JPS6262446A - 光学式記録担体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、レーザ光束を絞り込む事によりディスク基板
上に信号を記録したり、消失後追記を行う事が可能であ
る光学式記録担体に関するものである。

従来の技術 近年、大容量性の点から光学式情報記録担体が注目をあ
び、各所で幅広く研究が行われている。

そのうち記録のみ可能で消去不可能なものは一部で既に
商品化されており、開発の中心は消去可能なディスクに
移りつつある。

消去可能なディスクの一例を第２図に示す。これはＴｅ
系消去可能膜でも光磁気消去可能膜でも共通して用いら
れており、記録膜４は無機保護膜３によってサンドウィ
ッチ状に覆われている。通常この無機質保護膜は１，０
００人程鹿の厚みであり、明無機膜が用いられる。

この保護膜は記録膜をサンドウィッチ状に覆い、記録膜
への透湿、透酸素を防止すると共に、記録レーザ光束の
記録膜での発熱をディスク基板１や接着層６に到達させ
ない為の断熱材としても作用する非常に重要な役割りを
果している。又、本目的からもわかるように、この保護
膜３は厚いほど良く、更に緻密であることが望ましい。

発明が解決しようとする問題点 上述したように保護膜３はできるだけ厚く、更に緻密で
あることが望ましいが、反面、このような膜は応力歪が
発生しやすくなり、ディスク基板１と保護膜３、又は接
着層６と保護膜３との界面で剥離が発生する。剥離が発
生するということは保護膜３に多数のクラックが発生す
るということであり、このクラックを通して湿気及び酸
素が進み、記録膜を酸化させ、劣化を引き起こす。従っ
てこの剥離を発生させない為には保護層３の厚みを８０
０Å以下とし、応力を小さくするか、ディスク基板１の
表面を酸素プラズマ処理、欠はＵＶ処理等による表面改
質を行う方法が用いられてきた。しかし我々の実験結果
から有効に湿度及び酸素を遮断するためにはこの保護層
は１１００ｎ望ましくは１５０ｎｍ以上が必要であるこ
とがわかっている。一方、従来からもちいられている酸
素プラズマ処理や、遠紫外線処理をおこない基板１の凹
凸面を活性化する方法では１１００ｎ以上の膜厚から発
生する応力に抗するほどの密着力を得ることは出来なか
った。

問題点を解決するための手段 本発明は上記の問題点を解決するため、前述のごとく溝
と基板が一体となっているものを使用するではなく、平
板プラスチック基板にホトポリマー層を形成し、このホ
トポリマー層に凹凸レリーフパターンを形成後、紫外線
により硬化させ溝を転与するいわゆる２Ｐレプリカ法を
用い、前記ホトポリマー層の主成分がウレタン系アクリ
ル、もしくはオルガノポリシリコン系からなるものであ
って、このホトポリマー層が５〜１ｏｏμｍの厚さを有
するときのホトポリマー膜硬度が鉛筆硬度で３〜７Ｈを
有するようにオリゴマー等で調整された樹脂をもってホ
トポリマー層を構成し、しかる後、ＳｉＯ２，Ｓ　ｉ３
Ｎ４．　Ｔａ２０５　、　ＧｅＯ２、ＺｎＳ　、ＡｇＮ
、　Ａｌ２Ｏ３，１，Ｔ、○、Ｓｎ○２，５ｂ２ｏ３の
いづれか一つで６００〜３，０００人の厚みからなる保
護層を形成し、その後Ｔｏ系記録膜、もしくは光磁気記
録膜を形成したことからなる光学式記録担体である。

作　　用 有機薄膜の上に、異種の無機材料から成る薄膜層を形成
する場合、その二つの薄膜層の間の密着性の良否を決定
する因子はそれぞれの膜の熱膨張係数及び硬度であると
考えられる。二種の材料の熱膨張係数が大きく異なると
、加熱時に両者の材料間に応力歪が発生し、クラック発
生の原因となる。材料の硬度に関しては、二つの層の硬
度が大きく異なると、両者に応力が発生し、二つの層の
間にクラックが発生し、剥離を生じる。

以上の点を考慮し、種々のホトポリマー材料と、保護無
機材料との組合せについて詳細に検討を加えた。

その結果、保護層材料として、ＳｉＯ３，５ｔ３Ｎ４、
　Ｔａ２０５　、　ＧｅＯ２、Ｚｎ　Ｓ　、　ＡＩ　Ｎ
　、　Ａｌ　２０３　、　Ｉ　、Ｔ、Ｏ。

５ｎ０２　、５ｂ２０３のいずれかを用い、しかもその
保護層の膜厚を５００〜ｓ、ｏｏｏ人と限定した場合、
ホトポリマー主成分としては、ウレタン系アクリル、も
しくはオルガノポリシロキサンであり、このホトポリマ
ー樹脂で層の厚みは５〜１ｏｏμｍとなるようにし、こ
のときの層の硬度が３〜７Ｈ程度の鉛筆硬度を有するよ
うにオリゴマーで硬度調整のはかられているホトポリマ
ー樹脂が前記保護層ときわめて良好な接着を示すことが
わかった。

