は反応容器、りはジ
アルキルテルルガス導入口、ｊは基板、６は高周波コイ
ル、りはＴｏ蒸着用抵抗加熱器をそれぞれ示す。 出 願 人 三菱化成工業株式会社 代 理 人 弁理士 長谷用 − （ほか１名） 第１図 第２図
第一図は本発明に係る光学的記録用媒体を製造するため
の装置の一例を示す説明図である。 図中ｌは基板、コは放電重合膜、３は反応容器、りはジ
アルキルテルルガス導入口、ｊは基板、６は高周波コイ
ル、りはＴｏ蒸着用抵抗加熱器をそれぞれ示す。 出 願 人 三菱化成工業株式会社 代 理 人 弁理士 長谷用 − （ほか１名） 第１図 第２図
Claims (1)
- （１）基板と、この基板上に被着されたジアルキルテル
ル放電重合膜とから成り、該放電重合膜中にはテルル（
Ｔｅ）が分散して含有されていることを特徴とする光学
的記録用媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59198202A JPS6177150A (ja) | 1984-09-21 | 1984-09-21 | 光学的記録用媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59198202A JPS6177150A (ja) | 1984-09-21 | 1984-09-21 | 光学的記録用媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6177150A true JPS6177150A (ja) | 1986-04-19 |
Family
ID=16387175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59198202A Pending JPS6177150A (ja) | 1984-09-21 | 1984-09-21 | 光学的記録用媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6177150A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62273127A (ja) * | 1986-05-21 | 1987-11-27 | Yanmar Diesel Engine Co Ltd | 走行車輌の車軸高さ調節装置 |
| JPH02253987A (ja) * | 1989-03-29 | 1990-10-12 | Ricoh Co Ltd | 情報記録媒体 |
-
1984
- 1984-09-21 JP JP59198202A patent/JPS6177150A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62273127A (ja) * | 1986-05-21 | 1987-11-27 | Yanmar Diesel Engine Co Ltd | 走行車輌の車軸高さ調節装置 |
| JPH02253987A (ja) * | 1989-03-29 | 1990-10-12 | Ricoh Co Ltd | 情報記録媒体 |
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