もし、ホトポリマー主成分としてはウレタン系アクリル
もしくはオルガノポリシロキサンであっても層の硬度が
３Ｈより小さければ、例えばその上に保護層として５ｉ
３Ｎ４１，５００人の薄膜を形成し、８０ｔｌ：９０％
の耐候性試験をおこなうと数十時間後に自濁化現象がみ
られてくる。これはｓｉ、Ｊ。

の応力にホトポリマー層がまけ、ホトポリマー層にしわ
が発生するためだと思われる。逆に８Ｈ以上の鉛筆硬度
を有するものは、もはや、保護層の応力にまったく追従
しなくなるから、従来のごとく、樹脂層と保護層との間
で剥離が発生した。

実施例 本発明の実施例について以下に説明する。

ホトポリマーとして、藤倉化成製のＶＢ５７０７Ｕを用
い、まず凹凸部を有する金型に前記ポリマー、ＶＢ５７
０７Ｕ’ｉ設置し、その後にプラスチック基板１ｆ：設
置し、紫外線照射によって硬化させ、金型を剥離するこ
とにより、プラスチック基板１に凹凸レリーフパターン
を構成したポリマー層２が形成される。

ポリマー層形成後、例えばＳｉ３Ｎ４から成る保護層３
を例えばスパッタ法や、プラズマＣＶＤ法を用いて２，
０００人程変形成する。その後、例えばスパッタ法を用
いて記録膜４を形成するＯ　Ｔｅ系記録膜の場合例えば
スパッタターゲットとしてＴ。

に例えばＧｅを１０　％　５ｎ１０％　５ｅ２０％程度
混合したものを用い、スパッタ時１ｃＡｒガスを真空槽
内に導入して、スパッタを行うことにより、Ｇｅ、Ｓｎ
。

Ｓｅが添加されたＴｅ系記録膜’ｉ　１．　ＯＯＯ〜１
，５００人程度形成する。光磁気記録膜の場合には、例
えばＴｂＦｅ　、　ＧｄＴｂＦｅ　、　ＧｄＴｂＤｙＦ
ｅ等の材料を用いる。この場合、ターゲットを前記材料
で形成し、真空槽内にＡｒを導入してスパッタを生じさ
せ、光磁気記録膜を１，０００〜１，５００ｑ人程度形
成する。その後記録膜４の上に例えば５ｔ３Ｎ４から成
る保護層３を再びスパッタ法、或いはプラス７　ＣＶＤ
法を用いて１，０００−２，０００人程変形成する。

そして最後にプラスチック基板１ｆ：接着層６を介して
接着する。

本構造を有する記録担体を８０℃９０％の耐候試験にか
けた。まず１系記録膜の場合、本構造を有するディスク
は２２　Ｏｈｒ後まったく問題を生じなかったが、第２
図に示す従来構造では、２０時間後に全面劣化が見られ
た。

光磁気膜の場合、本構造を有するディスクは２２Ｏｈｒ
後にはまったく問題を発生しなかった。

第２図に示す従来構造では、約１０時間後にすでに劣化
が見られた。

発明の効果 、５ｂ２ｏ３ノうちいずれか１つで５ｏｏ〜３，０００
人の厚みから成る保護層を形成し、しかる後にＴｅ系記
録膜層或いは光磁気記録膜層を形成して成る記録担体に
おいて前記保護層との密着性の強いポリマー層、即ち３
〜７Ｈの鉛筆硬度を有する光架橋性ポリマーであるとこ
ろのウレタンアクリル系又はオルガノポリシロキサン系
材料を形成して構成されるので、高温高湿雰囲気下に放
置しても保護膜とポリマー層の間に剥離、ヒビ割れ等が
発生することもなく、耐候性に優れた光学式記録担体が
実現されるという効果を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る光学記録担体の一実施例を示す断
面図、第２図は従来の光学記録担体の断面図である。 １・・・・・・ディスク基板、２・・・・・・ホトポリ
マー、３・・・・・・保護膜、４・・・・・・記録膜、
６・川・・接着層。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）透明プラスチック基板上にＳｉＯ＿２、Ｓｉ＿３
   Ｎ＿４、Ｔａ＿２Ｏ＿５、ＧｅＯ＿２、ＺｎＳ、ＡｌＮ
   、Ａｌ＿２Ｏ＿３、Ｉ．Ｔ．Ｏ、ＳｎＯ＿２、Ｓｂ＿２
   Ｏ＿３のうちいずれか一つを用い、５００〜３０００Å
   の厚みからなる保護層を形成し、この保護層上にＴｅ系
   記録膜層もしくは光磁気記録膜層を形成してなり、かつ
   前記プラスチック基板と前記保護層との間に密着性の強
   いポリマー層を介在させたことを特徴とする光学式記録
   担体。
2. （２）ポリマー層の厚みが５〜１００μｍであって、硬
   さが鉛筆硬度で３〜７Ｈであることを特徴とする特許請
   求の範囲第１項記載の光学式記録担体。
3. （３）ポリマー層が光架橋性ポリマーであることを特徴
   とする特許請求の範囲第２項記載の光学式記録担体。
4. （４）ポリマー層がウレタンアクリル系又はオルガノポ
   リシロキカン系からなることを特徴とする特許請求の範
   囲第４項記載の光学式記録担体。
5. （５）ポリマー層に凹凸レリーフパターンを構成したこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の光学式記録
   担体。